JPH09307193A - 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 - Google Patents
窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法Info
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- JPH09307193A JPH09307193A JP12415496A JP12415496A JPH09307193A JP H09307193 A JPH09307193 A JP H09307193A JP 12415496 A JP12415496 A JP 12415496A JP 12415496 A JP12415496 A JP 12415496A JP H09307193 A JPH09307193 A JP H09307193A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 窒化物半導体よりなるレーザ素子の閾値電流
を小さくして、室温での連続発振を目指す。 【構成】 基板表面に形成されたストライプ状の溝部、
若しくは基板と活性層との間に形成されたストライプ状
の突起部の位置に対応して、活性層の導波路が形成され
ていることにより、レーザの横モードが活性層の側面に
あるクラッド層で制御されるために、屈折率導波型のレ
ーザ素子となり、閾値が下がる。
を小さくして、室温での連続発振を目指す。 【構成】 基板表面に形成されたストライプ状の溝部、
若しくは基板と活性層との間に形成されたストライプ状
の突起部の位置に対応して、活性層の導波路が形成され
ていることにより、レーザの横モードが活性層の側面に
あるクラッド層で制御されるために、屈折率導波型のレ
ーザ素子となり、閾値が下がる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は窒化物半導体（Ｉｎ
XＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりな
るレーザ素子及びレーザ素子の製造方法に関する。
XＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりな
るレーザ素子及びレーザ素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】紫外〜青色の領域に発光するレーザ素子
の材料として窒化物半導体が知られており、本出願人
は、最近この材料を用いてパルス電流において、室温で
の４１０ｎｍのレーザ発振を発表した（例えば、Jpn.J.
Appl.Phys. Vol35 (1996) pp.L74-76）。発表したレー
ザ素子はいわゆる電極ストライプ型のレーザ素子であ
り、活性層を含む窒化物半導体層のストライプ幅を数十
μｍにして、レーザ発振させたものである。しかしなが
ら、前記レーザ素子の閾値電流は１〜２Ａもあり、連続
発振させるためには、さらに閾値電流を下げる必要があ
る。
の材料として窒化物半導体が知られており、本出願人
は、最近この材料を用いてパルス電流において、室温で
の４１０ｎｍのレーザ発振を発表した（例えば、Jpn.J.
Appl.Phys. Vol35 (1996) pp.L74-76）。発表したレー
ザ素子はいわゆる電極ストライプ型のレーザ素子であ
り、活性層を含む窒化物半導体層のストライプ幅を数十
μｍにして、レーザ発振させたものである。しかしなが
ら、前記レーザ素子の閾値電流は１〜２Ａもあり、連続
発振させるためには、さらに閾値電流を下げる必要があ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情を鑑みて成されたものであって、その目的とするとこ
ろは、窒化物半導体よりなるレーザ素子の閾値電流を小
さくして、室温での連続発振を目指すことにある。
情を鑑みて成されたものであって、その目的とするとこ
ろは、窒化物半導体よりなるレーザ素子の閾値電流を小
さくして、室温での連続発振を目指すことにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザ素子の第
１の態様は、基板表面に形成されたストライプ状の溝部
の位置に対応して、活性層の導波路が形成されているこ
とを特徴とし、また、本発明のレーザ素子の製造方法の
第１の態様は、基板の表面にストライプ状の溝部を形成
した後、その基板の上にｎ型層、活性層およびｐ型層を
含む窒化物半導体層を成長させ、前記溝部と対応する活
性層にレーザ光の導波路を作製することを特徴とする。
１の態様は、基板表面に形成されたストライプ状の溝部
の位置に対応して、活性層の導波路が形成されているこ
とを特徴とし、また、本発明のレーザ素子の製造方法の
第１の態様は、基板の表面にストライプ状の溝部を形成
した後、その基板の上にｎ型層、活性層およびｐ型層を
含む窒化物半導体層を成長させ、前記溝部と対応する活
性層にレーザ光の導波路を作製することを特徴とする。
【０００５】本発明のレーザ素子の第２の態様は、基板
と活性層との間に形成されたストライプ状の突起部の位
置に対応して活性層の導波路が形成されていることを特
徴とし、また、本発明の製造方法の第２の態様は、基板
上部にストライプ状の突起部を形成した後、その突起部
の上にｎ型層、活性層およびｐ型層を含む窒化物半導体
層を成長させ、前記突起部と対応する活性層にレーザ光
の導波路を作製することを特徴とする。
と活性層との間に形成されたストライプ状の突起部の位
置に対応して活性層の導波路が形成されていることを特
徴とし、また、本発明の製造方法の第２の態様は、基板
上部にストライプ状の突起部を形成した後、その突起部
の上にｎ型層、活性層およびｐ型層を含む窒化物半導体
層を成長させ、前記突起部と対応する活性層にレーザ光
の導波路を作製することを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の態様に係る
レーザ素子の構造を示す模式的な断面図である。この図
はレーザ光の導波路に対して垂直な方向、つまり、基板
表面に形成されたストライプ状の溝部１００に垂直な方
向で素子を切断した際の断面を示すものである。基本的
な構造としては、基板１１の表面にはストライプ状の溝
部１００が形成されており、この溝部の上に、バッファ
層１２、ｎ型コンタクト層１３、ｎ型光閉じ込め層１
４、ｎ型光ガイド層１５、活性層１６、ｐ型光ガイド層
１７、ｐ型光閉じ込め層１８、ｐ型コンタクト層１９が
順に積層された構造を有する。
レーザ素子の構造を示す模式的な断面図である。この図
はレーザ光の導波路に対して垂直な方向、つまり、基板
表面に形成されたストライプ状の溝部１００に垂直な方
向で素子を切断した際の断面を示すものである。基本的
な構造としては、基板１１の表面にはストライプ状の溝
部１００が形成されており、この溝部の上に、バッファ
層１２、ｎ型コンタクト層１３、ｎ型光閉じ込め層１
４、ｎ型光ガイド層１５、活性層１６、ｐ型光ガイド層
１７、ｐ型光閉じ込め層１８、ｐ型コンタクト層１９が
順に積層された構造を有する。
【０００７】このように基板１１の表面にストライプ状
の溝部を設けることにより、溝部の上部に成長された活
性層１６の側面が、活性層と屈折率の異なるｎ型光ガイ
ド層１５、ｎ型光閉じ込め層１４、ｎ型コンタクト層１
３等のｎ型層で挟まれた構造となり、横モードの光が制
御されることにより、屈折率導波型のレーザ素子が作成
できるため、閾値が低下する。
の溝部を設けることにより、溝部の上部に成長された活
性層１６の側面が、活性層と屈折率の異なるｎ型光ガイ
ド層１５、ｎ型光閉じ込め層１４、ｎ型コンタクト層１
３等のｎ型層で挟まれた構造となり、横モードの光が制
御されることにより、屈折率導波型のレーザ素子が作成
できるため、閾値が低下する。
【０００８】第１の態様において、基板にストライプ状
の溝部を形成するには、例えば次のような方法がある。
第１は基板表面をスクライバーでスクライブする方法で
ある。第２は基板表面にストライプ状の溝部を有する保
護膜を形成し、その保護膜の上から基板をエッチングす
る方法である。またこれらの他の方法を用いてもよい。
好ましいストライプ幅としては１０μｍ以下、さらに好
ましくは５μｍ以下、最も好ましくは３μｍ以下に調整
する。１０μｍよりも大きいと活性層に光が集中できに
くく、しきい値電流が上昇する傾向にある。ストライプ
幅の下限値は特に限定しないが、通常は０．０１μｍ以
上が望ましい。図１では溝部のストライプの断面形状
を、ｎ型コンタクト層１３側の幅が広く、基板１１側が
狭いメサ形状としているが、その反対の形状でもよい。
前記した好ましいストライプ幅はメサ形状の場合、幅が
広い方のストライプ幅を示す。また、溝部のストライプ
端面が基板の水平方向に対して垂直でもよい。
の溝部を形成するには、例えば次のような方法がある。
第１は基板表面をスクライバーでスクライブする方法で
ある。第２は基板表面にストライプ状の溝部を有する保
護膜を形成し、その保護膜の上から基板をエッチングす
る方法である。またこれらの他の方法を用いてもよい。
好ましいストライプ幅としては１０μｍ以下、さらに好
ましくは５μｍ以下、最も好ましくは３μｍ以下に調整
する。１０μｍよりも大きいと活性層に光が集中できに
くく、しきい値電流が上昇する傾向にある。ストライプ
幅の下限値は特に限定しないが、通常は０．０１μｍ以
上が望ましい。図１では溝部のストライプの断面形状
を、ｎ型コンタクト層１３側の幅が広く、基板１１側が
狭いメサ形状としているが、その反対の形状でもよい。
前記した好ましいストライプ幅はメサ形状の場合、幅が
広い方のストライプ幅を示す。また、溝部のストライプ
端面が基板の水平方向に対して垂直でもよい。
【０００９】図２は本発明の第２の態様に係るレーザ素
子の構造を示す模式的な断面図である。この図も同様に
レーザ光の導波路に対して垂直な方向、つまり、基板上
部に形成されたストライプ状の突起部２００に垂直な方
向で素子を切断した際の断面を示すものである。基本的
な構造としては、基板１１の上にバッファ層１２を介し
てストライプ状の突起部２００を有する窒化物半導体層
２０１が形成されており、この窒化物半導体層２０１の
上に、ｎ型コンタクト層１３、ｎ型光閉じ込め層１４、
ｎ型光ガイド層１５、活性層１６、ｐ型光ガイド層１
７、ｐ型光閉じ込め層１８、ｐ型コンタクト層１９が順
に積層された構造を有する。
子の構造を示す模式的な断面図である。この図も同様に
レーザ光の導波路に対して垂直な方向、つまり、基板上
部に形成されたストライプ状の突起部２００に垂直な方
向で素子を切断した際の断面を示すものである。基本的
な構造としては、基板１１の上にバッファ層１２を介し
てストライプ状の突起部２００を有する窒化物半導体層
２０１が形成されており、この窒化物半導体層２０１の
上に、ｎ型コンタクト層１３、ｎ型光閉じ込め層１４、
ｎ型光ガイド層１５、活性層１６、ｐ型光ガイド層１
７、ｐ型光閉じ込め層１８、ｐ型コンタクト層１９が順
に積層された構造を有する。
【００１０】このように基板の上部にストライプ状の突
起部２００を設けることにより、突起部の上部に成長さ
れた活性層１６の側面が、活性層と屈折率の異なるｐ型
光ガイド層１７、ｐ型光閉じ込め層１８、ｐ型コンタク
ト層１９等のｐ型層で挟まれた構造となり、図１のレー
ザ素子と同様に横モードの光が制御されることにより、
屈折率導波型のレーザ素子が作成できるため、閾値が低
下する。
起部２００を設けることにより、突起部の上部に成長さ
れた活性層１６の側面が、活性層と屈折率の異なるｐ型
光ガイド層１７、ｐ型光閉じ込め層１８、ｐ型コンタク
ト層１９等のｐ型層で挟まれた構造となり、図１のレー
ザ素子と同様に横モードの光が制御されることにより、
屈折率導波型のレーザ素子が作成できるため、閾値が低
下する。
【００１１】第２の態様において、基板上部にストライ
プ状の突起部を形成するには例えば次のような方法があ
る。第１は基板上部に突起部を有する材料を成長させる
方法がある。この方法の場合、ストライプ状の突起部を
形成してから、後にその突起の上にｎ型層、活性層、ｐ
型層等の窒化物半導体を成長させる必要があるため、そ
の突起部の材料は後に窒化物半導体が成長できる材料、
最も好ましくはｉ型、ｎ型、ｐ型等の窒化物半導体を成
長させる。なおこのように突起部を基板と異なる材料で
形成する場合、突起部を形成するには、基板の上部に基
板の材料と異なる材料を成長させた後、その材料の表面
に目的とするストライプ幅を有する保護膜を形成し、そ
の材料にある保護膜以外の部分をエッチングすることに
より形成可能である。突起部は基板と、ｎ型コンタクト
層、ｎ型光閉じ込め層、ｎ型光ガイド層等のｎ型層との
間にあれば、特にその位置を限定するものではない。第
２は、直接基板にストライプ状の突起部を形成する方法
である。この方法の場合、突起部は、基板の表面に所望
のストライプ幅を有する保護膜を形成した後、基板の保
護膜以外の部分をエッチングすることにより形成可能で
ある。レーザ素子となる窒化物半導体層はその突起を有
する基板の上に成長させる。
プ状の突起部を形成するには例えば次のような方法があ
る。第１は基板上部に突起部を有する材料を成長させる
方法がある。この方法の場合、ストライプ状の突起部を
形成してから、後にその突起の上にｎ型層、活性層、ｐ
型層等の窒化物半導体を成長させる必要があるため、そ
の突起部の材料は後に窒化物半導体が成長できる材料、
最も好ましくはｉ型、ｎ型、ｐ型等の窒化物半導体を成
長させる。なおこのように突起部を基板と異なる材料で
形成する場合、突起部を形成するには、基板の上部に基
板の材料と異なる材料を成長させた後、その材料の表面
に目的とするストライプ幅を有する保護膜を形成し、そ
の材料にある保護膜以外の部分をエッチングすることに
より形成可能である。突起部は基板と、ｎ型コンタクト
層、ｎ型光閉じ込め層、ｎ型光ガイド層等のｎ型層との
間にあれば、特にその位置を限定するものではない。第
２は、直接基板にストライプ状の突起部を形成する方法
である。この方法の場合、突起部は、基板の表面に所望
のストライプ幅を有する保護膜を形成した後、基板の保
護膜以外の部分をエッチングすることにより形成可能で
ある。レーザ素子となる窒化物半導体層はその突起を有
する基板の上に成長させる。
【００１２】好ましい突起部のストライプ幅としては第
１の態様と同様に、１０μｍ以下、さらに好ましくは５
μｍ以下、最も好ましくは３μｍ以下に調整し、下限値
は通常は０．０１μｍ以上が望ましい。図２では突起部
２００のストライプ断面形状を、基板１１側が広く、ｎ
型コンタクト層１３側が狭いメサ形状としているが、そ
の反対の形状でもよく、前記した好ましいストライプ幅
はメサ形状の場合、幅が広い方のストライプ幅を示し、
また、突起部２００のストライプ端面が基板の水平方向
に対して垂直でもよい。
１の態様と同様に、１０μｍ以下、さらに好ましくは５
μｍ以下、最も好ましくは３μｍ以下に調整し、下限値
は通常は０．０１μｍ以上が望ましい。図２では突起部
２００のストライプ断面形状を、基板１１側が広く、ｎ
型コンタクト層１３側が狭いメサ形状としているが、そ
の反対の形状でもよく、前記した好ましいストライプ幅
はメサ形状の場合、幅が広い方のストライプ幅を示し、
また、突起部２００のストライプ端面が基板の水平方向
に対して垂直でもよい。
【００１３】
【実施例】以下、実施例で本発明を詳説するが、本発明
の素子、方法は以下の実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲に記載した技術思想内において、適
宜変更を加えることができる。
の素子、方法は以下の実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲に記載した技術思想内において、適
宜変更を加えることができる。
【００１４】［実施例１］以下、図１を元に本発明の第
１の態様について説明する。サファイアのＡ面を主面と
する基板１１を用意し、この基板１１の主面にＣＶＤ法
を用いて、ストライプ幅３μｍの貫通孔を有するＳｉＯ
2よりなる保護膜を形成する。基板１１にはサファイア
Ａ面の他、Ｒ面、Ｃ面を主面とするサファイアも使用で
き、またこの他、スピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4、１１１
面）、ＳｉＣ、ＭｇＯ、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＮ等の単結
晶よりなる従来より知られている基板が用いられる。
１の態様について説明する。サファイアのＡ面を主面と
する基板１１を用意し、この基板１１の主面にＣＶＤ法
を用いて、ストライプ幅３μｍの貫通孔を有するＳｉＯ
2よりなる保護膜を形成する。基板１１にはサファイア
Ａ面の他、Ｒ面、Ｃ面を主面とするサファイアも使用で
き、またこの他、スピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4、１１１
面）、ＳｉＣ、ＭｇＯ、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＮ等の単結
晶よりなる従来より知られている基板が用いられる。
【００１５】次にこの保護膜の形成された基板をエッチ
ング装置に移送し、基板１が露出した部分を４μｍの深
さでエッチングする。なおエッチング形状は図１に示す
ように基板側のストライプ幅が狭いメサ形状とする。エ
ッチング後、保護膜を除去することにより、３μｍのス
トライプ状の溝部１００を有する基板が作製される。ま
たストライプ状の溝部を形成するには、スクライバーの
ダイヤモンド針で基板の主面をスクライブしても形成で
きる。
ング装置に移送し、基板１が露出した部分を４μｍの深
さでエッチングする。なおエッチング形状は図１に示す
ように基板側のストライプ幅が狭いメサ形状とする。エ
ッチング後、保護膜を除去することにより、３μｍのス
トライプ状の溝部１００を有する基板が作製される。ま
たストライプ状の溝部を形成するには、スクライバーの
ダイヤモンド針で基板の主面をスクライブしても形成で
きる。
【００１６】この基板をＭＯＣＶＤ装置に移送し、溝部
１００の上から、以下のようにして窒化物半導体を成長
させる。基板１１をＭＯＶＰＥ装置の反応容器内に設置
した後、原料ガスにＴＭＧ（トリメチルガリウム）と、
アンモニアを用い、温度５００℃でサファイア基板の表
面にＧａＮよりなるバッファ層１２を２００オングスト
ロームの膜厚で成長させる。バッファ層１２は、基板と
窒化物半導体との格子不整合を緩和する作用があり、他
にＡｌＮ、ＡｌＧａＮ等を成長させることも可能であ
る。このバッファ層を成長させることにより、基板の上
に成長させるｎ型窒化物半導体の結晶性が良くなること
が知られているが、成長方法、基板の種類等によりバッ
ファ層が成長されない場合もある。
１００の上から、以下のようにして窒化物半導体を成長
させる。基板１１をＭＯＶＰＥ装置の反応容器内に設置
した後、原料ガスにＴＭＧ（トリメチルガリウム）と、
アンモニアを用い、温度５００℃でサファイア基板の表
面にＧａＮよりなるバッファ層１２を２００オングスト
ロームの膜厚で成長させる。バッファ層１２は、基板と
窒化物半導体との格子不整合を緩和する作用があり、他
にＡｌＮ、ＡｌＧａＮ等を成長させることも可能であ
る。このバッファ層を成長させることにより、基板の上
に成長させるｎ型窒化物半導体の結晶性が良くなること
が知られているが、成長方法、基板の種類等によりバッ
ファ層が成長されない場合もある。
【００１７】続いて温度を１０５０℃に上げ、原料ガス
にＴＭＧ、アンモニア、ドナー不純物としてＳｉＨ
4（シラン）ガスを用いて、ＳｉドープＧａＮよりなる
ｎ型コンタクト層１３を４μｍの膜厚で成長させる。ｎ
型コンタクト層１３はＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦X、
０≦Y、X＋Y≦１）で構成することができ、特にＧａ
Ｎ、ＩｎＧａＮ、その中でもＳｉをドープしたＧａＮで
構成することにより、キャリア濃度の高いｎ型層が得ら
れ、また負電極と好ましいオーミック接触が得られるの
で、レーザ素子のしきい値電流を低下させることができ
る。負電極の材料としてはＡｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｓｎ、Ｉｎ等の金属若しくは合金が好ましいオーミ
ックが得られる。
にＴＭＧ、アンモニア、ドナー不純物としてＳｉＨ
4（シラン）ガスを用いて、ＳｉドープＧａＮよりなる
ｎ型コンタクト層１３を４μｍの膜厚で成長させる。ｎ
型コンタクト層１３はＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦X、
０≦Y、X＋Y≦１）で構成することができ、特にＧａ
Ｎ、ＩｎＧａＮ、その中でもＳｉをドープしたＧａＮで
構成することにより、キャリア濃度の高いｎ型層が得ら
れ、また負電極と好ましいオーミック接触が得られるの
で、レーザ素子のしきい値電流を低下させることができ
る。負電極の材料としてはＡｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｓｎ、Ｉｎ等の金属若しくは合金が好ましいオーミ
ックが得られる。
【００１８】次に、温度を７５０℃にして、原料ガスに
ＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、アンモニ
ア、不純物ガスにシランガスを用い、ＳｉドープＩｎ0.
1Ｇａ0.9Ｎよりなるクラック防止層を５００オングスト
ロームの膜厚で成長させる。クラック防止層はＩｎを含
むｎ型の窒化物半導体、好ましくはＩｎＧａＮで成長さ
せることにより、次に成長させるＡｌを含む窒化物半導
体よりなるｎ型光閉じ込め層１４にクラックが入らない
ようにして厚膜で成長させることが可能となり、非常に
好ましい。クラック防止層は１００オングストローム以
上、０．５μｍ以下の膜厚で成長させることが好まし
い。１００オングストロームよりも薄いと前記のように
クラック防止として作用しにくく、０．５μｍよりも厚
いと、結晶自体が黒変する傾向にある。なお、このクラ
ック防止層は成長方法、成長装置によっては省略するこ
ともできるので、特に図示していないがＬＤを作成する
場合には成長させる方が望ましい。
ＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、アンモニ
ア、不純物ガスにシランガスを用い、ＳｉドープＩｎ0.
1Ｇａ0.9Ｎよりなるクラック防止層を５００オングスト
ロームの膜厚で成長させる。クラック防止層はＩｎを含
むｎ型の窒化物半導体、好ましくはＩｎＧａＮで成長さ
せることにより、次に成長させるＡｌを含む窒化物半導
体よりなるｎ型光閉じ込め層１４にクラックが入らない
ようにして厚膜で成長させることが可能となり、非常に
好ましい。クラック防止層は１００オングストローム以
上、０．５μｍ以下の膜厚で成長させることが好まし
い。１００オングストロームよりも薄いと前記のように
クラック防止として作用しにくく、０．５μｍよりも厚
いと、結晶自体が黒変する傾向にある。なお、このクラ
ック防止層は成長方法、成長装置によっては省略するこ
ともできるので、特に図示していないがＬＤを作成する
場合には成長させる方が望ましい。
【００１９】次に、原料ガスにＴＥＧ、ＴＭＡ（トリメ
チルアルミニウム）、アンモニア、不純物ガスにシラン
ガスを用いて、Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりな
るｎ型光閉じ込め層１４を０．５μｍの膜厚で成長させ
る。ｎ型光閉じ込め層１４はＡｌを含むｎ型の窒化物半
導体で構成し、好ましくは二元混晶あるいは三元混晶の
ＡｌYＧａ1-YＮ（０＜Y≦１）とすることにより、結晶
性の良いものが得られ、また活性層との屈折率差を大き
くしてレーザ光の縦モードの閉じ込めに有効である。こ
の層は通常０．１μｍ〜１μｍの膜厚で成長させること
が望ましい。
チルアルミニウム）、アンモニア、不純物ガスにシラン
ガスを用いて、Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりな
るｎ型光閉じ込め層１４を０．５μｍの膜厚で成長させ
る。ｎ型光閉じ込め層１４はＡｌを含むｎ型の窒化物半
導体で構成し、好ましくは二元混晶あるいは三元混晶の
ＡｌYＧａ1-YＮ（０＜Y≦１）とすることにより、結晶
性の良いものが得られ、また活性層との屈折率差を大き
くしてレーザ光の縦モードの閉じ込めに有効である。こ
の層は通常０．１μｍ〜１μｍの膜厚で成長させること
が望ましい。
【００２０】続いて、原料ガスにＴＭＧ、アンモニア、
不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ
よりなるｎ型光ガイド層１５を５００オングストローム
の膜厚で成長させる。ｎ型光ガイド層１５は、Ｉｎを含
むｎ型の窒化物半導体若しくはｎ型ＧａＮ、好ましくは
三元混晶若しくは二元混晶のＩｎXＧａ1-XＮ（０≦X≦
１）とする。この層は通常１００オングストローム〜１
μｍの膜厚で成長させることが望ましく、特にＩｎＧａ
Ｎ、ＧａＮとすることにより次の活性層１６を量子構造
とすることが容易に可能になる。
不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ
よりなるｎ型光ガイド層１５を５００オングストローム
の膜厚で成長させる。ｎ型光ガイド層１５は、Ｉｎを含
むｎ型の窒化物半導体若しくはｎ型ＧａＮ、好ましくは
三元混晶若しくは二元混晶のＩｎXＧａ1-XＮ（０≦X≦
１）とする。この層は通常１００オングストローム〜１
μｍの膜厚で成長させることが望ましく、特にＩｎＧａ
Ｎ、ＧａＮとすることにより次の活性層１６を量子構造
とすることが容易に可能になる。
【００２１】次に原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニ
アを用いて活性層１６を成長させる。活性層は温度を７
５０℃に保持して、まずノンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよ
りなる井戸層を２５オングストロームの膜厚で成長させ
る。次にＴＭＩのモル比を変化させるのみで同一温度
で、ノンドープＩｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる障壁層を５
０オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を５
回繰り返し、最後に井戸層を成長させ総膜厚４００オン
グストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層１６を
成長させる。
アを用いて活性層１６を成長させる。活性層は温度を７
５０℃に保持して、まずノンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよ
りなる井戸層を２５オングストロームの膜厚で成長させ
る。次にＴＭＩのモル比を変化させるのみで同一温度
で、ノンドープＩｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる障壁層を５
０オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を５
回繰り返し、最後に井戸層を成長させ総膜厚４００オン
グストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層１６を
成長させる。
【００２２】活性層１６成長後、温度を１０５０℃にし
てＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、アクセプター不純物源
としてＣｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウ
ム）を用い、Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる
ｐ型キャップ層を１００オングストロームの膜厚で成長
させる。このｐ型キャップ層は１μｍ以下、さらに好ま
しくは１０オングストローム以上、０．１μｍ以下の膜
厚で成長させることにより、ＩｎＧａＮよりなる活性層
が分解するのを防止するキャップ層としての作用があ
り、また活性層の上にＡｌを含むｐ型窒化物半導体、好
ましくはＡｌYＧａ1 -YＮ（０＜Y＜１）よりなるｐ型キ
ャップ層を成長させることにより、発光出力が格段に向
上する。このｐ型キャップ層の膜厚は１μｍよりも厚い
と、層自体にクラックが入りやすくなり素子作製が困難
となる傾向にある。なおｐ型キャップ層も成長方法、成
長装置等によっては省略可能であるので、特に図示して
いないがインジウムを含む活性層を成長させた場合は成
長させる方が望ましい。
てＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、アクセプター不純物源
としてＣｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウ
ム）を用い、Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる
ｐ型キャップ層を１００オングストロームの膜厚で成長
させる。このｐ型キャップ層は１μｍ以下、さらに好ま
しくは１０オングストローム以上、０．１μｍ以下の膜
厚で成長させることにより、ＩｎＧａＮよりなる活性層
が分解するのを防止するキャップ層としての作用があ
り、また活性層の上にＡｌを含むｐ型窒化物半導体、好
ましくはＡｌYＧａ1 -YＮ（０＜Y＜１）よりなるｐ型キ
ャップ層を成長させることにより、発光出力が格段に向
上する。このｐ型キャップ層の膜厚は１μｍよりも厚い
と、層自体にクラックが入りやすくなり素子作製が困難
となる傾向にある。なおｐ型キャップ層も成長方法、成
長装置等によっては省略可能であるので、特に図示して
いないがインジウムを含む活性層を成長させた場合は成
長させる方が望ましい。
【００２３】次に温度を１０５０℃に保持しながら、Ｔ
ＭＧ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇを用いＭｇドープｐ型Ｇ
ａＮよりなるｐ型光ガイド層１７を５００オングストロ
ームの膜厚で成長させる。このｐ型光ガイド層１７も、
Ｉｎを含むｐ型の窒化物半導体若しくはｐ型ＧａＮ、好
ましくは二元混晶または三元混晶のＩｎXＧａ1-XＮ（０
≦X≦１）を成長させる。光ガイド層は、通常１００オ
ングストローム〜１μｍの膜厚で成長させることが望ま
しく、特にＩｎＧａＮ、ＧａＮとすることにより、次の
ｐ型光閉じ込め層１８を結晶性良く成長できる。
ＭＧ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇを用いＭｇドープｐ型Ｇ
ａＮよりなるｐ型光ガイド層１７を５００オングストロ
ームの膜厚で成長させる。このｐ型光ガイド層１７も、
Ｉｎを含むｐ型の窒化物半導体若しくはｐ型ＧａＮ、好
ましくは二元混晶または三元混晶のＩｎXＧａ1-XＮ（０
≦X≦１）を成長させる。光ガイド層は、通常１００オ
ングストローム〜１μｍの膜厚で成長させることが望ま
しく、特にＩｎＧａＮ、ＧａＮとすることにより、次の
ｐ型光閉じ込め層１８を結晶性良く成長できる。
【００２４】続いて、ＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、Ｃ
ｐ2Ｍｇを用いてＭｇドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる
ｐ型光閉じ込め層１８を０．５μｍの膜厚で成長させ
る。このｐ型光閉じ込め層１８は、Ａｌを含むｐ型の窒
化物半導体で構成し、好ましくは二元混晶または三元混
晶のＡｌYＧａ1-YＮ（０＜Y≦１）とすることにより結
晶性の良いものが得られる。ｐ型光閉じ込め層はｎ型光
閉じ込め層と同じく、０．１μｍ〜１μｍの膜厚で成長
させることが望ましく、ＡｌＧａＮのようなＡｌを含む
ｐ型窒化物半導体とすることにより、活性層との屈折率
差を大きくして光閉じ込め層として有効に作用する。
ｐ2Ｍｇを用いてＭｇドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる
ｐ型光閉じ込め層１８を０．５μｍの膜厚で成長させ
る。このｐ型光閉じ込め層１８は、Ａｌを含むｐ型の窒
化物半導体で構成し、好ましくは二元混晶または三元混
晶のＡｌYＧａ1-YＮ（０＜Y≦１）とすることにより結
晶性の良いものが得られる。ｐ型光閉じ込め層はｎ型光
閉じ込め層と同じく、０．１μｍ〜１μｍの膜厚で成長
させることが望ましく、ＡｌＧａＮのようなＡｌを含む
ｐ型窒化物半導体とすることにより、活性層との屈折率
差を大きくして光閉じ込め層として有効に作用する。
【００２５】続いて、ＴＭＧ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇ
を用い、Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト
層１９を０．５μｍの膜厚で成長させる。ｐ型コンタク
ト層１９はｐ型ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦X、０≦
Y、X＋Y≦１）で構成することができ、特にＩｎＧａ
Ｎ、ＧａＮ、その中でもＭｇをドープしたｐ型ＧａＮと
すると、最もキャリア濃度の高いｐ型層が得られて、正
電極と良好なオーミック接触が得られ、しきい値電流を
低下させることができる。正電極の材料としてはＮｉ、
Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ等の比較的仕事関
数の高い金属又は合金がオーミックが得られやすい。
を用い、Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト
層１９を０．５μｍの膜厚で成長させる。ｐ型コンタク
ト層１９はｐ型ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦X、０≦
Y、X＋Y≦１）で構成することができ、特にＩｎＧａ
Ｎ、ＧａＮ、その中でもＭｇをドープしたｐ型ＧａＮと
すると、最もキャリア濃度の高いｐ型層が得られて、正
電極と良好なオーミック接触が得られ、しきい値電流を
低下させることができる。正電極の材料としてはＮｉ、
Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ等の比較的仕事関
数の高い金属又は合金がオーミックが得られやすい。
【００２６】以上のようにして、ストライプ状の溝部１
００を有する基板１の上に窒化物半導体を成長させたウ
ェーハを反応容器から取り出した後、反応性イオンエッ
チング（ＲＩＥ）装置にて、最上層のｐ型コンタクト層
１９から選択エッチを行い、負電極を形成すべきｎ型コ
ンタクト層１３の平面を露出させる。そして、最上層の
ｐ型コンタクト層１９には、溝部のストライプとほぼ同
一の幅のＮｉ／Ａｕよりなるストライプ状の正電極を形
成し、露出させたｎ型コンタクト層１３には、ストライ
プ状の溝部１００に対して平行なストライプ状のＴｉ／
Ａｌよりなる負電極を形成する。なお、ｐ層に形成する
電極はほぼ全面に形成しても良い。
００を有する基板１の上に窒化物半導体を成長させたウ
ェーハを反応容器から取り出した後、反応性イオンエッ
チング（ＲＩＥ）装置にて、最上層のｐ型コンタクト層
１９から選択エッチを行い、負電極を形成すべきｎ型コ
ンタクト層１３の平面を露出させる。そして、最上層の
ｐ型コンタクト層１９には、溝部のストライプとほぼ同
一の幅のＮｉ／Ａｕよりなるストライプ状の正電極を形
成し、露出させたｎ型コンタクト層１３には、ストライ
プ状の溝部１００に対して平行なストライプ状のＴｉ／
Ａｌよりなる負電極を形成する。なお、ｐ層に形成する
電極はほぼ全面に形成しても良い。
【００２７】電極形成後、ウェーハを研磨装置に移送
し、サファイア基板を８０μｍの厚さになるまで研磨し
て薄くした後、サファイア基板面のＲ面で劈開して、共
振面を作製する。この共振面は溝部１００に対して垂直
な方向にあり、溝部１００のストライプ位置は、共振面
により共振される活性層のレーザ光のストライプ導波路
と一致している。なお、本実施例において、共振面は劈
開により形成したが、この他、エッチング、研磨等の手
段を用いて共振面を形成することもできる。
し、サファイア基板を８０μｍの厚さになるまで研磨し
て薄くした後、サファイア基板面のＲ面で劈開して、共
振面を作製する。この共振面は溝部１００に対して垂直
な方向にあり、溝部１００のストライプ位置は、共振面
により共振される活性層のレーザ光のストライプ導波路
と一致している。なお、本実施例において、共振面は劈
開により形成したが、この他、エッチング、研磨等の手
段を用いて共振面を形成することもできる。
【００２８】以上のようにして得られた劈開面に誘電体
多層膜よりなる反射鏡をスパッタリング装置を用いて形
成した後、５００μｍ角のレーザチップとした。このレ
ーザチップをヒートシンクに設置し、常温でパルス発振
させたところ、従来の電極ストライプ型の窒化物半導体
よりなるレーザよりも、閾値電流が５０％以上低下し
た。
多層膜よりなる反射鏡をスパッタリング装置を用いて形
成した後、５００μｍ角のレーザチップとした。このレ
ーザチップをヒートシンクに設置し、常温でパルス発振
させたところ、従来の電極ストライプ型の窒化物半導体
よりなるレーザよりも、閾値電流が５０％以上低下し
た。
【００２９】［実施例２］図３は、本発明の第２の態様
に係るレーザ素子を説明するために、実施例２の工程に
おいて得られるウェーハの主要部の構造を示す模式的な
断面図である。以下、図２および図３を用いて本発明の
第２の態様を説明する。
に係るレーザ素子を説明するために、実施例２の工程に
おいて得られるウェーハの主要部の構造を示す模式的な
断面図である。以下、図２および図３を用いて本発明の
第２の態様を説明する。
【００３０】実施例１と同じくサファイアのＡ面を主面
とする基板１１をＭＯＣＶＤ装置の反応容器内に設置
し、基板１１の上にＧａＮよりなるバッファ層１２を成
長させる。
とする基板１１をＭＯＣＶＤ装置の反応容器内に設置
し、基板１１の上にＧａＮよりなるバッファ層１２を成
長させる。
【００３１】次に温度を１０５０℃にして、図３の
（ａ）に示すように、バッファ層１２の上に、Ｓｉをド
ープしたｎ型Ａｌ0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる窒化物半導体
層２０１を４μｍの膜厚で成長させる。この窒化物半導
体層は後にエッチングされてストライプ状の突起部が形
成される層であり、ｎ型の他に、ｐ型、あるいは半絶縁
のｉ型の窒化物半導体層を成長させることができる。ま
た窒化物半導体の他に、エッチング後、表面に窒化物半
導体が成長できる材料を形成してもよい。
（ａ）に示すように、バッファ層１２の上に、Ｓｉをド
ープしたｎ型Ａｌ0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる窒化物半導体
層２０１を４μｍの膜厚で成長させる。この窒化物半導
体層は後にエッチングされてストライプ状の突起部が形
成される層であり、ｎ型の他に、ｐ型、あるいは半絶縁
のｉ型の窒化物半導体層を成長させることができる。ま
た窒化物半導体の他に、エッチング後、表面に窒化物半
導体が成長できる材料を形成してもよい。
【００３２】窒化物半導体層２０１成長後、ウェーハを
反応容器から取り出し、ＣＶＤ装置を用いて、図３
（ｂ）に示すように窒化物半導体層２０１の表面に幅３
μｍのストライプ状の保護膜３０を形成する。
反応容器から取り出し、ＣＶＤ装置を用いて、図３
（ｂ）に示すように窒化物半導体層２０１の表面に幅３
μｍのストライプ状の保護膜３０を形成する。
【００３３】次に保護膜を形成したウェーハをＲＩＥ装
置にてエッチングを行い、前述の窒化物半導体層２０１
を図３（ｃ）に示すような形状でエッチングし、ストラ
イプ状の突起部２００を形成する。なお図３（ｃ）は保
護膜３０を除去した断面図を示している。この他にスト
ライプ状の突起部を形成するには、前述の保護膜を基板
１１の表面に直接形成した後、露出した基板面をエッチ
ングしてもよい。またストライプ状の突起部を有する窒
化物半導体２０１は、バッファ層の上だけでなく、ｎ型
コンタクト層１３、ｎ型光閉じ込め層１４等のｎ型窒化
物半導体の上にに形成することもできる。但し、突起部
を有する窒化物半導体２０１の導電型は、基板１１とコ
ンタクト層１３の間に形成する場合の他は、ｎ型である
必要がある。つまり、ｎ型コンタクト層１３と活性層１
６との間にはｐ型、ｉ型の窒化物半導体層２０１を成長
させてはならない。なぜなら、電流が阻止されるからで
ある。
置にてエッチングを行い、前述の窒化物半導体層２０１
を図３（ｃ）に示すような形状でエッチングし、ストラ
イプ状の突起部２００を形成する。なお図３（ｃ）は保
護膜３０を除去した断面図を示している。この他にスト
ライプ状の突起部を形成するには、前述の保護膜を基板
１１の表面に直接形成した後、露出した基板面をエッチ
ングしてもよい。またストライプ状の突起部を有する窒
化物半導体２０１は、バッファ層の上だけでなく、ｎ型
コンタクト層１３、ｎ型光閉じ込め層１４等のｎ型窒化
物半導体の上にに形成することもできる。但し、突起部
を有する窒化物半導体２０１の導電型は、基板１１とコ
ンタクト層１３の間に形成する場合の他は、ｎ型である
必要がある。つまり、ｎ型コンタクト層１３と活性層１
６との間にはｐ型、ｉ型の窒化物半導体層２０１を成長
させてはならない。なぜなら、電流が阻止されるからで
ある。
【００３４】このようにして突起部２００を有する窒化
物半導体層２０１を形成したウェーハを再び反応容器に
移送した後、実施例１と同様にして、窒化物半導体層２
０１の上にＳｉドープＧａＮよりなるｎ型コンタクト層
１３、ＳｉドープＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなるクラック防
止層、Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなるｎ型光
閉じ込め層１４、Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型光
ガイド層１５、ノンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎとノンドー
プＩｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる多重量子井戸構造の活性
層１６、Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｐ型
キャップ層、Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型光ガイ
ド層１７、ＭｇドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなるｐ型光
閉じ込め層１８、Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コ
ンタクト層１９を成長させる。成長後のウェーハの構造
を示す断面図が図３（ｄ）である。
物半導体層２０１を形成したウェーハを再び反応容器に
移送した後、実施例１と同様にして、窒化物半導体層２
０１の上にＳｉドープＧａＮよりなるｎ型コンタクト層
１３、ＳｉドープＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなるクラック防
止層、Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなるｎ型光
閉じ込め層１４、Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型光
ガイド層１５、ノンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎとノンドー
プＩｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる多重量子井戸構造の活性
層１６、Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｐ型
キャップ層、Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型光ガイ
ド層１７、ＭｇドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなるｐ型光
閉じ込め層１８、Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コ
ンタクト層１９を成長させる。成長後のウェーハの構造
を示す断面図が図３（ｄ）である。
【００３５】後は実施例１と同様にして、最上層のｐ型
コンタクト層１９に突起部のストライプ幅とほぼ同一幅
を有するストライプ状の正電極を設け、ｎ型コンタクト
層１３にはストライプ状の突起部２００に平行な負電極
を設けた後、基板を研磨してＲ面で劈開して、共振面を
作製する。この共振面はストライプの突起部２００のス
トライプ方向に対して垂直な方向にあり、また突起部２
００のストライプ位置は、共振面により共振される活性
層のレーザ光のストライプ導波路と一致している。この
レーザチップも、常温でパルス発振させたところ、実施
例１のレーザ素子とほぼ同等の特性を示した。
コンタクト層１９に突起部のストライプ幅とほぼ同一幅
を有するストライプ状の正電極を設け、ｎ型コンタクト
層１３にはストライプ状の突起部２００に平行な負電極
を設けた後、基板を研磨してＲ面で劈開して、共振面を
作製する。この共振面はストライプの突起部２００のス
トライプ方向に対して垂直な方向にあり、また突起部２
００のストライプ位置は、共振面により共振される活性
層のレーザ光のストライプ導波路と一致している。この
レーザチップも、常温でパルス発振させたところ、実施
例１のレーザ素子とほぼ同等の特性を示した。
【００３６】
【発明の効果】一般に窒化物半導体は気相成長法で成長
されるため、その各層を構成する膜厚は非常に薄い。ま
た単一層を例えば５μｍ以上の厚膜で成長しにくいとい
う性質を有している。そのため、第１の態様のように溝
部を基板に形成すると、溝部の形状につられて窒化物半
導体が成長される、そのためＧａＡｓ系の材料よりなる
レーザ素子に比べて、選択成長のような特別な成長方法
をすることなく、レーザ光の横モードがクラッド層で制
御される。この効果はストライプ状の突起部を有する第
２の態様についても同様である。このように、本発明の
レーザ素子の製造方法によると、活性層の横モードの光
閉じ込めが行えるため、閾値の低下したレーザ素子を提
供することができ、その産業上の利用価値は大きい。
されるため、その各層を構成する膜厚は非常に薄い。ま
た単一層を例えば５μｍ以上の厚膜で成長しにくいとい
う性質を有している。そのため、第１の態様のように溝
部を基板に形成すると、溝部の形状につられて窒化物半
導体が成長される、そのためＧａＡｓ系の材料よりなる
レーザ素子に比べて、選択成長のような特別な成長方法
をすることなく、レーザ光の横モードがクラッド層で制
御される。この効果はストライプ状の突起部を有する第
２の態様についても同様である。このように、本発明の
レーザ素子の製造方法によると、活性層の横モードの光
閉じ込めが行えるため、閾値の低下したレーザ素子を提
供することができ、その産業上の利用価値は大きい。
【図１】 本発明の第１の態様に係るレーザ素子の構造
を示す模式断面図。
を示す模式断面図。
【図２】 本発明の第２の態様に係るレーザ素子の構造
を示す模式断面図。
を示す模式断面図。
【図３】 実施例２の工程において得られるレーザ素子
のウェーハの主要部の構造を示す模式断面図。
のウェーハの主要部の構造を示す模式断面図。
１１・・・・基板 １２・・・・バッファ層 １３・・・・ｎ型コンタクト層 １４・・・・ｎ型光閉じ込め層 １５・・・・ｎ型光ガイド層 １６・・・・活性層 １７・・・・ｐ型光ガイド層 １８・・・・ｐ型光閉じ込め層 １９・・・・ｐ型コンタクト層 １００・・・・ストライプ溝部 ２００・・・・ストライプ突起部
Claims (4)
- 【請求項１】 基板表面に形成されたストライプ状の溝
部の位置に対応して、活性層の導波路が形成されている
ことを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。 - 【請求項２】 基板と活性層との間に形成されたストラ
イプ状の突起部の位置に対応して活性層の導波路が形成
されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。 - 【請求項３】 基板の表面にストライプ状の溝部を形成
した後、その基板の上にｎ型層、活性層およびｐ型層を
含む窒化物半導体層を成長させ、前記溝部と対応する活
性層にレーザ光の導波路を作製することを特徴とする窒
化物半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項４】 基板上部にストライプ状の突起部を形成
した後、その突起部の上にｎ型層、活性層およびｐ型層
を含む窒化物半導体層を成長させ、前記突起部と対応す
る活性層にレーザ光の導波路を作製することを特徴とす
る窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12415496A JPH09307193A (ja) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12415496A JPH09307193A (ja) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09307193A true JPH09307193A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14878287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12415496A Pending JPH09307193A (ja) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09307193A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002065556A1 (en) * | 2001-02-15 | 2002-08-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light emitting element and production therefor |
| JP2002270970A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子 |
| JP2004289180A (ja) * | 2004-06-29 | 2004-10-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 |
| US7109529B2 (en) | 1998-05-13 | 2006-09-19 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound |
| JP2007150376A (ja) * | 2007-03-20 | 2007-06-14 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子およびエピウエハとその製造方法 |
| US7462867B2 (en) | 2000-03-14 | 2008-12-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor devices and method for fabricating the same |
-
1996
- 1996-05-20 JP JP12415496A patent/JPH09307193A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7109529B2 (en) | 1998-05-13 | 2006-09-19 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound |
| US7462867B2 (en) | 2000-03-14 | 2008-12-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor devices and method for fabricating the same |
| WO2002065556A1 (en) * | 2001-02-15 | 2002-08-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light emitting element and production therefor |
| US6984841B2 (en) | 2001-02-15 | 2006-01-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light emitting element and production thereof |
| JP2002270970A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子 |
| JP2004289180A (ja) * | 2004-06-29 | 2004-10-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 |
| JP2007150376A (ja) * | 2007-03-20 | 2007-06-14 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子およびエピウエハとその製造方法 |
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