JPH09315857A - ペロブスカイト型酸化物膜およびその製造方法 - Google Patents
ペロブスカイト型酸化物膜およびその製造方法Info
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- JPH09315857A JPH09315857A JP16811696A JP16811696A JPH09315857A JP H09315857 A JPH09315857 A JP H09315857A JP 16811696 A JP16811696 A JP 16811696A JP 16811696 A JP16811696 A JP 16811696A JP H09315857 A JPH09315857 A JP H09315857A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 水熱合成により、均一で結晶性に優れたペロ
ブスカイト型酸化物膜を種々のペロブスカイト型酸化物
基板上に直接形成する。 【解決手段】 水熱合成法によりペロブスカイト型酸化
物基板上にペロブスカイト型酸化物膜を形成するペロブ
スカイト型酸化物膜の製造方法、およびその製造方法に
より得られるペロブスカイト型酸化物膜である。
ブスカイト型酸化物膜を種々のペロブスカイト型酸化物
基板上に直接形成する。 【解決手段】 水熱合成法によりペロブスカイト型酸化
物基板上にペロブスカイト型酸化物膜を形成するペロブ
スカイト型酸化物膜の製造方法、およびその製造方法に
より得られるペロブスカイト型酸化物膜である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電アクチュエー
タ、圧電センサ、焦電センサ、誘電体素子等に使用する
ことができる、ペロブスカイト型酸化物膜に関するもの
である。
タ、圧電センサ、焦電センサ、誘電体素子等に使用する
ことができる、ペロブスカイト型酸化物膜に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】ペロブスカイト型酸化物膜は、上記のよ
うに電子材料として幅広い応用分野を有する。特に、強
誘電体であるＰｂＴｉＯ３系材料は、その置換や添加物
の効果も含め種々検討されている。
うに電子材料として幅広い応用分野を有する。特に、強
誘電体であるＰｂＴｉＯ３系材料は、その置換や添加物
の効果も含め種々検討されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、通信機器、情報
処理機器、ＡＶ、家電製品等の高性能化と小型化が進む
のと平行して、それらの機器を構成する電子部品の小型
化、軽量化が検討されており、薄膜化による性能向上が
試みられている。しかしながら、従来のセラミックス研
磨法による薄膜化では、所望の密度や組成は得られるも
のの、目的とする厚み（３〜５０μｍ）に形成するため
には歩留りが悪く極度のコストアップとなるという課題
がある。また、曲面状等の自由な形状に形成することに
は適していなかった。
処理機器、ＡＶ、家電製品等の高性能化と小型化が進む
のと平行して、それらの機器を構成する電子部品の小型
化、軽量化が検討されており、薄膜化による性能向上が
試みられている。しかしながら、従来のセラミックス研
磨法による薄膜化では、所望の密度や組成は得られるも
のの、目的とする厚み（３〜５０μｍ）に形成するため
には歩留りが悪く極度のコストアップとなるという課題
がある。また、曲面状等の自由な形状に形成することに
は適していなかった。
【０００４】また、スパッタリング法やＣＶＤ法等の真
空プロセスを用いて薄膜化することもできるが、これら
の方法の場合、基板の種類が限られる、高温での成膜あ
るいは成膜後の熱処理が必要であり組成の制御が難し
い、膜厚を厚くする場合の量産性に乏しいという課題が
あった。
空プロセスを用いて薄膜化することもできるが、これら
の方法の場合、基板の種類が限られる、高温での成膜あ
るいは成膜後の熱処理が必要であり組成の制御が難し
い、膜厚を厚くする場合の量産性に乏しいという課題が
あった。
【０００５】本発明は、上記課題を解決し、さらに各種
デバイスに応用可能な優れた特性を有するペロブスカイ
ト型酸化物膜を提供することを目的とする。
デバイスに応用可能な優れた特性を有するペロブスカイ
ト型酸化物膜を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、水熱合成法に
よりペロブスカイト型酸化物基板上にペロブスカイト型
酸化物膜を形成することを特徴とするペロブスカイト型
酸化物膜の製造方法に関する。また、本発明は前記記載
の製造方法により形成してなるペロブスカイト型酸化物
膜に関する。
よりペロブスカイト型酸化物基板上にペロブスカイト型
酸化物膜を形成することを特徴とするペロブスカイト型
酸化物膜の製造方法に関する。また、本発明は前記記載
の製造方法により形成してなるペロブスカイト型酸化物
膜に関する。
【０００７】本発明に使用される基板としては、表面層
に少なくとも数十オングストローム以上、好ましくは数
百オングストローム以上の厚みのペロブスカイト構造を
持つ酸化物が用いられる。また、基板表面が酸化されて
いない金属基板（例えば、Ｎｉ、アロイ、ホバール
等）、あるいはプラスチック等の有機材料からなる基板
のような場合には、これら基板上にペロブスカイト型酸
化物膜をスパッタ等により形成することにより用いられ
る。ペロブスカイト型酸化物基板の具体例としては、Ｓ
ｒＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３等のセラミッ
クスやＴｉ基板上に形成したＳｒＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ
３、ＣａＴｉＯ３膜を好適に挙げることができる。
に少なくとも数十オングストローム以上、好ましくは数
百オングストローム以上の厚みのペロブスカイト構造を
持つ酸化物が用いられる。また、基板表面が酸化されて
いない金属基板（例えば、Ｎｉ、アロイ、ホバール
等）、あるいはプラスチック等の有機材料からなる基板
のような場合には、これら基板上にペロブスカイト型酸
化物膜をスパッタ等により形成することにより用いられ
る。ペロブスカイト型酸化物基板の具体例としては、Ｓ
ｒＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３等のセラミッ
クスやＴｉ基板上に形成したＳｒＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ
３、ＣａＴｉＯ３膜を好適に挙げることができる。
【０００８】本発明において、前記基板上に水熱合成法
により形成されるペロブスカイト型酸化物膜としては、
Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ３、（ＰｂＬａ）（ＺｒＴｉ）
Ｏ３、ＳｒＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３等の
ペロブスカイト型酸化物膜を挙げることができる。また
Ｌａ元素の代わりに他のランタニド系元素を使用するこ
とができる。水熱合成法により形成されるペロブスカイ
ト型酸化物膜の厚みは、特に限定されないが通常０．１
〜２００μｍであり、使用される目的や用途に応じて水
熱合成時の反応時間や反応温度等を適宜調整することに
より、所望の厚みとすることができる。ペロブスカイト
型酸化物基板上に水熱合成法により形成されるペロブス
カイト型酸化物膜としては、必ずしも基板と同一元素を
含む酸化物である必要はなく、例えばＳｒＴｉＯ３、Ｂ
ａＴｉＯ３またはＣａＴｉＯ３からなる基板上にＰｂ
（ＺｒＴｉ）Ｏ３あるいは（ＰｂＬａ）（ＺｒＴｉ）Ｏ
３からなるペロブスカイト型酸化物膜を形成することが
でき、さらに基板を構成する元素を全く含まなくても良
く、例えばＢａＴｉＯ３基板上にＰｂＺｒＯ３からなる
ペロブスカイト型酸化物膜を形成することもできる。
により形成されるペロブスカイト型酸化物膜としては、
Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ３、（ＰｂＬａ）（ＺｒＴｉ）
Ｏ３、ＳｒＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３等の
ペロブスカイト型酸化物膜を挙げることができる。また
Ｌａ元素の代わりに他のランタニド系元素を使用するこ
とができる。水熱合成法により形成されるペロブスカイ
ト型酸化物膜の厚みは、特に限定されないが通常０．１
〜２００μｍであり、使用される目的や用途に応じて水
熱合成時の反応時間や反応温度等を適宜調整することに
より、所望の厚みとすることができる。ペロブスカイト
型酸化物基板上に水熱合成法により形成されるペロブス
カイト型酸化物膜としては、必ずしも基板と同一元素を
含む酸化物である必要はなく、例えばＳｒＴｉＯ３、Ｂ
ａＴｉＯ３またはＣａＴｉＯ３からなる基板上にＰｂ
（ＺｒＴｉ）Ｏ３あるいは（ＰｂＬａ）（ＺｒＴｉ）Ｏ
３からなるペロブスカイト型酸化物膜を形成することが
でき、さらに基板を構成する元素を全く含まなくても良
く、例えばＢａＴｉＯ３基板上にＰｂＺｒＯ３からなる
ペロブスカイト型酸化物膜を形成することもできる。
【０００９】本発明のペロブスカイト型酸化物膜をペロ
ブスカイト型酸化物基板上に形成する方法について詳述
する。基板として、ＳｒＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、Ｃａ
ＴｉＯ３等のセラミックス基板あるいはＴｉ基板上にＳ
ｒＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３等を形成した
基板を選択し、前記基板上に水熱合成法によりペロブス
カイト型酸化物膜を作成する。また、ペロブスカイト型
酸化物膜を水熱合成法により形成する際に使用されるＰ
ｂ、ランタノイド系元素、Ｚｒ、Ｔｉ構成元素を含有す
る原料化合物としては、塩化物、オキシ塩化物、硝酸
塩、アルコキシド、酢酸塩、水酸化物、酸化物等が好ま
しい。このペロブスカイト型酸化物膜の形成は以下のよ
うにして行う。前記ランタノイド系元素としては、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ等を挙げることができる。
ブスカイト型酸化物基板上に形成する方法について詳述
する。基板として、ＳｒＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、Ｃａ
ＴｉＯ３等のセラミックス基板あるいはＴｉ基板上にＳ
ｒＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３等を形成した
基板を選択し、前記基板上に水熱合成法によりペロブス
カイト型酸化物膜を作成する。また、ペロブスカイト型
酸化物膜を水熱合成法により形成する際に使用されるＰ
ｂ、ランタノイド系元素、Ｚｒ、Ｔｉ構成元素を含有す
る原料化合物としては、塩化物、オキシ塩化物、硝酸
塩、アルコキシド、酢酸塩、水酸化物、酸化物等が好ま
しい。このペロブスカイト型酸化物膜の形成は以下のよ
うにして行う。前記ランタノイド系元素としては、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ等を挙げることができる。
【００１０】まずＰｂ（ＮＯ３）２水溶液５０ｍｍｏｌ
／ｌ〜５００ｍｍｏｌ／ｌ、Ｌａ（ＣＨ３ＣＯＯ）３水
溶液５ｍｍｏｌ／ｌ〜１００ｍｍｏｌ／ｌ、ＺｒＯＣｌ
２水溶液２０ｍｍｏｌ／ｌ〜５００ｍｍｏｌ／ｌ、Ｔｉ
Ｃｌ４水溶液０．００２ｍｍｏｌ／ｌ〜５０ｍｍｏｌ／
ｌおよびＫＯＨ水溶液１ｍｏｌ／ｌ〜８ｍｏｌ／ｌの混
合溶液中に、前記基板を投入し、１２０〜２００℃の温
度で、６〜２４時間水熱による表面処理を行い、Ｐｂｘ
Ｌａ１−ｘ（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１−ｘ／４Ｏ３（０≦
ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる酸化物膜を形成する。得
られたペロブスカイト型酸化物膜の結晶状態はＸ線回折
等により確認される。
／ｌ〜５００ｍｍｏｌ／ｌ、Ｌａ（ＣＨ３ＣＯＯ）３水
溶液５ｍｍｏｌ／ｌ〜１００ｍｍｏｌ／ｌ、ＺｒＯＣｌ
２水溶液２０ｍｍｏｌ／ｌ〜５００ｍｍｏｌ／ｌ、Ｔｉ
Ｃｌ４水溶液０．００２ｍｍｏｌ／ｌ〜５０ｍｍｏｌ／
ｌおよびＫＯＨ水溶液１ｍｏｌ／ｌ〜８ｍｏｌ／ｌの混
合溶液中に、前記基板を投入し、１２０〜２００℃の温
度で、６〜２４時間水熱による表面処理を行い、Ｐｂｘ
Ｌａ１−ｘ（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１−ｘ／４Ｏ３（０≦
ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる酸化物膜を形成する。得
られたペロブスカイト型酸化物膜の結晶状態はＸ線回折
等により確認される。
【００１１】本発明で得られるペロブスカイト型酸化物
膜を素子化する場合に使用される電極としては、特に限
定されないがコストや量産性を考慮し最適なものが選定
される。例えば、スパッタリング法によるＮｉ、無電解
メッキ法によるＮｉ、焼付けタイプのＡｇ等が選択使用
される。その他、蒸着によるＡｌ、スパッタリング法に
よるＰｔあるいはＡｕ等も用いられる。なお、基板に樹
脂を用いる場合には、高温に加熱できないので焼付けタ
イプのＡｇ電極は好ましくない。
膜を素子化する場合に使用される電極としては、特に限
定されないがコストや量産性を考慮し最適なものが選定
される。例えば、スパッタリング法によるＮｉ、無電解
メッキ法によるＮｉ、焼付けタイプのＡｇ等が選択使用
される。その他、蒸着によるＡｌ、スパッタリング法に
よるＰｔあるいはＡｕ等も用いられる。なお、基板に樹
脂を用いる場合には、高温に加熱できないので焼付けタ
イプのＡｇ電極は好ましくない。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例についてさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１３】実施例１ Ｐｂ（ＮＯ３）２水溶液１４０ｍｍｏｌ、ＺｒＯＣｌ２
水溶液７０ｍｍｏｌ，ＴｉＣｌ４水溶液３５ｍｍｏｌお
よびＫＯＨ水溶液１４７０ｍｍｏｌの混合溶液（溶液合
計量７００ｍｌ）中に、ＳｒＴｉＯ３（１００）単結晶
基板を設置固定し、１８０℃で１２時間の水熱処理を行
いＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ３のペロブスカイト型酸化物膜を
生成させた。その後、純水中での超音波洗浄３分間×２
回、１ｍｏｌ／ｌ酢酸水溶液中で超音波洗浄３分間×２
回、およびさらに純水中で超音波洗浄３分間×２回を行
い、１００℃で１２時間乾燥を行った。このようにして
得られた結晶膜のＸＲＤパターンおよびＳＥＭ写真を図
１および図２に示す。図１中、上段に得られた結晶膜の
ＸＲＤパターンを示し、Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ３（ＰＺＴ
と略記）のピークに黒丸を付し、下段にＳｒＴｉＯ
３（１００）単結晶のピークを示した。ＳｒＴｉＯ
３（１００）単結晶上に形成した結晶膜は、ＳｒＴｉＯ
３の結晶方位の影響を受けて（１００）と（００１）方
向へ完全に配向していた。
水溶液７０ｍｍｏｌ，ＴｉＣｌ４水溶液３５ｍｍｏｌお
よびＫＯＨ水溶液１４７０ｍｍｏｌの混合溶液（溶液合
計量７００ｍｌ）中に、ＳｒＴｉＯ３（１００）単結晶
基板を設置固定し、１８０℃で１２時間の水熱処理を行
いＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ３のペロブスカイト型酸化物膜を
生成させた。その後、純水中での超音波洗浄３分間×２
回、１ｍｏｌ／ｌ酢酸水溶液中で超音波洗浄３分間×２
回、およびさらに純水中で超音波洗浄３分間×２回を行
い、１００℃で１２時間乾燥を行った。このようにして
得られた結晶膜のＸＲＤパターンおよびＳＥＭ写真を図
１および図２に示す。図１中、上段に得られた結晶膜の
ＸＲＤパターンを示し、Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ３（ＰＺＴ
と略記）のピークに黒丸を付し、下段にＳｒＴｉＯ
３（１００）単結晶のピークを示した。ＳｒＴｉＯ
３（１００）単結晶上に形成した結晶膜は、ＳｒＴｉＯ
３の結晶方位の影響を受けて（１００）と（００１）方
向へ完全に配向していた。
【００１４】実施例２ Ｐｂ（ＮＯ３）２水溶液１４０ｍｍｏｌ、Ｌａ（ＣＨ３
ＣＯＯ）３水溶液１４ｍｍｏｌ、ＺｒＯＣｌ２水溶液７
０ｍｍｏｌ、ＴｉＣｌ４水溶液１．５１ｍｍｏｌおよび
ＫＯＨ水溶液０．３ｍｏｌの混合溶液（溶液合計量７０
０ｍｌ）中に、ＳｒＴｉＯ３（１００）単結晶基板を設
置固定し、１８０℃で１２時間の水熱処理を行い（Ｐ
ｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３のペロブスカイト型酸化
物膜を生成させた。その後、純水中での超音波洗浄３分
間×２回、１ｍｏｌ／ｌ酢酸水溶液中で超音波洗浄３分
間×２回、およびさらに純水中で超音波洗浄３分間×２
回を行い、１００℃で１２時間乾燥を行った。このよう
にして得られた結晶膜のＸＲＤパターンを図３に示す。
図３中、上段に得られた結晶膜のＸＲＤパターンを示
し、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＬＺＴと略
記）のピークに黒丸を付し、下段にＳｒＴｉＯ３（１０
０）単結晶のピークを示した。ＳｒＴｉＯ３（１００）
単結晶上に形成した結晶膜は、ＳｒＴｉＯ３の結晶方位
の影響を受けて（００１）方向へ完全に配向していた。
ＣＯＯ）３水溶液１４ｍｍｏｌ、ＺｒＯＣｌ２水溶液７
０ｍｍｏｌ、ＴｉＣｌ４水溶液１．５１ｍｍｏｌおよび
ＫＯＨ水溶液０．３ｍｏｌの混合溶液（溶液合計量７０
０ｍｌ）中に、ＳｒＴｉＯ３（１００）単結晶基板を設
置固定し、１８０℃で１２時間の水熱処理を行い（Ｐ
ｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３のペロブスカイト型酸化
物膜を生成させた。その後、純水中での超音波洗浄３分
間×２回、１ｍｏｌ／ｌ酢酸水溶液中で超音波洗浄３分
間×２回、およびさらに純水中で超音波洗浄３分間×２
回を行い、１００℃で１２時間乾燥を行った。このよう
にして得られた結晶膜のＸＲＤパターンを図３に示す。
図３中、上段に得られた結晶膜のＸＲＤパターンを示
し、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＬＺＴと略
記）のピークに黒丸を付し、下段にＳｒＴｉＯ３（１０
０）単結晶のピークを示した。ＳｒＴｉＯ３（１００）
単結晶上に形成した結晶膜は、ＳｒＴｉＯ３の結晶方位
の影響を受けて（００１）方向へ完全に配向していた。
【００１５】実施例３ Ｐｂ（ＮＯ３）２水溶液１４０ｍｍｏｌ、Ｌａ（ＣＨ３
ＣＯＯ）３水溶液ｌ４ｍｍｏｌ、ＺｒＯＣｌ２水溶液７
０ｍｍｏｌ、ＴｉＣｌ４水溶液１．５１ｍｍｏｌおよび
ＫＯＨ水溶液０．３ｍｏｌの混合溶液（溶液合計量７０
０ｍｌ）中に、ＢａＴｉＯ３多結晶基板を設置固定し、
１８０℃で１２時間の水熱処理を行い（Ｐｂ，Ｌａ）
（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３のペロブスカイト型酸化物膜を生成
させた。その後、純水中での超音波洗浄３分間×２回、
１ｍｏｌ／ｌ酢酸水溶液中で超音波洗浄３分間×２回、
およびさらに純水中で超音波洗浄３分間×２回を行い、
１００℃で１２時間乾燥を行った。このようにして得ら
れた結晶膜のＸＲＤパターンを図４に示す。図４中、上
段に得られた結晶膜のＸＲＤパターンを示し、（Ｐｂ，
Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＬＺＴと略記）のピーク
に黒丸を付し、下段にＢａＴｉＯ３多結晶のピークを示
した。
ＣＯＯ）３水溶液ｌ４ｍｍｏｌ、ＺｒＯＣｌ２水溶液７
０ｍｍｏｌ、ＴｉＣｌ４水溶液１．５１ｍｍｏｌおよび
ＫＯＨ水溶液０．３ｍｏｌの混合溶液（溶液合計量７０
０ｍｌ）中に、ＢａＴｉＯ３多結晶基板を設置固定し、
１８０℃で１２時間の水熱処理を行い（Ｐｂ，Ｌａ）
（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３のペロブスカイト型酸化物膜を生成
させた。その後、純水中での超音波洗浄３分間×２回、
１ｍｏｌ／ｌ酢酸水溶液中で超音波洗浄３分間×２回、
およびさらに純水中で超音波洗浄３分間×２回を行い、
１００℃で１２時間乾燥を行った。このようにして得ら
れた結晶膜のＸＲＤパターンを図４に示す。図４中、上
段に得られた結晶膜のＸＲＤパターンを示し、（Ｐｂ，
Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＬＺＴと略記）のピーク
に黒丸を付し、下段にＢａＴｉＯ３多結晶のピークを示
した。
【００１６】実施例４ Ｐｂ（ＮＯ３）２水溶液１４０ｍｍｏｌ、Ｌａ（ＣＨ３
ＣＯＯ）３水溶液１４ｍｍｏｌ、ＺｒＯＣｌ２水溶液７
０ｍｍｏｌ、ＴｉＣｌ４水溶液１．５１ｍｍｏｌおよび
ＫＯＨ水溶液０．３ｍｏｌの混合溶液（溶液合計量７０
０ｍｌ）中に、ＣａＴｉＯ３多結晶基板を設置固定し、
１８０℃で１２時間の水熱処理を行い（Ｐｂ，Ｌａ）
（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３のペロブスカイト型酸化物膜を生成
させた。その後、純水中での超音波洗浄３分間×２回、
１ｍｏｌ／ｌ酢酸水溶液中で超音波洗浄３分間×２回、
およびさらに純水中で超音波洗浄３分間×２回を行い、
１００℃で１２時間乾燥を行った。このようにして得ら
れた結晶膜のＸＲＤパターンを図５に示す。図５中、上
段に得られた結晶膜のＸＲＤパターンを示し、（Ｐｂ，
Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＬＺＴと略記）のピーク
に黒丸を付し、下段にＣａＴｉＯ３多結晶のピークを示
した。
ＣＯＯ）３水溶液１４ｍｍｏｌ、ＺｒＯＣｌ２水溶液７
０ｍｍｏｌ、ＴｉＣｌ４水溶液１．５１ｍｍｏｌおよび
ＫＯＨ水溶液０．３ｍｏｌの混合溶液（溶液合計量７０
０ｍｌ）中に、ＣａＴｉＯ３多結晶基板を設置固定し、
１８０℃で１２時間の水熱処理を行い（Ｐｂ，Ｌａ）
（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３のペロブスカイト型酸化物膜を生成
させた。その後、純水中での超音波洗浄３分間×２回、
１ｍｏｌ／ｌ酢酸水溶液中で超音波洗浄３分間×２回、
およびさらに純水中で超音波洗浄３分間×２回を行い、
１００℃で１２時間乾燥を行った。このようにして得ら
れた結晶膜のＸＲＤパターンを図５に示す。図５中、上
段に得られた結晶膜のＸＲＤパターンを示し、（Ｐｂ，
Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＬＺＴと略記）のピーク
に黒丸を付し、下段にＣａＴｉＯ３多結晶のピークを示
した。
【００１７】実施例５ Ｐｂ（ＮＯ３）２水溶液１４０ｍｍｏｌ、ＺｒＯＣｌ２
水溶液７０ｍｍｏｌおよびＫＯＨ水溶液１４７０ｍｍｏ
ｌの混合溶液（溶液合計量７００ｍｌ）中に、Ｔｉ基板
上に水熱処理によりＢａＴｉＯ３膜を形成させたＢａＴ
ｉＯ３基板を設置固定し、１８０℃で１２時間の水熱処
理を行いＰｂＺｒＯ３のペロブスカイト型酸化物膜を生
成させた。その後、純水中での超音波洗浄３分間×２
回、１ｍｏｌ／ｌ酢酸水溶液中で超音波洗浄３分間×２
回、およびさらに純水中で超音波洗浄３分間×２回を行
い、１００℃で１２時間乾燥を行った。このようにして
得られた結晶膜のＸＲＤパターンを図６に示す。図６
中、上段に得られた結晶膜のＸＲＤパターンを示し、Ｐ
ｂＺｒＯ３（ＰＺと略記）のピークに黒丸を付し、下段
にＴｉ基板に形成されたＢａＴｉＯ３（ＢＴ／Ｔｉと略
記）のピークを示した。
水溶液７０ｍｍｏｌおよびＫＯＨ水溶液１４７０ｍｍｏ
ｌの混合溶液（溶液合計量７００ｍｌ）中に、Ｔｉ基板
上に水熱処理によりＢａＴｉＯ３膜を形成させたＢａＴ
ｉＯ３基板を設置固定し、１８０℃で１２時間の水熱処
理を行いＰｂＺｒＯ３のペロブスカイト型酸化物膜を生
成させた。その後、純水中での超音波洗浄３分間×２
回、１ｍｏｌ／ｌ酢酸水溶液中で超音波洗浄３分間×２
回、およびさらに純水中で超音波洗浄３分間×２回を行
い、１００℃で１２時間乾燥を行った。このようにして
得られた結晶膜のＸＲＤパターンを図６に示す。図６
中、上段に得られた結晶膜のＸＲＤパターンを示し、Ｐ
ｂＺｒＯ３（ＰＺと略記）のピークに黒丸を付し、下段
にＴｉ基板に形成されたＢａＴｉＯ３（ＢＴ／Ｔｉと略
記）のピークを示した。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば水熱合成に
より、比較的低温の条件下で均一で結晶性に優れたペロ
ブスカイト型酸化物膜を種々のペロブスカイト型酸化物
基板上に容易に直接形成することができる。
より、比較的低温の条件下で均一で結晶性に優れたペロ
ブスカイト型酸化物膜を種々のペロブスカイト型酸化物
基板上に容易に直接形成することができる。
【図１】本発明により得られたＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３
結晶膜のＸ線回折パターンを示す図である。
結晶膜のＸ線回折パターンを示す図である。
【図２】本発明により得られたＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３
結晶膜の結晶の構造を示す図面に代わるＳＥＭ写真図で
ある。
結晶膜の結晶の構造を示す図面に代わるＳＥＭ写真図で
ある。
【図３】本発明により得られた（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，
Ｔｉ）Ｏ３結晶膜のＸ線回折パターンを示す図である。
Ｔｉ）Ｏ３結晶膜のＸ線回折パターンを示す図である。
【図４】本発明により得られた（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，
Ｔｉ）Ｏ３結晶膜のＸ線回折パターンを示す図である。
Ｔｉ）Ｏ３結晶膜のＸ線回折パターンを示す図である。
【図５】本発明により得られた（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，
Ｔｉ）Ｏ３結晶膜のＸ線回折パターンを示す図である。
Ｔｉ）Ｏ３結晶膜のＸ線回折パターンを示す図である。
【図６】本発明により得られたＰｂＺｒＯ３結晶膜のＸ
線回折パターンを示す図である。
線回折パターンを示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 37/02 Ｈ０１Ｌ 41/22 Ａ 41/24
Claims (2)
- 【請求項１】 水熱合成法によりペロブスカイト型酸化
物基板上にペロブスカイト型酸化物膜を形成することを
特徴とするペロブスカイト型酸化物膜の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の製造方法により形成して
なるペロブスカイト型酸化物膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16811696A JPH09315857A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | ペロブスカイト型酸化物膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16811696A JPH09315857A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | ペロブスカイト型酸化物膜およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09315857A true JPH09315857A (ja) | 1997-12-09 |
Family
ID=15862157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16811696A Pending JPH09315857A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | ペロブスカイト型酸化物膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09315857A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000331863A (ja) * | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Ube Ind Ltd | セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| JP2001015381A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 表面実装型複合電子部品とその製造方法 |
| WO2007013596A1 (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Showa Denko K. K. | 複合酸化物膜およびその製造方法、複合酸化物膜を含む誘電材料、圧電材料、コンデンサ、圧電素子並びに電子機器 |
| JP2008230959A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-10-02 | Kyushu Univ | ペロブスカイト酸化物単結晶およびその製造方法 |
| CN102242400A (zh) * | 2011-06-29 | 2011-11-16 | 浙江大学 | 一种制备单晶CaTiO3枝晶的方法 |
| US8486493B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-07-16 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, composite body and method for producing same, dielectric material, piezoelectric material, capacitor and electronic device |
| US8486492B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-07-16 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, composite body and method for producing same, dielectric material, piezoelectric material, capacitor, piezoelectric element and electronic device |
-
1996
- 1996-05-27 JP JP16811696A patent/JPH09315857A/ja active Pending
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| US8524324B2 (en) | 2005-07-29 | 2013-09-03 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, dielectric material including complex oxide film, piezoelectric material, capacitor, piezoelectric element, and electronic device |
| US8486493B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-07-16 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, composite body and method for producing same, dielectric material, piezoelectric material, capacitor and electronic device |
| US8486492B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-07-16 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, composite body and method for producing same, dielectric material, piezoelectric material, capacitor, piezoelectric element and electronic device |
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