JPH09312251A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JPH09312251A JPH09312251A JP8127303A JP12730396A JPH09312251A JP H09312251 A JPH09312251 A JP H09312251A JP 8127303 A JP8127303 A JP 8127303A JP 12730396 A JP12730396 A JP 12730396A JP H09312251 A JPH09312251 A JP H09312251A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高精度かつ高速で位置ずれを検出することの
できるアライメント系を提供する。 【解決手段】 レチクルに設けるマークと基準部材に設
けるマークとをＶ字型マークと逆Ｖ字型マークによって
構成し、両マークの位置ずれを撮像手段にて検出する。
撮像される２つの光像４１ａ，４１ｂの相対位置変化Δ
Ｌｘ，ΔＬｙからＸ方向の位置ずれΔＸとＹ方向の位置
ずれΔＹを一度の検出動作で計測する。２つのＶ字型マ
ーク３６，４０の開き角の組み合わせ変えることにより
Ｘ方向とＹ方向の位置ずれ検出感度を変えることがで
き、高感度に設定した検出方向では検出誤差を圧縮する
ことが可能になる。
できるアライメント系を提供する。 【解決手段】 レチクルに設けるマークと基準部材に設
けるマークとをＶ字型マークと逆Ｖ字型マークによって
構成し、両マークの位置ずれを撮像手段にて検出する。
撮像される２つの光像４１ａ，４１ｂの相対位置変化Δ
Ｌｘ，ΔＬｙからＸ方向の位置ずれΔＸとＹ方向の位置
ずれΔＹを一度の検出動作で計測する。２つのＶ字型マ
ーク３６，４０の開き角の組み合わせ変えることにより
Ｘ方向とＹ方向の位置ずれ検出感度を変えることがで
き、高感度に設定した検出方向では検出誤差を圧縮する
ことが可能になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、感光基板上に半導
体素子や液晶表示素子等のパターンを露光するのに使用
される投影露光装置、並びに投影露光装置における位置
合わせ方法及び投影光学系の光学特性測定方法に関する
ものである。
体素子や液晶表示素子等のパターンを露光するのに使用
される投影露光装置、並びに投影露光装置における位置
合わせ方法及び投影光学系の光学特性測定方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子や液晶表示素子の製造工程の
一つであるフォトリソグラフィ工程においては、投影露
光装置を用いて、フォトマスクやレチクル（以下、レチ
クルという）に形成されたパターンをフォトレジスト等
の感光剤が塗布されたウエハやガラスプレート等の感光
基板上に投影露光することが行われる。このときレチク
ルと感光基板とを正確に位置合わせして露光する必要が
ある。位置合わせ（アライメント）は、感光基板を載置
して移動する基板ステージの移動座標系に対するレチク
ルの位置計測、前記移動座標系に対する感光基板の位置
計測、レチクルと感光基板の相対位置計測等を介して行
われる。また、複数のマークが設けられたテストレチク
ルの像を投影光学系によって投影し、投影されたマーク
像の位置を計測することにより投影光学系のディストー
ションなどの光学特性を測定することが行われている。
一つであるフォトリソグラフィ工程においては、投影露
光装置を用いて、フォトマスクやレチクル（以下、レチ
クルという）に形成されたパターンをフォトレジスト等
の感光剤が塗布されたウエハやガラスプレート等の感光
基板上に投影露光することが行われる。このときレチク
ルと感光基板とを正確に位置合わせして露光する必要が
ある。位置合わせ（アライメント）は、感光基板を載置
して移動する基板ステージの移動座標系に対するレチク
ルの位置計測、前記移動座標系に対する感光基板の位置
計測、レチクルと感光基板の相対位置計測等を介して行
われる。また、複数のマークが設けられたテストレチク
ルの像を投影光学系によって投影し、投影されたマーク
像の位置を計測することにより投影光学系のディストー
ションなどの光学特性を測定することが行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】例えば、基板ステージ
移動座標系に対してレチクルをアライメントするレチク
ルアライメントにおいては、レチクル上のアライメント
マークと基板ステージ上に設けられた基準マークとの位
置ずれ量を投影光学系を介してアライメントセンサによ
り計測する。従来、レチクル上のアライメントマーク及
び基準マークとしては、Ｘ方向の位置ずれ計測用のマー
クとＹ方向の位置ずれ計測用のマークが各々個別に設け
られており、ある計測点でＸ方向とＹ方向の２方向の位
置ずれを計測しようとすると２回の位置検出動作が必要
である。さらに、レチクルの回転及びＸ，Ｙ方向のシフ
ト量を検出するためには２箇所以上の計測点で位置ずれ
量を検出しなければならず、（２箇所以上の計測点の
数）×２回の位置検出動作が必要になる。そのため、露
光前のレチクル準備（アライメント）に多大な時間を必
要とした。本発明は、このような従来技術の問題点に鑑
みてなされたもので、高精度かつ高速で位置ずれを検出
することのできるアライメント系を提供することを目的
とする。
移動座標系に対してレチクルをアライメントするレチク
ルアライメントにおいては、レチクル上のアライメント
マークと基板ステージ上に設けられた基準マークとの位
置ずれ量を投影光学系を介してアライメントセンサによ
り計測する。従来、レチクル上のアライメントマーク及
び基準マークとしては、Ｘ方向の位置ずれ計測用のマー
クとＹ方向の位置ずれ計測用のマークが各々個別に設け
られており、ある計測点でＸ方向とＹ方向の２方向の位
置ずれを計測しようとすると２回の位置検出動作が必要
である。さらに、レチクルの回転及びＸ，Ｙ方向のシフ
ト量を検出するためには２箇所以上の計測点で位置ずれ
量を検出しなければならず、（２箇所以上の計測点の
数）×２回の位置検出動作が必要になる。そのため、露
光前のレチクル準備（アライメント）に多大な時間を必
要とした。本発明は、このような従来技術の問題点に鑑
みてなされたもので、高精度かつ高速で位置ずれを検出
することのできるアライメント系を提供することを目的
とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明では、レチクルに
設けるマークと基準部材に設けるマークを光透過性のＶ
字型マークと光透過性の逆Ｖ字型マークによって構成
し、両マークの位置ずれを撮像手段にて検出することで
前記目的を達成する。すなわち、本発明は、転写すべき
パターンが形成されたレチクルを照明する照明系と、レ
チクルのパターン像を感光基板上に形成する投影光学系
と、基準マークを有する基準部材が設けられ感光基板を
載置して２次元方向に移動可能な基板ステージとを備え
る投影露光装置において、基準部材に設けられた基準マ
ークをＶ字型の光透過性マークとし、レチクルに設けら
れたＶ字型の光透過性アライメントマークとＶ字型基準
マークの重ね合わせ像を撮像手段によって撮像すること
を特徴とする。
設けるマークと基準部材に設けるマークを光透過性のＶ
字型マークと光透過性の逆Ｖ字型マークによって構成
し、両マークの位置ずれを撮像手段にて検出することで
前記目的を達成する。すなわち、本発明は、転写すべき
パターンが形成されたレチクルを照明する照明系と、レ
チクルのパターン像を感光基板上に形成する投影光学系
と、基準マークを有する基準部材が設けられ感光基板を
載置して２次元方向に移動可能な基板ステージとを備え
る投影露光装置において、基準部材に設けられた基準マ
ークをＶ字型の光透過性マークとし、レチクルに設けら
れたＶ字型の光透過性アライメントマークとＶ字型基準
マークの重ね合わせ像を撮像手段によって撮像すること
を特徴とする。
【０００５】レチクルに設けられたＶ字型マークと基準
部材に設けられたＶ字型基準マークは投影光学系を介し
てＶ字型と逆Ｖ字型の関係で重ね合わせられ、撮像手段
はＶ字型の図形と逆Ｖ字型の図形の斜辺同士が重なり合
ってできる２つの四角形の光像を撮像する。Ｖ字型の図
形の対称軸がＹ軸に平行に設定されている場合を例にと
ると、この２つの光像のＸ方向の距離から２つのマーク
のＹ方向の位置ずれ量が求められ、２つの光像のＹ方向
の距離からＸ方向の位置ずれ量が求められる。したがっ
て、１回の処理でＸ方向とＹ方向の２方向の位置ずれ検
出が可能となり、アライメントに要する時間を大幅に短
縮することができる。この２つのＶ字型マークを用いる
位置ずれ検出法は、投影露光装置において、レチクルを
基板ステージの移動座標系に対して位置合わせするレチ
クルアライメントに利用することができる。
部材に設けられたＶ字型基準マークは投影光学系を介し
てＶ字型と逆Ｖ字型の関係で重ね合わせられ、撮像手段
はＶ字型の図形と逆Ｖ字型の図形の斜辺同士が重なり合
ってできる２つの四角形の光像を撮像する。Ｖ字型の図
形の対称軸がＹ軸に平行に設定されている場合を例にと
ると、この２つの光像のＸ方向の距離から２つのマーク
のＹ方向の位置ずれ量が求められ、２つの光像のＹ方向
の距離からＸ方向の位置ずれ量が求められる。したがっ
て、１回の処理でＸ方向とＹ方向の２方向の位置ずれ検
出が可能となり、アライメントに要する時間を大幅に短
縮することができる。この２つのＶ字型マークを用いる
位置ずれ検出法は、投影露光装置において、レチクルを
基板ステージの移動座標系に対して位置合わせするレチ
クルアライメントに利用することができる。
【０００６】また、所定の配列で複数のマークを形成し
たテストレチクルを用い、投影光学系によってその複数
のマークの像を基板ステージ上に投影し、基板ステージ
上の基準部材に設けられた基準マークとの重ね合わせ像
を撮像することでマーク像の設計位置との位置ずれを計
測して、投影光学系のディストーション等の光学特性を
測定することが行われるが、そのときのレチクル及び基
準部材に設けるマークとして前記Ｖ字型マークを用いる
ことができる。
たテストレチクルを用い、投影光学系によってその複数
のマークの像を基板ステージ上に投影し、基板ステージ
上の基準部材に設けられた基準マークとの重ね合わせ像
を撮像することでマーク像の設計位置との位置ずれを計
測して、投影光学系のディストーション等の光学特性を
測定することが行われるが、そのときのレチクル及び基
準部材に設けるマークとして前記Ｖ字型マークを用いる
ことができる。
【０００７】Ｖ字型マークの開き角は種々に設定するこ
とができ、レチクルに設けられたＶ字型アライメントマ
ークの開き角と基準部材に設けられたＶ字型基準マーク
の開き角は同じであってもよいし、異なっていてもよ
い。そして、２つのＶ字型マークの開き角の組み合わせ
変えることによりＸ方向とＹ方向の位置ずれ検出感度を
変えることができ、高感度に設定した検出方向では検出
誤差を圧縮することが可能になる。したがって、液晶素
子のパターン形成等において位置合わせの精度に対する
要求が厳しい方向が予め分かっている場合、レチクルア
ライメントマークとしてその方向の検出感度が高くなる
ように開き角が設定されたＶ字型マークを設けておくと
好都合である。あるいは、基準部材又はレチクルに開き
角の異なる複数のＶ字型マークを設けておき、高精度の
検出が要求される方向に応じて用いるＶ字型マークを選
択するようにすることもできる。
とができ、レチクルに設けられたＶ字型アライメントマ
ークの開き角と基準部材に設けられたＶ字型基準マーク
の開き角は同じであってもよいし、異なっていてもよ
い。そして、２つのＶ字型マークの開き角の組み合わせ
変えることによりＸ方向とＹ方向の位置ずれ検出感度を
変えることができ、高感度に設定した検出方向では検出
誤差を圧縮することが可能になる。したがって、液晶素
子のパターン形成等において位置合わせの精度に対する
要求が厳しい方向が予め分かっている場合、レチクルア
ライメントマークとしてその方向の検出感度が高くなる
ように開き角が設定されたＶ字型マークを設けておくと
好都合である。あるいは、基準部材又はレチクルに開き
角の異なる複数のＶ字型マークを設けておき、高精度の
検出が要求される方向に応じて用いるＶ字型マークを選
択するようにすることもできる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳述する。図１は、本発明による露光装置の
概略図である。露光装置は、露光用照明光源１０、感光
基板上に露光すべきパターン１３が形成されたレチクル
１２、投影光学系１５、感光基板を載置して２次元方向
に移動可能な基板ステージ１６等を備える。基板ステー
ジ１６は、駆動手段１７により基板ステージ移動座標系
（ＸＹ座標系）に沿って移動される。基板ステージ１６
には移動鏡１８が固定されており、レーザ干渉計１９で
移動鏡１８との距離を計測することにより基板ステージ
移動座標系内における基板ステージ１６の２次元位置が
検出される。基板ステージ駆動系２０は、レーザ干渉計
１９の出力をモニターしながら駆動手段１７を作動させ
て、基板ステージ１６を所定位置にステップさせる。ま
た、基板ステージ１６には、その上に載置される感光基
板の表面と同じ高さ位置に基準マークを有する基準部材
２１が設けられている。
施の形態を詳述する。図１は、本発明による露光装置の
概略図である。露光装置は、露光用照明光源１０、感光
基板上に露光すべきパターン１３が形成されたレチクル
１２、投影光学系１５、感光基板を載置して２次元方向
に移動可能な基板ステージ１６等を備える。基板ステー
ジ１６は、駆動手段１７により基板ステージ移動座標系
（ＸＹ座標系）に沿って移動される。基板ステージ１６
には移動鏡１８が固定されており、レーザ干渉計１９で
移動鏡１８との距離を計測することにより基板ステージ
移動座標系内における基板ステージ１６の２次元位置が
検出される。基板ステージ駆動系２０は、レーザ干渉計
１９の出力をモニターしながら駆動手段１７を作動させ
て、基板ステージ１６を所定位置にステップさせる。ま
た、基板ステージ１６には、その上に載置される感光基
板の表面と同じ高さ位置に基準マークを有する基準部材
２１が設けられている。
【０００９】図２は、レチクルの平面図及びレチクルに
設けられたアライメントマークの説明図である。レチク
ル１２は、図２（ａ）に示すように、感光基板に転写す
べきパターンが形成されたパターン領域１３とその外側
に設けられたアライメントマーク領域１４ａ，１４ｂを
有する。アライメントマーク領域１４ａ，１４ｂには、
図２（ｂ）に拡大して示すように、レチクル上に蒸着し
たクロム層３０に形成された開き角θ1のＶ字型開口か
らなるアライメントマーク３１ａ，３１ｂが形成されて
いる。アライメント光は、Ｖ字型アライメントマーク３
１ａ，３１ｂの部分を透過する。図示したＶ字型アライ
メントマーク３１ａは、Ｖ字の対称軸をＹ軸に平行にし
て配置されているが対称軸をＸ軸に平行にして配置して
もよい。
設けられたアライメントマークの説明図である。レチク
ル１２は、図２（ａ）に示すように、感光基板に転写す
べきパターンが形成されたパターン領域１３とその外側
に設けられたアライメントマーク領域１４ａ，１４ｂを
有する。アライメントマーク領域１４ａ，１４ｂには、
図２（ｂ）に拡大して示すように、レチクル上に蒸着し
たクロム層３０に形成された開き角θ1のＶ字型開口か
らなるアライメントマーク３１ａ，３１ｂが形成されて
いる。アライメント光は、Ｖ字型アライメントマーク３
１ａ，３１ｂの部分を透過する。図示したＶ字型アライ
メントマーク３１ａは、Ｖ字の対称軸をＹ軸に平行にし
て配置されているが対称軸をＸ軸に平行にして配置して
もよい。
【００１０】図３は、基準部材２１に設けられた基準マ
ーク３６の略図である。基準マーク３６も、透明部材上
のクロム層３５に形成された開き角θ2のＶ字型開口か
らなり、Ｖ字型基準マークの部分を光が透過する。この
例の基準マーク３６は、Ｖ字の対称軸をＹ軸に平行にし
て配置されている。ただし、レチクルに設けられたアラ
イメントマークがＸ軸に平行な対称軸を有するＶ字型マ
ークである場合には、基準マーク３６もＸ軸に平行な対
称軸を有するＶ字型マークとする。また、レチクル１２
に設けられたＶ字型アライメントマーク３１ａ，３１ｂ
と基準部材２１に設けられたＶ字型基準マーク３６は、
投影光学系１５に関して共役な位置にあり、２つのマー
クは投影光学系１５を介してＶ字と逆Ｖ字の関係で重ね
合わされるように配置されている。
ーク３６の略図である。基準マーク３６も、透明部材上
のクロム層３５に形成された開き角θ2のＶ字型開口か
らなり、Ｖ字型基準マークの部分を光が透過する。この
例の基準マーク３６は、Ｖ字の対称軸をＹ軸に平行にし
て配置されている。ただし、レチクルに設けられたアラ
イメントマークがＸ軸に平行な対称軸を有するＶ字型マ
ークである場合には、基準マーク３６もＸ軸に平行な対
称軸を有するＶ字型マークとする。また、レチクル１２
に設けられたＶ字型アライメントマーク３１ａ，３１ｂ
と基準部材２１に設けられたＶ字型基準マーク３６は、
投影光学系１５に関して共役な位置にあり、２つのマー
クは投影光学系１５を介してＶ字と逆Ｖ字の関係で重ね
合わされるように配置されている。
【００１１】いま、レチクル１２に形成されたアライメ
ントマーク３１ａ，３１ｂと基板ステージ１６の基準部
材に形成された基準マーク３６を用いて、基板ステージ
座標系に射影したレチクル１２の位置を計測する場合に
ついて考える。まず、投影光学系１５によるレチクル１
２上のアライメントマーク３１ａの結像位置に、基準マ
ーク３６が位置するように基板ステージ１６を駆動して
アライメントマーク３１ａの位置ずれ量を計測する。ア
ライメント用の光源として露光用照明光源１０を用いる
場合、露光用照明光源１０からの照明光２７は、照明光
学系１１を通り、レチクル１２上の所定の位置に配され
たＶ字型アライメントマーク３１ａに照射される。この
アライメントマーク３１ａは前述のように光透過性のマ
ークであり、マーク３１ａを透過した光束は投影光学系
１５によって基板ステージ１６上に配置された基準部材
２１のＶ字型基準マーク３６上に、例えば図４に破線で
示すようにＶ字と逆Ｖ字の関係をもって結像される。
ントマーク３１ａ，３１ｂと基板ステージ１６の基準部
材に形成された基準マーク３６を用いて、基板ステージ
座標系に射影したレチクル１２の位置を計測する場合に
ついて考える。まず、投影光学系１５によるレチクル１
２上のアライメントマーク３１ａの結像位置に、基準マ
ーク３６が位置するように基板ステージ１６を駆動して
アライメントマーク３１ａの位置ずれ量を計測する。ア
ライメント用の光源として露光用照明光源１０を用いる
場合、露光用照明光源１０からの照明光２７は、照明光
学系１１を通り、レチクル１２上の所定の位置に配され
たＶ字型アライメントマーク３１ａに照射される。この
アライメントマーク３１ａは前述のように光透過性のマ
ークであり、マーク３１ａを透過した光束は投影光学系
１５によって基板ステージ１６上に配置された基準部材
２１のＶ字型基準マーク３６上に、例えば図４に破線で
示すようにＶ字と逆Ｖ字の関係をもって結像される。
【００１２】Ｖ字型基準マーク３６は、レチクル１２の
アライメントマーク３１ａと同様に光透過性のマークで
あり、Ｖ字型基準マーク３６を通過した光束は、リレー
レンズ２２によって基板ステージ１６内に配置されたＣ
ＣＤ撮像手段２３の撮像面に再結像される。ＣＣＤ撮像
手段２３で撮像された画像は画像処理手段２４によって
後述のように画像処理され、その情報は信号処理手段２
５に入力される。またレーザ干渉計１９からの出力信号
も信号処理手段２５に入力され、基板ステージ移動座標
系に射影したアライメントマーク３１ａの位置座標が計
測される。
アライメントマーク３１ａと同様に光透過性のマークで
あり、Ｖ字型基準マーク３６を通過した光束は、リレー
レンズ２２によって基板ステージ１６内に配置されたＣ
ＣＤ撮像手段２３の撮像面に再結像される。ＣＣＤ撮像
手段２３で撮像された画像は画像処理手段２４によって
後述のように画像処理され、その情報は信号処理手段２
５に入力される。またレーザ干渉計１９からの出力信号
も信号処理手段２５に入力され、基板ステージ移動座標
系に射影したアライメントマーク３１ａの位置座標が計
測される。
【００１３】アライメントマーク３１ａの計測が終了す
ると、駆動手段１７によって基板ステージ１６を駆動
し、投影光学系１５によるアライメントマーク３１ｂの
結像位置に基準部材２１を移動して、同様に画像処理に
よってアライメントマーク３１ｂの位置ずれ量を計測す
る。アライメントマーク３１ａ，３１ｂの計測結果から
周知の方法でレチクル１２のローテーション及びシフト
が算出され、それが許容値外であれば許容値内になるよ
うにレチクル１２のローテーション、シフトが調整され
る。
ると、駆動手段１７によって基板ステージ１６を駆動
し、投影光学系１５によるアライメントマーク３１ｂの
結像位置に基準部材２１を移動して、同様に画像処理に
よってアライメントマーク３１ｂの位置ずれ量を計測す
る。アライメントマーク３１ａ，３１ｂの計測結果から
周知の方法でレチクル１２のローテーション及びシフト
が算出され、それが許容値外であれば許容値内になるよ
うにレチクル１２のローテーション、シフトが調整され
る。
【００１４】ここでは基板ステージ１６上に基準マーク
３６を１つだけ設けた場合について説明したが、レチク
ル１２上に配置した２つのアライメントマーク３１ａ，
３１ｂの間隔にならって基板ステージ１５上に基準部材
を２個配置することもできる。その場合には、レチクル
１２上の一方のアライメントマーク３１ａの投影位置を
一方の基準マークで計測し、他方のアライメントマーク
の投影位置を他方の基準マークによって計測すること
で、レチクル１２の位置合わせ（アライメント）に要す
る時間を大幅に短縮することができる。
３６を１つだけ設けた場合について説明したが、レチク
ル１２上に配置した２つのアライメントマーク３１ａ，
３１ｂの間隔にならって基板ステージ１５上に基準部材
を２個配置することもできる。その場合には、レチクル
１２上の一方のアライメントマーク３１ａの投影位置を
一方の基準マークで計測し、他方のアライメントマーク
の投影位置を他方の基準マークによって計測すること
で、レチクル１２の位置合わせ（アライメント）に要す
る時間を大幅に短縮することができる。
【００１５】次に、Ｖ字型アライメントマークとＶ字型
基準マークを用いた位置ずれ量検出方法について詳細に
説明する。図４は、ＣＣＤ撮像手段２３によって撮像さ
れた光像の略図である。この光像４１ａ，４１ｂは、レ
チクル１２上のＶ字型アライメントマーク３１ａ（３１
ｂ）の投影像４０と基板ステージ１６の基準部材２１に
形成されたＶ字型基準マーク３６とが重なり合った部分
の位置及び形状を反映している。図４は、理想的なアラ
イメント状態を示しており、２つの光像４１ａ，４１ｂ
のＸ方向の間隔はＬｘ＝Ｌ、Ｙ方向の間隔はＬｙ＝０で
ある。
基準マークを用いた位置ずれ量検出方法について詳細に
説明する。図４は、ＣＣＤ撮像手段２３によって撮像さ
れた光像の略図である。この光像４１ａ，４１ｂは、レ
チクル１２上のＶ字型アライメントマーク３１ａ（３１
ｂ）の投影像４０と基板ステージ１６の基準部材２１に
形成されたＶ字型基準マーク３６とが重なり合った部分
の位置及び形状を反映している。図４は、理想的なアラ
イメント状態を示しており、２つの光像４１ａ，４１ｂ
のＸ方向の間隔はＬｘ＝Ｌ、Ｙ方向の間隔はＬｙ＝０で
ある。
【００１６】図５は、レチクル１２の投影像が理想のア
ライメント状態からＸ方向にのみ変位したとき、ＣＣＤ
撮像手段２３によって撮像される２つの光像４１ａ，４
１ｂの位置関係を示す。図５（ａ）は、Ｖ字型基準マー
ク３６に対してレチクルのＶ字型アライメントマークの
像４０が＋Ｘ方向にΔＸだけ変位した状態を示し、この
とき２つの光像４１ａ，４１ｂのＹ方向位置は光像４１
ｂに対して光像４１ａが＋Ｙ方向にΔＬｙだけ変位して
いる。一方、図５（ｂ）は、Ｖ字型基準マーク３６に対
してレチクルのアライメントマークの像４０が−Ｘ方向
にΔＸだけ変位した状態を示し、このとき２つの光像４
１ａ，４１ｂのＹ方向位置は光像４１ｂに対して光像４
１ａが−Ｙ方向にΔＬｙだけ変位している。
ライメント状態からＸ方向にのみ変位したとき、ＣＣＤ
撮像手段２３によって撮像される２つの光像４１ａ，４
１ｂの位置関係を示す。図５（ａ）は、Ｖ字型基準マー
ク３６に対してレチクルのＶ字型アライメントマークの
像４０が＋Ｘ方向にΔＸだけ変位した状態を示し、この
とき２つの光像４１ａ，４１ｂのＹ方向位置は光像４１
ｂに対して光像４１ａが＋Ｙ方向にΔＬｙだけ変位して
いる。一方、図５（ｂ）は、Ｖ字型基準マーク３６に対
してレチクルのアライメントマークの像４０が−Ｘ方向
にΔＸだけ変位した状態を示し、このとき２つの光像４
１ａ，４１ｂのＹ方向位置は光像４１ｂに対して光像４
１ａが−Ｙ方向にΔＬｙだけ変位している。
【００１７】また、図６は、レチクル１２の投影像が理
想のアライメント状態に対してＹ方向にのみ変位したと
きに、ＣＣＤ撮像手段２３によって撮像された２つの光
像４１ａ，４１ｂの位置関係を示す。図６（ａ）はＶ字
型基準マーク３６に対してレチクル１２のＶ字型アライ
メントマークの像４０が−Ｙ方向にΔＹだけ変位した状
態を示し、図６（ｂ）はＶ字型基準マーク３６に対して
レチクル１２のＶ字型アライメントマークの投影像４０
が＋Ｙ方向にΔＹだけ変位した状態を示す。このとき２
つの光像３４ａ，３４ｂのＸ方向の間隔は（Ｌｘ＋ΔＬ
ｘ）となる。図から明らかなように、ΔＹがプラスのと
きΔＬｘはマイナスであり、ΔＹがマイナスのときΔＬ
ｘはプラスである。
想のアライメント状態に対してＹ方向にのみ変位したと
きに、ＣＣＤ撮像手段２３によって撮像された２つの光
像４１ａ，４１ｂの位置関係を示す。図６（ａ）はＶ字
型基準マーク３６に対してレチクル１２のＶ字型アライ
メントマークの像４０が−Ｙ方向にΔＹだけ変位した状
態を示し、図６（ｂ）はＶ字型基準マーク３６に対して
レチクル１２のＶ字型アライメントマークの投影像４０
が＋Ｙ方向にΔＹだけ変位した状態を示す。このとき２
つの光像３４ａ，３４ｂのＸ方向の間隔は（Ｌｘ＋ΔＬ
ｘ）となる。図から明らかなように、ΔＹがプラスのと
きΔＬｘはマイナスであり、ΔＹがマイナスのときΔＬ
ｘはプラスである。
【００１８】次に、ＣＣＤ撮像手段２３上に結像された
２つの光像４１ａ，４１ｂの位置を画像処理手段２４に
よって検出する方法について説明する。図７は、ＣＣＤ
撮像手段２３によって撮像された画像５０を示す。画像
処理手段２４には、Ｖ字型マーク５１と逆Ｖ字型マーク
５２の重なりによって形成される２つの四角形の像と同
形状の画像が、モデル画像５３，５４として予め登録さ
れている。画像処理手段２４は、このモデル画像５３，
５４を用いて周知のパターンマッチングの手法によって
画像５０内で２つの光像４１ａ，４１ｂを検出し、検出
された光像４１ａ，４１ｂの位置データに基づいて両者
のＸ方向及びＹ方向の相対位置変化ΔＸ，ΔＹを演算す
る。なお、光像４１ａ，４１ｂの相対位置は画像処理以
外の方法で検出することもできる。例えば、ＣＣＤ撮像
手段２３の全素子の輝度差をモニターすることで光像４
１ａ，４１ｂを受光している素子のアドレスを知り、そ
のアドレスから２つの光像４１ａ，４１ｂの相対位置を
検出してもよい。
２つの光像４１ａ，４１ｂの位置を画像処理手段２４に
よって検出する方法について説明する。図７は、ＣＣＤ
撮像手段２３によって撮像された画像５０を示す。画像
処理手段２４には、Ｖ字型マーク５１と逆Ｖ字型マーク
５２の重なりによって形成される２つの四角形の像と同
形状の画像が、モデル画像５３，５４として予め登録さ
れている。画像処理手段２４は、このモデル画像５３，
５４を用いて周知のパターンマッチングの手法によって
画像５０内で２つの光像４１ａ，４１ｂを検出し、検出
された光像４１ａ，４１ｂの位置データに基づいて両者
のＸ方向及びＹ方向の相対位置変化ΔＸ，ΔＹを演算す
る。なお、光像４１ａ，４１ｂの相対位置は画像処理以
外の方法で検出することもできる。例えば、ＣＣＤ撮像
手段２３の全素子の輝度差をモニターすることで光像４
１ａ，４１ｂを受光している素子のアドレスを知り、そ
のアドレスから２つの光像４１ａ，４１ｂの相対位置を
検出してもよい。
【００１９】次に、ＣＣＤ撮像手段２３で検出された２
つの光像４１ａ，４１ｂの相対位置変化ΔＸ，ΔＹから
レチクル１２の位置ずれ量を検出する方法について説明
する。レチクル１２に設けられたＶ字型アライメントマ
ーク３１ａ，３１ｂのＶ字の開き角をθ1、基板ステー
ジ１６上の基準部材２１に設けられたＶ字型基準マーク
３６のＶ字の開き角をθ2とする。いま、レチクル１２
のアライメントマークの像が理想的アライメント状態か
らＸ方向にΔＸ、Ｙ方向にΔＹずれていたとすると、Ｃ
ＣＤ撮像手段２３上に形成される２つの光像４１ａ，４
１ｂのＸ方向の間隔の変化ΔＬｘ、及びＹ方向の間隔の
変化ΔＬｙは、それぞれ次の〔数１〕及び〔数２〕で表
される。
つの光像４１ａ，４１ｂの相対位置変化ΔＸ，ΔＹから
レチクル１２の位置ずれ量を検出する方法について説明
する。レチクル１２に設けられたＶ字型アライメントマ
ーク３１ａ，３１ｂのＶ字の開き角をθ1、基板ステー
ジ１６上の基準部材２１に設けられたＶ字型基準マーク
３６のＶ字の開き角をθ2とする。いま、レチクル１２
のアライメントマークの像が理想的アライメント状態か
らＸ方向にΔＸ、Ｙ方向にΔＹずれていたとすると、Ｃ
ＣＤ撮像手段２３上に形成される２つの光像４１ａ，４
１ｂのＸ方向の間隔の変化ΔＬｘ、及びＹ方向の間隔の
変化ΔＬｙは、それぞれ次の〔数１〕及び〔数２〕で表
される。
【００２０】
【数１】ΔＬｙ＝２ΔＸ｛cos(θ1/２)・cos(θ2/２)｝
／｛sin[(θ1+θ2)/２]｝
／｛sin[(θ1+θ2)/２]｝
【００２１】
【数２】ΔＬｘ＝−２ΔＹ｛sin(θ1/２)・cos(θ2/
２)｝／｛sin[(θ1+θ2)/２]｝
２)｝／｛sin[(θ1+θ2)/２]｝
【００２２】ここでθ1＝θ2＝π／２とすると、ΔＬｙ
＝ΔＸ，ΔＬｘ＝−ΔＹとなる。Ｖ字型マークの開き角
θ1，θ2は任意に設定可能である。また、基板ステージ
１６上の基準部材２１に設ける基準マーク３６は１種類
であってもよいし、図８に示すように、開き角θ2の異
なるＶ字型基準マーク３７，３８を複数設けておき、目
的に合わせて使用する基準マークを選択するようにして
もよい。
＝ΔＸ，ΔＬｘ＝−ΔＹとなる。Ｖ字型マークの開き角
θ1，θ2は任意に設定可能である。また、基板ステージ
１６上の基準部材２１に設ける基準マーク３６は１種類
であってもよいし、図８に示すように、開き角θ2の異
なるＶ字型基準マーク３７，３８を複数設けておき、目
的に合わせて使用する基準マークを選択するようにして
もよい。
【００２３】本発明によると、レチクル１２に形成する
Ｖ字型アライメントマーク３１ａ，３１ｂの開き角θ1
と基準部材２１に形成するＶ字型基準マーク３６の開き
角θ2の組み合わせを選択することによって、マーク位
置検出時に発生する検出誤差を圧縮する倍率効果が期待
できる。レチクル１２のＸ方向の位置ずれ量を高精度で
測定するには、例えばθ1＝π／２，θ2＝２π／３とす
る。この場合、前記〔数１〕は次の〔数３〕のようにな
る。
Ｖ字型アライメントマーク３１ａ，３１ｂの開き角θ1
と基準部材２１に形成するＶ字型基準マーク３６の開き
角θ2の組み合わせを選択することによって、マーク位
置検出時に発生する検出誤差を圧縮する倍率効果が期待
できる。レチクル１２のＸ方向の位置ずれ量を高精度で
測定するには、例えばθ1＝π／２，θ2＝２π／３とす
る。この場合、前記〔数１〕は次の〔数３〕のようにな
る。
【００２４】
【数３】ΔＬｙ＝１．２７ΔＸ
【００２５】この〔数３〕は、レチクルのマーク像のＸ
方向の変位ΔＸが変位ΔＬｙに１．２７倍に拡大されて
表れることを示している。すなわち、θ1＝π／２，θ2
＝２π／３と設定することによって、Ｘ方向の変位ΔＸ
が１．２７倍に拡大される倍率効果が得られる。逆に、
レチクル１２のＹ方向の位置ずれ量を厳しく測定するに
は、例えばθ1＝π／２，θ2＝π／３とする。このと
き、前記〔数２〕は次の〔数４〕にようになり、レチク
ルのマーク像のＹ方向の変位ΔＹを１．２７倍に拡大し
て計測することができる。
方向の変位ΔＸが変位ΔＬｙに１．２７倍に拡大されて
表れることを示している。すなわち、θ1＝π／２，θ2
＝２π／３と設定することによって、Ｘ方向の変位ΔＸ
が１．２７倍に拡大される倍率効果が得られる。逆に、
レチクル１２のＹ方向の位置ずれ量を厳しく測定するに
は、例えばθ1＝π／２，θ2＝π／３とする。このと
き、前記〔数２〕は次の〔数４〕にようになり、レチク
ルのマーク像のＹ方向の変位ΔＹを１．２７倍に拡大し
て計測することができる。
【００２６】
【数４】ΔＬｘ＝−１．２７ΔＹ
【００２７】図９（ａ）に示すような液晶表示素子の重
ね合わせパターンの露光について考える。ソース線６３
を有する信号線６１及びドレン線６４を有するピクセル
素子６２のパターンが形成された感光基板上に、ゲート
線６５のパターンを重ね合わせて露光するものとする。
図９（ｂ）は、ゲート６６とソース線６３及びドレン線
６４の設計位置を表す。そして、ゲート６６とソース線
６３及びドレン線６４の相対位置は、図９（ｃ）に示す
ようにＹ方向に多少ずれても素子の性能に対して影響が
少ないが、図９（ｄ）に示すようにＸ方向にずれると、
ソース線６３及びドレン線６４とゲート６６との重なり
が変化するため素子の性能に大きな影響を与えるものと
する。このような場合には、ゲート線のパターンを露光
するレチクルのアライメントはＹ方向に比べてＸ方向に
厳しいアライメント精度が要求される。したがって、前
述のように、レチクルに形成するＶ字型アライメントマ
ークの開き角θ1と基準部材２１に形成するＶ字型基準
マーク３６の開き角θ2として、例えばθ1＝π／２，θ
2＝２π／３のような組み合わせを選択することで、こ
の要求に応えることができる。
ね合わせパターンの露光について考える。ソース線６３
を有する信号線６１及びドレン線６４を有するピクセル
素子６２のパターンが形成された感光基板上に、ゲート
線６５のパターンを重ね合わせて露光するものとする。
図９（ｂ）は、ゲート６６とソース線６３及びドレン線
６４の設計位置を表す。そして、ゲート６６とソース線
６３及びドレン線６４の相対位置は、図９（ｃ）に示す
ようにＹ方向に多少ずれても素子の性能に対して影響が
少ないが、図９（ｄ）に示すようにＸ方向にずれると、
ソース線６３及びドレン線６４とゲート６６との重なり
が変化するため素子の性能に大きな影響を与えるものと
する。このような場合には、ゲート線のパターンを露光
するレチクルのアライメントはＹ方向に比べてＸ方向に
厳しいアライメント精度が要求される。したがって、前
述のように、レチクルに形成するＶ字型アライメントマ
ークの開き角θ1と基準部材２１に形成するＶ字型基準
マーク３６の開き角θ2として、例えばθ1＝π／２，θ
2＝２π／３のような組み合わせを選択することで、こ
の要求に応えることができる。
【００２８】以上では、アライメントのための光源とし
て露光用照明光源１０を用い、撮像手段を基板ステージ
側に配置する例によって説明してきた。しかし、光源は
アライメントのための専用の光源を用意してもよいし、
撮像手段の配置場所もステージ側とは限られない。例え
ば、図１において、基準部材２１の下方に位置するよう
に基板ステージ１６内に光源を配置し、あるいは外部の
光源からの光線を光ファイバ束によって基準部材２１の
下方に導き、基準部材２１の基準マークを下方から照明
し、投影光学系１５によって基準マークの像をレチクル
１２のアライメントマーク位置に形成してもよい。この
場合には、撮像手段をレチクル１２の上方に配置し、そ
の撮像手段を用いて基準マーク像とアライメントマーク
との重なりを検出する。また、レチクルのアライメント
マークを基準マーク上に結像させて位置ずれを検出する
場合において、撮像手段をベース部に配置し、基準マー
クを透過した光を光ファイバ束によって撮像手段に入射
させるようにしてもよい。
て露光用照明光源１０を用い、撮像手段を基板ステージ
側に配置する例によって説明してきた。しかし、光源は
アライメントのための専用の光源を用意してもよいし、
撮像手段の配置場所もステージ側とは限られない。例え
ば、図１において、基準部材２１の下方に位置するよう
に基板ステージ１６内に光源を配置し、あるいは外部の
光源からの光線を光ファイバ束によって基準部材２１の
下方に導き、基準部材２１の基準マークを下方から照明
し、投影光学系１５によって基準マークの像をレチクル
１２のアライメントマーク位置に形成してもよい。この
場合には、撮像手段をレチクル１２の上方に配置し、そ
の撮像手段を用いて基準マーク像とアライメントマーク
との重なりを検出する。また、レチクルのアライメント
マークを基準マーク上に結像させて位置ずれを検出する
場合において、撮像手段をベース部に配置し、基準マー
クを透過した光を光ファイバ束によって撮像手段に入射
させるようにしてもよい。
【００２９】次に、本発明による投影光学系の光学特性
の測定方法について説明する。図１０は、この測定に使
用されるテストレチクルの一例を示す模式図である。こ
のテストレチクル７０は、全面に所定の位置関係で複数
のＶ字型マーク７１〜７９を設けたものである。Ｖ字型
マーク７１〜７９は、クロム層に形成された開き角θ1
のＶ字型開口からなり、Ｖ字型マークの部分を光が透過
する光透過型マークである。
の測定方法について説明する。図１０は、この測定に使
用されるテストレチクルの一例を示す模式図である。こ
のテストレチクル７０は、全面に所定の位置関係で複数
のＶ字型マーク７１〜７９を設けたものである。Ｖ字型
マーク７１〜７９は、クロム層に形成された開き角θ1
のＶ字型開口からなり、Ｖ字型マークの部分を光が透過
する光透過型マークである。
【００３０】投影光学系によって基板ステージ側にテス
トレチクル７０の像を形成し、各マーク像の位置を基板
ステージの基準部材に設けられたＶ字型マークを用いて
検出する。基準部材に設けられたＶ字型マークも、クロ
ム層に形成された開き角θ2のＶ字型開口であり、Ｖ字
型マークの部分を光が透過する。マーク７１〜７９の像
の位置検出は、基板ステージを移動して各マーク像の設
計位置に基準マークを順次移動し、Ｖ字と逆Ｖ字の関係
で重ね合わされた２つのマークによって形成される２つ
の光像を撮像することによって前述したのと同様の方法
で行われる。このようにして検出された各マーク像の２
次元位置データから、投影光学系のディストーション等
の光学特性を測定することができる。
トレチクル７０の像を形成し、各マーク像の位置を基板
ステージの基準部材に設けられたＶ字型マークを用いて
検出する。基準部材に設けられたＶ字型マークも、クロ
ム層に形成された開き角θ2のＶ字型開口であり、Ｖ字
型マークの部分を光が透過する。マーク７１〜７９の像
の位置検出は、基板ステージを移動して各マーク像の設
計位置に基準マークを順次移動し、Ｖ字と逆Ｖ字の関係
で重ね合わされた２つのマークによって形成される２つ
の光像を撮像することによって前述したのと同様の方法
で行われる。このようにして検出された各マーク像の２
次元位置データから、投影光学系のディストーション等
の光学特性を測定することができる。
【００３１】このＶ字型マークを用いた測定によると、
１つの計測点でのＸ方向の位置データをＹ方向の位置デ
ータを１回の位置検出動作で行うことができるため、光
学特性の測定時間を大幅に短縮することができる。ま
た、Ｖ字型マークの開き角θ1，θ2の組み合わせを選択
することにより測定精度を向上することができる。
１つの計測点でのＸ方向の位置データをＹ方向の位置デ
ータを１回の位置検出動作で行うことができるため、光
学特性の測定時間を大幅に短縮することができる。ま
た、Ｖ字型マークの開き角θ1，θ2の組み合わせを選択
することにより測定精度を向上することができる。
【００３２】
【発明の効果】本発明によると、位置計測用のマークと
してＶ字型マークを用いることで１回の処理で２方向の
情報を得ることが可能となり計測時間を短縮することが
できる。また、Ｖ字型マークの開き角の組み合わせを変
えることによって倍率効果による位置計測誤差の圧縮が
可能になる。
してＶ字型マークを用いることで１回の処理で２方向の
情報を得ることが可能となり計測時間を短縮することが
できる。また、Ｖ字型マークの開き角の組み合わせを変
えることによって倍率効果による位置計測誤差の圧縮が
可能になる。
【図１】本発明による投影露光装置の一例の概略図。
【図２】レチクルの平面図、及びアライメントマークの
説明図。
説明図。
【図３】基準マークの説明図。
【図４】撮像手段上に形成される光像の説明図。
【図５】レチクルがＸ方向に変位したとき、撮像手段上
に形成される光像の説明図。
に形成される光像の説明図。
【図６】レチクルがＹ方向に変位したとき、撮像手段上
に形成される光像の説明図。
に形成される光像の説明図。
【図７】画像処理手段による光像検出の説明図。
【図８】複数の基準マークを設けた基準部材の説明図。
【図９】重ね合わせパターンの露光についての説明図。
【図１０】投影光学系の光学特性の測定に使用されるテ
ストレチクルの一例の模式図。
ストレチクルの一例の模式図。
１０…露光用照明光源、１１…照明光学系、１２…レチ
クル、１３…パターン、１４ａ，１４ｂ…アライメント
マーク領域、１５…投影光学系、１６…基板ステージ、
１７…駆動手段、１９…レーザ干渉計、２１…基準部
材、２２…リレーレンズ、２３…撮像手段、２４…画像
処理手段、２５…信号処理手段、３１ａ，３１ｂ…Ｖ字
型アライメントマーク、３６…Ｖ字型基準マーク、４０
…アライメントマークの投影像、４１ａ，４１ｂ…光
像、５３，５４…モデル画像、６１…信号線、６２…ピ
クセル素子、６３…ソース線、６４…ドレン線、６５…
ゲート、７０…テストレチクル、７１〜７９…Ｖ字型マ
ーク
クル、１３…パターン、１４ａ，１４ｂ…アライメント
マーク領域、１５…投影光学系、１６…基板ステージ、
１７…駆動手段、１９…レーザ干渉計、２１…基準部
材、２２…リレーレンズ、２３…撮像手段、２４…画像
処理手段、２５…信号処理手段、３１ａ，３１ｂ…Ｖ字
型アライメントマーク、３６…Ｖ字型基準マーク、４０
…アライメントマークの投影像、４１ａ，４１ｂ…光
像、５３，５４…モデル画像、６１…信号線、６２…ピ
クセル素子、６３…ソース線、６４…ドレン線、６５…
ゲート、７０…テストレチクル、７１〜７９…Ｖ字型マ
ーク
Claims (6)
- 【請求項１】 転写すべきパターンが形成されたレチク
ルを照明する照明系と、 前記レチクルのパターン像を感光基板上に形成する投影
光学系と、 基準マークを有する基準部材が設けられ、前記感光基板
を載置して２次元方向に移動可能な基板ステージとを備
える投影露光装置において、 前記基準部材に設けられた基準マークはＶ字型の光透過
性マークであり、前記レチクルに設けられたＶ字型の光
透過性アライメントマークと前記Ｖ字型基準マークの重
ね合わせ像を撮像する撮像手段が設けられていることを
特徴とする投影露光装置。 - 【請求項２】 前記レチクルに設けられたＶ字型アライ
メントマークと前記基準マークとの相対位置ずれ量を検
出する位置ずれ検出手段を備えることを特徴とする請求
項１記載の投影露光装置。 - 【請求項３】 前記基準部材には、基準マークとして開
き角の異なる複数のＶ字型マークが設けられていること
を特徴とする請求項１又は２記載の投影露光装置。 - 【請求項４】 感光基板上に投影露光すべきパターンが
形成されたレチクルを前記感光基板を載置して２次元方
向に移動可能な基板ステージの移動座標系に対して位置
合わせする位置合わせ方法において、 前記レチクルに設けられたＶ字型の光透過性マークと前
記基板ステージ上に設けられたＶ字型の光透過性基準マ
ークの重ね合わせ像を撮像し、両者の位置ずれ量を計測
することを特徴とする位置合わせ方法。 - 【請求項５】 前記レチクルに設けられたＶ字型の光透
過性マークの開き角は、高い位置合わせ精度が必要な方
向に対して位置ずれ計測の感度が高くなるように設定さ
れていることを特徴とする請求項４記載の位置合わせ方
法。 - 【請求項６】 レチクルに形成された複数のＶ字型光透
過性マークの像を投影光学系によって基板ステージ上に
投影し、基板ステージ上の基準部材に設けられたＶ字型
の光透過性マークとの重ね合わせ像を撮像して、設計位
置との位置ずれを計測することを特徴とする前記投影光
学系の光学特性測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8127303A JPH09312251A (ja) | 1996-05-22 | 1996-05-22 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8127303A JPH09312251A (ja) | 1996-05-22 | 1996-05-22 | 投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09312251A true JPH09312251A (ja) | 1997-12-02 |
Family
ID=14956624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8127303A Pending JPH09312251A (ja) | 1996-05-22 | 1996-05-22 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09312251A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10128269A1 (de) * | 2001-06-12 | 2003-01-02 | Advanced Micro Devices Inc | Eine Chipflächen-Justierstruktur |
| JP2004531062A (ja) * | 2001-05-14 | 2004-10-07 | ウルトラテック インク | 裏側アライメントシステム及び方法 |
| US6855997B2 (en) | 1999-12-07 | 2005-02-15 | Nikon Corporation | Mask, exposure method, line width measuring method, and method for manufacturing semiconductor devices |
| JP2014045041A (ja) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Sharp Corp | 露光装置、露光方法、および電子デバイス製造方法 |
| JP2017139377A (ja) * | 2016-02-04 | 2017-08-10 | キヤノン株式会社 | 検出装置、検出方法、リソグラフィ装置および物品の製造方法 |
| KR20180126544A (ko) * | 2016-03-31 | 2018-11-27 | 상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드 | 동축 마스크 정렬 디바이스, 포토리소그래피 장치 및 정렬 방법 |
-
1996
- 1996-05-22 JP JP8127303A patent/JPH09312251A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE10128269B4 (de) * | 2001-06-12 | 2004-05-27 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Eine Chipflächen-Justierstruktur |
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| JP2019511747A (ja) * | 2016-03-31 | 2019-04-25 | シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント（グループ）カンパニー リミティド | 同軸マスク位置合せデバイス、フォトリトグラフィ装置および位置合せ方法 |
| US10901331B2 (en) * | 2016-03-31 | 2021-01-26 | Shanghai Micro Electronics Equipment (Group) Co., Ltd. | Coaxial mask alignment device, photolithography apparatus and alignment method |
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