JPH0931642A - 真空処理装置及びその部品の交換方法 - Google Patents
真空処理装置及びその部品の交換方法Info
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- JPH0931642A JPH0931642A JP18382995A JP18382995A JPH0931642A JP H0931642 A JPH0931642 A JP H0931642A JP 18382995 A JP18382995 A JP 18382995A JP 18382995 A JP18382995 A JP 18382995A JP H0931642 A JPH0931642 A JP H0931642A
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- vacuum
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】真空処理装置内の部品等の交換による装置のダ
ウンタイムを低減し、装置スループットを向上させる。 【解決手段】処理室５は、半導体基板３を支持し処理位
置にセットする試料台１６、半導体基板３に対抗するよ
うに設けられたスパッタ電極６及び薄膜形成材料となる
ターゲット１９から構成される。これの交換の際には、
処理室５内を大気圧状態としてスパッタ電極６ごと処理
室５から取り外してターゲットを交換する。本発明で
は、電極６と台１６との間に開閉可能な仕切りバルブ７
を設け２室に分離可能とし、仕切られる２室には、メイ
ンポンプ１４、１５、及び粗引きライン１３が接続して
おり、２室を別々に排気可能とし、室５内を大気状態と
するためのベントライン１２も設けている。このような
構成により、バルブ７で必要最小限の領域のみを大気圧
とし、交換後その領域のみを排気して真空状態とするこ
とができる。
ウンタイムを低減し、装置スループットを向上させる。 【解決手段】処理室５は、半導体基板３を支持し処理位
置にセットする試料台１６、半導体基板３に対抗するよ
うに設けられたスパッタ電極６及び薄膜形成材料となる
ターゲット１９から構成される。これの交換の際には、
処理室５内を大気圧状態としてスパッタ電極６ごと処理
室５から取り外してターゲットを交換する。本発明で
は、電極６と台１６との間に開閉可能な仕切りバルブ７
を設け２室に分離可能とし、仕切られる２室には、メイ
ンポンプ１４、１５、及び粗引きライン１３が接続して
おり、２室を別々に排気可能とし、室５内を大気状態と
するためのベントライン１２も設けている。このような
構成により、バルブ７で必要最小限の領域のみを大気圧
とし、交換後その領域のみを排気して真空状態とするこ
とができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置等の電子部
品の製造分野に関するものであり、特に定期的に交換を
必要とする部品が備えられた真空処理設備に利用して有
効なものである。
品の製造分野に関するものであり、特に定期的に交換を
必要とする部品が備えられた真空処理設備に利用して有
効なものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置等の電子部品の製造において
は、半導体基板上にアルミニウムや高融点金属等を被着
せしめるためのスパッタ装置や、半導体基板に不純物拡
散領域を形成するためのイオン打ち込み装置等の真空処
理装置が多く用いられている。
は、半導体基板上にアルミニウムや高融点金属等を被着
せしめるためのスパッタ装置や、半導体基板に不純物拡
散領域を形成するためのイオン打ち込み装置等の真空処
理装置が多く用いられている。
【０００３】例えばスパッタ装置は、真空中でアルゴン
イオンを成膜材料からなるターゲットへ衝突させること
により成膜材料の粒子を飛散させて半導体基板に成膜さ
せるが、ターゲットは金属材料が消耗するため頻繁に交
換しなければならない。ターゲット交換に際しては、処
理室内を大気状態にしてから行っている。ターゲット交
換後は再び大気を除去し高真空引きを行っている。従来
のスパッタ装置のターゲット交換方法を図５を用いて説
明する。
イオンを成膜材料からなるターゲットへ衝突させること
により成膜材料の粒子を飛散させて半導体基板に成膜さ
せるが、ターゲットは金属材料が消耗するため頻繁に交
換しなければならない。ターゲット交換に際しては、処
理室内を大気状態にしてから行っている。ターゲット交
換後は再び大気を除去し高真空引きを行っている。従来
のスパッタ装置のターゲット交換方法を図５を用いて説
明する。
【０００４】（ａ）まず、ベントライン５２のバルブ５
２ａ開き、処理室５１内を大気圧状態とする。
２ａ開き、処理室５１内を大気圧状態とする。
【０００５】（ｂ）次に、スパッタ電極５５を処理室５
１から取外し、消耗したターゲット５９と新しいターゲ
ット６１とを交換する。
１から取外し、消耗したターゲット５９と新しいターゲ
ット６１とを交換する。
【０００６】（ｃ）スパッタ電極５５を処理室５１へ取
付け、処理室５１内を粗引きライン５３、メインポンプ
５４を用いて真空排気する。
付け、処理室５１内を粗引きライン５３、メインポンプ
５４を用いて真空排気する。
【０００７】また、イオン打ち込み装置は、イオン源部
にフィラメントを使用しているため、その寿命によりフ
ィラメントが装着されたソースヘッドの交換作業が入
る。このソースヘッドの交換も、従来から装置内を大気
状態にして行われている。
にフィラメントを使用しているため、その寿命によりフ
ィラメントが装着されたソースヘッドの交換作業が入
る。このソースヘッドの交換も、従来から装置内を大気
状態にして行われている。
【０００８】尚、スパッタ装置に関しては、例えば特開
平６−１６８９３４号公報に記載されている。
平６−１６８９３４号公報に記載されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、真空
処理装置において部品等を交換する場合、その交換作業
に要する時間は、スパッタ装置の場合およそ２４時間程
度、イオン打ち込み装置の場合はおよそ８時間程度を要
している。このようにダウンタイムが長いと、装置スル
ープットを落す要因となっている。
処理装置において部品等を交換する場合、その交換作業
に要する時間は、スパッタ装置の場合およそ２４時間程
度、イオン打ち込み装置の場合はおよそ８時間程度を要
している。このようにダウンタイムが長いと、装置スル
ープットを落す要因となっている。
【００１０】本発明者は、真空処理装置内を大気圧状態
にして部品等を交換する場合、一部の範囲にある部品の
交換でも、真空状態となっていた範囲を全て大気圧状態
にしなければならないことに着目し鋭意検討した。
にして部品等を交換する場合、一部の範囲にある部品の
交換でも、真空状態となっていた範囲を全て大気圧状態
にしなければならないことに着目し鋭意検討した。
【００１１】そこで本発明の目的は、真空処理装置内の
部品等の交換による装置のダウンタイムを低減し、装置
スループットを向上させることを目的とする。
部品等の交換による装置のダウンタイムを低減し、装置
スループットを向上させることを目的とする。
【００１２】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになる
であろう。
特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになる
であろう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次
のとおりである。すなわち、被処理体を収容し真空状態
で前記被処理体に処理を施す真空処理室と、該真空処理
室内を排気する排気手段と、前記真空処理室内を大気圧
状態にするベント手段と、前記真空処理室に設けられ定
期的に交換が必要な部品とからなる真空処理装置であっ
て、前記真空処理室にはその内部を２室に分離する仕切
り手段が設けられ、前記排気手段及びベント手段はそれ
ぞれの室に設けられているものである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次
のとおりである。すなわち、被処理体を収容し真空状態
で前記被処理体に処理を施す真空処理室と、該真空処理
室内を排気する排気手段と、前記真空処理室内を大気圧
状態にするベント手段と、前記真空処理室に設けられ定
期的に交換が必要な部品とからなる真空処理装置であっ
て、前記真空処理室にはその内部を２室に分離する仕切
り手段が設けられ、前記排気手段及びベント手段はそれ
ぞれの室に設けられているものである。
【００１４】
【作用】上記手段によると、２室のうちどちらか一方の
室の部品を交換する場合、一方の室のみを大気圧状態と
して部品を交換すれば良いので、部品交換の際に交換部
品を有する室を大気圧状態及び真空状態とするために費
やされる時間が短縮され、部品交換時間が大幅に短縮さ
れる。従って、真空処理装置内の部品等の交換による装
置のダウンタイムを低減し、装置スループットを向上さ
せることができる。
室の部品を交換する場合、一方の室のみを大気圧状態と
して部品を交換すれば良いので、部品交換の際に交換部
品を有する室を大気圧状態及び真空状態とするために費
やされる時間が短縮され、部品交換時間が大幅に短縮さ
れる。従って、真空処理装置内の部品等の交換による装
置のダウンタイムを低減し、装置スループットを向上さ
せることができる。
【００１５】
【実施例１】以下、本発明の一実施例を、スパッタ装置
に利用した例で説明する。図１はスパッタ装置の外観図
である。スパッタ装置１は、主に搬送室２及び複数の処
理室５から構成される。半導体基板３の搬送は、搬送室
２内で搬送ロボット４がカセット８から各処理室５への
搬送を行っている。
に利用した例で説明する。図１はスパッタ装置の外観図
である。スパッタ装置１は、主に搬送室２及び複数の処
理室５から構成される。半導体基板３の搬送は、搬送室
２内で搬送ロボット４がカセット８から各処理室５への
搬送を行っている。
【００１６】本発明では、処理室５をスパッタ電極６側
と搬送室２を開閉可能な仕切り手段、例えば仕切りバル
ブ７を設けている。
と搬送室２を開閉可能な仕切り手段、例えば仕切りバル
ブ７を設けている。
【００１７】図２に処理室５の断面を示す。処理室５
は、主に半導体基板３を支持し処理位置にセットする試
料台１６、半導体基板３に対向するように設けられたス
パッタ電極６及び薄膜形成材料となるターゲット１９か
ら構成される。ターゲット１９は、半導体基板３上に金
属薄膜を形成する材料、例えばアルミニウムやチタン、
モリブデン、タングステン等の高融点金属、あるいはそ
れらの化合物からなり、スパッタ電極６に半導体基板３
と対向するように取り付けられている。ターゲット１９
交換の際には、処理室５内を大気圧状態としてスパッタ
電極６毎処理室５から取り外してターゲットを交換す
る。本発明では、処理室内５のスパッタ電極と試料台１
６との間に開閉可能な仕切りバルブ７を設けており、２
室に分離可能としている。仕切りバルブ７は、ロック式
で逆圧にも対応できるもの、例えばゲートバルブが用い
られる。仕切りバルブ７によって仕切られる２室には、
メインポンプ１４、１５、及び粗引きライン１３がそれ
ぞれ独立して接続しており、２室を別々に排気可能とし
ている。メインポンプは、例えばターボ分子ポンプやク
ライオポンプを用いるが、ターボ分子ポンプを用いる場
合、水分の排気能力を考慮してトラップ付きのものを用
いることが好ましい。また、粗引きラインには、ドライ
ポンプやロータリーポンプ等が接続される。処理室５内
を大気状態とするためのベントライン１２も排気系と同
様に２室独立させて設けている。このような構成とする
ことにより、ターゲット１９を交換する際に仕切りバル
ブ７で必要最小限の領域のみを大気圧とし、交換後その
領域のみを排気して真空状態とすることができる。従っ
て、ベント時間及び排気時間が短縮されるのでターゲッ
ト交換に費やされる時間が短縮され、スパッタ装置のダ
ウンタイムを低減し、装置スループットを向上させるこ
とができる。
は、主に半導体基板３を支持し処理位置にセットする試
料台１６、半導体基板３に対向するように設けられたス
パッタ電極６及び薄膜形成材料となるターゲット１９か
ら構成される。ターゲット１９は、半導体基板３上に金
属薄膜を形成する材料、例えばアルミニウムやチタン、
モリブデン、タングステン等の高融点金属、あるいはそ
れらの化合物からなり、スパッタ電極６に半導体基板３
と対向するように取り付けられている。ターゲット１９
交換の際には、処理室５内を大気圧状態としてスパッタ
電極６毎処理室５から取り外してターゲットを交換す
る。本発明では、処理室内５のスパッタ電極と試料台１
６との間に開閉可能な仕切りバルブ７を設けており、２
室に分離可能としている。仕切りバルブ７は、ロック式
で逆圧にも対応できるもの、例えばゲートバルブが用い
られる。仕切りバルブ７によって仕切られる２室には、
メインポンプ１４、１５、及び粗引きライン１３がそれ
ぞれ独立して接続しており、２室を別々に排気可能とし
ている。メインポンプは、例えばターボ分子ポンプやク
ライオポンプを用いるが、ターボ分子ポンプを用いる場
合、水分の排気能力を考慮してトラップ付きのものを用
いることが好ましい。また、粗引きラインには、ドライ
ポンプやロータリーポンプ等が接続される。処理室５内
を大気状態とするためのベントライン１２も排気系と同
様に２室独立させて設けている。このような構成とする
ことにより、ターゲット１９を交換する際に仕切りバル
ブ７で必要最小限の領域のみを大気圧とし、交換後その
領域のみを排気して真空状態とすることができる。従っ
て、ベント時間及び排気時間が短縮されるのでターゲッ
ト交換に費やされる時間が短縮され、スパッタ装置のダ
ウンタイムを低減し、装置スループットを向上させるこ
とができる。
【００１８】次に、ターゲット交換方法を説明する。
【００１９】まず、真空状態、例えば１０の−３乗Ｔｏ
ｒｒ〜１０の−８乗Ｔｏｒｒ、好ましくは１０の−５乗
Ｔｏｒｒ〜１０の−８乗Ｔｏｒｒの圧力を有する処理室
５内の仕切りバルブ７を閉じ、スパッタ電極側の処理室
１１と試料台側の処理室１０とに分離する。次にスパッ
タ電極側の処理室１１内をベントし、大気圧状態とす
る。このとき、試料台側の処理室１０は仕切りバルブ７
によって完全に仕切られているため、高真空状態を保持
している。スパッタ電極側の処理室１１内が大気圧状態
となったところで、スパッタ電極６を処理室５から取外
し、ターゲット１９を新しいものと交換する。その後ス
パッタ電極６を処理室５に取付け、スパッタ電極側の処
理室１１内の排気を行う。排気の際は、まず粗引きライ
ン１３のバルブ１３ｂを開け粗引きを行う。この場合、
例えば２００ｍＴｏｒｒ以下に排気する。次にメインポ
ンプ１５を用いて高真空引きを行う。スパッタ電極側の
処理室１１内の気圧が試料台側の処理室１０の気圧と同
程度となったところで仕切りバルブ７を開け、２室を一
つにする。これでターゲット交換作業が完了し、スパッ
タ処理を行える状態となる。
ｒｒ〜１０の−８乗Ｔｏｒｒ、好ましくは１０の−５乗
Ｔｏｒｒ〜１０の−８乗Ｔｏｒｒの圧力を有する処理室
５内の仕切りバルブ７を閉じ、スパッタ電極側の処理室
１１と試料台側の処理室１０とに分離する。次にスパッ
タ電極側の処理室１１内をベントし、大気圧状態とす
る。このとき、試料台側の処理室１０は仕切りバルブ７
によって完全に仕切られているため、高真空状態を保持
している。スパッタ電極側の処理室１１内が大気圧状態
となったところで、スパッタ電極６を処理室５から取外
し、ターゲット１９を新しいものと交換する。その後ス
パッタ電極６を処理室５に取付け、スパッタ電極側の処
理室１１内の排気を行う。排気の際は、まず粗引きライ
ン１３のバルブ１３ｂを開け粗引きを行う。この場合、
例えば２００ｍＴｏｒｒ以下に排気する。次にメインポ
ンプ１５を用いて高真空引きを行う。スパッタ電極側の
処理室１１内の気圧が試料台側の処理室１０の気圧と同
程度となったところで仕切りバルブ７を開け、２室を一
つにする。これでターゲット交換作業が完了し、スパッ
タ処理を行える状態となる。
【００２０】この方法によると、処理室内のターゲット
交換するための必要最小限の領域のみを大気圧とし、残
りの領域を高真空状態に保持しながらターゲット交換作
業が行えるので、ベント及び排気時間を大幅に短縮する
ことができ、ターゲット交換作業の作業時間を短縮する
ことができる。従って、スパッタ装置のダウンタイムを
低減し、装置スループットを向上させることができる。
交換するための必要最小限の領域のみを大気圧とし、残
りの領域を高真空状態に保持しながらターゲット交換作
業が行えるので、ベント及び排気時間を大幅に短縮する
ことができ、ターゲット交換作業の作業時間を短縮する
ことができる。従って、スパッタ装置のダウンタイムを
低減し、装置スループットを向上させることができる。
【００２１】
【実施例２】次に本発明を、イオン打ち込み装置に利用
した例について説明する。図３は本発明を用いたイオン
打ち込み装置２１の概略を示す図である。イオン打ち込
み装置２１は、主にイオン源２２、加速管２４、分析マ
グネット２８、スキャンマグネット２９、パラレルスキ
ャンマグネット３０、打ち込み室３１等から構成されて
いる。分析マグネット２８、スキャンマグネット２９と
パラレルスキャンマグネット３０との間、パラレルスキ
ャンマグネット３０と打ち込み室３１との間には仕切り
バルブ２５、２６、２７がそれぞれ設けられている。本
発明では、イオン源２２にも仕切りバルブ２３を設けて
いる。図４にイオン源２２の拡大断面図を示す。イオン
源２２は、イオン打ち込み用の材料ガスをイオン化する
ためのイオン化箱３８及び材料ガスに熱電子を衝突させ
るフィラメント３７等からなるソースヘッド部３６、熱
電子に回転運動を与えるソースマグネット３９、イオン
化箱３８からイオンを引き出す引き出し電極４０等で構
成される。フィラメント３７は寿命が早いため、通常１
回／３日程度の割合で交換しなければならない。フィラ
メント交換はソースヘッド部３６からイオン化箱３８及
びフィラメント３７をソースハウジング４３毎取外して
行われる。イオン源２２には、内部の真空排気を行うポ
ンプ４４、及び粗引きライン４５が接続されている。本
発明の仕切りバルブ２３は、ソースヘッド部３６をイオ
ン源２２から分離するように設けられている。イオン源
２２は、粗引きライン４５及びメインポンプ４４によっ
て真空排気される。ソースヘッド部３６内の排気系統
は、ソースヘッド部３６の容積が小さいため、ドライポ
ンプあるいはロータリーポンプ等が接続された粗引きラ
イン４５のみを用いている。
した例について説明する。図３は本発明を用いたイオン
打ち込み装置２１の概略を示す図である。イオン打ち込
み装置２１は、主にイオン源２２、加速管２４、分析マ
グネット２８、スキャンマグネット２９、パラレルスキ
ャンマグネット３０、打ち込み室３１等から構成されて
いる。分析マグネット２８、スキャンマグネット２９と
パラレルスキャンマグネット３０との間、パラレルスキ
ャンマグネット３０と打ち込み室３１との間には仕切り
バルブ２５、２６、２７がそれぞれ設けられている。本
発明では、イオン源２２にも仕切りバルブ２３を設けて
いる。図４にイオン源２２の拡大断面図を示す。イオン
源２２は、イオン打ち込み用の材料ガスをイオン化する
ためのイオン化箱３８及び材料ガスに熱電子を衝突させ
るフィラメント３７等からなるソースヘッド部３６、熱
電子に回転運動を与えるソースマグネット３９、イオン
化箱３８からイオンを引き出す引き出し電極４０等で構
成される。フィラメント３７は寿命が早いため、通常１
回／３日程度の割合で交換しなければならない。フィラ
メント交換はソースヘッド部３６からイオン化箱３８及
びフィラメント３７をソースハウジング４３毎取外して
行われる。イオン源２２には、内部の真空排気を行うポ
ンプ４４、及び粗引きライン４５が接続されている。本
発明の仕切りバルブ２３は、ソースヘッド部３６をイオ
ン源２２から分離するように設けられている。イオン源
２２は、粗引きライン４５及びメインポンプ４４によっ
て真空排気される。ソースヘッド部３６内の排気系統
は、ソースヘッド部３６の容積が小さいため、ドライポ
ンプあるいはロータリーポンプ等が接続された粗引きラ
イン４５のみを用いている。
【００２２】フィラメント交換を行う際は、まず、イオ
ン源２２が高真空状態で仕切りバルブ２３を閉じ、ベン
ト用のバルブ４９及びバルブ５０を開けて、ソースヘッ
ド部３６内を大気圧状態とする。次にソースハウジング
４３をイオン源２２から取外し、フィラメント３７を新
しいものに交換する。その後ソースハウジング４３をイ
オン源２２の元の位置に戻し、ソースヘッド部３６内を
排気する。その際は、バルブ５０及びバルブ４８を開
け、粗引きライン４５を用いて排気を行う。最後に、仕
切りバルブ２３を開け、イオン源２２全体をメインポン
プ４４を用いて所定の気圧に真空排気する。
ン源２２が高真空状態で仕切りバルブ２３を閉じ、ベン
ト用のバルブ４９及びバルブ５０を開けて、ソースヘッ
ド部３６内を大気圧状態とする。次にソースハウジング
４３をイオン源２２から取外し、フィラメント３７を新
しいものに交換する。その後ソースハウジング４３をイ
オン源２２の元の位置に戻し、ソースヘッド部３６内を
排気する。その際は、バルブ５０及びバルブ４８を開
け、粗引きライン４５を用いて排気を行う。最後に、仕
切りバルブ２３を開け、イオン源２２全体をメインポン
プ４４を用いて所定の気圧に真空排気する。
【００２３】この方法によると、フィラメント交換に必
要最小限の領域のみベント及び排気を行うので、フィラ
メント交換の作業時間を大幅に短縮することができる。
従って、イオン打ち込み装置のダウンタイムを低減し、
装置スループットを向上させることができる。
要最小限の領域のみベント及び排気を行うので、フィラ
メント交換の作業時間を大幅に短縮することができる。
従って、イオン打ち込み装置のダウンタイムを低減し、
装置スループットを向上させることができる。
【００２４】以下、本発明の作用効果について説明す
る。
る。
【００２５】（１）真空処理室内部を２室に分離する仕
切りバルブを設け、排気手段及びベントをそれぞれの室
に設けることにより、処理室内の部品を交換するための
必要最小限の領域のみを大気圧とし、残りの領域を高真
空状態に保持しながら、部品交換作業が行えるので、ベ
ント及び排気時間を大幅に短縮することができ、部品交
換作業の作業時間を短縮することができる。従って、真
空処理装置のダウンタイムを低減し、装置スループット
を向上させることができる。
切りバルブを設け、排気手段及びベントをそれぞれの室
に設けることにより、処理室内の部品を交換するための
必要最小限の領域のみを大気圧とし、残りの領域を高真
空状態に保持しながら、部品交換作業が行えるので、ベ
ント及び排気時間を大幅に短縮することができ、部品交
換作業の作業時間を短縮することができる。従って、真
空処理装置のダウンタイムを低減し、装置スループット
を向上させることができる。
【００２６】（２）真空処理室内部を２室に分離する仕
切りバルブをスパッタ装置の処理室に設けることによ
り、処理室内のターゲット交換するための必要最小限の
領域のみを大気圧とし、残りの領域を高真空状態に保持
しながらターゲット交換作業が行えるので、ベント及び
排気時間を大幅に短縮することができ、ターゲット交換
作業の作業時間を短縮することができる。従って、スパ
ッタ装置のダウンタイムを低減し、装置スループットを
向上させることができる。
切りバルブをスパッタ装置の処理室に設けることによ
り、処理室内のターゲット交換するための必要最小限の
領域のみを大気圧とし、残りの領域を高真空状態に保持
しながらターゲット交換作業が行えるので、ベント及び
排気時間を大幅に短縮することができ、ターゲット交換
作業の作業時間を短縮することができる。従って、スパ
ッタ装置のダウンタイムを低減し、装置スループットを
向上させることができる。
【００２７】（３）仕切りバルブによって分離された２
室にそれぞれ排気手段として、処理室内を低真空まで排
気する粗引きラインと、高真空まで排気するメインポン
プとを接続したことにより、ターゲット交換後の排気を
高真空に行うことができる。従って、仕切りバルブを開
ける際の気圧差に伴う気体移動を防止できるので、異物
の巻き込みを防止することができる。
室にそれぞれ排気手段として、処理室内を低真空まで排
気する粗引きラインと、高真空まで排気するメインポン
プとを接続したことにより、ターゲット交換後の排気を
高真空に行うことができる。従って、仕切りバルブを開
ける際の気圧差に伴う気体移動を防止できるので、異物
の巻き込みを防止することができる。
【００２８】（４）イオン打ち込み装置のイオン源に仕
切りバルブを設けることにより、フィラメント交換に必
要最小限の領域のみベント及び排気を行うことができる
ので、フィラメント交換の作業時間を大幅に短縮するこ
とができる。従って、イオン打ち込み装置のダウンタイ
ムを低減し、装置スループットを向上させることができ
る。
切りバルブを設けることにより、フィラメント交換に必
要最小限の領域のみベント及び排気を行うことができる
ので、フィラメント交換の作業時間を大幅に短縮するこ
とができる。従って、イオン打ち込み装置のダウンタイ
ムを低減し、装置スループットを向上させることができ
る。
【００２９】（５）ソースヘッド部をイオン源から分離
するように仕切りバルブを設けることにより、フィラメ
ント交換の際に容積の小さいソースヘッド部のみベント
及び排気を行うので、ベント及び排気時間が短縮され
る。
するように仕切りバルブを設けることにより、フィラメ
ント交換の際に容積の小さいソースヘッド部のみベント
及び排気を行うので、ベント及び排気時間が短縮され
る。
【００３０】（６）真空状態にある真空処理室の仕切り
バルブを閉じ、交換すべき部品を有する室を大気圧状態
とする処理と、部品を交換する処理、部品を交換した室
を排気する処理、及び仕切りバルブを開く処理とを行う
ので、処理室内のベント及び排気に費やされる時間が大
幅に短縮される。従って、真空処理室内の部品の交換作
業時間が短縮されるので、真空処理装置のダウンタイム
が低減し、装置スループットを向上させることができ
る。
バルブを閉じ、交換すべき部品を有する室を大気圧状態
とする処理と、部品を交換する処理、部品を交換した室
を排気する処理、及び仕切りバルブを開く処理とを行う
ので、処理室内のベント及び排気に費やされる時間が大
幅に短縮される。従って、真空処理室内の部品の交換作
業時間が短縮されるので、真空処理装置のダウンタイム
が低減し、装置スループットを向上させることができ
る。
【００３１】（７）部品を交換した室を、仕切りバルブ
で仕切られた他方の室と同程度の真空度に排気した後に
仕切りバルブを開けることにより、仕切りバルブを開け
る際の気圧差に伴う気体移動を防止できるので、異物の
巻き込みを防止することができる。
で仕切られた他方の室と同程度の真空度に排気した後に
仕切りバルブを開けることにより、仕切りバルブを開け
る際の気圧差に伴う気体移動を防止できるので、異物の
巻き込みを防止することができる。
【００３２】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、
上記実施例１では、メインポンプを仕切りバルブで分離
された２室それぞれに設けていたが、メインポンプを一
元的に設け、排気用配管を枝別れさせ、それぞれにバル
ブを設けた構成を用いても良い。また、粗引きラインや
ベントラインも同様も同様である。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、
上記実施例１では、メインポンプを仕切りバルブで分離
された２室それぞれに設けていたが、メインポンプを一
元的に設け、排気用配管を枝別れさせ、それぞれにバル
ブを設けた構成を用いても良い。また、粗引きラインや
ベントラインも同様も同様である。
【００３３】また、上記実施例では、真空処理室内の部
品交換を必要とする真空処理装置として、スパッタ装置
及びイオン打ち込み装置を例として本発明を説明した
が、例えば真空蒸着設備の金属材料が充填されたルツボ
を交換する際にも本発明を利用することができる。
品交換を必要とする真空処理装置として、スパッタ装置
及びイオン打ち込み装置を例として本発明を説明した
が、例えば真空蒸着設備の金属材料が充填されたルツボ
を交換する際にも本発明を利用することができる。
【００３４】その他、真空処理室内の部品交換を必要と
する真空処理装置であれば、部品交換に必要最小限の領
域を開閉可能な仕切り手段によって分離することで、本
発明を容易に利用できるものである。
する真空処理装置であれば、部品交換に必要最小限の領
域を開閉可能な仕切り手段によって分離することで、本
発明を容易に利用できるものである。
【００３５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００３６】すなわち、真空処理室に、その内部を２室
に分離する仕切りバルブを設け、排気手段及びベント手
段はそれぞれの室に接続することにより、２室のうちど
ちらか一方の室の部品を交換する場合、一方の室のみを
大気圧状態として部品を交換すれば良いので、部品交換
の際に交換部品を有する室を大気圧状態及び真空状態と
するために費やされる時間が短縮され、部品交換時間が
大幅に短縮される。従って、真空処理装置内の部品等の
交換による装置のダウンタイムを低減し、装置スループ
ットを向上させることができるものである。
に分離する仕切りバルブを設け、排気手段及びベント手
段はそれぞれの室に接続することにより、２室のうちど
ちらか一方の室の部品を交換する場合、一方の室のみを
大気圧状態として部品を交換すれば良いので、部品交換
の際に交換部品を有する室を大気圧状態及び真空状態と
するために費やされる時間が短縮され、部品交換時間が
大幅に短縮される。従って、真空処理装置内の部品等の
交換による装置のダウンタイムを低減し、装置スループ
ットを向上させることができるものである。
【００３７】
【図１】本発明の一実施例であるスパッタ装置の外観図
である。
である。
【図２】本発明の一実施例であるスパッタ装置の処理室
の断面を示す図である。
の断面を示す図である。
【図３】本発明の他の実施例であるイオン打ち込み装置
の概略を示す図である。
の概略を示す図である。
【図４】本発明の他の実施例であるイオン打ち込み装置
のイオン源の拡大断面図を示す図である。
のイオン源の拡大断面図を示す図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）は、従来のスパッ
タ装置のターゲット交換方法を示す図である。
タ装置のターゲット交換方法を示す図である。
【符号の説明】 １……スパッタ装置，２……搬送室，３……半導体基
板，４……搬送ロボット，５……処理室，６……スパッ
タ電極，７……仕切りバルブ，８……カセット，９……
チャンバ，１０……試料台側の処理室，１１……スパッ
タ電極側の処理室，１２……ベントライン，１２ａ、１
２ｂ……バルブ，１３……粗引きライン，１３ａ、１３
ｂ……バルブ，１４、１５……メインポンプ，１６……
試料台，１７……クランプリング，１８……シャッタ
ー，１９……ターゲット，２０……電源，２１……イオ
ン打ち込み装置，２２……イオン源，２３……仕切りバ
ルブ，２４……加速部，２５、２６、２７……仕切りバ
ルブ，２８……分析マグネット，２９……スキャンマグ
ネット，３０……パラレルスキャンマグネット，３１…
…打ち込み室，３２……注入位置，３３……半導体基
板，３４……セットアップパネル，３５……高電圧電
源，３６……ソースヘッド部，３７……フィラメント，
３８……イオン化箱，３９……ソースマグネット，４０
……引き出し電極，４１……Ｏリング，４２……ガス導
入管，４３……ソースハウジング，４４……ポンプ，４
５……粗引きライン，４６、４７、４８、４９、５０…
…バルブ，５１……処理室，５２……ベントライン，５
２ａ……バルブ，５３……粗引きライン，５３ａ……バ
ルブ，５４……メインポンプ，５５……スパッタ電極，
５６……試料台，５７……クランプリング，５８……シ
ャッター，５９……消耗したターゲット，６０……スパ
ッタ電源，６１……新しいターゲット
板，４……搬送ロボット，５……処理室，６……スパッ
タ電極，７……仕切りバルブ，８……カセット，９……
チャンバ，１０……試料台側の処理室，１１……スパッ
タ電極側の処理室，１２……ベントライン，１２ａ、１
２ｂ……バルブ，１３……粗引きライン，１３ａ、１３
ｂ……バルブ，１４、１５……メインポンプ，１６……
試料台，１７……クランプリング，１８……シャッタ
ー，１９……ターゲット，２０……電源，２１……イオ
ン打ち込み装置，２２……イオン源，２３……仕切りバ
ルブ，２４……加速部，２５、２６、２７……仕切りバ
ルブ，２８……分析マグネット，２９……スキャンマグ
ネット，３０……パラレルスキャンマグネット，３１…
…打ち込み室，３２……注入位置，３３……半導体基
板，３４……セットアップパネル，３５……高電圧電
源，３６……ソースヘッド部，３７……フィラメント，
３８……イオン化箱，３９……ソースマグネット，４０
……引き出し電極，４１……Ｏリング，４２……ガス導
入管，４３……ソースハウジング，４４……ポンプ，４
５……粗引きライン，４６、４７、４８、４９、５０…
…バルブ，５１……処理室，５２……ベントライン，５
２ａ……バルブ，５３……粗引きライン，５３ａ……バ
ルブ，５４……メインポンプ，５５……スパッタ電極，
５６……試料台，５７……クランプリング，５８……シ
ャッター，５９……消耗したターゲット，６０……スパ
ッタ電源，６１……新しいターゲット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/265 Ｈ０１Ｌ 21/265 Ｄ
Claims (7)
- 【請求項１】被処理体を収容し真空状態で前記被処理体
に処理を施す真空処理室と、該真空処理室内を排気する
排気手段と、前記真空処理室内を大気圧状態にするベン
ト手段と、前記真空処理室に設けられ定期的に交換が必
要な部品とからなる真空処理装置であって、前記真空処
理室にはその内部を２室に分離する開閉可能な仕切り手
段が設けられ、前記排気手段及びベント手段はそれぞれ
の室に接続されていることを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項２】前記真空処理装置は、真空中でアルゴンイ
オンを成膜材料からなるターゲットへ衝突させることに
より成膜材料の粒子を飛散させて前記被処理体に成膜さ
せるスパッタ装置であり、前記部品は前記ターゲットで
あることを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。 - 【請求項３】前記排気手段は、処理室内を低真空まで排
気する粗引きラインと、高真空まで排気するメインポン
プからなることを特徴とする請求項１又は２記載の真空
処理装置。 - 【請求項４】前記真空処理装置は、材料ガスをイオン化
するイオン化箱と、該イオン化箱に設けられ前記材料ガ
スに熱電子を衝突させるフィラメントとを有するソース
ヘッド部からなるイオン源を備え、被処理体に不純物イ
オンを打ち込んで不純物拡散領域を形成するためのイオ
ン打ち込み装置であり、前記部品は前記フィラメントで
あることを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。 - 【請求項５】前記仕切り手段は、前記ソースヘッド部を
前記イオン源から分離するように設けられていることを
特徴とする請求項４記載の真空処理装置。 - 【請求項６】請求項１記載の真空処理装置の部品の交換
方法であって、真空状態にある前記真空処理室の前記仕
切り手段を閉じ、前記交換部品を有する室を大気圧状態
とする処理と、前記部品を交換する処理、部品を交換し
た室を排気する処理、及び前記仕切り手段を開く処理と
から構成される真空処理装置の部品の交換方法。 - 【請求項７】前記部品を交換した室は、前記仕切り手段
で仕切られた他方の室と同程度の真空度に排気された後
に、前記仕切り手段を開けることを特徴とする請求項６
記載の真空処理装置の部品の交換方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18382995A JPH0931642A (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 真空処理装置及びその部品の交換方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18382995A JPH0931642A (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 真空処理装置及びその部品の交換方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0931642A true JPH0931642A (ja) | 1997-02-04 |
Family
ID=16142579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18382995A Pending JPH0931642A (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 真空処理装置及びその部品の交換方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0931642A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005087972A1 (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Shinmaywa Industries, Ltd. | 成膜装置 |
| JP2008069393A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Oshima Denki Seisakusho:Kk | 真空成膜装置および真空成膜方法 |
| DE112006002367T5 (de) | 2005-09-16 | 2008-07-17 | Oshima Electric Works Co., Ltd., Ota | Vakuumfilmbildungseinrichtung und Vakuumfilmbildungsverfahren |
| CN104703377A (zh) * | 2015-03-16 | 2015-06-10 | 武汉久瑞电气有限公司 | 工业辐照电子加速器抽真空装置及方法 |
| KR20220044122A (ko) | 2020-09-30 | 2022-04-06 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 성막 장치 |
-
1995
- 1995-07-20 JP JP18382995A patent/JPH0931642A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005087972A1 (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Shinmaywa Industries, Ltd. | 成膜装置 |
| DE112006002367T5 (de) | 2005-09-16 | 2008-07-17 | Oshima Electric Works Co., Ltd., Ota | Vakuumfilmbildungseinrichtung und Vakuumfilmbildungsverfahren |
| JP2008069393A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Oshima Denki Seisakusho:Kk | 真空成膜装置および真空成膜方法 |
| CN104703377A (zh) * | 2015-03-16 | 2015-06-10 | 武汉久瑞电气有限公司 | 工业辐照电子加速器抽真空装置及方法 |
| KR20220044122A (ko) | 2020-09-30 | 2022-04-06 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 성막 장치 |
| KR20240167741A (ko) | 2020-09-30 | 2024-11-28 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 성막 장치 |
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