JPH09293712A - 縦型熱処理装置 - Google Patents
縦型熱処理装置Info
- Publication number
- JPH09293712A JPH09293712A JP10525096A JP10525096A JPH09293712A JP H09293712 A JPH09293712 A JP H09293712A JP 10525096 A JP10525096 A JP 10525096A JP 10525096 A JP10525096 A JP 10525096A JP H09293712 A JPH09293712 A JP H09293712A
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- Japan
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- core tube
- furnace core
- pressure
- heating chamber
- heat treatment
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Abstract
(57)【要約】
【課題】炉芯管の天板部が変形する。処理ガスの圧力に
よりこの変形を防止すると処理ガスの圧力が変動しウェ
ーハ上に形成される酸化膜等の厚さが不均一になる。 【解決手段】加熱室1及び炉芯管3に圧力検出器12,
13を設け、炉芯管3内の圧力を天板部が変形しない程
度に高める為に、処理ガス15に混合する不活性ガス1
7の供給手段を設ける。圧力検出器からの出力により、
不活性ガス17の流量と排気量調節弁11の制御をコン
トローラ19、排気量制御部20で行う。
よりこの変形を防止すると処理ガスの圧力が変動しウェ
ーハ上に形成される酸化膜等の厚さが不均一になる。 【解決手段】加熱室1及び炉芯管3に圧力検出器12,
13を設け、炉芯管3内の圧力を天板部が変形しない程
度に高める為に、処理ガス15に混合する不活性ガス1
7の供給手段を設ける。圧力検出器からの出力により、
不活性ガス17の流量と排気量調節弁11の制御をコン
トローラ19、排気量制御部20で行う。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は縦型熱処理装置に関
し、特に半導体ウェーハ(以下単にウェーハという)の
酸化・拡散等の工程で用いられる縦型熱処理装置に関す
る。
し、特に半導体ウェーハ(以下単にウェーハという)の
酸化・拡散等の工程で用いられる縦型熱処理装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来の縦型熱処理装置は、図2に示すよ
うに、ヒータ2を有する加熱室1と、この加熱室1内に
設けられ、ボート5に載置されたウェーハ6を導入する
為の石英製の縦型炉芯管3と、この炉芯管3に一端が接
続され他端が処理ガス供給室16に連なる外部燃焼室1
4に接続されたガス供給管9と、排気量調節弁11を有
する排気管10等から主に構成されている。ボート5は
炉芯管3の開口端を密閉するハッチ7上のボート受け4
に載置され、ボート搬送機構8により炉芯管3内に出し
入れされる。そして、H2 、O2 、Ar等の処理ガス1
5は、装置のコントローラ19によりマスフローコント
ローラ(MFC)を介して制御されて炉芯管3内に導入
され、その排気は排気量制御部20に制御される排気量
調節弁11により行なわれる。
うに、ヒータ2を有する加熱室1と、この加熱室1内に
設けられ、ボート5に載置されたウェーハ6を導入する
為の石英製の縦型炉芯管3と、この炉芯管3に一端が接
続され他端が処理ガス供給室16に連なる外部燃焼室1
4に接続されたガス供給管9と、排気量調節弁11を有
する排気管10等から主に構成されている。ボート5は
炉芯管3の開口端を密閉するハッチ7上のボート受け4
に載置され、ボート搬送機構8により炉芯管3内に出し
入れされる。そして、H2 、O2 、Ar等の処理ガス1
5は、装置のコントローラ19によりマスフローコント
ローラ(MFC)を介して制御されて炉芯管3内に導入
され、その排気は排気量制御部20に制御される排気量
調節弁11により行なわれる。
【0003】ウェーハ6の酸化処理等では、炉芯管3内
を所定の熱処理よりも100〜400℃低い温度に保持
し、ボート5に載置したウェーハ6を不活性ガス雰囲気
中の炉芯管3内に挿入する。そしてヒータにより加熱
し、炉芯管3内を所定の温度に昇温したのち、処理ガス
15を外部燃焼室14を介して炉芯管3内に導入し、ウ
ェーハ6の酸化処理等を行なう。
を所定の熱処理よりも100〜400℃低い温度に保持
し、ボート5に載置したウェーハ6を不活性ガス雰囲気
中の炉芯管3内に挿入する。そしてヒータにより加熱
し、炉芯管3内を所定の温度に昇温したのち、処理ガス
15を外部燃焼室14を介して炉芯管3内に導入し、ウ
ェーハ6の酸化処理等を行なう。
【0004】この従来の縦型熱処理装置では、炉芯管3
内の天板部を平板にすることでウェーハの有効処理能力
を向上させているが、熱処理温度が1100℃以上にな
ると天板部自身の自重の為に天板部の変形が著しくな
る。これは石英の歪点が1100℃前後である為であ
る。この対策としては、炉芯管3の天板部を半球状に形
成する方法が主に採用されている。
内の天板部を平板にすることでウェーハの有効処理能力
を向上させているが、熱処理温度が1100℃以上にな
ると天板部自身の自重の為に天板部の変形が著しくな
る。これは石英の歪点が1100℃前後である為であ
る。この対策としては、炉芯管3の天板部を半球状に形
成する方法が主に採用されている。
【0005】又、石英製炉芯管の変形を防止する為に、
圧力差を利用する方法が横型熱処理装置で実施されてい
る(例えば実公平4−40160号公報)。
圧力差を利用する方法が横型熱処理装置で実施されてい
る(例えば実公平4−40160号公報)。
【0006】この横型熱処理装置は、図3に示すように
構成されている。すなわち、機密構造の炉本体30の両
側壁には貫通口が設けられ、この貫通口に石英製の炉芯
管3Aが、セラミックファイバー等の耐熱弾性材を介し
てその両端を炉外に突出させて配置してある。炉芯管3
Aの端部開口には、蓋部材31が設けられ、この蓋部材
31にガス供給管9Aを接続してある。他端部には、排
気量調節弁11Aを有するガス排気管10Aが接続して
ある。
構成されている。すなわち、機密構造の炉本体30の両
側壁には貫通口が設けられ、この貫通口に石英製の炉芯
管3Aが、セラミックファイバー等の耐熱弾性材を介し
てその両端を炉外に突出させて配置してある。炉芯管3
Aの端部開口には、蓋部材31が設けられ、この蓋部材
31にガス供給管9Aを接続してある。他端部には、排
気量調節弁11Aを有するガス排気管10Aが接続して
ある。
【0007】炉本体30の加熱室1A内には、炉芯管3
Aを取り囲むようにヒータ2が配設されるとともに、加
熱室1Aにヒータ2の酸化防止の保護ガス32の供給
管、保護ガス排気量調節弁34を備えた保護ガス排気管
33及び圧力検出管35が設けられている。
Aを取り囲むようにヒータ2が配設されるとともに、加
熱室1Aにヒータ2の酸化防止の保護ガス32の供給
管、保護ガス排気量調節弁34を備えた保護ガス排気管
33及び圧力検出管35が設けられている。
【0008】そして、炉本体内の圧力検出管35の一端
は、ガス排気管10Aの排気量調節弁11Aより上流側
に接続するとともに、その途中に差圧検出器36が設け
られ、炉芯管3A内の圧力と加熱室1A内の圧力との圧
力差を検出するようになっている。
は、ガス排気管10Aの排気量調節弁11Aより上流側
に接続するとともに、その途中に差圧検出器36が設け
られ、炉芯管3A内の圧力と加熱室1A内の圧力との圧
力差を検出するようになっている。
【0009】この横型熱処理装置は、処理ガス及び保護
ガスの排気量調節弁11A,34を開とし、炉芯管3A
内に所定流量の処理ガス15Aをガス供給管9Aから供
給し、かつ、加熱室1A内に保護ガス用流量制御装置に
よって、所定流量の保護ガス32を保護ガス供給管から
供給する。炉芯管3A内の圧力と加熱室1Aの圧力差を
差圧検出器36により検出し、この差圧が10mmAq
(98Pa)以内となるように、保護ガス排気調整弁3
4を調節した後、ヒータ2により加熱室1A内を加熱す
るものである。
ガスの排気量調節弁11A,34を開とし、炉芯管3A
内に所定流量の処理ガス15Aをガス供給管9Aから供
給し、かつ、加熱室1A内に保護ガス用流量制御装置に
よって、所定流量の保護ガス32を保護ガス供給管から
供給する。炉芯管3A内の圧力と加熱室1Aの圧力差を
差圧検出器36により検出し、この差圧が10mmAq
(98Pa)以内となるように、保護ガス排気調整弁3
4を調節した後、ヒータ2により加熱室1A内を加熱す
るものである。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の縦型熱
処理装置は、熱処理温度が1100℃以上になる場合は
石英製炉芯管の天板部が変形する。そしてこの変形を防
止する為に炉芯管の天板部を半球状にすると、ウェーハ
の有効処理領域が減少するという問題点がある。
処理装置は、熱処理温度が1100℃以上になる場合は
石英製炉芯管の天板部が変形する。そしてこの変形を防
止する為に炉芯管の天板部を半球状にすると、ウェーハ
の有効処理領域が減少するという問題点がある。
【0011】又、従来の横型熱処理装置のように、加熱
室を機密構造とし、加熱室と炉芯管内に導入する保護ガ
ス及び処理ガスの流量及び排気量の調整を行う方法で
は、大幅な改造により縦型熱処理装置が高価になると共
に、炉芯管内部の処理ガスの圧力が変動する為、ウェー
ハの酸化処理に使用する場合、ウェーハ上に形成される
酸化膜の厚さが変動するという問題点がある。
室を機密構造とし、加熱室と炉芯管内に導入する保護ガ
ス及び処理ガスの流量及び排気量の調整を行う方法で
は、大幅な改造により縦型熱処理装置が高価になると共
に、炉芯管内部の処理ガスの圧力が変動する為、ウェー
ハの酸化処理に使用する場合、ウェーハ上に形成される
酸化膜の厚さが変動するという問題点がある。
【0012】本発明の目的は、大幅な改造をすることな
く、炉芯管の天板部の変形と炉芯管内に導入される処理
ガスの圧力(分圧)の変動を抑制できる縦型熱処理装置
を提供することにある。
く、炉芯管の天板部の変形と炉芯管内に導入される処理
ガスの圧力(分圧)の変動を抑制できる縦型熱処理装置
を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の縦型熱処理装置
は、ヒータを備えた加熱室と、この加熱室内に設けられ
ボートに載置された半導体ウェーハを挿入する為の密閉
可能な石英製縦型炉芯管と、この炉芯管に接続された処
理ガス供給管と排気管と、前記処理ガス供給管に接続さ
れた処理ガス供給手段と、前記排気管に接続された排気
量制御弁と、前記加熱室に接続された第1の圧力検出器
と、前記炉芯管に接続された第2の圧力検出器と、前記
炉芯管内の圧力を前記加熱室の圧力より所定圧だけ高く
する為に処理ガスと共に前記炉芯管内に導入する希釈用
の不活性ガス供給手段と、前記第1及び第2の圧力検出
器からの信号を入力し前記不活性ガスの供給量を制御す
る不活性ガス量制御手段とを含むことを特徴とするもの
である。
は、ヒータを備えた加熱室と、この加熱室内に設けられ
ボートに載置された半導体ウェーハを挿入する為の密閉
可能な石英製縦型炉芯管と、この炉芯管に接続された処
理ガス供給管と排気管と、前記処理ガス供給管に接続さ
れた処理ガス供給手段と、前記排気管に接続された排気
量制御弁と、前記加熱室に接続された第1の圧力検出器
と、前記炉芯管に接続された第2の圧力検出器と、前記
炉芯管内の圧力を前記加熱室の圧力より所定圧だけ高く
する為に処理ガスと共に前記炉芯管内に導入する希釈用
の不活性ガス供給手段と、前記第1及び第2の圧力検出
器からの信号を入力し前記不活性ガスの供給量を制御す
る不活性ガス量制御手段とを含むことを特徴とするもの
である。
【0014】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図1は本発明の実施の形態を説明する為の
縦型熱処理装置の断面図である。
て説明する。図1は本発明の実施の形態を説明する為の
縦型熱処理装置の断面図である。
【0015】図1を参照すると縦型熱処理装置は、ヒー
タ2を備えた加熱室1と、この加熱室1内に設けられボ
ート5に載置されたウェーハ6を導入する為の密閉可能
な石英製縦型炉芯管3と、この炉芯管3に接続された処
理ガス供給管9及び排気管10と、このガス供給管9に
接続され外部燃焼室14、処理ガス供給室16、コント
ローラ19等からなる処理ガス供給手段と、排気管10
に接続された排気量調節弁11と、加熱室1に接続され
た第1の圧力検出器12と、炉芯管3に接続された第2
の圧力検出器13と、炉芯管3内の圧力を加熱室1の圧
力より高める為に処理ガス15と共に不活性ガス17を
炉芯管3内に導入する為のMFCやコントローラ19等
からなる不活性ガス供給手段と、第1及び第2の圧力検
出器12,13からの信号を入力し不活性ガス17の供
給量を制御するメモリーや演算回路等からなる不活性ガ
ス流量設定部18と、コントローラ19に接続し、排気
量調節弁11の開閉度を制御する排気量制御部20とか
ら主に構成されている。以下ウェーハの酸化処理を例に
動作と共に説明する。
タ2を備えた加熱室1と、この加熱室1内に設けられボ
ート5に載置されたウェーハ6を導入する為の密閉可能
な石英製縦型炉芯管3と、この炉芯管3に接続された処
理ガス供給管9及び排気管10と、このガス供給管9に
接続され外部燃焼室14、処理ガス供給室16、コント
ローラ19等からなる処理ガス供給手段と、排気管10
に接続された排気量調節弁11と、加熱室1に接続され
た第1の圧力検出器12と、炉芯管3に接続された第2
の圧力検出器13と、炉芯管3内の圧力を加熱室1の圧
力より高める為に処理ガス15と共に不活性ガス17を
炉芯管3内に導入する為のMFCやコントローラ19等
からなる不活性ガス供給手段と、第1及び第2の圧力検
出器12,13からの信号を入力し不活性ガス17の供
給量を制御するメモリーや演算回路等からなる不活性ガ
ス流量設定部18と、コントローラ19に接続し、排気
量調節弁11の開閉度を制御する排気量制御部20とか
ら主に構成されている。以下ウェーハの酸化処理を例に
動作と共に説明する。
【0016】まず、ウェーハ6を載置したボート5をハ
ッチ7上のボート受け4にのせ、ボート搬送機構8によ
り炉芯管3内に挿入する。この時の炉芯管3内は、所定
の熱処理温度よりも100〜400℃低い温度に保持さ
れ、不活性ガス(Ar又はN2 )雰囲気となっている。
ッチ7上のボート受け4にのせ、ボート搬送機構8によ
り炉芯管3内に挿入する。この時の炉芯管3内は、所定
の熱処理温度よりも100〜400℃低い温度に保持さ
れ、不活性ガス(Ar又はN2 )雰囲気となっている。
【0017】ボート5の挿入完了後、所定の圧力に制御
しながら、所定の熱処理温度までヒータ2により炉芯管
3の内部を加熱昇温する。加熱室1内の圧力と炉芯管3
内の圧力との差圧設定は、炉芯管3の天板部の自重を相
殺するように炉芯管3内部を加熱室1内部(ほぼ大気
圧)より高く設定される。例えば、石英の比重は約2.
2g/cm3 であるので、板圧が4mmの場合、差圧は
86.3Pa、板圧が5mmの場合、差圧は107.9
Paとしてコントローラ19のメモリに設定される。昇
温完了後、外部燃焼装置14を介して供給された処理ガ
ス15は、希釈用の不活性ガス17(例えば、N2 ,A
r等)と混合され、処理ガス供給管9を通り炉芯管3内
に供給され、炉芯管3内を通過後炉芯管3の下部に設置
された排気管10より排出される。排出量は排気量調整
弁11により制御される。
しながら、所定の熱処理温度までヒータ2により炉芯管
3の内部を加熱昇温する。加熱室1内の圧力と炉芯管3
内の圧力との差圧設定は、炉芯管3の天板部の自重を相
殺するように炉芯管3内部を加熱室1内部(ほぼ大気
圧)より高く設定される。例えば、石英の比重は約2.
2g/cm3 であるので、板圧が4mmの場合、差圧は
86.3Pa、板圧が5mmの場合、差圧は107.9
Paとしてコントローラ19のメモリに設定される。昇
温完了後、外部燃焼装置14を介して供給された処理ガ
ス15は、希釈用の不活性ガス17(例えば、N2 ,A
r等)と混合され、処理ガス供給管9を通り炉芯管3内
に供給され、炉芯管3内を通過後炉芯管3の下部に設置
された排気管10より排出される。排出量は排気量調整
弁11により制御される。
【0018】希釈用の不活性ガスの流量は、加熱室1内
の第1の圧力検出器12の出力により測定された圧力と
装置コントローラ19に設定された差圧により、炉芯管
3内の処理ガス15の分圧が変化しないように決定され
る。例えば、加熱室1内の圧力が1013ヘクトPa、
処理ガス15の総流量が10SLM、差圧設定が86.
3Paでは、不活性ガス17の流量は、8.5SCCM
に自動設定される。そして、炉芯管3内部の圧力は、設
定された圧力になるように、第2の圧力検出器13によ
り設定された圧力信号によりコントトーラ19、排気量
制御部20により制御される排気量調節弁11の開閉に
よって調節される。
の第1の圧力検出器12の出力により測定された圧力と
装置コントローラ19に設定された差圧により、炉芯管
3内の処理ガス15の分圧が変化しないように決定され
る。例えば、加熱室1内の圧力が1013ヘクトPa、
処理ガス15の総流量が10SLM、差圧設定が86.
3Paでは、不活性ガス17の流量は、8.5SCCM
に自動設定される。そして、炉芯管3内部の圧力は、設
定された圧力になるように、第2の圧力検出器13によ
り設定された圧力信号によりコントトーラ19、排気量
制御部20により制御される排気量調節弁11の開閉に
よって調節される。
【0019】このように構成された本発明によれば、加
熱室1内と炉芯管3内の圧力差に応じて希釈用の不活性
ガスの流量を制御できる為、炉芯管の天板部の変形を防
止できると共に、炉芯管内部の処理ガスの分圧を一定に
することができる。この為、ウェーハの酸化等に使用す
る場合、ウェーハ上に形成される酸化膜圧の変動を小さ
くすることができる。
熱室1内と炉芯管3内の圧力差に応じて希釈用の不活性
ガスの流量を制御できる為、炉芯管の天板部の変形を防
止できると共に、炉芯管内部の処理ガスの分圧を一定に
することができる。この為、ウェーハの酸化等に使用す
る場合、ウェーハ上に形成される酸化膜圧の変動を小さ
くすることができる。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、加熱室と
炉芯管に圧力検出器を、そして炉芯管内の圧力を高める
為に処理ガスに混合する不活性ガス供給手段とを設ける
ことにより、装置を大幅に改造することなく炉芯管の天
板部の変形を防止できると共に、炉芯管内に導入される
処理ガスの分圧の変動を抑制できるという効果がある。
炉芯管に圧力検出器を、そして炉芯管内の圧力を高める
為に処理ガスに混合する不活性ガス供給手段とを設ける
ことにより、装置を大幅に改造することなく炉芯管の天
板部の変形を防止できると共に、炉芯管内に導入される
処理ガスの分圧の変動を抑制できるという効果がある。
【0021】
【図1】本発明の実施の形態を説明する為の縦型熱処理
装置の断面図。
装置の断面図。
【図2】従来の縦型熱処理装置の断面図。
【図3】従来の横型熱処理装置の断面図。
1 加熱室 2 ヒータ 3 炉芯管 4 ボート受け 5 ボート 6 ウェーハ 7 ハッチ 8 ボート搬送機構 9 ガス供給管 10 排気管 11 排気量調節弁 12 第1の圧力検出器 13 第2の圧力検出器 14 外部燃焼室 15 処理ガス 16 処理ガス供給室 17 不活性ガス 18 不活性ガス流量設定部 19 コントローラ 20 排気量制御部
Claims (1)
- 【請求項1】 ヒータを備えた加熱室と、この加熱室内
に設けられボートに載置された半導体ウェーハを挿入す
る為の密閉可能な石英製縦型炉芯管と、この炉芯管に接
続された処理ガス供給管と排気管と、前記処理ガス供給
管に接続された処理ガス供給手段と、前記排気管に接続
された排気量制御弁と、前記加熱室に接続された第1の
圧力検出器と、前記炉芯管に接続された第2の圧力検出
器と、前記炉芯管内の圧力を前記加熱室の圧力より所定
圧だけ高くする為に処理ガスと共に前記炉芯管内に導入
する希釈用の不活性ガス供給手段と、前記第1及び第2
の圧力検出器からの信号を入力し前記不活性ガスの供給
量を制御する不活性ガス量制御手段とを含むことを特徴
とする縦型熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08105250A JP3075173B2 (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 縦型熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08105250A JP3075173B2 (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 縦型熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293712A true JPH09293712A (ja) | 1997-11-11 |
| JP3075173B2 JP3075173B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=14402415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08105250A Expired - Lifetime JP3075173B2 (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 縦型熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3075173B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114300386A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种反应腔室尾气压力控制装置及半导体工艺设备 |
-
1996
- 1996-04-25 JP JP08105250A patent/JP3075173B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114300386A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种反应腔室尾气压力控制装置及半导体工艺设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3075173B2 (ja) | 2000-08-07 |
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