JPH09294078A - 可変長復号化器における出力デ−タの再配列方法及び回路 - Google Patents

可変長復号化器における出力デ−タの再配列方法及び回路

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JPH09294078A
JPH09294078A JP27030696A JP27030696A JPH09294078A JP H09294078 A JPH09294078 A JP H09294078A JP 27030696 A JP27030696 A JP 27030696A JP 27030696 A JP27030696 A JP 27030696A JP H09294078 A JPH09294078 A JP H09294078A
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 リクエスト/アクセプトによるタイミングマ
−ジンを確保でき、スタ−トコ−ドを自動にバイトアラ
インメントさせ得、メモリの安定的な読出し/書込みタ
イミングを具現する。 【解決手段】 内部メモリ部15と、可変長復号化され
たビットストリ−ムを所定ビット数を有するパッキング
デ−タの単位でパッキングし、パッキングデ−タの単位
を内部メモリ部に貯蔵する書込みアドレスを発生させ、
内部メモリ部のパッキングデ−タの単位数が限界値を越
える場合、デ−タの単位を外部メモリ部に伝送するリク
エスト信号を発生させるデ−タ処理部11と、リクエス
ト信号に対するアクセプト信号が発生すると、内部メモ
リ部からN個のパッキングデ−タの単位を読出す読出し
アドレスを発生させ内部メモリ部に印加するデ−タ処理
部13を含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は映像圧縮及び復元装
置に係り、特に64ビットの単位でパッキングされた可
変長復号化されたビットストリ−ムがメモリに所定の容
量まで書込まれると、メモリが所定の容量以上になる
と、メモリから8単位のパッキングされたデ−タを高速
ペ−ジモ−ドで読出すことにより可変長復号化されて出
力されるデ−タを再配列するための可変長復号化器にお
ける出力デ−タの再配列方法及び回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のアナログ方式のデ−タの貯蔵、復
元システム及びイメ−ジプロセッサがディジタル方式に
変換されて処理される情報量が増えることにより、貯蔵
媒体及び伝送チャンネルを効率よく用いるため情報量を
減少(圧縮)すべきである。MPEG(Moving Picture
Experts Group)ではこれを達成するための標準案に同
意した。MPEG−符号化されたビットストリ−ムの一
般的な圧縮方法、すなわち、可変長符号化によれば、繰
り返し(剰余)情報は映像情報が有している時間的及び
空間的な相関関係を用いて取り除かれる。ここで、映像
圧縮装置に用いられる可変長符号化器(Variable Lengt
h Code:以下“VLC”と称する)は多く発生するシン
ボルについて短いコ−ドを割り当てる。可変長圧縮され
た信号を元の形態に復元するため、符号化された映像信
号は復元動作を行う可変長復号化器VLDを備える映像
復元装置に印加される。従って、可変長復号化器はリク
エスト信号を発生してこれを適切な方法で外部メモリ部
に供給することにより、短いコ−ドは徐々に読出し、長
いコ−ドは速く読出すように外部メモリ部を制御する。
従って、リクエスト信号が可変長復号化器から受信され
るごとに、外部メモリ部はコ−ドの長さを問わず、デ−
タを可変長復号化器に直ちに伝送する。
【0003】しかしながら、外部メモリ部は処理しよう
とする各種のデ−タを貯蔵し、優先順位の高いリクエス
ト信号がシステムの他方から受信されると、可変長復号
化器から受信されたたリクエスト信号は待機しなければ
ならない。可変長復号化器がインタフェ−ス回路なしに
直接外部メモリ部に連結されているため、この短い待機
期間の間、映像圧縮/復元処理が割り込まれる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は映像圧
縮及び復元装置において、可変長復号化されたビットス
トリ−ムを64ビットの単位でパッキングし、パッキン
グされたデ−タをリクエスト信号とアクセプト信号とを
用いて8つの単位で外部メモリ部に高速ペ−ジモ−ドで
伝送することにより、可変長復号化されて出力されるデ
−タを再配列するための可変長復号化器における出力デ
−タの再配列方法及び回路を提供するにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に可変長復号化において本発明による出力デ−タの再配
列方法は、可変長復号化されたビットストリ−ムを所定
のビット数を有するパッキングデ−タの単位でパッキン
グし、各パッキングデ−タに対する書込みアドレスを発
生させて内部メモリ部の該当書込みアドレスに前記パッ
キングデ−タを貯蔵する段階と、前記内部メモリ部に貯
蔵されたパッキングデ−タの単位が所定の限界値を越え
る場合、前記貯蔵されたパッキングデ−タの単位を外部
メモリ部に伝送するためのリクエスト信号を発生させる
段階と、前記リクエスト信号に対するアクセプト信号が
発生すると、前記内部メモリ部からN個の前記パッキン
グデ−タの単位を読出すためのそれぞれの読出しアドレ
スを発生させる段階と、前記内部メモリ部から前記該当
読出しアドレスに貯蔵されたN個のパッキングデ−タの
単位を順次に読出して外部メモリ部に伝送する段階とを
含むことを特徴とする。
【0006】前記目的を達成するための可変長復号化器
において本発明による出力デ−タの再配列回路は、内部
メモリ部と、可変長復号化されたビットストリ−ムを所
定のビット数を有するパッキングデ−タの単位でパッキ
ングし、前記それぞれのパッキングデ−タの単位を前記
内部メモリ部に貯蔵するための各パッキングデ−タの単
位に対する書込みアドレスを発生させ、前記内部メモリ
部に貯蔵されたパッキングデ−タの単位数が所定の限界
値を越える場合、前記貯蔵されたパッキングデ−タの単
位を外部メモリ部に伝送するためのリクエスト信号を発
生させるための第1デ−タ処理部と、前記リクエスト信
号に対するアクセプト信号が発生すると、前記内部メモ
リ部からN個の前記パッキングデ−タの単位を読出すた
めの読出しアドレスを発生させて前記内部メモリ部に印
加するための第2デ−タ処理部とを含み、前記該当読出
しアドレスに貯蔵されたN個のパッキングデ−タの単位
は前記内部メモリ部から順次に読出されて外部メモリ部
に伝送されることを特徴とする。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本発
明の実施の形態を詳しく説明する。図1は可変長復号化
器において本発明による出力デ−タの再配列回路10を
示すブロック図である。前記回路10は、内部メモリ部
15と、可変長復号化されたビットストリ−ムを所定の
ビット数を有するパッキングデ−タの単位、例えば、6
4ビットの単位でパッキングし、それぞれのパッキング
デ−タの単位を内部メモリ部15に貯蔵するための各パ
ッキングデ−タの単位に対する書込みアドレスWADD
Rを発生させ、内部メモリ部15に貯蔵されたパッキン
グデ−タの単位数が所定の限界値、例えば、内部メモリ
部15の容量の半分を越える場合、貯蔵されたパッキン
グデ−タの単位を高速ペ−ジモ−ドで外部メモリ部(図
示せず)に伝送するためのリクエスト信号VWRを発生
させるための第1デ−タ処理部11と、リクエスト信号
に対するアクセプト信号VBV ACCが発生される
と、内部メモリ部15からN個の単位の前記パッキング
デ−タ、例えは、8つの単位のパッキングデ−タを読出
すための読出しアドレスRADDRを発生させて内部メ
モリ部15に印加するための第2デ−タ処理部13とか
ら構成される。この際、該当読出しアドレスに貯蔵され
たN単位のパッキングデ−タは順次に読出されて外部メ
モリ部に伝送される。ここで、内部メモリ部15として
は、容量が64ビット×16ワ−ドであるFIFO(Fi
rst-In First-Out)、あるいはRAMが用いられる。
【0008】図2は図1における第1デ−タ処理部11
の細部回路図である。図示したように、第1デ−タ処理
部11は、24ビットシフトレジスタ21と、第1ない
し第3デコ−ダ22,24,27と、第1ないし第3カ
ウンタ23,26,28と、6つのDフリップフロップ
D1〜D6と、バッファB1と、8つの8ビットシフト
レジスタ25a〜25hと、三つのANDゲ−トA1,
A2,A3と、NANDゲ−トNA1とから構成され
る。
【0009】図3(A)ないし(O)は図2に示された
第1デ−タ処理部11の動作タイミング図であって、内
部メモリ部15に8ビットの単位でデ−タを書込む場合
のものである。図3(A)はCLK40、(B)はCL
K20、(C)はSCK、(D)は24ビットシフトレ
ジスタ21の出力、(E)は第1DフリップフロップD
1の
【0010】
【外1】
【0011】端子から出力される第1カウンタ23のリ
セット信号、(F)は第1カウンタ23の出力、(G)
は第2デコ−ダ24によりSCKの立下がりエッジで第
1カウンタ23の出力値のうち“0”をラッチした結
果、(H)は第2カウンタ26の出力、(I)は第3デ
コ−ダ27によりSCKの立上がりエッジで第2カウン
タ26の出力のうち“7”値をラッチした結果、(J)
は第3カウンタ28のクロック信号、(K)は第4Dフ
リップフロップD4のQ端子から出力される信号、
(L)は第5DフリップフロップD5の
【0012】
【外2】
【0013】端子から出力される信号、(M)は第1N
ANDゲ−トNA1から出力されるRW信号、(N)は
第3ANDゲ−トA3から出力されるWCE信号、
(O)は第3カウンタ28から出力される書込みアドレ
スWADDRをそれぞれ示す。図4は図1において第2
デ−タ処理部13の細部回路図である。この第2デ−タ
処理部13は、第4カウンタ31と、アドレス上位ビッ
ト発生部32と、第4デコ−ダ33と、四つのDフリッ
プフロップD7〜D10と、二つのNANDゲ−トNA
2,NA3と、ANDゲ−トA4と、二つのインバ−タ
I1,I2とから構成される。ここで、アドレス上位ビ
ット発生部32はANDゲ−ト32aと排他負論理和ゲ
−ト32bとより構成される。
【0014】図5(A)ないし(K)は図1及び第4に
示された第2デ−タ処理部13の動作タイミング図であ
って、図5(A)はCLK40、(B)はCLK20、
(C)はVBV_ACC信号、(D)は第7Dフリップ
フロップD7の非反転出力端子Qの信号、(E)は第8
DフリップフロップD8の反転出力端子
【0015】
【外3】
【0016】の信号、(F)は第2NANDゲ−トNA
2の出力、(G)は第4カウンタ31の出力、(H)は
第9DフリップフロップD9の非反転出力端子Qの信
号、(I)は第10DフリップフロップD10の非反転
出力端子Qの信号、(J)は第4ANDゲ−トA4の出
力、(K)は第3NANDゲ−トNA3から出力される
RCE信号をそれぞれ示す。
【0017】図6は図1において内部メモリ部15の細
部回路図であって、6つのインバ−タI3〜I8と、第
5ANDゲ−トA5と、マルチプレクサ41と、メモリ
42とから構成される。ここで、64ビットシフトレジ
スタ43はメモリ42から出力される64ビットのデ−
タをシフトさせるためのものである。図7(A)ないし
(H)は図6に示された内部メモリ部15の動作タイミ
ング図である。ここで、図7(A)ないし(D)は読出
しサイクルを示すものである。(A)はアクティブ“ロ
−”状態のチップイネ−ブル信号CENを示すものであ
って、“TRP”はサイクルのうち読出しまたは書込み
部分、“TPC”はプリチャ−ジ区間を示す。(B)は
読出し/書込み制御信号R/W、(C)はアドレスAD
DR、(D)はメモリ42から読出される出力信号DO
UTをそれぞれ示す。一方、(E)ないし(H)は書込
みサイクルを示すものであって、(E)はアクティブ
“ロ−”状態のチップイネ−ブル信号CEN、(F)は
読出し/書込み制御信号R/W、(G)はアドレスAD
DR、(H)はメモリ42に書込まれる出力信号DIN
をそれぞれ示す。この際、書込みサイクルでチップイネ
−ブル信号CENが“ロ−”の区間で読出し/書込み制
御信号R/Wが“ロ−”であれば、チップイネ−ブル信
号CENの立上がりエッジでデ−タを有効化する。
【0018】なお、本発明の構成による作用及び効果を
図1乃至図7を参照して説明すれば、次の通りである。
映像圧縮装置により符号化されたビットストリ−ムが秒
当たり約20Mbitで入力され、このビットストリ−
ムを可変長復号化器(図示せず)、逆量子化器(図示せ
ず)及び逆離散余弦変換器(図示せず)を経て符号化さ
れる前の映像信号として復元する映像復元装置におい
て、第1デ−タ処理部11では入力されるシリアルビッ
トストリ−ムからスタ−トコ−ドを検出して各スタ−ト
コ−ドにバイトアラインメントを行う。同時に64ビッ
トの単位でビットストリ−ムをパッキングして内部メモ
リ部15に貯蔵するため、各パッキングデ−タの単位に
対する書込みアドレスを発生させる。この際、パッキン
グデ−タの単位が所定の限界値(ここでは、8つの単位
のパッキングデ−タ、例えば、8×64ビット、即ち、
内部メモリ部15の全体容量(16×64ビット)の1
/2)を越える場合、貯蔵されたパッキングデ−タの単
位を高速ペ−ジモ−ドにより外部メモリ(図示せず)に
伝送するためのリクエスト信号を発生させる。
【0019】ここで、第1デ−タ処理部11の動作を図
2及び図3を参照してより詳しく説明すれば、次の通り
である。図2において、24ビットのシフトレジスタ2
1では先ず
【0020】
【外4】
【0021】信号が“ロ−”であれば、可変長復号化さ
れてシリアルに入力されるビットストリ−ムSERIA
INを有効化し、
【0022】
【外5】
【0023】信号が“ハイ”であれば、無効化する。そ
して、
【0024】
【外6】
【0025】信号が“ロ−”の場合にシリアルに入力さ
れる可変長復号化されたビットストリ−ムをSCK信号
(図3(C)参照)をクロック信号としてパラレルデ−
タに変換して出力する。第1デコ−ダ22は24ビット
のシフトレジスタ21から出力される24ビットパラレ
ルデ−タ(図3(D)参照)からスタ−トコ−ドをデコ
−ディングして第1DフリップフロップD1を通して第
1カウンタ23に出力する。ここで、第1デコ−ダ22
はMPEG−2フォ−マットで伝送された信号の場合、
“0000 0000 0000 0000 0000
0001”をデコ−ディングする。第1デコ−ダ22
でデコ−ディングされたスタ−トコ−ドは反転されたS
CK信号により第1DフリップフロップD1にラッチさ
れて反転出力端子
【0026】
【外7】
【0027】に出力される。第1カウンタ23はバイト
アラインメントのための3ビットのカウンタであって、
第1DフリップフロップD1から出力されるデ−タ(図
3(E)参照)によりリセットされ、SCK信号(図3
(C)参照)をクロック信号として図3Fのような計数
値を出力する。この計数値(図3(F)参照)は第2デ
コ−ダ24、第2DフリップフロップD2及び第1バッ
ファB1を通して8つの8ビットのシフトレジスタ25
a〜25hのクロック端子と第2カウンタ25のクロッ
ク端子にそれぞれ印加される。この際、図3(G)のよ
うに第2デコ−ダ24によりSCK信号(図3(C)参
照)の立下がりエッジで“0”、即ち、二進値“00
0”がデコ−ディングされるごとに、24ビットシフト
レジスタ21から出力される24ビットのパラレルデ−
タのうち最下位ビットLSB側の8ビットが8つの8ビ
ットシフトレジスタ25a〜25hに順次に印加され
る。この際、8つのシフトレジスタ25a〜25hから
出力される64ビットのデ−タが図6に示されたメモリ
42に書込まれるデ−タ信号DIN〔63:0〕とな
る。
【0028】一方、8つの8ビットシフトレジスタ25
a〜25hにLSB側の8ビットが8つ集まると、パッ
キングカウンタで動作する第2カウンタ26が1ずつ増
えて“000”から“111”をカウントする。第3デ
コ−ダ27は図3Iのように第2カウンタ26の計数値
から“7”、すなわち、二進値“111”をデコ−ディ
ングし、SCK信号(図3(C)参照)により第3Dフ
リップフロップD3にラッチさせた後、非反転出力端子
Qを通して書込みアドレスカウンタである第3カウンタ
28のクロック端子に印加する。一方、第3Dフリップ
フロップD3の反転出力端子
【0029】
【外8】
【0030】の信号はCLK20(図3(B)参照)に
より第4DフリップフロップD4にラッチされた後、非
反転出力端子Qを通して第1ANDゲ−トA1、第5D
フリップフロップD5、第1NANDゲ−トNA1にそ
れぞれ出力される。第3カウンタ28は書込みアドレス
カウンタであって、クロック端子に印加される第3Dフ
リップフロップD3の非反転出力端子Qの信号をカウン
トして図3(H)のように64ビットの単位に対して
“1”ずつ増える書込みアドレスWADDR〔3:0〕
を出力する。すなわち、8つの8ビットシフトレジスタ
25a〜25hにLSB側の8ビットが8つ集まると、
64ビットの単位で書込みアドレスWADDRが1ずつ
増える。
【0031】第3カウンタ28から出力される書込みア
ドレスWADDRが“7”、すなわち、二進値“11
1”または“15”、すなわち、二進値“1110”と
なると、第4DフリップフロップD4、第2ANDゲ−
トA1、第2ANDゲ−トA2及び第6Dフリップフロ
ップD6により書込みリクエスト信号VWRが発生す
る。この際、書込みリクエスト信号VWRは図3Iのよ
うにCLK20(図3(B)参照)の立下がりエッジで
パルスの形態に発生する。
【0032】一方、第5DフリップフロップD5と第1
NANDゲ−トNA1により図3(N)のように読出し
/書込み制御信号RWが発生され、第3ANDゲ−トA
3により図3(O)のように書込み用のチップイネ−ブ
ル信号WCEが発生する。この際、読出し/書込み制御
信号RWは“ハイ”の場合には読出し、“ロ−”の場合
には書込みに区分される。
【0033】すなわち、図2に示されたように、可変長
復号化されて第1デ−タ処理部11に入力されるビット
ストリ−ムは64ビットの単位でパッキングされ、パッ
キングデ−タの単位が8つ集まると、リクエスト信号が
発生する。ここで、リクエスト信号が発生した後、アク
セプト信号が発生されるまでの時間は一定でないため、
他のリクエスト信号に問わず、最も長い時間を設定すべ
きである。本発明ではリクエスト信号が発生してからア
クセプト信号が発生されるまでの時間を8×8×8ビッ
ト程度のクロック時間に設定する。この時間は内部メモ
リ部15のサイズを可変させることにより変形が可能で
ある。
【0034】第1デ−タ処理部11で発生されたリクエ
スト信号VWRはメモリ制御部(図示せず)に入力され
て所定の時点にこのリクエスト信号を処理するためのア
クセプト信号VBV_ACCを発生させた後、第2デ−
タ処理部13に印加する。一方、第2デ−タ処理部13
を図4及び図5を参照して説明すれば、次の通りであ
る。
【0035】図4において、リクエスト信号に対してア
クセプト信号VBV_ACC(図5参照)が発生される
と、アクセプト信号VBV ACCは第7Dフリップフ
ロップD7でCLK20(図5(B)参照)によりラッ
チされて非反転出力端子Qを通して図5(D)のような
信号を出力する。第7DフリップフロップD7の出力信
号は再び第8DフリップフロップD8でCLK20(図
5(B)参照)によりラッチされて非反転出力端子Qを
通して図5(E)のような信号を出力する。第2NAN
Dゲ−トNA2は第7DフリップフロップD7の出力信
号(図5(D)参照)と第8DフリップフロップD8の
出力信号(図5(E)参照)とに対して負論理積を行
い、図5(E)のような信号を出力して第4カウンタ3
1に印加する。
【0036】第4カウンタ31は読出しアドレスRAD
DR〔3:0〕を発生させるためのものであって、第2
NANDゲ−トNA2の出力信号によりリセットされて
CLK20(図5(B)参照)信号をカウントして図5
(G)のような形態の読出しアドレスRADDRを出力
する。この際、読出しアドレスRADDRは、内部メモ
リ部15で書込まれている部分を避けるために、0〜
7、あるいは、8〜15の範囲内で読出すべきである。
【0037】アドレス上位ビット発生部32はANDゲ
−ト32aと排他負論理和ゲ−ト32bとを用いて内部
メモリ部15で読出し/書込みバンクの重なりを避ける
ため、書込みアドレスWADDRに応じて読出しアドレ
スRADDRの上位ビット(ここでは、MSB)を発生
させる。すなわち、それぞれの書込みアドレスWADD
Rが“0111”,“1000”...“1101”,
“1110”であれば、それぞれの書込みアドレスWA
DDRに相応する読出しアドレスRADDRのMSBは
“0”となる。したがって、それぞれの書込みアドレス
WADDR“0111”,“1000”...“110
1”,“1110”に該当する読出しアドレスRADD
Rはそれぞれ“0000”,“0001”...“01
10”,“0111”となる。一方、それぞれの書込み
アドレスWADDRが“1111”,“000
0”...“0101”,“0110”であれば、それ
ぞれの書込みアドレスWADDRに相応する読出しアド
レスRADDRのMBBは“1”となる。したがって、
それぞれの書込みアドレスWADDR“1111”,
“0000”...“0101”,“0110”に該当
する読出しアドレスRADDRはそれぞれ“100
0”,“1001”...“1110”,“1111”
となる。したがって、メモリ42の読出し及び書込みバ
ンクの重なりが防止される。
【0038】第4デコ−ダ33は第4カウンタ31のカ
ウント値のうち“7”、すなわち、“111”をデコ−
ディングし、第4デコ−ダ33の出力信号はCLK20
(図5(B)参照)の立下がりエッジで第9Dフリップ
フロップD9によりラッチされて図5(H)のような信
号を出力し、第9DフリップフロップD9の出力信号
(図5(H)参照)はCLK20(図5(B)参照)の
立上がりエッジで第10DフリップフロップD10によ
りラッチされて図5(I)のような信号を出力する。第
4ANDゲ−トA4は第9DフリップフロップD9の出
力信号(図5(H)参照)と第10Dフリップフロップ
D10の出力信号(図5(I))とに対して論理積を行
い図5(J)のような信号を出力し、第3NANDゲ−
トNA3は第4ANDゲ−トA4の出力信号(図5
(J)参照)、第1インバ−タI1の出力信号及び第2
インバ−タI2の出力信号に対して負論理積を行い図5
(K)のような読出し用のチップイネ−ブル信号RCE
を発生させる。
【0039】上述したように第2デ−タ処理部13では
アクセプト信号が発生されると、内部メモリ部15から
8つの64ビットのデ−タをCLK20(図5(B)参
照)信号のレ−トで読出すための読出しアドレスRAD
DRを発生させて内部メモリ部15に印加し、内部メモ
リ部15では該当読出しアドレスに貯蔵された8つのデ
−タの単位が順次に読出される。
【0040】この際、リクエストとアクセプトとにかか
る時間は一般に決められていないため、本発明では入力
されるビットストリ−ムを64ビットデ−タの単位でパ
ッキングして内部メモリ部15に書込む動作を行いつ
つ、リクエスト信号を発生し、アクセプト信号に応じて
8つのパッキングデ−タの単位を内部メモリ部15から
読出す3種の動作を続けて行うべきである。ここで、デ
−タパッキングの単位は32ビットまたは128ビット
などの多数のものがあり得、内部メモリ部15から読出
されるデ−タの単位も16または32などに拡張が可能
である。
【0041】一方、内部メモリ部15は図6に示された
ように、デ−タ入力端子DINと、デ−タ出力端子DO
UTの2ポ−トと、共通アドレスポ−トADDRと、読
出し/書込み選択ポ−トRWとから構成されたメモリ4
2を用いる。前記メモリ部15は他の構造のメモリへの
変形も容易である。第5ANDゲ−トA5は第1デ−タ
処理部11から出力される書込み用のチップイネ−ブル
信号WCEと第2デ−タ処理部13から出力される読出
し用のチップイネ−ブル信号RCEとに対して論理積を
行いメモリ42のチップイネ−ブル端子CENに印加す
る。メモリ42はチップイネ−ブル信号CENが“ハ
イ”の場合は動作せず、“ロ−”の場合に選択及び動作
を開始する。そして、読出し/書込み制御信号R/Wは
“ハイ”の場合に読出し、“ロ−”の場合には書込み動
作を行う。
【0042】一方、第1デ−タ処理部11から出力され
る読出しアドレスRADDR〔3:0〕は第3及び第4
インバ−タI3,I4により遅延されてマルチプレクサ
MUX41に印加され、第2デ−タ処理部13から出力
される書込みアドレスWADDR〔3:0〕は第5及び
第6インバ−タI5,I6により遅延されてマルチプレ
クサMUX41に印加される。マルチプレクサ41は読
出し/書込み制御信号RWに応じて書込みアドレスWA
DDR〔3:0〕、あるいは、読出しアドレスRADD
R〔3:0〕を選択して第7及び第8インバ−タI7,
I8を通してメモリ42のアドレス端子ADDR〔3:
0〕に印加する。
【0043】すると、メモリ42はアドレス端子ADD
R〔3:0〕に印加されるアドレスの種類に応じてデ−
タ入力端子DIN〔63:0〕に印加されるデ−タを書
込むか、メモリ42に書込まれたデ−タをデ−タ出力端
子DOUT〔63:0〕を通して64ビットのシフトレ
ジスタ43に出力する。本発明ではデ−タパッキングを
64ビットの単位で行い、パッキングされたデ−タが8
つ集まるとリクエスト信号を発生すると仮定したが、こ
れは内部メモリ部15のサイズまたは他の応用に応じて
変形が可能である。ここで、CLK20とCLK40は
便宜上20MHz,40MHzクロックとして設定され
たが、他の値への変形も可能である。ただ、CLK20
はCLK40を2分周して生成されたものであって、C
LK40の周波数はCLK20の2倍となるべきであ
る。
【0044】本発明は可変長復号化されたビットストリ
−ムを貯蔵するメモリの書込み及び読出し動作を定義す
る構造を応用する全てのハ−ドウェアに適用できる。
【0045】
【発明の効果】上述したように、可変長復号化器におい
て本発明による出力デ−タの再配列方法及び回路では可
変長復号化されて入力されるビットストリ−ムを所定の
ビット数を有する単位でパッキングし、リクエスト信号
とアクセプト信号とを用いて前記パッキングされたデ−
タを所定の単位で外部メモリ部に高速ペ−ジモ−ドで伝
送することにより、リクエスト/アクセプトによるタイ
ミングマ−ジンを確保することができ、スタ−トコ−ド
を自動にバイトアラインメントさせ得る。かつ、メモリ
の安定的な読出し/書込みタイミングを具現することが
でき、読出し/書込み時にメモリの読出し/書込みバン
クを効率よくスイッチングさせ得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】可変長復号化器において本発明による出力デ−
タの再配列回路を示すブロック図である。
【図2】図1において、第1デ−タ処理部の細部回路図
である。
【図3】(A)乃至(O)は図2に示された第1デ−タ
処理部の動作タイミング図である。
【図4】図1において、第2デ−タ処理部の細部回路図
である。
【図5】(A)乃至(K)は図4に示された第2デ−タ
処理部の動作タイミング図である。
【図6】図1においてメモリ部の細部回路図である。
【図7】(A)乃至(H)は図6に示されたメモリ部の
動作タイミング図である。
【符号の説明】 11 第1デ−タ処理部 13 第2デ−タ処理部 15 メモリ部 21 24ビットシフトレジスタ 22 第1デコ−ダ 23 第1カウンタ 24 第2デコ−ダ 26 第2カウンタ 27 第3デコ−ダ 28 第3カウンタ 31 第4カウンタ 32 アドレス上位ビット発生部 32a ANDゲ−ト 32b 排他負論理和ゲ−ト 33 第4デコ−ダ 41 マルチプレクサ 42 メモリ 43 64ビットシフトレジスタ

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 可変長復号化されたビットストリ−ムを
    所定のビット数を有するパッキングデ−タの単位でパッ
    キングし、各パッキングデ−タに対する書込みアドレス
    を発生させて内部メモリ部の該当書込みアドレスに前記
    パッキングデ−タを貯蔵する段階と、 前記内部メモリ部に貯蔵されたパッキングデ−タの単位
    が所定の限界値を越える場合、前記貯蔵されたパッキン
    グデ−タの単位を外部メモリ部に伝送するためのリクエ
    スト信号を発生させる段階と、 前記リクエスト信号に対するアクセプト信号が発生する
    と、前記内部メモリ部からN個の前記パッキングデ−タ
    の単位を読出すためのそれぞれの読出しアドレスを発生
    させる段階と、 前記内部メモリ部から前記該当読出しアドレスに貯蔵さ
    れたN個のパッキングデ−タの単位を順次に読出して外
    部メモリ部に伝送する段階とを含むことを特徴とする可
    変長復号化器における出力デ−タの再配列方法。
  2. 【請求項2】 前記パッキングデ−タの単位のビット数
    は64であり、前記所定の限界値は前記内部メモリ部の
    容量の1/2であること特徴とする請求項1に記載の可
    変長復号化器における出力デ−タの再配列方法。
  3. 【請求項3】 内部メモリ部と、 可変長復号化されたビットストリ−ムを所定のビット数
    を有するパッキングデ−タの単位でパッキングし、前記
    それぞれのパッキングデ−タの単位を前記内部メモリ部
    に貯蔵するための各パッキングデ−タの単位に対する書
    込みアドレスを発生させ、前記内部メモリ部に貯蔵され
    たパッキングデ−タの単位数が所定の限界値を越える場
    合、前記貯蔵されたパッキングデ−タの単位を外部メモ
    リ部に伝送するためのリクエスト信号を発生させるため
    の第1デ−タ処理部と、 前記リクエスト信号に対するアクセプト信号が発生する
    と、前記内部メモリ部からN個の前記パッキングデ−タ
    の単位を読出すための読出しアドレスを発生させて前記
    内部メモリ部に印加するための第2デ−タ処理部とを含
    み、 前記該当読出しアドレスに貯蔵されたN個のパッキング
    デ−タの単位は前記内部メモリ部から順次に読出されて
    外部メモリ部に伝送されることを特徴とする可変長復号
    化器における出力デ−タの再配列回路。
  4. 【請求項4】 前記第1デ−タ処理部は前記可変長復号
    化されたビットストリ−ムからスタ−トコ−ドを検出し
    て各スタ−トコ−ドにバイトアラインメントを行うこと
    を特徴とする請求項3に記載の可変長復号化器における
    出力デ−タの再配列回路。
  5. 【請求項5】 前記パッキングデ−タの単位のビット数
    は64であることを特徴とする請求項3に記載の可変長
    復号化器における出力デ−タの再配列回路。
  6. 【請求項6】 前記所定の限界値は前記内部メモリ部の
    容量の1/2であることを特徴とする請求項3に記載の
    可変長復号化器における出力デ−タの再配列回路。
  7. 【請求項7】 前記第1デ−タ処理部は、 前記シリアルビットストリ−ムをパラレルデ−タに変換
    するための第1シフトレジスタと、 前記第1シフトレジスタから出力されるパラレルデ−タ
    からスタ−トコ−ドをデコ−ディングするための第1デ
    コ−ダと、 前記スタ−トコ−ドに基づいてリセットされた後、前記
    第1デコ−ダでデコ−ディングされたスタ−トコ−ドに
    よりバイトアラインメントを行うための第1カウンタ
    と、 前記第1カウンタの出力値のうち、第1値をデコ−ディ
    ングするための第2デコ−ダと、 前記第2デコ−ダで第1値がデコ−ディングされるごと
    に前記第1シフトレジスタから出力されるパラレルデ−
    タのうち最下位ビットを入力とする複数の第2シフトレ
    ジスタと、 前記第2デコ−ダで第1値がデコ−ディングされる時点
    をカウントする第2カウンタと、 前記第2カウンタの出力値のうち、第2値をデコ−ディ
    ングするための第3デコ−ダと、 前記第3デコ−ダのデコ−ディングの結果、前記複数の
    第2シフトレジスタに前記第1シフトレジスタから出力
    される前記最下位ビットが集まるごとに、書込みアドレ
    スを増やして出力する第3カウンタと、 前記第3カウンタから出力される書込みアドレスが第3
    値及び第4値のうち一つである場合、リクエスト信号を
    発生させるリクエスト信号発生器と、 前記第3デコ−ダのデコ−ディングの結果値及び第1ク
    ロックから読出し/書込み制御信号を発生させるための
    読出し/書込み制御信号発生器と、 前記読出し/書込み制御信号と第2クロックから書込み
    用のチップイネ−ブル信号を発生させるための書込み用
    のチップイネ−ブル信号発生器と、より構成されること
    を特徴とする請求項6に記載の可変長復号化器における
    出力デ−タの再配列回路。
  8. 【請求項8】 前記第1シフトレジスタは前記可変長復
    号化されたビットストリ−ムで24ビットデ−タをシフ
    トさせるための24ビットシフトレジスタであることを
    特徴とする請求項7に記載の可変長復号化器における出
    力デ−タの再配列回路。
  9. 【請求項9】 前記複数の第2シフトレジスタは8つの
    8ビットシフトレジスタであることを特徴とする請求項
    7に記載の可変長復号化器における出力デ−タの再配列
    回路。
  10. 【請求項10】 前記第1値は“0”、前記第2値は
    “7”、前記第3値は“7”、前記第4値は“15”で
    あることを特徴とする請求項7に記載の可変長復号化器
    における出力デ−タの再配列回路。
  11. 【請求項11】 前記第1クロックは前記第2クロック
    を2分周した信号であることを特徴とする請求項7に記
    載の可変長復号化器における出力デ−タの再配列回路。
  12. 【請求項12】 前記第2デ−タ処理部は、 前記アクセプト信号が発生されると、前記内部メモリ部
    から8つの64ビットデ−タを読出すための読出しアド
    レスを発生させるためのカウンタと、 前記内部メモリ部から読出し/書込みバンクの重なりを
    避けるためのアドレス上位ビットを発生させるためのア
    ドレス上位ビット発生部と、 前記カウンタの出力値のうち、所定の値をデコ−ディン
    グするためのデコ−ダと、 前記デコ−ダのデコ−ディングの結果、第1クロックと
    第2クロックから読出し用のチップイネ−ブル信号を発
    生させるための読出し用のチップイネ−ブル信号発生器
    と、より構成されることを特徴とする請求項6に記載の
    可変長復号化器における出力デ−タの再配列回路。
  13. 【請求項13】 前記所定値は“7”であることを特徴
    とする請求項12に記載の可変長復号化器における出力
    デ−タの再配列回路。
  14. 【請求項14】 前記第1クロックは前記第2クロック
    を2分周した信号であることを特徴とする請求項12に
    記載の可変長復号化器における出力デ−タの再配列回
    路。
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