JPH09320020A - 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法及び再生方法及び磁気再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複合型ＭＲヘッドは、ヘッド構造が従来の誘
導型ヘッドと比べかなり複雑であり、製造には高度な製
造技術が要求される。そこで、比較的簡単な構造でかつ
再生感度が優れた磁気ヘッドとその磁気ヘッドの製造方
法とその磁気ヘッドを用いた再生方法及び磁気再生装置
を提供することを目的とする。 【解決手段】 電極を備え、磁気コアが第１及び第２の
磁性層からなり、導体が磁気コア中の少なくとも複数ヵ
所において絶縁配置され、導体のインダクタンス成分に
よる位相の遅れとキャパシタンス成分による位相の進み
が相殺されるように容量結合部分の絶縁層の厚さを決定
し、全ての導体のインピーダンス成分の単純和として出
力を検出することを特徴とする磁気ヘッド、再生方法及
び磁気再生装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高密度に記録され
た情報を再生する磁気ヘッドとその製造方法、及び当該
磁気ヘッドを用いた磁気再生装置、磁気再生手段に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、大容量の磁気記録装置の需要が拡
大し、そのため、より高密度に情報を磁気記録媒体に記
録し、また情報を再生できる磁気ヘッドが要求されつつ
ある。このような要求に応じて、広く用いられている誘
導型ヘッド、特に薄膜ヘッドより、より再生感度の高い
再生専用ヘッドであるＭＲヘッドを用いた複合型ＭＲヘ
ッドが実用化されている。この複合型ＭＲヘッドは、Ｍ
Ｒヘッドと従来の誘導型薄膜ヘッドとを備えたヘッドで
あり、再生時には、より再生感度のよいＭＲヘッドを用
い、記録時には、従来の誘導型薄膜ヘッドを用いる。こ
こで、ＭＲヘッドとは、磁気抵抗効果素子（ＭＲ：Ｍａ
ｇｎｅｔｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）を用いたヘッ
ドである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、ＭＲ素子を
用いた複合型ＭＲヘッドは、ヘッド構造が従来の誘導型
ヘッドと比べかなり複雑である。

【０００４】具体的には、ＭＲ素子の回りには再生用の
磁気ギャップやシールド層が必要であったり、ＭＲ膜を
単磁区化するための磁石を設けるなどの構成が必要であ
り、また線形な再生を行うためにバイアス磁界を印加す
る独自の構成が必要である。

【０００５】そのため、当該複合型ＭＲヘッドの製造に
は、それだけ高度な製造技術が要求され、高い歩留まり
を確保することが難しくなるという問題点があった。

【０００６】そこで、本願発明は、上記問題点を解決す
るため、比較的簡単な構造でかつ再生感度が従来の誘導
型ヘッドよりも優れた磁気ヘッドとその磁気ヘッドの製
造方法とその磁気ヘッドを用いた再生方法及び磁気再生
装置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１における発明では、第１及び第２の軟磁性
層からなる磁気コアと前記磁気コア中に絶縁配置した導
体とからなり、前記導体の両端に電極を備え、前記導体
が前記磁気コア中の少なくとも複数ヵ所において絶縁配
置されることを特徴とする。

【０００８】請求項２における発明では、前記導体は導
体中に所望厚からなる絶縁層を挟むことで容量結合され
ることを特徴とする。

【０００９】請求項３における発明では、前記磁気コア
は第１及び第２の軟磁性層からなり、前記導体は前記第
１及び第２の軟磁性層との間に絶縁配置された導体層で
あり、前記導体に設けられた前記容量結合部分は前記磁
気コアの外部に位置することを特徴とする。

【００１０】請求項４における発明では、前記容量結合
を構成する絶縁層は鉛、ランタン、亜鉛、及びチタンを
主成分とする酸化物である事を特徴とする。

【００１１】請求項５における発明では、前記第１の磁
性層を形成する工程と、第１の絶縁層を形成する第１の
絶縁層形成工程と、前記第１の絶縁層の上に前記導体層
の一部をパターン形成する第１の導体層形成工程と、第
２の絶縁層を形成する第２の絶縁層形成工程と容量結合
の誘電体部分である絶縁層の形成工程と前記導体層の残
りの部分をパターン形成する第２の導体層形成工程と、
前記導体層の上に第３の絶縁層を形成する第３の絶縁層
形成工程と、前記第３の絶縁層の上に第２の磁性層を形
成する第２の磁性層形成工程とを有することを特徴とす
る。

【００１２】請求項６における発明では、請求項２記載
のヘッドを用いた再生方法であって、前記ヘッドの導体
のインダクタンス成分による位相の遅れとキャパシタン
ス成分による位相の進みが相殺されるように前記容量結
合部分の絶縁層の厚さを決定し、全ての導体のインピー
ダンス成分の単純和として出力を検出する事を特徴とす
る。

【００１３】請求項７における発明では、前記導体の両
端の電極に定電流の高周波信号を印加するキャリア信号
発生器と、前記磁気コアにバイアス磁界を発生させるバ
イアス磁界発生手段とを有し、請求項２記載の磁気ヘッ
ドを用いたことを特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】上記請求項１における発明の磁気
インピーダンス素子は、外部磁界によって磁気コアが磁
化され、その磁気コアの透磁率が変化することにより高
周波信号が印加されている導体の両端間のインピーダン
ス値が変化する。その導体のインピーダンス値の変化に
基づいて導体の両端の電圧が変化する。導体が磁気コア
の複数カ所において絶縁配置されることで検出感度が高
くなる。

【００１５】請求項２及び、請求項３における発明で
は、導体を容量結合することでインピーダンス成分の遅
れをキャパシタンス成分の進みで相殺することが可能と
なる。

【００１６】請求項４における発明では、鉛、ランタ
ン、亜鉛、及びチタンを主成分とする酸化物は比誘電率
が高いため、本発明の磁気ヘッドにおいて絶縁層の厚さ
が制御可能となる。

【００１７】請求項５における発明では、前記第１の磁
性層を形成した後第１の絶縁層を形成し、前記第１の絶
縁層の上に前記導体層の一部をパターン形成し、第２の
絶縁層を形成し、容量結合の誘電体部分である絶縁層の
形成工程と前記導体層の残りの部分をパターン形成し、
その後前記導体層の上に第３の絶縁層を形成し、前記第
３の絶縁層の上に第２の磁性層を形成する。

【００１８】請求項６における発明では、前記ヘッドの
導体のインダクタンス成分による位相の遅れとキャパシ
タンス成分による位相の進みが相殺されるように前記容
量結合部分の絶縁層の厚さを決定することで、全ての導
体のインピーダンス成分の単純和として出力を検出す
る。

【００１９】請求項７における発明では、請求項４記載
の磁気ヘッドを登載することで磁気インピーダンス効果
により、高感度再生が可能な磁気再生装置を提供でき
る。

【００２０】本発明の磁気ヘッドに関する第１の実施例
と、本発明の磁気ヘッドの製造方法に関する第２の実施
例と、本発明の再生方法に関する第３の実施例と、本発
明の磁気再生装置に関する第４の実施例について説明す
る。

【００２１】先ず、本発明の磁気ヘッドに関する第１の
実施例について説明する。図１と図２は、本発明の磁気
ヘッドの第１の実施例を示す図である。当該磁気ヘッド
は、第１の磁性層１と、第２の磁性層２と導体線３と電
極５、６とから構成される。導体線は絶縁層４を挟んで
容量結合されている。

【００２２】磁性層１、及び２は、コバルト、ジルコ
ン、ニオブ、及びタンタルからなるアモルファス（Coー
ZrーNbーTa）薄膜である。膜厚は第１および第２の磁性
層ともに１μｍである。

【００２３】導体線３は、磁性層１と２とからなる磁気
コア１０を４カ所で貫通する位置に設けられており、そ
れぞれが絶縁層４を挟んで容量結合されている。材質は
Ｃｕ薄膜等を用いる。絶縁層４は誘電率の高い薄膜が望
ましく実施例１では鉛、ランタン、亜鉛、及びチタンを
主成分とする酸化物（ＰＬＺＴ）を用いた。また、当該
導体線３は、磁性層１、２と電気的に絶縁されるように
当該導体線３と磁性層１、２との間には絶縁膜７が形成
されている。絶縁膜７としては主としてＳｉＯ２膜を用
いた。

【００２４】電極端子５及び電極端子６は、前記導体線
３の両端に設けられた電極である。当該電極端子５及び
電極端子６は、導体線３に後述する交流の定電流を流す
ための端子である。

【００２５】図３は、図１及び図２の磁気ヘッドを含む
磁気再生装置の等価回路図である。本図は、インピーダ
ンス素子２１と、キャリヤ信号発生器２２と、再生電圧
出力回路２５とからなる。

【００２６】インピーダンス素子２１は、図１で示した
磁気ヘッドの導体線３を等価的にインピーダンス素子と
して示したものである。端子２３と端子２４は、それぞ
れ図１に示す電極端子５、６に相当する。

【００２７】キャリヤ信号発生器２２は、インピーダン
ス素子２１に交流の定電流であるキャリア信号を発生す
る。

【００２８】再生電圧出力回路２５は、端子２３と端子
２４間に生じる電圧を測定して端子２６から出力する。

【００２９】次に、図１及び図３を用いて磁気情報の再
生動作を説明する。図１に示す磁気ヘッドにおける磁性
層１及び２からなる磁気コア１０が磁気記録媒体の磁気
情報の磁化上にある時、磁気コアには磁束が通る。この
とき、該磁気コアはその磁束によって磁化され、透磁率
が低下している。つまり、図３におけるインピーダンス
素子２１のインピーダンスが低下しているのと等価な状
態になる。このとき導体線３に交流の定電流を流してい
るので、端子２３と２４間にはそのインピーダンスに比
例した逆起電圧が発生する。結局、再生電圧出力回路２
５から出力される電圧値は、インピーダンス値すなわち
透磁率に比例している。

【００３０】さらに言えば、流入した磁束の量、すなわ
ち磁化の強さに逆比例した電圧値が、再生電圧出力回路
２５から出力されることとなり、いわゆる磁束応答型の
再生が行われることが分かる。出力される電圧値を大き
くするには、インピーダンスが大きいことが好ましく、
またその磁界応答性が高いことが望まれる。従って、磁
気コアの透磁率が高い範囲内で、できるだけ周波数は高
いほうが良い。

【００３１】以上説明してきたように、本発明の磁気ヘ
ッドは、従来の複合型ＭＲヘッドのように再生用に特に
磁気ギャップを設ける必要がなく、さらにシールド層も
必要がない比較的簡単な構成で、再生感度が従来の誘導
型ヘッドよりも優れた磁束応答型の再生ヘッドが得られ
る。

【００３２】次に、本発明の磁気ヘッドの製造方法に関
する第２の実施例について説明する。

【００３３】図４及び図５は、第２の実施例を説明する
ものであり、本発明の磁気ヘッドの第１の実施例の製造
方法を示すための、磁気ヘッドの断面概略図である。図
４は図２に示した第１の実施例の磁気ヘッドを線Ａにて
切断した場合、図５は線Ｂにて切断した場合の断面概略
図である。

【００３４】図４（ａ）及び図５（ａ）に示した基板３
１は、アルミナ・チタンカーバイド（ＡｌＴｉＣ）基板
上に鏡面加工されたアルミナ膜が被着されている。第１
の磁性層３２は、CoーZrーNbーTaからなるアモルファス
合金をスパッタ形成したものである。

【００３５】図４（ｂ）及び図５（ｂ）は第１の磁性層
がイオンミリング処理されたものである。

【００３６】図４（ｃ）及び図５（ｃ）はＳｉＯ２をス
パッタリングする事で第１の絶縁膜３３を形成し、その
上に第１の導体層３４としてＣｕ薄膜等をスパッタ形成
したものである。

【００３７】図４（ｄ）及び図５（ｄ）はイオンミリン
グ処理してパターン化した後に、第２の絶縁膜３５とし
てＳｉＯ２をスパッタ形成したものである。第２の絶縁
膜３５は第１の絶縁膜３３と同じＳｉＯ２である。

【００３８】図４（ｅ）及び図５（ｅ）は第２の絶縁膜
３５をイオンミリング処理によりパターン化した後に、
ＰＬＺＴ等の誘電体をスパッタリングして絶縁層３６を
形成し、その上に第２の導体層３７をスパッタ形成した
ものである。第２の導体層３７は第１の導体層３４と同
じ材質である。

【００３９】図４（ｆ）及び図５（ｆ）のイオンミリン
グ処理により、パターン化したものである。図５（ｆ）
から分かるように導体の容量結合部分３８が構成されて
いる。

【００４０】図４（ｇ）及び図５（ｇ）は第３の絶縁膜
３９をスパッタリング形成した後イオンミリング処理に
よりパターン化し、その後第２の磁性層３０をスパッタ
リング形成し、ドライまたはケミカルエッチングにより
パターン化したものである。

【００４１】ここで重要なのは、絶縁膜３３、３５、３
９の大きさが第１の磁性層３２及び第２の磁性層３０の
パターンよりも小さいことである。その理由は、磁気コ
アに絶縁層３３、３５、３９による磁気ギャップが形成
されないようにするためである。もし、ここでギャップ
が形成されてしまうと、再生時に、磁気記録媒体からの
漏洩磁束が第１及び第２の磁性層を磁化する際に磁束が
漏れ、損失が生じ再生効率が下がる。また、再生時に導
体層３４、３７に流れているキャリア信号電流によって
生じる磁性層３２、３０内部の磁束が、磁気コア表面に
おいて形成された前記ギャップから漏れてしまい、その
磁束によって磁気記録媒体が磁化されてしまう可能性が
あるからである。

【００４２】なお、各層の製法および材質は、ここに記
載したものに限られるものではない。磁性層の材質とし
ては、例えばＮｉＦｅ合金、Ｃｏ系の他のアモルファス
膜でも良いし、Ｆｅ系の膜でも良い。また製法も、蒸着
やスパッター、メッキ等様々な薄膜製法を用いてもよ
い。第１の磁性層と第２の磁性層は違う材質でもよい。

【００４３】また、高周波での透磁率を高めるための、
磁気コアの多層化なども、有効である。

【００４４】さらに、基板の材質や保護膜の材質及び製
法も本実施例に限定されるものではない。

【００４５】次に、磁気再生方法及び磁気再生装置に関
する第３の実施例について、図６及び図７を用いて説明
する。図６は、本発明の磁気再生装置を示す概念図であ
り、図７は本発明の磁気再生装置に特に必要な記録再生
回路について示した図である。

【００４６】図６において、磁気ヘッド４００は第１の
実施例で述べた本発明の磁気ヘッドと同じものである。
この磁気ヘッド４００は、図示していない浮上型スライ
ダー上に設置されている。第１の磁性層４１と第２の磁
性層４２とからなる磁気コア４６を貫通するように絶縁
配置された導体線４５の両端に電極端子４３、４４が設
けられている。導体線４５には磁性層４１、４２を一方
向にバイアス磁化するために微小レベルの直流電流が流
れる。

【００４７】ディスク状磁気記録媒体４０は、面内に磁
気容易軸を有するいわゆる面内記録用の記録媒体であ
る。当該ディスク状磁気記録憶媒体４０は、非常に平滑
な表面を持つガラスディスク上に記録層として膜厚０．
０３μｍのＣｏＮｉＣｒ膜が被着形成されており、その
直径は２５ｍｍである。本実施例の磁気情報再生装置
は、スピンドルモーター等によってディスク状磁気記録
媒体４０が図４中の矢印Ａの方向に回転し、磁気ヘッド
４００が前記ディスク状媒体の上を浮上しながら記録再
生を行う。４９は、ディスク状磁気記録媒体４０に記録
された磁気情報の磁化ベクトルを示している。

【００４８】図７は、本実施例の再生回路のブロック図
である。当該再生装置は、磁気ヘッド５００と、キャリ
ア信号発生器５５と、再生信号検出回路５６と、再生ア
ンプ５７と、再生信号処理回路５８とから構成される。

【００４９】磁気ヘッド５００は、本発明の磁気ヘッド
４００を等価回路的に示したものである。当該磁気ヘッ
ド５００は、インピーダンス素子５１を有する。インピ
ーダンス素子５１は、再生時において、磁気コアに設け
られた導体線４５をインピーダンス素子として等価的に
示したものである。図６の電極端子４３と４４に相当す
る電極端子５２、５３が接続されている。

【００５０】キャリア信号発生器５５は、再生時に電極
端子５２と５３を介してインピーダンス素子５１にキャ
リア信号である交流の定電流を流す。また、図示してい
ないがバイヤス磁界を発生させるため導体線４５に微小
電流を流す。当該キャリア信号発生器５５は、キャリア
信号の発振回路と定電流ドライブ回路と導体線に直流電
流を流す回路とからなる。キャリア信号の周波数は例え
ば５００ＭＨｚである。

【００５１】再生信号検出回路５６は、ＡＭ検波回路
（不図示）及びＡＭ復調回路（不図示）とから構成され
る。ＡＭ検波回路は、電極端子５２と電極端子５３との
間の信号を検出する。ＡＭ復調回路は、前記ＡＭ検波回
路で検出されたＡＭ波を復調して、本来再生すべき信号
を出力する。

【００５２】再生アンプ５７は、再生信号検出回路５６
で復調された再生信号を増幅する。再生信号処理回路５
８は、再生アンプ５７で増幅された再生信号を、出力す
るに適した信号に変換する。例えば符号復調などを行
う。変換された信号は、出力端子５９から出力される。

【００５３】次に、本実施例の磁気再生装置の再生動作
を図６及び図７を用いて説明する。先ず、図６に示す磁
気ヘッド４００がディスク状磁気記録媒体４０上の記録
磁化４９上を走査する。記録磁化４９の上を走査する
と、磁性層４１、４２からなる磁気コア４６に記録磁化
４９からの漏洩磁束が通る。磁気コア４６は、前記磁束
によって磁化され、透磁率は低下する。

【００５４】一方、電極端子４３、４４間には、図７に
示すキャリア信号発生器５５により２ＭＨｚのキャリア
信号電流が流されており、その電流により変化する電極
端子４３、４４間の信号電圧Ｖは、Ｖ＝ＺＩ（但しＩ
は、一定）の関係式より電極端子間のインピーダンスＺ
により決定される。このインピーダンスＺは、磁気コア
４６の透磁率が低下すると、インピーダンスＺも低下す
る関係にある。即ち、磁気記録媒体からの漏れ磁界が大
きいとインピーダンスＺが小さくなり、漏れ磁界が小さ
いとインピーダンスＺが大きくなる関係にある。例え
ば、図８に示すように、磁気ヘッドが読み取った磁気記
録媒体のもれ磁界が、−ａ〜＋ａの範囲で変動している
とする。ここで、−＋の極性は、磁界の向きを示す。す
ると、図９に示すように、インピーダンスＺの値は、磁
気記録媒体からの漏れ磁界である外部磁界Ｈextが０の
ときは、インピーダンス値は、大きな値ｂ2をとり、漏
れ磁界が、−ａ又は＋ａのときは、小さい値ｂ2をと
る。

【００５５】ただし、このインピーダンス値の高低は、
記録磁化４９からの漏れ磁界の強さに反比例するもの
の、記録磁化４９の極性には無関係である。コアを通過
する磁束量が同じであれば、電極端子４３、４４間の信
号電圧は同じになる。

【００５６】そこで、このままではいかなる信号処理を
行っても記録磁化を再現することができないので、記録
磁化の極性によってインピーダンス値が変化するように
するため磁気コアを一方向に直流バイアス磁化してい
る。具体的には、例えば、図６に示す導体線４５に直流
の微小電流（図７に示すキャリア信号発生器５５から流
される。）を流すことにより磁気コアを一方向に直流バ
イアス磁化する。その結果、記録磁化４９の極性に応じ
て信号電圧が変化するようになる。図１０は、大きさｄ
で極性が−のバイアス磁界をかけたときの、インピーダ
ンスＺと外部磁界Ｈextの関係を示した図である。図９
と対比してみると、バイアス磁界ｄの分だけ、曲線が右
に移動していることが分かる。インピーダンスＺの値
は、磁気記録媒体からの漏れ磁界が−ａのときは、イン
ピーダンス値は最小値ｃ3をとり、漏れ磁界が０のとき
は、インピーダンスＺの値は中間値ｃ2をとり、漏れ磁
界が＋ａのときは、最大値ｃ1をとっていることから分
かるように、外部磁界の極性を反映したインピーダンス
値をとる。

【００５７】このように、外部磁界及びキャリア信号電
流に基づいて変化するインピーダンス値に基づいて変化
する電圧が、電極端子５２、５３に現れる。

【００５８】ここで、磁気ヘッド４００は、次々に極性
やその長さの異なる記録磁化上を走査するので、電極端
子５２、５３間の電圧の変化は、キャリア信号電流をキ
ャリアーとするＡＭ波となる。このＡＭ波は、再生信号
検出回路５６において再生信号として復調され、再生ア
ンプ５７に出力される。再生アンプ５７は、復調された
再生信号を増幅し、再生信号処理回路５８に出力する。
再生信号処理回路５８は、再生信号を出力するに適した
信号に変換し、出力端子５９から出力する。

【００５９】ここでインピーダンスＺの絶対値は（数
１）で表わされる。

【００６０】

【数１】

【００６１】前述したように出力はＺに比例するため、
高出力を得るには磁気コアを貫通した各導体のＺＩが単
純に加算されれば良い。ところが磁気コアを４カ所で貫
通した本発明の磁気ヘッド４００の導体４５のインピー
ダンスＺは、その位相がインダクタンス（Ｌ）成分によ
り遅れ、キャパシタンス（Ｃ）成分により進むため各導
体間で位相のずれが生じる。そこでＬ成分による位相の
遅れとＣ成分による位相の進みが相殺されるように、す
なわち（数２）に示す如く磁気ヘッド４００の容量結合
部分４７の絶縁層４８の厚さを決定した。

【００６２】

【数２】

【００６３】このような処理をする事でＺＩは４カ所で
貫通した導体のそれぞれのＺＩ（１〜４）の和、即ち、 ＺＩ＝ＺＩ（１）＋ＺＩ（２）＋ＺＩ（３）＋ＺＩ
（４）となる。

【００６４】（数２）から絶縁層４８の厚さの求め方に
ついて説明する。（数３）はキャパシタンスを示す。

【００６５】

【数３】

【００６６】インピーダンスについては（数４）に示す
如く仮定した。

【００６７】

【数４】

【００６８】式中の代理数については図１１に示す。こ
こで導体４５は銅であるから比透磁率は１である。絶縁
層ＰＬＺＴの比誘電率は２３００である。絶縁面の面積
Ｓは５０μｍ×２５μｍとした。導体４５の断面積は２
５μｍ×１ミクロンとした。従ってｒ2は２ミクロンで
ある。ｒ1は１００μｍとした。キャリア周波数は５０
０ＭＨｚである。（数２）に（数３）及び、（数４）を
代入する事で絶縁層４８の厚さは７ｎｍとした。実施例
においてはスパッタリングによりＰＬＺＴを製膜した後
膜厚を測定し、７ｎｍのものを選択することで絶縁層４
８の厚さを制御した。

【００６９】このようにＬ成分による位相の遅れとＣ成
分による位相の進みが相殺されるようにすることで、全
ての導体のインピーダンス成分の単純和として出力を検
出することができ、精度を上げることができる。

【００７０】以上説明してきたように、本発明の磁気イ
ンピーダンス素子を用い、記録は従来の方法で行ない、
再生を磁気インピーダンス素子により行なうことで、従
来の複合型ＭＲヘッドのように再生用に特に磁気ギャッ
プを設ける必要がなく、さらにシールド層も必要がない
比較的簡単な構成で、再生感度が従来の誘導型ヘッドよ
りも優れた磁束応答型の磁気記録再生ヘッドが得られ
る。

【００７１】なお、磁気コア等の材質は、ここに記載し
たものに限られるものではない。材質としては、例え
ば、Ｃｏ系の他のアモルファス膜でも良いし、Ｆｅ系の
膜でも良い。磁気ヘッドの磁気コアと磁気インピーダン
ス素子の磁気コアとは同じ材質でもよい。

【００７２】また、高周波での透磁率を高めるための、
磁気インピーダンス素子の磁気コアの多層化なども、有
効である。

【００７３】さらに、磁気ヘッドの形状も本実施例に示
された形状に限定されるものではない。磁気インピーダ
ンス素子は磁気コアの磁化容易軸が磁気ヘッドの磁気コ
ア中の磁束に平行であれば本実施例以外の磁気コア中の
他の部分に配置されてもよい。

【００７４】

【発明の効果】請求項１の発明の磁気ヘッドは、磁気コ
アを貫通する導体が絶縁配置された構成であり、ＭＲヘ
ッドと比較し、より単純な構造であるので、その製造工
程もより単純であって、比較的高い歩留まりを確保しや
すく、量産性に優れている。さらに、従来よりも感度の
高い磁気インピーダンス効果による再生が可能になる。
また、磁気コアの複数カ所において導体が貫通絶縁配置
されることから更に高感度が達成できる。さらに従来の
ＭＲヘッド同様に磁束応答型なので、記録再生装置の小
型化による低速度化にも対応できる。

【００７５】請求項２及び請求項３の発明は、導体を容
量結合することでインピーダンス成分の遅れをキャパシ
タンス成分の進みで相殺することが可能となり、感度の
高いヘッドを提供できる。

【００７６】請求項４における発明では、鉛、ランタ
ン、亜鉛、及びチタンを主成分とする酸化物は比誘電率
が高いため、本発明の磁気ヘッドにおいて絶縁層の厚さ
が制御可能となる。

【００７７】請求項５の発明では、導体を２回に分けて
形成することで、容量結合を精度良く行なうことが出来
る。

【００７８】請求項６の発明では、ヘッドの導体のイン
ダクタンス成分による位相の遅れとキャパシタンス成分
による位相の進みが相殺されるように容量結合部分の絶
縁層の厚さを決定することで、全ての導体のインピーダ
ンス成分の単純和として出力を検出することができ、簡
単に高感度を達成できる。

【００７９】請求項７の発明は、本発明の磁気ヘッドを
登載することで磁気インピーダンス効果による再生が可
能となり、再生感度が従来の誘導型ヘッドよりも優れて
いる。さらに従来のＭＲヘッド同様に磁束応答型なの
で、記録再生装置の小型化による低速度化にも対応でき
る磁気再生装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気ヘッドの外観図

【図２】本発明の磁気ヘッドの外観図

【図３】本発明の磁気ヘッドの等価回路図

【図４】本発明の第２の実施例の製造方法を説明するた
めの断面図

【図５】本発明の第２の実施例の製造方法を説明するた
めの断面図

【図６】本発明の磁気再生装置の概念図

【図７】本発明の磁気再生装置のブロック図

【図８】媒体からの漏れ磁界の経時変化を示す図

【図９】バイアス磁界がかけられていない場合の、外部
磁界とインピーダンスとの関係を示す図

【図１０】バイアス磁界がかけられている場合の、外部
磁界とインピーダンスとの関係を示す図

【図１１】本発明の磁気ヘッドを示す概略図

【符号の説明】

１ 第１の磁性層 ２ 第２の磁性層 ３ 導体線 ４ 絶縁層 ５，６ 電極端子 ７ 絶縁膜 ２１ インピーダンス素子 ２２ キャリヤ信号発生器 ２３，２４ 電極端子 ２５ 再生電圧出力回路 ２６ 端子 ３１ 基板 ３２ 第１の磁性層 ３３ 第１の絶縁膜 ３４ 導体層 ３５ 第２の絶縁膜 ３６ 絶縁層 ３７ 第２の磁性層 ３８ 容量結合部分 ３９ 第３の絶縁膜 ３０ 第２の磁性層 ４００ 磁気ヘッド ４０ ディスク状磁気記録媒体 ４１ 第１の磁性層 ４２ 第２の磁性層 ４３ 電極端子 ４４ 電極端子 ４５ 導体線 ４６ 磁気コア ４７ 容量結合部分 ４８ 絶縁層 ４９ 磁気情報の磁化ベクトル ５００ 磁気ヘッド ５１ インピーダンス素子 ５２，５３ 電極端子 ５５ キャリア信号発生器 ５６ 再生信号検出回路 ５７ 再生アンプ ５８ 再生信号処理回路 ５９ 出力端子

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１及び第２の軟磁性層からなる磁気コ
   アと前記磁気コア中に絶縁配置した導体とからなり、前
   記導体の両端に電極を備え、前記導体が前記磁気コア中
   の少なくとも複数ヵ所において絶縁配置されることを特
   徴とする磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記導体は導体中に所望厚からなる絶縁
   層を挟むことで容量結合されることを特徴とする請求項
   １記載の磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 前記磁気コアは第１及び第２の軟磁性層
   からなり、前記導体は前記第１及び第２の軟磁性層との
   間に絶縁配置された導体層であり、前記導体に設けられ
   た前記容量結合部分は前記磁気コアの外部に位置するこ
   とを特徴とする請求項２記載の磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 前記容量結合を構成する絶縁層は鉛、ラ
   ンタン、亜鉛、及びチタンを主成分とする酸化物である
   事を特徴とする請求項３記載の磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 前記第１の磁性層を形成する工程と、第
   １の絶縁層を形成する第１の絶縁層形成工程と、前記第
   １の絶縁層の上に前記導体層の一部をパターン形成する
   第１の導体層形成工程と、第２の絶縁層を形成する第２
   の絶縁層形成工程と容量結合の誘電体部分である絶縁層
   の形成工程と前記導体層の残りの部分をパターン形成す
   る第２の導体層形成工程と、前記導体層の上に第３の絶
   縁層を形成する第３の絶縁層形成工程と、前記第３の絶
   縁層の上に第２の磁性層を形成する第２の磁性層形成工
   程とを有することを特徴とする請求項３記載の磁気ヘッ
   ドの製造方法。
6. 【請求項６】 請求項２記載のヘッドを用いた再生方法
   であって、前記ヘッドの導体のインダクタンス成分によ
   る位相の遅れとキャパシタンス成分による位相の進みが
   相殺されるように前記容量結合部分の絶縁層の厚さを決
   定し、全ての導体のインピーダンス成分の単純和として
   出力を検出することを特徴とする再生方法。
7. 【請求項７】 前記導体の両端の電極に定電流の高周波
   信号を印加するキャリア信号発生器と、前記磁気コアに
   バイアス磁界を発生させるバイアス磁界発生手段とを有
   し、請求項２記載の磁気ヘッドを用いたことを特徴とす
   る磁気再生装置。