JPH09293802A - 半導体パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】隣接する半導体素子間における熱移動を防止
し、熱影響による半導体素子の誤動作を抑止することが
可能な半導体パッケージを提供する。 【解決手段】セラミックス基板３ａに出力が異なる複数
の半導体素子２ａ，２ｂを搭載した半導体パッケージ１
ａにおいて、隣接する半導体素子２ａ，２ｂ間の熱移動
を阻止する熱遮断部４をセラミックス基板３ａに形成し
たことを特徴とする。上記熱遮断部４はセラミックス基
板３ａに形成された溝５または空孔率５％以上の多孔質
層である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は複数の半導体素子を
搭載した半導体パッケージに係り、特に隣接する半導体
素子間における熱移動を防止し、熱影響による半導体素
子の誤動作を抑止することが可能な半導体パッケージに
関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子（チップ）は、外部環境から
の保護やハンドリング性の向上等を目的として、通常、
パッケージングして用いられている。上記半導体素子の
パッケージとしては、一般に、プラスチックパッケー
ジ，メタルパッケージ，セラミックスパッケージが使用
されている。これらの半導体パッケージのうち、特にセ
ラミックス製半導体パッケージは、ＬＳＩを気密封止す
る際の信頼性が高く、優れた耐湿性や放熱性を有するた
め、コンピュータの演算部に用いるＣＭＯＳゲートアレ
イやＥＣＬゲートアレイ等のパッケージングに使用され
ている。

【０００３】また、電気的特性を改善し、また基板実装
の簡便化を図る観点から、図４に示すように複数個の半
導体素子２，２ａ，２ｂを共通したひとつのセラミック
ス基板３から成るパッケージに収容した、いわゆるマル
チ・チップ・モジュール（ＭＣＭ）型の半導体パッケー
ジ１も各種半導体装置やコンピュータ等の電子機器に広
く採用されている。

【０００４】ところで、近年、半導体製造技術の進歩に
よって、半導体素子の高集積化や高速化が急速に進んで
いる。また、パワートランジスタに見られるように、大
電力化も一部で進められている。このような半導体素子
の高集積化や大電力化等に伴って、半導体素子からの発
熱量は増大しているため、半導体パッケージには放熱性
を高めることが強く望まれている。

【０００５】上記ＭＣＭ型の半導体パッケージにおいて
も、一般の半導体パッケージと同様に各種の放熱対策が
講じられている。特に中央演算処理装置（ＣＰＵ）な
ど、消費電力が大きい半導体素子を収容する半導体パッ
ケージにおいては、放熱性を向上させるために、必要に
応じて金属製の放熱フィン（ヒートシンク）をパッケー
ジ本体となるセラミックス基板に接合したり、基板材料
として高熱伝導性材料を使用する工夫がなされている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、消費電
力が大きい高出力の半導体素子と相対的に低出力の半導
体素子とを同一のセラミックス基板上に搭載して形成し
た半導体パッケージにおいては、高出力側の半導体素子
の発熱が、共通するセラミックス基板を経由して低出力
側の半導体素子方向に伝達されて熱影響を及ぼす問題点
があった。例えば、性能向上を目的として、ＣＰＵとＲ
ＡＭ（随時書き込み読出しメモリ）とを同一パッケージ
に収容した場合には、ＣＰＵで発生した熱がＲＡＭに伝
達され、ＲＡＭの動作不良を起こす原因となっていた。

【０００７】一方、放熱フィン（ヒートシンク）をパッ
ケージ本体に一体に接合する場合には、製造コストが大
幅に上昇したり、またヒートシンク材とパッケージ構成
材との熱膨張差により熱ひずみや剥離を生じ易くなり、
いずれにしても半導体パッケージの信頼性および耐久性
を低下させるという問題点があった。

【０００８】さらにパッケージ本体となるセラミックス
基板構成材として、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）
焼結体を使用した場合には、パッケージ全体としての放
熱性が大幅に向上するが、半導体素子間の熱伝達量も同
時に増大するため、熱を受ける側の半導体素子の動作不
良に対する懸念は却って増大することになる。上記問題
点は、入出力端子としてリードピンを用いたＰＧＡ（ピ
ングリッドアレイ），半田ボールを用いたＢＧＡ（ボー
ルグリッドアレイ），リードフレームを用いたＱＦＰ
（クァドフラッドパッケージ）などの種々の構造形態を
有する半導体パッケージについて同様に発生していた。

【０００９】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであり、隣接する半導体素子間における熱移動
を防止し、熱影響による半導体素子の誤動作を抑止する
ことが可能な半導体パッケージを提供することを目的と
する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者は上記目的を達
成するため本発明者らは、出力特性や放熱対策の必要性
が異なる複数の半導体素子を収容するパッケージにおい
て、半導体素子間の熱伝達を抑止できる半導体パッケー
ジの構造および材質を種々検討し、それらが半導体素子
の動作信頼性およびパッケージの放熱性に及ぼす影響を
実験により比較研究した。

【００１１】その結果、下記のような構造を採用するこ
とにより、半導体素子間における熱の隔離性と放熱性と
を共に満足する半導体パッケージが得られた。すなわち （１）半導体素子間のセラミックス基板に所定形状の溝
を形成して、基板の厚さを部分的に減少せしめて熱伝達
経路を狭くすることとにより、熱影響を減少させること
ができた。 （２）半導体素子間のセラミックス基板に、空孔率５％
以上の多孔質層を設け、熱伝導率が相対的に低い領域を
部分的に形成することにより、熱伝達量を減少させるこ
とができた。 （３）熱的な隔離が必要であり、かつ半導体素子自身の
放熱を殆ど考慮する必要がない場合には、その半導体素
子を搭載するセラミックス基板の箇所（ダイパッド）の
みについて、多孔質層としその熱伝導率を他の領域と比
較して相対的に低下させることにより、他の半導体素子
からの発熱の影響を小さくすることができた。

【００１２】本発明は上記知見に基づいて完成されたも
のである。すなわち、本発明に係る半導体パッケージ
は、セラミックス基板に出力が異なる複数の半導体素子
を搭載した半導体パッケージにおいて、隣接する半導体
素子間の熱移動を阻止する熱遮断部をセラミックス基板
に形成したことを特徴とする。また上記熱遮断部はセラ
ミックス基板に形成された溝であることを特徴とする。
さらに上記熱遮断部は、セラミックス基板に一体に形成
された空孔率５％以上の多孔質層で構成してもよい。

【００１３】また多孔質層は、相対的に低出力である半
導体素子の搭載部に形成するとよい。さらにセラミック
ス基板が窒化アルミニウム焼結体から成る一方、熱遮断
部が空孔率５％以上の多孔質窒化アルミニウム焼結体か
ら構成するとよい。

【００１４】ここでセラミックス基板としては、窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ），窒化けい素（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ），酸
化アルミニウム（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）などの各種窒化物系セラ
ミックス焼結体や酸化物系セラミックス焼結体から成る
基板を使用することができるが、特に放熱性を向上させ
る観点から、熱伝導率が高い窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）焼結体から成る基板を使用することが好ましい。

【００１５】また熱遮断部としての溝は、セラミックス
基板における熱伝達経路を狭くするために形成される。
溝の幅および深さは、セラミックス基板の熱さや強度に
よっても異なるが、基板の構造強度を大きく損わない範
囲において、幅は隣接する半導体素子との間隔の５〜８
０％の範囲、深さは基板厚さの５〜７０％の範囲で形成
するとよい。

【００１６】さらに熱遮断部としての多孔質層は、セラ
ミックス基板において緻密な領域と比較して熱伝導率が
相対的に低い領域を形成するために、セラミックス基板
と一体的に形成される。多孔質層の空孔率はその熱伝導
率に大きな影響を及ぼす。本願発明において半導体素子
間の熱伝達を効果的に防止するためには、緻密な領域と
比較して８０％以下の熱伝導率を有する多孔質層を形成
する必要がある。そのためには、多孔質層の空孔率は５
vol.％以上、好ましくは１０vol.％以上とすることが必
要である。

【００１７】上記のような多孔質層を形成したセラミッ
クス基板は、その成形体を焼成する際の雰囲気条件を局
所的に変えることにより製造でき、緻密なセラミックス
焼結体から成る本体部分に部分的に多孔質層を一体に形
成したセラミックス基板が得られる。具体的には、焼成
時に還元性ガスを放出するカーボン成分などを含有する
ペーストを成形体の所定位置に塗布したり、カーボン成
分などを含有する治具を成形体の所定位置に載置した状
態で焼成することにより、焼成工程初期において還元性
ガス（Ｃ）が焼結助剤を還元するため、実質的に焼結助
剤が作用しない部位が生じ、多孔質層が形成される。

【００１８】次に上記多孔質層を形成した基板であり、
セラミックスとして窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を使用
した場合におけるセラミックス基板を製造する方法につ
いて、以下に具体的に説明する。

【００１９】一般に窒化アルミニウム焼結体は、窒化ア
ルミニウム原料粉末に対して１〜７重量％のＹ₂ Ｏ₃ な
どの焼結助剤を添加して調製した原料混合体を成形し、
得られた成形体を還元雰囲気中で１７００〜２０００℃
の温度で３〜１００時間焼成して製造される。

【００２０】上記窒化アルミニウム原料粉末としては、
焼結性および熱伝導性を考慮して不純物酸素含有量が３
重量％以下に抑制され、かつ平均粒径が０．０５〜５μ
ｍ、好ましくは３μｍ以下のＡｌＮ原料粉末を使用す
る。

【００２１】従来、熱伝導率が２６０Ｗ／ｍ・Ｋ程度の
高熱伝導性ＡｌＮ焼結体を製造する場合には、焼成用カ
ーボン容器から発生するカーボンガスを含む還元雰囲気
が成形体全体に及ぶように充分な空間をカーボン容器内
に確保して焼成した。しかるに本発明で使用する多孔質
層付きのＡｌＮ焼結体では、上記従来法とは逆に成形体
の特定表面をカーボン容器の内壁に接近させたり、また
は焼成時に還元性ガスを放出するカーボンなどの還元物
質を含有するペーストを成形体表面に部分的に塗布した
り、あるいは上記還元物質を含有する治具を成形体上に
部分的に載置したりすることにより、カーボンガス等の
還元作用をより強く受ける焼結体部位を設定し、この部
位に部分的に多孔質ＡｌＮ層を形成するものである。

【００２２】窒化アルミニウム原料粉末に添加されたＹ
₂ Ｏ₃ などの焼結助剤はＡｌＮ結晶粒の緻密化に大きく
影響し、焼結助剤が少ない場合には、焼結体の緻密化が
阻害されることになる。しかるに本願発明で使用するセ
ラミックス基板の焼成方法において、ＡｌＮ成形体を焼
成用カーボン容器の内壁に接近させることにより、また
は還元物質を含有するペーストや治具を成形体に塗布ま
たは載置したりすることにより、焼成初期において成形
体表面に存在する焼結助剤としてのＹ₂ Ｏ₃ がカーボン
ガス等によって還元され、同時に雰囲気中の窒素ガスに
よって窒化されて窒化イットリウム（ＹＮ）となる。つ
まり、カーボン容器内壁に接近したＡｌＮ成形体の表面
部分のみ、またはペーストを塗布した部分、治具を載置
した部分のみにおいて焼結助剤が欠乏状態となり、焼成
後においても緻密化しない。一方、ＡｌＮ成形体の表面
の上記以外の部分においては充分な焼結助剤が残留し、
通常通りの焼結が進行し、さらに焼結体の緻密化および
高純度化が進行する。このようにして表面だけに緻密化
が進行しない多孔質窒化アルミニウム焼結体が層状に形
成され窒化イットリウム（ＹＮ）が残る一方、内部には
緻密なＡｌＮ焼結体本体が形成される。

【００２３】こうして形成された多孔質ＡｌＮ焼結体層
は、内部のＡｌＮ焼結体と比較して相対的に熱伝導率お
よび密度が低いなどの特徴を有する。

【００２４】上記多孔質層は、（１）隣接する半導体素
子間のセラミックス基板表面部に形成したり、（２）特
に熱的な隔離を必要とする半導体素子であり、その素子
自身が低出力で、その放熱を殆ど考慮する必要がない場
合においては、その半導体素子を搭載するセラミックス
基板のダイパッド部分のみに形成される。

【００２５】また上記多孔質ＡｌＮ層の相対密度は、熱
の隔離性に影響を与える。多孔質ＡｌＮ層の相対密度が
９０％を超えると、熱の隔離性が低下するため、多孔質
ＡｌＮ層の相対密度は９０％以下に設定される。さらに
多孔質ＡｌＮ層の厚さは２０〜１０００μｍの範囲に設
定される。この厚さが２０μｍ未満の場合には、熱遮断
効果が少ない一方、厚さが１０００μｍを超えると、Ａ
ｌＮ焼結体全体の構造強度が低下し、さらにＡｌＮ本来
の高熱伝導性が損われる。

【００２６】また表層部の多孔質ＡｌＮ層以外の部分、
すなわち内部のＡｌＮ焼結体本体の相対密度は、半導体
パッケージ全体の構造強度を保持させるために９０％以
上、好ましくは９３％以上とする。

【００２７】上記所定厚さの多孔質ＡｌＮ層を形成する
ためには、焼成時におけるＡｌＮ成形体とカーボン製焼
成容器の内壁との距離を３〜２０mmに設定して焼成を行
なう。

【００２８】なお、多孔質ＡｌＮ層を形成する方法とし
て、上記製法では、出発素体としてＡｌＮ成形体を使用
しているが、一旦通常の焼結法によって製造したＡｌＮ
焼結体を、カーボン製焼成容器内に収容し、ＡｌＮ焼結
体とカーボン容器の内壁との間隔を上記範囲に設定して
焼成することにより形成する方法、または還元物質を含
有するペーストや治具を焼結体に塗布または載置した後
に、再度焼成して形成する方法も使用できる。

【００２９】上記構成に係る半導体パッケージによれ
ば、出力特性が異なる複数の半導体素子を搭載し、隣接
する半導体素子間に、溝または多孔質層から成る熱遮断
部が形成されているため、一方の半導体素子において発
生した熱が他方の素子へ伝達されることが効果的に抑止
される。したがって、熱影響による半導体素子の動作不
良や誤動作が少なく、信頼性が高い半導体パッケージが
得られる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下本発明の実施例について添付
図面を参照してより具体的に説明する。

【００３１】実施例１ ０．７重量％の不純物酸素を含有する平均粒径１．０μ
ｍの窒化アルミニウム原料粉末に焼結助剤としての酸化
イットリウム（Ｙ₂ Ｏ₃ ）を５重量％添加し、さらにバ
インダーを加えて混合後、ドクターブレード法によって
シート成形した。得られたシート状成形体にビアホール
を形成すると共に、ビアホールへのＷペーストの充填お
よびＷペーストによる配線印刷を行った。この印刷され
たシート状成形体を複数層熱圧着して積層し、焼成後に
３０×６０mmとなるように切断した後、脱脂処理を行っ
た。そして、窒素ガス雰囲気中で温度１８００°で４時
間加熱焼成することにより、縦３０mm×６０mm×厚さ５
mmの実施例１用の窒化アルミニウム製同時焼成配線基板
３ａを作製した。

【００３２】図１に示すように、このセラミックス基板
３ａの所定の位置に研削加工により、熱遮断部４として
の溝５を縦３０mm×横５mm×厚さ２mmの寸法で設けた。
そして上記溝５を挟んだセラミックス基板３ａの各表面
部に半導体素子２としてのＣＰＵ２ａとＲＡＭ２ｂとを
それぞれ搭載して図１に示すような構造を有する実施例
１に係る半導体パッケージ１ａを調製した。

【００３３】そして溝５を形成した実施例１に係る半導
体パッケージ１ａおよび図４に示すような溝を形成せず
実施例と同一寸法を有する比較例の半導体パッケージ１
のＣＰＵ２ａとＲＡＭ２ｂとを動作させて、各半導体素
子２の表面温度を測定した。その結果、実施例１の半導
体パッケージ１ａにおいては、ＣＰＵ２ａで発生した熱
のＲＡＭ２ｂ側への移動伝達が溝５によって抑止される
ため、ＲＡＭ２ｂの表面温度は比較例の場合と比較して
３〜１０℃低下しており、効果的な熱的隔離が達成され
ることが判明した。この実施例の場合、予め最表層に用
いるシート状成形体に溝を設けておき、切削加工の必要
をなくしたＡｌＮ基板でも同様の効果が得られている。

【００３４】実施例２ 実施例１において形成した熱遮断部としての溝に代え
て、図２に示すように、熱遮断部４としての多孔質窒化
アルミニウム（ＡｌＮ）層６ｂを形成したＡｌＮ基板３
ｂを使用した点以外は、実施例１と同様に処理して実施
例２に係る半導体パッケージ１ｂを製造した。

【００３５】上記多孔質ＡｌＮ層６ｂを形成したＡｌＮ
基板３ｂは以下の手順で調製した。すなわち、０．７重
量％の不純物酸素を含有する平均粒径１．０μｍの窒化
アルミニウム原料粉末に焼結助剤としての酸化イットリ
ウム（Ｙ₂ Ｏ₃ ）を５重量％添加し、さらにバインダー
を加えて混合後、ドクターブレード法によってシート成
形した。得られたシート状成形体にビアホールを形成す
ると共に、ビアホールへのＷペーストの充填およびＷペ
ーストによる配線印刷を行った。このとき最表層となる
シートにカーボン（グラファイト）ペーストをスクリー
ン印刷して、所定の箇所に帯状のペースト層を形成し
た。この印刷されたシート状成形体を複数層熱圧着して
積層し、焼成後に３０×６０mmとなるように切断した
後、脱脂処理を行った。そして、窒素ガス雰囲気中で温
度１８００°で４時間加熱焼成することにより、縦３０
mm×６０mm×厚さ５mmの実施例２用の窒化アルミニウム
製同時焼成配線基板３ｂを作製した。

【００３６】上記実施例２用のＡｌＮ基板３ｂにおいて
は、図２に示すようにカーボンペーストを印刷した形状
に対応して厚さ３００μｍの帯状の多孔質ＡｌＮ層６ｂ
が熱遮断部４として形成される一方、印刷を行なわない
部位においては、通常の高密度で高熱伝導率の窒化アル
ミニウム焼結体の性状を呈していた。

【００３７】上記帯状の多孔質ＡｌＮ層６ｂを挟んだセ
ラミックス基板２ｂの各表面部に半導体素子２としての
ＣＰＵ２ａとＲＡＭ２ｂとをそれぞれ搭載して図２に示
すような構造を有する実施例２に係る半導体パッケージ
１ｂを調製した。

【００３８】そして実施例２に係る半導体パッケージ１
ｂのＣＰＵ２ａとＲＡＭ２ｂとを動作させて、各半導体
素子２の表面温度を測定した。その結果、実施例２の半
導体パッケージ１ｂにおいては、ＣＰＵ２ａで発生した
熱のＲＡＭ２ｂ側への移動伝達が多孔質ＡｌＮ層６ｂに
よって抑止されるため、ＲＡＭ２ｂの表面温度は、図４
に示す比較例の場合と比較して２〜７℃低下しており、
効果的な熱的隔離が達成されることが判明した。

【００３９】実施例３ 実施例１において形成した熱遮断部としての溝に代え
て、図３に示すように、熱遮断部４としての多孔質窒化
アルミニウム（ＡｌＮ）層６ｃをＲＡＭ２ｂの搭載部に
形成したＡｌＮ基板３ｃを使用した点以外は、実施例１
と同様に処理して実施例３に係る半導体パッケージ１ｃ
を製造した。

【００４０】上記多孔質ＡｌＮ層６ｃを形成したＡｌＮ
基板３ｃは以下の手順で調製した。すなわち、０．７重
量％の不純物酸素を含有する平均粒径１．０μｍの窒化
アルミニウム原料粉末に焼結助剤としての酸化イットリ
ウム（Ｙ₂ Ｏ₃ ）を５重量％添加し、さらにバインダー
を加えて混合後、ドクターブレード法によってシート成
形した。得られたシート状成形体にビアホールを形成す
ると共に、ビアホールへのＷペーストの充填およびＷペ
ーストによる配線印刷を行った。この印刷されたシート
状成形体を複数層熱圧着して積層し、焼成後に３０×６
０mmとなるように切断した後、脱脂処理を行った。そし
て、ＲＡＭよりひと回り大きい形状のカーボン製治具を
所定の箇所に載置し、窒素ガス雰囲気中で温度１８００
°で４時間加熱焼成することにより、縦３０mm×６０mm
×厚さ５mmの実施例３用の窒化アルミニウム製同時焼成
配線基板３ｃを作製した。

【００４１】上記実施例３用のＡｌＮ基板においては、
図３に示すようにＲＡＭのダイパッド部に載置した治具
の形状に対応して平面形状の多孔質ＡｌＮ層６ｃが形成
される一方、治具を載置しない部位においては、通常の
高密度で高熱伝導率の窒化アルミニウム焼結体の性状を
呈していた。

【００４２】そして、上記ダイパッド部に形成した多孔
質ＡｌＮ層６ｃの表面にＲＡＭ２ｂを搭載する一方、通
常の緻密度を有するＡｌＮ基板３ｃの表面に、ＣＰＵ２
ａを搭載することにより、図３に示すような構造を有す
る実施例３に係る半導体パッケージ１ｃを調製した。

【００４３】上記実施例３の半導体パッケージ１ｃにつ
いても同様にＣＰＵ２ａおよびＲＡＭ２ｂを動作させ
て、各半導体素子２の表面温度の変化を測定した。その
結果、実施例３においては、ＣＰＵ２ａと比較して相対
的に低出力であるＲＡＭ２ｂへの熱移動が、ＲＡＭ２ｂ
のダイパッド部に形成された多孔質ＡｌＮ層６ｃによっ
て効果的に阻止されるため、ＲＡＭ２ｂの表面温度は図
４に示す比較例の場合と比較して３〜１２℃低下してお
り、熱の隔離効果が高いことが判明した。

【００４４】以上の実施例では、セラミックス基板とし
て窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板を使用した例で示し
ているが、その他にも、アルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）基板や
窒化けい素（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）基板を使用した場合において
も同様な効果が得られた。

【００４５】また各実施例のような複数の半導体素子を
搭載した半導体パッケージの構造は、入出力端子として
リードピンを用いたＰＧＡ（ピングリッドアレイ），半
田ボールを用いたＢＧＡ（ボールグリッドアレイ），リ
ードフレームを用いたＱＦＰ（クァドフラッドパッケー
ジ）などの種々の構造形態を有する半導体パッケージに
同様に適用することができる。

【００４６】

【発明の効果】以上説明の通り本発明に係る半導体パッ
ケージによれば、出力特性が異なる複数の半導体素子を
搭載し、隣接する半導体素子間に、溝または多孔質層か
ら成る熱遮断部が形成されているため、一方の半導体素
子において発生した熱が他方の素子へ伝達されることが
効果的に抑止される。したがって、熱影響による半導体
素子の動作不良や誤動作が少なく、信頼性が高い半導体
パッケージが得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体パッケージの一実施例を示
す斜視図。

【図２】本発明に係る半導体パッケージの他の実施例を
示す斜視図。

【図３】本発明に係る半導体パッケージのその他の実施
例を示す斜視図。

【図４】従来の半導体パッケージの構成例を示す斜視
図。

【符号の説明】 １，１ａ，１ｂ，１ｃ 半導体パッケージ ２ 半導体素子（チップ） ２ａ ＣＰＵ ２ｂ ＲＡＭ ３，３ａ，３ｂ，３ｃ セラミックス基板（ＡｌＮ基
板） ４ 熱遮断部 ５ 溝 ６ｂ，６ｃ 多孔質層（多孔質ＡｌＮ層）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅井 博紀 神奈川県横浜市鶴見区末広町２の４ 株式 会社東芝京浜事業所内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 セラミックス基板に出力が異なる複数の
   半導体素子を搭載した半導体パッケージにおいて、隣接
   する半導体素子間の熱移動を阻止する熱遮断部をセラミ
   ックス基板に形成したことを特徴とする半導体パッケー
   ジ。
2. 【請求項２】 熱遮断部はセラミックス基板に形成され
   た溝であることを特徴とする請求項１記載の半導体パッ
   ケージ。
3. 【請求項３】 熱遮断部は、セラミックス基板に一体に
   形成された空孔率５％以上の多孔質層であることを特徴
   とする請求項１記載の半導体パッケージ。
4. 【請求項４】 多孔質層は、相対的に低出力である半導
   体素子の搭載部に形成したことを特徴とする請求項３記
   載の半導体パッケージ。
5. 【請求項５】 セラミックス基板が窒化アルミニウム焼
   結体から成る一方、熱遮断部が空孔率５％以上の多孔質
   窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする請求
   項１記載の半導体パッケージ。