JPH09298204A - 半導体製造装置および半導体ウェーハの移載方法 - Google Patents
半導体製造装置および半導体ウェーハの移載方法Info
- Publication number
- JPH09298204A JPH09298204A JP13587696A JP13587696A JPH09298204A JP H09298204 A JPH09298204 A JP H09298204A JP 13587696 A JP13587696 A JP 13587696A JP 13587696 A JP13587696 A JP 13587696A JP H09298204 A JPH09298204 A JP H09298204A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- temperature
- tweezers
- tweezer
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 11
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 77
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 高温の炉内からウェーハを取り出す際のスリ
ップ発生またはウェーハの割れを防止する。 【解決手段】 ツィーザ１５をホットウォール型反応炉
１１の管体１２内に挿入して、この管体１２内に保持さ
れた半導体ウェーハ１６をツィーザ１５により炉外に移
載する。このツィーザ１５を管体１２内に挿入したと
き、ツィーザ温度と半導体ウェーハ温度との差値を一定
範囲に保持する。この一定範囲とは、半導体ウェーハに
スリップが発生しない程度の範囲である。例えばウェー
ハ温度が１０００℃では１０℃以内に、８００℃では７
０℃以内にツィーザ温度を制御する。この制御は、例え
ば、制御手段１７でツィーザ１５を半導体ウェーハ１６
から少なくとも１０ｍｍ離した状態で、かつ、少なくと
も６０秒間停止させておく。ツィーザ１５は加熱されて
ウェーハを持ち上げてもウェーハを局部冷却せず、スリ
ップ発生を完全に防ぐことができる。
ップ発生またはウェーハの割れを防止する。 【解決手段】 ツィーザ１５をホットウォール型反応炉
１１の管体１２内に挿入して、この管体１２内に保持さ
れた半導体ウェーハ１６をツィーザ１５により炉外に移
載する。このツィーザ１５を管体１２内に挿入したと
き、ツィーザ温度と半導体ウェーハ温度との差値を一定
範囲に保持する。この一定範囲とは、半導体ウェーハに
スリップが発生しない程度の範囲である。例えばウェー
ハ温度が１０００℃では１０℃以内に、８００℃では７
０℃以内にツィーザ温度を制御する。この制御は、例え
ば、制御手段１７でツィーザ１５を半導体ウェーハ１６
から少なくとも１０ｍｍ離した状態で、かつ、少なくと
も６０秒間停止させておく。ツィーザ１５は加熱されて
ウェーハを持ち上げてもウェーハを局部冷却せず、スリ
ップ発生を完全に防ぐことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体ウェーハに
熱処理を施したり、ＣＶＤ膜を形成するホットウォール
型反応炉を有する半導体製造装置およびその反応炉から
の半導体ウェーハの移載方法に関する。
熱処理を施したり、ＣＶＤ膜を形成するホットウォール
型反応炉を有する半導体製造装置およびその反応炉から
の半導体ウェーハの移載方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種のホットウォール型の反応
炉を備えた半導体製造装置にあっては、半導体ウェーハ
を反応炉内に装入して所定の熱処理が施されていた。こ
の場合、反応炉内への半導体ウェーハの出し入れはロボ
ット（石英製またはアルミナ製のツィーザ）を用いて行
っていた。すなわち、ホットウォール型の反応炉では抵
抗加熱ヒータによって炉内温度を昇降させるが、昇降温
に時間がかかるため、炉内温度を反応温度（例えば８０
０℃）に設定した状態でウェーハを出し入れする。よっ
て、８００℃以上の高温にさらされたウェーハを反応炉
内からツィーザにより取り出す場合、通常の搬送速度で
ツィーザを動かしてウェーハを取り出すと、高温のウェ
ーハに対して室温に近いツィーザが接触することとな
る。具体的には、ツィーザをウェーハの直下約５ｍｍの
位置に挿入し、ツィーザを上昇させてウェーハをすくい
上げていた。そして、このツィーザの２方向の動きを一
連の動作として連続して行っていたため、以下のような
問題があった。
炉を備えた半導体製造装置にあっては、半導体ウェーハ
を反応炉内に装入して所定の熱処理が施されていた。こ
の場合、反応炉内への半導体ウェーハの出し入れはロボ
ット（石英製またはアルミナ製のツィーザ）を用いて行
っていた。すなわち、ホットウォール型の反応炉では抵
抗加熱ヒータによって炉内温度を昇降させるが、昇降温
に時間がかかるため、炉内温度を反応温度（例えば８０
０℃）に設定した状態でウェーハを出し入れする。よっ
て、８００℃以上の高温にさらされたウェーハを反応炉
内からツィーザにより取り出す場合、通常の搬送速度で
ツィーザを動かしてウェーハを取り出すと、高温のウェ
ーハに対して室温に近いツィーザが接触することとな
る。具体的には、ツィーザをウェーハの直下約５ｍｍの
位置に挿入し、ツィーザを上昇させてウェーハをすくい
上げていた。そして、このツィーザの２方向の動きを一
連の動作として連続して行っていたため、以下のような
問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】第１に、室温のツィー
ザをウェーハ直下に近接して（５ｍｍ以下）挿入してい
たため、ウェーハが局部的に冷却され、その時の熱応力
で結晶欠陥が発生していた。第２に、室温のツィーザで
ウェーハをすくい上げていたため、低温のツィーザがウ
ェーハに接触し、ウェーハのツィーザ接触部分の温度が
大きく低下する。よって、スリップ欠陥が発生したり、
ウェーハが割れる等の問題があった。
ザをウェーハ直下に近接して（５ｍｍ以下）挿入してい
たため、ウェーハが局部的に冷却され、その時の熱応力
で結晶欠陥が発生していた。第２に、室温のツィーザで
ウェーハをすくい上げていたため、低温のツィーザがウ
ェーハに接触し、ウェーハのツィーザ接触部分の温度が
大きく低下する。よって、スリップ欠陥が発生したり、
ウェーハが割れる等の問題があった。
【０００４】そこで、この発明の目的は、高温の炉内か
らウェーハを取り出す際のスリップ発生またはウェーハ
の割れを防止することができる半導体製造装置を提供す
ることである。また、この発明の目的は、半導体ウェー
ハに結晶欠陥が発生することなく、高温の反応室より半
導体ウェーハの取り出しを可能とした半導体ウェーハの
移載方法を提供することにある。
らウェーハを取り出す際のスリップ発生またはウェーハ
の割れを防止することができる半導体製造装置を提供す
ることである。また、この発明の目的は、半導体ウェー
ハに結晶欠陥が発生することなく、高温の反応室より半
導体ウェーハの取り出しを可能とした半導体ウェーハの
移載方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、ホットウォール型反応炉に挿入されてこの反応炉内
に保持された半導体ウェーハを反応炉外に移載するツィ
ーザを備えた半導体製造装置において、上記ツィーザを
反応炉に挿入したとき、ツィーザ温度と半導体ウェーハ
温度との差値を一定範囲に保持するツィーザ温度制御手
段を有する半導体製造装置である。
は、ホットウォール型反応炉に挿入されてこの反応炉内
に保持された半導体ウェーハを反応炉外に移載するツィ
ーザを備えた半導体製造装置において、上記ツィーザを
反応炉に挿入したとき、ツィーザ温度と半導体ウェーハ
温度との差値を一定範囲に保持するツィーザ温度制御手
段を有する半導体製造装置である。
【０００６】請求項２に記載の発明は、上記ツィーザ温
度制御手段は、ツィーザを反応炉内で半導体ウェーハか
ら所定間隔離れた状態で所定時間保持することにより、
ツィーザ温度と半導体ウェーハ温度との差値を一定範囲
に保持し、その後ツィーザに半導体ウェーハを搭載した
とき半導体ウェーハに結晶欠陥が発生しないようにした
請求項１に記載の半導体製造装置である。
度制御手段は、ツィーザを反応炉内で半導体ウェーハか
ら所定間隔離れた状態で所定時間保持することにより、
ツィーザ温度と半導体ウェーハ温度との差値を一定範囲
に保持し、その後ツィーザに半導体ウェーハを搭載した
とき半導体ウェーハに結晶欠陥が発生しないようにした
請求項１に記載の半導体製造装置である。
【０００７】請求項３に記載の発明は、ホットウォール
型反応炉で加熱された半導体ウェーハをツィーザで移載
する半導体ウェーハの移載方法であって、半導体ウェー
ハの近傍位置にツィーザを所要時間停止させることによ
りツィーザの温度を半導体ウェーハの温度に接近させた
後、このツィーザで半導体ウェーハを保持し、移載する
半導体ウェーハの移載方法である。
型反応炉で加熱された半導体ウェーハをツィーザで移載
する半導体ウェーハの移載方法であって、半導体ウェー
ハの近傍位置にツィーザを所要時間停止させることによ
りツィーザの温度を半導体ウェーハの温度に接近させた
後、このツィーザで半導体ウェーハを保持し、移載する
半導体ウェーハの移載方法である。
【０００８】請求項１に記載の発明では、ツィーザをホ
ットウォール型反応炉に挿入して、この反応炉内に保持
された半導体ウェーハをツィーザにより炉外に移載す
る。このツィーザを反応炉に挿入したとき、ツィーザ温
度と半導体ウェーハ温度との差値を一定範囲に保持す
る。この一定範囲とは、半導体ウェーハにスリップが発
生しない程度の範囲である。
ットウォール型反応炉に挿入して、この反応炉内に保持
された半導体ウェーハをツィーザにより炉外に移載す
る。このツィーザを反応炉に挿入したとき、ツィーザ温
度と半導体ウェーハ温度との差値を一定範囲に保持す
る。この一定範囲とは、半導体ウェーハにスリップが発
生しない程度の範囲である。
【０００９】請求項２に記載の発明では、上記ツィーザ
を反応炉内に挿入したとき、この反応炉内にて半導体ウ
ェーハから所定間隔離れた状態でツィーザを所定時間保
持する。この結果、ツィーザ温度と半導体ウェーハ温度
との差値を一定範囲に保持される。そして、このように
温度差が一定範囲に保持されたツィーザに半導体ウェー
ハを搭載し、炉外に移載する。この結果、ツィーザとの
接触により半導体ウェーハが局部的に過冷されることが
なく、半導体ウェーハに結晶欠陥が発生することはな
い。
を反応炉内に挿入したとき、この反応炉内にて半導体ウ
ェーハから所定間隔離れた状態でツィーザを所定時間保
持する。この結果、ツィーザ温度と半導体ウェーハ温度
との差値を一定範囲に保持される。そして、このように
温度差が一定範囲に保持されたツィーザに半導体ウェー
ハを搭載し、炉外に移載する。この結果、ツィーザとの
接触により半導体ウェーハが局部的に過冷されることが
なく、半導体ウェーハに結晶欠陥が発生することはな
い。
【００１０】請求項３に記載の発明によれば、ホットウ
ォール型反応炉で加熱された半導体ウェーハをツィーザ
で移載する。このとき、半導体ウェーハの近傍位置に
（例えばウェーハから１０ｍｍ離して）ツィーザを所要
時間（例えば６０秒間）停止させる。そして、ツィーザ
の温度を半導体ウェーハの温度に接近させた後、このツ
ィーザで半導体ウェーハを保持し、移載する。
ォール型反応炉で加熱された半導体ウェーハをツィーザ
で移載する。このとき、半導体ウェーハの近傍位置に
（例えばウェーハから１０ｍｍ離して）ツィーザを所要
時間（例えば６０秒間）停止させる。そして、ツィーザ
の温度を半導体ウェーハの温度に接近させた後、このツ
ィーザで半導体ウェーハを保持し、移載する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係る半導体製造
装置の一実施例を図面を参照して説明する。図１にはこ
の発明の一実施例に係る枚葉式のホットウォール型反応
炉を備えた半導体製造装置の概略構造を示している。こ
の図において、１１はホットウォール型の反応炉であっ
て、その水平載置型の管体（石英製反応容器）１２は抵
抗加熱ヒータ１３によりその周囲が取り囲まれている。
管体１２はシャッタを介してチャンバ（搬送室）１４に
連通・接続されている。チャンバ１４内にはウェーハ搬
送治具であるツィーザ１５が配設されており、このツィ
ーザ１５はモータ等で駆動されて上記管体１２内に挿入
される。ツィーザ１５は管体１２内に保持された半導体
ウェーハ１６を持ち上げて搭載し、管体１２からチャン
バ１４内に移送可能に構成されている。なお、図示して
いない圧力調整手段により、この反応炉１１は管体１２
内の圧力が調節される構成である。
装置の一実施例を図面を参照して説明する。図１にはこ
の発明の一実施例に係る枚葉式のホットウォール型反応
炉を備えた半導体製造装置の概略構造を示している。こ
の図において、１１はホットウォール型の反応炉であっ
て、その水平載置型の管体（石英製反応容器）１２は抵
抗加熱ヒータ１３によりその周囲が取り囲まれている。
管体１２はシャッタを介してチャンバ（搬送室）１４に
連通・接続されている。チャンバ１４内にはウェーハ搬
送治具であるツィーザ１５が配設されており、このツィ
ーザ１５はモータ等で駆動されて上記管体１２内に挿入
される。ツィーザ１５は管体１２内に保持された半導体
ウェーハ１６を持ち上げて搭載し、管体１２からチャン
バ１４内に移送可能に構成されている。なお、図示して
いない圧力調整手段により、この反応炉１１は管体１２
内の圧力が調節される構成である。
【００１２】また、上記ツィーザ１５は制御手段１７に
よりその駆動が制御されている。制御手段１７は、例え
ばＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、Ｉ／Ｏ等を有して構成され
ており、所定のプログラム（ＲＯＭに格納）に基づいて
ツィーザ１５の駆動機構部（モータ等）１５Ａを制御し
ている。例えば、制御手段１７はツィーザ１５が管体１
２内に挿入されたとき、その挿入位置・停止時間・リフ
トアップ動作・チャンバ１４への退出等を制御してい
る。具体的には、図２に示すように、ツィーザ１５を半
導体ウェーハ１６の下方に１０ｍｍ離れて少なくとも６
０秒間停止させ、その後半導体ウェーハ１６を持ち上げ
るように構成されている。このように上記制御手段１７
はツィーザ１５の挿入時の温度を制御するツィーザ温度
制御手段を構成するものである。なお、反応炉としてＣ
ＶＤ炉を用いた場合は管体に対して所定の反応ガスの供
給・排出がなされる。
よりその駆動が制御されている。制御手段１７は、例え
ばＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、Ｉ／Ｏ等を有して構成され
ており、所定のプログラム（ＲＯＭに格納）に基づいて
ツィーザ１５の駆動機構部（モータ等）１５Ａを制御し
ている。例えば、制御手段１７はツィーザ１５が管体１
２内に挿入されたとき、その挿入位置・停止時間・リフ
トアップ動作・チャンバ１４への退出等を制御してい
る。具体的には、図２に示すように、ツィーザ１５を半
導体ウェーハ１６の下方に１０ｍｍ離れて少なくとも６
０秒間停止させ、その後半導体ウェーハ１６を持ち上げ
るように構成されている。このように上記制御手段１７
はツィーザ１５の挿入時の温度を制御するツィーザ温度
制御手段を構成するものである。なお、反応炉としてＣ
ＶＤ炉を用いた場合は管体に対して所定の反応ガスの供
給・排出がなされる。
【００１３】以上の構成に係る半導体製造装置にあって
は、反応炉１１がヒータ１３により所定温度に加熱さ
れ、この温度の管体１２内に半導体ウェーハ１６が装入
されて熱処理などが施されることとなる。ところで、こ
のホットウォール型の反応炉１１にあっては、コールド
ウォール型のそれに比較して昇降温の速度が緩であるた
め、反応温度（例えば８００〜９００℃）は保持した状
態で半導体ウェーハ１６の出し入れがアルミナ製ツィー
ザ１５を用いて行われる。すなわち、反応室である管体
１２の内部から半導体ウェーハ１６を取り出す際、制御
手段１７により駆動制御されたツィーザ１５が、半導体
ウェーハ１６から１０ｍｍ以上離れた下方位置に挿入さ
れ、６０秒以上の間、停止・待機してから半導体ウェー
ハ１６をすくい上げる。そして、管体１２内から引き出
し、チャンバ１４内に半導体ウェーハ１６を移送する。
なお、この際の管体１２の開口のシャッタの開閉は同じ
く制御手段１７で制御されている。また、管体１２内の
圧力も適切に制御されるものとする。
は、反応炉１１がヒータ１３により所定温度に加熱さ
れ、この温度の管体１２内に半導体ウェーハ１６が装入
されて熱処理などが施されることとなる。ところで、こ
のホットウォール型の反応炉１１にあっては、コールド
ウォール型のそれに比較して昇降温の速度が緩であるた
め、反応温度（例えば８００〜９００℃）は保持した状
態で半導体ウェーハ１６の出し入れがアルミナ製ツィー
ザ１５を用いて行われる。すなわち、反応室である管体
１２の内部から半導体ウェーハ１６を取り出す際、制御
手段１７により駆動制御されたツィーザ１５が、半導体
ウェーハ１６から１０ｍｍ以上離れた下方位置に挿入さ
れ、６０秒以上の間、停止・待機してから半導体ウェー
ハ１６をすくい上げる。そして、管体１２内から引き出
し、チャンバ１４内に半導体ウェーハ１６を移送する。
なお、この際の管体１２の開口のシャッタの開閉は同じ
く制御手段１７で制御されている。また、管体１２内の
圧力も適切に制御されるものとする。
【００１４】上記ツィーザ１５の６０秒間程度の停止・
待機により、ツィーザ１５は加熱されて、半導体ウェー
ハ１６の温度に近似した値となる。例えば炉内温度（ウ
ェーハ温度）が１０００℃，８００の場合、ツィーザ温
度は約１０℃以内，７０℃以内にそれぞれ制御されるも
のとする。なお、この制御温度は、上記図２に示す形状
のアルミナ製ツィーザ１５、１２インチ径のシリコンウ
ェーハを使用した場合である。このように上述した距離
を保って、ツィーザ１５を６０秒間以上管体１２内に停
止・保持させる。この条件で保持することにより、ツィ
ーザ１５の温度を上記温度範囲に近似させることがで
き、その後ウェーハ持ち上げ時の接触でウェーハ１６に
スリップを発生させることはない。この場合、ツィーザ
１５と半導体ウェーハ１６との間の距離は１０ｍｍ以上
に保った状態でツィーザ１５を停止させている理由は、
ツィーザ１５を半導体ウェーハ１６に接近させ過ぎる
と、局部冷却により半導体ウェーハ１６にスリップが発
生するからである。
待機により、ツィーザ１５は加熱されて、半導体ウェー
ハ１６の温度に近似した値となる。例えば炉内温度（ウ
ェーハ温度）が１０００℃，８００の場合、ツィーザ温
度は約１０℃以内，７０℃以内にそれぞれ制御されるも
のとする。なお、この制御温度は、上記図２に示す形状
のアルミナ製ツィーザ１５、１２インチ径のシリコンウ
ェーハを使用した場合である。このように上述した距離
を保って、ツィーザ１５を６０秒間以上管体１２内に停
止・保持させる。この条件で保持することにより、ツィ
ーザ１５の温度を上記温度範囲に近似させることがで
き、その後ウェーハ持ち上げ時の接触でウェーハ１６に
スリップを発生させることはない。この場合、ツィーザ
１５と半導体ウェーハ１６との間の距離は１０ｍｍ以上
に保った状態でツィーザ１５を停止させている理由は、
ツィーザ１５を半導体ウェーハ１６に接近させ過ぎる
と、局部冷却により半導体ウェーハ１６にスリップが発
生するからである。
【００１５】図３には反応室内（管体１２内）の温度が
１０００℃でアルミナ製ツィーザ１５を１２インチ径の
シリコンウェーハ１６の下方１２．５ｍｍに挿入し、待
機時間を変えた場合の、シリコンウェーハの局部冷却温
度を示している。図４にはこの場合の待機時間による結
晶欠陥（スリップ）の発生の有無を示している。これら
の結果から明らかなように６０秒以上の待機によりウェ
ーハでのスリップ発生を抑えることができた。
１０００℃でアルミナ製ツィーザ１５を１２インチ径の
シリコンウェーハ１６の下方１２．５ｍｍに挿入し、待
機時間を変えた場合の、シリコンウェーハの局部冷却温
度を示している。図４にはこの場合の待機時間による結
晶欠陥（スリップ）の発生の有無を示している。これら
の結果から明らかなように６０秒以上の待機によりウェ
ーハでのスリップ発生を抑えることができた。
【００１６】図５には、同じくシリコンウェーハ１６の
下方にツィーザ１５を挿入した場合のこれらの間の距離
と、局部冷却温度との関係を示している（待機時間は例
えば６０秒）。また、図６にはこの場合の距離と結晶欠
陥の有無との関係を示している。これらの結果、１０ｍ
ｍ以上離間して保持すればスリップ発生が抑止できるこ
とが明らかである。
下方にツィーザ１５を挿入した場合のこれらの間の距離
と、局部冷却温度との関係を示している（待機時間は例
えば６０秒）。また、図６にはこの場合の距離と結晶欠
陥の有無との関係を示している。これらの結果、１０ｍ
ｍ以上離間して保持すればスリップ発生が抑止できるこ
とが明らかである。
【００１７】なお、本発明によれば、高温状態のウェー
ハを常温のツィーザにより炉外へ取り出す際、ウェーハ
に結晶欠陥等が発生しない程度のツィーザの待機時間、
距離を任意に選択すれば良く、上記実施例における、炉
内温度１０００℃、ウェーハ径１２インチ、ツィーザが
アルミナ製のものについてのツィーザの待機時間、距離
に限定されないことは言うまでもない。例えば、炉内温
度、ウェーハ径、又、ツィーザの材質の違いから生じる
熱容量の違いにより当然ツィーザの待機時間、距離は変
化するものであり、炉内温度、ウェーハ径が上記実施例
の値より小さくなればそのツィーザの待機時間、距離
は、例えば１０秒以上、３ｍｍ以上と小さくなる。
ハを常温のツィーザにより炉外へ取り出す際、ウェーハ
に結晶欠陥等が発生しない程度のツィーザの待機時間、
距離を任意に選択すれば良く、上記実施例における、炉
内温度１０００℃、ウェーハ径１２インチ、ツィーザが
アルミナ製のものについてのツィーザの待機時間、距離
に限定されないことは言うまでもない。例えば、炉内温
度、ウェーハ径、又、ツィーザの材質の違いから生じる
熱容量の違いにより当然ツィーザの待機時間、距離は変
化するものであり、炉内温度、ウェーハ径が上記実施例
の値より小さくなればそのツィーザの待機時間、距離
は、例えば１０秒以上、３ｍｍ以上と小さくなる。
【００１８】
【発明の効果】この発明によれば、ツィーザによる半導
体ウェーハの局部冷却を防ぐことができ、ツィーザによ
る取り出しでの結晶欠陥の発生を抑制することができ
る。すなわち、反応炉からの移載時に半導体ウェーハに
スリップが発生すること、割れが生じることを防止する
ことができる。また、ウェーハ取り出し時には反応炉の
温度を下げなくて済むため、そのスループットを低下さ
せることがない。
体ウェーハの局部冷却を防ぐことができ、ツィーザによ
る取り出しでの結晶欠陥の発生を抑制することができ
る。すなわち、反応炉からの移載時に半導体ウェーハに
スリップが発生すること、割れが生じることを防止する
ことができる。また、ウェーハ取り出し時には反応炉の
温度を下げなくて済むため、そのスループットを低下さ
せることがない。
【図１】この発明の一実施例に係る枚葉式ホットウォー
ル型反応炉の概略構造を示す模式的断面図である。
ル型反応炉の概略構造を示す模式的断面図である。
【図２】この発明の一実施例に係る反応炉内での半導体
ウェーハとツィーザとの位置関係を示す模式図である。
ウェーハとツィーザとの位置関係を示す模式図である。
【図３】この発明の一実施例に係る反応炉内でのツィー
ザの待機時間と局部冷却温度との関係を示すグラフであ
る。
ザの待機時間と局部冷却温度との関係を示すグラフであ
る。
【図４】この発明の一実施例に係るツィーザの待機時間
と結晶欠陥との関係を説明するための模式図である。
と結晶欠陥との関係を説明するための模式図である。
【図５】この発明の一実施例に係る反応炉内でのツィー
ザとウェーハとの間の距離と局部冷却温度との関係を示
すグラフである。
ザとウェーハとの間の距離と局部冷却温度との関係を示
すグラフである。
【図６】この発明の一実施例に係るツィーザ・ウェーハ
間距離と結晶欠陥との関係を説明するための模式図であ
る。
間距離と結晶欠陥との関係を説明するための模式図であ
る。
１１ 反応炉、 １２ 管体、 １３ ヒータ、 １５ ツィーザ、 １６ 半導体ウェーハ、 １７ 制御手段（ツィーザ温度制御手段）、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 板谷 秀治 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 西脇 倫子 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 井ノ口 泰啓 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 ホットウォール型反応炉に挿入されてこ
の反応炉内に保持された半導体ウェーハを反応炉外に移
載するツィーザを備えた半導体製造装置において、 上記ツィーザを反応炉に挿入したとき、ツィーザ温度と
半導体ウェーハ温度との差値を一定範囲に保持するツィ
ーザ温度制御手段を有することを特徴とする半導体製造
装置。 - 【請求項２】 上記ツィーザ温度制御手段は、ツィーザ
を反応炉内で半導体ウェーハから所定間隔離れた状態で
所定時間保持することにより、ツィーザ温度と半導体ウ
ェーハ温度との差値を一定範囲に保持し、その後ツィー
ザに半導体ウェーハを搭載したとき半導体ウェーハに結
晶欠陥が発生しないようにした請求項１に記載の半導体
製造装置。 - 【請求項３】 ホットウォール型反応炉で加熱された半
導体ウェーハをツィーザで移載する半導体ウェーハの移
載方法であって、 半導体ウェーハの近傍位置にツィーザを所要時間停止さ
せることによりツィーザの温度を半導体ウェーハの温度
に接近させた後、このツィーザで半導体ウェーハを保持
し、移載することを特徴とする半導体ウェーハの移載方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13587696A JPH09298204A (ja) | 1996-05-02 | 1996-05-02 | 半導体製造装置および半導体ウェーハの移載方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13587696A JPH09298204A (ja) | 1996-05-02 | 1996-05-02 | 半導体製造装置および半導体ウェーハの移載方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09298204A true JPH09298204A (ja) | 1997-11-18 |
Family
ID=15161842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13587696A Pending JPH09298204A (ja) | 1996-05-02 | 1996-05-02 | 半導体製造装置および半導体ウェーハの移載方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09298204A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413888B1 (en) * | 1997-12-10 | 2002-07-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method and apparatus for preventing rapid temperature variation of wafers during processing |
| CN109872962A (zh) * | 2018-03-26 | 2019-06-11 | 株式会社国际电气 | 半导体装置的制造方法、存储介质及基板处理装置 |
-
1996
- 1996-05-02 JP JP13587696A patent/JPH09298204A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413888B1 (en) * | 1997-12-10 | 2002-07-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method and apparatus for preventing rapid temperature variation of wafers during processing |
| US6919541B2 (en) | 1997-12-10 | 2005-07-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Apparatus for preventing rapid temperature variation during wafer processing |
| CN109872962A (zh) * | 2018-03-26 | 2019-06-11 | 株式会社国际电气 | 半导体装置的制造方法、存储介质及基板处理装置 |
| US20190295854A1 (en) * | 2018-03-26 | 2019-09-26 | Kokusai Electric Corporation | Method of Manufacturing Semiconductor Device and Non-Transitory Computer-Readable Recording Medium |
| JP2019169662A (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置 |
| KR20190112637A (ko) * | 2018-03-26 | 2019-10-07 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반도체 장치의 제조 방법, 기록 매체 및 기판 처리 장치 |
| US10978310B2 (en) | 2018-03-26 | 2021-04-13 | Kokusai Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium capable of adjusting substrate temperature |
| TWI822734B (zh) * | 2018-03-26 | 2023-11-21 | 日商國際電氣股份有限公司 | 半導體裝置之製造方法、程式及基板處理裝置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3578402B2 (ja) | ウェハ処理システム及びウェハ処理方法 | |
| Yoo et al. | Thermal behavior of large-diameter silicon wafers during high-temperature rapid thermal processing in single wafer furnace | |
| JPH11176902A (ja) | 半導体製造装置及びその製造方法 | |
| JPH09298204A (ja) | 半導体製造装置および半導体ウェーハの移載方法 | |
| JPH10154713A (ja) | シリコンウエーハの熱処理方法およびシリコンウエーハ | |
| JP2000269137A (ja) | 半導体製造装置及びウェハ取扱方法 | |
| JPH10163219A (ja) | 挿入シャッタを使用した炉温急昇降装置とデバイス製造方法 | |
| JP2002246326A (ja) | ウエハ熱処理装置及びウエハ熱処理方法 | |
| KR20030021185A (ko) | 디누디드 존을 갖는 실리콘 웨이퍼를 형성하는 방법 및 장치 | |
| JP3497317B2 (ja) | 半導体熱処理方法およびそれに用いる装置 | |
| CN103069545A (zh) | 晶片的热处理方法、硅晶片的制造方法、硅晶片及热处理装置 | |
| JPH1022290A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 | |
| JP3240180B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| CN113862791A (zh) | 一种用于拉制单晶硅棒的拉晶炉 | |
| JPH11135598A (ja) | 基板搬送システム | |
| JP2001156011A (ja) | 半導体ウェーハ熱処理装置 | |
| JPH10223722A (ja) | 半導体処理装置 | |
| JP2704597B2 (ja) | 半導体ウェーハの熱処理装置 | |
| JP2701847B2 (ja) | 半導体ウェハの熱処理方法 | |
| JP2006100303A (ja) | 基板の製造方法及び熱処理装置 | |
| JP2006080294A (ja) | 基板の製造方法 | |
| JP5515270B2 (ja) | シリコンウェーハの熱処理方法及び熱処理装置、並びに、シリコンウェーハ | |
| JP3534518B2 (ja) | 半導体熱処理方法およびそれに用いる装置 | |
| JPH07273100A (ja) | 半導体装置の熱処理方法及び熱処理装置 | |
| JPH06260486A (ja) | 熱処理方法及び熱処理装置 |