JPH09306833A - 露光方法 - Google Patents

露光方法

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JPH09306833A
JPH09306833A JP9008222A JP822297A JPH09306833A JP H09306833 A JPH09306833 A JP H09306833A JP 9008222 A JP9008222 A JP 9008222A JP 822297 A JP822297 A JP 822297A JP H09306833 A JPH09306833 A JP H09306833A
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sensitive substrate
scanning
wafer
exposure
mask
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JP9008222A
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English (en)
Inventor
Kazuaki Suzuki
一明 鈴木
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 一ショット領域毎に交互に走査方向を切り換
えてウエハ全体の露光を行う際、欠けショット領域のデ
フォーカスをなくす。 【解決手段】 所定形状の照明領域に対して転写用のパ
ターンが形成されたマスクを所定方向に走査し、照明領
域に対して所定方向に感応基板を走査することにより、
マスクのパターンの像を感応基板上に露光する方法であ
って、マスクを載置したマスクステージと感応基板を載
置した基板ステージとを所定の位置関係に整合した後、
感応基板の外側から内側に向けて走査露光する露光ステ
ップと、露光ステップ中、非走査方向に配列した複数の
検出点の各々で感応基板のフォーカスの位置を検出する
検出ステップとを有し、前記検出ステップは、走査方向
と交差する感応基板の周縁部の位置情報と基板ステージ
の移動位置情報とに基づいて複数の検出点を選択する選
択するステップを含む構成とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば矩形、また
は円弧上等の照明領域に対して、マスクおよび感光基板
(感応基板)を同期して走査することにより、マスク上
のパターンを逐次感光基板上に露光するいわゆるステッ
プ・アンド・スキャン方式の露光装置に好適な露光方法
および露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、ステップ・アンド・スキャン
方式の露光においては感光基板(以下ウエハと表現す
る。)の外周部分の露光領域に対しては、光軸方向の位
置制御の応答遅れを避けるため、感光基板の内側から外
側に向かって走査露光するような露光シーケンスが提案
されていた(特開平7-161614号公報)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記のような露光シー
ケンスにおいては、ウエハの外周部分の露光領域(以
下、適宜欠けショット領域と表現する。)の全てに対し
て感光基板の内側から外側への一定方向という走査露光
の方向に制限があるため、露光シーケンスの工夫から発
生するウエハ・ステージの移動距離の拡大や、マスクス
テージを一度戻すための走査(マスクステージの空スキ
ャン)が必要となり、スループットが低下するといった
欠点があった。また、スループットの低下を防ぐために
欠けショット領域においてウエハの外側から内側に向け
て走査露光する露光シーケンスを用いると、ウエハの光
軸方向の位置を検出する検出点がウエハの外側からウエ
ハの周縁部(エッジ)に達した際に、光軸方向の追従性
が追いつかずに位置制御の応答遅れが発生してしまう。
このため、その欠けショット領域はデフォーカス状態と
なり無駄な露光を行うことになってしまう。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記本題の解決のため
に、本発明では感光基板としてのウエハ上の欠けショッ
ト領域をウエハのの外側から内側に向けて走査露光でき
るようにするために、非走査方向に配列された複数の検
出点でウエハのフォーカス位置(光軸方向の位置)を検
出する多点フォーカスセンサを設け、ウエハの周縁部の
位置情報とウエハステージの移動位置情報とに基づいて
多点フォーカスセンサー中の複数の検出点を選択的に使
用することとした。
【0005】
【発明の実施の形態】本発明では、感光基板としてのウ
エハのフォーカスの位置(光軸方向の位置)を検出する
複数の検出点をウエハの周縁部の位置情報とウエハステ
ージの移動位置情報とに基づいて選択的に使用するの
で、ウエハの外側から内側に向けて走査する露光シーケ
ンスをスループットを落とすことなく可能とした。これ
により、デフォーカスすることなく欠けショット領域を
露光することができ、ウエハ全体の露光を一ショット領
域毎に交互に走査方向を切り替えながら光軸方向の位置
制御を行うことができる。従ってウエハ・ステージまた
はマスク・ステージの動きを最小化でき、高いスループ
ットを達成できる。
【0006】そこで以下に、本発明の好適な実施形態に
ついて添付の図面を参照して説明するが、本実施例では
投影光学系として複数枚の屈折レンズ素子よりなる屈折
系型投影光学系の使用を前提とする。しかしながら本発
明はそれに限定されることなく、屈折レンズ素子と反射
素子(凹面鏡等)とを組み合わせた反射−屈折型の投影
光学系を使用できることは言うまでもない。
【0007】図1は本実施例の投影露光装置を示し、こ
の図1において不図示の露光光源と照明光学系からの露
光光ILにより、レチクルRのパターン面(下面)上の
スリット状の照明領域1がほぼ均一な照度で照明されて
いる。レチクルRはレチクルホルダー2の上面に真空チ
ャックにより保持され、レチクルホルダー2はレチクル
ステージ3上に固定され、そしてレチクルステージ3は
レチクルガイド4上にエアーガイド等により支持されて
X方向に移動自在に載置されている。
【0008】そのレチクルステージ3は、走査露光時に
リニアモータ方式等によりレチクルガイド4上を+X方
向又は−X方向に一定速度で走査される。即ち、レチク
ルRの走査方向は図1中の紙面内で左右方向の±X方向
である。さて、レチクルステージ3のX方向の一端には
移動鏡5が固定され、そこにはレチクル干渉計モニタ部
13からの計測用レーザビームLbrが投射される。そ
してレチクル干渉計モニタ部13は移動鏡5で反射され
たビームを受光して、レチクルステージ3のX方向の位
置変化を逐次計測している。レチクル干渉計モニタ部1
3の位置計測結果は、装置全体の動作を制御する主制御
系20に供給され、主制御系20はレチクルステージ駆
動部14を介してレチクルステージ3の移動速度及び移
動位置を制御する。
【0009】尚、図1中のレチクル干渉計モニタ部13
は、X方向の1軸のみしか示していないが、図1中の紙
面と垂直なY軸に関しても同様の干渉計モニタ部が設け
られ、レチクルステージ3のY方向の位置変化も逐次計
測している。さらにレチクルステージ駆動部14は、走
査露光中に生じるレチクルステージ3のY方向の位置を
Y軸方向の干渉計モニタ部からの計測結果に基づいて制
御する。
【0010】また、照明領域1内のレチクルR上に形成
された回路パターンの一部の像は投影光学系PLを介し
てウエハW上にスリット状の露光領域6として結像され
る。ここで投影光学系PLの光軸は、X軸とY軸で規定
される面(レチクルRのパターン面とウェハWの表面)
と垂直なZ軸と平行になっているものとする。そしてウ
エハWはウエハホルダ8上に真空チャックにより保持さ
れ、ウエハホルダ8は、ウエハWの露光面の補正機構と
してのZレベリングステージ(駆動部を含む)10上に
載置され、Zレベリングステージ10がXYステージ1
1上に載置されている。
【0011】Zレベリングステージ10は、投影光学系
PLの光軸に平行なZ方向に粗くウエハWを位置決めす
るZステージと、例えば3個のアクチュエータの伸縮量
を調整して、ウエハWのZ方向の位置(フォーカス位
置)及び傾斜角を微調整するレベリングテーブル等で構
成され、XYステージ11はZレベリングステージ10
(ひいてはウエハW)を投影光学系PLの光軸に垂直な
2次元平面(XY平面)内で位置決めすると共に、±X
方向にZレベリングステージ10を走査する機能を有す
る。
【0012】Zレベリングステージ10上には移動鏡1
2が固定され、その移動鏡12にはウエハ干渉計モニタ
部15からの計測用レーザビームLBwがX方向とY方
向の各々に沿って投射される。そして移動鏡12で反射
されたビームはウエハ干渉計モニタ部15内のレシーバ
で受光され、ウエハ干渉計モニタ部15はZレベリング
ステージ10(ウエハW)のXY平面内での座標位置を
逐次計測している。その計測結果は主制御系20に供給
され、主制御系20はウエハステージ駆動部16を介し
てXYステージ11とZレベリングステージ10の各動
作を制御する。
【0013】また主制御系20は、走査露光時にウエハ
ステージ駆動部16を介してXYステージ11の動作を
制御し、ウエハWをX方向(又は−X方向)に一定速度
で走査移動させる。この場合、投影光学系PLの投影倍
率をβとすると、レチクルRが−X方向(又はX方向)
に速度VR0で走査されるのに同期して、ウエハWはX
方向(又は−X方向)に速度VW0(=β・VR0)で
走査される。
【0014】さて本実施例では、ウエハWの露光面の状
態を検出するセンサとして、オートフォーカス用の光学
式の焦点位置検出系(以下、「AFセンサー」という)
を使用する。そのAFセンサーは送光系7a及び受光系
7bより構成され、送光系7aからの検出用照明光AL
(ウエハ上のレジストを実質的に感光させ難い波長域)
は投影光学系PLの光軸及びウエハ面に対して斜め(例
えばウエハ面に対して10°以下)に露光領域6内のウ
エハWの露光面上にスリット像として投影される。
【0015】このスリット像からの反射光は受光系7b
内で振動スリット板のスリット部にスリット像として再
結像され、その振動スリット板のスリットを通過したウ
エハからの反射光は光電変換器で光電変換される。この
光電変換信号は受光系7b内で振動スリット板の駆動信
号よって同期検波され、受光系7bはウエハW上の露光
領域6の表面のZ方向の位置ずれ、すなわち投影光学系
PLの最良結像面(フォーカス位置)を基準とした所定
のZ範囲内でのウエハ表面の位置ずれとリニアに対応し
たフォーカス信号を生成する。
【0016】このフォーカス信号は主制御系20に供給
されて、Zレベリングステージ10の光軸方向(Z方
向)の位置調整、或は傾斜状態の調整に使われる。この
場合フォーカス信号は、ウエハWの露光面が投影光学系
PLの最良結像面に対して、例えば±0.1μmの許容
範囲内で合致しているときに、所定の基準値(例えば
零)になるように予めキャリブレーションされているも
のとする。
【0017】ところで、AFセンサーの詳細な構成の一
例は、例えば本出願人による特開昭60-168112号公報に
開示されている。また本発明では、走査露光時のウエハ
露光面に対する合焦制御性を高めるために、AFセンサ
ー(7a,7b)が露光領域6に対して走査方向の手前
側の一部分を含む局所領域内の多数の計測点(検出点)
の各々でZ方向の位置ずれ(フォーカス位置)を検出す
るいわゆる多点型先読み検出方式(例えば本出願人によ
る特開平6-283403号公報)のAFセンサーを用いること
とする。
【0018】また主制御系20には入出力装置(キーボ
ードやディスプレー等)18が接続され、これを介して
オペレータが種々の情報を入力できるようになってい
る。ここで入力する情報としては、例えばテストプリン
ト等により判明したAFセンサーのフォーカス信号のオ
フセット情報等がある。また、主制御系20にはレンズ
制御部19が接続されている。レンズ制御部19は、特
開昭58−179834号公報、本出願人による特開昭
61-183928号公報、特開昭62-183522号公報、特開昭62-2
29838号公報などにより開示されているように、大気圧
の変化や露光中に投影光学系PL内に吸収される露光光
のエネルギー変化等によって引き起こされる投影光学系
PLの結像面の位置の変化を随時算出し、この算出結果
を主制御系20に供給する。
【0019】次に図2により、多点のオートフォーカス
センサーを用いた制御系について説明する。図2におい
て、露光領域6内には非走査方向(Y方向)に8個の検
出点が並んだ検出列を走査方向(X方向)に関して2列
(L0a,L0b)分並べたサーボ制御用のフォーカス
センサーAD0が配置されている。また、走査方向に関
する露光領域6の外側の両方には、それぞれY方向に8
個の検出点を並べた検出列L1aとL1bとを有する先
読み用のフォーカスセンサーAD1a,AD1bが配置
されている。尚、図2中において、ウェハW上に図示さ
れた短い斜線の各々がフォーカスセンサーの各検出点を
構成するスリット像を表している。
【0020】今、走査露光方向を図2中の矢印の方向
(X方向)とすると、先読み用センサーとしては図2内
で露光領域6の上側に位置するセンサーAD1aが選択
されている。ところで本実施例ではフォーカス制御(Z
位置調整)のみならず、非走査方向および走査方向の両
方向に関する傾斜(チルト)制御も行うこととする。実
際にこれらのフォーカス制御やチルト制御を行う場合に
おいては、上記の各センサーAD0,AD1a,AD1
bの各々が有する各検出列L0a,L0b,L1a,L
1bの中から予め設定された複数の検出点で検出される
フォーカス信号のみを選択して使用しても構わない。
【0021】本実施例ではフォーカス制御と2方向(X
軸回りとY軸回り)のチルト制御とを行うため、図2に
示した露光領域6内の2つの検出列L0a,L0bから
成るサーボ制御用のフォーカスセンサーAD0のみなら
ず、別の検出列(L1a,L1b等)からも最低1つの
検出列、或は別の検出列内の最低1つの検出点を選択し
て使用するのが望ましい。
【0022】そのサーボ制御用のセンサーAD0からの
各フォーカス信号は算出回路100に入力し、その算出
回路100は制御目標面Ztと実際のウエハの表面Zp
とのZ方向の位置の差ΔZfを演算によって求め、その
結果を主制御系20に送出する。また一般に、ウエハに
は凹凸があるため、算出回路100としてはサーボ制御
用のセンサーAD0内の複数の検出点の各々で検出され
るフォーカス情報に基づいて最小二乗法の適用によりウ
ェハ表面の近似平面を求め、その近似平面と制御目標面
Ztとの差ΔZfを求めるような演算処理を行うのが効
果的である。
【0023】また、先読み用のフォーカスセンサーAD
1a(AD1b)からも図示されている2つの検出列L
1a(L2a),L1b(L2b)、あるいはそれ以上
のセンサを選択して使用する。これら先読み用のフォー
カスセンサーAD1a(AD1b)からの各検出点の各
々で検出されたフォーカス信号は、図2の算出回路11
0に入力される。そして算出回路110はウエハフラッ
トネスに関する情報を露光に先立って主制御系20に送
出する。これによって、主制御系20が算出回路110
からの信号(ΔZf)に応答してZレベリングステージ
を駆動する(図ではウエハそのものを駆動するように表
現されているが)3点のアクチュエータ22の各々を制
御する際の応答遅れを、算出回路110からのウエハフ
ラットネス情報に基づいて容易に回避できる。
【0024】そして、ウエハW上の1つのショット領域
に対して露光領域6による走査露光が終了すると、図1
中のレチクルステージ3はX方向の移動ストロークのほ
ぼ一端側に達しており、XYステージ11は隣(又は
次)のショット領域に対する露光のために、ステッピン
グを行う。その際、次のショット領域に対してはXYス
テージ11の走査移動の方向が先のショット領域とは逆
向きになるので、先読み用のセンサーを図2中の上側の
検出列L1aのセンサーAD1aから、露光領域6の下
側の検出列L1bのセンサーAD1bを選択するように
切り換えておく。
【0025】このように、走査露光時のウエハWの移動
方向(+X方向か−X方向)に応じて露光前にウエハW
の表面位置を検出できる側を先読み用のセンサーとして
使用することにより、ウエハW上の全てのショット領域
を交互に走査方向を切り換えながら露光して行くことが
可能となる。図3はその時の露光シーケンスの一例を示
し、同図のウエハW上に示した複数のショット領域SA
nの各々は、矢印で表したように走査方向を全て交互に
設定することが可能となる。このことは、換言すると、
1枚のウェハWを露光処理する間、レチクルステージ3
のX方向の移動に空走査が不要になることを意味してい
る。すなわち、走査露光処理の間、レチクルステージ3
が+X方向へ1回走査移動すると必ず1つのショット領
域が露光され、−X方向へ1回走査移動すると必ず隣の
(次の)ショット領域が露光されることになる。このた
め、レチクルステージ3の無駄な空走査が無くなり、1
枚のウェハWを露光処理する時間が短縮され、スループ
ットが向上することになる。
【0026】さて、上記露光装置では、先読みセンサー
AD1a、AD1bを交互に切り換えてウエハWの全て
のショット領域に対して交互に走査方向を切り換えなが
ら露光していくため、ウエハWの外側から内側に向けて
走査露光する露光シーケンスが必須となる。以下に、ウ
エハWの外側から内側に向けて走査露光する際のフォー
カス制御(Z位置調整)について図3を用いて説明す
る。
【0027】図3の状態から明らかなように、ショット
領域SA1〜SA5等はウエハWの円形のエッジによっ
て部分的に欠損されるショット領域、すなわち欠けショ
ット領域である。その欠けショット領域であるショット
領域をウエハWの外側から内側に向けて走査露光する
際、先読みセンサの複数の検出点のうち、ウエハWのエ
ッジに到達してウエハW上に載った検出点のみを選択し
て使用する。例えば、図3に示すようにショット領域S
A1を図中の矢印方向に走査露光する際、先読みセンサ
の検出点FP1〜FP8のうちウエハW上に載ったFP
7とFP8を選択しフォーカス制御を行う。そして、走
査露光中ウエハW上に載る検出点の数が増加するにつ
れ、選択される検出点も増えていく。同様にして、ショ
ット領域SA5においては、ウエハW上に載ったFP1
とFP2を選択しフォーカス制御を行う。なお、図3に
図示された検出点FP1〜FP8の各々は、図2中にお
いてウエハW上に図示された短い斜線の検出点から構成
される検出列の一つに対応している。従って、図3に示
された検出点FP1〜FP8が先読み用の検出点として
使用される場合、それは図2において検出列L1a或い
はL1bに相当する。
【0028】ここで、図4に示した先読みセンサの検出
点の選択を説明するための概念図を用いて更に詳しく説
明すると、メモリ17はウエハWのエッジ(周縁部)の
位置情報と、XYステージ11の移動位置情報を予め記
憶している。従って、主制御系20は、図4に示すよう
にメモリ17に記憶されたウエハWのエッジの位置情報
とXYステージ11の位置情報とにより、ウエハW上に
載った先読みセンサの検出点FP1〜FP8を順次選択
する。すなわち、走査露光中ウエハW上に位置する検出
点の数が増えていき、このウエハW上に位置する検出点
の全てを順次選択する。これにより、より信頼性の高い
高精度のフォーカス制御を実現することができる。そし
て、この選択された検出点(図3に示す先読みセンサの
検出列とウエハWの位置関係においては、FP7及びF
P8)を用いて、ウエハWのフォーカス位置(光軸方向
の位置)或いは傾斜状態を検出する。主制御系20は、
この検出結果に基づいてZレベリングステージ10の光
軸方向の位置調整或いは傾斜状態の調整を行う。つま
り、ウエハWのエッジと交差する位置にまで達していな
い検出点は、選択されることなくフォーカス制御が行わ
れる。これにより、欠けショット領域に対してウエハW
の外側から内側に向けて走査露光する場合でもデフォー
カスさせることなく露光することができ、欠けショット
領域を有効活用することができる。
【0029】なお、先読みセンサの全ての検出点がウエ
ハW上に載る位置も予め判るので、主制御系20は、検
出点の全てが載ってから先読みによるウエハフラットネ
ス計測のためのフォーカス信号の取り込みを開始し、フ
ォーカス制御及びチルト制御を行ってもよい。ところ
で、上述の実施例では投影光学系として屈折系を用いた
場合について述べて来たが、投影光学系として、反射型
投影光学系、反射屈折型投影光学系を用いた場合でも本
発明は同様に適応できる。また、投影光学系を要しない
コンタクト露光やプロキシミティ露光においても、走査
露光であれば適応できる。更に、上述の実施例ではフォ
ーカス制御のみならず、2方向の傾斜制御も行うことと
したが、フォーカス制御のみでも本発明は適応できる。
この場合使用するセンサの数も少なくて済む。また、サ
ーボ制御用のセンサーAD0を用いず、先読み用のセン
サーAD1a,AD1bからのウエハフラットネス情報
のみを使って、オープンにZレベリングテーブル10の
姿勢を制御することも可能である。
【0030】
【発明の効果】本発明によれば、ウエハ等の感光基板の
光軸方向の位置、すなわち表面と垂直なZ方向の位置を
検出する複数の検出点をウエハの周縁部の位置情報とウ
エハステージの移動位置情報とに基づいて選択的に使用
し、正確なウエハWの光軸方向の位置或いは傾斜状態を
検出することができるので、ウエハの外側から内側に向
けて走査する露光シーケンスを可能とした。これによ
り、ウエハ全体の露光を一ショット領域毎に交互に走査
方向を切り替えながら光軸方向の位置制御又は傾斜制御
を行うことができ、ウエハステージまたはマスクステー
ジの1枚の感光基板に対する総移動量を最小化でき、高
いスループットを達成できる。さらに、各ステージの空
走査(ダミースキャン)が皆無であるので、露光装置内
に生じる反力に不要な挙動が生じることも抑えられると
ともに、各ステージを駆動するための駆動モータ等の発
熱も最小にすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による露光装置の構成を示す
図。
【図2】本発明の一実施例によるフォーカス・傾斜制御
の一例を示す図。
【図3】本発明による露光シーケンスの一例を示す図
【図4】先読みセンサの検出点の選択を説明するための
概念図
【符号の説明】
1…スリット状の照明領域 R…レチクル W…ウエハ PL…投影光学系 3…レチクルステージ 7a…AFセンサの送光系 7b…AFセンサの受光系 10…Zレベリングステージ 11…XYステージ 20…主制御系 22…アクチュエータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/30 520A 525X

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定形状の照明領域に対して転写用のパ
    ターンが形成されたマスクを所定方向に走査し、前記照
    明領域に対して所定方向に感応基板を走査することによ
    り、前記マスクのパターンの像を前記感応基板上に露光
    する方法であって、 前記マスクを載置したマスクステージと前記感応基板を
    載置した基板ステージとを所定の位置関係に整合した
    後、前記感応基板の外側から内側に向けて走査露光する
    露光ステップと、 前記露光ステップ中、非走査方向に配列した複数の検出
    点の各々で前記感応基板のフォーカスの位置を検出する
    検出ステップとを有し、 前記検出ステップは、前記走査方向と交差する前記感応
    基板の周縁部の位置情報と前記基板ステージの移動位置
    情報とに基づいて前記複数の検出点を選択する選択する
    ステップを含むことを特徴とする露光方法。
  2. 【請求項2】 前記選択ステップは、前記複数の検出点
    の中から前記感応基板上に位置する検出点を選択するこ
    とを特徴とする請求項1記載の露光方法。
  3. 【請求項3】 前記複数の検出点は、走査方向に対して
    前記照明領域の前後に位置することを特徴とする請求項
    1又は2記載の露光方法。
  4. 【請求項4】 所定形状の照明領域に対して転写用のパ
    ターンが形成されたマスクを所定方向に走査し、前記照
    明領域に対して所定方向に感応基板を走査することによ
    り、前記マスクのパターンの像を前記感応基板上に露光
    する方法であって、 前記マスクと前記感応基板とを所定の位置関係に整合し
    た後、前記感応基板の外側から内側に向けて走査露光す
    る露光ステップと、 前記露光ステップ中、非走査方向に配列した複数の検出
    点で前記感応基板のフォーカスの位置を検出し、その検
    出結果に基づいて感応基板に対するパターン像のフォー
    カス状態を制御する制御ステップとを有し、 前記制御ステップは、前記複数の検出点の少なくとも一
    つ以上が前記感応基板の周縁部の内側に到達したときに
    前記検出動作又は制御動作を開始することを特徴とする
    露光方法。
  5. 【請求項5】 前記検出ステップは、前記感応基板の傾
    斜状態をも検出するステップであることを特徴とする請
    求項1又は4記載の露光方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7023521B2 (en) 1999-04-13 2006-04-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and process for producing device
JP2014029956A (ja) * 2012-07-31 2014-02-13 Canon Inc 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
JP2015149316A (ja) * 2014-02-04 2015-08-20 キヤノン株式会社 露光装置、および物品の製造方法
US10386736B2 (en) 2017-09-14 2019-08-20 Toshiba Memory Corporation Exposure apparatus and method

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