JPH09319113A - 電子写真感光体 - Google Patents
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- G03G5/0763—Polymeric photoconductive materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds having a photoconductive moiety in the polymer backbone comprising arylamine moiety
- G03G5/0765—Polymeric photoconductive materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds having a photoconductive moiety in the polymer backbone comprising arylamine moiety alkenylarylamine
-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 繰り返し使用による耐摩耗性の優れた、高分
子電荷輸送物質を用いた電荷輸送層を有する電子写真感
光体の光感度を向上させ、長期的に安定した画像形成を
行なうことが可能な電子写真感光体を得る。 【解決手段】 導電性支持体上に感光層を設けた電子写
真感光体において、該感光層に少なくとも下記一般式
（１）等で表される高分子電荷輸送物質の少なくとも１
種、及びフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質を含
有する。 【化１】
子電荷輸送物質を用いた電荷輸送層を有する電子写真感
光体の光感度を向上させ、長期的に安定した画像形成を
行なうことが可能な電子写真感光体を得る。 【解決手段】 導電性支持体上に感光層を設けた電子写
真感光体において、該感光層に少なくとも下記一般式
（１）等で表される高分子電荷輸送物質の少なくとも１
種、及びフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質を含
有する。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は複写機、ファクシミ
リ、レーザプリンター等に用いられる電子写真感光体に
関する。更に詳しくは高分子電荷輸送物質を含有してな
る感光層を有する高感度電子写真感光体に関する。
リ、レーザプリンター等に用いられる電子写真感光体に
関する。更に詳しくは高分子電荷輸送物質を含有してな
る感光層を有する高感度電子写真感光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子写真方法はカールソンプロセスやそ
の他様々な変形プロセスが知られており、複写機やプリ
ンタなどに広く使用されている。このような電子写真法
に用いられる感光体のなかでも、有機系の感光材料を用
いたものが、安価、大量生産性、無公害性等をメリット
として、近年使用されてきている。有機系の電子写真感
光体には、ポリビニルカルバソール（ＰＶＫ）に代表さ
れる光導電性樹脂、ＰＶＫ−ＴＮＦ（２，４，７−トリ
ニトロフルオレノン）に代表される電荷移動錯体型、フ
タロシアニン−バインダーに代表される顔料分散型、電
荷発生物質と電荷輸送物質とを組み合わせて用いる機能
分離型感光体などが知られており、特に、機能分離型の
感光体が注目されている。
の他様々な変形プロセスが知られており、複写機やプリ
ンタなどに広く使用されている。このような電子写真法
に用いられる感光体のなかでも、有機系の感光材料を用
いたものが、安価、大量生産性、無公害性等をメリット
として、近年使用されてきている。有機系の電子写真感
光体には、ポリビニルカルバソール（ＰＶＫ）に代表さ
れる光導電性樹脂、ＰＶＫ−ＴＮＦ（２，４，７−トリ
ニトロフルオレノン）に代表される電荷移動錯体型、フ
タロシアニン−バインダーに代表される顔料分散型、電
荷発生物質と電荷輸送物質とを組み合わせて用いる機能
分離型感光体などが知られており、特に、機能分離型の
感光体が注目されている。
【０００３】この機能分離型の感光体における静電潜像
形成のメカニズムは、感光体を帯電した後に光照射する
と、光は透明な電荷輸送層を通過し、電荷発生層中の電
荷発生物質により吸収され、これが電荷担体を発生し、
この電荷担体は電荷輸送層に注入され、帯電によって生
じている電界に沿って電荷輸送層中を移動し、感光体表
面の電荷を中和することにより静電潜像を形成するもの
である。機能分離型感光体においては、主に紫外部に吸
収を持つ電荷輸送物質と、主に可視部から近赤外部に吸
収を持つ電荷発生物質を組み合わせて用いることが知ら
れており、かつ有用である。そして電荷輸送物質は多く
が低分子化合物として開発されているが、低分子化合物
は単独で成膜性がないため、通常、不活性高分子に分散
・混合して用いられる。
形成のメカニズムは、感光体を帯電した後に光照射する
と、光は透明な電荷輸送層を通過し、電荷発生層中の電
荷発生物質により吸収され、これが電荷担体を発生し、
この電荷担体は電荷輸送層に注入され、帯電によって生
じている電界に沿って電荷輸送層中を移動し、感光体表
面の電荷を中和することにより静電潜像を形成するもの
である。機能分離型感光体においては、主に紫外部に吸
収を持つ電荷輸送物質と、主に可視部から近赤外部に吸
収を持つ電荷発生物質を組み合わせて用いることが知ら
れており、かつ有用である。そして電荷輸送物質は多く
が低分子化合物として開発されているが、低分子化合物
は単独で成膜性がないため、通常、不活性高分子に分散
・混合して用いられる。
【０００４】しかしながら、例えば機能分離型積層感光
体においては、低分子電荷輸送物質と不活性高分子から
なる電荷輸送層は一般に柔らかく、カールソンプロセス
においては繰り返し使用による膜削れを生じやすいとい
う欠点がある。更にこの構成の電荷輸送層は電荷移動度
に限界があり、カールソンプロセスの高速化あるいは小
型化の障害となっていた。これは、通常、低分子電荷輸
送物質の含有率が高分子成分１００重量部に対して１０
０重量部以下で使用されることに起因している。即ち、
低分子電荷輸送物質の含有率を増すことで確かに電荷移
動度は上げられるが、このとき逆に成膜性が低下するた
めである。
体においては、低分子電荷輸送物質と不活性高分子から
なる電荷輸送層は一般に柔らかく、カールソンプロセス
においては繰り返し使用による膜削れを生じやすいとい
う欠点がある。更にこの構成の電荷輸送層は電荷移動度
に限界があり、カールソンプロセスの高速化あるいは小
型化の障害となっていた。これは、通常、低分子電荷輸
送物質の含有率が高分子成分１００重量部に対して１０
０重量部以下で使用されることに起因している。即ち、
低分子電荷輸送物質の含有率を増すことで確かに電荷移
動度は上げられるが、このとき逆に成膜性が低下するた
めである。
【０００５】これらの点を克服するために高分子型の電
荷輸送物質が注目され、例えば、特開昭５１−７３８８
８号公報、特開昭５４−８５２７号公報、特開昭５４−
１１７３７号公報、特開昭５６−１５０７４９号公報、
特開昭５７−７８４０２号公報、特開昭６３−２８５５
５２号公報、特開平１−１７２８号公報、特開平１−１
９０４９号公報、特開平３−５０５５５号公報等に開示
されている。
荷輸送物質が注目され、例えば、特開昭５１−７３８８
８号公報、特開昭５４−８５２７号公報、特開昭５４−
１１７３７号公報、特開昭５６−１５０７４９号公報、
特開昭５７−７８４０２号公報、特開昭６３−２８５５
５２号公報、特開平１−１７２８号公報、特開平１−１
９０４９号公報、特開平３−５０５５５号公報等に開示
されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の高分子電荷輸送物質からなる電荷輸送層と、電荷発生
層とを組み合わせた感光体の光感度は、上記低分子電荷
輸送物質と不活性高分子材料を用いた場合に比べ著しく
劣っており、この点の改良が強く望まれている。
の高分子電荷輸送物質からなる電荷輸送層と、電荷発生
層とを組み合わせた感光体の光感度は、上記低分子電荷
輸送物質と不活性高分子材料を用いた場合に比べ著しく
劣っており、この点の改良が強く望まれている。
【０００７】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、繰り返し使用による耐摩耗性の優れた、高分子
電荷輸送物質を用いた電荷輸送層を有する電子写真感光
体の、光感度を向上させ、長期的に安定した画像形成を
行なうことが可能な電子写真感光体を提供することを目
的とする。
もので、繰り返し使用による耐摩耗性の優れた、高分子
電荷輸送物質を用いた電荷輸送層を有する電子写真感光
体の、光感度を向上させ、長期的に安定した画像形成を
行なうことが可能な電子写真感光体を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、導電性
支持体上に感光層を設けてなる電子写真感光体におい
て、前記感光層に少なくとも下記一般式（１）〜（１
０）で表される高分子電荷輸送物質のいずれか、及びフ
タロシアニン骨格を有する電荷発生物質を含有すること
を特徴とする電子写真感光体が提供される。
支持体上に感光層を設けてなる電子写真感光体におい
て、前記感光層に少なくとも下記一般式（１）〜（１
０）で表される高分子電荷輸送物質のいずれか、及びフ
タロシアニン骨格を有する電荷発生物質を含有すること
を特徴とする電子写真感光体が提供される。
【０００９】
【化１３】 式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3はそれぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、又はハロゲン原子、Ｒ4は水素原
子、又は置換もしくは無置換のアルキル基、Ｒ5、Ｒ6は
置換もしくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞ
れ独立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表し、０．１
≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表し
５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状
脂肪族の２価基、又は下記一般式（１−１）で表される
２価基を表す。
無置換のアルキル基、又はハロゲン原子、Ｒ4は水素原
子、又は置換もしくは無置換のアルキル基、Ｒ5、Ｒ6は
置換もしくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞ
れ独立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表し、０．１
≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表し
５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状
脂肪族の２価基、又は下記一般式（１−１）で表される
２価基を表す。
【化１４】 式中、Ｒ101、Ｒ102は各々独立して置換もしくは無置換
のアルキル基、アリール基、又はハロゲン原子を表す。
ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＣＯ
−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表
す。）、又は下記一般式（１−２）で表される基
のアルキル基、アリール基、又はハロゲン原子を表す。
ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＣＯ
−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表
す。）、又は下記一般式（１−２）で表される基
【化１５】 （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ103、Ｒ104は置換もしくは無置換のアルキル基、
又はアリール基を表す。）を表す。ここで、Ｒ101とＲ
102、Ｒ103とＲ104は、それぞれ同一でも異なってもよ
い。
数、Ｒ103、Ｒ104は置換もしくは無置換のアルキル基、
又はアリール基を表す。）を表す。ここで、Ｒ101とＲ
102、Ｒ103とＲ104は、それぞれ同一でも異なってもよ
い。
【００１０】
【化１６】 式中、Ｒ7、Ｒ8は置換もしくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3は同一、又は異なるアリレン基を表
す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、前記一般式（１）の場合と同
じである。
ｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3は同一、又は異なるアリレン基を表
す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、前記一般式（１）の場合と同
じである。
【００１１】
【化１７】 式中、Ｒ9、Ｒ10は置換もしくは無置換のアリール基、
Ａｒ4、Ａｒ5、Ａｒ6は同一、又は異なるアリレン基を
表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、前記一般式（１）の場合と
同じである。
Ａｒ4、Ａｒ5、Ａｒ6は同一、又は異なるアリレン基を
表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、前記一般式（１）の場合と
同じである。
【００１２】
【化１８】 式中、Ｒ11、Ｒ12は置換もしくは無置換のアリール基、
Ａｒ7、Ａｒ8、Ａｒ9は同一、又は異なるアリレン基、
ｐは１〜５の整数を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、前記一
般式（１）の場合と同じである。
Ａｒ7、Ａｒ8、Ａｒ9は同一、又は異なるアリレン基、
ｐは１〜５の整数を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、前記一
般式（１）の場合と同じである。
【００１３】
【化１９】 式中、Ｒ13、Ｒ14は置換もしくは無置換のアリール基、
Ａｒ10、Ａｒ11、Ａｒ12は同一、又は異なるアリレン
基、Ｘ1、Ｘ2は置換もしくは無置換のエチレン基、又は
置換もしくは無置換のビニレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及
びｎは、前記一般式（１）の場合と同じである。
Ａｒ10、Ａｒ11、Ａｒ12は同一、又は異なるアリレン
基、Ｘ1、Ｘ2は置換もしくは無置換のエチレン基、又は
置換もしくは無置換のビニレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及
びｎは、前記一般式（１）の場合と同じである。
【００１４】
【化２０】 式中、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18は置換もしくは無置換の
アリール基、Ａｒ13、Ａｒ14、Ａｒ15、Ａｒ16は同一、
又は異なるアリレン基、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3は単結合、置換
もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換の
シクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレン
エーテル基、酸素原子、硫黄原子、又はビニレン基を表
し同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎ
は、前記一般式（１）の場合と同じである。
アリール基、Ａｒ13、Ａｒ14、Ａｒ15、Ａｒ16は同一、
又は異なるアリレン基、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3は単結合、置換
もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換の
シクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレン
エーテル基、酸素原子、硫黄原子、又はビニレン基を表
し同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎ
は、前記一般式（１）の場合と同じである。
【００１５】
【化２１】 式中、Ｒ19、Ｒ20は水素原子、又は置換もしくは無置換
のアリール基を表し、Ｒ19とＲ20は環を形成していても
よい。Ａｒ17、Ａｒ18、Ａｒ19は同一、又は異なるアリ
レン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、前記一般式（１）
の場合と同じである。
のアリール基を表し、Ｒ19とＲ20は環を形成していても
よい。Ａｒ17、Ａｒ18、Ａｒ19は同一、又は異なるアリ
レン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、前記一般式（１）
の場合と同じである。
【００１６】
【化２２】 式中、Ｒ21は置換もしくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ20、Ａｒ21、Ａｒ22、Ａｒ23は同一、又は異なるアリ
レン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、前記一般式（１）
の場合と同じである。
ｒ20、Ａｒ21、Ａｒ22、Ａｒ23は同一、又は異なるアリ
レン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、前記一般式（１）
の場合と同じである。
【００１７】
【化２３】 式中、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25は置換もしくは無置換の
アリール基、Ａｒ24、Ａｒ25、Ａｒ26、Ａｒ27、Ａｒ28
は同一、又は異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、前記一般式（１）の場合と同じである。
アリール基、Ａｒ24、Ａｒ25、Ａｒ26、Ａｒ27、Ａｒ28
は同一、又は異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、前記一般式（１）の場合と同じである。
【００１８】
【化２４】 式中、Ｒ26、Ｒ27は置換もしくは無置換のアリール基、
Ａｒ29、Ａｒ30、Ａｒ31は同一、又は異なるアリレン基
を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、前記一般式（１）の場合
と同じである。
Ａｒ29、Ａｒ30、Ａｒ31は同一、又は異なるアリレン基
を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、前記一般式（１）の場合
と同じである。
【００１９】また、本発明によれば、上記電子写真感光
体において、上記フタロシアニン骨格を有する電荷発生
物質がオキソチタニウムフタロシアニンであること、又
は無金属フタロシアニンであることを特徴とする電子写
真感光体が提供される。
体において、上記フタロシアニン骨格を有する電荷発生
物質がオキソチタニウムフタロシアニンであること、又
は無金属フタロシアニンであることを特徴とする電子写
真感光体が提供される。
【００２０】以下に本発明を詳細に説明する。上記本発
明による電子写真感光体には、感光層が単層構成、又は
電荷発生層、及び電荷輸送層からなる積層構成のものが
含まれる。積層構成においては、該電荷発生層に上記フ
タロシアニン骨格を有する電荷発生物質が含有され、該
電荷輸送層に前記一般式（１）〜（１０）で表される高
分子電荷輸送物質のいずれかが含有される。
明による電子写真感光体には、感光層が単層構成、又は
電荷発生層、及び電荷輸送層からなる積層構成のものが
含まれる。積層構成においては、該電荷発生層に上記フ
タロシアニン骨格を有する電荷発生物質が含有され、該
電荷輸送層に前記一般式（１）〜（１０）で表される高
分子電荷輸送物質のいずれかが含有される。
【００２１】これら感光体の層構成に関して図面を用い
て説明する。図１は、本発明において用いられる電子写
真感光体の断面図であり、導電性支持体２１上に、感光
層２３が形成されたものである。図２は、別の構成を示
す断面図であり、導電性支持体２１上に、電荷発生層３
１と電荷輸送層３３からなる感光層２３が形成されたも
のである。図３は、更に別の構成を示す断面図であり、
導電性支持体２１と感光層２３との間に下引き層２５が
形成されたものである。その他構成に関する詳細につい
ては次に述べる実施の形態のなかで詳述する。
て説明する。図１は、本発明において用いられる電子写
真感光体の断面図であり、導電性支持体２１上に、感光
層２３が形成されたものである。図２は、別の構成を示
す断面図であり、導電性支持体２１上に、電荷発生層３
１と電荷輸送層３３からなる感光層２３が形成されたも
のである。図３は、更に別の構成を示す断面図であり、
導電性支持体２１と感光層２３との間に下引き層２５が
形成されたものである。その他構成に関する詳細につい
ては次に述べる実施の形態のなかで詳述する。
【００２２】
【発明の実施の形態】まず、本発明に用いられる高分子
電荷輸送物質について述べる。本発明における高分子電
荷輸送物質として、主鎖、及び／又は側鎖にトリアリー
ルアミン構造を有するポリカーボネートが有効に使用さ
れる。そして下記一般式（１）〜（１０）で表される高
分子電荷輸送物質を用いることにより、本発明の効果は
よりいっそう顕著なものとなる。一般式（１）〜（１
０）で表される高分子電荷輸送物質を以下に例示し、具
体例を示す。
電荷輸送物質について述べる。本発明における高分子電
荷輸送物質として、主鎖、及び／又は側鎖にトリアリー
ルアミン構造を有するポリカーボネートが有効に使用さ
れる。そして下記一般式（１）〜（１０）で表される高
分子電荷輸送物質を用いることにより、本発明の効果は
よりいっそう顕著なものとなる。一般式（１）〜（１
０）で表される高分子電荷輸送物質を以下に例示し、具
体例を示す。
【００２３】一般式（１）で示される高分子電荷輸送物
質の具体例から説明する。だだし、本発明はこれらによ
ってなんら限定されるものではない。
質の具体例から説明する。だだし、本発明はこれらによ
ってなんら限定されるものではない。
【００２４】
【化２５】
【００２５】一般式（１）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は
それぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキル基、又
はハロゲン原子を表すが、その具体例としては以下のも
のを挙げることができ、同一であっても異なってもよ
い。アルキル基として好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけ
Ｃ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖、又は分岐
鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフ
ッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ
基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキ
ル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェ
ニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル
基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリ
フルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２‐シア
ノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチル
ベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベ
ンジル基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ
素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ
る。
それぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキル基、又
はハロゲン原子を表すが、その具体例としては以下のも
のを挙げることができ、同一であっても異なってもよ
い。アルキル基として好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけ
Ｃ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖、又は分岐
鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフ
ッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ
基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキ
ル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェ
ニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル
基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリ
フルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２‐シア
ノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチル
ベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベ
ンジル基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ
素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ
る。
【００２６】Ｒ4は水素原子、又は置換もしくは無置換
のアルキル基を表すが、そのアルキル基の具体例として
は上記のＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同様のものが挙げられる。
のアルキル基を表すが、そのアルキル基の具体例として
は上記のＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同様のものが挙げられる。
【００２７】Ｒ5、Ｒ6は置換もしくは無置換のアリール
基を表すが、その具体例としては以下のものを挙げるこ
とができ、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化
水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチ
ル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメ
チル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル
基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリ
デンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプ
テニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリ
ル基、ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基と
しては、チエニル基、ベンソチエニル基、フリル基、ベ
ンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
基を表すが、その具体例としては以下のものを挙げるこ
とができ、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化
水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチ
ル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメ
チル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル
基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリ
デンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプ
テニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリ
ル基、ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基と
しては、チエニル基、ベンソチエニル基、フリル基、ベ
ンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００２８】上述のアリール基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：上記のＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同様のもの
が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ105）：Ｒ105は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアル
コキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を
置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基、又はアリールメルカプト基：
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。 （６）アルキル置換アミノ基：アルキル基は（２）で定
義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミ
ノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基：具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：上記のＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同様のもの
が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ105）：Ｒ105は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアル
コキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を
置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基、又はアリールメルカプト基：
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。 （６）アルキル置換アミノ基：アルキル基は（２）で定
義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミ
ノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基：具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。
【００２９】Ｘは下記一般式（Ａ）のトリアリールアミ
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーポネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーポネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。
【００３０】
【化２６】
【００３１】
【化２７】
【００３２】一般式（Ｂ）のジオール化合物の具体例と
しては以下のものが挙げられる。１，３−プロパンジオ
ール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオ
ール、１，６−へキサンジオール、１，８−オクタンジ
オール、１，１０−デカンジオール、２−メチル−１，
３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プ
ロパンジオール、２−エチル−１，３−プロパンジオー
ル、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、
ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレンエーテル
グリコール等の脂肪族ジオールや１，４−シクロヘキサ
ンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、シクロ
ヘキサン−１，４−ジメタノール等の環状脂肪族ジオー
ルが挙げられる。
しては以下のものが挙げられる。１，３−プロパンジオ
ール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオ
ール、１，６−へキサンジオール、１，８−オクタンジ
オール、１，１０−デカンジオール、２−メチル−１，
３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プ
ロパンジオール、２−エチル−１，３−プロパンジオー
ル、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、
ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレンエーテル
グリコール等の脂肪族ジオールや１，４−シクロヘキサ
ンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、シクロ
ヘキサン−１，４−ジメタノール等の環状脂肪族ジオー
ルが挙げられる。
【００３３】また、芳香環を有するジオールとしては、
４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフエ
ニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロへキサン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，
２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’
−ジヒドロキシジフェニルスルフイド、３，３’−ジメ
チル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフイド、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）へキサフルオロプロバ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテ
ン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾ
エート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキ
シベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４
−ヒドロキシベンゾエート）、１，３−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノ
ール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフエ
ニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロへキサン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，
２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’
−ジヒドロキシジフェニルスルフイド、３，３’−ジメ
チル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフイド、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）へキサフルオロプロバ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテ
ン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾ
エート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキ
シベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４
−ヒドロキシベンゾエート）、１，３−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノ
ール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
【００３４】次に一般式（２）で示される高分子電荷輸
送物質の具体例を示す。だだし、本発明はこれらによっ
てなんら限定されるものではない。
送物質の具体例を示す。だだし、本発明はこれらによっ
てなんら限定されるものではない。
【００３５】
【化２８】
【００３６】一般式（２）の具体例 Ｒ7、Ｒ8は置換もしくは無置換のアリール基を表すが、
その具体例としては以下のものを挙げることができ、同
一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基として
は、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニ
ル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フ
ルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェ
ニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル
基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフ
ェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフ
ェニリル基、又は下記一般式（２−１）で表される基が
挙げられる。
その具体例としては以下のものを挙げることができ、同
一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基として
は、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニ
ル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フ
ルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェ
ニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル
基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフ
ェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフ
ェニリル基、又は下記一般式（２−１）で表される基が
挙げられる。
【００３７】
【化２９】
【００３８】式中、Ｗは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−
ＳＯ2−、−ＣＯ−、及び下記一般式（２−２）、（２
−３）、（２−４）、（２−５）で表される２価基を表
す。
ＳＯ2−、−ＣＯ−、及び下記一般式（２−２）、（２
−３）、（２−４）、（２−５）で表される２価基を表
す。
【００３９】
【化３０】
【００４０】式中、ｃは１〜１２の整数を表す。
【００４１】
【化３１】
【００４２】式中、ｄは１〜３の整数を表す。
【００４３】
【化３２】
【００４４】式中、ｅは１〜３の整数を表す。
【００４５】
【化３３】
【００４６】式中、ｆは１〜３の整数を表す。
【００４７】複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。また、Ａｒ1、Ａｒ2、及びＡｒ3
で示されるアリレン基としてはＲ7、及びＲ8で示したア
リール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なって
もよい。
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。また、Ａｒ1、Ａｒ2、及びＡｒ3
で示されるアリレン基としてはＲ7、及びＲ8で示したア
リール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なって
もよい。
【００４８】上述のアリール基、及びアリレン基は以下
に示す基を置換基として有してもよい。また、これら置
換基は上記一般式中のＲ106、Ｒ107、Ｒ108の具体例と
して表される。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12、とりわけ
Ｃ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖、又は分岐
鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフ
ッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ
基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキ
ル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェ
ニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロビル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル
基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリ
フルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シア
ノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチル
ベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベ
ンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ109）：Ｒ109は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアル
コキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を
置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基、又はアリールメルカプト基：
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。 （６）下記一般式（２−６）で表される基
に示す基を置換基として有してもよい。また、これら置
換基は上記一般式中のＲ106、Ｒ107、Ｒ108の具体例と
して表される。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12、とりわけ
Ｃ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖、又は分岐
鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフ
ッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ
基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキ
ル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェ
ニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロビル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル
基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリ
フルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シア
ノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチル
ベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベ
ンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ109）：Ｒ109は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアル
コキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を
置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基、又はアリールメルカプト基：
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。 （６）下記一般式（２−６）で表される基
【００４９】
【化３４】
【００５０】式中、Ｒ110、及びＲ111は各々独立に
（２）で定義したアルキル基、又はアリール基を表し、
アリール基としては例えばフェニル基、ビフェニル基、
又はナフチル基が挙げられ、これらはＣ1〜Ｃ4のアルコ
キシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を置
換基として含有しても良い。またアリール基上の炭素原
子と共同で環を形成しても良い。具体的には、ジエチル
アミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ
−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミ
ノ基、ジベンジルアミノ基、ピベリジノ基、モルホリノ
基、ユロリジル基等が挙げられる。 （７）メチレンジオキシ基、又はメチレンジチオ基等の
アルキレンジオキシ基、又はアルキレンジチオ基等が挙
げられる。
（２）で定義したアルキル基、又はアリール基を表し、
アリール基としては例えばフェニル基、ビフェニル基、
又はナフチル基が挙げられ、これらはＣ1〜Ｃ4のアルコ
キシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を置
換基として含有しても良い。またアリール基上の炭素原
子と共同で環を形成しても良い。具体的には、ジエチル
アミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ
−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミ
ノ基、ジベンジルアミノ基、ピベリジノ基、モルホリノ
基、ユロリジル基等が挙げられる。 （７）メチレンジオキシ基、又はメチレンジチオ基等の
アルキレンジオキシ基、又はアルキレンジチオ基等が挙
げられる。
【００５１】Ｘは下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミ
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。
【００５２】
【化３５】
【００５３】
【化３６】
【００５４】一般式（Ｂ）のジオール化合物の具体例と
しては一般式（１）と同じものが挙げられる。
しては一般式（１）と同じものが挙げられる。
【００５５】次に一般式（３）で示される高分子電荷輸
送物質の具体例を示す。だだし、本発明はこれらによっ
てなんら限定されるものではない。
送物質の具体例を示す。だだし、本発明はこれらによっ
てなんら限定されるものではない。
【００５６】
【化３７】
【００５７】一般式（３）において、Ｒ9、Ｒ10は置換
もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例とし
ては以下のものを挙げることができ、同一であっても異
なってもよい。芳香族炭化水素基としては、フェニル
基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フ
ルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル
基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル
基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ
−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル
基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリ
ル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル
基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、
カルバゾリル基などが挙げられる。また、Ａｒ4、Ａ
ｒ5、及びＡｒ6で示されるアリレン基としてはＲ9、及
びＲ10で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一で
あっても異なってもよい。
もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例とし
ては以下のものを挙げることができ、同一であっても異
なってもよい。芳香族炭化水素基としては、フェニル
基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フ
ルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル
基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル
基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ
−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル
基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリ
ル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル
基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、
カルバゾリル基などが挙げられる。また、Ａｒ4、Ａ
ｒ5、及びＡｒ6で示されるアリレン基としてはＲ9、及
びＲ10で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一で
あっても異なってもよい。
【００５８】上述のアリール基、及びアリレン基は以下
に示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12、とりわけ
Ｃ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖、又は分岐
鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフ
ッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ
基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキ
ル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェ
ニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル
基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリ
フルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シア
ノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチル
ベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベ
ンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ112）：Ｒ112は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアル
コキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を
置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基、又はアリールメルカプト基：
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。 （６）アルキル置換アミノ基：アルキル基は（２）で定
義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミ／
基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミ
ノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基：具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。
に示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12、とりわけ
Ｃ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖、又は分岐
鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフ
ッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ
基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキ
ル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェ
ニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル
基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリ
フルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シア
ノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチル
ベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベ
ンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ112）：Ｒ112は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアル
コキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を
置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基、又はアリールメルカプト基：
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。 （６）アルキル置換アミノ基：アルキル基は（２）で定
義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミ／
基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミ
ノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基：具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。
【００５９】Ｘは下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミ
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーポネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーポネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。
【００６０】
【化３８】
【００６１】
【化３９】
【００６２】一般式（Ｂ）のジオール化合物は、一般式
（１）の場合と同じものが挙げられる。
（１）の場合と同じものが挙げられる。
【００６３】次に一般式（４）で示される高分子電荷輸
送物質の具体例を示す。ただし、本発明はこれらによっ
て何ら限定されるものではない。
送物質の具体例を示す。ただし、本発明はこれらによっ
て何ら限定されるものではない。
【００６４】
【化４０】
【００６５】一般式（４）において、Ｒ11、Ｒ12は置換
もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例とし
ては以下のものを挙げることができ、同一であっても異
なってもよい。芳香族炭化水素基としては、フェニル
基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フ
ルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル
基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル
基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ
−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル
基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリ
ル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル
基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、
カルバゾリル基などが挙げられる。また、Ａｒ7、Ａ
ｒ8、及びＡｒ9で示されるアリレン基としてはＲ11、及
びＲ12で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一で
あっても異なってもよい。
もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例とし
ては以下のものを挙げることができ、同一であっても異
なってもよい。芳香族炭化水素基としては、フェニル
基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フ
ルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル
基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル
基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ
−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル
基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリ
ル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル
基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、
カルバゾリル基などが挙げられる。また、Ａｒ7、Ａ
ｒ8、及びＡｒ9で示されるアリレン基としてはＲ11、及
びＲ12で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一で
あっても異なってもよい。
【００６６】上述のアリール基及びアリレン基は、以下
に示す基を置環基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12、とりわけ
Ｃ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖、又は分岐
鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフ
ッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ
基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキ
ル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェ
ニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル
基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリ
フルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シア
ノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチル
ベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベ
ンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ113）：Ｒ113は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアル
コキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を
置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基、又はアリールメルカプト基：
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。 （６）アルキル置換アミノ基：アルキル基は（２）で定
義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミ
ノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基：具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。
に示す基を置環基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12、とりわけ
Ｃ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖、又は分岐
鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフ
ッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ
基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキ
ル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェ
ニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル
基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリ
フルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シア
ノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチル
ベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベ
ンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ113）：Ｒ113は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアル
コキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を
置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基、又はアリールメルカプト基：
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。 （６）アルキル置換アミノ基：アルキル基は（２）で定
義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミ
ノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基：具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。
【００６７】Ｘは下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミ
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。
【００６８】
【化４１】
【００６９】
【化４２】
【００７０】一般式（Ｂ）のジオール化合物は、一般式
（１）の場合と同じものが挙げられる。
（１）の場合と同じものが挙げられる。
【００７１】次に一般式（５）で示される高分子電荷輸
送物質の具体例を示す。但し、本発明はこれらによって
何ら限定されるものではない。
送物質の具体例を示す。但し、本発明はこれらによって
何ら限定されるものではない。
【００７２】
【化４３】
【００７３】一般式（５）において、Ｒ13、Ｒ14は置換
もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例とし
ては以下のものを挙げることができ、同一であっても異
なってもよい。芳香族炭化水素基としては、フェニル
基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フ
ルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル
基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル
基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ
−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロへプテニリデンフェニル
基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリ
ル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル
基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンソフラニル基、
カルバゾリル基などが挙げられる。また、Ａｒ10、Ａｒ
11、及びＡｒ12で示されるアリレン基としてはＲ13、及
びＲ14で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一で
あっても異なってもよい。
もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例とし
ては以下のものを挙げることができ、同一であっても異
なってもよい。芳香族炭化水素基としては、フェニル
基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フ
ルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル
基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル
基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ
−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロへプテニリデンフェニル
基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリ
ル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル
基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンソフラニル基、
カルバゾリル基などが挙げられる。また、Ａｒ10、Ａｒ
11、及びＡｒ12で示されるアリレン基としてはＲ13、及
びＲ14で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一で
あっても異なってもよい。
【００７４】上述のアリール基、及びアリレン基は以下
に示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12、とりわけ
Ｃ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖、又は分岐
鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフ
ッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ
基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキ
ル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェ
ニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル
基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリ
フルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シア
ノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチル
ベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベ
ンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ114）：Ｒ114は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアル
コキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を
置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基、又はアリールメルカプト基：
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。 （６）アルキル置換アミノ基：アルキル基は（２）で定
義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミ
ノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基：具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。
に示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12、とりわけ
Ｃ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖、又は分岐
鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフ
ッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ
基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキ
ル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェ
ニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル
基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリ
フルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シア
ノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチル
ベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベ
ンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ114）：Ｒ114は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアル
コキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を
置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基、又はアリールメルカプト基：
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。 （６）アルキル置換アミノ基：アルキル基は（２）で定
義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミ
ノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基：具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。
【００７５】Ｘ1、Ｘ2は、置換もしくは無置換のエチレ
ン基、置換もしくは無置換のビニレン基を表し、この置
換基としては、シアノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、上
記Ｒ13、Ｒ14のアリール基、上記（２）のアルキル基が
挙げられる。
ン基、置換もしくは無置換のビニレン基を表し、この置
換基としては、シアノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、上
記Ｒ13、Ｒ14のアリール基、上記（２）のアルキル基が
挙げられる。
【００７６】Ｘは下記一般式（Ｆ）のトリアリールアミ
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。
【００７７】
【化４４】
【００７８】
【化４５】
【００７９】一般式（Ｂ）のジオール化合物は、一般式
（１）の場合と同じものが挙げられる。
（１）の場合と同じものが挙げられる。
【００８０】次に一般式（６）で示される高分子電荷輸
送物質の具体例を示す。但し、本発明はこれらによって
なんら限定されるものではない。
送物質の具体例を示す。但し、本発明はこれらによって
なんら限定されるものではない。
【００８１】
【化４６】
【００８２】一般式（６）において、Ｒ15、Ｒ16、
Ｒ17、Ｒ18は置換もしくは無置換のアリール基を表す
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。また、
Ａｒ13、Ａｒ14、Ａｒ15、及びＡｒ16で示されるアリレ
ン基としては、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、及びＲ18で示した上
記のアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異
なってもよい。
Ｒ17、Ｒ18は置換もしくは無置換のアリール基を表す
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。また、
Ａｒ13、Ａｒ14、Ａｒ15、及びＡｒ16で示されるアリレ
ン基としては、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、及びＲ18で示した上
記のアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異
なってもよい。
【００８３】上述のアリール基、及びアリレン基は以下
に示す基を置環基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12、とりわけ
Ｃ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖または分岐
鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフ
ッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ
基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキ
ル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェ
ニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル
基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリ
フルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シア
ノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチル
ベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベ
ンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ115）：Ｒ115は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアル
コキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を
置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。
に示す基を置環基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12、とりわけ
Ｃ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖または分岐
鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフ
ッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ
基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキ
ル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェ
ニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル
基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリ
フルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シア
ノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチル
ベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベ
ンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ115）：Ｒ115は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアル
コキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を
置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。
【００８４】Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3は単結合、置換もしくは無
置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアル
キレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル
基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表し同一であっ
ても異なってもよい。アルキレン基としては、上記
（２）で示したアルキル基より誘導される２価基を表
す。具体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プ
ロピレン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３
−プロピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエ
チレン基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フ
ェニルメチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、
２，２−プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニ
ルメチレン基等を挙げることができる。シクロアルキレ
ン基としては、１，１−シクロペンチレン基、１，１−
シクロヘキシレン基、１，１−シクロオクチレン基等を
挙げることができる。アルキレンエーテル基としては、
ジメチレンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレ
ンメチレンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル
基、ポリテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。
置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアル
キレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル
基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表し同一であっ
ても異なってもよい。アルキレン基としては、上記
（２）で示したアルキル基より誘導される２価基を表
す。具体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プ
ロピレン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３
−プロピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエ
チレン基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フ
ェニルメチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、
２，２−プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニ
ルメチレン基等を挙げることができる。シクロアルキレ
ン基としては、１，１−シクロペンチレン基、１，１−
シクロヘキシレン基、１，１−シクロオクチレン基等を
挙げることができる。アルキレンエーテル基としては、
ジメチレンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレ
ンメチレンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル
基、ポリテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。
【００８５】Ｘは下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミ
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーポネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーポネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。
【００８６】
【化４７】
【００８７】
【化４８】
【００８８】一般式（Ｂ）のジオール化合物は、一般式
（１）の場合と同じものが挙げられる。
（１）の場合と同じものが挙げられる。
【００８９】次に一般式（７）で示される高分子電荷輸
送物質の具体例を示す。但し、本発明はこれらによって
何ら限定されない。
送物質の具体例を示す。但し、本発明はこれらによって
何ら限定されない。
【００９０】
【化４９】
【００９１】一般式（７）において、Ｒ19、Ｒ20は置換
もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例とし
ては以下のものを挙げることができ、同一であっても異
なってもよい。芳香族炭化水素基としては、フェニル
基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フ
ルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル
基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル
基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ
−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロへプテニリデンフェニル
基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリ
ル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル
基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、
カルバゾリル基などが挙げられる。また、Ｒ19、Ｒ20は
環を形成する場合、９−フルオリニリデン、５Ｈ−ジベ
ンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンなどが挙げられ
る。また、Ａｒ17、Ａｒ18、及びＡｒ19で示されるアリ
レン基としてはＲ19、及びＲ20で示したアリール基の２
価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例とし
ては以下のものを挙げることができ、同一であっても異
なってもよい。芳香族炭化水素基としては、フェニル
基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フ
ルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル
基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル
基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ
−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロへプテニリデンフェニル
基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリ
ル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル
基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、
カルバゾリル基などが挙げられる。また、Ｒ19、Ｒ20は
環を形成する場合、９−フルオリニリデン、５Ｈ−ジベ
ンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンなどが挙げられ
る。また、Ａｒ17、Ａｒ18、及びＡｒ19で示されるアリ
レン基としてはＲ19、及びＲ20で示したアリール基の２
価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【００９２】上述のアリール基、及びアリレン基は以下
に示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12、とりわけ
Ｃ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖、又は分岐
鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフ
ッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ
基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキ
ル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェ
ニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル
基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリ
フルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シア
ノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチル
ベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベ
ンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ116）：Ｒ116は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブ
トキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエト
キシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ
基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これはＣ1〜Ｃ4のアルコ
キシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を置
換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基、又はアリールメルカプト基：
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。 （６）アルキル置換アミノ基：アルキル基は（２）で定
義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミ
ノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基：具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。
に示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12、とりわけ
Ｃ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖、又は分岐
鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフ
ッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ
基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキ
ル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェ
ニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル
基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリ
フルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シア
ノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチル
ベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベ
ンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ116）：Ｒ116は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブ
トキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエト
キシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ
基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これはＣ1〜Ｃ4のアルコ
キシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を置
換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基、又はアリールメルカプト基：
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。 （６）アルキル置換アミノ基：アルキル基は（２）で定
義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミ
ノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基：具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。
【００９３】Ｘは下記一般式（Ｈ）のトリアリールアミ
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーポネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｈ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーポネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｈ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。
【００９４】
【化５０】
【００９５】
【化５１】
【００９６】一般式（Ｂ）のジオール化合物は、一般式
（１）の場合と同じものが挙げられる。
（１）の場合と同じものが挙げられる。
【００９７】次に一般式（８）で示される高分子電荷輸
送物質の具体例を示す。但し、本発明はこれらによって
なんら限定されるものではない。
送物質の具体例を示す。但し、本発明はこれらによって
なんら限定されるものではない。
【００９８】
【化５２】
【００９９】一般式（８）において、Ｒ21は置換もしく
は無置換のアリール基を表すが、その具体例としては以
下のものを挙げることができ同一であっても異なっても
よい。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多
環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル
基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニ
ル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル
基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ
［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多
環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙
げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエ
ニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基
などが挙げられる。また、Ａｒ20、Ａｒ21、Ａｒ22、及
びＡｒ23で示されるアリレン基としてはＲ21で示したア
リール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なって
もよい。
は無置換のアリール基を表すが、その具体例としては以
下のものを挙げることができ同一であっても異なっても
よい。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多
環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル
基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニ
ル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル
基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ
［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多
環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙
げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエ
ニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基
などが挙げられる。また、Ａｒ20、Ａｒ21、Ａｒ22、及
びＡｒ23で示されるアリレン基としてはＲ21で示したア
リール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なって
もよい。
【０１００】上述のアリール基、及びアリレン基は以下
に示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12、とりわけ
Ｃ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖、又は分岐
鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフ
ッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ
基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキ
ル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェ
ニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル
基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリ
フルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シア
ノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチル
ベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベ
ンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ117）：Ｒ117は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアル
コキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を
置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基、又はアリールメルカプト基：
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。 （６）アルキル置換アミノ基：アルキル基は（２）で定
義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミ
ノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基：具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。
に示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12、とりわけ
Ｃ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖、又は分岐
鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフ
ッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ
基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキ
ル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェ
ニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル
基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリ
フルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シア
ノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチル
ベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベ
ンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ117）：Ｒ117は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアル
コキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を
置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基、又はアリールメルカプト基：
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。 （６）アルキル置換アミノ基：アルキル基は（２）で定
義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミ
ノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基：具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。
【０１０１】Ｘは下記一般式（Ｊ）のトリアリールアミ
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーポネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｊ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーポネートは交互
共重合体となる。
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーポネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｊ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーポネートは交互
共重合体となる。
【０１０２】
【化５３】
【０１０３】
【化５４】
【０１０４】一般式（Ｂ）のジオール化合物は、一般式
（１）の場合と同じものが挙げられる。
（１）の場合と同じものが挙げられる。
【０１０５】次に一般式（９）で示される高分子電荷輸
送物質の具体例を示す。但し、本発明はこれらによって
なんら限定されるものではない。
送物質の具体例を示す。但し、本発明はこれらによって
なんら限定されるものではない。
【０１０６】
【化５５】
【０１０７】一般式（９）において、Ｒ22、Ｒ23、
Ｒ24、Ｒ25は置換もしくは無置換のアリール基を表す
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバソリル基などが挙げられる。また、
Ａｒ24、Ａｒ25、Ａｒ26、Ａｒ27、及びＡｒ28で示され
るアリレン基としては、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、及びＲ25で
示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同一であ
っても異なってもよい。
Ｒ24、Ｒ25は置換もしくは無置換のアリール基を表す
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバソリル基などが挙げられる。また、
Ａｒ24、Ａｒ25、Ａｒ26、Ａｒ27、及びＡｒ28で示され
るアリレン基としては、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、及びＲ25で
示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同一であ
っても異なってもよい。
【０１０８】上述のアリール基、及びアリレン基は以下
に示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12、とりわけ
Ｃ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖、又は分岐
鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフ
ッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ
基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキ
ル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェ
ニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル
基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリ
フルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シア
ノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチル
ベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベ
ンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ118）：Ｒ118は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアル
コキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を
置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２ーナフチルオキ
シ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基、又はアリールメルカプト基：
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。 （６）アルキル置換アミノ基：アルキル基は（２）で定
義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミ
ノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基：具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。
に示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12、とりわけ
Ｃ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖、又は分岐
鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフ
ッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ
基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキ
ル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェ
ニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル
基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリ
フルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シア
ノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチル
ベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベ
ンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ118）：Ｒ118は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアル
コキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を
置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２ーナフチルオキ
シ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基、又はアリールメルカプト基：
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。 （６）アルキル置換アミノ基：アルキル基は（２）で定
義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミ
ノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基：具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。
【０１０９】Ｘは下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミ
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーポネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーポネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。
【０１１０】
【化５６】
【０１１１】
【化５７】
【０１１２】一般式（Ｂ）のジオール化合物は、一般式
（１）の場合と同じものが挙げられる。
（１）の場合と同じものが挙げられる。
【０１１３】次に一般式（１０）で示される高分子電荷
輸送物質の具体例を示す。但し、本発明はこれらによっ
てなんら限定されるものではない。
輸送物質の具体例を示す。但し、本発明はこれらによっ
てなんら限定されるものではない。
【０１１４】
【化５８】
【０１１５】一般式（１０）において、Ｒ26、Ｒ27は置
換もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例と
しては以下のものを挙げることができ、同一であっても
異なってもよい。芳香族炭化水素基として、フェニル
基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フ
ルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル
基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル
基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ
−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロへプテニリデンフェニル
基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリ
ル基などが挙げられる。複素環基として、チエニル基、
ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カル
バゾリル基などが挙げられる。また、Ａｒ29、Ａｒ30、
及びＡｒ31で示されるアリレン基としてはＲ26、及びＲ
27で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっ
ても異なってもよい。
換もしくは無置換のアリール基を表すが、その具体例と
しては以下のものを挙げることができ、同一であっても
異なってもよい。芳香族炭化水素基として、フェニル
基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フ
ルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル
基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル
基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ
−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロへプテニリデンフェニル
基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリ
ル基などが挙げられる。複素環基として、チエニル基、
ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カル
バゾリル基などが挙げられる。また、Ａｒ29、Ａｒ30、
及びＡｒ31で示されるアリレン基としてはＲ26、及びＲ
27で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっ
ても異なってもよい。
【０１１６】上述のアリール基、及びアリレン基は以下
に示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12、とりわけ
Ｃ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖、又は分岐
鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフ
ッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ
基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキ
ル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェ
ニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル
基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリ
フルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シア
ノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチル
ベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベ
ンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ119）：Ｒ119は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアル
コキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を
置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基、又はアリールメル化プト基：
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。 （６）アルキル置換アミノ基：アルキル基は（２）で定
義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミ／基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミ
ノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基：具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。
に示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基：好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12、とりわけ
Ｃ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖、又は分岐
鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフ
ッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ
基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキ
ル基もしくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェ
ニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル
基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリ
フルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シア
ノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチ
ル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチル
ベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベ
ンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ119）：Ｒ119は（２）で定
義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−
ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアル
コキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を
置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基、又はアリールメル化プト基：
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。 （６）アルキル置換アミノ基：アルキル基は（２）で定
義したアルキル基を表す。具体的には、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミ／基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミ
ノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基：具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。
【０１１７】Ｘは下記一般式（Ｍ）のトリアリールアミ
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーポネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｍ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーポネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｍ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。
【０１１８】
【化５９】
【０１１９】
【化６０】
【０１２０】一般式（Ｂ）のジオール化合物は、一般式
（１）の場合と同じものが挙げられる。
（１）の場合と同じものが挙げられる。
【０１２１】次に導電性支持体２１としては、体積抵抗
１×１０10Ωｃｍ以下の導電性を示すもの、例えばアル
ミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、鉄、金、
白金、鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの
酸化物を、蒸着、又はスパッタリングによりフィルム状
もしくは円筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、
あるいはアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、
ステンレスなどの板、及びそれらをＤ．Ｉ．、Ｉ．
Ｉ．、押出し、引き抜きなどの工法で素管化後、切削、
超仕上げ、研磨などで表面処理した管などを使用するこ
とが出来る。
１×１０10Ωｃｍ以下の導電性を示すもの、例えばアル
ミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、鉄、金、
白金、鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの
酸化物を、蒸着、又はスパッタリングによりフィルム状
もしくは円筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、
あるいはアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、
ステンレスなどの板、及びそれらをＤ．Ｉ．、Ｉ．
Ｉ．、押出し、引き抜きなどの工法で素管化後、切削、
超仕上げ、研磨などで表面処理した管などを使用するこ
とが出来る。
【０１２２】本発明における感光層２３は、単層型でも
積層型でもよいが、ここでは説明の都合上、まず積層型
について述べる。はじめに、電荷発生層３１について説
明する。電荷発生層３１は、電荷発生物質である少なく
とも下記一般式（Ｎ）で示される無金属あるいは金属フ
タロシアニン骨格を有する化合物を含有する層で、必要
に応じてバインター樹脂を用いることもある。
積層型でもよいが、ここでは説明の都合上、まず積層型
について述べる。はじめに、電荷発生層３１について説
明する。電荷発生層３１は、電荷発生物質である少なく
とも下記一般式（Ｎ）で示される無金属あるいは金属フ
タロシアニン骨格を有する化合物を含有する層で、必要
に応じてバインター樹脂を用いることもある。
【０１２３】
【化６１】
【０１２４】ここであげられるＭ（中心金属）は、Ｌ
ｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、
ＴｌＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｔ
ｈ、Ｐａ、Ｕ、Ｎｐ、Ａｍ等の単体、もしくは酸化物、
塩化物、フッ化物、水酸化物、臭化物などの２種以上の
元素からなる。中心金属は、これらの元素に限定される
ものではない。
ｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、
ＴｌＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｔ
ｈ、Ｐａ、Ｕ、Ｎｐ、Ａｍ等の単体、もしくは酸化物、
塩化物、フッ化物、水酸化物、臭化物などの２種以上の
元素からなる。中心金属は、これらの元素に限定される
ものではない。
【０１２５】本発明におけるフタロシアニン骨格を有す
る電荷発生物質とは、少なくとも一般式（Ｎ）の基本骨
格を有していればよく、２量体、３量体など多量体構造
を持つもの、さらに高次の高分子構造を持つものでもか
まわない。また基本骨格に様々な置換基があるものでも
かまわない。これらの様々なフタロシアニンのうち、中
心金属にＴｉＯを有するオキソチタニウムフタロシアニ
ン、Ｈを有する無金属フタロシアニンは、感光体特性的
に好ましい。
る電荷発生物質とは、少なくとも一般式（Ｎ）の基本骨
格を有していればよく、２量体、３量体など多量体構造
を持つもの、さらに高次の高分子構造を持つものでもか
まわない。また基本骨格に様々な置換基があるものでも
かまわない。これらの様々なフタロシアニンのうち、中
心金属にＴｉＯを有するオキソチタニウムフタロシアニ
ン、Ｈを有する無金属フタロシアニンは、感光体特性的
に好ましい。
【０１２６】またこれらのフタロシアニンは、様々な結
晶系を持つことも知られており、例えばオキソチタニウ
ムフタロシアニンの場合、α、β、γ、ｍ、ｙ型等、銅
フタロシアニンの場合、α、β、γ等の結晶多系を有し
ている。同じ中心金属を持つフタロシアニンにおいて
も、結晶系が変わることにより、種々の特性も変化す
る。その中で、感光体特性も、このような結晶系変化に
伴い、変化することが報告されている（電子写真学会誌
第２９巻 第４号（１９９０））。このことから、各
フタロシアニンは、感光体特性的に、最適な結晶系が存
在する。
晶系を持つことも知られており、例えばオキソチタニウ
ムフタロシアニンの場合、α、β、γ、ｍ、ｙ型等、銅
フタロシアニンの場合、α、β、γ等の結晶多系を有し
ている。同じ中心金属を持つフタロシアニンにおいて
も、結晶系が変わることにより、種々の特性も変化す
る。その中で、感光体特性も、このような結晶系変化に
伴い、変化することが報告されている（電子写真学会誌
第２９巻 第４号（１９９０））。このことから、各
フタロシアニンは、感光体特性的に、最適な結晶系が存
在する。
【０１２７】電荷発生層３１は、フタロシアニン骨格を
有する電荷発生物質を２種以上混合していてもかまわな
い。さらにそれ以外の電荷発生物質と混合していてもか
まわない。この場合に混合する電荷輸送物質としては、
無機系材料、及び有機系材料があげられる。
有する電荷発生物質を２種以上混合していてもかまわな
い。さらにそれ以外の電荷発生物質と混合していてもか
まわない。この場合に混合する電荷輸送物質としては、
無機系材料、及び有機系材料があげられる。
【０１２８】無機系材料には、結晶セレン、アモルファ
ス・セレン、セレン−テルル、セレン−テルル−ハロゲ
ン、セレン−ヒ素化合物、アモルファス・シリコン等が
挙げられる。アモルファス・シリコンにおいては、ダン
グリングボンドを水素原子、ハロゲン原子で夕ーミネー
トしたものや、ホウ素原子、リン原子等をドープしたも
のが良好に用いられる。
ス・セレン、セレン−テルル、セレン−テルル−ハロゲ
ン、セレン−ヒ素化合物、アモルファス・シリコン等が
挙げられる。アモルファス・シリコンにおいては、ダン
グリングボンドを水素原子、ハロゲン原子で夕ーミネー
トしたものや、ホウ素原子、リン原子等をドープしたも
のが良好に用いられる。
【０１２９】一方、有機系材料としては、アズレニウム
塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバゾール骨
格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格を有する
アゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジ
ベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フルオレノン
骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格を有する
アゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料、ジス
チリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ジスチ
リルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペリレン系顔
料、アントラキノン系、又は多環キノン系顔料、キノン
イミン系顔料、ジフェニルメタン、及びトリフェニルメ
タン系顔料、ベンゾキノン、及びナフトキノン系顔料、
シアニン、及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系顔
料、ビスベンズイミダゾ−ル系顔料などが挙げられる。
塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバゾール骨
格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格を有する
アゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジ
ベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フルオレノン
骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格を有する
アゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料、ジス
チリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ジスチ
リルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペリレン系顔
料、アントラキノン系、又は多環キノン系顔料、キノン
イミン系顔料、ジフェニルメタン、及びトリフェニルメ
タン系顔料、ベンゾキノン、及びナフトキノン系顔料、
シアニン、及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系顔
料、ビスベンズイミダゾ−ル系顔料などが挙げられる。
【０１３０】電荷発生層３１に必要に応じて用いられる
バインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、
エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコ
ーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリ
ビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾ−ル、ポリアクリルアミドな
どが用いられる。これらのバインダ−樹脂は、単独、又
は２種以上の混合物として用いることが出来る。また、
電荷発生層のバインダー樹脂として上述のバインダー樹
脂の他に、先述の高分子電荷輸送物質を用いることがで
きる。更に、必要に応じて低分子電荷輸送物質を添加し
てもよい。
バインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、
エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコ
ーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリ
ビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾ−ル、ポリアクリルアミドな
どが用いられる。これらのバインダ−樹脂は、単独、又
は２種以上の混合物として用いることが出来る。また、
電荷発生層のバインダー樹脂として上述のバインダー樹
脂の他に、先述の高分子電荷輸送物質を用いることがで
きる。更に、必要に応じて低分子電荷輸送物質を添加し
てもよい。
【０１３１】電荷発生層３１に併用できる低分子電荷輸
送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがある。電
子輸送物質としては、たとえばクロルアニル、ブロムア
ニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタ
ン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，
４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，
４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−ト
リニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−４
Ｈ−インデノ〔１，２−ｂ〕チオフェン−４オン、１，
３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオ
キサイドなどの電子受容性物質が挙げられる。これらの
電子輸送物質は、単独または２種以上の混合物として用
いることが出来る。
送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがある。電
子輸送物質としては、たとえばクロルアニル、ブロムア
ニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタ
ン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，
４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，
４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−ト
リニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−４
Ｈ−インデノ〔１，２−ｂ〕チオフェン−４オン、１，
３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオ
キサイドなどの電子受容性物質が挙げられる。これらの
電子輸送物質は、単独または２種以上の混合物として用
いることが出来る。
【０１３２】正孔輸送物質としては、以下に表わされる
電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。たとえ
ば、オキサゾル誘導体、オキサジアゾル誘導体、イミダ
ゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−（ｐ−
ジエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１−ビス
−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、スチリ
ルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラ
ゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾール誘
導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、アクリ
ジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダゾール
誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。これらの
正孔輸送物質は、単独または２種以上の混合物として用
いることが出来る。
電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。たとえ
ば、オキサゾル誘導体、オキサジアゾル誘導体、イミダ
ゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−（ｐ−
ジエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１−ビス
−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、スチリ
ルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラ
ゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾール誘
導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、アクリ
ジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダゾール
誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。これらの
正孔輸送物質は、単独または２種以上の混合物として用
いることが出来る。
【０１３３】電荷発生層３１を形成する方法には、真空
薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法とが大
きく挙げられる。前者の方法には、真空蒸着法、ＣＶＤ
法等が用いられる。また、後者のキャスティング法によ
って電荷発生層を設けるには、電荷発生物質を必要なら
ばバインダー樹脂と共にテトラヒドロフラン、シクロヘ
キサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、ブタノン等の
溶媒を用いてボールミル、アトライター、サンドミル等
により分散し、分散液を適度に希釈して塗布することに
より、形成できる。塗布は、浸漬塗工法やスブレーコー
ト、ビードコート法などを用いて行なうことができる。
以上のようにして設けられる電荷発生層の膜厚は、０．
０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは０．０５〜
２μｍである。
薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法とが大
きく挙げられる。前者の方法には、真空蒸着法、ＣＶＤ
法等が用いられる。また、後者のキャスティング法によ
って電荷発生層を設けるには、電荷発生物質を必要なら
ばバインダー樹脂と共にテトラヒドロフラン、シクロヘ
キサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、ブタノン等の
溶媒を用いてボールミル、アトライター、サンドミル等
により分散し、分散液を適度に希釈して塗布することに
より、形成できる。塗布は、浸漬塗工法やスブレーコー
ト、ビードコート法などを用いて行なうことができる。
以上のようにして設けられる電荷発生層の膜厚は、０．
０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは０．０５〜
２μｍである。
【０１３４】次に、電荷輸送層３３について説明する。
電荷輸送層３３は、高分子電荷輸送物質を主成分とする
層であり、高分子電荷輸送物質を適当な溶剤に溶解ない
し分散し、これを塗布、乾燥することにより形成でき
る。高分子電荷輸送物質は先述の公知材料を用いること
ができるが、前記一般式（１）〜（１０）の高分子電荷
輸送物質が特に良好に使用される。また、必要により適
当なバインダー樹脂、低分子電荷輸送物質、可塑剤やレ
べリング剤を添加することもできる。
電荷輸送層３３は、高分子電荷輸送物質を主成分とする
層であり、高分子電荷輸送物質を適当な溶剤に溶解ない
し分散し、これを塗布、乾燥することにより形成でき
る。高分子電荷輸送物質は先述の公知材料を用いること
ができるが、前記一般式（１）〜（１０）の高分子電荷
輸送物質が特に良好に使用される。また、必要により適
当なバインダー樹脂、低分子電荷輸送物質、可塑剤やレ
べリング剤を添加することもできる。
【０１３５】電荷輸送層３３に併用できるバインダー樹
脂としては、ポリカーボネート（ビスフェノールＡタイ
プ、ビスフェノールＺタイプ）、ポリエステル、メタク
リル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニル、
酢酸ビニル、ポリスチレン、フェノ−ルー脂、エポキシ
樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキッド
樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアクリレ
ート、ポリアクリルアミド、フェノキシ樹脂などが用い
られる。これらのバインダーは、単独、又は２種以上の
混合物として用いることが出来る。
脂としては、ポリカーボネート（ビスフェノールＡタイ
プ、ビスフェノールＺタイプ）、ポリエステル、メタク
リル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニル、
酢酸ビニル、ポリスチレン、フェノ−ルー脂、エポキシ
樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキッド
樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアクリレ
ート、ポリアクリルアミド、フェノキシ樹脂などが用い
られる。これらのバインダーは、単独、又は２種以上の
混合物として用いることが出来る。
【０１３６】電荷輸送層３３に併用できる低分子電荷輸
送物質は、電荷発生層３１の説明に記載したものと同じ
ものを用いることができる。電荷輸送層３３の膜厚は、
５〜１００μｍ程度が適当であり、好ましくは、１０〜
４０μｍ程度が適当である。
送物質は、電荷発生層３１の説明に記載したものと同じ
ものを用いることができる。電荷輸送層３３の膜厚は、
５〜１００μｍ程度が適当であり、好ましくは、１０〜
４０μｍ程度が適当である。
【０１３７】また、本発明において電荷輸送層３３中に
可塑剤やレべリング剤を添加してもよい。可塑剤として
は、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート等の一
般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそのまま
使用でき、その使用量は、バインダー樹脂１００重量部
に対して０〜３０重量部程度が適当である。レベリング
剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニ
ルシリコーンオイル等のシリコーンオイル類や、側鎖に
パーフルオロアルキル基を有するポリマー、あるいはオ
リゴマーが使用され、その使用量は、バインダー樹脂１
００重量部に対して０〜１重量部程度が適当である。
可塑剤やレべリング剤を添加してもよい。可塑剤として
は、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート等の一
般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそのまま
使用でき、その使用量は、バインダー樹脂１００重量部
に対して０〜３０重量部程度が適当である。レベリング
剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニ
ルシリコーンオイル等のシリコーンオイル類や、側鎖に
パーフルオロアルキル基を有するポリマー、あるいはオ
リゴマーが使用され、その使用量は、バインダー樹脂１
００重量部に対して０〜１重量部程度が適当である。
【０１３８】次に、感光層２３が単層構成の場合につい
て述べる。キャステイング法で単層感光層を設ける場
合、多くは電荷発生物質と低分子ならびに高分子電荷輸
送物質よりなる機能分離型のものが挙げられる。即ち、
電荷発生物質ならびに電荷輸送物質には、前出の材料を
用いることができる。また、必要により可塑剤やレべリ
ング剤を添加することもできる。更に、必要に応じて用
いることの出来るバインター樹脂としては、先に電荷輸
送層３３で挙げたバインダー樹脂をそのまま用いる他
に、電荷発生層３１で挙げたバインダー樹脂を混合して
用いてもよい。単層感光体の膜厚は、５〜１００μｍ程
度が適当であり、好ましくは、１０〜４０μｍ程度が適
当である。
て述べる。キャステイング法で単層感光層を設ける場
合、多くは電荷発生物質と低分子ならびに高分子電荷輸
送物質よりなる機能分離型のものが挙げられる。即ち、
電荷発生物質ならびに電荷輸送物質には、前出の材料を
用いることができる。また、必要により可塑剤やレべリ
ング剤を添加することもできる。更に、必要に応じて用
いることの出来るバインター樹脂としては、先に電荷輸
送層３３で挙げたバインダー樹脂をそのまま用いる他
に、電荷発生層３１で挙げたバインダー樹脂を混合して
用いてもよい。単層感光体の膜厚は、５〜１００μｍ程
度が適当であり、好ましくは、１０〜４０μｍ程度が適
当である。
【０１３９】本発明の電子写真感光体には、導電性支持
体２１と感光層２３（積層タイプの場合には、電荷発生
層３１）との間に下引き層２５を設けることができる。
下引き層２５は、接着性を向上する、モワレなどを防止
する、上層の塗工性を改良する、残留電位を低減するな
どの目的で設けられる。下引き層２５は一般に樹脂を主
成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤で
もって塗布することを考えると一般の有機溶剤に対して
耐溶解性の高い樹脂であることが望ましい。このような
樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリ
アクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロ
ン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹
脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミ
ン樹脂、エボキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬
化型樹脂などが挙げられる。また、酸化チタン、シリ
カ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化イン
ジウム等で例示できる金属酸化物、あるいは金属硫化
物、金属窒化物などの微粉末を加えてもよい。これらの
下引き層は、前述の感光層のごとく適当な溶媒、塗工法
を用いて形成することができる。更に本発明の下引き層
として、シランカップリング剤、チタンカップリング
剤、クロムカップリング剤等を使用して、例えばゾル−
ゲル法等により形成した金属酸化物層も有用である。こ
の他に、本発明の下引き層にはＡｌ2Ｏ3を陽極酸化にて
設けたものや、ポリパラキシリレン（パリレン）等の有
機物や、ＳｉＯ，ＳｎＯ2，ＴｉＯ2，ＩＴ０，ＣｅＯ2
等の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使
用できる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。
体２１と感光層２３（積層タイプの場合には、電荷発生
層３１）との間に下引き層２５を設けることができる。
下引き層２５は、接着性を向上する、モワレなどを防止
する、上層の塗工性を改良する、残留電位を低減するな
どの目的で設けられる。下引き層２５は一般に樹脂を主
成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤で
もって塗布することを考えると一般の有機溶剤に対して
耐溶解性の高い樹脂であることが望ましい。このような
樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリ
アクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロ
ン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹
脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミ
ン樹脂、エボキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬
化型樹脂などが挙げられる。また、酸化チタン、シリ
カ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化イン
ジウム等で例示できる金属酸化物、あるいは金属硫化
物、金属窒化物などの微粉末を加えてもよい。これらの
下引き層は、前述の感光層のごとく適当な溶媒、塗工法
を用いて形成することができる。更に本発明の下引き層
として、シランカップリング剤、チタンカップリング
剤、クロムカップリング剤等を使用して、例えばゾル−
ゲル法等により形成した金属酸化物層も有用である。こ
の他に、本発明の下引き層にはＡｌ2Ｏ3を陽極酸化にて
設けたものや、ポリパラキシリレン（パリレン）等の有
機物や、ＳｉＯ，ＳｎＯ2，ＴｉＯ2，ＩＴ０，ＣｅＯ2
等の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使
用できる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。
【０１４０】また、本発明においては、耐環境性の改善
のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止す
る目的で、酸化防止剤を添加することができる。酸化防
止剤は、有機物を含む層ならばいずれに添加してもよい
が、電荷輸送物質を含む層に添加すると良好な結果が得
られる。本発明に用いることができる酸化防止剤とし
て、下記のものが挙げられる。
のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止す
る目的で、酸化防止剤を添加することができる。酸化防
止剤は、有機物を含む層ならばいずれに添加してもよい
が、電荷輸送物質を含む層に添加すると良好な結果が得
られる。本発明に用いることができる酸化防止剤とし
て、下記のものが挙げられる。
【０１４１】モノフェノール系化合物 ２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ブチル化ヒ
ドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エ
チルフェノール、ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートな
ど。
ドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エ
チルフェノール、ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートな
ど。
【０１４２】ビスフェノール系化合物 ２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブ
チルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−
エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオ
ビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、
４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブ
チルフェノール）など。
チルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−
エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオ
ビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、
４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブ
チルフェノール）など。
【０１４３】高分子フェノール系化合物 １，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−
５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメ
チル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メ
チレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒ
ドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス
［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチ
ルフェニル）ブチリックアシッド］グリコールエステ
ル、トコフェロール類など。
５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメ
チル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メ
チレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒ
ドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス
［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチ
ルフェニル）ブチリックアシッド］グリコールエステ
ル、トコフェロール類など。
【０１４４】パラフェニレンジアミン類 Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロビル−ｐ−フェニレンジ
アミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレ
ンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−
フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐ
−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’
−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンなど。
アミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレ
ンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−
フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐ
−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’
−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンなど。
【０１４５】ハイドロキノン類 ２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジ
ドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノ
ン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ
−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オ
クタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。
ドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノ
ン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ
−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オ
クタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。
【０１４６】有機硫黄化合物類 ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステ
アリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シル−３，３’−チオジプロピオネートなど。
アリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シル−３，３’−チオジプロピオネートなど。
【０１４７】有機燐化合物類 トリフェニルホスフフィン、トリ（ノニルフェニル）ホ
スフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリ
クレジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキ
シ）ホスフィンなど。
スフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリ
クレジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキ
シ）ホスフィンなど。
【０１４８】これら化合物は、ゴム、プラスチック、油
脂類などの酸化防止剤として知られており、市販品を容
易に入手できる。本発明における酸化防止剤の添加量
は、電荷輸送物質１００重量部に対して０．１〜１００
重量部、好ましくは０．２〜３０重量部である。
脂類などの酸化防止剤として知られており、市販品を容
易に入手できる。本発明における酸化防止剤の添加量
は、電荷輸送物質１００重量部に対して０．１〜１００
重量部、好ましくは０．２〜３０重量部である。
【０１４９】本発明の感光体は以上のような構成であっ
て、後述するような実施例からも明らかなように、感度
が優れている。
て、後述するような実施例からも明らかなように、感度
が優れている。
【０１５０】
【実施例】次に、実施例によって本発明を更に詳細に説
明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものでは
ない。なお、実施例中、使用する部は、すべて重量部を
表わす。
明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものでは
ない。なお、実施例中、使用する部は、すべて重量部を
表わす。
【０１５１】〔実施例１〕φ８０ｍｍのアルミニウムド
ラム上に、下記組成の下引き層用塗工液、電荷発生層用
塗工液、電荷輸送層用塗工液を順次、塗布乾燥すること
により、３．５μｍの下引き層、０．２μｍの電荷発生
層、２５μｍの電荷輸送層を形成して、本発明の電子写
真感光体を得た。 〔下引き層用塗工液〕 アルキッド樹脂（ベッコゾール１３０７−６０−ＥＬ， 大日本インキ化学工業社製） ６部 メラミン樹脂（スーパーべッカミンＧ−８２１−６０， 大日本インキ化学工業社製） ４部 酸化チタン ４０部 メチルエチルケトン ２００部 〔電荷発生層用塗工液〕 マグネシウムフタロシアニン ０．７５部 ポリビニルブチラール（ＵＣＣ：ＸＹＨＬ） ０．２５部 テトラヒドロフラン ３００部 〔電荷輸送層用塗工液〕 下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部
ラム上に、下記組成の下引き層用塗工液、電荷発生層用
塗工液、電荷輸送層用塗工液を順次、塗布乾燥すること
により、３．５μｍの下引き層、０．２μｍの電荷発生
層、２５μｍの電荷輸送層を形成して、本発明の電子写
真感光体を得た。 〔下引き層用塗工液〕 アルキッド樹脂（ベッコゾール１３０７−６０−ＥＬ， 大日本インキ化学工業社製） ６部 メラミン樹脂（スーパーべッカミンＧ−８２１−６０， 大日本インキ化学工業社製） ４部 酸化チタン ４０部 メチルエチルケトン ２００部 〔電荷発生層用塗工液〕 マグネシウムフタロシアニン ０．７５部 ポリビニルブチラール（ＵＣＣ：ＸＹＨＬ） ０．２５部 テトラヒドロフラン ３００部 〔電荷輸送層用塗工液〕 下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部
【０１５２】
【化６２】
【０１５３】 塩化メチレン １００部
【０１５４】〔実施例２〕実施例１において、電荷輸送
層に用いた高分子電荷輸送物質を下記構造のものに変え
た以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製
した。
層に用いた高分子電荷輸送物質を下記構造のものに変え
た以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製
した。
【０１５５】
【化６３】
【０１５６】〔実施例３〕実施例１において、電荷輸送
層に用いた高分子電荷輸送物質を下記構造のものに変え
た以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製
した。
層に用いた高分子電荷輸送物質を下記構造のものに変え
た以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製
した。
【０１５７】
【化６４】
【０１５８】〔実施例４〕実施例１において。電荷輸送
層に用いた高分子電荷輸送物質を下記構造のもの、及び
電荷発生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発
生物質をアルミニウムクロロフタロシアニンに変えた以
外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し
た。
層に用いた高分子電荷輸送物質を下記構造のもの、及び
電荷発生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発
生物質をアルミニウムクロロフタロシアニンに変えた以
外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し
た。
【０１５９】
【化６５】
【０１６０】〔実施例５〕実施例４において、電荷輸送
層に用いた高分子電荷輸送物質を下記構造のものに変え
た以外は、実施例４と同様にして電子写真感光体を作製
した。
層に用いた高分子電荷輸送物質を下記構造のものに変え
た以外は、実施例４と同様にして電子写真感光体を作製
した。
【０１６１】
【化６６】
【０１６２】〔実施例６〕実施例４において、電荷輸送
層に用いた高分子電荷輸送物質を下記構造のものに変え
た以外は、実施例４と同様にして電子写真感光体を作製
した。
層に用いた高分子電荷輸送物質を下記構造のものに変え
た以外は、実施例４と同様にして電子写真感光体を作製
した。
【０１６３】
【化６７】
【０１６４】〔実施例７〕実施例４において、電荷輸送
層に用いた高分子電荷輸送物質を下記構造のものに変え
た以外は、実施例４と同様にして電子写真感光体を作製
した。
層に用いた高分子電荷輸送物質を下記構造のものに変え
た以外は、実施例４と同様にして電子写真感光体を作製
した。
【０１６５】
【化６８】
【０１６６】〔実施例８〕実施例１において、電荷輸送
層に用いた高分子電荷輸送物質を下記構造のものに変え
た以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製
した。
層に用いた高分子電荷輸送物質を下記構造のものに変え
た以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製
した。
【０１６７】
【化６９】
【０１６８】〔実施例９〕実施例１において、電荷輸送
層に用いた高分子電荷輸送物質を下記構造のものに変え
た以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製
した。
層に用いた高分子電荷輸送物質を下記構造のものに変え
た以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製
した。
【０１６９】
【化７０】
【０１７０】〔実施例１０〕実施例１において、電荷輸
送層に用いた高分子電荷輸送物質を下記構造のものに変
えた以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作
製した。
送層に用いた高分子電荷輸送物質を下記構造のものに変
えた以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作
製した。
【０１７１】
【化７１】
【０１７２】〔実施例１１〕実施例１において、電荷発
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
をオキソチタニウムフタロシアニンに変えた以外は、実
施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
をオキソチタニウムフタロシアニンに変えた以外は、実
施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。
【０１７３】〔実施例１２〕実施例２において、電荷発
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
をオキソチタニウムフタロシアニンに変えた以外は、実
施例２と同様にして電子写真感光体を作製した。
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
をオキソチタニウムフタロシアニンに変えた以外は、実
施例２と同様にして電子写真感光体を作製した。
【０１７４】〔実施例１３〕実施例３において、電荷発
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
をオキソチタニウムフタロシアニンに変えた以外は、実
施例３と同様にして電子写真感光体を作製した。
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
をオキソチタニウムフタロシアニンに変えた以外は、実
施例３と同様にして電子写真感光体を作製した。
【０１７５】〔実施例１４〕実施例４において、電荷発
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
をオキソチタニウムフタロシアニンに変えた以外は、実
施例４と同様にして電子写真感光体を作製した。
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
をオキソチタニウムフタロシアニンに変えた以外は、実
施例４と同様にして電子写真感光体を作製した。
【０１７６】〔実施例１５〕実施例５において、電荷発
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
をオキソチタニウムフタロシアニンに変えた以外は、実
施例５と同様にして電子写真感光体を作製した。
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
をオキソチタニウムフタロシアニンに変えた以外は、実
施例５と同様にして電子写真感光体を作製した。
【０１７７】〔実施例１６〕実施例６において、電荷発
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
をオキソチタニウムフタロシアニンに変えた以外は、実
施例６と同様にして電子写真感光体を作製した。
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
をオキソチタニウムフタロシアニンに変えた以外は、実
施例６と同様にして電子写真感光体を作製した。
【０１７８】〔実施例１７〕実施例７において、電荷発
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
をオキソチタニウムフタロシアニンに変えた以外は、実
施例７と同様にして電子写真感光体を作製した。
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
をオキソチタニウムフタロシアニンに変えた以外は、実
施例７と同様にして電子写真感光体を作製した。
【０１７９】〔実施例１８〕実施例８において、電荷発
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
をオキソチタニウムフタロシアニンに変えた以外は、実
施例８と同様にして電子写真感光体を作製した。
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
をオキソチタニウムフタロシアニンに変えた以外は、実
施例８と同様にして電子写真感光体を作製した。
【０１８０】〔実施例１９〕実施例９において、電荷発
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
をオキソチタニウムフタロシアニンに変えた以外は、実
施例９と同様にして電子写真感光体を作製した。
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
をオキソチタニウムフタロシアニンに変えた以外は、実
施例９と同様にして電子写真感光体を作製した。
【０１８１】〔実施例２０〕実施例１０において、電荷
発生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物
質をオキソチタニウムフタロシアニンに変えた以外は、
実施例１０と同様にして電子写真感光体を作製した。
発生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物
質をオキソチタニウムフタロシアニンに変えた以外は、
実施例１０と同様にして電子写真感光体を作製した。
【０１８２】〔実施例２１〕実施例１において、電荷発
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
を無金属フタロシアニンに変えた以外は、実施例１と同
様にして電子写真感光体を作製した。
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
を無金属フタロシアニンに変えた以外は、実施例１と同
様にして電子写真感光体を作製した。
【０１８３】〔実施例２２〕実施例２において、電荷発
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
を無金属フタロシアニンに変えた以外は、実施例２と同
様にして電子写真感光体を作製した。
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
を無金属フタロシアニンに変えた以外は、実施例２と同
様にして電子写真感光体を作製した。
【０１８４】〔実施例２３〕実施例３において、電荷発
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
を無金属フタロシアニンに変えた以外は、実施例３と同
様にして電子写真感光体を作製した。
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
を無金属フタロシアニンに変えた以外は、実施例３と同
様にして電子写真感光体を作製した。
【０１８５】〔実施例２４〕実施例４において、電荷発
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
を無金属フタロシアニンに変えた以外は、実施例４と同
様にして電子写真感光体を作製した。
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
を無金属フタロシアニンに変えた以外は、実施例４と同
様にして電子写真感光体を作製した。
【０１８６】〔実施例２５〕実施例５において、電荷発
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
を無金属フタロシアニンに変えた以外は、実施例５と同
様にして電子写真感光体を作製した。
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
を無金属フタロシアニンに変えた以外は、実施例５と同
様にして電子写真感光体を作製した。
【０１８７】〔実施例２６〕実施例６において、電荷発
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
を無金属フタロシアニンに変えた以外は、実施例６と同
様にして電子写真感光体を作製した。
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
を無金属フタロシアニンに変えた以外は、実施例６と同
様にして電子写真感光体を作製した。
【０１８８】〔実施例２７〕実施例７において、電荷発
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
を無金属フタロシアニンに変えた以外は、実施例７と同
様にして電子写真感光体を作製した。
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
を無金属フタロシアニンに変えた以外は、実施例７と同
様にして電子写真感光体を作製した。
【０１８９】〔実施例２８〕実施例８において、電荷発
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
を無金属フタロシアニンに変えた以外は、実施例８と同
様にして電子写真感光体を作製した。
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
を無金属フタロシアニンに変えた以外は、実施例８と同
様にして電子写真感光体を作製した。
【０１９０】〔実施例２９〕実施例９において、電荷発
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
を無金属フタロシアニンに変えた以外は、実施例９と同
様にして電子写真感光体を作製した。
生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質
を無金属フタロシアニンに変えた以外は、実施例９と同
様にして電子写真感光体を作製した。
【０１９１】〔実施例３０〕実施例１０において、電荷
発生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物
質を無金属フタロシアニンに変えた以外は、実施例１０
と同様にして電子写真感光体を作製した。
発生層に用いたフタロシアニン骨格を有する電荷発生物
質を無金属フタロシアニンに変えた以外は、実施例１０
と同様にして電子写真感光体を作製した。
【０１９２】〔比較例１〕実施例１において、電荷発生
層に用いた電荷発生物質を下記構造のものに変えた以外
は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。
層に用いた電荷発生物質を下記構造のものに変えた以外
は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。
【０１９３】
【化７２】
【０１９４】〔比較例２〕実施例２において、電荷発生
層に用いた電荷発生物質を比較例１に示した構造のもの
に変えた以外は、実施例２と同様にして電子写真感光体
を作製した。
層に用いた電荷発生物質を比較例１に示した構造のもの
に変えた以外は、実施例２と同様にして電子写真感光体
を作製した。
【０１９５】〔比較例３〕実施例３において、電荷発生
層に用いた電荷発生物質を比較例１に示した構造のもの
に変えた以外は、実施例３と同様にして電子写真感光体
を作製した。
層に用いた電荷発生物質を比較例１に示した構造のもの
に変えた以外は、実施例３と同様にして電子写真感光体
を作製した。
【０１９６】〔比較例４〕実施例４において、電荷発生
層に用いた電荷発生物質を比較例１に示した構造のもの
に変えた以外は、実施例４と同様にして電子写真感光体
を作製した。
層に用いた電荷発生物質を比較例１に示した構造のもの
に変えた以外は、実施例４と同様にして電子写真感光体
を作製した。
【０１９７】〔比較例５〕実施例５において、電荷発生
層に用いた電荷発生物質を比較例１に示した構造のもの
に変えた以外は、全て実施例５と同様にして電子写真感
光体を作製した。
層に用いた電荷発生物質を比較例１に示した構造のもの
に変えた以外は、全て実施例５と同様にして電子写真感
光体を作製した。
【０１９８】〔比較例６〕実施例６において、電荷発生
層に用いた電荷発生物質を比較例１に示した構造のもの
に変えた以外は、実施例６と同様にして電子写真感光体
を作製した。
層に用いた電荷発生物質を比較例１に示した構造のもの
に変えた以外は、実施例６と同様にして電子写真感光体
を作製した。
【０１９９】〔比較例７〕実施例７において、電荷発生
層に用いた電荷発生物質を比較例１に示した構造のもの
に変えた以外は、実施例７と同様にして電子写真感光体
を作製した。
層に用いた電荷発生物質を比較例１に示した構造のもの
に変えた以外は、実施例７と同様にして電子写真感光体
を作製した。
【０２００】〔比較例８〕実施例８において、電荷発生
層に用いた電荷発生物質を比較例１に示した構造のもの
に変えた以外は、実施例８と同様にして電子写真感光体
を作製した。
層に用いた電荷発生物質を比較例１に示した構造のもの
に変えた以外は、実施例８と同様にして電子写真感光体
を作製した。
【０２０１】〔比較例９〕実施例９において、電荷発生
層に用いた電荷発生物質を比較例１に示した構造のもの
に変えた以外は、実施例９と同様にして電子写真感光体
を作製した。
層に用いた電荷発生物質を比較例１に示した構造のもの
に変えた以外は、実施例９と同様にして電子写真感光体
を作製した。
【０２０２】〔比較例１０〕実施例１０において、電荷
発生層に用いた電荷発生物質を比較例１に示した構造の
ものに変えた以外は、実施例１０と同様にして電子写真
感光体を作製した。
発生層に用いた電荷発生物質を比較例１に示した構造の
ものに変えた以外は、実施例１０と同様にして電子写真
感光体を作製した。
【０２０３】〔比較例１１〕実施例１における電荷輸送
層用塗工液を下記のものに変更した以外は、実施例１と
同様にして電子写真感光体を作製した。 〔電荷輸送層用塗工液〕 ビスフェーノルＡ型ポリカーボネート （帝人社製：パンライトＫ１３００） １０部 下記構造の低分子電荷輸送物質 １０部
層用塗工液を下記のものに変更した以外は、実施例１と
同様にして電子写真感光体を作製した。 〔電荷輸送層用塗工液〕 ビスフェーノルＡ型ポリカーボネート （帝人社製：パンライトＫ１３００） １０部 下記構造の低分子電荷輸送物質 １０部
【０２０４】
【化７３】
【０２０５】 塩化メチレン １００部
【０２０６】以上のようにして作製した実施例１〜３
０、及び比較例１〜１１の電子写真感光体の特性を、静
電複写紙試験装置（川口電機製作所製：ＳＰ１４２８
型）を用いて次の様に評価した。まず、−６ｋＶの放電
電圧にて、コロナ放電を２０秒間行ない、次いで、暗減
衰させて表面電位が−８００Ｖになったところで、６ｌ
ｕｘのタングステン光を照射した。この時の光照射の
際、表面電位が−２００Ｖになるのに必要な露光量Ｅ
200（ｌｕｘ・ｓｅｃ）、及び光照射３０秒後の表面電
位Ｖ30（Ｖ）を測定した。また実施例１〜１０、及び比
較例１１の電子写真感光体を実装用にした後、複写機
（リコー製：イマジオＭＦ５３０）に搭載し、５万枚通
紙した後の画像評価（異常画像〈地汚れ、画像流れな
ど〉）を調査した。評価結果は、表１、及び表２に示
す。
０、及び比較例１〜１１の電子写真感光体の特性を、静
電複写紙試験装置（川口電機製作所製：ＳＰ１４２８
型）を用いて次の様に評価した。まず、−６ｋＶの放電
電圧にて、コロナ放電を２０秒間行ない、次いで、暗減
衰させて表面電位が−８００Ｖになったところで、６ｌ
ｕｘのタングステン光を照射した。この時の光照射の
際、表面電位が−２００Ｖになるのに必要な露光量Ｅ
200（ｌｕｘ・ｓｅｃ）、及び光照射３０秒後の表面電
位Ｖ30（Ｖ）を測定した。また実施例１〜１０、及び比
較例１１の電子写真感光体を実装用にした後、複写機
（リコー製：イマジオＭＦ５３０）に搭載し、５万枚通
紙した後の画像評価（異常画像〈地汚れ、画像流れな
ど〉）を調査した。評価結果は、表１、及び表２に示
す。
【０２０７】
【表１】
【０２０８】
【表２】
【０２０９】 表２中、異常画像が認められなかった場合 〇 局部的に認められた場合 △ 全体に認められた場合 ×
【０２１０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、導電性支
持体上に感光層を設けた電子写真感光体において、該感
光層に少なくとも一般式（１）〜（１０）で表される高
分子電荷輸送物質のいずれか、及びフタロシアニン骨格
を有する電荷発生物質を含有させることにより、高分子
電荷輸送物質を用いた、繰り返し使用時の耐摩耗性に優
れた感光層を有する感光体の、光感度を向上させること
ができ、長期的に安定した画像形成を行うことが可能な
電子写真感光体が得られる。
持体上に感光層を設けた電子写真感光体において、該感
光層に少なくとも一般式（１）〜（１０）で表される高
分子電荷輸送物質のいずれか、及びフタロシアニン骨格
を有する電荷発生物質を含有させることにより、高分子
電荷輸送物質を用いた、繰り返し使用時の耐摩耗性に優
れた感光層を有する感光体の、光感度を向上させること
ができ、長期的に安定した画像形成を行うことが可能な
電子写真感光体が得られる。
【図１】本発明の電子写真感光体の構成を示す断面図。
【図２】本発明の電子写真感光体の別の構成を示す断面
図。
図。
【図３】本発明の電子写真感光体の更に別の構成を示す
断面図。
断面図。
２１ 導電性支持体 ２３ 感光層 ２５ 下引き層 ３１ 電荷発生層 ３３ 電荷輸送層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 紙 英利 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 青戸 淳 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田村 宏 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 小島 成人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 新美 達也 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (12)
- 【請求項１】 導電性支持体上に感光層を設けてなる電
子写真感光体において、前記感光層に少なくとも下記一
般式（１）で表される高分子電荷輸送物質、及びフタロ
シアニン骨格を有する電荷発生物質を含有することを特
徴とする電子写真感光体。 【化１】 式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3はそれぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、又はハロゲン原子、Ｒ4は水素原
子、又は置換もしくは無置換のアルキル基、Ｒ5、Ｒ6は
置換もしくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞ
れ独立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表し、０．１
≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表し
５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状
脂肪族の２価基、又は下記一般式（１−１）で表される
２価基を表す。 【化２】 式中、Ｒ101、Ｒ102は各々独立して置換もしくは無置換
のアルキル基、アリール基、又はハロゲン原子を表す。
ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＣＯ
−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表
す。）、又は下記一般式（１−２）で表される基 【化３】 （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ103、Ｒ104は置換もしくは無置換のアルキル基、
又はアリール基を表す。）を表す。ここで、Ｒ101とＲ
102、Ｒ103とＲ104は、それぞれ同一でも異なってもよ
い。 - 【請求項２】 導電性支持体上に感光層を設けてなる電
子写真感光体において、前記感光層に少なくとも下記一
般式（２）で表される高分子電荷輸送物質、及びフタロ
シアニン骨格を有する電荷発生物質を含有することを特
徴とする電子写真感光体。 【化４】 式中、Ｒ7、Ｒ8は置換もしくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3は同一、又は異なるアリレン基を表
す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、前記一般式（１）の場合と同
じである。 - 【請求項３】 導電性支持体上に感光層を設けてなる電
子写真感光体において、前記感光層に少なくとも下記一
般式（３）で表される高分子電荷輸送物質、及びフタロ
シアニン骨格を有する電荷発生物質を含有することを特
徴とする電子写真感光体。 【化５】 式中、Ｒ9、Ｒ10は置換もしくは無置換のアリール基、
Ａｒ4、Ａｒ5、Ａｒ6は同一、又は異なるアリレン基を
表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、前記一般式（１）の場合と
同じである。 - 【請求項４】 導電性支持体上に感光層を設けてなる電
子写真感光体において、前記感光層に少なくとも下記一
般式（４）で表される高分子電荷輸送物質、及びフタロ
シアニン骨格を有する電荷発生物質を含有することを特
徴とする電子写真感光体。 【化６】 式中、Ｒ11、Ｒ12は置換もしくは無置換のアリール基、
Ａｒ7、Ａｒ8、Ａｒ9は同一、又は異なるアリレン基、
ｐは１〜５の整数を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、前記一
般式（１）の場合と同じである。 - 【請求項５】 導電性支持体上に感光層を設けてなる電
子写真感光体において、前記感光層に少なくとも下記一
般式（５）で表される高分子電荷輸送物質、及びフタロ
シアニン骨格を有する電荷発生物質を含有することを特
徴とする電子写真感光体。 【化７】 式中、Ｒ13、Ｒ14は置換もしくは無置換のアリール基、
Ａｒ10、Ａｒ11、Ａｒ12は同一、又は異なるアリレン
基、Ｘ1、Ｘ2は置換もしくは無置換のエチレン基、又は
置換もしくは無置換のビニレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及
びｎは、前記一般式（１）の場合と同じである。 - 【請求項６】 導電性支持体上に感光層を設けてなる電
子写真感光体において、前記感光層に少なくとも下記一
般式（６）で表される高分子電荷輸送物質、及びフタロ
シアニン骨格を有する電荷発生物質を含有することを特
徴とする電子写真感光体。 【化８】 式中、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18は置換もしくは無置換の
アリール基、Ａｒ13、Ａｒ14、Ａｒ15、Ａｒ16は同一、
又は異なるアリレン基、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3は単結合、置換
もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換の
シクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレン
エーテル基、酸素原子、硫黄原子、又はビニレン基を表
し同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎ
は、前記一般式（１）の場合と同じである。 - 【請求項７】 導電性支持体上に感光層を設けてなる電
子写真感光体において、前記感光層に少なくとも下記一
般式（７）で表される高分子電荷輸送物質、及びフタロ
シアニン骨格を有する電荷発生物質を含有することを特
徴とする電子写真感光体。 【化９】 式中、Ｒ19、Ｒ20は水素原子、又は置換もしくは無置換
のアリール基を表し、Ｒ19とＲ20は環を形成していても
よい。Ａｒ17、Ａｒ18、Ａｒ19は同一、又は異なるアリ
レン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、前記一般式（１）
の場合と同じである。 - 【請求項８】 導電性支持体上に感光層を設けてなる電
子写真感光体において、前記感光層に少なくとも下記一
般式（８）で表される高分子電荷輸送物質、及びフタロ
シアニン骨格を有する電荷発生物質を含有することを特
徴とする電子写真感光体。 【化１０】 式中、Ｒ21は置換もしくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ20、Ａｒ21、Ａｒ22、Ａｒ23は同一、又は異なるアリ
レン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、前記一般式（１）
の場合と同じである。 - 【請求項９】 導電性支持体上に感光層を設けてなる電
子写真感光体において、前記感光層に少なくとも下記一
般式（９）で表される高分子電荷輸送物質、及びフタロ
シアニン骨格を有する電荷発生物質を含有することを特
徴とする電子写真感光体。 【化１１】 式中、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25は置換もしくは無置換の
アリール基、Ａｒ24、Ａｒ25、Ａｒ26、Ａｒ27、Ａｒ28
は同一、又は異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、前記一般式（１）の場合と同じである。 - 【請求項１０】 導電性支持体上に感光層を設けてなる
電子写真感光体において、前記感光層に少なくとも下記
一般式（１０）で表される高分子電荷輸送物質、及びフ
タロシアニン骨格を有する電荷発生物質を含有すること
を特徴とする電子写真感光体。 【化１２】 式中、Ｒ26、Ｒ27は置換もしくは無置換のアリール基、
Ａｒ29、Ａｒ30、Ａｒ31は同一、又は異なるアリレン基
を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、前記一般式（１）の場合
と同じである。 - 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれかに記載の電
子写真感光体において、前記フタロシアニン骨格を有す
る電荷発生物質がオキソチタニウムフタロシアニンであ
ることを特徴とする電子写真感光体。 - 【請求項１２】 請求項１〜１０のいずれかに記載の電
子写真感光体において、前記フタロシアニン骨格を有す
る電荷発生物質が無金属フタロシアニンであることを特
徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP8151813A JPH09319113A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 電子写真感光体 |
| US08/862,259 US5871876A (en) | 1996-05-24 | 1997-05-23 | Electrophotographic photoconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP8151813A JPH09319113A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09319113A true JPH09319113A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15526878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8151813A Pending JPH09319113A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 電子写真感光体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5871876A (ja) |
| JP (1) | JPH09319113A (ja) |
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|---|---|
| US5871876A (en) | 1999-02-16 |
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