JPH09319330A - プラズマ表示パネルの駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】1フィールド当たりの全書き込み放電及び消去
放電の回数を減らし、コントラストの向上を図る。 【解決手段】全書き込み放電及び消去放電を行わないサ
ブフィールドを1個以上設定し、全書き込み放電及び消
去放電を行わないサブフィールドに対し維持放電の回数
比が大きくなるようなサブフィールドを全書き込み放電
及び消去放電を行わないサブフィールドの直前に設定す
ることにより、1フィールド内の全書き込み消去期間に
おける全書き込み放電及び消去放電の回数を低減し、黒
表示時の輝度を低減することにより、コントラストの向
上を実現する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、メモリ機能を有す
る表示素子（セル）の集合によって構成されたマトリク
ス型表示パネル、特にAC型プラズマ・ディスプレイ・パ
ネル（Plasma Display Panel ; PDP）で、階調表示を行
う駆動方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のAC型プラズマ・ディスプレイ・パ
ネルでは、1フィールド期間は、例えば特開平6-186927
号公報で開示されているように、複数のサブフィールド
に分割され、それらサブフィールドは各々全書き込み消
去期間、アドレス期間、維持放電期間から構成されてい
る。各サブフィールドの維持放電期間は、例えば二進符
合で1:2:4:8:・・・:128のように重み付けされた維持放
電の繰り返し回数で決定され、1フィールド期間内でこ
れら発光回数を選択し、組み合わせることにより、階調
を表示している。全書き込み消去期間では、全セルで全
書き込み放電及び消去放電を行い、アドレス電極上に荷
電粒子を生成し、アドレス期間でアドレス放電が為され
たセルのみに、あらかじめ設定された回数だけ維持放電
により発光させ、階調を表示している。従って、各サブ
フィールドには全書き込み放電及び消去放電が行われる
全書き込み消去期間が必ず存在する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このような従来の階調
表示方法では、表示する階調レベルやセル数等に関ら
ず、1フィールド期間内にサブフィールドの数だけ、全
書き込み消去期間が存在し、全セルで全書き込み放電及
び消去放電が行われて発光する。従って、階調レベル
が、0即ち黒表示時でも発光が行われ、コントラストの
低下を引き起こすといった問題がある。

【０００４】本発明の目的は、1フィールド内のサブフ
ィールド数を減らさずに全書き込み放電及び消去放電の
回数を低減することにより、コントラストの向上を図る
プラズマ・ディスプレイ・パネルの階調表示方法を提供
することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、全書き込み消
去期間を有しない即ち全書き込み放電及び消去放電を行
わないサブフィールドを1個以上設定し、前記全書き込
み放電及び消去放電を行わないサブフィールドに対し維
持放電の回数比が大きくなるようなサブフィールドを前
記全書き込み放電及び消去放電を行わないサブフィール
ドの直前に設定することにより、1フィールド内の全書
き込み消去期間における全書き込み放電及び消去放電の
回数を低減し、黒表示時の輝度を低減することにより、
コントラストの向上を実現する。

【０００６】具体的には、最も維持放電の回数が多く最
上位に相当するサブフィールド(MSF)の直後に最も維持
放電の回数が少なく最下位に相当するサブフィールド(L
SF)を設定し、前記LSFの全書き込み放電及び消去放電を
無くすことにより、1フィールド内の全書き込み放電及
び消去放電の発光回数を低減し、黒レベル時の輝度が低
下し、コントラストの向上を実現する。

【０００７】あるいは、前記MSFの直後に前記LSFから一
つ上位に相当するサブフィールドを設定し、前記LSFか
ら一つ上位に相当するサブフィールドの全書き込み放電
及び消去放電を無くすことにより、1フィールド内の全
書き込み放電及び消去放電の発光回数は低減され、コン
トラストの向上を実現する。

【０００８】あるいは、前記MSFより一つ下位に相当す
るサブフィールドの直後に前記LSFを設定し、前記LSFの
全書き込み放電及び消去放電を無くすことにより、1フ
ィールド内の全書き込み放電及び消去放電の発光回数は
低減され、コントラストの向上を実現する。

【０００９】あるいは、前記MSFより一つ下位に相当す
るサブフィールドの直後に前記LSFから一つ上位に相当
するサブフィールドを設定し、前記LSFから一つ上位に
相当するサブフィールドの全書き込み放電及び消去放電
を無くすことにより、1フィールド内の全書き込み放電
及び消去放電の発光回数は低減され、コントラストの向
上を実現する。

【００１０】または、前記MSFの数が複数の場合で、そ
れらのうち一つのMSFの直後に前記LSFを設定し、前記LS
Fの全書き込み放電及び消去放電を無くすことにより、1
フィールド内の全書き込み放電及び消去放電の発光回数
は低減され、コントラストの向上を実現する。

【００１１】なお、コントラスト向上の実現で、前記全
書き込み放電及び消去放電を有すサブフィールドと全書
き込み放電及び消去放電を有しないサブフィールドの組
み合わせを除いて、1フィールド内における各サブフィ
ールドの時間的な配列は任意である。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、図
１から図１１を用いて説明する。

【００１３】図２は、AC型プラズマディスプレイパネル
の構造の一部を示す分解斜視図である。パネルは、背面
ガラス基板12と前面ガラス基板4に挟まれた空間内に放
電空間13を有する各セルを形成し、構成されている。背
面ガラス基板12上には、アドレス電極11が複数本並列に
配置されており、それらアドレス電極11を完全に覆う形
で誘電体層8bが形成されている。この誘電体層8b上には
隔壁9が、2本のアドレス電極11の間の位置にアドレス電
極11と平行に形成されている。隔壁9及び背面ガラス基
板12上の誘電体層8bで形成されるストライプ状の溝に
は、紫外線の照射により、それぞれが赤色、緑色、青色
に発光する螢光体10R、10G、10Bが各溝毎に隔壁の壁面
及び誘電体層8b上に塗布されている。一方、前面ガラス
基板4上には、背面ガラス基板12上に形成されているア
ドレス電極11とは直交する方向に、X透明電極5aと複数
本のY透明電極6aが平行に形成されている。さらにX透明
電極5aとY透明電極6a上には各々Xバス電極5b、Yバス電
極6bが形成されている。また、これらX透明電極5a、Y透
明電極6aとXバス電極5b、Yバス電極6bを完全に覆うよう
に誘電体層8aが形成されており、さらに誘電体層8a上に
は保護膜（MgO等）7が形成されている。これらの背面ガ
ラス基板側と前面ガラス基板側が、図２中の矢印の方向
に、背面ガラス基板12上の隔壁9の上に前面ガラス基板4
上の保護膜7が接するように合わさっている。バス電極
が透明電極上外側にあるような一対のX電極5及びY電極6
間にある隔壁間の溝が1セルの放電空間13を形成してい
る。また、前面板と背面板の間には所定のガスが封入さ
れている。

【００１４】図３はパネル内の配線図を示すものであ
る。X電極5はセルの外部でその一端が全て共通に接続、
あるいは幾つかのブロックに分けて共通に接続されてお
り、共通の駆動電圧が印加されるが、Y電極Y1〜Ym（mは
Y電極数）及びアドレス電極A1〜An（nはアドレス電極
数）は一つ一つが独立に配置されており、各々に異なる
駆動波形が印加できる構成となっている。

【００１５】図４は従来のサブフィールド駆動方法の一
実施例を示すものである。横軸は時間を、縦軸はY電極Y
1〜Ymを表わしている。ここでは、1フィールドは8つの
サブフィールドSF1〜SF8より成り、1フィールドの始め
からサブフィールドがSF1〜SF8と順に設定されている。

【００１６】図５はある一つのサブフィールドの駆動波
形の構成を示すものである。サブフィールド20は全書き
込み消去期間1、アドレス期間2、維持放電期間3から構
成されており、全てのサブフィールドが同様な構成と成
っている。全書き込み消去期間1及びアドレス期間2は各
々、各サブフィールドで同一時間が必要であり、例えば
アドレス期間2の時間はY電極数と各Y電極間におけるス
キャンパルス周期で決まる。また、維持放電期間3は維
持放電パルス数で決まる。

【００１７】また図５で、各サブフィールドに設けられ
た全書き込み消去期間1では、全セルでX及びY電極間で
放電を行い、荷電粒子を生成させ壁電荷を形成する。ア
ドレス期間2では、Y電極とアドレス電極間で放電を行う
ことによって、そのセルで維持放電期間3中に維持放電
を行うかどうかを選択する。各サブフィールドSF1〜SF8
には維持放電パルス数NSF1〜NSF8が与えられ、この維持
放電回数の比を例としてNSF1:〜:NSF8=1:2:4:8:〜:128
とすれば、これらサブフィールドの組合わせで256階調
表示の実現が可能である。

【００１８】図１は本発明を実現する駆動方法の一実施
例である。図中、SF2〜SF8の維持放電回数比をNSF2:〜:
NSF8=2:4:8:〜:128として、その説明を省略する。ここ
では、フィールドの始めからSF2〜SF8と順に配列され、
最も維持放電の回数が多い最上位に相当するサブフィー
ルドSF8の直後に、最も維持放電の回数が少ない最下位
に相当し、維持放電回数比が前記NSF2:〜:NSF8=2:4:8:
〜:128に対して1であり、且つ全書き込み消去期間を有
しないサブフィールドSF1aを設定している。

【００１９】図６は従来の駆動方法である図４の一実施
例の駆動波形の一部で、横軸は時間を、縦軸は電圧を表
わす。図６中、上から順にアドレス電極A1〜An、X電
極、Y1、Y2、Ym電極に印加される駆動波形を表わしてい
る。ここでは、あるフィールドの最も維持放電回数の多
いサブフィールドMSFであるSF8と次のフィールドの最初
の最も維持放電回数の少ないLSFであるSF1'の全書き込
み消去期間を示している。SF8の全書き込み消去期間1で
は、X電極5に全書き込みパルス15が、全てのY電極Y1〜Y
mに細線消去パルス16が印加される。その全書き込み消
去期間1の後にはアドレス期間2が設定され、各Y電極Y1
〜Ymに印加されるスキャンパルス17-1〜17-mと時間的に
対応してアドレスパルス14-1〜14-mが、発光の選択に応
じてアドレス電極A1〜Anに印加される。アドレス放電期
間2の直後の維持放電期間3では、X電極5には維持放電パ
ルス18が、Y電極Y1〜Ymには維持放電パルス19が、交互
に印加される。このサブフィールドMSFであるSF8の維持
放電期間3の後に、次のフィールドのサブフィールドLSF
であるSF1'の全書き込み消去期間1'が設定されており、
以降、前記SF8と同じ動作を行う。

【００２０】図７は本発明の駆動方法の一実施例の駆動
波形の一部を示す。横軸は時間を、縦軸は電圧を表わ
す。図７中、上から順にアドレス電極A1、X電極、Y1、Y
2、Y3、Y4電極に印加される駆動波形を示す。ここで
は、あるフィールドの最も維持放電回数の多いサブフィ
ールドMSFであるSF8cとその直後に全書き込み消去期間
を有しない最も維持放電回数の少ないLSFであるSF1aの
アドレス期間及び維持放電期間の一部を示している。Y
電極は図６と同様、総数でm本あるが、ここでは例とし
て4本、Y1〜Y4だけを記す。また、アドレス電極も総数n
本あるが、ここでは例としてA1の1本だけを記す。

【００２１】SF8の全書き込み消去期間1では、X電極5に
全書き込みパルス15が、その全書き込みパルスの後には
全Y電極に細線消去パルス16が印加される。その全書き
込み消去期間1の後にはアドレス期間2が設定され、各Y
電極Y1〜Y4にスキャンパルス17-1〜17-4が印加され、ス
キャンパルス17-1、17-2と対応して同時にアドレス電極
A1には、アドレスパルス14-1、14-2が印加されている。
この場合、スキャンパルス17-3、17-4に対応するアドレ
スパルス14-3、14-4は、アドレス電極A1に印加されてい
ない。アドレス放電期間2の直後の維持放電期間3では、
X電極5には維持放電パルス18が、Y電極Y1〜Y4には維持
放電パルス19が、交互に印加される。このサブフィール
ドMSFであるSF8cの維持放電期間3cの後には、全書き込
み消去期間を有しないサブフィールドSF1aのアドレス期
間2aが設定されている。前記全書き込み消去期間を有し
ないサブフィールドSF1aのアドレス期間2aでは、各Y電
極Y1〜Y4にスキャンパルス17-1a〜17-4aが印加され、ス
キャンパルス17-1a、17-3aと対応して同時にアドレス電
極A1には、それぞれアドレスパルス14-1a、14-3aが印加
されている。この場合、スキャンパルス17-2a、17-4aに
対応するアドレスパルス14-2a、14-4aは、アドレス電極
A1には印加されていない。

【００２２】アドレス放電期間2aの直後の維持放電期間
3aでは、X電極5には維持放電パルス18aが、全Y電極には
維持放電パルス19が、交互に印加される。

【００２３】本発明の一実施例を図１及び図７を用いて
説明する。

【００２４】図７はY電極Y1〜Y4のうちY1及びY2は維持
放電期間SF8cで維持放電が行われる例を、Y3及びY4は維
持放電期間SF8cで維持放電が行われない例を示す。

【００２５】まず、最も維持放電回数の多いサブフィー
ルドMSFであるSF8における全書き込み消去期間1では、X
電極に全書き込みパルス15が印加され、X電極とY電極間
で全書き込み放電が行われる。この全書き込み放電の
後、X電極に印加される細線消去パルス16と全Y電極に印
加されるY消去パルス21で、消去放電を行い、過剰な壁
電荷の量をある程度中和する。

【００２６】次に、アドレス期間2では、Y1及びY2電極
に印加されるスキャンパルス17-1、17-2に対応してアド
レス電極A1にアドレスパルス14-1、14-2が各々同時に印
加されるので、アドレス電極A1とY電極Y1及びY2の交点
に位置するセルで、アドレス放電が行われる。

【００２７】維持放電期間3cになると、アドレス放電が
行われたアドレス電極A1とY電極Y1及びY2との交点にそ
れぞれ位置するセルで、X及びY電極に交互に印加される
維持放電パルス18と19により、セル内のX及びY電極間で
維持放電が、繰り返される。

【００２８】一方、Y3及びY4電極にはアドレス期間2
で、スキャンパルス17-3及び17-4に対応してアドレス電
極A1にアドレスパルスが同時に印加されていないので、
アドレス電極A1とY電極Y3及びY4の交点に位置する各セ
ルで、アドレス放電は行われず、アドレス期間2に続く
維持放電期間3cでも、X及びY電極に交互に印加される維
持放電パルス18と19により維持放電は行われない。

【００２９】サブフィールドSF8の維持放電期間3cの
後、最も維持放電パルス数の少なく全書き込み消去期間
を有さないサブフィールドSF1aのアドレス期間2aで、ま
ずY1電極にはスキャンパルス17-1aが印加され、スキャ
ンパルス17-1aに対応してアドレス電極A1にアドレスパ
ルス14-1aが印加されているので、アドレス電極A1とY電
極Y1の交点にそれぞれ位置するセルで、アドレス放電が
行われ、アドレス期間2aに続く維持放電期間3aでも、X
及びY電極に交互に印加される維持放電パルス18aと19a
により、維持放電が行われる。

【００３０】一方、Y2電極では、スキャンパルス17-2a
に対応したアドレスパルスが印加されていないのでアド
レス放電は行われないが、サブフィールドSF8の維持放
電期間3cにおける維持放電により生成された荷電粒子が
維持されている為に、アドレス電極A1とY電極Y2の交点
に位置するセルで、サブフィールドSF1aの維持放電期間
3aにおける維持放電パルス18aと19aにより、維持放電が
行われる。

【００３１】また一方、サブフィールドSF8の維持放電
期間3cで維持放電が行われていないY3及びY4電極の場合
について説明する。

【００３２】まず、サブフィールドSF1aのアドレス期間
2aでは、Y3電極に印加されるスキャンパルス17-3aに対
応するアドレスパルス14-3aがアドレス電極A1に印加さ
れるので、アドレス電極A1とY電極Y3の交点に位置する
各セルでアドレス放電が行われ、続く維持放電期間3aで
印加される維持放電パルス18aと19aにより、維持放電が
行われ、発光する。

【００３３】Y4電極では、Y4電極に印加されるスキャン
パルス17-4aに対応するアドレスパルスがアドレス電極A
1に印加されないので、アドレス電極A1とY電極Y4の交点
に位置する各セルでアドレス放電が行われず、続く維持
放電期間3aで維持放電パルス18aと19aが印加されても、
維持放電は行われず、発光しない。

【００３４】表１は、本実施例の入力階調レベルと表示
階調レベルの関係の一例を示す。

【００３５】

【表１】

【００３６】まず、入力信号の階調レベルが0〜127レベ
ルまでは、SF8cの維持放電が行われることはないので、
SF1aの発光の制御が可能である。

【００３７】階調128レベル以上では、常にSF8cの維持
放電が行われるので、SF1aの維持放電もアドレス放電の
有無に関わらず行われ発光する。従って、入力階調レベ
ル128は表示の段階では129レベルに、入力階調レベル13
0は131レベルに、・・・と、等しい表示階調レベルが二
つ存在することになり、実際の総表示階調数は、192と
なる。

【００３８】実際の総表示階調数はサブフィールドの組
合わせから3/4に減少する。しかし、全書き込み消去期
間1が1フィールド内で1回削減できるので、サブフィー
ルド数が8個の場合、コントラストは約14%向上する。ま
た、SF8cとその直後に全書き込み消去期間を有せずに設
定されるSF1aの組合わせと、サブフィールドSF2からSF7
までの時間的な配列は、コントラスト向上を実現するに
関して任意である。

【００３９】また、図８は本発明を実現する駆動方法の
他の実施例である。ここでは、MSFであるサブフィール
ドSF8cの直後に全書き込み消去期間1を有しないLSFより
一つ上位のサブフィールドSF2aを設定した場合である。

【００４０】表２は、図８に示した実施例における表示
階調レベルの一例である。

【００４１】

【表２】

【００４２】従って、実際の総表示階調数は192である
が、コントラストは8サブフィールドの場合、約14%向上
する。

【００４３】また、図９は本発明を実現する駆動方法の
他の実施例である。ここでは、MSFより一つ下位に相当
するサブフィールドSF7cの直後に全書き込み消去期間1
を有しないLSFに相当するサブフィールドSF1bを設定し
た場合である。

【００４４】表３は、図９に示した実施例における表示
階調レベルの一例である。

【００４５】

【表３】

【００４６】従って、実際の総表示階調数は192である
が、コントラストは8サブフィールドの場合、約14%向上
する。

【００４７】また、図１０は本発明を実現する駆動方法
の他の実施例である。ここでは、MSFより一つ下位に相
当するサブフィールドSF7cの直後に全書き込み消去期間
1を有しないLSFより一つ下位に相当するサブフィールド
SF2bを設定した場合である。

【００４８】表４は、図１０に示した実施例における表
示階調レベルの一例である。

【００４９】

【表４】

【００５０】従って、実際の総表示階調数は192である
が、コントラストは8サブフィールドの場合、約14%向上
する。

【００５１】また、図１１は本発明を実現する駆動方法
の他の実施例で、同じ維持放電回数を持つサブフィール
ドが複数ある例である。ここでは、同じ維持放電回数を
有するサブフィールドを最も維持放電回数が多いサブフ
ィールドMSFで設定し、これらをSF7、SF81、SF82cの3個
とする。また、最も維持放電回数が少ないサブフィール
ドLSFが全書き込み放電及び消去放電を行わないサブフ
ィールドSF1aとして設定されている。また、維持放電回
数比をSF1:SF2:SF3:SF4:SF5:SF6:SF7:SF81:SF82c=1:2:
4:8:16:32:64:64:64としている。この例では、SF82cの
直後に全書き込み放電及び消去放電を行わないサブフィ
ールドSF1aを設定している。

【００５２】表５は図１１に示した実施例における表示
階調レベルの一例である。

【００５３】

【表５】

【００５４】従って、実際の総表示階調数として、224
階調が得られ、コントラストは約12.5%向上する。

【００５５】また、他の実施例として、MSFと、LSFより
一つ上位のサブフィールドであり、且つ、全書き込み放
電及び消去放電を行わないサブフィールドをMSFの直後
に設定するようなサブフィールドの組合わせと、MSFよ
り一つ下位のサブフィールドと、LSFであり、且つ、全
書き込み放電及び消去放電を行わないサブフィールドを
MSFより一つ下位のサブフィールドの直後に設定するよ
うなサブフィールドの組合わせが、同一フィールド内に
存在する場合のような、サブフィールドの組み合わせ
が、複数存在する場合も容易に考えられる。

【００５６】また、本発明は、8サブフィールドについ
てだけではなく、1フィールドを構成するサブフィール
ド数に限定されない。

【００５７】また、本発明で、各サブフィールドの維持
放電回数比は、2進符号で与えられるものに限定されな
い。

【００５８】

【発明の効果】本発明によれば、1フィールド当たりの
全書き込み消去期間の回数を低減することが可能である
為、全書き込み放電及び消去放電の回数を低減でき、コ
ントラストの向上を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を実現する駆動方法の一実施例であるSF
8の直後に全書き込み消去期間を有さないSF1を設定した
各サブフィールドの構成を表わす駆動タイミングチャー
ト。

【図２】AC型プラズマディスプレイパネルの構造の一部
を示す分解斜視図。

【図３】AC型プラズマディスプレイパネルにおける各電
極の位置関係を表わす説明図。

【図４】従来の駆動方法の一実施例である、各サブフィ
ールドの構成を表わす駆動タイミングチャート。

【図５】ある一つのサブフィールドの駆動波形の構成を
示す駆動タイミングチャート。

【図６】従来の駆動方法の一実施例の駆動電圧波形図。

【図７】本発明の駆動方法の一実施例の駆動電圧波形
図。

【図８】本発明の駆動方法の一実施例である、SF8の直
後に全書き込み消去期間を有さないSF2を設定した、各
サブフィールドの構成を表わす駆動タイミングチャー
ト。

【図９】本発明の駆動方法の一実施例である、SF7の直
後に全書き込み消去放電を有さないSF1を設定した、各
サブフィールドの構成を表わす駆動タイミングチャー
ト。

【図１０】本発明の駆動方法の一実施例である、SF7の
直後に全書き込み消去放電を有さないSF2を設定した、
各サブフィールドの構成を表わす駆動タイミングチャー
ト。

【図１１】本発明の駆動方法の一実施例である、同維持
放電回数を有すMSFが3個存在する場合の各サブフィール
ドの構成を表わす駆動タイミングチャート。

【符号の説明】

1…全書き込み消去期間、 2…アドレス期間、 3…維持放電期間、 22…フィールド、 SF1〜SF8、SF81…サブフィールド、 SF8c…サブフィールドの直前に設定されるSF8、 Y1〜Ym…各Y電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 孝 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所マルチメディアシステム開 発本部内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一端を共通に接続した共通電極と前記共通
   電極に平行に配置した第1の独立電極群とを設けた前面
   ガラス基板と、前記前面ガラス基板に配置した電極群と
   垂直に立体交差する第2の独立電極群を配置し、前記前
   面ガラス基板に対して平行な位置にある背面ガラス基板
   と、前記前面ガラス基板と前記背面ガラス基板との間の
   空間に放電ガスを封入して成るメモリー機能を有するプ
   ラズマディスプレイパネルで、1フィールドを構成する
   複数のサブフィールド毎に全表示素子において荷電粒子
   の状態を均一化する為の全書き込み放電及び消去放電を
   行う駆動方法において、1フィールドを構成する複数の
   サブフィールドのうち、少なくとも一つのサブフィール
   ドが、全書き込み放電及び消去放電を行わないことを特
   徴とするプラズマ表示パネルの駆動方法。
2. 【請求項２】請求項１において、全書き込み放電及び消
   去放電を行わないサブフィールドが、最も維持放電回数
   の少ない最下位に相当するサブフィールドであるプラズ
   マ表示パネルの駆動方法。
3. 【請求項３】請求項１において、全書き込み放電及び消
   去放電を行わないサブフィールドが、最も維持放電回数
   の少ない最下位から一つ上位に相当するサブフィールド
   であるプラズマ表示パネルの駆動方法。
4. 【請求項４】請求項２または請求項３において、最も維
   持放電回数の少ない最下位に相当するサブフィールドの
   フィールド内の時間的な位置が、最も維持放電回数の多
   い最上位に相当するサブフィールドの直後である表示パ
   ネルの駆動方法。
5. 【請求項５】請求項２または請求項３において、最も維
   持放電回数の少ない最下位に相当するサブフィールドの
   フィールド内の時間的な位置が、最も維持放電回数の多
   い最上位から一つ下位に相当するサブフィールドの直後
   であるプラズマ表示パネルの駆動方法。