JPH09304539A - 電子検出器 - Google Patents
電子検出器Info
- Publication number
- JPH09304539A JPH09304539A JP11996796A JP11996796A JPH09304539A JP H09304539 A JPH09304539 A JP H09304539A JP 11996796 A JP11996796 A JP 11996796A JP 11996796 A JP11996796 A JP 11996796A JP H09304539 A JPH09304539 A JP H09304539A
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- JP
- Japan
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- electron
- magnetic field
- vertical drift
- electrons
- energy
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Abstract
(57)【要約】
【課題】核融合装置でプラズマからの逃走電子の方向及
びエネルギを測定するのに好適な電子検出器を提供す
る。 【解決手段】垂直型ドリフトチェンバ9,10の間に、
磁場発生用コイル8を設置し、垂直型ドリフトチェンバ
10の後方に、プラスチックシンチレータ15,光ガイ
ド16,光電子増倍管17を含む電子線検出器18を設
置する。垂直型ドリフトチェンバ10,11における各
ワイヤからの信号と電子線検出器17からの信号との時
間差から、垂直型ドリフトチェンバ10,11における
電子の軌跡が求まる。求まった電子の軌跡と、垂直型ド
リフトチェンバ10,11の間に設置した磁場発生用コ
イルの作る磁場によって、逃走電子の方向およびエネル
ギを測定する。
びエネルギを測定するのに好適な電子検出器を提供す
る。 【解決手段】垂直型ドリフトチェンバ9,10の間に、
磁場発生用コイル8を設置し、垂直型ドリフトチェンバ
10の後方に、プラスチックシンチレータ15,光ガイ
ド16,光電子増倍管17を含む電子線検出器18を設
置する。垂直型ドリフトチェンバ10,11における各
ワイヤからの信号と電子線検出器17からの信号との時
間差から、垂直型ドリフトチェンバ10,11における
電子の軌跡が求まる。求まった電子の軌跡と、垂直型ド
リフトチェンバ10,11の間に設置した磁場発生用コ
イルの作る磁場によって、逃走電子の方向およびエネル
ギを測定する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は核融合装置において
プラズマからの逃走電子の方向及びエネルギを測定する
のに好適な電子検出器に関する。
プラズマからの逃走電子の方向及びエネルギを測定する
のに好適な電子検出器に関する。
【0002】
【従来の技術】核融合装置では、電子は電場による加速
及び、電子及びイオンとのクーロン衝突による減速を受
ける。しかし、衝突の度合は速度と共に減少するので、
あるエネルギ以上の電子は、ますます速度を上げて逃走
電子となる。例えば、電子密度が1019m~3,電場の強
さが1V/mの場合、5KeV以上の電子は逃走電子と
なり、国際熱核融合炉1TERでは、エネルギは200
MeV程度になると考えられている。このような高いエ
ネルギの電子は、核融合装置に多大な損傷を与える。し
かし、どの程度のエネルギの逃走電子がどの程度の個
数、どの方向から逃走してくるのか詳しく測定した例は
ない。今後、これらの測定が必要になってくると考えら
れる。
及び、電子及びイオンとのクーロン衝突による減速を受
ける。しかし、衝突の度合は速度と共に減少するので、
あるエネルギ以上の電子は、ますます速度を上げて逃走
電子となる。例えば、電子密度が1019m~3,電場の強
さが1V/mの場合、5KeV以上の電子は逃走電子と
なり、国際熱核融合炉1TERでは、エネルギは200
MeV程度になると考えられている。このような高いエ
ネルギの電子は、核融合装置に多大な損傷を与える。し
かし、どの程度のエネルギの逃走電子がどの程度の個
数、どの方向から逃走してくるのか詳しく測定した例は
ない。今後、これらの測定が必要になってくると考えら
れる。
【0003】垂直型ドリフトチェンバは、電子の軌跡を
測定する検出器で、1977年にM.I.Tで開発され、
主に電子線を用いた原子核実験における散乱電子の測定
器として用いられている。
測定する検出器で、1977年にM.I.Tで開発され、
主に電子線を用いた原子核実験における散乱電子の測定
器として用いられている。
【0004】公知例;W.Bertozzi,et al.,Nucl Instr
141(1977)457。
141(1977)457。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術で、逃走
電子の軌跡を測定することができる。しかし、エネルギ
を測定することができないという問題点がある。また、
逃走電子の測定は、真空容器中で行う必要があるため、
従来の垂直型ドリフトチェンバのように、チェンバ内部
のガス圧を大気圧のままで用いることは核融合装置にと
って好ましくない。しかし、チェンバ内部のガスの圧力
を低くすると、垂直型ドリフトチェンバが機能しなくな
るという問題があった。
電子の軌跡を測定することができる。しかし、エネルギ
を測定することができないという問題点がある。また、
逃走電子の測定は、真空容器中で行う必要があるため、
従来の垂直型ドリフトチェンバのように、チェンバ内部
のガス圧を大気圧のままで用いることは核融合装置にと
って好ましくない。しかし、チェンバ内部のガスの圧力
を低くすると、垂直型ドリフトチェンバが機能しなくな
るという問題があった。
【0006】本発明の目的は、核融合装置でプラズマか
らの逃走電子の方向及びエネルギを測定するのに好適な
電子検出器を提供することにある。
らの逃走電子の方向及びエネルギを測定するのに好適な
電子検出器を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は2台の垂直型ドリフトチェンバ間に磁場発
生用コイルを設けた。磁場発生用コイルが作る磁場によ
って電子はそのエネルギに応じた曲率で軌道を曲げられ
る。磁場発生用コイルの前後に設置してある2台の垂直
型ドリフトチェンバによって、電子の軌道を測定するこ
とでこの曲率を求めることができる。磁場発生用コイル
が作る磁場の値とこの曲率から電子のエネルギを求める
ことができる。また、上記目的を達成するために、本発
明は大気圧以下でも垂直型ドリフトチェンバが正常に動
作するように、垂直型ドリフトチェンバ内部のガスの混
合比を変えた。
に、本発明は2台の垂直型ドリフトチェンバ間に磁場発
生用コイルを設けた。磁場発生用コイルが作る磁場によ
って電子はそのエネルギに応じた曲率で軌道を曲げられ
る。磁場発生用コイルの前後に設置してある2台の垂直
型ドリフトチェンバによって、電子の軌道を測定するこ
とでこの曲率を求めることができる。磁場発生用コイル
が作る磁場の値とこの曲率から電子のエネルギを求める
ことができる。また、上記目的を達成するために、本発
明は大気圧以下でも垂直型ドリフトチェンバが正常に動
作するように、垂直型ドリフトチェンバ内部のガスの混
合比を変えた。
【0008】垂直型ドリフトチェンバの原理を図2に示
す。図2は、垂直型ドリフトチェンバの断面図である。
垂直型ドリフトチェンバは、電子入射窓1,陰極板2,
ワイヤ3及びガス4より構成されている。陰極板2とワ
イヤ3の間に約1kV/mmの電場ができるように陰極板
2に負の電圧を印加する。電子入射窓1より斜めに入射
してきた電子5は、チェンバ内部のガス4を電離する。
電離により発生した電子群6は、陰極板2及びワイヤ3
が作る電場の方向7に沿ってワイヤ3に向かってドリフ
トする。ドリフトした電子群6はワイヤ3近傍の電場の
高い領域8で電子雪崩を起こす。その電子雪崩によって
ワイヤに信号が発生する。ドリフト速度が一定であるな
らば、電子5が通過した時刻から信号が発生した時刻ま
での時間を測定することで、電子群6の発生した位置を
同定することができる。ガス4として、アルゴンとイソ
ブタンの混合ガスを用いると、電場強度によらずドリフ
ト速度が約40mm/μsec と一定となる。3本以上のワ
イヤ3からの信号から求めた電子群6の発生位置から、
入射電子5の軌道を同定することができる。本発明の概
要を図1に示す。2台の垂直型ドリフトチェンバの間に
磁場発生用のコイル9を設置することで、1台目のチェ
ンバ10を通過してきた電子はエネルギに応じたローレ
ンツ力を磁場から受けて軌道を曲げ、2台目のチェンバ
11に入射してくる。1台目のチェンバ10によって電
子の入射方向を同定でき、磁場発生用コイル9の作る磁
場の大きさと1台目と2台目のチェンバにおける電子の
軌道の違いから電子のエネルギを同定することができ
る。大気圧で、ガス4を使用する場合には、イソブタン
とアルゴンを約1:1の体積比で用いている。イソブタ
ンには、電子雪崩を抑制する働きがあり、アルゴンには
電子雪崩を増長する働きがある。大気圧より低い圧力で
ガス4を用いると入射電子5によって発生する電子群6
に含まれる電子数は少なくなる。そのため、測定可能な
信号がワイヤ3に発生しなくなる。そこで、低い圧力で
も充分大きな信号を発生させるためには、アルゴンの割
合を増やして電子雪崩を増長させればよい。
す。図2は、垂直型ドリフトチェンバの断面図である。
垂直型ドリフトチェンバは、電子入射窓1,陰極板2,
ワイヤ3及びガス4より構成されている。陰極板2とワ
イヤ3の間に約1kV/mmの電場ができるように陰極板
2に負の電圧を印加する。電子入射窓1より斜めに入射
してきた電子5は、チェンバ内部のガス4を電離する。
電離により発生した電子群6は、陰極板2及びワイヤ3
が作る電場の方向7に沿ってワイヤ3に向かってドリフ
トする。ドリフトした電子群6はワイヤ3近傍の電場の
高い領域8で電子雪崩を起こす。その電子雪崩によって
ワイヤに信号が発生する。ドリフト速度が一定であるな
らば、電子5が通過した時刻から信号が発生した時刻ま
での時間を測定することで、電子群6の発生した位置を
同定することができる。ガス4として、アルゴンとイソ
ブタンの混合ガスを用いると、電場強度によらずドリフ
ト速度が約40mm/μsec と一定となる。3本以上のワ
イヤ3からの信号から求めた電子群6の発生位置から、
入射電子5の軌道を同定することができる。本発明の概
要を図1に示す。2台の垂直型ドリフトチェンバの間に
磁場発生用のコイル9を設置することで、1台目のチェ
ンバ10を通過してきた電子はエネルギに応じたローレ
ンツ力を磁場から受けて軌道を曲げ、2台目のチェンバ
11に入射してくる。1台目のチェンバ10によって電
子の入射方向を同定でき、磁場発生用コイル9の作る磁
場の大きさと1台目と2台目のチェンバにおける電子の
軌道の違いから電子のエネルギを同定することができ
る。大気圧で、ガス4を使用する場合には、イソブタン
とアルゴンを約1:1の体積比で用いている。イソブタ
ンには、電子雪崩を抑制する働きがあり、アルゴンには
電子雪崩を増長する働きがある。大気圧より低い圧力で
ガス4を用いると入射電子5によって発生する電子群6
に含まれる電子数は少なくなる。そのため、測定可能な
信号がワイヤ3に発生しなくなる。そこで、低い圧力で
も充分大きな信号を発生させるためには、アルゴンの割
合を増やして電子雪崩を増長させればよい。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図3によ
り説明する。図3で、磁場発生用コイル9をはさんだ両
側に垂直型ドリフトチェンバ10及び11が設置してあ
る。垂直型ドリフトチェンバ10及び11を電子5が通
過すると、各ワイヤ3に信号が発生する。この信号をプ
リアンプ13で増幅した後、ディスクリミネータ14な
どを用いて矩形波に変換する。2台目の垂直型ドリフト
チェンバ11の後方に、プラスチックシンチレータ1
5,光ガイド16及び光電子増倍管17などから構成さ
れる電子検出器18を設置する。電子検出器18からの
信号をディスクリミネータ14などを用いて矩形波に変
換し、ドリフト時間を測定するための時間の基準矩形波
に用いる。この時間の基準矩形波と、矩形波に変換され
た各ワイヤ3からの信号の時間差を時間デジタル変換器
19などを用いて測定し、ドリフト時間を求める。あら
かじめ測定しておいたドリフト速度と測定したドリフト
時間から、入射電子5によってガス4が電離した位置か
ら各ワイヤまでの距離が求まる。3本以上のワイヤ3か
らのドリフト時間の情報から、入射電子によってガス4
が電離した位置について3点以上の情報が得られ、電子
の軌道が求まる。垂直型ドリフトチェンバ10を通過し
た電子は、磁場発生用コイル9の作る磁場によってロー
レンツ力を受け、電子エネルギに応じて軌道を曲げる。
この磁場発生用コイルの作る磁場値を変化させること
で、測定する逃走電子のエネルギの幅を変えることがで
きる。例えば、電子のエネルギが200MeVの場合、
磁場発生用コイル9が発生する磁場を0.1Tとし、0.
1mの領域を電子5が通過するとすれば、約9°電子5
の軌道が曲がる。電子5のエネルギが100MeVで
は、約13°電子5の軌道が曲がる。磁場発生用コイル
8の作る磁場によって軌道を曲げられた電子5は、垂直
型ドリフトチェンバ11に入射してくる。チェンバ10
における場合と同様にして、チェンバ11における電子
の軌道を求めることができる。この2台のチェンバ10
及び11によって測定した電子の軌道の角度の差から電
子のエネルギを測定することができる。垂直型ドリフト
チェンバの電子の角度の測定精度は、約1°程度である
ことから、200MeV程度のエネルギの電子が、0.
1Tの磁場を約0.1mの距離通過するとき、約25M
eV程度の精度で電子のエネルギを測定することができ
る。
り説明する。図3で、磁場発生用コイル9をはさんだ両
側に垂直型ドリフトチェンバ10及び11が設置してあ
る。垂直型ドリフトチェンバ10及び11を電子5が通
過すると、各ワイヤ3に信号が発生する。この信号をプ
リアンプ13で増幅した後、ディスクリミネータ14な
どを用いて矩形波に変換する。2台目の垂直型ドリフト
チェンバ11の後方に、プラスチックシンチレータ1
5,光ガイド16及び光電子増倍管17などから構成さ
れる電子検出器18を設置する。電子検出器18からの
信号をディスクリミネータ14などを用いて矩形波に変
換し、ドリフト時間を測定するための時間の基準矩形波
に用いる。この時間の基準矩形波と、矩形波に変換され
た各ワイヤ3からの信号の時間差を時間デジタル変換器
19などを用いて測定し、ドリフト時間を求める。あら
かじめ測定しておいたドリフト速度と測定したドリフト
時間から、入射電子5によってガス4が電離した位置か
ら各ワイヤまでの距離が求まる。3本以上のワイヤ3か
らのドリフト時間の情報から、入射電子によってガス4
が電離した位置について3点以上の情報が得られ、電子
の軌道が求まる。垂直型ドリフトチェンバ10を通過し
た電子は、磁場発生用コイル9の作る磁場によってロー
レンツ力を受け、電子エネルギに応じて軌道を曲げる。
この磁場発生用コイルの作る磁場値を変化させること
で、測定する逃走電子のエネルギの幅を変えることがで
きる。例えば、電子のエネルギが200MeVの場合、
磁場発生用コイル9が発生する磁場を0.1Tとし、0.
1mの領域を電子5が通過するとすれば、約9°電子5
の軌道が曲がる。電子5のエネルギが100MeVで
は、約13°電子5の軌道が曲がる。磁場発生用コイル
8の作る磁場によって軌道を曲げられた電子5は、垂直
型ドリフトチェンバ11に入射してくる。チェンバ10
における場合と同様にして、チェンバ11における電子
の軌道を求めることができる。この2台のチェンバ10
及び11によって測定した電子の軌道の角度の差から電
子のエネルギを測定することができる。垂直型ドリフト
チェンバの電子の角度の測定精度は、約1°程度である
ことから、200MeV程度のエネルギの電子が、0.
1Tの磁場を約0.1mの距離通過するとき、約25M
eV程度の精度で電子のエネルギを測定することができ
る。
【0010】図4に本発明の他の実施例を示す。図3に
おける2台目の垂直型ドリフトチェンバ11の代わり
に、複数の電子検出器18を設置する。1台目の垂直型
ドリフトチェンバ10を通過した電子は、磁場発生用コ
イル9の作る磁場によってローレンツ力を受け軌道を曲
げた後、複数の電子検出器18の内の1台に入射する。
どの位置に設置している電子検出器18に電子が入射し
てきたかの情報及び垂直型ドリフトチェンバ10からの
電子の軌道の測定値から、磁場によって曲げられた角度
を同定することができる。この情報及び磁場発生用コイ
ル8の作る磁場の大きさから、入射電子5のエネルギを
測定できる。
おける2台目の垂直型ドリフトチェンバ11の代わり
に、複数の電子検出器18を設置する。1台目の垂直型
ドリフトチェンバ10を通過した電子は、磁場発生用コ
イル9の作る磁場によってローレンツ力を受け軌道を曲
げた後、複数の電子検出器18の内の1台に入射する。
どの位置に設置している電子検出器18に電子が入射し
てきたかの情報及び垂直型ドリフトチェンバ10からの
電子の軌道の測定値から、磁場によって曲げられた角度
を同定することができる。この情報及び磁場発生用コイ
ル8の作る磁場の大きさから、入射電子5のエネルギを
測定できる。
【0011】
【発明の効果】本発明によれば、プラズマからの逃走電
子の方向及びエネルギを測定でき、逃走電子による核融
合装置の損傷の程度を詳しく同定することができる。
子の方向及びエネルギを測定でき、逃走電子による核融
合装置の損傷の程度を詳しく同定することができる。
【図1】本発明の原理の説明図。
【図2】垂直型ドリフトチェンバの断面図。
【図3】本発明の一実施例の説明図。
【図4】本発明の他の実施例の説明図。
3…ワイヤ、5…入射電子、8…電場の高い領域、1
0,11…垂直型ドリフトチェンバ、13…プリアン
プ、14…ディスクリミネータ、15…プラスチックシ
ンチレータ、16…光ガイド、17…光電子増倍管、1
8…電子検出器、19…時間デジタル変換器。
0,11…垂直型ドリフトチェンバ、13…プリアン
プ、14…ディスクリミネータ、15…プラスチックシ
ンチレータ、16…光ガイド、17…光電子増倍管、1
8…電子検出器、19…時間デジタル変換器。
Claims (3)
- 【請求項1】2台の垂直型ドリフトチェンバとデータ処
理系及び2台の垂直型ドリフトチャンバ間に設置してあ
る磁場発生用コイルからなる電子検出器において、上記
磁場発生用コイルを通過する前後での電子の軌道を上記
2台の垂直型ドリフトチャンバで測定し、その測定結果
と上記磁場発生用コイルが作る磁場の強度を用いて電子
のエネルギ及び移動方向を測定することを特徴とする電
子検出器。 - 【請求項2】請求項1において、上記磁場発生用コイル
を通過した後の電子検出器として2台以上のプラスチッ
クシンチレータとデータ処理系からなる電子検出器を用
いた電子検出器。 - 【請求項3】請求項1または2において、上記垂直型ド
リフトチェンバ内のガス圧を大気圧以上にする電子検出
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11996796A JPH09304539A (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 電子検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11996796A JPH09304539A (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 電子検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09304539A true JPH09304539A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14774637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11996796A Pending JPH09304539A (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 電子検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09304539A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014534414A (ja) * | 2011-09-21 | 2014-12-18 | セルン − ヨーロピアン オーガナイゼーション フォー ニュークリア リサーチCERN − European Organization for Nuclear Research | 単層3d追跡半導体検出器 |
| CN109283588A (zh) * | 2018-11-01 | 2019-01-29 | 同方威视技术股份有限公司 | 重建粒子径迹的方法和设备、以及检查方法和检查设备 |
-
1996
- 1996-05-15 JP JP11996796A patent/JPH09304539A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014534414A (ja) * | 2011-09-21 | 2014-12-18 | セルン − ヨーロピアン オーガナイゼーション フォー ニュークリア リサーチCERN − European Organization for Nuclear Research | 単層3d追跡半導体検出器 |
| CN109283588A (zh) * | 2018-11-01 | 2019-01-29 | 同方威视技术股份有限公司 | 重建粒子径迹的方法和设备、以及检查方法和检查设备 |
| CN109283588B (zh) * | 2018-11-01 | 2024-04-19 | 同方威视技术股份有限公司 | 重建粒子径迹的方法和设备、以及检查方法和检查设备 |
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