JPH09309065A - 研磨装置および研磨方法 - Google Patents
研磨装置および研磨方法Info
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- JPH09309065A JPH09309065A JP12799996A JP12799996A JPH09309065A JP H09309065 A JPH09309065 A JP H09309065A JP 12799996 A JP12799996 A JP 12799996A JP 12799996 A JP12799996 A JP 12799996A JP H09309065 A JPH09309065 A JP H09309065A
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- polishing
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- polishing apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【課題】研磨パッドの目詰まりの進行を抑え、長期間に
わたってウエハの研磨速度を安定させることができる研
磨装置および研磨方法を提供する。 【解決手段】ウエハの外周部にリテーナを有する研磨装
置であって、このリテーナの研磨パッドと対向する面
に、複数の高硬度の凸部１７が設けられ、その高硬度の
凸部１７と凸部１７の間の凹部がその凸部に比べて低硬
度の材料１８で埋められている研磨装置。この研磨装置
を用い、リテーナの上面がウエハ上面より０ｍｍ以上
０．１ｍｍ以下の範囲内で高くなる条件でウエハを研磨
する研磨方法。
わたってウエハの研磨速度を安定させることができる研
磨装置および研磨方法を提供する。 【解決手段】ウエハの外周部にリテーナを有する研磨装
置であって、このリテーナの研磨パッドと対向する面
に、複数の高硬度の凸部１７が設けられ、その高硬度の
凸部１７と凸部１７の間の凹部がその凸部に比べて低硬
度の材料１８で埋められている研磨装置。この研磨装置
を用い、リテーナの上面がウエハ上面より０ｍｍ以上
０．１ｍｍ以下の範囲内で高くなる条件でウエハを研磨
する研磨方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエハな
どのウエハ（板状物）の研磨装置および研磨方法に関
し、特に半導体素子の製造工程で用いられるウエハの研
磨に好適な研磨装置および研磨方法に関する。
どのウエハ（板状物）の研磨装置および研磨方法に関
し、特に半導体素子の製造工程で用いられるウエハの研
磨に好適な研磨装置および研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造工程におけるウエハの
研磨は、試料台に保持されたウエハに研磨パッドを押し
当て、ウエハと研磨パッドの間に研磨スラリー（砥粒
液）を供給し、試料台と研磨パッドのいずれか一方、ま
たは両方を回転させることにより行われている。
研磨は、試料台に保持されたウエハに研磨パッドを押し
当て、ウエハと研磨パッドの間に研磨スラリー（砥粒
液）を供給し、試料台と研磨パッドのいずれか一方、ま
たは両方を回転させることにより行われている。
【０００３】この研磨時の回転運動によりウエハの外縁
には大きな力が加わることと、ウエハと研磨パッドの間
から滲みでたスラリーがウエハの外縁付近に滞留するこ
とから、ウエハの周縁部分が過剰に研磨され、面ダレを
起こすことが多い。この対策としてウエハの周囲に所定
厚みのリテーナを設けてウエハを研磨する構成の研磨装
置が提案されている。
には大きな力が加わることと、ウエハと研磨パッドの間
から滲みでたスラリーがウエハの外縁付近に滞留するこ
とから、ウエハの周縁部分が過剰に研磨され、面ダレを
起こすことが多い。この対策としてウエハの周囲に所定
厚みのリテーナを設けてウエハを研磨する構成の研磨装
置が提案されている。
【０００４】図１は、ウエハの研磨装置を示す模式的縦
断面図である。研磨パッド２１が被着された研磨定盤２
２が、研磨定盤回転軸Ａ−Ａ’を中心としてこのまわり
を回転（公転）する。ウエハ載置部１１が設けられた試
料台１０が、試料台回転軸Ｂ−Ｂ’を中心としてこのま
わりを回転（公転）する。研磨定盤回転軸Ａ−Ａ’と試
料台回転軸Ｂ−Ｂ’は一致させる場合もあれば、異なら
せる場合もある。リテーナ１５を有するウエハ載置部１
１はウエハ載置部回転軸Ｃ−Ｃ’を中心としてこのまわ
りを回転する。
断面図である。研磨パッド２１が被着された研磨定盤２
２が、研磨定盤回転軸Ａ−Ａ’を中心としてこのまわり
を回転（公転）する。ウエハ載置部１１が設けられた試
料台１０が、試料台回転軸Ｂ−Ｂ’を中心としてこのま
わりを回転（公転）する。研磨定盤回転軸Ａ−Ａ’と試
料台回転軸Ｂ−Ｂ’は一致させる場合もあれば、異なら
せる場合もある。リテーナ１５を有するウエハ載置部１
１はウエハ載置部回転軸Ｃ−Ｃ’を中心としてこのまわ
りを回転する。
【０００５】図２は、ウエハの研磨装置の試料台を示す
模式的平面図である。試料台１０には、ウエハ載置部１
１が５つ設けられている。図２では、それぞれのウエハ
載置部１１、試料台１０、および研磨定盤（図示せず）
は、すべて同じ方向に回転している。
模式的平面図である。試料台１０には、ウエハ載置部１
１が５つ設けられている。図２では、それぞれのウエハ
載置部１１、試料台１０、および研磨定盤（図示せず）
は、すべて同じ方向に回転している。
【０００６】図３は、ウエハの研磨装置のウエハ載置部
を示す模式的縦断面図である。
を示す模式的縦断面図である。
【０００７】ウエハ載置部１１はアクリル樹脂等で形成
され、ウエハ載置面１２にはウエハが載置される部分よ
りも小さい範囲で同心円状および放射状にウエハ保持用
溝１３が形成されている。ウエハ保持用溝１３には排気
用貫通孔１４が数箇所接続形成されており、この排気用
貫通孔１４は真空排気装置（図示せず）に通じている。
排気貫通孔１４を介してウエハ保持用溝１３を真空に排
気することにより、ウエハＳがウエハ載置面１２に真空
吸着される。
され、ウエハ載置面１２にはウエハが載置される部分よ
りも小さい範囲で同心円状および放射状にウエハ保持用
溝１３が形成されている。ウエハ保持用溝１３には排気
用貫通孔１４が数箇所接続形成されており、この排気用
貫通孔１４は真空排気装置（図示せず）に通じている。
排気貫通孔１４を介してウエハ保持用溝１３を真空に排
気することにより、ウエハＳがウエハ載置面１２に真空
吸着される。
【０００８】ウエハ載置面１２の周囲には、前述したリ
テーナ１５が配設されている。このリテーナ１５の上面
は平坦な面に作製され、リテーナ１５の上面の高さは、
ウエハＳをウエハ載置面１２に載置したとき、ウエハＳ
の上面とほぼ同一の高さになるよう調整されている。こ
れによりウエハＳを研磨する際の研磨パッド２１が安定
した平面で回転し、ウエハＳ周縁部の面ダレの発生が防
止される。
テーナ１５が配設されている。このリテーナ１５の上面
は平坦な面に作製され、リテーナ１５の上面の高さは、
ウエハＳをウエハ載置面１２に載置したとき、ウエハＳ
の上面とほぼ同一の高さになるよう調整されている。こ
れによりウエハＳを研磨する際の研磨パッド２１が安定
した平面で回転し、ウエハＳ周縁部の面ダレの発生が防
止される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような研磨パッドを用いた研磨装置には、研磨処理の
時間が経過するにつれて、研磨パッドの目詰まりが進行
し、ウエハの研磨速度が低下する。
たような研磨パッドを用いた研磨装置には、研磨処理の
時間が経過するにつれて、研磨パッドの目詰まりが進行
し、ウエハの研磨速度が低下する。
【００１０】本発明は、このような課題を解決するため
になされたものであり、研磨パッドの目詰まりの進行を
抑え、長期間にわたってウエハの研磨速度を安定させる
ことができる研磨装置および研磨方法を提供することを
目的としている。
になされたものであり、研磨パッドの目詰まりの進行を
抑え、長期間にわたってウエハの研磨速度を安定させる
ことができる研磨装置および研磨方法を提供することを
目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の研磨装置は、試
料台に保持されたウエハに研磨パッドを押し当て、ウエ
ハと研磨パッドの間に研磨スラリーを供給し、試料台お
よび／または研磨パッドを回転させることによりウエハ
を研磨する研磨装置であって、試料台のウエハが載置さ
れる部分の外周部にリテーナを備え、前記リテーナの研
磨パッドと対向する面に、研磨パッドより高硬度の複数
の凸部が設けられ、その高硬度の凸部と凸部の間の凹部
がその凸部に比べて低硬度の材料で埋められていること
を特徴としている。
料台に保持されたウエハに研磨パッドを押し当て、ウエ
ハと研磨パッドの間に研磨スラリーを供給し、試料台お
よび／または研磨パッドを回転させることによりウエハ
を研磨する研磨装置であって、試料台のウエハが載置さ
れる部分の外周部にリテーナを備え、前記リテーナの研
磨パッドと対向する面に、研磨パッドより高硬度の複数
の凸部が設けられ、その高硬度の凸部と凸部の間の凹部
がその凸部に比べて低硬度の材料で埋められていること
を特徴としている。
【００１２】本発明の研磨装置によれば、ウエハの研磨
工程中に、リテーナの上面に設けられた高硬度の凸部が
研磨パッドに接触し、研磨パッドの表面が削られて、研
磨パッドのシーズニングを行うことができる。その結
果、研磨パッドの目詰まりの進行が抑えられる。
工程中に、リテーナの上面に設けられた高硬度の凸部が
研磨パッドに接触し、研磨パッドの表面が削られて、研
磨パッドのシーズニングを行うことができる。その結
果、研磨パッドの目詰まりの進行が抑えられる。
【００１３】一方、高硬度の凸部が設けられたリテーナ
でシーズニングする場合、研磨パッドのシーズニング効
果が激しく、研磨パッドの摩耗が激しくなる場合があ
る。
でシーズニングする場合、研磨パッドのシーズニング効
果が激しく、研磨パッドの摩耗が激しくなる場合があ
る。
【００１４】本発明の研磨装置のリテーナでは、高硬度
の凸部と凸部の間の凹部に、その凸部に比べて低硬度の
材料が適度な位置まで埋めこまれている。これにより、
高硬度の凸部の研磨パッドへの食い込みが抑えられ、研
磨パッドの過度のシーズニングが防止され、適度なシー
ズニング効果を安定して得ることができる。その結果、
長期間にわたってウエハの研磨速度を安定させることが
できる。
の凸部と凸部の間の凹部に、その凸部に比べて低硬度の
材料が適度な位置まで埋めこまれている。これにより、
高硬度の凸部の研磨パッドへの食い込みが抑えられ、研
磨パッドの過度のシーズニングが防止され、適度なシー
ズニング効果を安定して得ることができる。その結果、
長期間にわたってウエハの研磨速度を安定させることが
できる。
【００１５】また、本発明の研磨装置によれば、リテー
ナの研磨パッドと対向する面に高硬度の凸部が存在する
ので、リテーナの消耗速度を低減することもできる。
ナの研磨パッドと対向する面に高硬度の凸部が存在する
ので、リテーナの消耗速度を低減することもできる。
【００１６】なお、この高硬度の凸部は、ダイヤモンド
粒などをステンレス板等に電着することにより、またＳ
ｉＣ、ＳｉＮなどのセラミックス板に溝加工を加えるこ
とにより形成することができる。
粒などをステンレス板等に電着することにより、またＳ
ｉＣ、ＳｉＮなどのセラミックス板に溝加工を加えるこ
とにより形成することができる。
【００１７】高硬度の凸部と凸部の間の凹部に埋め込ま
れる材料としては、テフロンやアクリルなどの樹脂を用
いることができる。
れる材料としては、テフロンやアクリルなどの樹脂を用
いることができる。
【００１８】なお、高硬度の凸部と凸部の間の凹部への
低硬度の材料の埋め込み量は、この材料の材質、研磨パ
ッドの材質、リテーナ上面の凸部の材質およびリテーナ
の上面とウエハ上面の高さの位置関係から決めれば良
い。
低硬度の材料の埋め込み量は、この材料の材質、研磨パ
ッドの材質、リテーナ上面の凸部の材質およびリテーナ
の上面とウエハ上面の高さの位置関係から決めれば良
い。
【００１９】また、本発明の研磨方法は、上記の研磨装
置の試料台にウエハを保持し、リテーナの上面がウエハ
上面より０ｍｍ以上０．１ｍｍ以下の範囲内で高くなる
条件でウエハを研磨することを特徴としている。
置の試料台にウエハを保持し、リテーナの上面がウエハ
上面より０ｍｍ以上０．１ｍｍ以下の範囲内で高くなる
条件でウエハを研磨することを特徴としている。
【００２０】リテーナの上面をウエハ上面より高くする
ことにより、効果的に研磨パッドの表面を削り、研磨パ
ッドのシーズニングを行うことができる。また、リテー
ナの上面をウエハ上面に比べてあまり高い条件でウエハ
を研磨すると、ウエハ周縁部の研磨速度が低下し、研磨
速度のウエハ面内均一性が悪化する。リテーナの上面が
ウエハ上面から０．１ｍｍ以内の高さの範囲内でウエハ
を研磨することにより、ウエハ周縁部の研磨速度の低下
を抑えて、ウエハを均一に研磨することができる。
ことにより、効果的に研磨パッドの表面を削り、研磨パ
ッドのシーズニングを行うことができる。また、リテー
ナの上面をウエハ上面に比べてあまり高い条件でウエハ
を研磨すると、ウエハ周縁部の研磨速度が低下し、研磨
速度のウエハ面内均一性が悪化する。リテーナの上面が
ウエハ上面から０．１ｍｍ以内の高さの範囲内でウエハ
を研磨することにより、ウエハ周縁部の研磨速度の低下
を抑えて、ウエハを均一に研磨することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の研磨装置の例について説
明する。本発明の研磨装置の例は、図１、図２および図
３に示す研磨装置と同じ構成の装置であって、リテーナ
のみが異なるものである。したがって、リテーナ以外の
部分の説明は省略する。
明する。本発明の研磨装置の例は、図１、図２および図
３に示す研磨装置と同じ構成の装置であって、リテーナ
のみが異なるものである。したがって、リテーナ以外の
部分の説明は省略する。
【００２２】図４は、本発明の研磨装置のリテーナの１
例の模式的平面図である。リテーナの上面には、ダイヤ
モンド粒を電着することにより、凸部１７が形成されて
いる。ダイヤモンド粒の粒径は、０．１〜１．０ｍｍ程
度が好ましい。
例の模式的平面図である。リテーナの上面には、ダイヤ
モンド粒を電着することにより、凸部１７が形成されて
いる。ダイヤモンド粒の粒径は、０．１〜１．０ｍｍ程
度が好ましい。
【００２３】図５は、このリテーナの一部分の模式的縦
断面図である。ステンレス鋼製などのリテーナ１５にダ
イヤモンド粒（凸部１７）を電着し、例えばニッケルな
どの高硬度金属でダイヤモンド粒１７の間に電気メッキ
処理を施し、電着層１６を形成している。ダイヤモンド
粒１７の脱落を抑えるため、ダイヤモンド粒１７の電着
層１６への埋設率は５０％以上が好ましい。この電着層
１６の上に、テフロンやアクリルなどの樹脂のような低
硬度の材料１８をコーティングし、ダイヤモンド粒１７
の間を埋める。なお、ダイヤモンド粒１７の電着層１６
および低硬度の材料１８への最終的な埋設率は、研磨パ
ッドのシーズニング効果から決めれば良いが、通常６０
〜９９％が好ましい。低硬度の材料１８の厚みは２０〜
５００μｍであることが好ましい。
断面図である。ステンレス鋼製などのリテーナ１５にダ
イヤモンド粒（凸部１７）を電着し、例えばニッケルな
どの高硬度金属でダイヤモンド粒１７の間に電気メッキ
処理を施し、電着層１６を形成している。ダイヤモンド
粒１７の脱落を抑えるため、ダイヤモンド粒１７の電着
層１６への埋設率は５０％以上が好ましい。この電着層
１６の上に、テフロンやアクリルなどの樹脂のような低
硬度の材料１８をコーティングし、ダイヤモンド粒１７
の間を埋める。なお、ダイヤモンド粒１７の電着層１６
および低硬度の材料１８への最終的な埋設率は、研磨パ
ッドのシーズニング効果から決めれば良いが、通常６０
〜９９％が好ましい。低硬度の材料１８の厚みは２０〜
５００μｍであることが好ましい。
【００２４】図６は、本発明の研磨装置のリテーナの他
の例を示す模式的平面図である。凸部１９のパターンが
形成されているＳｉＣやＳｉＮなどの焼結されたセラミ
ックス板の例である。この凸部の大きさ、形状および間
隔を変えることにより研磨パッドのシーズニング効果を
変化させることができる。
の例を示す模式的平面図である。凸部１９のパターンが
形成されているＳｉＣやＳｉＮなどの焼結されたセラミ
ックス板の例である。この凸部の大きさ、形状および間
隔を変えることにより研磨パッドのシーズニング効果を
変化させることができる。
【００２５】図７は、このリテーナの一部分の模式的縦
断面図である。セラミックスの凸部１９と凸部１９との
間の凹部に、低硬度の材料１８としてテフロンやアクリ
ルなどの樹脂がコーティングにより、埋め込まれた構造
となっている。
断面図である。セラミックスの凸部１９と凸部１９との
間の凹部に、低硬度の材料１８としてテフロンやアクリ
ルなどの樹脂がコーティングにより、埋め込まれた構造
となっている。
【００２６】本発明の研磨方法の例について、図３に基
づき説明する。
づき説明する。
【００２７】ウエハＳをウエハ載置面１２に載置した
とき、リテーナの表面がウエハＳの表面とほぼ同一の高
さで、しかも高硬度の凸部の先端がウエハＳの表面より
少し高くなるように、リテーナ１５を取り付けておく。
とき、リテーナの表面がウエハＳの表面とほぼ同一の高
さで、しかも高硬度の凸部の先端がウエハＳの表面より
少し高くなるように、リテーナ１５を取り付けておく。
【００２８】ウエハ載置面１２に、例えばシリコンウ
エハなどのウエハＳを載置する。
エハなどのウエハＳを載置する。
【００２９】排気貫通孔１４を介してウエハ保持用溝
１３を真空に排気して、ウエハＳをウエハ載置面１２に
真空吸着する。
１３を真空に排気して、ウエハＳをウエハ載置面１２に
真空吸着する。
【００３０】研磨パッド２１、ウエハ載置部１１、お
よびウエハ載置部１１が設けられている試料台を回転さ
せつつ、研磨定盤の中央部の研磨スラリー供給孔（図示
せず）から研磨スラリーを研磨パッド２１に供給する。
よびウエハ載置部１１が設けられている試料台を回転さ
せつつ、研磨定盤の中央部の研磨スラリー供給孔（図示
せず）から研磨スラリーを研磨パッド２１に供給する。
【００３１】研磨パッド２１を降下させて、研磨パッ
ド２１をウエハＳに所定の研磨負荷を与えてつつ圧接
し、ウエハＳの上面を研磨する。
ド２１をウエハＳに所定の研磨負荷を与えてつつ圧接
し、ウエハＳの上面を研磨する。
【００３２】この研磨方法によれば、ウエハＳを研磨す
る際、研磨パッド２１が安定した平面で回転し、ウエハ
Ｓ周縁部の面ダレの発生が防止されるとともに、研磨パ
ッド２１のシーズニングが安定して行なわれる。その結
果、研磨パッドの目詰まりの進行が抑えられ、長期間に
わたってウエハの研磨速度を安定させることができる。
また、この高硬度の凸部が存在するので、リテーナ自体
の消耗速度を低減することもできる。
る際、研磨パッド２１が安定した平面で回転し、ウエハ
Ｓ周縁部の面ダレの発生が防止されるとともに、研磨パ
ッド２１のシーズニングが安定して行なわれる。その結
果、研磨パッドの目詰まりの進行が抑えられ、長期間に
わたってウエハの研磨速度を安定させることができる。
また、この高硬度の凸部が存在するので、リテーナ自体
の消耗速度を低減することもできる。
【００３３】なお、通常、リテーナの高硬度の凸部の先
端が、ウエハ上面に対して０〜０．１ｍｍ程度高くなる
ようにリテーナを取り付けることにより、効果的に研磨
パッドの表面を削り、研磨パッドの適度なシーズニング
を行うことができ、また研磨速度のウエハ面内均一性を
良好に保つことができる。
端が、ウエハ上面に対して０〜０．１ｍｍ程度高くなる
ようにリテーナを取り付けることにより、効果的に研磨
パッドの表面を削り、研磨パッドの適度なシーズニング
を行うことができ、また研磨速度のウエハ面内均一性を
良好に保つことができる。
【００３４】
【実施例】本発明の実施例について説明する。本実施例
で用いた研磨装置は、図１、図２および図３に示した研
磨装置であり、用いたリテーナは、図２および図３に示
したダイヤモンド粒を電着したリテーナである。
で用いた研磨装置は、図１、図２および図３に示した研
磨装置であり、用いたリテーナは、図２および図３に示
したダイヤモンド粒を電着したリテーナである。
【００３５】リテーナの作製は以下のようにして行っ
た。ステンレス鋼製のリテーナ１５本体上面にダイヤモ
ンド粒１７を電着し、ニッケルでダイヤモンド粒１７の
間に電気メッキ処理を施し、電着層１６を形成した。そ
して、この電着層１６の上に、テフロン（樹脂１８）を
コーティングして、先端のみ表面から見える程度にダイ
ヤモンド粒１７を埋め込んだ。ダイヤモンド粒の粒径
は、０．５ｍｍ。ダイヤモンド粒１７の電着層１６への
埋設率は６０％。テフロン（低硬度の材料１８）のコー
ティング量は、厚さ１００μｍとした。
た。ステンレス鋼製のリテーナ１５本体上面にダイヤモ
ンド粒１７を電着し、ニッケルでダイヤモンド粒１７の
間に電気メッキ処理を施し、電着層１６を形成した。そ
して、この電着層１６の上に、テフロン（樹脂１８）を
コーティングして、先端のみ表面から見える程度にダイ
ヤモンド粒１７を埋め込んだ。ダイヤモンド粒の粒径
は、０．５ｍｍ。ダイヤモンド粒１７の電着層１６への
埋設率は６０％。テフロン（低硬度の材料１８）のコー
ティング量は、厚さ１００μｍとした。
【００３６】このリテーナを用いて、８インチシリコン
ウエハ上に形成された熱酸化膜の研磨を行った。研磨パ
ッドは、発泡ポリウレタン製であり、研磨スラリーは、
シリカをＫＯＨ水溶液に懸濁させたものである。
ウエハ上に形成された熱酸化膜の研磨を行った。研磨パ
ッドは、発泡ポリウレタン製であり、研磨スラリーは、
シリカをＫＯＨ水溶液に懸濁させたものである。
【００３７】本実施例のリテーナを用いた場合、ウエハ
５０００枚処理時においても、その研磨速度は約２００
ｎｍ／ｍｉｎであり、その研磨速度のばらつきは５％以
下であった。これに対して、従来の石英製の平坦なリテ
ーナを用いた場合、ウエハを２００〜３００枚程度処理
すると、研磨速度が当初の約２００ｎｍ／ｍｉｎから１
０％以上低下した。
５０００枚処理時においても、その研磨速度は約２００
ｎｍ／ｍｉｎであり、その研磨速度のばらつきは５％以
下であった。これに対して、従来の石英製の平坦なリテ
ーナを用いた場合、ウエハを２００〜３００枚程度処理
すると、研磨速度が当初の約２００ｎｍ／ｍｉｎから１
０％以上低下した。
【００３８】なお、本実施例のリテーナは、リテーナの
高硬度の凸部の先端がウエハ上面に対して０．０２ｍｍ
程度高くなるように取り付けた。また、従来の石英製の
平坦なリテーナは、その上面がウエハ上面と同じ高さに
なるように取り付けた。
高硬度の凸部の先端がウエハ上面に対して０．０２ｍｍ
程度高くなるように取り付けた。また、従来の石英製の
平坦なリテーナは、その上面がウエハ上面と同じ高さに
なるように取り付けた。
【００３９】この結果から、本実施例のリテーナを用い
た研磨装置の場合、ウエハの研磨速度を安定させること
ができることが確認された。また、ウエハの周縁部の面
ダレの発生もなかった。
た研磨装置の場合、ウエハの研磨速度を安定させること
ができることが確認された。また、ウエハの周縁部の面
ダレの発生もなかった。
【００４０】また、従来ウエハを２００枚程度処理する
とリテーナの交換が必要であったのに対し、本実施例の
リテーナを用いた場合、１００００枚程度処理するまで
交換が不要になった。
とリテーナの交換が必要であったのに対し、本実施例の
リテーナを用いた場合、１００００枚程度処理するまで
交換が不要になった。
【００４１】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の研磨装置
および研磨方法によれば、研磨パッドの目詰まりの進行
を抑え、長期間にわたってウエハの研磨速度を安定させ
ることができる。
および研磨方法によれば、研磨パッドの目詰まりの進行
を抑え、長期間にわたってウエハの研磨速度を安定させ
ることができる。
【図１】ウエハの研磨装置を示す模式的縦断面図であ
る。
る。
【図２】ウエハの研磨装置の試料台を示す模式的平面図
である。
である。
【図３】ウエハの研磨装置のウエハ載置部を示す模式的
縦断面図である。
縦断面図である。
【図４】本発明の研磨装置のリテーナの１例の模式的平
面図である。
面図である。
【図５】図４に示すリテーナの模式的縦断面図である。
【図６】本発明の研磨装置のリテーナの他の例の模式的
平面図である。
平面図である。
【図７】図６に示すリテーナの模式的縦断面図である。
１０ 試料台 １１ ウエハ載置部 １２ ウエハ載置面 １３ ウエハ保持用溝 １４ 排気用貫通孔 １５ リテーナ １６ 電着層 １７ 凸部（ダイヤモンド粒） １８ 低硬度の材料 １９ 凸部 ２１ 研磨パッド ２２ 研磨定盤 Ｓ ウエハ
Claims (2)
- 【請求項１】試料台に保持されたウエハに研磨パッドを
押し当て、ウエハと研磨パッドの間に研磨スラリーを供
給し、試料台および／または研磨パッドを回転させるこ
とによりウエハを研磨する研磨装置であって、試料台の
ウエハが載置される部分の外周部にリテーナを備え、前
記リテーナの研磨パッドと対向する面に、研磨パッドの
材質より高硬度の複数の凸部が設けられ、その高硬度の
凸部と凸部の間の凹部がその凸部に比べて低硬度の材料
で埋められていることを特徴とするウエハの研磨装置。 - 【請求項２】請求項１記載の研磨装置の試料台にウエハ
を保持し、リテーナの上面がウエハ上面より０ｍｍ以上
０．１ｍｍ以下の範囲内で高くなる条件でウエハを研磨
することを特徴とするウエハの研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12799996A JP3695842B2 (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | ウエハの研磨装置及びウエハの研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12799996A JP3695842B2 (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | ウエハの研磨装置及びウエハの研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09309065A true JPH09309065A (ja) | 1997-12-02 |
| JP3695842B2 JP3695842B2 (ja) | 2005-09-14 |
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ID=14973961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12799996A Expired - Fee Related JP3695842B2 (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | ウエハの研磨装置及びウエハの研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3695842B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6893327B2 (en) | 2001-06-04 | 2005-05-17 | Multi Planar Technologies, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus and method having a retaining ring with a contoured surface |
| JP2009291886A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Nikon Corp | 研磨装置 |
| JP2018168440A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-01 | 帝国イオン株式会社 | 耐摩耗性皮膜及びその形成方法、並びに耐摩耗性部材 |
| CN115870875A (zh) * | 2022-12-08 | 2023-03-31 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种用于研磨硅片的研磨盘及研磨设备 |
-
1996
- 1996-05-23 JP JP12799996A patent/JP3695842B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
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| US6893327B2 (en) | 2001-06-04 | 2005-05-17 | Multi Planar Technologies, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus and method having a retaining ring with a contoured surface |
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| JP2018168440A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-01 | 帝国イオン株式会社 | 耐摩耗性皮膜及びその形成方法、並びに耐摩耗性部材 |
| CN115870875A (zh) * | 2022-12-08 | 2023-03-31 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种用于研磨硅片的研磨盘及研磨设备 |
| CN115870875B (zh) * | 2022-12-08 | 2024-04-12 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 一种用于研磨硅片的研磨盘及研磨设备 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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