JPH09315876A - 金属−セラミックス複合基板及びその製造法 - Google Patents
金属−セラミックス複合基板及びその製造法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の金属−セラミックス複合基板及びその
製造法によって得た金属−セラミックス複合基板は熱放
散が十分でない欠点があった。 【解決手段】 本発明の金属−セラミックス複合基板及
びその製造法においてはセラミックス基板の一面に放熱
板を接合するためのメクライズ層を設ける。
製造法によって得た金属−セラミックス複合基板は熱放
散が十分でない欠点があった。 【解決手段】 本発明の金属−セラミックス複合基板及
びその製造法においてはセラミックス基板の一面に放熱
板を接合するためのメクライズ層を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パワーモジュール
等の大電力電子部品の実装に好適な金属−セラミックス
複合基板及びその製造方法に関し、更に詳しくは特に優
れたヒートサイクル耐量が要求される自動車又は電車用
電子部品の実装に好適な複合基板及びその製造方法を提
供することを目的とする。
等の大電力電子部品の実装に好適な金属−セラミックス
複合基板及びその製造方法に関し、更に詳しくは特に優
れたヒートサイクル耐量が要求される自動車又は電車用
電子部品の実装に好適な複合基板及びその製造方法を提
供することを目的とする。
【０００２】
【従来の技術】従来、パワーモジュールのような大電力
電子部品の実装に使用する基板として、セラミックス基
板の表面に銅板を接合して作製された銅張りセラミック
ス複合基板が使用されている。この複合基板は更に、使
用するセラミックス基板の種類やその製造法によって、
銅／アルミナ直接接合基板、銅／窒化アルミニウム直接
接合基板、銅／アルミナろう接基板、及び銅／窒化アル
ミニウムろう接基板に分けられている。
電子部品の実装に使用する基板として、セラミックス基
板の表面に銅板を接合して作製された銅張りセラミック
ス複合基板が使用されている。この複合基板は更に、使
用するセラミックス基板の種類やその製造法によって、
銅／アルミナ直接接合基板、銅／窒化アルミニウム直接
接合基板、銅／アルミナろう接基板、及び銅／窒化アル
ミニウムろう接基板に分けられている。
【０００３】このうち、銅／アルミナ直接接合基板は、
特開昭５２−３７９１４号公報に開示されるように、酸
素を含有する銅板を使用するか、無酸素銅板を使用して
酸化性雰囲気中で加熱することによって無酸素銅板の表
面に酸化銅を発生させてから、銅板とアルミナ基板を重
ねて不活性雰囲気中で加熱し、銅板とアルミナ基板との
界面に銅とアルミニウムとの複合酸化物を生成させ銅板
とアルミナ基板とを接合するものである。
特開昭５２−３７９１４号公報に開示されるように、酸
素を含有する銅板を使用するか、無酸素銅板を使用して
酸化性雰囲気中で加熱することによって無酸素銅板の表
面に酸化銅を発生させてから、銅板とアルミナ基板を重
ねて不活性雰囲気中で加熱し、銅板とアルミナ基板との
界面に銅とアルミニウムとの複合酸化物を生成させ銅板
とアルミナ基板とを接合するものである。
【０００４】一方、銅／窒化アルミニウム直接接合基板
の場合には、予め窒化アルミニウム基板の表面に酸化物
を形成する必要がある。例えば特開平３−９３６８７号
公報に開示するように、予め空気中において、約１００
０℃の温度で窒化アルミニウム基板を処理し、表面に酸
化物を生成させてから、この酸化物層を介して上述の方
法により銅板と窒化アルミニウム基板とを接合してい
る。
の場合には、予め窒化アルミニウム基板の表面に酸化物
を形成する必要がある。例えば特開平３−９３６８７号
公報に開示するように、予め空気中において、約１００
０℃の温度で窒化アルミニウム基板を処理し、表面に酸
化物を生成させてから、この酸化物層を介して上述の方
法により銅板と窒化アルミニウム基板とを接合してい
る。
【０００５】また銅／アルミナろう接基板及び銅／窒化
アルミニウムろう接基板は、銅板とセラミックス基板と
の間に低触点のろう材を用いて接合するが、この場合、
使用するろう材に銅の他、融点を下げる為の合金元素及
びセラミックスとの濡れを良くする為の合金元素が添加
され、一例としてＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系のような活性金属
ろう材はよく使用されている。
アルミニウムろう接基板は、銅板とセラミックス基板と
の間に低触点のろう材を用いて接合するが、この場合、
使用するろう材に銅の他、融点を下げる為の合金元素及
びセラミックスとの濡れを良くする為の合金元素が添加
され、一例としてＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系のような活性金属
ろう材はよく使用されている。
【０００６】上述のように銅／セラミックス複合基板は
広く使用されるにもかかわらず、製造中及び実用上幾つ
かの問題点がある。その中で最も重大な問題点は、電子
部品の実装及び使用中にセラミックス基板の内部にクラ
ックが形成し、基板の表裏間を電気的に導通することに
よる故障である。
広く使用されるにもかかわらず、製造中及び実用上幾つ
かの問題点がある。その中で最も重大な問題点は、電子
部品の実装及び使用中にセラミックス基板の内部にクラ
ックが形成し、基板の表裏間を電気的に導通することに
よる故障である。
【０００７】これは銅の熱膨張係数がセラミックスの係
数より約一桁大きいことに起因するが接合の場合、セラ
ミックス基板と銅が１０００℃近くまで加熱され、接合
温度から室温に冷却する時に、熱膨張係数の違いにより
複合基板の内部に多大の熱応力が発生する。
数より約一桁大きいことに起因するが接合の場合、セラ
ミックス基板と銅が１０００℃近くまで加熱され、接合
温度から室温に冷却する時に、熱膨張係数の違いにより
複合基板の内部に多大の熱応力が発生する。
【０００８】また、パワーモジュール等の電子部品を実
装するときに、銅・セラミックス複合基板は４００℃近
くまで加熱されるため、さらに使用環境や使用中の発熱
により、同複合基板の温度が常に変化し、同複合基板に
変動熱応力が掛けられる。これらの熱応力によってセラ
ミックス基板にクラックが発生する。
装するときに、銅・セラミックス複合基板は４００℃近
くまで加熱されるため、さらに使用環境や使用中の発熱
により、同複合基板の温度が常に変化し、同複合基板に
変動熱応力が掛けられる。これらの熱応力によってセラ
ミックス基板にクラックが発生する。
【０００９】近年、電気自動車用パワーモジュールの開
発により、ヒートサイクル耐量の優れた複合基板への要
望が特に高まっており、例えば電気自動車の様に温度変
化が激しく、振動が大きい使用条件の場合、複合基板の
ヒートサイクル耐量が５００回以上必要であると言われ
ているが現在使用されている銅・セラミックス複合基板
では、このような要望に対応できない。
発により、ヒートサイクル耐量の優れた複合基板への要
望が特に高まっており、例えば電気自動車の様に温度変
化が激しく、振動が大きい使用条件の場合、複合基板の
ヒートサイクル耐量が５００回以上必要であると言われ
ているが現在使用されている銅・セラミックス複合基板
では、このような要望に対応できない。
【００１０】銅と同じような優れた電気と熱伝導性を有
するアルミニウムを導電回路材料として使う構想は以前
からあり、例えば特開昭５９−１２１８９０号にこのよ
うな構想が記述されている。アルミニウムとセラミック
スとの接合に一般的にろう接法は使用され、特開平３−
１２５４６３号、特開平４−１２５５４号及び特開平４
−１８７４６号にろう接法で作製したアルミニウム−セ
ラミックス基板を開示している。
するアルミニウムを導電回路材料として使う構想は以前
からあり、例えば特開昭５９−１２１８９０号にこのよ
うな構想が記述されている。アルミニウムとセラミック
スとの接合に一般的にろう接法は使用され、特開平３−
１２５４６３号、特開平４−１２５５４号及び特開平４
−１８７４６号にろう接法で作製したアルミニウム−セ
ラミックス基板を開示している。
【００１１】しかし、この方法の場合、接合は真空中で
行わなければならないし、また非酸化物セラミックスの
場合、あらかじめ予備処理を施し、セラミックスの表面
に酸化物を形成しなければならないという問題があり、
製造コストおよび熱伝導性の面においても満足できない
ところがあった。
行わなければならないし、また非酸化物セラミックスの
場合、あらかじめ予備処理を施し、セラミックスの表面
に酸化物を形成しなければならないという問題があり、
製造コストおよび熱伝導性の面においても満足できない
ところがあった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】アルミニウム−セラミ
ックス基板が優れたヒートサイクル耐量を持つ一方、銅
と比べてＡｌの熱伝導率や電気伝導率が小さいため、同
じ量の電流を流すためには回路側のＡｌの厚さを１．６
倍にしなければならない。従って電子部品に電力をかけ
る時に発生した熱の放熱能力は銅張基板より劣ってい
る。
ックス基板が優れたヒートサイクル耐量を持つ一方、銅
と比べてＡｌの熱伝導率や電気伝導率が小さいため、同
じ量の電流を流すためには回路側のＡｌの厚さを１．６
倍にしなければならない。従って電子部品に電力をかけ
る時に発生した熱の放熱能力は銅張基板より劣ってい
る。
【００１３】従って本発明は、ヒートサイクル耐量に優
れた特性の他、熱伝導特性も併せて優れている新規な金
属−セラミックス複合基板を開発することを目的とす
る。
れた特性の他、熱伝導特性も併せて優れている新規な金
属−セラミックス複合基板を開発することを目的とす
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の問題を解決するた
め鋭意研究したところ、従来の銅張り接合基板やアルミ
ニウムろう接合基板に比べ、アルミニウム溶湯をセラミ
ックス基板の少なくとも一面に接合して凝固させ、また
反対面に銀−銅系ろう材等からなるメタライズ層を所定
厚み（５〜６０μｍ厚）に接合し、最終的に銅板からな
る放熱板を該メタライズ層に接合することによって、そ
りの少ない且つヒートサイクル耐性や熱伝導性の両特性
に優れた新規な金属−セラミックス複合基板を開発する
ことができた。
め鋭意研究したところ、従来の銅張り接合基板やアルミ
ニウムろう接合基板に比べ、アルミニウム溶湯をセラミ
ックス基板の少なくとも一面に接合して凝固させ、また
反対面に銀−銅系ろう材等からなるメタライズ層を所定
厚み（５〜６０μｍ厚）に接合し、最終的に銅板からな
る放熱板を該メタライズ層に接合することによって、そ
りの少ない且つヒートサイクル耐性や熱伝導性の両特性
に優れた新規な金属−セラミックス複合基板を開発する
ことができた。
【００１５】即ち、本発明の第１は、セラミックス基板
の一主面にアルミニウム材からなる電気導通及び電子部
品搭載のための金属部分を形成し、他面に放熱板を接合
するためのメタライズ層を設けてあることを特徴とする
金属−セラミックス複合基板に関する。
の一主面にアルミニウム材からなる電気導通及び電子部
品搭載のための金属部分を形成し、他面に放熱板を接合
するためのメタライズ層を設けてあることを特徴とする
金属−セラミックス複合基板に関する。
【００１６】本発明の第２は、上記メタライズ層がＷ，
Ｍｏ−ＭｎＯ，Ａｇ−Ｃｕ系合金の少なくとも一種のろ
う材であることを特徴とする金属−セラミックス複合基
板に関する。
Ｍｏ−ＭｎＯ，Ａｇ−Ｃｕ系合金の少なくとも一種のろ
う材であることを特徴とする金属−セラミックス複合基
板に関する。
【００１７】本発明の第３は、セラミックス基板の一主
面にメタライズ層としてＷ，Ｍｏ−ＭｎＯ，Ａｇ−Ｃｕ
系合金から選ばれる一種の合金層を形成せしめる第１工
程、次いで上記基板の他面に溶湯アルミニウムを接合さ
せた後、凝固して複合基板とする第２工程、次いで得ら
れた複合基板において、アルミニウム材表面をエッチン
グ処理することにより所定の回路を形成する第３工程、
次いで得られたアルミニウム回路の表面をメッキ処理す
る第４工程、とから成ることを特徴とする金属−セラミ
ックス複合基板の製造法に関する。
面にメタライズ層としてＷ，Ｍｏ−ＭｎＯ，Ａｇ−Ｃｕ
系合金から選ばれる一種の合金層を形成せしめる第１工
程、次いで上記基板の他面に溶湯アルミニウムを接合さ
せた後、凝固して複合基板とする第２工程、次いで得ら
れた複合基板において、アルミニウム材表面をエッチン
グ処理することにより所定の回路を形成する第３工程、
次いで得られたアルミニウム回路の表面をメッキ処理す
る第４工程、とから成ることを特徴とする金属−セラミ
ックス複合基板の製造法に関する。
【００１８】
【作用】本発明において使用する基板としては、アルミ
ナ、窒化アルミニウム、炭化硅素、ジルコニア等のセラ
ミックス基板やガラス等であり、この場合、高純度の素
材であればなおさら好ましい。
ナ、窒化アルミニウム、炭化硅素、ジルコニア等のセラ
ミックス基板やガラス等であり、この場合、高純度の素
材であればなおさら好ましい。
【００１９】上記セラミックス基板の一面にＷ，Ｍｏ−
ＭｎＯ合金、あるいはＡｇ−Ｃｕ系合金の少なくとも一
種以上のろう材を合金箔状やペースト状として、真空
下、８００〜９５０℃で焼成することによって５〜６０
μｍ、好ましくは１０〜５０μｍの厚みでメタライズ化
する。
ＭｎＯ合金、あるいはＡｇ−Ｃｕ系合金の少なくとも一
種以上のろう材を合金箔状やペースト状として、真空
下、８００〜９５０℃で焼成することによって５〜６０
μｍ、好ましくは１０〜５０μｍの厚みでメタライズ化
する。
【００２０】この場合、メタライズ層の厚みを５μｍ以
下にすると、ぬれ性が悪くセラミックス基板との接着力
が弱く、逆に１００μｍ以上であれば印刷時において応
力がかかりすぎることによる。そして厚みが上記範囲に
あると最終製品において熱抵抗をできるだけ小さくする
ことができる他、複合基板のそりを小さくすることがで
きるという効果を併せて有する。
下にすると、ぬれ性が悪くセラミックス基板との接着力
が弱く、逆に１００μｍ以上であれば印刷時において応
力がかかりすぎることによる。そして厚みが上記範囲に
あると最終製品において熱抵抗をできるだけ小さくする
ことができる他、複合基板のそりを小さくすることがで
きるという効果を併せて有する。
【００２１】上記ろう材のうち特に銀−銅系合金ろう材
をペースト状にして用いる場合には、銀と銅の混合比は
重量割合で、銀５５〜８５％、銅１５〜４５％の範囲が
好ましく、更に活性金属としてのチタン、ジルコニウ
ム、ハフニウムやこれらの水素化物や酸化物を銀と銅の
合金１００重量部に対して１〜２０重量部とした合金粉
末を用い、これらの合金粉末を１５〜３０容量部、有機
溶剤（トルエン、テレピネオール等）６０〜７０容量
部、有機結合材０〜２０容量部の合計１００容量部とし
たものを用いるとよい。
をペースト状にして用いる場合には、銀と銅の混合比は
重量割合で、銀５５〜８５％、銅１５〜４５％の範囲が
好ましく、更に活性金属としてのチタン、ジルコニウ
ム、ハフニウムやこれらの水素化物や酸化物を銀と銅の
合金１００重量部に対して１〜２０重量部とした合金粉
末を用い、これらの合金粉末を１５〜３０容量部、有機
溶剤（トルエン、テレピネオール等）６０〜７０容量
部、有機結合材０〜２０容量部の合計１００容量部とし
たものを用いるとよい。
【００２２】また、本発明で回路を形成するための金属
はアルミニウムの純金属又は合金であるが、これにより
導電性が向上し、且つ軟らかさを得るものである。この
場合、純度が高い程導電性が向上するが逆に価格が高く
なるため本発明では９９．９％（３Ｎ）の純アルミニウ
ムを使用した。
はアルミニウムの純金属又は合金であるが、これにより
導電性が向上し、且つ軟らかさを得るものである。この
場合、純度が高い程導電性が向上するが逆に価格が高く
なるため本発明では９９．９％（３Ｎ）の純アルミニウ
ムを使用した。
【００２３】この金属とセラミックス基板との接合は溶
湯接合法で行ない、これにより高い接合強度と未接欠陥
の少ない複合基板とすることができる上、窒化アルミニ
ウム基板や窒化硅素基板にも表面改質することなく直接
に接合することができる（第２工程）。
湯接合法で行ない、これにより高い接合強度と未接欠陥
の少ない複合基板とすることができる上、窒化アルミニ
ウム基板や窒化硅素基板にも表面改質することなく直接
に接合することができる（第２工程）。
【００２４】次いで、上記溶湯接合法で得られた金属−
セラミックス複合基板の両主面にエッチングレジストを
加熱圧着した後、アルミニウム材表面のみ遮光・現像処
理を行なって所望のパターンを形成し、塩化第２鉄溶液
にてエッチングを行なって回路４を形成する（第３工
程）。
セラミックス複合基板の両主面にエッチングレジストを
加熱圧着した後、アルミニウム材表面のみ遮光・現像処
理を行なって所望のパターンを形成し、塩化第２鉄溶液
にてエッチングを行なって回路４を形成する（第３工
程）。
【００２５】本発明において得られた回路のうち、特に
電子部品搭載部３としてのアルミニウム材の上に銅、モ
リブデン、ニッケル等から選ばれる一種のメッキを積層
し、ヒートサイクル耐量及び耐熱衝撃特性の優れた複合
基板とすることもできる（第４工程）。
電子部品搭載部３としてのアルミニウム材の上に銅、モ
リブデン、ニッケル等から選ばれる一種のメッキを積層
し、ヒートサイクル耐量及び耐熱衝撃特性の優れた複合
基板とすることもできる（第４工程）。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明複合
基板（以下金属−セラミックス直接接合基板とする）に
ついて詳細に説明する。
基板（以下金属−セラミックス直接接合基板とする）に
ついて詳細に説明する。
【００２７】（実施例１）
【００２８】先ず、３６ｍｍ×５２ｍｍ×０．６３５ｍ
ｍのアルミナ基板に予め、銀２７．５ｗｔ％、銅２７．
０ｗｔ％、Ｔｉ０．５ｗｔ％からなるろう材ペーストを
前面塗布したものを真空炉中で８３０℃一定で焼成して
厚み２０μｍのメタライズ層１１を得た（第１工程）。
ｍのアルミナ基板に予め、銀２７．５ｗｔ％、銅２７．
０ｗｔ％、Ｔｉ０．５ｗｔ％からなるろう材ペーストを
前面塗布したものを真空炉中で８３０℃一定で焼成して
厚み２０μｍのメタライズ層１１を得た（第１工程）。
【００２９】得られたセラミックス基板１を図３に示す
金属−セラミックス直接接合基板を製造装置（原理図）
に挿入する。先ず、純度９９．９％のアルミニウム２を
ヒーター７を有するルツボ６にセットしてから蓋９をし
めて、ケース８の内部に窒素ガスを充填した後、ルツボ
６に設けたガイド一体型ダイス１０の左側入口から上記
第１工程で得たアルミナ基板をメタライズ１１側を下面
にして順次挿入した。ルツボ６内に入った該アルミナ基
板にアルミニウム溶湯を接触させ、次いで、出口側にお
いて凝固させることによって厚さ０．５ｍｍのアルミニ
ウム板がアルミナ基板上面に接合された金属−セラミッ
クス直接接合基板を得た（第２工程）。
金属−セラミックス直接接合基板を製造装置（原理図）
に挿入する。先ず、純度９９．９％のアルミニウム２を
ヒーター７を有するルツボ６にセットしてから蓋９をし
めて、ケース８の内部に窒素ガスを充填した後、ルツボ
６に設けたガイド一体型ダイス１０の左側入口から上記
第１工程で得たアルミナ基板をメタライズ１１側を下面
にして順次挿入した。ルツボ６内に入った該アルミナ基
板にアルミニウム溶湯を接触させ、次いで、出口側にお
いて凝固させることによって厚さ０．５ｍｍのアルミニ
ウム板がアルミナ基板上面に接合された金属−セラミッ
クス直接接合基板を得た（第２工程）。
【００３０】次いで得られた直接接合基板の両面にエッ
チングレジストを加熱圧着した後、表面のアルミニウム
板のみ遮光・現像処理を行なって所望のパターンを形成
して、塩化第２鉄溶液にてエッチング処理を行なって回
路４を形成した（第３工程）。
チングレジストを加熱圧着した後、表面のアルミニウム
板のみ遮光・現像処理を行なって所望のパターンを形成
して、塩化第２鉄溶液にてエッチング処理を行なって回
路４を形成した（第３工程）。
【００３１】次いで上記回路面を亜鉛置換した後Ｎｉメ
ッキ処理を施すと共に、裏面のメタライズ層１１に厚さ
４ｍｍの銅板をヒートシンク板５として接合せしめて、
目的とする金属−セラミックス複合基板を得た（第４工
程）。
ッキ処理を施すと共に、裏面のメタライズ層１１に厚さ
４ｍｍの銅板をヒートシンク板５として接合せしめて、
目的とする金属−セラミックス複合基板を得た（第４工
程）。
【００３２】得られた上記接合基板のヒートサイクル耐
量及び熱伝導性を調べたところヒートサイクル１０００
回でもクラックの発生はなく、また熱伝導率を少なく、
製品自体のそり量も従来品に比較して少ないという効果
を併せて有していた。
量及び熱伝導性を調べたところヒートサイクル１０００
回でもクラックの発生はなく、また熱伝導率を少なく、
製品自体のそり量も従来品に比較して少ないという効果
を併せて有していた。
【００３３】（実施例２）
【００３４】セラミックス基板としてアルミナに代えて
窒化アルミニウム基板（３６ｍｍ×５２ｍｍ×０．６３
５ｍｍ）を用いた他は、実施例１と同様な手段で金属−
窒化アルミニウム直接接合基板を得、この接合基板のヒ
ートサイクル耐量を調べたところ３０００回でもクラッ
クの発生はなく、また熱伝導率を少なく、製品自体のそ
り量も従来品に比較して少なかった。
窒化アルミニウム基板（３６ｍｍ×５２ｍｍ×０．６３
５ｍｍ）を用いた他は、実施例１と同様な手段で金属−
窒化アルミニウム直接接合基板を得、この接合基板のヒ
ートサイクル耐量を調べたところ３０００回でもクラッ
クの発生はなく、また熱伝導率を少なく、製品自体のそ
り量も従来品に比較して少なかった。
【００３５】（比較例１）
【００３６】比較のため実施例２に示す窒化アルミニウ
ム基板を用いて厚さ０．３ｍｍの銅板を基板の両面にＡ
ｇ−Ｃｕ−Ｔｉろう材ペーストを介して７８０℃で真空
炉中で焼成して得た銅張り基板を得、ヒートサイクル耐
量を求めたところ数十回でクラックが発生し、基板のそ
り量は大きかった。
ム基板を用いて厚さ０．３ｍｍの銅板を基板の両面にＡ
ｇ−Ｃｕ−Ｔｉろう材ペーストを介して７８０℃で真空
炉中で焼成して得た銅張り基板を得、ヒートサイクル耐
量を求めたところ数十回でクラックが発生し、基板のそ
り量は大きかった。
【００３７】
【発明の効果】上述のように本発明法によって得た金属
−セラミックス直接接合基板は、従来の複合基板では得
られなかったヒートサイクル耐量に富み、電気自動車や
電車向けの大電力パワーモジュール基板として特に好ま
しいものである。
−セラミックス直接接合基板は、従来の複合基板では得
られなかったヒートサイクル耐量に富み、電気自動車や
電車向けの大電力パワーモジュール基板として特に好ま
しいものである。
【図１】本発明に係る金属−セラミックス直接接合基板
の模式平面図である。
の模式平面図である。
【図２】図１の金属−セラミックス直接接合基板の側面
図である。
図である。
【図３】本発明接合基板の製造装置の原理図である。
１ セラミックス基板 ２ アルミニウム ３ 電子部品搭載部 ４ 回路 ５ ヒートシンク板 ６ ルツボ ７ ヒーター ８ ケース ９ 蓋 １０ ガイド一体型ダイス １１ メタライズ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０４Ｂ 41/91 Ｃ０４Ｂ 41/91 Ｂ Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０ Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０Ｄ // Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミックス基板の一主面にアルミニウ
ム材からなる電気導通及び電子部品搭載のための金属部
分を形成し、他面に放熱板を接合するためのメタライズ
層を設けてあることを特徴とする金属−セラミックス複
合基板。 - 【請求項２】 上記メタライズ層がＷ，Ｍｏ−ＭｎＯ，
Ａｇ−Ｃｕ系合金の少なくとも一種のろう材であること
を特徴とする請求１記載の金属−セラミックス複合基
板。 - 【請求項３】 セラミックス基板の一主面にメタライズ
層としてＷ，Ｍｏ−ＭｎＯ，Ａｇ−Ｃｕ系合金から選ば
れる一種の合金層を形成せしめる第１工程、 次いで上記基板の他面に溶湯アルミニウムを接合させた
後、凝固して複合基板とする第２工程、 次いで得られた複合基板において、アルミニウム材表面
をエッチング処理することにより所定の回路を形成する
第３工程、 次いで得られたアルミニウム回路の表面をメッキ処理す
る第４工程、 とから成ることを特徴とする金属−セラミックス複合基
板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15633296A JP4124497B2 (ja) | 1996-05-29 | 1996-05-29 | 金属−セラミックス複合基板及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15633296A JP4124497B2 (ja) | 1996-05-29 | 1996-05-29 | 金属−セラミックス複合基板及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09315876A true JPH09315876A (ja) | 1997-12-09 |
| JP4124497B2 JP4124497B2 (ja) | 2008-07-23 |
Family
ID=15625473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15633296A Expired - Fee Related JP4124497B2 (ja) | 1996-05-29 | 1996-05-29 | 金属−セラミックス複合基板及びその製造法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4124497B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008004851A1 (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-10 | Globetronics Industries Sdn Bhd (17765-H) | A hybrid substrate and method of manufacturing the same |
| JP2008045218A (ja) * | 2007-10-01 | 2008-02-28 | Dowa Holdings Co Ltd | 金属セラミック複合部材に対するメッキ方法、パターン製造方法、および湿式処理装置、並びにパワーモジュール用金属セラミックス複合部材 |
| JP2008283210A (ja) * | 2008-07-14 | 2008-11-20 | Dowa Holdings Co Ltd | 金属セラミックス回路基板の製造方法 |
| JP2012164709A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板 |
| JP2012164708A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板 |
| JP2012164710A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板 |
| KR20150092150A (ko) * | 2012-12-06 | 2015-08-12 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 파워 모듈용 기판, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판, 파워 모듈, 파워 모듈용 기판의 제조 방법, 동판 접합용 페이스트, 및 접합체의 제조 방법 |
| CN107889559A (zh) * | 2015-04-24 | 2018-04-06 | 阿莫善斯有限公司 | 陶瓷基板的制造方法及由其所制造的陶瓷基板 |
| CN117550910A (zh) * | 2023-10-24 | 2024-02-13 | 哈尔滨工业大学（威海） | 激光辅助制备陶瓷与金属复合基板方法及复合基板 |
-
1996
- 1996-05-29 JP JP15633296A patent/JP4124497B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008004851A1 (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-10 | Globetronics Industries Sdn Bhd (17765-H) | A hybrid substrate and method of manufacturing the same |
| JP2008045218A (ja) * | 2007-10-01 | 2008-02-28 | Dowa Holdings Co Ltd | 金属セラミック複合部材に対するメッキ方法、パターン製造方法、および湿式処理装置、並びにパワーモジュール用金属セラミックス複合部材 |
| JP2008283210A (ja) * | 2008-07-14 | 2008-11-20 | Dowa Holdings Co Ltd | 金属セラミックス回路基板の製造方法 |
| JP2012164709A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板 |
| JP2012164708A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板 |
| JP2012164710A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板 |
| KR20150092150A (ko) * | 2012-12-06 | 2015-08-12 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 파워 모듈용 기판, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판, 파워 모듈, 파워 모듈용 기판의 제조 방법, 동판 접합용 페이스트, 및 접합체의 제조 방법 |
| CN107889559A (zh) * | 2015-04-24 | 2018-04-06 | 阿莫善斯有限公司 | 陶瓷基板的制造方法及由其所制造的陶瓷基板 |
| CN107889559B (zh) * | 2015-04-24 | 2020-04-28 | 阿莫善斯有限公司 | 陶瓷基板的制造方法及由其所制造的陶瓷基板 |
| CN117550910A (zh) * | 2023-10-24 | 2024-02-13 | 哈尔滨工业大学（威海） | 激光辅助制备陶瓷与金属复合基板方法及复合基板 |
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