JPH09306852A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体製造装置に於いて、放熱量を抑制し、熱
効率を向上させ、省エネルギ化を図る。 【解決手段】内部に被処理基板１０を収納可能な反応管
１と該反応管内部を加熱するヒータ１２を有し、反応ガ
スを導入して被処理基板に薄膜生成等の処理を行う半導
体製造装置に於いて、前記反応管により画成される内部
空間が導入部２、反応室３、導出部４を形成し、前記導
入部、導出部に前記反応管の内壁に沿って断熱体を設け
ることにより放熱量を減少させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、減圧下でウェー
ハ、ガラス基板等被処理物に薄膜生成等の処理を行う半
導体製造装置、特に１枚又は複数枚の処理を行う枚葉式
半導体製造装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造装置は気密な反応室を具備し
ており、該反応室はヒータにより加熱され、内部に導入
された反応ガスを活性化し、反応室に装入された被処理
物の表面に薄膜の生成等を行っている。

【０００３】図６は従来の枚葉式半導体製造装置の断面
概略を示しており、１は反応管を示す。該反応管１は横
断面が楕円形状または円形状の筒体であり、該反応管１
によって画成される空間は、導入部２、反応室３、導出
部４を形成する。

【０００４】前記反応室３に対する前記反応管１の周囲
にはヒータ１２が設けられ、更に該ヒータ１２の周囲は
断熱体から成るヒータカバー１３で囲繞される。前記反
応管１の導入部２側にはゲートバルブ５を介して移載室
（図示せず）が気密に連設され、前記ゲートバルブ５と
前記反応管１との境界部には反応ガス導入フランジ６が
挟設され、該反応ガス導入フランジ６にはガス導入ポー
ト７が連通している。前記反応管１の導出部４側には排
気フランジ８が連設され、該排気フランジ８には排気用
配管９が連通している。

【０００５】前記反応管１の略中央部の前記反応室３に
は基板１０を受載する為の基板受載台１１が設けられて
いる。

【０００６】前記移載室（図示せず）に設けられた基板
搬送機（図示せず）はアーム１４を有し、該アーム１４
によって前記基板１０が搬入され、該基板１０は前記基
板受載台１１に移載され、前記アーム１４は後退する。
該アーム１４が後退した後、前記ゲートバルブ５が閉塞
し、前記排気用配管９により真空引される。ガス導入ポ
ート７より反応ガスが導入され、処理が開始される。処
理中若しくは処理後の不要なガスは前記排気用配管９よ
り排気され、処理が完了すると前記ゲートバルブ５が開
き前記アーム１４により前記基板１０が搬出される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】然し乍ら上記した従来
の枚葉式半導体製造装置では、反応管１の壁面の強度を
得られ易くする為横断面が円形状若しくは楕円形状に形
成されており、基板１０を１枚づつ搬送するには前記導
入部２はアーム１４、基板１０に対して大きすぎ、又同
様に導出部４も無駄な空間が大きすぎ、放熱が多く熱効
率が悪くランニングコストが高くつく等の不具合があっ
た。又放熱が多い事から反応室内部の温度均一性が悪
く、又ゲートバルブ等に放射熱がかかり高温になってし
まうという不具合があった。

【０００８】本発明は上記実情に鑑みなしたものであっ
て、放熱量を抑制し、熱効率を向上させ、省エネルギ化
を図ろうとするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、内部に被処理
基板を収納可能な反応管と該反応管内部を加熱するヒー
タを有し、反応ガスを導入して被処理基板に薄膜生成等
の処理を行う半導体製造装置に於いて、前記反応管によ
り画成される内部空間が導入部、反応室、導出部を形成
し、前記導入部、導出部に前記反応管の内壁に沿って断
熱体を設けて、放熱量を減少させる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００１１】図１、図２中、図６で示したものと同一の
ものには同符号を付す。

【００１２】図中１は半導体製造装置の反応管を示し、
該反応管１は横断面が楕円形状或は円形状の筒体であ
り、該反応管１の一端には基板搬送機（図示せず）のア
ーム１４を有する移載室（図示せず）がゲートバルブ５
を介して気密に連設され、他端には排気用配管９が連通
される。前記反応管１の前記ゲートバルブ５側には導入
部２が形成され、略中央には反応室３、前記排気用配管
９側には導出部４が形成される。

【００１３】前記反応室３の周囲にはヒータ１２が設け
られ、更に該ヒータ１２の周囲は断熱体から成るヒータ
カバー１３で囲繞される。前記反応室３内部には被処理
物である基板１０を支持する基板受載台１１が設けられ
る。

【００１４】前記反応管１と前記ゲートバルブ５との境
界部には反応ガス導入フランジ６が設けられ、該反応ガ
ス導入フランジ６には反応ガスを前記反応管１に導入す
る為のガス導入ポート７が突設されており、前記反応管
１端部には排気フランジ８が設けられ、該排気フランジ
８には排気用配管９が連通されている。

【００１５】前記導入部２、前記導出部４に前記基板１
０を搬入搬出するのに必要最低限の空間１５を残し、前
記反応管１の内壁に沿って塊状の断熱体１６が設けられ
る。

【００１６】前記基板１０は前記移載室（図示せず）よ
り延びる前記アーム１４によって前記反応室３内に搬入
され、前記基板受載台１１に移載される。前記アーム１
４は後退し、該アーム１４後退後に前記ゲートバルブ５
が閉塞し、前記排気用配管９より真空引きされる。前記
導入部２より突出するガス導入ポート７より反応ガスが
注入され、処理が開始される。前記基板１０への処理
中、若しくは処理後の不要なガスは前記排気用配管９よ
り排出され、前記基板１０への処理が完了すると前記ゲ
ートバルブ５が開き前記アーム１４により搬出される。

【００１７】前記導入部２及び前記導出部４に設けられ
た前記断熱体１６は、反応室からの熱輻射を遮断し、放
熱を抑制する。

【００１８】尚、断熱体としては図３で示す様なウール
状断熱体１７、若しくは図４で示す様に石英又はＳｉ，
ＳｉＣ製の楕円板に偏平な矩形孔を穿設した複数の断熱
板１８を前記反応管１の軸心に対して垂直に設け、断熱
板保持具１９により固定しユニット化したもの等でもよ
い。

【００１９】

【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、反応管
の内壁に被処理物が搬送可能な必要最低限の空間を残し
て断熱体を設け、従って余分な隙間が減少し、又熱輻射
を遮断し、放熱量が減少する為、熱効率が向上し、反応
室内部の温度の均一性が向上し、省エネルギ化が図れ、
ランニングコストの減少する半導体製造装置が可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の概略を示す断面図であ
る。

【図２】図１のＡ−Ａ矢視図である。

【図３】同前他の実施の形態に用いる断熱体の斜視図で
ある。

【図４】同前更に他の実施の形態に用いる断熱体の正面
図である。

【図５】図４のＢ−Ｂ矢視図である。

【図６】従来例の概略を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 反応管 ２ 導入部 ３ 反応室 ４ 導出部 １５ 空間 １６ 断熱体 １７ ウール状断熱体 １８ 断熱板 １９ 断熱板保持具

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内部に被処理基板を収納可能な反応管と
   該反応管内部を加熱するヒータを有し、反応ガスを導入
   して被処理基板に薄膜生成等の処理を行う半導体製造装
   置に於いて、前記反応管により画成される内部空間が導
   入部、反応室、導出部を形成し、前記導入部、導出部に
   前記反応管の内壁に沿って断熱体を設けたことを特徴と
   する半導体製造装置。