JPH09302084A - 芳香族ポリカーボネート樹脂 - Google Patents
芳香族ポリカーボネート樹脂Info
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- JPH09302084A JPH09302084A JP11906896A JP11906896A JPH09302084A JP H09302084 A JPH09302084 A JP H09302084A JP 11906896 A JP11906896 A JP 11906896A JP 11906896 A JP11906896 A JP 11906896A JP H09302084 A JPH09302084 A JP H09302084A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電荷輸送能をもち且つ高い機械的強度を有す
る光導電性高分子材料を提供する。 【構成】 下記一般式(I)で示される繰り返し単位か
らなる芳香族ポリカーボネート樹脂。 【化1】
る光導電性高分子材料を提供する。 【構成】 下記一般式(I)で示される繰り返し単位か
らなる芳香族ポリカーボネート樹脂。 【化1】
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は芳香族ポリカーボネート
樹脂に関し、さらに詳しくは電子写真用感光体として有
用な新規な芳香族ポリカーボネート樹脂に関する。
樹脂に関し、さらに詳しくは電子写真用感光体として有
用な新規な芳香族ポリカーボネート樹脂に関する。
【0002】
【従来の技術】芳香族ポリカーボネート樹脂として、
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン(以
下ビスフェノールAと略称する)にホスゲンやジフェニ
ルカーボネートを反応させて得られるポリカーボネート
樹脂がその代表的なものとして知られている。かかるビ
スフェノールAからのポリカーボネート樹脂は、透明
性、耐熱性、寸法精度および機械的強度などの面で優れ
た性質を有していることから、多くの分野で用いられて
いる。そのひとつの例として、電子写真法において使用
される有機感光体用のバインダー樹脂として様々な検討
がなされている。有機感光体の代表的な構成例として、
導電性基板上に電荷発生層、電荷輸送層を順次積層した
積層型感光体が挙げられる。電荷輸送層は低分子電荷輸
送材料とバインダー樹脂より形成され、このバインダー
樹脂として芳香族ポリカーボネート樹脂が多数提案され
ている。しかしながら、低分子電荷輸送材料の含有によ
り、バインダー樹脂が本来有する機械的強度を低下さ
せ、このことが感光体の摩耗性劣化、傷、クラックなど
の原因となり、感光体の耐久性を損うものとなってい
る。
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン(以
下ビスフェノールAと略称する)にホスゲンやジフェニ
ルカーボネートを反応させて得られるポリカーボネート
樹脂がその代表的なものとして知られている。かかるビ
スフェノールAからのポリカーボネート樹脂は、透明
性、耐熱性、寸法精度および機械的強度などの面で優れ
た性質を有していることから、多くの分野で用いられて
いる。そのひとつの例として、電子写真法において使用
される有機感光体用のバインダー樹脂として様々な検討
がなされている。有機感光体の代表的な構成例として、
導電性基板上に電荷発生層、電荷輸送層を順次積層した
積層型感光体が挙げられる。電荷輸送層は低分子電荷輸
送材料とバインダー樹脂より形成され、このバインダー
樹脂として芳香族ポリカーボネート樹脂が多数提案され
ている。しかしながら、低分子電荷輸送材料の含有によ
り、バインダー樹脂が本来有する機械的強度を低下さ
せ、このことが感光体の摩耗性劣化、傷、クラックなど
の原因となり、感光体の耐久性を損うものとなってい
る。
【0003】一方、ポリビニルアントラセン、ポリビニ
ルピレン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、トリフェニ
ルアミンを側鎖に有するアクリル系樹脂〔M.Stol
kaet al J.Polym.Sci.,21 9
69(1983)〕およびベンジジン構造を有する芳香
族ポリカーボネート樹脂(特開昭64−9964号公
報)などの光導電性高分子材料が検討されているが、実
用化には至っていない。
ルピレン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、トリフェニ
ルアミンを側鎖に有するアクリル系樹脂〔M.Stol
kaet al J.Polym.Sci.,21 9
69(1983)〕およびベンジジン構造を有する芳香
族ポリカーボネート樹脂(特開昭64−9964号公
報)などの光導電性高分子材料が検討されているが、実
用化には至っていない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の実状に鑑みてなされたものであって、有機感光体用の
電荷輸送能性高分子材料として特に有用な芳香族ポリカ
ーボネート樹脂を提供することを、その目的とする。
の実状に鑑みてなされたものであって、有機感光体用の
電荷輸送能性高分子材料として特に有用な芳香族ポリカ
ーボネート樹脂を提供することを、その目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、下記一般式(I)で示される繰り返し単位から
なる新規芳香族ポリカーボネート樹脂及び下記一般式
(II)ならびに(III)で示される繰り返し単位からな
る新規芳香族ポリカーボネート樹脂により上記課題が解
決されることを見出し、本発明に到った。即ち、本発明
は以下の(1)〜(4)である。 (1)下記一般式(I)で示される繰り返し単位からな
る芳香族ポリカーボネート樹脂。
た結果、下記一般式(I)で示される繰り返し単位から
なる新規芳香族ポリカーボネート樹脂及び下記一般式
(II)ならびに(III)で示される繰り返し単位からな
る新規芳香族ポリカーボネート樹脂により上記課題が解
決されることを見出し、本発明に到った。即ち、本発明
は以下の(1)〜(4)である。 (1)下記一般式(I)で示される繰り返し単位からな
る芳香族ポリカーボネート樹脂。
【0006】
【化9】
【0007】〔式中、nは5〜5000の整数を表わ
す。Ar1及びAr4は同一又は異なる芳香族炭化水素の
2価基、Ar2及びAr3は同一又は異なる置換もしくは
無置換の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換
の複素環基を表わす。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪族
の2価基または、
す。Ar1及びAr4は同一又は異なる芳香族炭化水素の
2価基、Ar2及びAr3は同一又は異なる置換もしくは
無置換の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換
の複素環基を表わす。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪族
の2価基または、
【0008】
【化10】
【0009】(ここで、R1及びR2は各々独立して置換
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳
香族炭化水素基またはハロゲン原子であり、l及びmは
各々独立して0〜4の整数であり、Yは単結合、炭素原
子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレ
ン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳
香族炭化水素基またはハロゲン原子であり、l及びmは
各々独立して0〜4の整数であり、Yは単結合、炭素原
子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレ
ン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、
【0010】
【化11】
【0011】から選ばれ、Zは脂肪族炭化水素の2価基
を表わし、aは0〜20の整数、bは1〜2000の整
数、R3,R4は各々独立して置換又は無置換のアルキル
基ないしは置換又は無置換の芳香族炭化水素基を表わ
す。)を表わす。〕 (2)下記一般式(II)および(III)で表わされる繰
り返し単位からなり、繰り返し単位の組成比が0<k/
(k+j)≦1である芳香族ポリカーボネート樹脂。
を表わし、aは0〜20の整数、bは1〜2000の整
数、R3,R4は各々独立して置換又は無置換のアルキル
基ないしは置換又は無置換の芳香族炭化水素基を表わ
す。)を表わす。〕 (2)下記一般式(II)および(III)で表わされる繰
り返し単位からなり、繰り返し単位の組成比が0<k/
(k+j)≦1である芳香族ポリカーボネート樹脂。
【0012】
【化12】
【0013】〔式中、kは5〜5000の整数、jは5
〜5000の整数を表わす。Ar1及びAr4は同一又は
異なる芳香族炭化水素の2価基、Ar2及びAr3は同一
又は異なる置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、ま
たは置換もしくは無置換の複素環基を表わす。Xは脂肪
族の2価基、環状脂肪族の2価基または、
〜5000の整数を表わす。Ar1及びAr4は同一又は
異なる芳香族炭化水素の2価基、Ar2及びAr3は同一
又は異なる置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、ま
たは置換もしくは無置換の複素環基を表わす。Xは脂肪
族の2価基、環状脂肪族の2価基または、
【0014】
【化13】
【0015】(ここで、R1及びR2は各々独立して置換
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳
香族炭化水素基またはハロゲン原子であり、l及びmは
各々独立して0〜4の整数であり、Yは単結合、炭素原
子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレ
ン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳
香族炭化水素基またはハロゲン原子であり、l及びmは
各々独立して0〜4の整数であり、Yは単結合、炭素原
子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレ
ン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、
【0016】
【化14】
【0017】から選ばれ、Zは脂肪族炭化水素の2価基
を表わし、aは0〜20の整数、bは1〜2000の整
数、R3,R4は各々独立して置換又は無置換のアルキル
基ないしは置換又は無置換の芳香族炭化水素基を表わ
す。)を表わす。〕 (3)下記一般式(IV)で表わされる繰り返し単位から
なる上記(1)記載の芳香族ポリカーボネート樹脂。
を表わし、aは0〜20の整数、bは1〜2000の整
数、R3,R4は各々独立して置換又は無置換のアルキル
基ないしは置換又は無置換の芳香族炭化水素基を表わ
す。)を表わす。〕 (3)下記一般式(IV)で表わされる繰り返し単位から
なる上記(1)記載の芳香族ポリカーボネート樹脂。
【0018】
【化15】
【0019】〔式中、n,Ar2,Ar3,Xは上記
(1)と同義〕 (4)下記一般式(V)および(III)で表わされる繰
り返し単位からなり、繰り返し単位の組成比が0<k/
(k+j)≦1である上記(2)記載の芳香族ポリカー
ボネート樹脂。
(1)と同義〕 (4)下記一般式(V)および(III)で表わされる繰
り返し単位からなり、繰り返し単位の組成比が0<k/
(k+j)≦1である上記(2)記載の芳香族ポリカー
ボネート樹脂。
【0020】
【化16】
【0021】〔式中、k,j,Ar2,Ar3,Xは上記
(2)と同義〕 本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は従来ポリカーボ
ネート樹脂の製造法として、公知のビスフェノールと炭
酸誘導体との重合と同様の方法で製造できる。すなわ
ち、下記一般式(VI)又は一般式(VII)で表わされる
第3級アミノ基を有するジオール化合物と、ビスアリー
ルカーボネートとのエステル交換法、あるいはホスゲン
との溶液または界面重合によるホスゲン法により製造さ
れる。ホスゲン法による製造の際、下記一般式(VIII)
で表わされるジオール化合物を併用することによって上
記一般式(II)で表わされる第3級アミノ基を有する繰
り返し単位と上記一般式(III)で表わされる繰り返し
単位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂あるいは上記
一般式(V)で表わされる第3級アミノ基を有する繰り
返し単位と上記一般式(III)で表わされる繰り返し単
位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂を製造すること
ができ、こうすることによって所望の特性を備えた芳香
族ポリカーボネート樹脂が得られる。上記一般式(II)
で表わされる第3級アミノ基を有する繰り返し単位と上
記一般式(III)で表わされる繰り返し単位との割合及
び上記一般式(V)で表わされる第3級アミノ基を有す
る繰り返し単位と上記一般式(III)で表わされる繰り
返し単位との割合は所望の特性により広い範囲から選択
することができる。
(2)と同義〕 本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は従来ポリカーボ
ネート樹脂の製造法として、公知のビスフェノールと炭
酸誘導体との重合と同様の方法で製造できる。すなわ
ち、下記一般式(VI)又は一般式(VII)で表わされる
第3級アミノ基を有するジオール化合物と、ビスアリー
ルカーボネートとのエステル交換法、あるいはホスゲン
との溶液または界面重合によるホスゲン法により製造さ
れる。ホスゲン法による製造の際、下記一般式(VIII)
で表わされるジオール化合物を併用することによって上
記一般式(II)で表わされる第3級アミノ基を有する繰
り返し単位と上記一般式(III)で表わされる繰り返し
単位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂あるいは上記
一般式(V)で表わされる第3級アミノ基を有する繰り
返し単位と上記一般式(III)で表わされる繰り返し単
位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂を製造すること
ができ、こうすることによって所望の特性を備えた芳香
族ポリカーボネート樹脂が得られる。上記一般式(II)
で表わされる第3級アミノ基を有する繰り返し単位と上
記一般式(III)で表わされる繰り返し単位との割合及
び上記一般式(V)で表わされる第3級アミノ基を有す
る繰り返し単位と上記一般式(III)で表わされる繰り
返し単位との割合は所望の特性により広い範囲から選択
することができる。
【0022】
【化17】
【0023】 HO−X−OH (VIII) 〔各式中のAr1,Ar2,Ar3,Ar4及びXは前義と
同じ意味を表わす。〕 一般式(VI)及び一般式(VII)で示される第3級アミ
ノ基を有するジオール化合物の具体例を以下に示す。A
r2,Ar3が置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基で
ある場合、及び置換もしくは無置換の複素環基である場
合の具体例としては以下のものを挙げることができる。
同じ意味を表わす。〕 一般式(VI)及び一般式(VII)で示される第3級アミ
ノ基を有するジオール化合物の具体例を以下に示す。A
r2,Ar3が置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基で
ある場合、及び置換もしくは無置換の複素環基である場
合の具体例としては以下のものを挙げることができる。
【0024】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオ
レニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベン
ゾ〔a,d〕シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基、また
は
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオ
レニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベン
ゾ〔a,d〕シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基、また
は
【0025】
【化18】
【0026】ここで、Wは−O−,−S−,−SO−,
−SO2−,−CO−及び以下の2価基を表わす。
−SO2−,−CO−及び以下の2価基を表わす。
【0027】
【化19】
【0028】が挙げられる。又、R6は水素原子、置換
又は無置換のアルキル基、置換又は無置換の芳香族炭化
水素基を表わす。複素環基としては、チエニル基、ベン
ゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾ
リル基などが挙げられる。また、Ar1及びAr4で示さ
れる芳香族炭化水素の2価基としては上記Ar2及びA
r3で示した芳香族炭化水素基の2価基が挙げられる。
上述の芳香族炭化水素基及び複素環基は以下に示す基を
置換基として有してもよい。又、これら置換基は上記一
般式中のR5の具体例として表わされる。
又は無置換のアルキル基、置換又は無置換の芳香族炭化
水素基を表わす。複素環基としては、チエニル基、ベン
ゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾ
リル基などが挙げられる。また、Ar1及びAr4で示さ
れる芳香族炭化水素の2価基としては上記Ar2及びA
r3で示した芳香族炭化水素基の2価基が挙げられる。
上述の芳香族炭化水素基及び複素環基は以下に示す基を
置換基として有してもよい。又、これら置換基は上記一
般式中のR5の具体例として表わされる。
【0029】(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基;好ましくはC1〜C12とりわけC1〜
C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖の
アルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素
原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フ
ェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基も
しくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル基
を含有してもよい。具体的にはメチル基、エチル基、n
−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、s−ブ
チル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフルオロメ
チル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエチル
基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル基、ベ
ンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル
基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベンジル基
等が挙げられる。
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基;好ましくはC1〜C12とりわけC1〜
C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖の
アルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素
原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フ
ェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基も
しくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル基
を含有してもよい。具体的にはメチル基、エチル基、n
−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、s−ブ
チル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフルオロメ
チル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエチル
基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル基、ベ
ンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル
基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベンジル基
等が挙げられる。
【0030】(3)アルコキシ基(−OR7);R7は上
記(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的にはメ
トキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポ
キシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキ
シ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。
記(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的にはメ
トキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポ
キシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキ
シ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。
【0031】(4)アリールオキシ基;アリール基とし
てフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これはC1〜
C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロ
ゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的にはフ
ェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキ
シ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキ
シ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフ
チルオキシ基等が挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基;
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
てフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これはC1〜
C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロ
ゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的にはフ
ェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキ
シ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキ
シ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフ
チルオキシ基等が挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基;
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【0032】(6)
【0033】
【化20】
【0034】式中、R8及びR9は各々独立に(2)で定
義したアルキル基またはアリール基を表わし、アリール
基としては例えばフェニル基、ビフェニリル基またはナ
フチル基が挙げられ、これらはC1〜C4のアルコキシ
基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基
として含有してもよい。R9とR10は共同で環を形成し
てもよい。またアリール基上の炭素原子と共同で環を形
成してもよい。具体的にはジエチルアミノ基、N−メチ
ル−N−フェニルアミノ基、N,N−ジフェニルアミノ
基、N,N−ジ(p−トリル)アミノ基、ジベンジルア
ミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等
が挙げられる。
義したアルキル基またはアリール基を表わし、アリール
基としては例えばフェニル基、ビフェニリル基またはナ
フチル基が挙げられ、これらはC1〜C4のアルコキシ
基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基
として含有してもよい。R9とR10は共同で環を形成し
てもよい。またアリール基上の炭素原子と共同で環を形
成してもよい。具体的にはジエチルアミノ基、N−メチ
ル−N−フェニルアミノ基、N,N−ジフェニルアミノ
基、N,N−ジ(p−トリル)アミノ基、ジベンジルア
ミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等
が挙げられる。
【0035】(7)メチレンジオキシ基、またはメチレ
ンジチオ基等のアルキレンジオキシ基またはアルキレン
ジチオ基等が挙げられる。一般式(VIII)で示されるジ
オール化合物の具体例を以下に示す。
ンジチオ基等のアルキレンジオキシ基またはアルキレン
ジチオ基等が挙げられる。一般式(VIII)で示されるジ
オール化合物の具体例を以下に示す。
【0036】1,3−プロパンジオール、1,4−ブタ
ンジオール、1,5−ペンタンジオール、1,6−ヘキ
サンジオール、1,8−オクタンジオール、1,10−
デカンジオール、2−メチル−1,3−プロパンジオー
ル、2,2−ジメチル−1,3−プロパンジオール、2
−エチル−1,3−プロパンジオール、ジエチレングリ
コール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコ
ール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等の脂肪
族ジオール化合物や1,4−シクロヘキサンジオール、
1,3−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−
1,4−ジメタノール等の環状脂肪族ジオール化合物が
挙げられる。
ンジオール、1,5−ペンタンジオール、1,6−ヘキ
サンジオール、1,8−オクタンジオール、1,10−
デカンジオール、2−メチル−1,3−プロパンジオー
ル、2,2−ジメチル−1,3−プロパンジオール、2
−エチル−1,3−プロパンジオール、ジエチレングリ
コール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコ
ール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等の脂肪
族ジオール化合物や1,4−シクロヘキサンジオール、
1,3−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−
1,4−ジメタノール等の環状脂肪族ジオール化合物が
挙げられる。
【0037】又、芳香環を有するジオール化合物として
は、4,4’−ジヒドロキシジフェニル、ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)エタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)−1−フェニルエタン、2,2−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−メ
チル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、
2,2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(3−イソプロピル−4−
ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)ブタン、2,2−ビス(3,5−ジ
メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−
ビス(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プ
ロパン、4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、
4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、4,
4’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、3,3’−
ジメチル−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルフィ
ド、4,4’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、2,
2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フル
オレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)キサ
ンテン、エチレングリコール−ビス(4−ヒドロキシベ
ンゾエート)、ジエチレングリコール−ビス(4−ヒド
ロキシベンゾエート)、トリエチレングリコール−ビス
(4−ヒドロキシベンゾエート)−1,3−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)−テトラメチルジシロキサン、フ
ェノール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
は、4,4’−ジヒドロキシジフェニル、ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)エタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)−1−フェニルエタン、2,2−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−メ
チル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、
2,2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(3−イソプロピル−4−
ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)ブタン、2,2−ビス(3,5−ジ
メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−
ビス(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プ
ロパン、4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、
4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、4,
4’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、3,3’−
ジメチル−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルフィ
ド、4,4’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、2,
2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フル
オレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)キサ
ンテン、エチレングリコール−ビス(4−ヒドロキシベ
ンゾエート)、ジエチレングリコール−ビス(4−ヒド
ロキシベンゾエート)、トリエチレングリコール−ビス
(4−ヒドロキシベンゾエート)−1,3−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)−テトラメチルジシロキサン、フ
ェノール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
【0038】また一般式(I)の繰り返し単位で示され
る本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、上記一般式
(VI)又は(VII)で示される第3級アミノ基を有する
ジオール化合物と、上記一般式(VIII)で示されるジオ
ール化合物から誘導されるビスクロロホーメートとを、
溶媒、脱酸剤の存在下で反応させることにより製造でき
る。
る本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、上記一般式
(VI)又は(VII)で示される第3級アミノ基を有する
ジオール化合物と、上記一般式(VIII)で示されるジオ
ール化合物から誘導されるビスクロロホーメートとを、
溶媒、脱酸剤の存在下で反応させることにより製造でき
る。
【0039】
【発明の実施の形態】以下、上記製造法に関してさらに
詳細に説明する。エステル交換法では不活性ガス存在下
に2価フェノールとビスアリールカーボネートを混合
し、通常減圧下120〜350℃で反応させる。減圧度
は段階的に変化させ、最終的には1mmHg以下にして
生成するフェノール類を系外に留去させる。反応時間は
通常1〜4時間程度である。又、必要に応じて分子量調
節剤や酸化防止剤を加えてもよい。ビスアリールカーボ
ネートとしてはジフェニルカーボネート、ジ−p−トリ
ルカーボネート、フェニル−p−トリルカーボネート、
ジ−p−クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカー
ボネートなどが挙げられる。
詳細に説明する。エステル交換法では不活性ガス存在下
に2価フェノールとビスアリールカーボネートを混合
し、通常減圧下120〜350℃で反応させる。減圧度
は段階的に変化させ、最終的には1mmHg以下にして
生成するフェノール類を系外に留去させる。反応時間は
通常1〜4時間程度である。又、必要に応じて分子量調
節剤や酸化防止剤を加えてもよい。ビスアリールカーボ
ネートとしてはジフェニルカーボネート、ジ−p−トリ
ルカーボネート、フェニル−p−トリルカーボネート、
ジ−p−クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカー
ボネートなどが挙げられる。
【0040】ホスゲン法では通常脱酸剤および溶媒の存
在下に反応を行う。脱酸剤としては水酸化ナトリウムや
水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、ピリジン
などが用いられる。溶媒としては例えばジクロロメタ
ン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素が用いら
れる。又、反応促進のために例えば第3級アミン、第4
級アンモニウム塩などの触媒を用いることができ、分子
量調節剤として例えばフェノール、p−tert−ブチ
ルフェノールなどの末端停止剤を用いることが望まし
い。反応温度は通常0〜40℃、反応時間は数分〜5時
間であり、反応中のpHは通常10以上に保つことが好
ましい。
在下に反応を行う。脱酸剤としては水酸化ナトリウムや
水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、ピリジン
などが用いられる。溶媒としては例えばジクロロメタ
ン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素が用いら
れる。又、反応促進のために例えば第3級アミン、第4
級アンモニウム塩などの触媒を用いることができ、分子
量調節剤として例えばフェノール、p−tert−ブチ
ルフェノールなどの末端停止剤を用いることが望まし
い。反応温度は通常0〜40℃、反応時間は数分〜5時
間であり、反応中のpHは通常10以上に保つことが好
ましい。
【0041】ビスクロロホーメートを用いる場合はジオ
ール化合物を溶媒に溶解し、脱酸剤を添加し、これにビ
スクロロホーメートを添加することにより得られる。脱
酸剤としてはトリメチルアミン、トリエチルアミン、ト
リプロピルアミンのような第3級アミン及びピリジンが
使用される。反応に使用される溶媒としては、例えばジ
クロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テ
トラクロロエタン、トリクロロエチレン、クロロホルム
などのハロゲン化炭化水素及びテトラヒドロフラン、ジ
オキサンなどの環状エーテル系の溶媒が好ましい。又、
分子量調節剤として、例えばフェノール、p−tert
−ブチルフェノールなどの末端停止剤を用いることが望
ましい。反応温度は通常0〜40℃、反応時間は数分〜
5時間である。
ール化合物を溶媒に溶解し、脱酸剤を添加し、これにビ
スクロロホーメートを添加することにより得られる。脱
酸剤としてはトリメチルアミン、トリエチルアミン、ト
リプロピルアミンのような第3級アミン及びピリジンが
使用される。反応に使用される溶媒としては、例えばジ
クロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テ
トラクロロエタン、トリクロロエチレン、クロロホルム
などのハロゲン化炭化水素及びテトラヒドロフラン、ジ
オキサンなどの環状エーテル系の溶媒が好ましい。又、
分子量調節剤として、例えばフェノール、p−tert
−ブチルフェノールなどの末端停止剤を用いることが望
ましい。反応温度は通常0〜40℃、反応時間は数分〜
5時間である。
【0042】上記の方法によって製造される芳香族ポリ
カーボネート樹脂の分子量は、ポリスチレン換算にて数
平均分子量が1000〜100万、好ましくは5000
〜50万である。上記の方法に従って製造される芳香族
ポリカーボネート樹脂には、必要に応じて酸化防止剤、
光安定剤、熱安定剤、滑剤、可塑剤などの添加剤を加え
ることができる。
カーボネート樹脂の分子量は、ポリスチレン換算にて数
平均分子量が1000〜100万、好ましくは5000
〜50万である。上記の方法に従って製造される芳香族
ポリカーボネート樹脂には、必要に応じて酸化防止剤、
光安定剤、熱安定剤、滑剤、可塑剤などの添加剤を加え
ることができる。
【0043】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明する。な
お、下記実施例において部はすべて重量部である。 実施例1 下記構造の第3級アミノ基を有するジオール化合物を出
発物質として用いた。
お、下記実施例において部はすべて重量部である。 実施例1 下記構造の第3級アミノ基を有するジオール化合物を出
発物質として用いた。
【0044】
【化21】
【0045】乾燥THF46mlに1,3−ビス〔N−
(3−ヒドロキシフェニル)−N−フェニルアミノ〕ベ
ンゼン5.77g(0.013mol)、トリエチルア
ミン3.95g(0.039mol)を溶解した。この
溶液に1,6−ヘキサンジオールビスクロロフォーメー
ト3.33g(0.0137mol)を乾燥THF14
mlに溶かしたものを、水冷下、30分かけて滴下し
た。滴下終了後、粘稠混合物をさらに15分間撹拌し、
0.28gのフェノールを5mlの乾燥THFに溶かし
たものを加えた。5分間撹拌の後、得られた粘稠混合物
をメタノール中に沈殿させ、粗生成物を濾取した。この
ものにTHF溶解−メタノール沈殿の処理を2回施し、
沈殿物を濾取、乾燥して下記構造式のポリカーボネート
樹脂(No.1)を得た。得られた目的物は7.19gで
収率は90.1%であった。
(3−ヒドロキシフェニル)−N−フェニルアミノ〕ベ
ンゼン5.77g(0.013mol)、トリエチルア
ミン3.95g(0.039mol)を溶解した。この
溶液に1,6−ヘキサンジオールビスクロロフォーメー
ト3.33g(0.0137mol)を乾燥THF14
mlに溶かしたものを、水冷下、30分かけて滴下し
た。滴下終了後、粘稠混合物をさらに15分間撹拌し、
0.28gのフェノールを5mlの乾燥THFに溶かし
たものを加えた。5分間撹拌の後、得られた粘稠混合物
をメタノール中に沈殿させ、粗生成物を濾取した。この
ものにTHF溶解−メタノール沈殿の処理を2回施し、
沈殿物を濾取、乾燥して下記構造式のポリカーボネート
樹脂(No.1)を得た。得られた目的物は7.19gで
収率は90.1%であった。
【0046】
【化22】
【0047】この物の分子量をゲルパーミエーションク
ロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン
換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 30400 重量平均分子量 73900 ガラス転移点は69.8℃であり、この物の赤外吸収ス
ペクトル(フィルム)を図1に示した。また、元素分析
結果を表1に示す。
ロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン
換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 30400 重量平均分子量 73900 ガラス転移点は69.8℃であり、この物の赤外吸収ス
ペクトル(フィルム)を図1に示した。また、元素分析
結果を表1に示す。
【0048】
【表1】
【0049】実施例2 実施例1と同じ第3級アミノ基を有するジオール化合物
を出発物質として用いた。乾燥THF46mlに1,3
−ビス〔N−(3−ヒドロキシフェニル)−N−フェニ
ルアミノ〕ベンゼン5.77g(0.013mol)、
トリエチルアミン3.95g(0.039mol)を溶
解した。この溶液にポリテトラメチレンエーテルグリコ
ールビスクロロフォーメート(平均分子量250のポリ
テトラメチレンエーテルグリコールより調製)5.01
g(0.0137mol)を乾燥THF14mlにとか
したものを、水冷下、30分かけて滴下した。滴下終了
後、粘稠混合物を更に15分撹拌し、0.28gのフェ
ノールを5mlの乾燥THFに溶かしたものを加えた。
5分間乾燥の後、得られた粘稠混合物をメタノール中に
沈殿させ、粗生成物を濾取した。このものにTHF溶解
−メタノール沈殿の処理を2回施し、沈殿物を濾取、乾
燥して下記構造式のポリカーボネート樹脂(No.2)を
得た。得られた目的物は8.22gで、収率は85.8
%であった。
を出発物質として用いた。乾燥THF46mlに1,3
−ビス〔N−(3−ヒドロキシフェニル)−N−フェニ
ルアミノ〕ベンゼン5.77g(0.013mol)、
トリエチルアミン3.95g(0.039mol)を溶
解した。この溶液にポリテトラメチレンエーテルグリコ
ールビスクロロフォーメート(平均分子量250のポリ
テトラメチレンエーテルグリコールより調製)5.01
g(0.0137mol)を乾燥THF14mlにとか
したものを、水冷下、30分かけて滴下した。滴下終了
後、粘稠混合物を更に15分撹拌し、0.28gのフェ
ノールを5mlの乾燥THFに溶かしたものを加えた。
5分間乾燥の後、得られた粘稠混合物をメタノール中に
沈殿させ、粗生成物を濾取した。このものにTHF溶解
−メタノール沈殿の処理を2回施し、沈殿物を濾取、乾
燥して下記構造式のポリカーボネート樹脂(No.2)を
得た。得られた目的物は8.22gで、収率は85.8
%であった。
【0050】
【化23】
【0051】この物の分子量をゲルパーミエーションク
ロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン
換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 31700 重量平均分子量 69200 ガラス転移点は27.7℃であり、この物の赤外吸収ス
ペクトル(フィルム)を図2に示した。また元素分析結
果を表2に示す。
ロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン
換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 31700 重量平均分子量 69200 ガラス転移点は27.7℃であり、この物の赤外吸収ス
ペクトル(フィルム)を図2に示した。また元素分析結
果を表2に示す。
【0052】
【表2】
【0053】実施例3 実施例1と同じ第3級アミノ基を有するジオール化合物
を出発物質として用いた。乾燥THF53mlに1,3
−ビス〔N−(3−ヒドロキシフェニル)−N−フェニ
ルアミノ〕ベンゼン6.66g(0.015mol)、
トリエチルアミン4.55g(0.045mol)を溶
解した。この溶液にジエチレングリコールビスクロロフ
ォーメート3.65g(0.0158mol)を乾燥T
HF15mlに溶かしたものを水冷下、30分かけて滴
下した。滴下終了後、粘稠混合物を更に15分撹拌し、
0.28gのフェノールを5mlの乾燥THFに溶かし
たものを加えた。5分間の乾燥の後、得られた粘稠混合
物をメタノール中に沈殿させ、粗生成物を濾取した。こ
のものにTHF溶解−メタノール沈殿の処理を2回施
し、沈殿物を濾取、乾燥して下記構造式のポリカーボネ
ート樹脂(No.3)を得た。得られた目的物は7.96
gで、収率は88.2%であった。
を出発物質として用いた。乾燥THF53mlに1,3
−ビス〔N−(3−ヒドロキシフェニル)−N−フェニ
ルアミノ〕ベンゼン6.66g(0.015mol)、
トリエチルアミン4.55g(0.045mol)を溶
解した。この溶液にジエチレングリコールビスクロロフ
ォーメート3.65g(0.0158mol)を乾燥T
HF15mlに溶かしたものを水冷下、30分かけて滴
下した。滴下終了後、粘稠混合物を更に15分撹拌し、
0.28gのフェノールを5mlの乾燥THFに溶かし
たものを加えた。5分間の乾燥の後、得られた粘稠混合
物をメタノール中に沈殿させ、粗生成物を濾取した。こ
のものにTHF溶解−メタノール沈殿の処理を2回施
し、沈殿物を濾取、乾燥して下記構造式のポリカーボネ
ート樹脂(No.3)を得た。得られた目的物は7.96
gで、収率は88.2%であった。
【0054】
【化24】
【0055】この物の分子量をゲルパーミエーションク
ロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン
換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 51700 重量平均分子量 98700 ガラス転移点は79.1℃であり、この物の赤外吸収ス
ペクトル(フィルム)を図3に示した。また元素分析結
果を表3に示す。
ロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン
換算の分子量は以下のようであった。 数平均分子量 51700 重量平均分子量 98700 ガラス転移点は79.1℃であり、この物の赤外吸収ス
ペクトル(フィルム)を図3に示した。また元素分析結
果を表3に示す。
【0056】
【表3】
【0057】実施例4〜6 実施例1と同様に操作して下表に示す本発明の芳香族ポ
リカーボネート樹脂を得た。これらの実施例4,5及び
6の化合物の基本構造は下記一般式で表わされる。
リカーボネート樹脂を得た。これらの実施例4,5及び
6の化合物の基本構造は下記一般式で表わされる。
【0058】
【化25】
【0059】結果を表4に示す。
【0060】
【表4】
【0061】応用例 アルミ板上にメタノール/ブタノール混合溶媒に溶解し
たポリアミド樹脂(CM−8000:東レ社製)溶液を
ドクターブレードで塗布し、自然乾燥して0.3μmの
中間層を設けた。この上に電荷発生物質として下記式で
表わされるビスアゾ化合物をシクロヘキサノン中でボー
ルミルにより粉砕し、得られた分散液をドクターブレー
ドで塗布し、自然乾燥して約1μmの電荷発生層を形成
した。
たポリアミド樹脂(CM−8000:東レ社製)溶液を
ドクターブレードで塗布し、自然乾燥して0.3μmの
中間層を設けた。この上に電荷発生物質として下記式で
表わされるビスアゾ化合物をシクロヘキサノン中でボー
ルミルにより粉砕し、得られた分散液をドクターブレー
ドで塗布し、自然乾燥して約1μmの電荷発生層を形成
した。
【0062】
【化26】
【0063】次に、電荷輸送物質として実施例5で得ら
れたポリカーボネート樹脂をジクロロメタンに溶解し、
この溶液を前記電荷発生層上にドクターブレードで塗布
し、自然乾燥し、次いで120℃で20分間乾燥して厚
さ約20μmの電荷輸送層を形成して感光体を作製し
た。
れたポリカーボネート樹脂をジクロロメタンに溶解し、
この溶液を前記電荷発生層上にドクターブレードで塗布
し、自然乾燥し、次いで120℃で20分間乾燥して厚
さ約20μmの電荷輸送層を形成して感光体を作製し
た。
【0064】かくして得られた積層型電子写真感光体の
可視領域での感度を調べるため、この感光体に静電複写
紙試験装置〔(株)川口電機製作所製SP428型〕を
用いて暗所で−6kVのコロナ放電を20秒間行って帯
電せしめた後、感光体の表面電位Vm(V)を測定し、
更に20秒間暗所に放置した後、表面電位V0(V)を
測定した。次いでタングステンランプ光を感光体表面で
の照度が4.5luxになるように照射して、V0が1
/2になるまでの露光量E1/2(lux・sec)を算
出した。その結果、Vm=−1415(V)、Vo=−1
036(V)、E1/2=1.10(lux・sec)で
あった。
可視領域での感度を調べるため、この感光体に静電複写
紙試験装置〔(株)川口電機製作所製SP428型〕を
用いて暗所で−6kVのコロナ放電を20秒間行って帯
電せしめた後、感光体の表面電位Vm(V)を測定し、
更に20秒間暗所に放置した後、表面電位V0(V)を
測定した。次いでタングステンランプ光を感光体表面で
の照度が4.5luxになるように照射して、V0が1
/2になるまでの露光量E1/2(lux・sec)を算
出した。その結果、Vm=−1415(V)、Vo=−1
036(V)、E1/2=1.10(lux・sec)で
あった。
【0065】
【発明の効果】本発明の前記一般式(I)で示される繰
り返し単位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂、また
は前記一般式(II)で示される繰り返し単位と前記一般
式(III)で示される繰り返し単位とからなる芳香族ポ
リカーボネート樹脂は電荷輸送能をもち且つ高い機械的
強度を有するため、これを用いた感光体は高感度で且つ
高耐久なものとなる。
り返し単位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂、また
は前記一般式(II)で示される繰り返し単位と前記一般
式(III)で示される繰り返し単位とからなる芳香族ポ
リカーボネート樹脂は電荷輸送能をもち且つ高い機械的
強度を有するため、これを用いた感光体は高感度で且つ
高耐久なものとなる。
【図1】本発明の実施例1の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図2】本発明の実施例2の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図3】本発明の実施例3の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図4】本発明の実施例4の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図5】本発明の実施例5の化合物の赤外吸収スペクト
ル図、
ル図、
【図6】本発明の実施例6の化合物の赤外吸収スペクト
ル図。
ル図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 正臣 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 永井 一清 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 島田 知幸 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 安達 千波矢 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田中 千秋 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 片山 映 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内
Claims (4)
- 【請求項1】 下記一般式(I)で示される繰り返し単
位からなる芳香族ポリカーボネート樹脂。 【化1】 〔式中、nは5〜5000の整数を表わす。Ar1及び
Ar4は同一又は異なる芳香族炭化水素の2価基、Ar2
及びAr3は同一又は異なる置換もしくは無置換の芳香
族炭化水素基、または置換もしくは無置換の複素環基を
表わす。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪族の2価基また
は、 【化2】 (ここで、R1及びR2は各々独立して置換もしくは無置
換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素
基またはハロゲン原子であり、l及びmは各々独立して
0〜4の整数であり、Yは単結合、炭素原子数1〜12
の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−O
−、−S−、−SO−、−SO2−、 【化3】 から選ばれ、Zは脂肪族炭化水素の2価基を表わし、a
は0〜20の整数、bは1〜2000の整数、R3,R4
は各々独立して置換又は無置換のアルキル基ないしは置
換又は無置換の芳香族炭化水素基を表わす。)を表わ
す。〕 - 【請求項2】 下記一般式(II)および(III)で表わ
される繰り返し単位からなり、繰り返し単位の組成比が
0<k/(k+j)≦1である芳香族ポリカーボネート
樹脂。 【化4】 〔式中、kは5〜5000の整数、jは5〜5000の
整数を表わす。Ar1及びAr4は同一又は異なる芳香族
炭化水素の2価基、Ar2及びAr3は同一又は異なる置
換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、または置換もし
くは無置換の複素環基を表わす。Xは脂肪族の2価基、
環状脂肪族の2価基または、 【化5】 (ここで、R1及びR2は各々独立して置換もしくは無置
換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素
基またはハロゲン原子であり、l及びmは各々独立して
0〜4の整数であり、Yは単結合、炭素原子数1〜12
の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−O
−、−S−、−SO−、−SO2−、 【化6】 から選ばれ、Zは脂肪族炭化水素の2価基を表わし、a
は0〜20の整数、bは1〜2000の整数、R3,R4
は各々独立して置換又は無置換のアルキル基ないしは置
換又は無置換の芳香族炭化水素基を表わす。)を表わ
す。〕 - 【請求項3】 下記一般式(IV)で表わされる繰り返し
単位からなる請求項1記載の芳香族ポリカーボネート樹
脂。 【化7】 〔式中、n,Ar2,Ar3,Xは請求項1と同義〕 - 【請求項4】 下記一般式(V)および(III)で表わ
される繰り返し単位からなり、繰り返し単位の組成比が
0<k/(k+j)≦1である請求項2記載の芳香族ポ
リカーボネート樹脂。 【化8】 〔式中、k,j,Ar2,Ar3,Xは請求項2と同義〕
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11906896A JPH09302084A (ja) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | 芳香族ポリカーボネート樹脂 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11906896A JPH09302084A (ja) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | 芳香族ポリカーボネート樹脂 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09302084A true JPH09302084A (ja) | 1997-11-25 |
Family
ID=14752103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11906896A Pending JPH09302084A (ja) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | 芳香族ポリカーボネート樹脂 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09302084A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1205808A1 (en) | 2000-11-08 | 2002-05-15 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and image forming method and apparatus using the photoreceptor |
| EP1600822A2 (en) | 2004-05-25 | 2005-11-30 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and image forming method, apparatus and process cartridge therefor using the photoreceptor |
| US7416823B2 (en) | 2004-01-15 | 2008-08-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, and image formation method, image formation apparatus, and process cartridge for image formation apparatus using the same |
| EP2017676A1 (en) | 2006-04-17 | 2009-01-21 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus, image forming method, and process cartridge |
| EP2078988A2 (en) | 2008-01-10 | 2009-07-15 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and image forming method |
| US7718335B2 (en) | 2005-12-27 | 2010-05-18 | Ricoh Company Limited | Image bearing member, and image forming apparatus and process cartridge using the same |
| US7865114B2 (en) | 2006-11-21 | 2011-01-04 | Ricoh Company Limited | Image forming apparatus, image forming method and process cartridge |
| US8043773B2 (en) | 2006-11-16 | 2011-10-25 | Ricoh Company, Limited | Image bearing member, image forming apparatus and process cartridge |
| WO2012099182A1 (en) | 2011-01-21 | 2012-07-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, and image forming method, image forming apparatus, and process cartridge using the electrophotographic photoconductor |
-
1996
- 1996-05-14 JP JP11906896A patent/JPH09302084A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1205808A1 (en) | 2000-11-08 | 2002-05-15 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and image forming method and apparatus using the photoreceptor |
| US7416823B2 (en) | 2004-01-15 | 2008-08-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, and image formation method, image formation apparatus, and process cartridge for image formation apparatus using the same |
| EP1600822A2 (en) | 2004-05-25 | 2005-11-30 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and image forming method, apparatus and process cartridge therefor using the photoreceptor |
| US7718335B2 (en) | 2005-12-27 | 2010-05-18 | Ricoh Company Limited | Image bearing member, and image forming apparatus and process cartridge using the same |
| EP2017676A1 (en) | 2006-04-17 | 2009-01-21 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus, image forming method, and process cartridge |
| US8043773B2 (en) | 2006-11-16 | 2011-10-25 | Ricoh Company, Limited | Image bearing member, image forming apparatus and process cartridge |
| US7865114B2 (en) | 2006-11-21 | 2011-01-04 | Ricoh Company Limited | Image forming apparatus, image forming method and process cartridge |
| EP2078988A2 (en) | 2008-01-10 | 2009-07-15 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and image forming method |
| WO2012099182A1 (en) | 2011-01-21 | 2012-07-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, and image forming method, image forming apparatus, and process cartridge using the electrophotographic photoconductor |
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