JPH09294018A - 高周波二帯域発振回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の高周波二帯域発振回路における二つの
発振回路出力の増幅用バッファアンプ回路を二つから一
つに削減し、同時にバッファアンプ出力切換え用の単極
双投スイッチを削除することにより、回路規模を小さく
する。 【解決手段】 第１の発振回路１ａの出力が第１の段間
結合素子１６ａを介して入力されると共に第２の発振回
路１ｂの出力が第２の段間結合素子１６ｂを介して入力
される一つのバッファアンプ回路２ｃが備えられてい
る。制御端子２４ａ，２４ｂから与えられる制御電圧に
よって第１又は第２の発振回路が択一的に動作する。さ
らに、第１及び第２の周波数帯の両方の共振周波数を有
する二帯域共振回路２５が備えられ、第１の結合容量素
子１５ａを介して第１の発振回路の発振トランジスタ１
０ａに接続されると共に第２の結合容量素子を介して第
２の発振回路の発振トランジスタ１０ｂに接続されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、自動車電話や携帯
電話等の移動体通信システムまたは衛星通信機器に用い
られる小型の電圧制御発振器（ＶＣＯ）に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電話、ＰＨＳ等種々の移動体
通信システムが普及しつつある。これに伴い、これら複
数のアプリケーションに対して一台の端末での対応を可
能にする複合端末のニーズが予想される。この場合、通
信機の局部発振回路を構成するＶＣＯ等の高周波発振回
路は、アプリケーションに応じた複数の異なる周波数帯
域の信号を発生する必要性が生ずる。

【０００３】図５に、二つの異なる周波数帯域の信号を
発生する高周波二帯域発振回路の従来例を示す。図５に
おいて、１ａは第１の発振回路部、１ｂは第２の発振回
路部、２ａは第１のバッファアンプ部、２ｂは第２のバ
ッファアンプ部、３は単極双投スイッチ、４ａは第１の
共振回路部、４ｂは第２の共振回路部、５ａ及び５ｂは
共振器、６ａ及び６ｂは共振器とバラクタとの結合コン
デンサ、７ａ及び７ｂはバラクタダイオード、８ａ及び
８ｂは高周波チョーク、９ａ及び９ｂは高周波接地コン
デンサ、１０ａ及び１０ｂは発振トランジスタ、１１ａ
及び１１ｂはコレクタ・エミッタ間コンデンサ、１２ａ
及び１２ｂはコレクタ・ベース間コンデンサ、１３ａ及
び１３ｂはエミッタ・接地間コンデンサ、１４ａ及び１
４ｂはベース・接地間コンデンサ、１５ａ及び１５ｂは
共振器とトランジスタとの結合コンデンサ、１６ａ及び
１６ｂは段間結合コンデンサ、１７ａ及び１７ｂは出力
結合コンデンサ、１８ａ及び１８ｂはバッファアンプト
ランジスタ、１９ａ及び１９ｂはバイアス抵抗、２０ａ
及び２０ｂはチューニング電圧供給端子、２１ａ及び２
１ｂは電源供給端子、２２は高周波出力端子、２３は出
力周波数切換制御端子、３０ａ，３０ｂはベースバイア
ス抵抗である。

【０００４】以上のような構成の従来の高周波二帯域発
振回路は次のように動作する。図５において、二つの周
波帯域のうちの第１の周波数帯を第１の発振回路部１ａ
が分担し、第２の周波数帯を第２の発振回路部が分担す
る。第１の発振回路部１ａからの発振信号は、段間結合
コンデンサ１６ａを経て第１のバッファアンプ部２ａに
て増幅される。同様に、第２の発振回路部２ｂからの発
振信号は、段間結合コンデンサ１６ｂを経て第２のバッ
ファアンプ部２ｂにて増幅される。

【０００５】バッファアンプ部２ａ及び２ｂにて増幅さ
れた信号は、単極双投スイッチ３にそれぞれ入力され、
出力周波数切換制御端子２３に与えられる制御信号に応
じた単極双投スイッチ３の動作により、出力すべき所望
の周波数帯信号のみが高周波出力端子２２から取り出さ
れる。このようにして、二周波帯域での高周波発振回路
を実現している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、それぞれの周波数帯域について１回路ず
つ、計２回路のバッファアンプ回路が必要である。また
各バッファアンプ部の出力を単極双投スイッチにて切り
換えて出力する必要がある。このような理由から、回路
規模が大きくなり、結果として装置全体の形状が大きく
なってしまうという課題を有していた。

【０００７】本発明は、上記課題を解決し、回路規模が
小さく装置全体の小形化に寄与する高周波二帯域発振回
路を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の高周波二帯域発振回路は、第１の周波数帯
での発振動作を行う第１の発振回路と、第２の周波数帯
での発振動作を行う第２の発振回路と、第１の発振回路
の出力が第１の段間結合素子を介して入力されると共に
第２の発振回路の出力が第２の段間結合素子を介して入
力される一つのバッファアンプ回路とを備え、第１又は
第２の発振回路を択一的に動作させるべく外部から与え
る制御電圧によって第１及び第２の発振回路の動作及び
非動作が切り換えられるように構成されていることを特
徴とする。このような構成により、従来の回路と比較し
てバッファアンプ出力の切り換え用単極双投スイッチを
削除し、またバッファアンプ回路を２個から１個に削減
することができる。

【０００９】例えば、第１及び第２の発振回路を構成す
る発振トランジスタのベース電圧が外部から与えられる
制御電圧によってそれぞれ制御されることにより、各発
振トランジスタの動作及び非動作が切り換えられるよう
にすることが好ましい。

【００１０】また、発振回路を構成する共振回路部、例
えば外部からの印加電圧によって共振周波数を変化させ
る共振回路部は、第１及び第２の発振回路のそれぞれに
備えてもよいが、両者に共通の二帯域共振回路を備える
ことにより、共振回路も２個から１個に削減される。つ
まり、第１及び第２の周波数帯の両方の共振周波数を有
する二帯域共振回路を備え、この二帯域共振回路を、第
１の共振器・トランジスタ結合容量素子を介して第１の
発振回路の発振トランジスタに接続すると共に第２の共
振器・トランジスタ結合容量素子を介して第２の発振回
路の発振トランジスタに接続する。

【００１１】上記二帯域共振回路は、接地端及び解放端
を有するストリップ線路共振器と、アノード端子が接地
されたバラクタダイオードとを備え、前記ストリップ線
路共振器の解放端と前記バラクタダイオードのカソード
端子とが容量素子で接続されると共に、前記ストリップ
線路共振器の接地端と解放端との間の所定の箇所と前記
バラクタダイオードのカソード端子とが別の容量素子で
接続されている構成が好ましい。

【００１２】さらに、第１の発振回路の発振トランジス
タに接続された第１の共振器・トランジスタ結合容量素
子の他端を、前記二帯域共振器のストリップ線路共振器
の接地端と解放端との間の箇所であって、第２の周波数
帯の共振による電圧定在波の節となる箇所に接続するこ
とが好ましい。これによって、第２の周波数帯の発振出
力を得る際に、第１の発振回路が共振器に容量結合して
いることの影響を低減することができる。

【００１３】同様の目的で、第１の共振器・トランジス
タ結合容量素子と第１の発振回路の発振トランジスタと
の間にスイッチ素子が挿入することも好ましい。このス
イッチ素子は、第１の発振回路が動作しているときは導
通状態になり、第２の発振回路が動作しているときは遮
断状態になるように挿入される。

【００１４】また、第１の段間結合素子のインピーダン
スが、第１の周波数帯において導通状態とみなせるほど
低く、かつ、第２の周波数帯において解放状態とみなせ
るほど高いことが好ましい。これによって、第２の周波
数帯の発振出力を得る際に、第１の発振回路が共通のバ
ッファアンプに結合していることの影響を低減すること
ができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。図１は本発明の第１
の実施形態に係る高周波二帯域発振回路の回路図であ
る。図１において、１ａは第１の発振回路部、１ｂは第
２の発振回路部、２ｃはバッファアンプ部、４ａは第１
の共振回路部、４ｂは第２の共振回路部、５ａ及び５ｂ
は共振器、６ａ及び６ｂは共振器−バラクタ結合コンデ
ンサ、７ａ及び７ｂはバラクタダイオード、８ａ、８ｂ
及び８ｃは高周波チョーク、９ａ、９ｂ及び９ｃは高周
波接地コンデンサ、１０ａ及び１０ｂは発振トランジス
タ、１１ａ及び１１ｂはコレクタ・エミッタ間コンデン
サ、１２ａ及び１２ｂはコレクタ・ベース間コンデン
サ、１３ａ及び１３ｂはエミッタ・接地間コンデンサ、
１４ａ及び１４ｂはベース・接地間コンデンサ、１５ａ
及び１５ｂは共振器・トランジスタ結合コンデンサ、１
６ａ及び１６ｂは段間結合コンデンサ、１７ｃは出力結
合コンデンサ、１８ｃはバッファアンプトランジスタ、
１９ａ、１９ｂ及び１９ｃはバイアス抵抗、２０ａ及び
２０ｂはチューニング電圧供給端子、２１ｃは電源供給
端子、２２は高周波出力端子、２４ａは第１のベースバ
イアス制御端子、２４ｂは第２のベースバイアス制御端
子、３０ａ、３０ｂはベースバイアス抵抗である。

【００１６】第１の発振回路部１ａを構成するコレクタ
・エミッタ間コンデンサ１１ａ、コレクタ・ベース間コ
ンデンサ１２ａ、エミッタ・接地間コンデンサ１３ａ、
ベース・接地間コンデンサ１４ａ、および共振器・トラ
ンジスタ結合コンデンサ１５ａは、第１の周波数帯にて
最適な発振状態となるように、それぞれの容量値が決め
られている。また、第２の発振回路部１ｂを構成するコ
レクタ・エミッタ間コンデンサ１１ｂ、コレクタ・ベー
ス間コンデンサ１２ｂ、エミッタ・接地間コンデンサ１
３ｂ、ベース・接地間コンデンサ１４ｂ、および共振器
・トランジスタ結合コンデンサ１５ｂは、第２の周波数
帯にて最適な発振状態となるように、それぞれの容量値
が決められている。

【００１７】第１の発振回路部１ａは、外部からチュー
ニング電圧供給端子２０ａに加えられる電圧に応じて第
１の周波数帯の発振動作を行い、その発振出力は段間結
合コンデンサ１６ａを通じてバッファアンプ部２ｃに与
えられる。また、第２の発振回路部１ｂは、外部からチ
ューニング電圧供給端子２０ｂに加えられる電圧に応じ
て第２の周波数帯の発振動作を行い、その発振出力は段
間結合コンデンサ１６ｂを通じてバッファアンプ部２ｃ
に与えられる。

【００１８】さらに第１の発振回路部１ａを構成する発
振トランジスタ１０ａのベースに対して、ベースバイア
ス抵抗３０ａを通じて外部から制御電圧を加えることが
できるように、第１のベースバイアス制御端子２４ａが
設けられている。同様に、第２の発振回路部１ｂを構成
する発振トランジスタ１０ｂのベースに対して、ベース
バイアス抵抗３０ｂを通じて外部から制御電圧を加える
ことができるように、第２のベースバイアス制御端子２
４ｂが設けられている。

【００１９】上記の構成によれば、第１の周波数帯の発
振出力を取り出す場合は、第１のベースバイアス制御端
子２４ａに所定の電圧を加え、第２のベースバイアス制
御端子２４ｂには電圧を加えない。その結果、第１の発
振回路部１ａのみが動作状態となり、その発振出力が段
間結合コンデンサ１６ａを介してバッファアンプ部２ｃ
にて増幅され、高周波出力端子２２から取り出される。
一方、第２の周波数帯の発振出力を取り出す場合は、第
２のベースバイアス制御端子２４ｂに所定の電圧を加
え、第１のベースバイアス制御端子２４ａには電圧を加
えない。その結果、第２の発振回路部１ｂのみが動作状
態となり、その発振出力が段間結合コンデンサ１６ｂを
介してバッファアンプ部２ｃにて増幅され、高周波出力
端子２２から取り出される。

【００２０】以上のように、本実施形態の高周波二帯域
発振回路によれば、第１の発振回路部１ａの出力と第２
の発振回路部１ｂの出力とが一つのバッファアンプ部２
ｃに接続され、第１及び第２のベースバイアス制御端子
２４ａ，２４ｂに与える制御電圧によって第１または第
２の発振回路部１ａ，１ｂのいずれか一方を選択的に動
作させる。したがって、図５に示した従来の回路に比べ
て本実施形態の高周波二帯域発振回路では、バッファア
ンプ部の出力を切り換えるための単極双投スイッチが削
除され、またバッファアンプ回路を２個から１個に削減
されている。その結果、回路規模が小さくなり、装置全
体の小形化に寄与することができる。

【００２１】次に、本発明の第２の実施形態に係る高周
波二帯域発振回路を図２に示す。図２において、２５は
二帯域共振回路部、２６はストリップ線路共振器、６ａ
及び６ｂは共振器・バラクタ結合コンデンサ、７ｃはバ
ラクタダイオード、８ｃは高周波チョーク、９ｃは高周
波接地コンデンサ、２０ｃはチューニング電圧供給端子
であり、その他の回路要素は図１に示すものと同じであ
り、同じ番号が付されている。

【００２２】コレクタ・エミッタ間コンデンサ１１ａ、
コレクタ・ベース間コンデンサ１２ａ、エミッタ・接地
間コンデンサ１３ａ、ベース・接地間コンデンサ１４
ａ、および共振器・トランジスタ結合コンデンサ１５ａ
は、第１の周波数帯にて最適な発振状態となるようにそ
れぞれの容量値が決められている。また、コレクタ・エ
ミッタ間コンデンサ１１ｂ、コレクタ・ベース間コンデ
ンサ１２ｂ、エミッタ・接地間コンデンサ１３ｂ、ベー
ス・接地間コンデンサ１４ｂ、および共振器・トランジ
スタ結合コンデンサ１５ｂは、第２の周波数帯にて最適
な発振状態となるようにそれぞれの容量値が決められて
いる。

【００２３】ストリップ線路共振器２６は、一端が接地
され、他端は共振器・バラクタ結合コンデンサ６ａを介
して、バラクタダイオード７ｃのカソード端子に接続さ
れる。また、共振器・バラクタ結合コンデンサ６ｂは、
ストリップ線路共振器２ｂ上のポイントと、バラクタダ
イオード７ｃのカソード端子との間に接続される。

【００２４】このような構成の二帯域共振回路部２５の
共振周波数特性及びＱ値の実測値を表１に示す。

【００２５】

【表１】

【００２６】このような二つの異なる周波数帯にて共振
する二帯域共振回路２５は、共振器・トランジスタ結合
コンデンサ１５ａを介して第１の周波数帯を発振するト
ランジスタ１０ａに接続され、また同時に共振器・トラ
ンジスタ結合コンデンサ１５ｂを介して第２の周波数帯
を発振するトランジスタ１０ｂに接続されている。

【００２７】第１のベースバイアス制御端子２４ａに所
定の電圧が加えられ、かつ第２のベースバイアス制御端
子２４ｂには電圧が加えられない場合、発振トランジス
タ１０ａはオン、発振トランジスタ１０ｂはオフとな
る。そして、発振トランジスタ１０ａに接続されている
各容量素子が第１の周波数帯で最適な発振状態となるよ
うに定数設定されていることから、第１の周波数帯の共
振周波数より少し低い周波数帯域における二帯域共振回
路部２５の誘導性リアクタンスを利用した発振回路が形
成される。

【００２８】一方、第２のベースバイアス制御端子２４
ｂに所定の電圧が加えられ、かつ第１のベースバイアス
制御端子２４ａには電圧が加えられない場合、発振トラ
ンジスタ１０ｂはオン、発振トランジスタ１０ａはオフ
となる。そして、発振トランジスタ１０ｂに接続されて
いる各容量素子が第２の周波数帯で最適な発振状態とな
るように定数設定されていることから、第２の周波数帯
の共振周波数より少し低い周波数帯域における二帯域発
振回路部２５の誘導性リアクタンスを利用した発振回路
が形成される。

【００２９】以上のように本実施形態の高周波二帯域発
振回路によれば、二つの周波数帯での共振動作を示す二
帯域共振回路部２５を用いることにより、従来二つであ
った共振回路部を一つにまとめることができ、その結
果、回路規模が小さくなり、装置全体の小型化に寄与す
ることができる。

【００３０】さらに、第１の周波数帯の発振動作を行う
発振トランジスタ１０ａと一端が接続された共振器・ト
ランジスタ結合コンデンサ１５ａの他端を、ストリップ
線路共振器２６の第２周波数帯での共振時の電圧定在波
の節に当たるポイントに接続する。これにより、第２の
周波数帯の発振出力を取り出すときに、共振器・トラン
ジスタ結合コンデンサ１５ａを介して発振トランジスタ
１０ａが接続されていることの悪影響、例えば、第２の
周波数帯の発振周波数に対するチューニング電圧感度の
低化等が軽減される。表２に、共振器・トランジスタ結
合コンデンサ１５ａとストリップ線路共振器２６との接
続ポイントを変化させた時の第２の周波数帯における発
振周波数の変化およびチューニング電圧感度の変化の実
測値を示す。

【００３１】

【表２】

【００３２】次に、本発明の第３の実施形態に係る高周
波二帯域発振回路を図３に示す。図３において、２５は
二帯域共振回路部、１５ａ及び１５ｂは共振器・トラン
ジスタ結合コンデンサ、２７はスイッチングダイオー
ド、２８はスイッチングダイオードバイアスチョークコ
イル、２９はスイッチングダイオードバイアス抵抗、２
４ａは第１のベースバイアス制御端子、３０ａはベース
バイアス抵抗、１０ａは発振トランジスタ、１３ａはエ
ミッタ・接地間コンデンサ、３１ａはベース・エミッタ
間コンデンサ、９ａは高周波接地コンデンサ、１９ａは
バイアス抵抗、１６ａは段間結合コンデンサであり、そ
の他は、図２に示すものと同じである。

【００３３】エミッタ・接地間コンデンサ１３ａ、ベー
ス・エミッタ間コンデンサ３１ａ、高周波接地コンデン
サ９ａ、および共振器・トランジスタ結合コンデンサ１
５ａは、第１の周波数帯にて最適な発振状態となるよう
に、それぞれの容量値が決められている。また、コレク
タ・エミッタ間コンデンサ１１ｂ、コレクタ・ベース間
コンデンサ１２ｂ、エミッタ・接地間コンデンサ１３
ｂ、ベース・接地間コンデンサ１４ｂ、および共振器・
トランジスタ結合コンデンサ１５ｂは、第２の周波数帯
にて最適な発振状態となるようにそれぞれの容量値が決
められている。

【００３４】二つの異なる周波数帯にて共振する二帯域
共振回路部２５は、共振器・トランジスタ結合コンデン
サ１５ａおよびスイッチングダイオード２７を介して、
第１の周波数帯の発振動作を行うトランジスタ１０ａに
接続され、また同時に共振器・トランジスタ結合コンデ
ンサ１５ｂを介して、第２の周波数帯の発振動作を行う
トランジスタ１０ｂに接続されている。

【００３５】第１のベースバイアス制御端子２４ａに所
定の電圧が加えられ、かつ第２のベースバイアス制御端
子２４ｂには電圧が加えられない場合、発振トランジス
タ１０ａおよびスイッチングダイオード２７はオン、発
振トランジスタ１０ｂはオフとなる。そして、発振トラ
ンジスタ１０ａに接続されている各容量素子が第１の周
波数帯で最適な発振状態となるように定数設定されてい
ることから、第１の周波数帯の共振周波数より少し低い
周波数帯域における二帯域共振回路部２５の誘導性リア
クタンスを利用した発振回路が形成される。

【００３６】一方、第２のベースバイアス制御端子２４
ｂに所定の電圧が加えられ、かつ第１のベースバイアス
制御端子２４ａには電圧が加えられない場合、発振トラ
ンジスタ１０ｂはオン、発振トランジスタ１０ａおよび
スイッチングダイオード２７はオフとなる。そして、発
振トランジスタ１０ｂに接続されている各容量素子が第
２の周波数帯で最適な発振状態となるように定数設定さ
れていることから、第２の周波数帯の共振周波数より少
し低い周波数帯域における二帯域発振回路部２５の誘導
性リアクタンスを利用した発振回路が形成される。

【００３７】このとき、共振回路部２５と共振器・トラ
ンジスタ結合コンデンサ１５ａとの接続ポイントから発
振トランジスタ１０ａ側を見たインピーダンスは、スイ
ッチングダイオード２７がオフであることから非常に大
きくすることができる。

【００３８】また、共振器・トランジスタ結合コンデン
サ１５ｂは、発振トランジスタ１０ａにより発振する第
１の周波数帯にてインピーダンスが高く、かつ発振トラ
ンジスタ１０ｂにより発振する第２の周波数帯にてイン
ピーダンスが低くなるようにその容量値を選ぶことがで
きる。

【００３９】ここで、第２の周波数帯を出力として取り
出す場合、共振器・トランジスタ結合コンデンサ１５ａ
を介して発振トランジスタ１０ａ側を見たインピーダン
スが、スイッチングダイオード２７がオフであることか
ら非常に大きいため、非動作側発振回路である発振トラ
ンジスタ１０ａが接続される悪影響、例えば、第２の周
波数帯の発振周波数に対するチューニング電圧感度の低
化等が軽減されるという効果が得られる。

【００４０】以上のように、本実施形態によれば、第１
の周波数帯の発振動作を行うトランジスタ１０ａと、二
つの異なる周波数帯にて共振する二帯域共振回路部２５
とが共振器・トランジスタ結合コンデンサ１５ａおよび
スイッチングダイオード２７を介して接続されることに
より、発振トランジスタ１０ｂを動作状態にして第２の
周波数帯の発振出力を取り出すときに上述のような発振
トランジスタ１０ａ側の影響を軽減することができる。
なお、第１の周波数帯の発振出力を取り出す場合は、共
振器・トランジスタ結合コンデンサ１５ｂが第１の周波
数帯で高インピーダンスとなるので、非動作側の発振回
路である発振トランジスタ１０ｂの影響が同様に軽減さ
れる。

【００４１】次に、本発明の第４の実施形態に係る高周
波二帯域発振回路の回路図を図４に示す。図４におい
て、１ｃは第１の発振回路を構成するトランジスタ回路
部、１ｄは第２の発振回路を構成するトランジスタ回路
部、２ｃはバッファアンプ部、２５は二帯域共振回路
部、２２は高周波出力端子、２１ｃは電源供給端子、２
４ａは第１のベースバイアス制御端子、２４ｂは第２の
ベースバイアス制御端子、２０ｃはチューニング電圧供
給端子、１５ａ及び１５ｂは共振器・トランジスタ結合
コンデンサ、１６ａ及び１６ｂは段間結合コンデンサ、
３２は段間コイル、３３は直流阻止コンデンサであり、
第１の発振回路を構成するトランジスタ回路部１ｃとバ
ッファアンプ部２ｃとの結合部を除いてその他は図２に
示した回路と同じである。

【００４２】図４において、第１の発振回路を構成する
トランジスタ回路部１ｃとバッファアンプ部２ｃとの結
合部は、段間結合コンデンサ１６ａと段間コイル３２と
の並列共振回路から構成される。なお、直流阻止コンデ
ンサ３３は直流バイアスカット用に付加されている。

【００４３】ここで、段間結合コンデンサ１６ａと段間
コイル３２との並列共振周波数が、第２の発振回路を構
成するトランジスタ回路部１ｄの発振周波数の近傍とな
るように、段間結合コンデンサ１６ａの容量値および段
間コイル３２のインダクタンス値を設定する。これによ
り、段間結合コンデンサ１６ａと段間結合コンデンサ１
６ｂとの接続点から第１の発振回路を構成するトランジ
スタ回路部１ｃ側を見たインピーダンスを非常に大きく
することができる。

【００４４】また、段間結合コンデンサ１６ｂは、トラ
ンジスタ回路部１ｃによる第１の発振周波数帯でインピ
ーダンスが高く、かつ、トランジスタ回路部１ｄによる
第２の発振周波数帯でインピーダンスが低くなるよう
に、その容量値を選ぶことができる。これにより、第２
の発振回路を構成するトランジスタ回路部１ｄにて発振
した第２の周波数帯の発振信号は、第１の発振回路を構
成するトランジスタ回路部１ｃが接続されていることの
影響をほとんど受けずに、バッファアンプ部２ｃで増幅
され高周波出力端子２２から出力される。

【００４５】このように、本実施形態によれば、第１の
発振回路を構成するトランジスタ回路部１ｃとバッファ
アンプ部２ｃとの結合部を、段間結合コンデンサ１６ａ
と段間コイル３２との並列共振回路で構成することによ
り、第２の発振回路を構成するトランジスタ回路部１ｄ
を動作状態にして第２の周波数帯の発振出力を取り出す
ときに、非動作側の発振回路である第１の発振回路を構
成するトランジスタ回路部１ｃの影響を除去して、発振
出力の低下等を回避することができる。

【００４６】なお、図４において、段間結合コンデンサ
１６ａを除去して段間コイル３２と直流阻止コンデンサ
３３とによる直列共振周波数を、第１の発振回路（トラ
ンジスタ回路部１ｃ）の発振周波数と第２の発振回路
（トランジスタ回路部１ｄ）の発振周波数との間になる
よう設定しても上記と同様の効果が得られる。

【００４７】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、第１の発
振回路部出力と、第２の発振回路部出力とが、ひとつの
バッファアンプ部にて増幅されるように接続し、外部か
らの制御電圧によって第１または第２のの発振回路部の
いずれか一方を選択的に動作させる構成としたことによ
り、従来の回路と比較してバッファアンプ出力の切り換
え用単極双投スイッチを削除し、またバッファアンプ回
路を２個から１個に削減することができる。その結果、
回路規模が小さく装置全体の小型化に寄与する高周波二
帯域発振回路を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る高周波二帯域発
振回路の回路図

【図２】本発明の第２の実施形態に係る高周波二帯域発
振回路の回路図

【図３】本発明の第３の実施形態に係る高周波二帯域発
振回路の回路図

【図４】本発明の第４の実施形態に係る高周波二帯域発
振回路の回路図

【図５】従来の高周波二帯域発振回路の回路図

【符号の説明】

１ａ 第１の発振回路部 １ｂ 第２の発振回路部 １ｃ 第１の発振回路を構成するトランジスタ回路部 １ｄ 第２の発振回路を構成するトランジスタ回路部 ２ａ 第１のバッファアンプ部 ２ｂ 第２のバッファアンプ部 ２ｃ バッファアンプ部 ３ 単極双投スイッチ ４ａ 第１の共振回路部 ４ｂ 第２の共振回路部 ５ａ，５ｂ 共振器 ６ａ，６ｂ，６ｃ 共振器・バラクタ結合コンデンサ ７ａ，７ｂ，７ｃ バラクタダイオード ８ａ，８ｂ，８ｃ 高周波チョーク ９ａ，９ｂ，９ｃ 高周波接地コンデンサ １０ａ，１０ｂ 発振トランジスタ １１ａ，１１ｂ コレクタ・エミッタ間コンデンサ １２ａ，１２ｂ コレクタ・ベース間コンデンサ １３ａ，１３ｂ エミッタ・接地間コンデンサ １４ａ，１４ｂ ベース・接地間コンデンサ １５ａ，１５ｂ 共振器・トランジスタ結合コンデンサ １６ａ，１６ｂ 段間結合コンデンサ １７ａ，１７ｂ，１７ｃ 出力結合コンデンサ １８ａ，１８ｂ，１８ｃ バッファアンプトランジスタ １９ａ，１９ｂ，１９ｃ バイアス抵抗 ２０ａ，２０ｂ，２０ｃ チューニング電圧供給端子 ２１ａ，２１ｂ，２１ｃ 電源供給端子 ２２ 高周波出力端子 ２３ 出力周波数切換制御端子 ２４ａ 第１のベースバイアス制御端子 ２４ｂ 第２のベースバイアス制御端子 ２５ 二帯域共振回路部 ２６ ストリップ線路共振器 ２７ スイッチングダイオード ２８ スイッチングダイオードバイアスチョークコイル ２９ スイッチングダイオードバイアス抵抗 ３０ａ，３０ｂ ベースバイアス抵抗 ３１ａ ベース・エミッタ間コンデンサ ３２ 段間コイル ３３ 直流阻止コンデンサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 布施 伸夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小杉 裕昭 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 石田 薫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の周波数帯での発振動作を行う第１
   の発振回路と、第２の周波数帯での発振動作を行う第２
   の発振回路とを備え、第１又は第２の周波数帯の発振出
   力のいずれか一方を択一的に出力する高周波二帯域発振
   回路であって、 第１の発振回路の出力が第１の段間結合素子を介して入
   力されると共に第２の発振回路の出力が第２の段間結合
   素子を介して入力される一つのバッファアンプ回路を備
   え、 第１又は第２の発振回路を択一的に動作させるべく外部
   から与える制御電圧によって第１及び第２の発振回路の
   動作及び非動作が切り換えられるように構成されている
   ことを特徴とする高周波二帯域発振回路。
2. 【請求項２】 第１及び第２の発振回路を構成する発振
   トランジスタのベース電圧が外部から与えられる制御電
   圧によってそれぞれ制御されることにより、各発振トラ
   ンジスタの動作及び非動作が切り換えられる請求項１記
   載の高周波二帯域発振回路。
3. 【請求項３】 第１及び第２の発振回路がそれぞれ、外
   部からの印加電圧によって共振周波数を変化させる共振
   回路部を備え、この共振回路部と前記発振トランジスタ
   とが共振器・トランジスタ結合容量素子で結合されてい
   る請求項２記載の高周波二帯域発振回路。
4. 【請求項４】 第１及び第２の周波数帯の両方の共振周
   波数を有する二帯域共振回路が備えられ、この二帯域共
   振回路が、第１の共振器・トランジスタ結合容量素子を
   介して第１の発振回路の発振トランジスタに接続される
   と共に第２の共振器・トランジスタ結合容量素子を介し
   て第２の発振回路の発振トランジスタに接続されている
   請求項２記載の高周波二帯域発振回路。
5. 【請求項５】 前記二帯域共振回路は、接地端及び解放
   端を有するストリップ線路共振器と、アノード端子が接
   地されたバラクタダイオードとを備え、前記ストリップ
   線路共振器の解放端と前記バラクタダイオードのカソー
   ド端子とが容量素子で接続されると共に、前記ストリッ
   プ線路共振器の接地端と解放端との間の所定の箇所と前
   記バラクタダイオードのカソード端子とが別の容量素子
   で接続されている請求項４記載の高周波二帯域発振回
   路。
6. 【請求項６】 第１の発振回路の発振トランジスタに接
   続された第１の共振器・トランジスタ結合容量素子の他
   端が、前記二帯域共振器のストリップ線路共振器の接地
   端と解放端との間の箇所であって第２の周波数帯の共振
   による電圧定在波の節となる箇所に接続されている請求
   項５記載の高周波二帯域発振回路。
7. 【請求項７】 第１の共振器・トランジスタ結合容量素
   子と第１の発振回路の発振トランジスタとの間にスイッ
   チ素子が挿入され、このスイッチ素子は、第１の発振回
   路が動作しているときは導通状態になり、第２の発振回
   路が動作しているときは遮断状態になる請求項４記載の
   高周波二帯域発振回路。
8. 【請求項８】 第１の段間結合素子のインピーダンス
   が、第１の周波数帯において導通状態とみなせるほど低
   く、かつ、第２の周波数帯において解放状態とみなせる
   ほど高いことを特徴とする請求項３または４記載の高周
   波二帯域発振回路。