JPH09306612A - メモリモジュール及びそのコネクタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 構成が簡単且つ安価に製造可能なメモリモジ
ュール用コネクタ及びそれをメモリ基板と共に使用し
て、多段構成に使用可能にするメモリモジュールを提供
すること。 【解決手段】 対向する前後面に圧入固定されるコンタ
クト３０、４０列を有する細長いハウジング２０と、そ
の両端部に固定されたラッチ５０ａ、５０ｂによりコネ
クタ１０、９０を形成する。メモリ基板６０、８０には
一端縁の両面にコンタクト又はパッド８２を有し、複数
のＩＣメモリ８３と共にＤＩＭＭを構成する。この基板
８０上にはコネクタ９０を一体に設けて多段接続可能な
メモリモジュール７０ａ〜７０ｃを構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はメモリモジュール、
特にパーソナルコンピュータ（ＰＣ）等に使用する拡張
又は増設メモリモジュール及びそれに使用するコネクタ
に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路（ＩＣ）技術、特にマイ
クロプロセッサ（ＭＰＣ）技術の進歩により、これを使
用するＰＣ等は益々高速高性能化している。同様にＩＣ
技術を使用する半導体メモリ（ＲＡＭ：ランダムアクセ
スメモリ及びＲＯＭ：リードオンリーメモリ）を使用す
るメモリモジュールも、そのメモリ容量は益々増加して
いる。

【０００３】ＰＣ等においては高性能化と共に低価格化
の競争が著しい。従って、ＰＣ等の内蔵半導体メモリ容
量は必要最低限とした標準品を用意して標準品の低価格
化を実現している。しかし、ユーザ又は用途によっては
標準ＰＣの内蔵半導体メモリ容量では不足する場合が多
い。その場合の対策としてＰＣメーカーにあっては例え
ば８ＭＢ（メガバイト）、１６ＭＢ、２４ＭＢ等のメモ
リ容量の拡張（又は増設）メモリモジュールをオプショ
ンとして用意している。

【０００４】斯る拡張メモリモジュールをＰＣ内のマザ
ーボードに接続する為に、ＰＣ内部にＳＩＭＭ（シング
ルインラインメモリモジュール）又はＤＩＭＭ（デュア
ルインラインメモリモジュール）用コネクタを設けてい
るのが一般的である。ユーザーは必要に応じて前述した
オプションのメモリモジュール（ＳＩＭＭ又はＤＩＭ
Ｍ）を購入して斯るコネクタに接続又は交換することに
より、予め内蔵されているメモリに拡張メモリを付加す
ることが可能になる。

【０００５】ＳＩＭＭ用コネクタの例は米国特許第４，
８５０，８９２号、同第５，００２，４９４号又は実開
平６−３１０８８号公報に開示されている。米国特許第
４，８５０，８９２号のコネクタは最大２個（又は２
枚）のＳＩＭＭが主基板に対して直角関係で配置接続さ
れる。米国特許第５，００２，４９４号又は実公平６−
３１０８８号公報のコネクタにあっては主基板に対して
略平行状態でＳＩＭＭを配置接続する。また、米国特許
第５，４８４，３０２号には実開平６−３１０８８号公
報に開示するコネクタの弾性ラッチ装置を開示してい
る。

【０００６】更にメモリ容量が増加すると、ＳＩＭＭで
は不十分となり、基板端面（エッジ）の両面にコンタク
トを形成配置している。斯るＤＩＭＭ用コネクタの例は
米国特許第５，２６３，８７０号、同第５，４４３，３
９４号及び同第５，４２５，，６５１号等に開示されて
いる。

【０００７】

【発明の解決課題】従来のＳＩＭＭ又はＤＩＭＭ等のメ
モリモジュールはＳＩＭＭ又はＤＩＭＭ用コネクタのス
ロットに購入したメモリモジュール例えば８ＭＢの拡張
メモリを挿入接続している。しかし、例えば２４ＭＢに
メモリ容量を拡張又は増設する必要がある場合には、使
用中の８ＭＢメモリモジュールを抜去して新しい２４Ｍ
Ｂのメモリモジュールに交換する。その結果、８ＭＢの
メモリモジュールは不要となる。メモリモジュールの価
格は低下しつつあるが、これらメモリモジュールはまだ
相当高価であるので、資源の無駄又は浪費となる。更に
また、従来の拡張メモリを使用すると大きなスペースを
占有するという問題があった。

【０００８】従って、上述した拡張メモリモジュールの
非効率性に着目し、メモリ容量の拡張が必要となった場
合に、現在使用中の高価なメモリモジュールを活用して
一層大きいメモリ容量を実現すること及び比較的小さい
スペースの占有でメモリ拡張が可能なメモリモジュール
及びその為のコネクタを提供することを本発明の目的と
する。

【０００９】

【課題解決の為の手段】上述した従来技術の課題を解決
し、上述の目的を実現する為に、本発明のメモリモジュ
ールは２段又は多段構成とし、新しいメモリモジュール
には従来使用していたメモリモジュールを接続する為の
コネクタを一体に形成されている。更に具体的には、端
縁に沿って多数のコンタクトが形成されると共に半導体
メモリが載置接続された回路基板と、この回路基板に取
付接続されたコネクタとを具える。このコネクタには使
用中のメモリモジュールを接続し、新しいメモリモジュ
ールを従来のメモリモジュール用コネクタのスロットに
接続する。これにより、新たなメモリモジュールと今ま
で使用していたメモリモジュールが並列接続されて両メ
モリモジュールのメモリ容量の総和に等しい大きいメモ
リ容量のメモリモジュールが２段構成で実現できる。

【００１０】好適実施形態にあっては、例えば８ＭＢの
メモリモジュールを使用中とすると、新しく１６ＭＢの
メモリモジュールと交換し且つ今まで使用していた８Ｍ
Ｂのメモリモジュールをコネクタスロットに接続するこ
とにより合計２４ＭＢのメモリ容量のメモリモジュール
が得られる。これにより、現在使用中の８ＭＢのメモリ
モジュールを有効利用可能である。

【００１１】更に本発明のメモリモジュール用コネクタ
によると、細長いハウジングの対向する２面の一方から
他方に延びる弾性接触片を有する第１コンタクトと、他
方から一方へ延びる弾性接触片を有する第２コネクタと
を有する。相互に所定間隔で離間する第１及び第２コン
タクトの弾性接触片間に、両面にコンタクト（又はパッ
ド）が形成されたメモリモジュールの基板のエッジを挿
入接続する。

【００１２】斯るメモリモジュール用コネクタにあって
は、第１及び第２コンタクトの弾性接触片はメモリモジ
ュールの基板エッジ両面のコンタクトに接触可能である
ので、大メモリ容量のＤＩＭＭの使用が可能である。更
に、基板面とコネクタに挿入接続されるメモリモジュー
ルの面間に半導体メモリを載置する十分なスペースを設
けることが可能である。

【００１３】

【発明の実施形態】以下、本発明のメモリモジュール及
びそのコネクタの好適実施形態を添付図を参照して詳細
に説明する。

【００１４】先ず図１（Ａ）乃至（Ｄ）を参照して、本
発明のメモリモジュール用コネクタ（以下単にコネクタ
という）の好適実施形態を説明する。図１（Ａ）はコネ
クタ１０の正面図、即ち半導体（又はＩＣ）メモリ載置
基板６０の挿入接続側から見た図、図１（Ｂ）はコネク
タ１０の上面又は平面図、図１（Ｃ）はコネクタ１０の
右側面図、図１（Ｄ）は図１（Ｂ）のコネクタ１０の円
Ｄで囲まれた部分の拡大図である。

【００１５】また、図２（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ図
１（Ｄ）の線Ａ−Ａ及び線Ｂ−Ｂに沿うコネクタ１０の
断面図を示す。特に、図２はコネクタ１０の細長いハウ
ジング２０と、その対向する２面２１、２２に取付けら
れた夫々複数の第１及び第２コンタクト３０、４０を示
す。

【００１６】図１及び図２から明らかな如く、本発明の
コネクタ１０は細長いハウジング２０、このハウジング
２０の対向する２面２１、２２に相互にオフセットして
（スタガ状に）挿入固定される複数の第１コンタクト３
０及び第２コンタクト４０並びにハウジング２０の両端
に取付けられる好ましくは弾性金属板製の１対のコネク
タ固定兼メモリ基板ラッチ用金具５０ａ、５０ｂより構
成される。

【００１７】図示する特定例のコネクタ１０のハウジン
グ２０は長さ約６３ｍｍであり高さ約１０ｍｍである。
第１及び第２コンタクト３０、４０はハウジング２０の
対向する２面２１、２２に長手方向に沿って約０．８ｍ
ｍピッチで高密度に配列され、例えば厚さ０．２ｍｍの
弾性金属板を打ち抜き加工して形成される。第１及び第
２コンタクト３０、４０は例えば合計１４４個である
が、用途に応じて任意個数のコンタクトが選定可能であ
ること勿論である。

【００１８】図１（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｄ）に示す如
く、ハウジング２０には全長に亘り一定ピッチ（例えば
０．８ｍｍ）で第１及び第２コンタクト３０、４０を配
列している。しかし、メモリ基板を誤って上下（表裏）
反転してコネクタ１０に挿入接続するのを阻止する為に
後述する如くメモリ基板には前端（挿入端）縁の中央か
ら一側にオフセットした位置に切欠きを有する。この切
欠きと係合する誤挿入防止突起２４が、ハウジング２０
の中央部から図中僅かに左側寄りに形成されている。従
って、この突起２３近傍のみコンタクト３０、４０の配
列ピッチがずれている。（より正確には、コンタクトを
一部分欠落させている。）

【００１９】図２（Ａ）及び（Ｂ）に最もよく示す如
く、第１及び第２コンタクト３０、４０は夫々ハウジン
グ２０の対向する２面２１、２２に圧入固定された表面
実装型（ＳＭＴ）コンタクトである。第１コンタクト３
０は、図１（Ｂ）中破線で示すメモリ基板又はメモリモ
ジュール６０の挿入端側の面２１の底部２５から上方に
起立する略直線状基部３１、下端近傍から外方に延びる
半田付テール３２、他端近傍に形成された圧入固定部３
３を有する。また、第１コンタクト３０は前記他端（又
は上端）から他面２２側に延びる弾性接触片（コンタク
トビーム）３４を有する。この弾性接触片３４はハウジ
ング２０の長手方向に形成されたスロット２３の底面近
傍において、一面２１側から他面２２側へ延びる。この
弾性接触片３４の先端（自由端）近傍には、僅かに上方
に湾曲突出した接触部（接点部）３５が形成されてい
る。

【００２０】第２コンタクト４０は図２（Ｂ）に最もよ
く示す如く、第１コンタクト３０と類似する形状を有す
る。即ち、第２コンタクト４０は、ハウジング２０の他
面２２側に配置される垂直基部４１、その下端から外方
に延びる半田テール４２、基部４１の上端近傍から内方
へ延びる圧入固定部４３、上端からハウジング２０のス
ロット２３上壁に沿って一面２１側に延びる比較的長い
弾性接触片４４を有する。この弾性接触片４４の先端に
は下方に湾曲する接触部４５を有する。

【００２１】尚、図２（Ａ）及び（Ｂ）には、各断面位
置では見られない夫々第２コンタクト４０及び第１コン
タクト３０を破線で示す。第１及び第２コンタクト３
０、４０の接触部３５、４５は上下且つ前後方向に僅か
に離間して配置形成される。これら両コンタクト３０、
４０の弾性接触片３４、４４の接触部３５、３５間に基
板取付底面２５に対して鋭角でメモリ基板６０の端縁が
挿入され、回動する。これによりメモリ基板６０の端縁
の両面に形成されたコンタクトパッド（図示せず）と第
１及び第２コンタクト３０、４０の接触部３５、４５間
に電気的接触が確立される。

【００２２】メモリモジュール６０をコネクタ１０に接
続するには、従来のＳＩＭＭ又はＤＩＭＭソケットと同
様に、メモリ基板６０のコンタクトが形成された前端縁
（エッジ）をコネクタ１０のハウジング２０のスロット
２３の入口に当接させる。即ち、図２（Ａ）及び（Ｂ）
中に破線で示す如く、水平に対して鋭角で端縁を両コン
タクト３０、４０の弾性接触片３４、４４の接触部３
５、４５間の間隙に位置合せした後、スロット２３内に
押込む。この際に、メモリ基板６０の端縁の切欠きと、
ハウジング２０の突起２４とが正しく位置合せ、即ちメ
モリ基板６０が表裏反転せず正しい方向でない限り、メ
モリ基板６０はコネクタ１０に挿入接続できないように
する。誤挿入防止機構が設けられている。スロット２３
に正しく位置合せされたメモリ基板６０を、上述した鋭
角状態から、図２（Ａ）及び（Ｂ）中に同様に破線で示
す水平状態に回動（旋回）する。この回動により、メモ
リ基板６０の端縁の両面に例えば０．８ｍｍピッチで形
成されたコンタクト（図示せず）と、コネクタ１０の第
１及び第２コンタクト３０、４０の接触部３５、４５が
相互に弾性的に接触する。

【００２３】尚、コネクタ１０のハウジング２０の底面
２５の両端近傍には、このコネクタ１０を取付ける主基
板（例えばＰＣのマザーボード）の位置合せ孔（図示せ
ず）と位置合せする為のアライメント突起２６が形成さ
れている。このアライメント突起２６により、コネクタ
１０と主基板間が正確に位置合せされる。この主基板に
は２列のパッドが例えば０．８ｍｍピッチで形成されて
いる。コネクタ１０を主基板に取付けると、コネクタ１
０の第１及び第２コンタクト３０、４０の半田テール３
２、４２が上述した主基板のパッドと正しく位置合せさ
れる。そこで、従来の半田クリーム又は半田ペーストを
用い、且つ赤外線又はレーザビーム等の熱線を照射する
ことにより、周知の方法でリフローして表面実装接続す
る。

【００２４】コネクタ１０とメモリ基板６０との相互接
続は、コネクタ１０を主基板に取付ける前又は後のいず
れであってもよい。上述した方法でメモリ基板６０をコ
ネクタ１０のハウジング２０のスロット２３に挿入回動
して接続すると、上述した例えば弾性金属板製のラッチ
５０ａ、５０ｂがメモリ基板６０の基板の両側縁に形成
された凹部等のラッチ部とラッチ係合して、メモリ基板
６０がコネクタ１０から回動し、且つ挿入方向と反対方
向へ移動して、相互接続が外れる（非接触状態となる）
のを阻止する。尚、ラッチ５０ａ、５０ｂは例えば上述
した米国特許第５，４８４，３０２号に開示する如き従
来構成のものでもよい。

【００２５】メモリ基板６０は別のメモリモジュールと
交換その他の理由でコネクタ１０から抜去する必要が生
じ得る。その場合には、ラッチ５０ａ、５０ｂの先端
（自由端）を外方（相互に離れる方向）に指又は適当な
工具を用いて弾性的に撓ませることにより、ラッチ解除
できる。その後、メモリ基板６０の後端を上方へ回動
（旋回）すると共に、ハウジング２０のスロット２３か
ら引き抜くことにより抜去可能である。即ち、メモリ基
板６０の抜去操作は挿入接続操作の逆である。図１
（Ｂ）中にはラッチ５０ａ、５０ｂのラッチ解除の際の
外方への撓み状態を破線にて図示している。

【００２６】尚、各ラッチ５０ａ、５０ｂは、図１
（Ｃ）の側面図に最もよく示す如く、ラッチ係合部５１
の近傍から主基板又は取付基板面に垂下する取付脚５２
を有し、主（取付）基板面に沿って折曲げた取付面５３
を主（取付）基板面のパッドに半田付固定している。斯
る構成とすることにより、コネクタ１０及びラッチ５０
自体の主（取付）基板への固定強度の増強が可能とな
る。その結果、メモリ基板６０が、使用中に偶発的にコ
ネクタ１０から離脱する虞れが確実に排除できる。しか
し、ラッチ５０の先（自由）端又は操作部５４を操作す
ると、ラッチ５０は取付面５３及びハウジング２０への
固定部５５を中心に外方へ旋回運動するので、メモリ基
板６０のラッチ解除が可能になる。

【００２７】次に、図３及び図４を参照して本発明によ
るメモリモジュール７０の好適実施形態を説明する。図
３（Ａ）はメモリモジュール７０の正面図、図３（Ｂ）
はその平面（又は上面）図、図３（Ｃ）は側面図を示
す。また、図４（Ａ）乃至（Ｃ）は図３に示すメモリモ
ジュール７０と同様の複数のメモリモジュール７０ａ乃
至７０ｃを２段又は多段構造に接続して使用する状態の
説明図である。

【００２８】本発明のメモリモジュール７０はメモリ基
板（又は回路基板）８０と、この基板に電気的及び機械
的に取付けられているコネクタ９０とより構成される。
メモリ基板８０は前端縁８１の上下両面に多数のコンタ
クト８２が形成され、中央から少し外れた位置に誤接続
防止用切欠き８３を有する。更に、図３（Ｂ）に破線で
示す如く、メモリ基板８０の少なくとも一面（好ましく
は両面）に複数のＲＡＭ等のＩＣメモリ８４が接続され
ている。また、メモリ基板８０の両側縁にはラッチ用凹
部８５が形成され、前端縁８１の近傍の両側には位置決
め孔８６が形成されている。

【００２９】コネクタ９０は実質的に前述したコネクタ
１０と同様であり、細長い絶縁ハウジング９１、第１及
び第２コンタクト９２、９３及び一対のラッチ９４を有
する。実質的にコネクタ１０と同一構成であってもよい
ので、ここでは説明を反復しない。

【００３０】本発明のメモリモジュール７０は複数のＩ
Ｃメモリ８４を有するメモリ基板８０と、その一面（例
えば上面）に取付けたコネクタ９０とより成る一体構造
であることを特徴とする。

【００３１】次に、図４（Ａ）乃至（Ｃ）を参照して、
本発明のメモリモジュール７０の使用方法を説明する。
先ず、図４（Ａ）には本発明による第１メモリモジュー
ル７０ａを示す。このメモリモジュール７０ａは図３を
参照して上述したメモリモジュール７０と実質的に同一
構成であり、メモリ基板８０ａとコネクタ９０ａとが一
体形成されている。メモリ基板８０ａにはＩＣメモリ
（図示せず）が載置接続されていること勿論である。図
４（Ａ）のコネクタ９０ａに例えば約２５°の鋭角で挿
入接続される別の（第２）メモリモジュール７０ｂの概
略輪部を破線で図示している。この別のメモリモジュー
ル７０ｂは従来のＳＩＭＭ又はＤＩＭＭであってもよ
い。

【００３２】図４（Ｂ）は、第１メモリモジュール７０
ａに第２メモリモジュール７０ｂを相互接続する為に挿
入している状態を示す側面図である。第２メモリモジュ
ール７０ｂも実質的に第１メモリモジュール７０ａと同
じ寸法形状であることが可能であるが、この特定例にあ
ってはメモリ基板８０ｂの全長がメモリ基板８０ａより
僅かに短くしている。これは、第２メモリモジュール７
０ｂを第１メモリモジュール７０ａに接続した際に、第
２メモリモジュール７０ｂが第１メモリモジュール７０
ａの外方に突出するのを阻止する為である。しかし、電
子機器内に十分なスペースがある場合には、第１及び第
２メモリモジュール７０ａ、７０ｂを共に同一寸法形状
としてもよいこと勿論である。

【００３３】図４（Ｃ）は第１メモリモジュール７０ａ
に第２メモリモジュール７０ｂを完全に接続した状態を
示す。即ち、図４（Ｂ）の第２メモリモジュール７０ｂ
を左端縁を中心に約２５°旋回すると共に、コネクタ９
０ａのラッチに第２メモリモジュール７０ｂのメモリ基
板８０ａの係合部８５ａを係合させている。この第２メ
モリモジュール７０ｂは、それ自体ＩＣメモリが搭載さ
れた所望メモリ容量のメモリを有する。しかし、一体的
に接続されたコネクタ９０ｂを有するので、このコネク
タ９０ｂに従来のＳＩＭＭ又はＤＩＭＭを可とするメモ
リモジュール或は更に別の（第３）のメモリモジュール
７０Ｃを順次多段構成に接続することが可能である。こ
の第３メモリモジュール７０Ｃを図４（Ｃ）中に破線で
示している。

【００３４】尚、エレクトロニクスの通常の知識を有す
る者には容易に理解できるところであるが、このように
多段接続された複数のメモリモジュール７０ａ乃至７０
ｃは選択的に動作する。即ち、コネクタ９０ａ乃至９０
ｃの多数のコンタクトピン中にはＲＦＵ（Ｒｅｓｅｒｖ
ｅｄ ｆｏｒ Ｆｕｔｕｒｅ Ｕｓｅ）と称される複数
のピンを設ける。このピンを使用してメモリモジュール
７０ａ乃至７０ｃのいずれかを選択的に付勢することに
より、複数段のメモリバンクを並列的に使用する。この
付勢信号は一般にＣＰＵ等から送られる。

【００３５】

【発明の効果】以上の説明から判るように、本発明のメ
モリ用コネクタはＩＣメモリが載置又は搭載されたメモ
リ基板面に載置された細長く且つ比較的背の高いハウジ
ングを有する。その対向する前後両面に第１及び第２コ
ンタクトを多数並列に配置し、各コンタクトの弾性接触
部をスロット内に離間配置する。この離間した弾性接触
部間にメモリモジュールのメモリ基板のコンタクトが形
成された端縁を鋭角に挿入し、旋回して、ハウジング両
端のラッチにてメモリモジュールをラッチ固定するよう
構成している。これら第１及び第２コンタクトは弾性金
属板から打抜き形成され、ハウジングの両外面から所定
ピッチで圧入固定することにより、比較的容易且つ安価
に製造可能である。また１対のラッチもハウジングの両
端部に容易に固定可能である。ハウジングの底面両端近
傍にはアライメント突起が形成され、メモリ基板の対応
するアライメント孔に嵌合することにより、高密度の第
１及び第２コンタクトの半田テールをメモリ基板の対応
するパッドに確実にアライメント可能である。また、１
対のラッチは弾性金属板を打抜き折曲げ加工により形成
でき、例えばハウジングの溝に圧入固定等により固定可
能である。更に、ラッチはラッチ係合部近傍から垂下し
てメモリ基板に半田付固定される脚部を有する。これに
よりコネクタを基板に確実に固定でき、しかも動作中に
メモリモジュールの偶発的なラッチ解除がなされる虞れ
を効果的に防止する。

【００３６】また、本発明のメモリモジュールによる
と、ＩＣメモリが搭載されるメモリ基板の一面に一体的
にコネクタが接続されている。斯るメモリモジュールは
メモリ基板の一端縁に形成されたコンタクトを例えばＰ
Ｃ等の電子機器の主基板即ちマザーボードのコネクタ
に、予め接続されているメモリモジュールに代って接続
することが可能である。この本発明のメモリモジュール
のコネクタには上述の取外されたメモリモジュールを再
度接続して同時使用することが可能になる。或は同様構
成のメモリ基板とコネクタとが一体形成された複数の本
発明のメモリモジュールを相互に多段構成に接続するこ
とが可能である。従って、マザーボードの上方に十分な
スペースがある場合には、マザーボード上の占有面積を
実質的に増加することなくメモリ容量を拡張することが
でき、高価なメモリモジュールを無駄にすることがな
い。本発明の特定例にあっては、メモリモジュール１個
の高さは約１１ｍｍであり、２段構成に接続しても約２
０ｍｍ程度の低背構造である。２段構成のメモリモジュ
ールに第３のメモリモジュールを挿入抜去する際の最大
高さ約３０ｍｍに抑えることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のメモリモジュール用コネクタの好適例
を示し、（Ａ）は正面図、（Ｂ）は平面図、（Ｃ）は側
面図、（Ｄ）は（Ｂ）の円Ｄに囲まれた内部分の拡大
図。

【図２】図１（Ｂ）のメモリモジュール用コネクタの線
Ａ−Ａ及び線Ｂ−Ｂに沿う断面図。

【図３】本発明のメモリモジュールの好適例を示し、
（Ａ）は正面図、（Ｂ）は平面図、（Ｃ）は側面図。

【図４】図３に示した本発明のメモリモジュールの使用
状態を説明する図を示し、（Ａ）は単一メモリモジュー
ルに挿入抜去される第２のメモリモジュールとの関係を
破線で示し、（Ｂ）は第１のメモリモジュールに第２の
メモリモジュールの挿入状態、（Ｃ）は第１のメモリモ
ジュール接続された第２のメモリモジュールに第３のメ
モリモジュールを挿入抜去する状態を破線で示す。

【符号の説明】

１０、９０ コネクタ ２０ ハウジング ３０、４０ コンタクト ６０、８０ メモリ（回路）基板 ７０ａ、７０ｂ、７０ｃ メモリモジュール ５０ａ、５０ｂ ラッチ ３４、４４ 弾性接触片 ８１ 端縁（エッジ） ８２ コンタクト（パッド）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 端縁に沿って複数のコンタクトが形成さ
   れ半導体メモリが載置接続された回路基板と、 該回路基板の前記コンタクトから離間し且つ略平行に配
   置されたコネクタとを具え、 該コネクタに他のメモリモジュールのコンタクトが挿入
   接続され多段構成となり得ることを特徴とするメモリモ
   ジュール。
2. 【請求項２】 長手方向に対向する２面を有する細長い
   絶縁ハウジングと、 該ハウジングの前記２面の一面から他面に延びる弾性接
   触片を有する複数の第１コンタクトと、 前記ハウジングの前記他面から前記一面に延びる弾性接
   触片を有する複数の第２コンタクトと、 前記第１及び第２コンタクトの相互に離間した前記弾性
   接触片間に複数のコンタクトが形成された基板エッジを
   挿入接続するよう構成したことを特徴とするメモリモジ
   ュール用コネクタ。