JPH09295263A - 研磨装置 - Google Patents
研磨装置Info
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- JPH09295263A JPH09295263A JP10888796A JP10888796A JPH09295263A JP H09295263 A JPH09295263 A JP H09295263A JP 10888796 A JP10888796 A JP 10888796A JP 10888796 A JP10888796 A JP 10888796A JP H09295263 A JPH09295263 A JP H09295263A
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- JP
- Japan
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- polishing
- wafer
- retainer
- wafer mounting
- groove
- Prior art date
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
- B24B37/32—Retaining rings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】研磨パッドの目詰まりの進行を抑え、長期間に
わたってウエハの研磨速度を安定させることができる研
磨装置を提供する。 【解決手段】ウエハ載置部に保持されたウエハに、研磨
定盤に被着された研磨パッドを押し当て、ウエハと研磨
パッドの間に研磨スラリーを供給し、ウエハ載置部と試
料台と研磨定盤のいずれか一方、または両方を回転させ
てウエハを研磨する研磨装置であって、ウエハ載置部の
ウエハ載置面の外周部に設けられるリテーナ１３の溝２
１が、ウエハ載置部の回転方向と逆向きに並ぶ点、例え
ばＶ、Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚに対して、リテーナの中心からの
距離ＲV、ＲW、ＲX、ＲY、ＲZが順次増加する形状であ
る研磨装置。
わたってウエハの研磨速度を安定させることができる研
磨装置を提供する。 【解決手段】ウエハ載置部に保持されたウエハに、研磨
定盤に被着された研磨パッドを押し当て、ウエハと研磨
パッドの間に研磨スラリーを供給し、ウエハ載置部と試
料台と研磨定盤のいずれか一方、または両方を回転させ
てウエハを研磨する研磨装置であって、ウエハ載置部の
ウエハ載置面の外周部に設けられるリテーナ１３の溝２
１が、ウエハ載置部の回転方向と逆向きに並ぶ点、例え
ばＶ、Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚに対して、リテーナの中心からの
距離ＲV、ＲW、ＲX、ＲY、ＲZが順次増加する形状であ
る研磨装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエハな
どのウエハ（板状物）等の研磨装置に関し、特に半導体
素子の製造工程で用いられるウエハの研磨に好適な研磨
装置に関する。
どのウエハ（板状物）等の研磨装置に関し、特に半導体
素子の製造工程で用いられるウエハの研磨に好適な研磨
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造工程におけるウエハの
研磨は、研磨定盤に被着された研磨パッドを試料台のウ
エハ載置部に保持されたウエハに押し当て、その間に研
磨スラリー（砥粒液）を供給し、ウエハ載置部を回転
（自転）させるとともに研磨定盤と試料台のいずれか一
方、または両方を回転（公転）させることにより行われ
る。
研磨は、研磨定盤に被着された研磨パッドを試料台のウ
エハ載置部に保持されたウエハに押し当て、その間に研
磨スラリー（砥粒液）を供給し、ウエハ載置部を回転
（自転）させるとともに研磨定盤と試料台のいずれか一
方、または両方を回転（公転）させることにより行われ
る。
【０００３】この研磨時の回転運動によりウエハの外縁
には大きな力が加わることと、ウエハと研磨パッドの間
から滲みでたスラリーがウエハの外縁付近に滞留するこ
とから、ウエハの周縁部分が過剰に研磨され、面ダレを
起こすことが多い。この対策としてウエハの周囲に所定
厚みのリテーナを設けることが行われる。
には大きな力が加わることと、ウエハと研磨パッドの間
から滲みでたスラリーがウエハの外縁付近に滞留するこ
とから、ウエハの周縁部分が過剰に研磨され、面ダレを
起こすことが多い。この対策としてウエハの周囲に所定
厚みのリテーナを設けることが行われる。
【０００４】図１は、ウエハの研磨装置を示す模式的縦
断面図である。研磨パッド１２が被着された研磨定盤１
１が、研磨定盤回転軸Ａ−Ａ’を中心としてこのまわり
を回転（公転）する。ウエハ載置部１４が設けられた試
料台１５が、試料台回転軸Ｂ−Ｂ’を中心としてこのま
わりを回転（公転）する。研磨定盤回転軸Ａ−Ａ’と試
料台回転軸Ｂ−Ｂ’は一致させる場合もあれば、異なら
せる場合もある。リテーナ１３を有するウエハ載置部１
４はウエハ載置部回転軸Ｃ−Ｃ’を中心としてこの回り
を回転する。
断面図である。研磨パッド１２が被着された研磨定盤１
１が、研磨定盤回転軸Ａ−Ａ’を中心としてこのまわり
を回転（公転）する。ウエハ載置部１４が設けられた試
料台１５が、試料台回転軸Ｂ−Ｂ’を中心としてこのま
わりを回転（公転）する。研磨定盤回転軸Ａ−Ａ’と試
料台回転軸Ｂ−Ｂ’は一致させる場合もあれば、異なら
せる場合もある。リテーナ１３を有するウエハ載置部１
４はウエハ載置部回転軸Ｃ−Ｃ’を中心としてこの回り
を回転する。
【０００５】なお、回転方向は、研磨定盤１１を上方か
ら見て、時計まわりを＋、反時計まわりを−で表現する
ことにする。図１では、研磨定盤、試料台およびウエハ
載置部は、全て＋方向に回転していることを示してい
る。
ら見て、時計まわりを＋、反時計まわりを−で表現する
ことにする。図１では、研磨定盤、試料台およびウエハ
載置部は、全て＋方向に回転していることを示してい
る。
【０００６】図２は、ウエハの研磨装置の試料台を示す
模式的平面図である。試料台１５には、ウエハ載置部１
４が５つ設けられている。図２では、それぞれのウエハ
載置部１４、試料台１５、および研磨定盤（図示せず）
は、すべて＋方向に回転している。
模式的平面図である。試料台１５には、ウエハ載置部１
４が５つ設けられている。図２では、それぞれのウエハ
載置部１４、試料台１５、および研磨定盤（図示せず）
は、すべて＋方向に回転している。
【０００７】図３は、ウエハの研磨装置のウエハ載置部
を示す模式的縦断面図である。ウエハ載置部１４のウエ
ハ載置面１６にはウエハ保持用溝１７が形成され、排気
用貫通孔１８を介してこのウエハ保持用溝１７を真空に
排気することにより、ウエハＳがこのウエハ載置面１６
に真空吸着される。このウエハ載置面１６の周囲に、リ
テーナ１３が配設されている。このリテーナ１３の上面
は、ウエハＳをウエハ載置面１６に載置したとき、ウエ
ハＳの表面とほぼ同一の高さになる程度の高さに調整さ
れており、これによりウエハＳを研磨する際、研磨パッ
ド１２が安定した平面で回転し、ウエハＳ周縁部の面ダ
レの発生が防止されるように構成されている。
を示す模式的縦断面図である。ウエハ載置部１４のウエ
ハ載置面１６にはウエハ保持用溝１７が形成され、排気
用貫通孔１８を介してこのウエハ保持用溝１７を真空に
排気することにより、ウエハＳがこのウエハ載置面１６
に真空吸着される。このウエハ載置面１６の周囲に、リ
テーナ１３が配設されている。このリテーナ１３の上面
は、ウエハＳをウエハ載置面１６に載置したとき、ウエ
ハＳの表面とほぼ同一の高さになる程度の高さに調整さ
れており、これによりウエハＳを研磨する際、研磨パッ
ド１２が安定した平面で回転し、ウエハＳ周縁部の面ダ
レの発生が防止されるように構成されている。
【０００８】リテーナは、通常研磨される材料とほぼ同
じ材質、例えばウエハＳ上のシリコン酸化膜を研磨する
場合は、石英で作製されている。また、リテーナの表面
は平坦な面に作製されている。
じ材質、例えばウエハＳ上のシリコン酸化膜を研磨する
場合は、石英で作製されている。また、リテーナの表面
は平坦な面に作製されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような研磨パッドを用いた研磨装置には、研磨処理の
時間が経過するにつれて、研磨パッドの目詰まりが進行
し、ウエハの研磨速度が低下するという問題がある。
たような研磨パッドを用いた研磨装置には、研磨処理の
時間が経過するにつれて、研磨パッドの目詰まりが進行
し、ウエハの研磨速度が低下するという問題がある。
【００１０】本発明は、このような課題を解決するため
になされたものであり、研磨パッドの目詰まりの進行を
抑え、長期間にわたってウエハの研磨速度を安定させる
ことができる研磨装置を提供することを目的としてい
る。
になされたものであり、研磨パッドの目詰まりの進行を
抑え、長期間にわたってウエハの研磨速度を安定させる
ことができる研磨装置を提供することを目的としてい
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の研磨装置は、ウ
エハ載置部が配置された試料台と、研磨パッドが被着さ
れた研磨定盤と、ウエハ載置部をその中心軸のまわりに
回転させる機構と、試料台をその中心軸のまわりに回転
させる機構および／または研磨定盤をその中心軸のまわ
りに回転させる機構を備え、ウエハ載置部に保持された
ウエハに、研磨定盤に被着された研磨パッドを押し当
て、ウエハと研磨パッドの間に研磨スラリーを供給し、
ウエハ載置部と試料台および／または研磨定盤とを回転
させてウエハを研磨する研磨装置であって、ウエハ載置
部のウエハ載置面の外周部にリテーナを備え、前記リテ
ーナの研磨パッドと対向する面に、溝の各部とリテーナ
中心間の距離がウエハ載置部の回転方向と逆向きの方向
に向かうにしたがい大きくなる形状の溝が複数設けられ
ていることを特徴としている。
エハ載置部が配置された試料台と、研磨パッドが被着さ
れた研磨定盤と、ウエハ載置部をその中心軸のまわりに
回転させる機構と、試料台をその中心軸のまわりに回転
させる機構および／または研磨定盤をその中心軸のまわ
りに回転させる機構を備え、ウエハ載置部に保持された
ウエハに、研磨定盤に被着された研磨パッドを押し当
て、ウエハと研磨パッドの間に研磨スラリーを供給し、
ウエハ載置部と試料台および／または研磨定盤とを回転
させてウエハを研磨する研磨装置であって、ウエハ載置
部のウエハ載置面の外周部にリテーナを備え、前記リテ
ーナの研磨パッドと対向する面に、溝の各部とリテーナ
中心間の距離がウエハ載置部の回転方向と逆向きの方向
に向かうにしたがい大きくなる形状の溝が複数設けられ
ていることを特徴としている。
【００１２】なお、溝の各部とリテーナ中心間の距離が
ウエハ載置部の回転方向と逆向きの方向に向かうにした
がい大きくなるとは、例えば、図４に示すように、リテ
ーナの１つの溝の、ウエハ載置部の回転方向と逆向きに
並ぶ点、Ｖ、Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚに対して、リテーナの中心
からの距離ＲV、ＲW、ＲX、ＲY、ＲZが順次増加するこ
とを意味している。
ウエハ載置部の回転方向と逆向きの方向に向かうにした
がい大きくなるとは、例えば、図４に示すように、リテ
ーナの１つの溝の、ウエハ載置部の回転方向と逆向きに
並ぶ点、Ｖ、Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚに対して、リテーナの中心
からの距離ＲV、ＲW、ＲX、ＲY、ＲZが順次増加するこ
とを意味している。
【００１３】本発明の研磨装置によれば、リテーナの表
面（上面）に溝が設けられているので、このリテーナ表
面の溝の角で、研磨パッドの表面を削りとり、シーズニ
ング（目たて）することができる。このため、研磨パッ
ドの目詰まりの進行を抑えることができる。その結果、
ウエハの研磨速度の低下が抑えられ、長期間安定したウ
エハの研磨が可能になる。
面（上面）に溝が設けられているので、このリテーナ表
面の溝の角で、研磨パッドの表面を削りとり、シーズニ
ング（目たて）することができる。このため、研磨パッ
ドの目詰まりの進行を抑えることができる。その結果、
ウエハの研磨速度の低下が抑えられ、長期間安定したウ
エハの研磨が可能になる。
【００１４】また、この溝の平面パターンが、溝の各部
とリテーナ中心間の距離がウエハ載置部の回転方向と逆
向きの方向に向かうにしたがい大きくなる複数の溝で形
成されているので、研磨パッドの表面を均一に削りとる
ことができる。すなわち、均一にシーズニング（目た
て）することができる。その結果、この研磨装置では、
研磨パッドを長期間安定して使用することも可能にな
る。
とリテーナ中心間の距離がウエハ載置部の回転方向と逆
向きの方向に向かうにしたがい大きくなる複数の溝で形
成されているので、研磨パッドの表面を均一に削りとる
ことができる。すなわち、均一にシーズニング（目た
て）することができる。その結果、この研磨装置では、
研磨パッドを長期間安定して使用することも可能にな
る。
【００１５】リテーナの溝の平面パターンが研磨パッド
のシーズニングの分布に与える影響について、以下のよ
うにして数値計算により評価した。
のシーズニングの分布に与える影響について、以下のよ
うにして数値計算により評価した。
【００１６】図６は、リテーナの溝の研磨パッド上の平
面運動を説明する模式図である。この図は、研磨パッド
上の座標平面から見たものである。リテーナ１３の溝２
１はウエハ載置部の回転に伴い回転（自転）しながら、
研磨定盤の回転と試料台の回転の合成された方向に回転
（公転）し、研磨パッド上を走査する。
面運動を説明する模式図である。この図は、研磨パッド
上の座標平面から見たものである。リテーナ１３の溝２
１はウエハ載置部の回転に伴い回転（自転）しながら、
研磨定盤の回転と試料台の回転の合成された方向に回転
（公転）し、研磨パッド上を走査する。
【００１７】リテーナの溝上の点がパッド表面に描く軌
跡を計算し、研磨パッド表面をメッシュに分割し、各メ
ッシュについて、この溝上の点が通過する回数を計算し
た。そして、研磨パッドの１つの直径に着目して、この
通過回数のヒストグラムを作成した。計算は、研磨パッ
ド中心と試料台中心を１０（ｍｍ）離した条件で、研磨
パッドの回転速度と試料台の回転速度の差、すなわち公
転の回転速度、とウエハ載置部の回転速度、すなわち自
転の回転速度、との比がほぼ１の条件で、行った。追跡
したそれぞれ溝の点の数は、１３個である。
跡を計算し、研磨パッド表面をメッシュに分割し、各メ
ッシュについて、この溝上の点が通過する回数を計算し
た。そして、研磨パッドの１つの直径に着目して、この
通過回数のヒストグラムを作成した。計算は、研磨パッ
ド中心と試料台中心を１０（ｍｍ）離した条件で、研磨
パッドの回転速度と試料台の回転速度の差、すなわち公
転の回転速度、とウエハ載置部の回転速度、すなわち自
転の回転速度、との比がほぼ１の条件で、行った。追跡
したそれぞれ溝の点の数は、１３個である。
【００１８】図７は、この計算に用いた３種類の溝のパ
ターンを示す模式図である。図７（ａ）に示す溝は、溝
とリテーナの直径方向（O-O'）となす角度θaが−４５
゜のものである。すなわち、溝の各部とリテーナ中心間
の距離がウエハ載置部の回転方向と逆向きの方向に向か
うにしたがい大きくなるものである。図７（ｂ）に示す
溝は、溝とリテーナの直径方向（O-O'）となす角度θb
が０゜のものである。すなわち、溝の各部とリテーナ中
心間の距離がウエハ載置部の回転方向と逆向きの方向に
向かうにしたがい大きくなるとも小さくなるともいえな
いものであり、その境界のものである。図７（ｃ）に示
す溝は、溝とリテーナの直径方向（O-O'）となす角度θ
cが＋４５゜のものである。すなわち、溝の各部とリテ
ーナ中心間の距離がウエハ載置部の回転方向と逆向きの
方向に向かうにしたがい小さくなるものである。角度θ
a、θcの符号は、ウエハ載置部の回転方向に進んだもの
を＋、遅れたものを−と表現している。
ターンを示す模式図である。図７（ａ）に示す溝は、溝
とリテーナの直径方向（O-O'）となす角度θaが−４５
゜のものである。すなわち、溝の各部とリテーナ中心間
の距離がウエハ載置部の回転方向と逆向きの方向に向か
うにしたがい大きくなるものである。図７（ｂ）に示す
溝は、溝とリテーナの直径方向（O-O'）となす角度θb
が０゜のものである。すなわち、溝の各部とリテーナ中
心間の距離がウエハ載置部の回転方向と逆向きの方向に
向かうにしたがい大きくなるとも小さくなるともいえな
いものであり、その境界のものである。図７（ｃ）に示
す溝は、溝とリテーナの直径方向（O-O'）となす角度θ
cが＋４５゜のものである。すなわち、溝の各部とリテ
ーナ中心間の距離がウエハ載置部の回転方向と逆向きの
方向に向かうにしたがい小さくなるものである。角度θ
a、θcの符号は、ウエハ載置部の回転方向に進んだもの
を＋、遅れたものを−と表現している。
【００１９】図８は、研磨パッドの直径部分の通過回数
のヒストグラムの結果である。図８（ａ）、（ｂ）およ
び（ｃ）は、それぞれ、図７（ａ）、（ｂ）および
（ｃ）に示す溝パターンに関する計算結果である。図８
（ａ）の分布は、図８（ｂ）および（ｃ）の分布に比
べ、通過回数が均一になっている。
のヒストグラムの結果である。図８（ａ）、（ｂ）およ
び（ｃ）は、それぞれ、図７（ａ）、（ｂ）および
（ｃ）に示す溝パターンに関する計算結果である。図８
（ａ）の分布は、図８（ｂ）および（ｃ）の分布に比
べ、通過回数が均一になっている。
【００２０】この結果から、溝の各部とリテーナ中心間
の距離がウエハ載置部の回転方向と逆向きの方向に向か
うにしたがい大きくなる溝とすれば、研磨パッドの表面
を均一に削りとることができることがわかる。
の距離がウエハ載置部の回転方向と逆向きの方向に向か
うにしたがい大きくなる溝とすれば、研磨パッドの表面
を均一に削りとることができることがわかる。
【００２１】なお、図７で行ったように、リテーナの溝
のリテーナの直径方向となす角度でこの溝の平面パター
ンを簡易的に表現することができる。リテーナの溝のリ
テーナの直径方向となす角度を用いた場合、その最適値
は、研磨パッドの回転数、試料台の回転数、ウエハ載置
部の回転数、および研磨パッド中心と試料台中心の距離
などから決まるが、通常、ウエハ載置部の回転方向に対
して−８０゜から−２５゜の角度をなすようにすれば良
い。
のリテーナの直径方向となす角度でこの溝の平面パター
ンを簡易的に表現することができる。リテーナの溝のリ
テーナの直径方向となす角度を用いた場合、その最適値
は、研磨パッドの回転数、試料台の回転数、ウエハ載置
部の回転数、および研磨パッド中心と試料台中心の距離
などから決まるが、通常、ウエハ載置部の回転方向に対
して−８０゜から−２５゜の角度をなすようにすれば良
い。
【００２２】なお、本発明の研磨装置は、リテーナの溝
が、ウエハ載置部の回転に伴い回転（自転）しながら、
研磨パッド上を回転（公転）し走査する研磨装置に適用
することが可能である。したがって、研磨定盤と試料台
のいずれか一方が回転（公転）すれば良いので、研磨定
盤と試料台のいずれか一方が回転しない研磨装置にも適
用することができる。
が、ウエハ載置部の回転に伴い回転（自転）しながら、
研磨パッド上を回転（公転）し走査する研磨装置に適用
することが可能である。したがって、研磨定盤と試料台
のいずれか一方が回転（公転）すれば良いので、研磨定
盤と試料台のいずれか一方が回転しない研磨装置にも適
用することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明の研磨装置の例について説
明する。本発明の研磨装置の例は、図１、図２および図
３に示す研磨装置であって、リテーナのみが溝を施した
点で従来と異なるものである。したがって、リテーナの
みを説明し、それ以外の説明は省略する。
明する。本発明の研磨装置の例は、図１、図２および図
３に示す研磨装置であって、リテーナのみが溝を施した
点で従来と異なるものである。したがって、リテーナの
みを説明し、それ以外の説明は省略する。
【００２４】図４は、本発明の研磨装置のリテーナの１
例の模式的平面図である。この例は、直線の溝の例であ
る。リテーナの１つの溝の、ウエハ載置部の回転方向と
逆向きに並ぶ点、Ｖ、Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚに対して、リテー
ナの中心からの距離ＲV、ＲW、ＲX、ＲY、ＲZが順次増
加している。この例では、溝２１とリテーナの直径方向
（Ｏ−Ｏ’）とのなす角θ1が−７５゜としている。前
述のように、この溝のリテーナの直径方向となす角度
は、通常−８０゜から−２５゜とすれば良い。溝部の幅
は、１〜７ｍｍ程度、その深さは、０．０５〜２ｍｍ程
度とすれば良い。
例の模式的平面図である。この例は、直線の溝の例であ
る。リテーナの１つの溝の、ウエハ載置部の回転方向と
逆向きに並ぶ点、Ｖ、Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚに対して、リテー
ナの中心からの距離ＲV、ＲW、ＲX、ＲY、ＲZが順次増
加している。この例では、溝２１とリテーナの直径方向
（Ｏ−Ｏ’）とのなす角θ1が−７５゜としている。前
述のように、この溝のリテーナの直径方向となす角度
は、通常−８０゜から−２５゜とすれば良い。溝部の幅
は、１〜７ｍｍ程度、その深さは、０．０５〜２ｍｍ程
度とすれば良い。
【００２５】リテーナ１３は、例えばＳｉ3Ｎ4、Ｓｉ
Ｃ、Ａｌ2Ｏ3のような高硬度のセラミックスやステンレ
ス鋼により作製すれば良い。
Ｃ、Ａｌ2Ｏ3のような高硬度のセラミックスやステンレ
ス鋼により作製すれば良い。
【００２６】図５は、本発明の研磨装置のリテーナの別
の例の模式的平面図である。この例は、曲線の溝の例で
ある。この例では、溝２１の平均的な方向（図中、点
線）とリテーナの直径方向（Ｏ−Ｏ’）とのなす角θ2
をやはり−７５゜としている。
の例の模式的平面図である。この例は、曲線の溝の例で
ある。この例では、溝２１の平均的な方向（図中、点
線）とリテーナの直径方向（Ｏ−Ｏ’）とのなす角θ2
をやはり−７５゜としている。
【００２７】図４および図５に示すようなリテーナを用
いることにより、研磨パッドの表面を均一に削りとり、
シーズニング（目たて）することができる。したがっ
て、研磨パッドの目詰まりの進行を抑え、ウエハの研磨
速度の低下を生じることなく、長期間にわたって安定し
たウエハの研磨を行うことができる。
いることにより、研磨パッドの表面を均一に削りとり、
シーズニング（目たて）することができる。したがっ
て、研磨パッドの目詰まりの進行を抑え、ウエハの研磨
速度の低下を生じることなく、長期間にわたって安定し
たウエハの研磨を行うことができる。
【００２８】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の研磨装置
によれば、研磨パッドの目詰まりの進行を抑え、長期間
にわたってウエハの研磨速度を安定させることができ
る。
によれば、研磨パッドの目詰まりの進行を抑え、長期間
にわたってウエハの研磨速度を安定させることができ
る。
【図１】ウエハの研磨装置を示す模式的縦断面図であ
る。
る。
【図２】ウエハの研磨装置を示す模式的平面図である。
【図３】ウエハの研磨装置のウエハ載置部を示す模式的
縦断面図である。
縦断面図である。
【図４】本発明の研磨装置のリテーナの１例の模式的平
面図である。
面図である。
【図５】本発明の研磨装置のリテーナの別の例の模式的
平面図である。
平面図である。
【図６】リテーナの溝の研磨パッド上の平面運動を説明
する模式図である。この図は、研磨パッド上の座標平面
から見たものである。
する模式図である。この図は、研磨パッド上の座標平面
から見たものである。
【図７】数値計算に用いた３種類の溝のパターンを示す
模式図である。（ａ）に示す溝は、角度θaが−４５゜
のものである。（ｂ）に示す溝は、角度θbが０゜のも
のである。（ｃ）に示す溝は、角度θcが＋４５゜のも
のである。
模式図である。（ａ）に示す溝は、角度θaが−４５゜
のものである。（ｂ）に示す溝は、角度θbが０゜のも
のである。（ｃ）に示す溝は、角度θcが＋４５゜のも
のである。
【図８】研磨パッドの直径部分の通過回数のヒストグラ
ムの結果である。図８（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、
それぞれ、図７（ａ）、（ｂ）および（ｃ）に示す溝パ
ターンの結果である。
ムの結果である。図８（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、
それぞれ、図７（ａ）、（ｂ）および（ｃ）に示す溝パ
ターンの結果である。
１１ 研磨定盤 １２ 研磨パッド １３ リテーナ １４ ウエハ載置部 １５ 試料台 １６ ウエハ載置面 １７ ウエハ保持用溝 １８ 排気用貫通孔 ２１ 溝 ３１ 研磨パッド上の通過領域 Ｓ ウエハ
Claims (1)
- 【請求項１】ウエハ載置部が配置された試料台と、研磨
パッドが被着された研磨定盤と、ウエハ載置部をその中
心軸のまわりに回転させる機構と、試料台をその中心軸
のまわりに回転させる機構および／または研磨定盤をそ
の中心軸のまわりに回転させる機構を備え、ウエハ載置
部に保持されたウエハに、研磨定盤に被着された研磨パ
ッドを押し当て、ウエハと研磨パッドの間に研磨スラリ
ーを供給し、ウエハ載置部と試料台および／または研磨
定盤とを回転させてウエハを研磨する研磨装置であっ
て、ウエハ載置部のウエハ載置面の外周部にリテーナを
備え、前記リテーナの研磨パッドと対向する面に、溝の
各部とリテーナ中心間の距離がウエハ載置部の回転方向
と逆向きの方向に向かうにしたがい大きくなる形状の溝
が複数設けられていることを特徴とする研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10888796A JP3077586B2 (ja) | 1996-04-30 | 1996-04-30 | 研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10888796A JP3077586B2 (ja) | 1996-04-30 | 1996-04-30 | 研磨装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09295263A true JPH09295263A (ja) | 1997-11-18 |
| JP3077586B2 JP3077586B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=14496124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10888796A Expired - Fee Related JP3077586B2 (ja) | 1996-04-30 | 1996-04-30 | 研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3077586B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6168684B1 (en) | 1997-12-04 | 2001-01-02 | Nec Corporation | Wafer polishing apparatus and polishing method |
| US6443826B1 (en) | 1999-06-22 | 2002-09-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Polishing head of a chemical mechanical polishing apparatus and, retainer ring of the same |
| KR20030024402A (ko) * | 2001-09-18 | 2003-03-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 화학 기계적 연마 장치 |
| KR100389115B1 (ko) * | 1999-06-24 | 2003-06-25 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마를 위한 유지링 |
| KR100542723B1 (ko) * | 1998-09-03 | 2006-04-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 씨엠피설비의 연마헤드 |
| CN113276018A (zh) * | 2021-06-15 | 2021-08-20 | 北京烁科精微电子装备有限公司 | 一种化学机械抛光用保持环 |
| CN114473862A (zh) * | 2020-10-26 | 2022-05-13 | 昆明物理研究所 | 一种适用于碲镉汞外延薄膜表面的抛光夹具 |
-
1996
- 1996-04-30 JP JP10888796A patent/JP3077586B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US6443826B1 (en) | 1999-06-22 | 2002-09-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Polishing head of a chemical mechanical polishing apparatus and, retainer ring of the same |
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| CN114473862A (zh) * | 2020-10-26 | 2022-05-13 | 昆明物理研究所 | 一种适用于碲镉汞外延薄膜表面的抛光夹具 |
| CN114473862B (zh) * | 2020-10-26 | 2023-01-24 | 昆明物理研究所 | 一种适用于碲镉汞外延薄膜表面的抛光夹具 |
| CN113276018A (zh) * | 2021-06-15 | 2021-08-20 | 北京烁科精微电子装备有限公司 | 一种化学机械抛光用保持环 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3077586B2 (ja) | 2000-08-14 |
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