JPH09295862A - 低損失フェライト材料及びこれを用いた信号用チップインダクタ - Google Patents
低損失フェライト材料及びこれを用いた信号用チップインダクタInfo
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- JPH09295862A JPH09295862A JP8108118A JP10811896A JPH09295862A JP H09295862 A JPH09295862 A JP H09295862A JP 8108118 A JP8108118 A JP 8108118A JP 10811896 A JP10811896 A JP 10811896A JP H09295862 A JPH09295862 A JP H09295862A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高周波領域における相対損失係数ｔａｎδ／μ
が小さく（Ｑ値が大きく）、かつ緻密で温度特性の優れ
たフェライト材料を得る。 【解決手段】４５〜５５重量％のＦｅ2 Ｏ3 と、１〜１
５重量％のＺｎＯと、５〜４０重量％のＮｉＯを主成分
とするフェライト材料において、上記主成分１００重量
部に対し、０．０１〜５重量部のＣｏＯと、０．０１〜
３重量部のＢｉ2Ｏ3 と、０．０１〜３重量部のＡｌ2
Ｏ3 を含有する。
が小さく（Ｑ値が大きく）、かつ緻密で温度特性の優れ
たフェライト材料を得る。 【解決手段】４５〜５５重量％のＦｅ2 Ｏ3 と、１〜１
５重量％のＺｎＯと、５〜４０重量％のＮｉＯを主成分
とするフェライト材料において、上記主成分１００重量
部に対し、０．０１〜５重量部のＣｏＯと、０．０１〜
３重量部のＢｉ2Ｏ3 と、０．０１〜３重量部のＡｌ2
Ｏ3 を含有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波領域での損失
が低いフェライト材料、及びこれを用いた信号用チップ
インダクタに関するものである。
が低いフェライト材料、及びこれを用いた信号用チップ
インダクタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フェライト材料は、インダクター・変圧
器・安定器・電磁石等のコア及びコネクターとして秘録
使用されている。特にインダクター用途としては、マル
チメディアの発展に伴い、高周波帯域で使える低損失フ
ェライト材の必要性は増すばかりである。
器・安定器・電磁石等のコア及びコネクターとして秘録
使用されている。特にインダクター用途としては、マル
チメディアの発展に伴い、高周波帯域で使える低損失フ
ェライト材の必要性は増すばかりである。
【０００３】ところで、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト材料
は、従来より高周波フェライトとして多用されている
が、粒成長によって結晶が大きくなると３０ＭＨｚ以上
の高周波領域における損失が増大することから、これを
防止するために焼成温度を低くして粒成長を抑えること
が行われている。
は、従来より高周波フェライトとして多用されている
が、粒成長によって結晶が大きくなると３０ＭＨｚ以上
の高周波領域における損失が増大することから、これを
防止するために焼成温度を低くして粒成長を抑えること
が行われている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】ところが、従来のＮｉ−
Ｚｎ系フェライトにおいて、焼成温度を低くすると、焼
結体の密度が５．０ｇ／ｃｍ3 以下と理論密度に対して
著しく低くなるため、機械的強度が低下して信頼性が悪
くなるだけでなく、焼成時の収縮率の制御が難しくなっ
て寸法制度が悪くなり、製造歩留りが低下するという問
題があった。
Ｚｎ系フェライトにおいて、焼成温度を低くすると、焼
結体の密度が５．０ｇ／ｃｍ3 以下と理論密度に対して
著しく低くなるため、機械的強度が低下して信頼性が悪
くなるだけでなく、焼成時の収縮率の制御が難しくなっ
て寸法制度が悪くなり、製造歩留りが低下するという問
題があった。
【０００５】一方、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトに各種添加
物を加えることによって、特性を高めることも提案され
ているが（特開昭４９−２０９２号、４９−２０９３
号、特公昭５２−２７３５８号公報等参照）、いずれも
上記問題を解決するものではなかった。
物を加えることによって、特性を高めることも提案され
ているが（特開昭４９−２０９２号、４９−２０９３
号、特公昭５２−２７３５８号公報等参照）、いずれも
上記問題を解決するものではなかった。
【０００６】そこで、本発明は、３０ＭＨｚ以上で使用
される高周波用途のＮｉ−Ｚｎ系フェライト材料におい
て、焼結体の密度が５．０ｇ／ｃｍ3 以上で、Ｑ値が高
く、損失が小さいフェライト材料を得ることを目的とす
る。
される高周波用途のＮｉ−Ｚｎ系フェライト材料におい
て、焼結体の密度が５．０ｇ／ｃｍ3 以上で、Ｑ値が高
く、損失が小さいフェライト材料を得ることを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、４５〜５５重
量％のＦｅ2 Ｏ3 と、１〜１５重量％のＺｎＯと、５〜
４０重量％のＮｉＯを主成分とするフェライト材料にお
いて、上記主成分１００重量部に対し、０．０１〜５重
量部のＣｏＯと、０．０１〜３重量部のＢｉ2Ｏ3 と、
０．０１〜３重量部のＡｌ2 Ｏ3 を含有することを特徴
とする。
量％のＦｅ2 Ｏ3 と、１〜１５重量％のＺｎＯと、５〜
４０重量％のＮｉＯを主成分とするフェライト材料にお
いて、上記主成分１００重量部に対し、０．０１〜５重
量部のＣｏＯと、０．０１〜３重量部のＢｉ2Ｏ3 と、
０．０１〜３重量部のＡｌ2 Ｏ3 を含有することを特徴
とする。
【０００８】さらに、本発明は、上記に加えて０．０５
〜３重量部のＳｉＯ2 を含有することを特徴とする。
〜３重量部のＳｉＯ2 を含有することを特徴とする。
【０００９】即ち、本発明は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト
に対して、所定量のＣｏＯ、Ｂｉ2Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、
さらに必要に応じてＳｉＯ2 を添加することによって、
焼結体の密度が５．０ｇ／ｃｍ3 以上で、焼成後の焼鈍
を必要とせず、３０ＭＨｚ以上の高周波領域での損失特
性を向上できるようにしたものである。
に対して、所定量のＣｏＯ、Ｂｉ2Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、
さらに必要に応じてＳｉＯ2 を添加することによって、
焼結体の密度が５．０ｇ／ｃｍ3 以上で、焼成後の焼鈍
を必要とせず、３０ＭＨｚ以上の高周波領域での損失特
性を向上できるようにしたものである。
【００１０】また、上記添加成分の範囲を限定したの
は、ＣｏＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 、またはＡｌ2 Ｏ3 がそれぞれ
０．０１重量部未満では、３０ＭＨｚ以上の高周波領域
でのＱ値が低下してしまい、一方ＣｏＯが５重量部を超
えると温度特性が劣化し、またＢｉ2 Ｏ3 が３重量部を
超えると粒成長が起こってＱ値が著しく低下し、さらに
Ａｌ2 Ｏ3 が３重量部を超えると焼結性が低下してしま
うためである。
は、ＣｏＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 、またはＡｌ2 Ｏ3 がそれぞれ
０．０１重量部未満では、３０ＭＨｚ以上の高周波領域
でのＱ値が低下してしまい、一方ＣｏＯが５重量部を超
えると温度特性が劣化し、またＢｉ2 Ｏ3 が３重量部を
超えると粒成長が起こってＱ値が著しく低下し、さらに
Ａｌ2 Ｏ3 が３重量部を超えると焼結性が低下してしま
うためである。
【００１１】また、ＳｉＯ2 を添加することによって、
透磁率μの温度変化率を小さくして温度特性を向上でき
るが、含有量が０．０５重量部未満ではその効果が乏し
く、一方３重量部を超えると温度特性が悪くなってしま
うため、上記範囲が好ましい。
透磁率μの温度変化率を小さくして温度特性を向上でき
るが、含有量が０．０５重量部未満ではその効果が乏し
く、一方３重量部を超えると温度特性が悪くなってしま
うため、上記範囲が好ましい。
【００１２】さらにＮｉ−Ｚｎ系フェライトの主成分の
組成比を上記範囲としたのは、Ｆｅ2 Ｏ3 が４５重量％
未満では透磁率μが低下し、一方Ｆｅ2 Ｏ3 が５５重量
％を超えるとＱ値が低下し、ＺｎＯが１５重量％を超え
るとキュリー点が低下し、ＮｉＯが４０重量％を超える
と加圧安定性が悪くなるためである。
組成比を上記範囲としたのは、Ｆｅ2 Ｏ3 が４５重量％
未満では透磁率μが低下し、一方Ｆｅ2 Ｏ3 が５５重量
％を超えるとＱ値が低下し、ＺｎＯが１５重量％を超え
るとキュリー点が低下し、ＮｉＯが４０重量％を超える
と加圧安定性が悪くなるためである。
【００１３】また、主成分として、上記成分の他に５重
量％以下の範囲でＣｕＯを含有することもできる。Ｃｕ
Ｏは焼結性を向上させる作用を有するが、５重量％を超
えると磁気特性が劣化するため、５重量％以下の範囲が
好ましい。
量％以下の範囲でＣｕＯを含有することもできる。Ｃｕ
Ｏは焼結性を向上させる作用を有するが、５重量％を超
えると磁気特性が劣化するため、５重量％以下の範囲が
好ましい。
【００１４】なお、上述した添加成分であるＢｉ2 Ｏ3
も同様に焼結性を向上させる作用を有しており、本発明
ではＢｉ2 Ｏ3 を必須成分として含有することから、上
記ＣｕＯについては必ずしも含有していなくても良い。
も同様に焼結性を向上させる作用を有しており、本発明
ではＢｉ2 Ｏ3 を必須成分として含有することから、上
記ＣｕＯについては必ずしも含有していなくても良い。
【００１５】さらに、本発明のフェライト材料は、上記
主成分、添加成分以外に、ＭｎＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｐ
ｂＯ、Ｐ2 Ｏ5 、Ｃｒ2 Ｏ3 等の成分を合計で５重量部
以下の範囲で含んでいても良い。
主成分、添加成分以外に、ＭｎＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｐ
ｂＯ、Ｐ2 Ｏ5 、Ｃｒ2 Ｏ3 等の成分を合計で５重量部
以下の範囲で含んでいても良い。
【００１６】本発明のフェライト材料の製造方法は、上
記範囲となるように各原料を調合し、ボールミル等で粉
砕混合した後スプレードライヤーで造粒し得られた粉体
をプレス成形にて所定形状に成形し、９００〜１３００
℃の範囲で焼成することによって得られる。
記範囲となるように各原料を調合し、ボールミル等で粉
砕混合した後スプレードライヤーで造粒し得られた粉体
をプレス成形にて所定形状に成形し、９００〜１３００
℃の範囲で焼成することによって得られる。
【００１７】また、本発明は、上記の低損失フェライト
材料からなるコアに巻き線を施して信号用チップインダ
クタを構成したことを特徴とする。ここで、信号用チッ
プインダクタとは、高周波において高Ｑ値の必要な通信
機、携帯電話、コンピュータ等の機器における信号処理
系に使用されるチップインダクタのことを言う。
材料からなるコアに巻き線を施して信号用チップインダ
クタを構成したことを特徴とする。ここで、信号用チッ
プインダクタとは、高周波において高Ｑ値の必要な通信
機、携帯電話、コンピュータ等の機器における信号処理
系に使用されるチップインダクタのことを言う。
【００１８】
【実施例】実施例１ ５２．２０重量％のＦｅ2 Ｏ3 と、１０．８２重量％の
ＺｎＯと、３６．９２重量％のＮｉＯと、０．０６重量
％のＣｕＯから成るフェライトを調合した。
ＺｎＯと、３６．９２重量％のＮｉＯと、０．０６重量
％のＣｕＯから成るフェライトを調合した。
【００１９】得られた原料を振動ミルで混合した後、８
００〜９００℃で仮焼し、この仮焼粉体をボールミルに
て粉砕した。この時、同時にＡｌ2 Ｏ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、
ＣｏＯの添加剤を表１に示す割合で調合した。
００〜９００℃で仮焼し、この仮焼粉体をボールミルに
て粉砕した。この時、同時にＡｌ2 Ｏ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、
ＣｏＯの添加剤を表１に示す割合で調合した。
【００２０】これに所定のバインダーを加えて造粒した
後、圧縮成形してトロイダルコア状に成形し、この成形
体を９００〜１０００℃で焼成した。
後、圧縮成形してトロイダルコア状に成形し、この成形
体を９００〜１０００℃で焼成した。
【００２１】得られた焼結体に、線径０．２ｍｍの導線
を巻き付け、ＨＰ社製４２９１Ａインピーダンスアナラ
イザーにて、周波数１１０ＭＨｚと２３０ＭＨｚにおい
て、透磁率μと相対損失係数ｔａｎδ／μを測定した。
また得られた焼結体の嵩比重も測定した。
を巻き付け、ＨＰ社製４２９１Ａインピーダンスアナラ
イザーにて、周波数１１０ＭＨｚと２３０ＭＨｚにおい
て、透磁率μと相対損失係数ｔａｎδ／μを測定した。
また得られた焼結体の嵩比重も測定した。
【００２２】結果は表１に示す通りである。この結果よ
り、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｏＯの含有量が本発明
の範囲外であるＮｏ．１、３０では、相対損失係数ｔａ
ｎδ／μが、周波数１１０ＭＨｚで５０００×１０-6以
上、周波数２３０ＭＮｚで２００００×１０-6以上と大
きくなることが判った。
り、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｏＯの含有量が本発明
の範囲外であるＮｏ．１、３０では、相対損失係数ｔａ
ｎδ／μが、周波数１１０ＭＨｚで５０００×１０-6以
上、周波数２３０ＭＮｚで２００００×１０-6以上と大
きくなることが判った。
【００２３】これらに対し、本発明実施例であるＮｏ．
２〜２９では、相対損失係数ｔａｎδ／μが、周波数１
１０ＭＨｚで２０００×１０-6以下、周波数２３０ＭＨ
ｚで９０００×１０-6以下となり、低損失でＱ値の高い
フェライト材料を得ることができた。しかも嵩比重が
５．０ｇ／ｃｍ3 以上と大きいことも確認された。
２〜２９では、相対損失係数ｔａｎδ／μが、周波数１
１０ＭＨｚで２０００×１０-6以下、周波数２３０ＭＨ
ｚで９０００×１０-6以下となり、低損失でＱ値の高い
フェライト材料を得ることができた。しかも嵩比重が
５．０ｇ／ｃｍ3 以上と大きいことも確認された。
【００２４】
【表１】
【００２５】実施例２ 次に、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＮｉＯ、ＣｕＯの量を表２
のように変化させて各原料を調合した。添加剤は、上記
主成分１００重量部に対し、Ａｌ2 Ｏ3 を１．５重量
部、Ｂｉ2 Ｏ3 を１．５重量部、ＣｏＯを１．０重量部
とした。それぞれ実施例１と同様にしてフェライトコア
を作製し、透磁率μ、相対損失係数ｔａｎδ／μを求め
た。
のように変化させて各原料を調合した。添加剤は、上記
主成分１００重量部に対し、Ａｌ2 Ｏ3 を１．５重量
部、Ｂｉ2 Ｏ3 を１．５重量部、ＣｏＯを１．０重量部
とした。それぞれ実施例１と同様にしてフェライトコア
を作製し、透磁率μ、相対損失係数ｔａｎδ／μを求め
た。
【００２６】結果は表２に示す通りである。Ｆｅ
2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＮｉＯ、ＣｕＯの含有量が本発明の範
囲外であるＮｏ．３９〜４４では、相対損失係数ｔａｎ
δ／μが、周波数１１０ＭＨｚで１０５０×１０-6以
上、周波数２３０ＭＨｚで３５００×１０-6以上と大き
くなることが判った。
2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＮｉＯ、ＣｕＯの含有量が本発明の範
囲外であるＮｏ．３９〜４４では、相対損失係数ｔａｎ
δ／μが、周波数１１０ＭＨｚで１０５０×１０-6以
上、周波数２３０ＭＨｚで３５００×１０-6以上と大き
くなることが判った。
【００２７】これらに対し、本発明実施例であるＮｏ．
３１〜３８では、相対損失係数ｔａｎδ／μが、周波数
１１０ＭＨｚで１０００×１０-6以下、周波数２３０Ｍ
Ｈｚで３０００×１０-6以下となり、低損失でＱ値の高
いフェライト材料を得ることができた。しかも嵩比重が
５．０ｇ／ｃｍ3 以上と大きいことも確認された。
３１〜３８では、相対損失係数ｔａｎδ／μが、周波数
１１０ＭＨｚで１０００×１０-6以下、周波数２３０Ｍ
Ｈｚで３０００×１０-6以下となり、低損失でＱ値の高
いフェライト材料を得ることができた。しかも嵩比重が
５．０ｇ／ｃｍ3 以上と大きいことも確認された。
【００２８】
【表２】
【００２９】実施例３ 次に、５０．４重量％のＦｅ2 Ｏ3 と、１０．７重量％
のＺｎＯと、３５．９重量％のＮｉＯと、３重量％のＣ
ｕＯから成る主成分１００重量部に対し、添加剤として
Ａｌ2 Ｏ3 を１．５重量部、Ｂｉ2 Ｏ3 を１．５重量
部、ＣｏＯを１．０重量部添加したフェライト材料に対
しＳｉＯ2 を添加した。上記主成分１００重量部に対す
るＳｉＯ2 の含有量を表３のように変化させて、それぞ
れ得られたフェライト材料の温度特性を評価した。
のＺｎＯと、３５．９重量％のＮｉＯと、３重量％のＣ
ｕＯから成る主成分１００重量部に対し、添加剤として
Ａｌ2 Ｏ3 を１．５重量部、Ｂｉ2 Ｏ3 を１．５重量
部、ＣｏＯを１．０重量部添加したフェライト材料に対
しＳｉＯ2 を添加した。上記主成分１００重量部に対す
るＳｉＯ2 の含有量を表３のように変化させて、それぞ
れ得られたフェライト材料の温度特性を評価した。
【００３０】なお表３中の温度特性Ｈ、温度特性Ｌと
は、それぞれ常温から高温側又は低温側に温度変化した
時の透磁率μの変化率のことである。具体的には、温度
特性Ｈは常温（２０℃）での透磁率μ0 と高温（８０
℃）での透磁率μ1 を測定し、 温度特性Ｈ＝（μ1 −μ0 ）／μ0 2・ΔＴ で求めた値である。また、温度特性Ｌは常温（２０℃）
での透磁率μ0 と低温（−２５℃）での透磁率μ1 を測
定し、 温度特性Ｌ＝（μ0 −μ1 ）／μ0 2・ΔＴ で求めた値である。
は、それぞれ常温から高温側又は低温側に温度変化した
時の透磁率μの変化率のことである。具体的には、温度
特性Ｈは常温（２０℃）での透磁率μ0 と高温（８０
℃）での透磁率μ1 を測定し、 温度特性Ｈ＝（μ1 −μ0 ）／μ0 2・ΔＴ で求めた値である。また、温度特性Ｌは常温（２０℃）
での透磁率μ0 と低温（−２５℃）での透磁率μ1 を測
定し、 温度特性Ｌ＝（μ0 −μ1 ）／μ0 2・ΔＴ で求めた値である。
【００３１】この結果より、ＳｉＯ2 を含有しないか又
は含有量が３重量部を超えるＮｏ．４５、４９では温度
特性Ｈ、Ｌが大きく、温度変化に伴う透磁率の変化が大
きいことが判る。
は含有量が３重量部を超えるＮｏ．４５、４９では温度
特性Ｈ、Ｌが大きく、温度変化に伴う透磁率の変化が大
きいことが判る。
【００３２】これらに対し、本発明の範囲内でＳｉＯ2
を含有したＮｏ．４６〜４８では温度特性Ｈ、Ｌの値を
小さくし、温度変化に伴う透磁率μの変化を小さくでき
ることが判る。
を含有したＮｏ．４６〜４８では温度特性Ｈ、Ｌの値を
小さくし、温度変化に伴う透磁率μの変化を小さくでき
ることが判る。
【００３３】
【表３】
【００３４】実施例４ 次に、実施例１の表１中Ｎｏ．１４の組成でフェライト
コアを作製し、直径０．０６ｍｍの導線を１０回巻いて
チップインダクターを形成した。このチップインダクタ
ーについて、３０ＭＨｚ以上の各周波数でのインダクタ
ンスＬ及びＱ値を測定し、次に温度特性として温度変化
に伴うインダクタンスＬの変化率を測定した。
コアを作製し、直径０．０６ｍｍの導線を１０回巻いて
チップインダクターを形成した。このチップインダクタ
ーについて、３０ＭＨｚ以上の各周波数でのインダクタ
ンスＬ及びＱ値を測定し、次に温度特性として温度変化
に伴うインダクタンスＬの変化率を測定した。
【００３５】結果は表４に示す通りである。本発明のチ
ップインダクタは、３０ＭＨｚ以上の高周波領域におい
て、周波数が異なってもほぼ同程度のインダクタンスＬ
を有しており、Ｑ値も低い値であった。また、温度変化
に伴うインダクタンスＬの変化率が小さく温度特性も優
れていた。
ップインダクタは、３０ＭＨｚ以上の高周波領域におい
て、周波数が異なってもほぼ同程度のインダクタンスＬ
を有しており、Ｑ値も低い値であった。また、温度変化
に伴うインダクタンスＬの変化率が小さく温度特性も優
れていた。
【００３６】
【表４】
【００３７】以上の結果から、Ｆｅ2 Ｏ3 が４５〜５５
重量％、ＺｎＯが１〜１５重量％、ＮｉＯが５〜４０重
量％から成る主成分１００重量部に対し、０．０１〜５
重量部のＣｏＯと、０．０１〜３重量部のＢｉ2 Ｏ
3 と、０．０１〜３重量部のＡｌ2 Ｏ3 を添加すること
によって、１１０ＭＨｚでの相対損失係数ｔａｎδ／μ
が１０００×１０-6以下、かつ２３０ＭＨｚでの相対損
失係数ｔａｎδ／μが３０００×１０-6以下と低損失
で、かつ焼結体の密度が５．０ｇ／ｃｍ3 以上の、緻密
で温度特性の優れた低損失フェライト材料を得られるこ
とが判った。
重量％、ＺｎＯが１〜１５重量％、ＮｉＯが５〜４０重
量％から成る主成分１００重量部に対し、０．０１〜５
重量部のＣｏＯと、０．０１〜３重量部のＢｉ2 Ｏ
3 と、０．０１〜３重量部のＡｌ2 Ｏ3 を添加すること
によって、１１０ＭＨｚでの相対損失係数ｔａｎδ／μ
が１０００×１０-6以下、かつ２３０ＭＨｚでの相対損
失係数ｔａｎδ／μが３０００×１０-6以下と低損失
で、かつ焼結体の密度が５．０ｇ／ｃｍ3 以上の、緻密
で温度特性の優れた低損失フェライト材料を得られるこ
とが判った。
【００３８】なお、以上の実施例ではフェライトコアに
ついて述べたが、本発明の低損失フェエライト材料は、
移動体通信機器を中心に、コードレス電話、コンピュー
ター、各種無線機器等、特に高周波（３０ＭＨｚ以上）
領域に使用される信号用チップインダクターとして好適
に用いることができる。また、その他のＴＶ，ＶＴＲ等
の各種電子機器等にも使用することができる。
ついて述べたが、本発明の低損失フェエライト材料は、
移動体通信機器を中心に、コードレス電話、コンピュー
ター、各種無線機器等、特に高周波（３０ＭＨｚ以上）
領域に使用される信号用チップインダクターとして好適
に用いることができる。また、その他のＴＶ，ＶＴＲ等
の各種電子機器等にも使用することができる。
【００３９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、４５〜５
５重量％のＦｅ2 Ｏ3 と、１〜１５重量％のＺｎＯと、
５〜４０重量％のＮｉＯを主成分とするフェライト材料
において、上記主成分１００重量部に対し、０．０１〜
５重量部のＣｏＯと、０．０１〜３重量部のＢｉ2 Ｏ3
と、０．０１〜３重量部のＡｌ2 Ｏ3 を含有することに
よって、高周波領域における相対損失係数ｔａｎδ／μ
が小さく（Ｑ値が大きく）、かつ緻密で温度特性の優れ
たフェライト材料を得ることができる。
５重量％のＦｅ2 Ｏ3 と、１〜１５重量％のＺｎＯと、
５〜４０重量％のＮｉＯを主成分とするフェライト材料
において、上記主成分１００重量部に対し、０．０１〜
５重量部のＣｏＯと、０．０１〜３重量部のＢｉ2 Ｏ3
と、０．０１〜３重量部のＡｌ2 Ｏ3 を含有することに
よって、高周波領域における相対損失係数ｔａｎδ／μ
が小さく（Ｑ値が大きく）、かつ緻密で温度特性の優れ
たフェライト材料を得ることができる。
【００４０】また本発明のフェライト材料は、緻密体で
あるため機械的強度が向上するだけでなく、焼成時の収
縮率の制御が簡単になり、寸法精度が向上し、製品歩留
りを上げることができ、特にマルチメディアの発展に伴
う高周波帯域でのインダクター用途として使用すること
ができる。
あるため機械的強度が向上するだけでなく、焼成時の収
縮率の制御が簡単になり、寸法精度が向上し、製品歩留
りを上げることができ、特にマルチメディアの発展に伴
う高周波帯域でのインダクター用途として使用すること
ができる。
Claims (3)
- 【請求項１】４５〜５５重量％のＦｅ2 Ｏ3 と、１〜１
５重量％のＺｎＯと、５〜４０重量％のＮｉＯから成る
主成分１００重量部に対し、０．０１〜５重量部のＣｏ
Ｏと、０．０１〜３重量部のＢｉ2 Ｏ3 と、０．０１〜
３重量部のＡｌ2 Ｏ3 を含有することを特徴とする低損
失フェライト材料。 - 【請求項２】さらに０．０５〜３重量部のＳｉＯ2 を含
有することを特徴とする請求項１記載の低損失フェライ
ト材料。 - 【請求項３】請求項１又は２に記載した低損失フェライ
ト材料からなるコアに巻き線を施してなる信号用チップ
インダクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10811896A JP3550251B2 (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 高周波領域用フェライト焼結体及びこれを用いた信号用チップインダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10811896A JP3550251B2 (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 高周波領域用フェライト焼結体及びこれを用いた信号用チップインダクタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09295862A true JPH09295862A (ja) | 1997-11-18 |
| JP3550251B2 JP3550251B2 (ja) | 2004-08-04 |
Family
ID=14476383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10811896A Expired - Lifetime JP3550251B2 (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 高周波領域用フェライト焼結体及びこれを用いた信号用チップインダクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3550251B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006206347A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Taiyo Yuden Co Ltd | 酸化物磁性材料 |
| KR20160118974A (ko) * | 2015-04-02 | 2016-10-12 | 티디케이가부시기가이샤 | 페라이트 조성물 및 전자 부품 |
| JP2016196396A (ja) * | 2015-04-02 | 2016-11-24 | Tdk株式会社 | フェライト組成物および電子部品 |
| JP2016196397A (ja) * | 2015-04-02 | 2016-11-24 | Tdk株式会社 | フェライト組成物および電子部品 |
| JP2018035027A (ja) * | 2016-08-30 | 2018-03-08 | Tdk株式会社 | フェライト組成物，フェライト焼結体、電子部品およびチップコイル |
| US10020791B2 (en) | 2015-04-02 | 2018-07-10 | Tdk Corporation | Ferrite composition and electronic component |
| JP2019206450A (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | Tdk株式会社 | フェライト組成物および積層電子部品 |
-
1996
- 1996-04-26 JP JP10811896A patent/JP3550251B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006206347A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Taiyo Yuden Co Ltd | 酸化物磁性材料 |
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| JP2016196396A (ja) * | 2015-04-02 | 2016-11-24 | Tdk株式会社 | フェライト組成物および電子部品 |
| JP2016196397A (ja) * | 2015-04-02 | 2016-11-24 | Tdk株式会社 | フェライト組成物および電子部品 |
| TWI594273B (zh) * | 2015-04-02 | 2017-08-01 | Tdk Corp | Magnetic Oxide Compositions and Electronic Components |
| US10020791B2 (en) | 2015-04-02 | 2018-07-10 | Tdk Corporation | Ferrite composition and electronic component |
| US10074476B2 (en) | 2015-04-02 | 2018-09-11 | Tdk Corporation | Ferrite composition and electronic component |
| JP2018035027A (ja) * | 2016-08-30 | 2018-03-08 | Tdk株式会社 | フェライト組成物，フェライト焼結体、電子部品およびチップコイル |
| US10894745B2 (en) | 2016-08-30 | 2021-01-19 | Tdk Corporation | Ferrite composition, ferrite sintered body, electronic device, and chip coil |
| JP2019206450A (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | Tdk株式会社 | フェライト組成物および積層電子部品 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3550251B2 (ja) | 2004-08-04 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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