JPH0930889A - 半導体単結晶の引上装置 - Google Patents
半導体単結晶の引上装置Info
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- JPH0930889A JPH0930889A JP7213904A JP21390495A JPH0930889A JP H0930889 A JPH0930889 A JP H0930889A JP 7213904 A JP7213904 A JP 7213904A JP 21390495 A JP21390495 A JP 21390495A JP H0930889 A JPH0930889 A JP H0930889A
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Classifications
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/32—Seed holders, e.g. chucks
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】融液面位置の正確な計測を低コストにて行い得
ることができる半導体単結晶の引上装置を提供する。 【構成】種結晶６を保持する種結晶保持器Ａを、種結晶
６を保持する種結晶ホルダー５と、種結晶ホルダー５に
螺合する吊下ボルト３により伸縮可能に設け、種結晶保
持器Ａの上下移動範囲における上死点での種結晶先端位
置を、保持器Ａの伸縮によって基準点に合致させる。
ることができる半導体単結晶の引上装置を提供する。 【構成】種結晶６を保持する種結晶保持器Ａを、種結晶
６を保持する種結晶ホルダー５と、種結晶ホルダー５に
螺合する吊下ボルト３により伸縮可能に設け、種結晶保
持器Ａの上下移動範囲における上死点での種結晶先端位
置を、保持器Ａの伸縮によって基準点に合致させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チョクラルスキー法
（ＣＺ法）により半導体単結晶を製造する工程における
半導体単結晶の引き上げ装置に関するものであり、特に
ガス整流管を備えたシリコン単結晶育成装置の融液表面
の位置を検出し、育成単結晶中の酸素濃度変動を自動的
に抑制するための装置に関するものである。
（ＣＺ法）により半導体単結晶を製造する工程における
半導体単結晶の引き上げ装置に関するものであり、特に
ガス整流管を備えたシリコン単結晶育成装置の融液表面
の位置を検出し、育成単結晶中の酸素濃度変動を自動的
に抑制するための装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路の基本材料である
シリコン単結晶の製造方法の一つとして、坩堝内で半導
体原料を溶融し、円柱状の単結晶インゴットを引き上げ
るチョクラルスキー法（以下ＣＺ法という）が用いられ
ている。このＣＺ法における単結晶育成装置において
は、育成した単結晶中の不純物である酸素濃度を精度よ
く抑制するため、融液表面位置を、引き上げの全過程に
おいて、設定位置通りに制御することが重要である。
シリコン単結晶の製造方法の一つとして、坩堝内で半導
体原料を溶融し、円柱状の単結晶インゴットを引き上げ
るチョクラルスキー法（以下ＣＺ法という）が用いられ
ている。このＣＺ法における単結晶育成装置において
は、育成した単結晶中の不純物である酸素濃度を精度よ
く抑制するため、融液表面位置を、引き上げの全過程に
おいて、設定位置通りに制御することが重要である。
【０００３】特に、ガス整流管を備えた育成装置の場
合、ガス整流管の下端と融液の表面との間隔が一定に保
たれないと、結晶中の酸素濃度が安定しないという問題
が生じていた。すなわち、ガス整流管の下端位置は、育
成装置の構造により決定されるが、融液表面の位置は、
多結晶素材装填量のバラツキ、融液を保持する石英坩堝
肉厚のバラツキ、石英坩堝を保持する黒鉛製坩堝形状の
経時変化等により、大きく変動する。このため、ガス整
流管下端と融液表面との距離も変動して、これが育成さ
れた単結晶の酸素濃度の変動をもたらす。従って、当該
融液表面位置を正確に検出することは、結晶の品質特性
として重要な酸素濃度を目標値通りに制御するために非
常に重要な課題である。
合、ガス整流管の下端と融液の表面との間隔が一定に保
たれないと、結晶中の酸素濃度が安定しないという問題
が生じていた。すなわち、ガス整流管の下端位置は、育
成装置の構造により決定されるが、融液表面の位置は、
多結晶素材装填量のバラツキ、融液を保持する石英坩堝
肉厚のバラツキ、石英坩堝を保持する黒鉛製坩堝形状の
経時変化等により、大きく変動する。このため、ガス整
流管下端と融液表面との距離も変動して、これが育成さ
れた単結晶の酸素濃度の変動をもたらす。従って、当該
融液表面位置を正確に検出することは、結晶の品質特性
として重要な酸素濃度を目標値通りに制御するために非
常に重要な課題である。
【０００４】従来から、この表面位置を測定する方法
は、数多く提案されている。先に、図３及び図４に基づ
いて従来方法を説明し、本発明の目的を明らかにする。
例えば、特開平６−２９３５９０号公報に記載されてい
る方法を、図３により説明する。これはガス整流管２１
下端に基準反射鏡２１を設け、投射したレーザー光Ｌ１
がこの反射鏡２２に反射した後の光路の変位を検出する
ことによって、ガス整流管２１下端位置を検出し、この
反射光に平行なレーザー投射光Ｌ２を融液面２３に投射
して同様に液面位置を検出して、それぞれの検出位置デ
ータの差から、ガス整流管２１下端と融液面２３との間
隔を算出するようにしたものである。
は、数多く提案されている。先に、図３及び図４に基づ
いて従来方法を説明し、本発明の目的を明らかにする。
例えば、特開平６−２９３５９０号公報に記載されてい
る方法を、図３により説明する。これはガス整流管２１
下端に基準反射鏡２１を設け、投射したレーザー光Ｌ１
がこの反射鏡２２に反射した後の光路の変位を検出する
ことによって、ガス整流管２１下端位置を検出し、この
反射光に平行なレーザー投射光Ｌ２を融液面２３に投射
して同様に液面位置を検出して、それぞれの検出位置デ
ータの差から、ガス整流管２１下端と融液面２３との間
隔を算出するようにしたものである。
【０００５】この方法では、ガス整流管２１下端に、基
準点として反射鏡２２を設置しなければならないが、ガ
ス整流管２１下端はシリコン融液の近傍に設置されるた
め、その融点に近い１３００〜１４００℃程度の高温度
になると考えられる。反射鏡は、このような高温とシリ
コン融液表面から発生するＳｉＯ蒸気にさらされるた
め、基準点反射鏡表面の鏡面状態を維持できる材質や加
工方法の選択は実際上極めて困難である。また、ガス整
流管は、通常、下向に向かって径の減少する逆円錐形で
あるが、この様な場合、その下端は、単結晶インゴット
２４外周に近づくが、その場合、融液面の測定点も単結
晶インゴット２４外周に近づく。この場合、結晶２４と
融液面の境界部分は、通常メニスカスと呼ばれる表面張
力により大きく盛り上がった領域になるため、レーザー
光の反射角度が不安定になり、融液面位置の測定が困難
になる。また、炉内を外気から密閉するためのチャンバ
ーに、レーザー光を通過させるための窓を開けねばなら
ない。また、このようなレーザー式のセンサーは極めて
高価なものである。
準点として反射鏡２２を設置しなければならないが、ガ
ス整流管２１下端はシリコン融液の近傍に設置されるた
め、その融点に近い１３００〜１４００℃程度の高温度
になると考えられる。反射鏡は、このような高温とシリ
コン融液表面から発生するＳｉＯ蒸気にさらされるた
め、基準点反射鏡表面の鏡面状態を維持できる材質や加
工方法の選択は実際上極めて困難である。また、ガス整
流管は、通常、下向に向かって径の減少する逆円錐形で
あるが、この様な場合、その下端は、単結晶インゴット
２４外周に近づくが、その場合、融液面の測定点も単結
晶インゴット２４外周に近づく。この場合、結晶２４と
融液面の境界部分は、通常メニスカスと呼ばれる表面張
力により大きく盛り上がった領域になるため、レーザー
光の反射角度が不安定になり、融液面位置の測定が困難
になる。また、炉内を外気から密閉するためのチャンバ
ーに、レーザー光を通過させるための窓を開けねばなら
ない。また、このようなレーザー式のセンサーは極めて
高価なものである。
【０００６】次に、特公平５−５９８７６号公報所載の
装置を図４に示す。これは、チャンバー内に種結晶２５
の下端位置を検出する光学式の基準位置検出センサー２
６を設けたものであり、ガス整流管下端と融液面との距
離については言及されていないが、融液面位置の測定を
行うには有効な方法である。しかしながら、この基準位
置検出センサー２６を従来の単結晶育成装置に付加する
には、チャンバーに新たな窓を開けるための大ががりな
改造が必要となり、経済的ではない。加えて、通常、種
結晶は反復使用されるため、初回以外は割断したままの
不整形な状態となり、先端部が鋭く尖った状態になるこ
とが多い。このような場合、光量の減少量によって作動
する光学式の基準位置検出センサーでは先端部の検出に
誤差が生じ、種結晶の真の先端位置を検出することがで
きない。
装置を図４に示す。これは、チャンバー内に種結晶２５
の下端位置を検出する光学式の基準位置検出センサー２
６を設けたものであり、ガス整流管下端と融液面との距
離については言及されていないが、融液面位置の測定を
行うには有効な方法である。しかしながら、この基準位
置検出センサー２６を従来の単結晶育成装置に付加する
には、チャンバーに新たな窓を開けるための大ががりな
改造が必要となり、経済的ではない。加えて、通常、種
結晶は反復使用されるため、初回以外は割断したままの
不整形な状態となり、先端部が鋭く尖った状態になるこ
とが多い。このような場合、光量の減少量によって作動
する光学式の基準位置検出センサーでは先端部の検出に
誤差が生じ、種結晶の真の先端位置を検出することがで
きない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点に鑑みてなされたものであり、融液面位置の
正確な計測を低コストにて行い得ることができる半導体
単結晶の引上装置を提供することを目的とするものであ
る。
術の問題点に鑑みてなされたものであり、融液面位置の
正確な計測を低コストにて行い得ることができる半導体
単結晶の引上装置を提供することを目的とするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、チ
ョクラルスキー法にて半導体単結晶を育成する装置であ
って、種結晶と坩堝内の融液とが導通したことを検知す
る手段と、前記融液の上方に配設され前記種結晶を保持
する手段と、該種結晶保持手段を昇降及び回転駆動可能
に懸吊する手段と、種結晶の降下距離に比例したパルス
を出力する手段と、種結晶が基準位置から導通位置まで
降下する間のパルス数をカウントして融液面の上下位置
を出力する手段とを有する半導体単結晶の引上装置にお
いて、前記種結晶保持手段を伸縮自在に設けたことを特
徴とする。
ョクラルスキー法にて半導体単結晶を育成する装置であ
って、種結晶と坩堝内の融液とが導通したことを検知す
る手段と、前記融液の上方に配設され前記種結晶を保持
する手段と、該種結晶保持手段を昇降及び回転駆動可能
に懸吊する手段と、種結晶の降下距離に比例したパルス
を出力する手段と、種結晶が基準位置から導通位置まで
降下する間のパルス数をカウントして融液面の上下位置
を出力する手段とを有する半導体単結晶の引上装置にお
いて、前記種結晶保持手段を伸縮自在に設けたことを特
徴とする。
【０００９】
【作用】本発明装置では、特公平５−５９８７６号公報
所載の装置（図４参照）に設けられたような種結晶の下
端が基準位置にあることを検出するためのセンサー及び
これをチャンバー内に設置するための窓を必要としな
い。したがって、このセンサー及びセンサー取付工事が
不要であるにもかかわらず同様の機能を得ることができ
る。
所載の装置（図４参照）に設けられたような種結晶の下
端が基準位置にあることを検出するためのセンサー及び
これをチャンバー内に設置するための窓を必要としな
い。したがって、このセンサー及びセンサー取付工事が
不要であるにもかかわらず同様の機能を得ることができ
る。
【００１０】つまり、種結晶の長さが変動するにもかか
わらず、種結晶先端位置と基準点とを厳密に一致させる
必要があるため、従来装置におては上記センサーを必要
としたが、図１に示すように、種結晶６を保持する保持
器Ａの上下移動範囲における上死点での種結晶先端位置
を、保持器Ａの伸縮によって合致させることによって前
記センサーが不要になる。
わらず、種結晶先端位置と基準点とを厳密に一致させる
必要があるため、従来装置におては上記センサーを必要
としたが、図１に示すように、種結晶６を保持する保持
器Ａの上下移動範囲における上死点での種結晶先端位置
を、保持器Ａの伸縮によって合致させることによって前
記センサーが不要になる。
【００１１】実際には、図１に示すような、種結晶保持
器Ａを単結晶育成装置のケーブル又は引上軸に取付ける
前に、簡単な治具（スケール８）によって長さを調整す
ることにより可能となる。すなわち、通常の単結晶育成
装置には必ず設置されている上死点検出用のリミットス
イッチ１９を使用し、上死点から単結晶が融液面に接触
するまでの移動距離を測定することによって、単結晶装
置に何ら改造を施すことなく種結晶先端位置と基準点と
を高精度に一致させることが可能となる。
器Ａを単結晶育成装置のケーブル又は引上軸に取付ける
前に、簡単な治具（スケール８）によって長さを調整す
ることにより可能となる。すなわち、通常の単結晶育成
装置には必ず設置されている上死点検出用のリミットス
イッチ１９を使用し、上死点から単結晶が融液面に接触
するまでの移動距離を測定することによって、単結晶装
置に何ら改造を施すことなく種結晶先端位置と基準点と
を高精度に一致させることが可能となる。
【００１２】また、別の方法として、本出願人により出
願されている特開平６−４８８８８号所載の方法を用い
ることができる。この場合には、種結晶を引上機本体か
ら絶縁する必要もなくなる。
願されている特開平６−４８８８８号所載の方法を用い
ることができる。この場合には、種結晶を引上機本体か
ら絶縁する必要もなくなる。
【００１３】以上は、液面位置の測定方法に関する説明
であるが、これによりガス整流管下端と融液面との間隔
が算出できるので、これを基準値と比較して偏差を修正
するように坩堝を上下に移動してから結晶成長を行うこ
とにより、酸素濃度の変動を抑制することができる。
であるが、これによりガス整流管下端と融液面との間隔
が算出できるので、これを基準値と比較して偏差を修正
するように坩堝を上下に移動してから結晶成長を行うこ
とにより、酸素濃度の変動を抑制することができる。
【００１４】酸素濃度に与える影響の大きい別のプロセ
ス条件、例えば、炉内の圧力・炉内に流入するアルゴン
ガス流量・坩堝回転数等を変更して、ガス整流管下端と
融液面との間隔の誤差による酸素濃度の変化を打ち消す
ことも可能である。
ス条件、例えば、炉内の圧力・炉内に流入するアルゴン
ガス流量・坩堝回転数等を変更して、ガス整流管下端と
融液面との間隔の誤差による酸素濃度の変化を打ち消す
ことも可能である。
【００１５】
【実施例】以下、本発明に係る半導体単結晶の引上装置
の実施例を図面に基づいて説明する。図１に示すよう
に、種結晶保持器Ａは、種結晶６を保持する種結晶ホル
ダー５を上下及び回転駆動可能に設けられたステンレス
製のケーブル１に、係合ピン２を介して吊り下げられて
いる。３は種結晶ホルダー５にネジ込まれて種結晶６を
含めた種結晶保持器Ａの長さを任意の長さに調節するた
めの吊下ボルトであり、この種結晶ホルダー５と吊下ボ
ルト３との螺合により種結晶保持器Ａは伸縮可能とな
り、ナット４により長さ調節後の位置を固定できるよう
にされている。７は種結晶６を保持するためのモリブデ
ン製のピン、８は種結晶保持器Ａ全体の長さを設定する
ためのスケールであり、カーソル９を設定位置に止めネ
ジ１０により固定して使用する。
の実施例を図面に基づいて説明する。図１に示すよう
に、種結晶保持器Ａは、種結晶６を保持する種結晶ホル
ダー５を上下及び回転駆動可能に設けられたステンレス
製のケーブル１に、係合ピン２を介して吊り下げられて
いる。３は種結晶ホルダー５にネジ込まれて種結晶６を
含めた種結晶保持器Ａの長さを任意の長さに調節するた
めの吊下ボルトであり、この種結晶ホルダー５と吊下ボ
ルト３との螺合により種結晶保持器Ａは伸縮可能とな
り、ナット４により長さ調節後の位置を固定できるよう
にされている。７は種結晶６を保持するためのモリブデ
ン製のピン、８は種結晶保持器Ａ全体の長さを設定する
ためのスケールであり、カーソル９を設定位置に止めネ
ジ１０により固定して使用する。
【００１６】上記種結晶保持器Ａを使用して、種結晶６
の先端から種結晶保持器Ａ上端までの距離を３００ｍｍ
に調節して、図２に示すシリコン単結晶製造装置に取付
けて単結晶の育成を行った。
の先端から種結晶保持器Ａ上端までの距離を３００ｍｍ
に調節して、図２に示すシリコン単結晶製造装置に取付
けて単結晶の育成を行った。
【００１７】種結晶６と坩堝１１内の融液１２表面との
接触は通電を電圧計１８により検出する。ケーブル１に
最大２４ボルト、設定電流０．２ミリアンペアの定電流
電源１３を接続した。その結果、ケーブル１とアース１
４間の電圧は、非接触時に２３．７ボルト、接触時に１
ボルトとなり確実な検出を行うのに充分な電圧変化が得
られた。その際のシリコン融液量は６０キログラムであ
った。
接触は通電を電圧計１８により検出する。ケーブル１に
最大２４ボルト、設定電流０．２ミリアンペアの定電流
電源１３を接続した。その結果、ケーブル１とアース１
４間の電圧は、非接触時に２３．７ボルト、接触時に１
ボルトとなり確実な検出を行うのに充分な電圧変化が得
られた。その際のシリコン融液量は６０キログラムであ
った。
【００１８】種結晶保持器Ａの上下駆動範囲の上死点か
ら融液表面に種結晶先端が接触するまでの移動距離は、
ケーブル巻上ドラム１５の回転軸に直結した光学式ロー
タリーエンコーダー１６の発生するパルスをカウンター
１７でカウントすることによって測定した。実施例で
は、上死点から融液表面に接触するまでの距離は２７０
０ｍｍの設定値に対して繰り返し誤差プラスマイナス
０．５ｍｍで測定できた。図中、Ｍ１及びＭ２は駆動モ
ーター、１１は坩堝、２０はカウンター１７及び電圧計
の計測値を基に坩堝１１の回転数及び上下動を制御する
コントローラーである。
ら融液表面に種結晶先端が接触するまでの移動距離は、
ケーブル巻上ドラム１５の回転軸に直結した光学式ロー
タリーエンコーダー１６の発生するパルスをカウンター
１７でカウントすることによって測定した。実施例で
は、上死点から融液表面に接触するまでの距離は２７０
０ｍｍの設定値に対して繰り返し誤差プラスマイナス
０．５ｍｍで測定できた。図中、Ｍ１及びＭ２は駆動モ
ーター、１１は坩堝、２０はカウンター１７及び電圧計
の計測値を基に坩堝１１の回転数及び上下動を制御する
コントローラーである。
【００１９】実際の単結晶育成に際して融液表面位置の
バッチ間の変動は２〜３ｍｍある。本実施例以前の単結
晶育成条件では、融液表面位置の１ｍｍの上昇に対して
酸素濃度の０．１２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の変
動を生じているので、融液面位置変動による酸素濃度バ
ラツキの幅は、０．３６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３
なる。本実施例では、前記融液表面位置の測定結果によ
り、ガス整流管との間隔の設定値である２０ｍｍからの
誤差をプラスマイナス０．５ｍｍ以内に修正して単結晶
の育成を行ったところ、従来の方法では０．４７×１０
１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のバラツキ幅であったところ
が、０．３×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３となり、バラ
ツキによる酸素濃度規格はずれを大幅に減少することが
できた。
バッチ間の変動は２〜３ｍｍある。本実施例以前の単結
晶育成条件では、融液表面位置の１ｍｍの上昇に対して
酸素濃度の０．１２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の変
動を生じているので、融液面位置変動による酸素濃度バ
ラツキの幅は、０．３６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３
なる。本実施例では、前記融液表面位置の測定結果によ
り、ガス整流管との間隔の設定値である２０ｍｍからの
誤差をプラスマイナス０．５ｍｍ以内に修正して単結晶
の育成を行ったところ、従来の方法では０．４７×１０
１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のバラツキ幅であったところ
が、０．３×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３となり、バラ
ツキによる酸素濃度規格はずれを大幅に減少することが
できた。
【００２０】
【発明の効果】本発明は以上のように構成したので、以
下に述べる優れた効果がある。 （１）． 従来の装置に設けられているような種結晶の
下端が基準位置にあることを検出するためのセンサーが
不要になり、単結晶装置をなんら改造することなく、ま
た、そのセンサーによる測定誤差が発生することなく融
液面位置を正確に測定することができる。 （２）．シリコン単結晶の重要な品質の一つである酸素
濃度のバラツキを低減することができ、製品歩留まりを
向上することができると共に、均一な品質の単結晶を製
造することができる。
下に述べる優れた効果がある。 （１）． 従来の装置に設けられているような種結晶の
下端が基準位置にあることを検出するためのセンサーが
不要になり、単結晶装置をなんら改造することなく、ま
た、そのセンサーによる測定誤差が発生することなく融
液面位置を正確に測定することができる。 （２）．シリコン単結晶の重要な品質の一つである酸素
濃度のバラツキを低減することができ、製品歩留まりを
向上することができると共に、均一な品質の単結晶を製
造することができる。
【図１】本発明に係る種結晶保持器の拡大断面である。
【図２】本発明に係るシリコン単結晶製造装置の概略説
明図である。
明図である。
【図３】従来技術を示す概略説明図である。
【図４】従来技術を示す概略説明図である。
Ａ 種結晶保持器 １ ケーブル ２ 係合ピン ３ 吊下ボルト ４ ナット ５ 種結晶ホルダー ６ 種結晶 ７ ピン ８ スケール ９ カーソル １０ 止めネジ １１ 坩堝 １２ 融液 １３ 電源 １４ アース １５ 巻上ドラム １６ ロータリーエンコーダ １７ カウンター １８ 電圧計 １９ リミットスイッチ ２０ コントローラー
Claims (2)
- 【請求項１】チョクラルスキー法にて半導体単結晶を育
成する装置であって、種結晶と坩堝内の融液とが導通し
たことを検知する手段と、前記融液の上方に配設され前
記種結晶を保持する手段と、該種結晶保持手段を昇降及
び回転駆動可能に懸吊する手段と、種結晶の降下距離に
比例したパルスを出力する手段と、種結晶が基準位置か
ら導通位置まで降下する間のパルス数をカウントして融
液面の上下位置を出力する手段とを有する半導体単結晶
の引上装置において、 前記種結晶保持手段を上下に伸縮自在に設けたことを特
徴とする半導体単結晶の引上装置。 - 【請求項２】種結晶保持手段を、種結晶を保持する種結
晶ホルダーと、該種結晶ホルダーに螺合する吊下ボルト
と、該種結晶ホルダーを上下駆動可能に懸吊するケーブ
ルとから構成したことを特徴とする請求項１記載の半導
体単結晶の引上装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7213904A JPH0930889A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | 半導体単結晶の引上装置 |
| US08/758,475 US5725660A (en) | 1995-07-18 | 1996-11-29 | Semiconductor single crystal growing apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7213904A JPH0930889A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | 半導体単結晶の引上装置 |
| US08/758,475 US5725660A (en) | 1995-07-18 | 1996-11-29 | Semiconductor single crystal growing apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0930889A true JPH0930889A (ja) | 1997-02-04 |
Family
ID=26520042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7213904A Pending JPH0930889A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | 半導体単結晶の引上装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5725660A (ja) |
| JP (1) | JPH0930889A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10273381A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-13 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 結晶体の引上げ装置 |
| JP3964002B2 (ja) * | 1997-06-02 | 2007-08-22 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 単結晶保持装置及び単結晶保持方法 |
| US6051064A (en) * | 1998-08-20 | 2000-04-18 | Seh America, Inc. | Apparatus for weighing crystals during Czochralski crystal growing |
| US6344083B1 (en) * | 2000-02-14 | 2002-02-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for producing a silicon melt |
| US6749683B2 (en) | 2000-02-14 | 2004-06-15 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for producing a silicon melt |
| US6980814B2 (en) * | 2000-07-18 | 2005-12-27 | Pioneer Corporation | Mobile communication system with mobile station position detection |
| WO2002092885A1 (en) * | 2001-05-15 | 2002-11-21 | Memc Electronic Materials, Inc. | Electrically conductive crystal seed chuck assembly |
| DE10137857B4 (de) * | 2001-08-02 | 2006-11-16 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls |
| US20090120353A1 (en) * | 2007-11-13 | 2009-05-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Reduction of air pockets in silicon crystals by avoiding the introduction of nearly-insoluble gases into the melt |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2842467A (en) * | 1954-04-28 | 1958-07-08 | Ibm | Method of growing semi-conductors |
| JPS5827238B2 (ja) * | 1980-12-23 | 1983-06-08 | 日本電信電話株式会社 | 単結晶の製造方法 |
| JP2975948B2 (ja) * | 1991-04-15 | 1999-11-10 | 株式会社トーキン | 結晶育成方法 |
-
1995
- 1995-07-18 JP JP7213904A patent/JPH0930889A/ja active Pending
-
1996
- 1996-11-29 US US08/758,475 patent/US5725660A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5725660A (en) | 1998-03-10 |
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