JPH09320948A - Substrate transfer method and exposure apparatus - Google Patents
Substrate transfer method and exposure apparatusInfo
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- JPH09320948A JPH09320948A JP8154931A JP15493196A JPH09320948A JP H09320948 A JPH09320948 A JP H09320948A JP 8154931 A JP8154931 A JP 8154931A JP 15493196 A JP15493196 A JP 15493196A JP H09320948 A JPH09320948 A JP H09320948A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板を基板ホルダに受け渡す際の基板の位置
ずれの発生を確実に抑制する。
【解決手段】 基板Wが搬送アーム(図3では図示せ
ず)に保持されて受け渡し位置まで搬送されると、この
受け渡し位置に搬送された基板の傾斜が計測手段(52
A,52B,52C,52D)によって計測され、この
計測結果に基づいて基板ホルダ34の基板との接触面が
基板Wと平行になるように基板ホルダ34の傾斜が調整
され、しかる後、センターアップ56が下降して基板W
が基板ホルダ34上に載置される。このため、基板ホル
ダへの基板の受け渡し前に、基板ホルダの基板接触面の
傾斜角と基板の傾斜角の差がゼロに追い込まれ、この角
度差に起因する基板ホルダへの受け渡しの際の基板の位
置ずれの発生を確実に防止することが出来る。
(57) Abstract: It is possible to reliably suppress the occurrence of positional displacement of a substrate when the substrate is transferred to a substrate holder. SOLUTION: When a substrate W is held by a transfer arm (not shown in FIG. 3) and transferred to a transfer position, the inclination of the substrate transferred to this transfer position is measured by a measuring means (52).
A, 52B, 52C, 52D), and the inclination of the substrate holder 34 is adjusted so that the contact surface of the substrate holder 34 with the substrate becomes parallel to the substrate W based on the measurement result. 56 descends to the substrate W
Are placed on the substrate holder 34. Therefore, before the substrate is transferred to the substrate holder, the difference between the inclination angle of the substrate contact surface of the substrate holder and the inclination angle of the substrate is forced to zero, and the substrate at the time of the transfer to the substrate holder due to this angle difference. It is possible to reliably prevent the occurrence of the positional deviation of the.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の受け渡し方
法及び露光装置に係り、更に詳しくはステージ上に設け
られた基板ホルダに基板を受け渡す基板の受け渡し方法
及びこの受け渡し方法を用いて被露光基板としてのウエ
ハ又はガラスプレート等の感光基板をステージ部最上部
の基板ホルダに受け渡す露光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate transfer method and an exposure apparatus, and more particularly to a substrate transfer method for transferring a substrate to a substrate holder provided on a stage and exposure using the transfer method. The present invention relates to an exposure apparatus that transfers a photosensitive substrate such as a wafer or a glass plate as a substrate to a substrate holder at the top of the stage section.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、半導体素子や液晶表示基板の
製造におけるフォトリソグラフィ工程では、マスク(レ
チクル)のパターンを投影光学系を介して感光材が塗布
されたウエハ、ガラスプレート等に投影露光する投影露
光装置が種々用いられている。例えば、半導体素子の製
造工程では半導体集積回路の高密度化に伴い、レチクル
のパターンを縮小投影レンズを介してウエハ上の各ショ
ット領域に順次投影露光するステッパ等の縮小投影型露
光装置が主流となっている。2. Description of the Related Art Conventionally, in a photolithography process in manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal display substrate, a pattern of a mask (reticle) is projected and exposed through a projection optical system onto a wafer, a glass plate or the like coated with a photosensitive material. Various projection exposure apparatuses are used. For example, in a semiconductor element manufacturing process, a reduction projection type exposure apparatus such as a stepper, which sequentially projects and exposes a reticle pattern onto each shot area on a wafer through a reduction projection lens, is mainstream as the density of semiconductor integrated circuits increases. Has become.
【0003】図11には、この種の投影露光装置のウエ
ハ受け渡し機構を構成する構成各部が示されている。こ
の図において、ウエハ受け渡し機構は、不図示の駆動系
によって上下動及び傾斜調整が可能とされた基板テーブ
ル(レベリングテーブル)90と、この基板テーブル9
0及びこの基板テーブル90上のウエハホルダ92に対
し相対的に上下動可能な段付き円柱状部品(以下、「セ
ンターアップ」という)94とを備えている。これを更
に詳述すると、センターアップ94は、ウエハホルダ9
2の中央部の開口部92Aと基板テーブル90中央部の
開口部内に所定のクリアランスを介して挿入されてお
り、その最上面には単一あるいは複数のウエハWとの接
触部が設けられ、この接触部では不図示の配管を介して
接続された真空ポンプの吸引力によりウエハWを吸着固
定できるようになっている。センターアップ94は、不
図示のXYステージ上に配置された駆動機構98によっ
て上下動可能に構成されている。FIG. 11 shows constituent parts of a wafer transfer mechanism of a projection exposure apparatus of this type. In this figure, the wafer transfer mechanism includes a substrate table (leveling table) 90 that can be vertically moved and tilted by a drive system (not shown), and the substrate table 9.
0 and a stepped columnar component (hereinafter, referred to as “center up”) 94 that can move up and down relative to a wafer holder 92 on the substrate table 90. This will be described in further detail.
2 is inserted into the central opening 92A and the central opening of the substrate table 90 through a predetermined clearance, and the uppermost surface thereof is provided with a contact portion with a single or a plurality of wafers W. At the contact portion, the wafer W can be adsorbed and fixed by the suction force of a vacuum pump connected through a pipe (not shown). The center-up 94 is vertically movable by a drive mechanism 98 arranged on an XY stage (not shown).
【0004】ここで、この図11を参照して、ウエハホ
ルダ92へのウエハWの受け渡しの様子を簡単に説明す
ると、XYステージの上方に不図示のウエハローダの搬
送アームによってウエハWが搬送されてくると、センタ
ーアップ94は搬送アームに保持されたウエハWを下方
から持ち上げるように搬送アームのウエハ保持面よりや
や上方まで上昇し、ウエハを一旦受け取る動作を行う。
図11には、この時の状態が示されている。次いで、搬
送アームが退避した後に、センターアップ94はウエハ
ホルダ92上面にウエハWが接触する高さまで下降し、
これによりウエハWがウエハホルダ上面に受け渡され
る。Here, referring to FIG. 11, a brief description will be given of how the wafer W is transferred to the wafer holder 92. The wafer W is transferred above the XY stage by a transfer arm of a wafer loader (not shown). Then, the center-up 94 raises the wafer W held by the transfer arm from above to slightly above the wafer holding surface of the transfer arm, and performs the operation of temporarily receiving the wafer.
FIG. 11 shows the state at this time. Next, after the transfer arm retracts, the center-up 94 descends to a height at which the wafer W contacts the upper surface of the wafer holder 92,
As a result, the wafer W is delivered to the upper surface of the wafer holder.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なウエハ受け渡し機構を使用してウエハホルダ92上面
にウエハWを受け渡そうとする場合、現実には受け渡し
時に微小な位置ズレがしばしば発生する。この位置ずれ
の原因としては、ウエハWの平面度やウエハホルダ92
の平面度が不十分な場合は勿論、センターアップ94の
最上面のウエハ支持面とウエハホルダ92上面とが平行
でなく、従って両者の傾斜角度が異なり、図11に示さ
れるような角度誤差θがある場合にこれが大きな原因と
なることが判明している。本発明者等の実験によれば、
センターアップのウエハ支持面とウエハホルダ上面との
間の傾斜角度誤差θが10分程度である場合に、0.1
mm程度の大きな位置ズレが発生することが判明した。
投影露光装置に要求される露光時の位置決め精度は、今
やナノメートル(nm)のオーダーであり、そのための
位置決め光学センサの測定レンジの制約からウエハ搬送
時に許容される位置ズレはミクロン(μm)オーダーと
なっている。従って、0.1mm以上の位置ズレの発生
はもはや許容できないものであることは明らかである。By the way, when an attempt is made to deliver the wafer W to the upper surface of the wafer holder 92 using the above-mentioned wafer delivery mechanism, in reality, a slight positional deviation often occurs. The cause of this positional deviation is the flatness of the wafer W and the wafer holder 92.
Of course, the uppermost wafer supporting surface of the center-up 94 and the upper surface of the wafer holder 92 are not parallel to each other. Therefore, the inclination angles of the two are different, and the angle error θ as shown in FIG. In some cases this has proven to be a major cause. According to the experiments by the present inventors,
When the tilt angle error θ between the center-up wafer supporting surface and the wafer holder upper surface is about 10 minutes, 0.1
It has been found that a large positional deviation of about mm occurs.
The positioning accuracy required for the projection exposure apparatus at the time of exposure is now on the order of nanometers (nm), and therefore the positional deviation allowed during wafer transfer is on the order of microns (μm) due to the restriction of the measurement range of the positioning optical sensor. Has become. Therefore, it is clear that the occurrence of displacement of 0.1 mm or more is no longer acceptable.
【0006】本発明は、かかる事情の下になされたもの
で、その目的は、基板を基板ホルダに受け渡す際の基板
の位置ずれの発生を確実に抑制することが出来る基板の
受け渡し方法及びこの方法が適用される露光装置を提供
することにある。The present invention has been made under such circumstances, and an object thereof is to provide a substrate transfer method capable of reliably suppressing the occurrence of displacement of the substrate when transferring the substrate to the substrate holder, and a method for transferring the substrate. An object is to provide an exposure apparatus to which the method is applied.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、ステージ上に設けられた基板ホルダに基板を受け渡
す基板の受け渡し方法であって、所定の受け渡し位置に
搬送される基板と前記基板ホルダとの相対的な傾斜を計
測する第1工程と;前記受け渡し位置に基板を搬送する
第2工程と;前記第1工程の計測結果に基づいて、前記
基板ホルダの基板との接触面が前記受け渡し位置に搬送
された基板と平行になるように、前記受け渡し位置に搬
送された基板及び前記基板ホルダの少なくとも一方の傾
斜を調整する第3工程と;しかる後、前記基板及び基板
ホルダの傾斜を維持した状態で前記基板を前記基板ホル
ダ上に載置する第4工程とを含むことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate transfer method for transferring a substrate to a substrate holder provided on a stage, the substrate being transferred to a predetermined transfer position, and A first step of measuring a relative inclination with respect to the substrate holder; a second step of transporting the substrate to the delivery position; and a contact surface of the substrate holder with the substrate based on the measurement result of the first step. A third step of adjusting the inclination of at least one of the substrate transported to the delivery position and the substrate holder so as to be parallel to the substrate transported to the delivery position; and thereafter, the inclination of the substrate and the substrate holder. And a fourth step of placing the substrate on the substrate holder while maintaining the above condition.
【0008】これによれば、第1工程では所定の受け渡
し位置に搬送される基板と基板ホルダとの相対的な傾斜
が計測され、第2工程では受け渡し位置に基板が搬送さ
れる。第3工程では、第1工程の計測結果に基づいて基
板ホルダの基板との接触面が基板と平行になるように基
板ホルダの傾斜が調整され、しかる後、第4工程におい
て基板及び基板ホルダの傾斜を維持した状態で基板が基
板ホルダ上に載置される。このため、基板ホルダへの基
板の受け渡し前に、基板ホルダの基板接触面の傾斜角と
基板の傾斜角の差がゼロに追い込まれ、この角度差に起
因する基板ホルダへの受け渡しの際の基板の位置ずれの
発生を確実に防止することが出来、これにより基板を基
板ホルダに受け渡す際の基板の位置ずれの発生要因を一
つ排除することができる。According to this, in the first step, the relative inclination between the substrate and the substrate holder that are transported to the predetermined transfer position is measured, and in the second step, the substrate is transferred to the transfer position. In the third step, the inclination of the substrate holder is adjusted so that the contact surface of the substrate holder with the substrate is parallel to the substrate based on the measurement result of the first step, and then in the fourth step, the inclination of the substrate and the substrate holder is adjusted. The substrate is placed on the substrate holder while maintaining the inclination. Therefore, before the substrate is transferred to the substrate holder, the difference between the inclination angle of the substrate contact surface of the substrate holder and the inclination angle of the substrate is forced to zero, and the substrate at the time of the transfer to the substrate holder due to this angle difference. It is possible to reliably prevent the occurrence of the positional deviation of the substrate, and thereby to eliminate one factor that causes the positional deviation of the substrate when the substrate is transferred to the substrate holder.
【0009】ここで、第1工程における計測は、請求項
2に記載の発明のように、第2工程において受け渡し位
置に基板が搬送された後に行なっても良く、あるいは、
請求項3に記載の発明のように、基板ホルダおよび基板
ホルダに基板を受け渡すための受け渡し機構の組み立て
調整時に、第2工程に先だって行なっても良い。受け渡
し位置に基板が搬送された後に行なう場合には、基板の
受け渡し位置への搬送の度毎に行なうことが、望まし
い。この場合には、毎回計測が行なわれるので、基板の
平面度に変動があってもこれに対応することが可能であ
る。また、基板ホルダおよび基板ホルダに基板を受け渡
すための受け渡し機構の組み立て調整時に予め行なう場
合には、その計測を1回だけ行ない、その計測結果をメ
モリに記憶しておくことが望ましい。このようにすれ
ば、メモリに記憶した計測結果を用いて、第3工程以下
の処理がなされるので、その分スループットの向上を図
ることが可能となる。Here, the measurement in the first step may be performed after the substrate is transported to the transfer position in the second step, as in the invention described in claim 2, or
As in the third aspect of the invention, the second step may be performed at the time of assembling and adjusting the substrate holder and the delivery mechanism for delivering the substrate to the substrate holder. When it is performed after the substrate is transferred to the delivery position, it is preferably performed every time the substrate is transferred to the delivery position. In this case, since the measurement is performed every time, even if the flatness of the substrate is changed, it can be dealt with. Further, in the case where the substrate holder and the transfer mechanism for transferring the substrate to the substrate holder are assembled and adjusted in advance, it is desirable to perform the measurement only once and store the measurement result in the memory. By doing so, the processing from the third step onward is performed using the measurement result stored in the memory, so that the throughput can be improved accordingly.
【0010】また、上記の基板ホルダおよび基板ホルダ
に基板を受け渡すための受け渡し機構の組み立て調整時
に第1工程の計測を予め行なう場合には、請求項4に記
載の発明のように、光電コリメータ又は水泡式水準器で
行なうことが可能である。Further, when the measurement of the first step is performed in advance at the time of assembling and adjusting the substrate holder and the delivery mechanism for delivering the substrate to the substrate holder, the photoelectric collimator according to the invention as set forth in claim 4 is provided. Alternatively, it can be performed with a water bubble level.
【0011】請求項5に記載の発明は、マスクに形成さ
れたパターンを投影光学系を介して感光基板上に投影露
光する露光装置であって、2次元面内で移動可能なステ
ージと;前記ステージ上に搭載され、前記投影光学系の
光軸方向の移動及び光軸に対する傾斜が調整可能な基板
テーブルと;前記基板テーブル上に搭載され、前記感光
基板が載置される基板ホルダと;前記感光基板を所定の
受け渡し位置まで搬送する搬送アームと;前記搬送アー
ムと前記基板ホルダ間の前記感光基板の受け渡しを行う
受け渡し手段と;前記感光基板の傾斜を計測する計測手
段と;前記受け渡し手段によって前記感光基板が前記基
板ホルダに渡される度毎に、その受け渡しの途中で前記
計測手段を用いて前記感光基板の傾斜を計測し、その計
測結果に基づいて前記基板ホルダの基板との接触面が前
記感光基板と平行になるように前記基板テーブルの傾斜
を調整する制御手段とを有する。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an exposure device which projects and exposes a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate through a projection optical system, and a stage movable in a two-dimensional plane; A substrate table mounted on a stage and capable of adjusting the movement of the projection optical system in the optical axis direction and an inclination with respect to the optical axis; a substrate holder mounted on the substrate table and mounting the photosensitive substrate; A transfer arm for transferring the photosensitive substrate to a predetermined transfer position; a transfer means for transferring the photosensitive substrate between the transfer arm and the substrate holder; a measuring means for measuring the inclination of the photosensitive substrate; Each time the photosensitive substrate is transferred to the substrate holder, the inclination of the photosensitive substrate is measured using the measuring means during the transfer, and based on the measurement result. Contact surface with the substrate of the serial substrate holder and a control means for adjusting the tilt of the substrate table so as to be parallel with the photosensitive substrate.
【0012】これによれば、搬送アームにより基板が受
け渡し位置まで搬送されると、基板ホルダへの基板の受
け渡しが可能な位置まで基板テーブルがステージととも
に移動し、受け渡し手段によって搬送アームから基板ホ
ルダへ感光基板が受け渡される。制御手段では、受け渡
し手段によって感光基板が基板ホルダに渡される度毎
に、その受け渡しの途中で計測手段を用いて感光基板の
傾斜を計測し、その計測結果に基づいて基板ホルダの基
板との接触面が感光基板と平行になるように基板テーブ
ルの傾斜を調整する。このため、基板ホルダへの基板の
受け渡し前に、基板ホルダの基板接触面の傾斜角と基板
の傾斜角の差がゼロに追い込まれ、この角度差に起因す
る基板ホルダへの受け渡しの際の基板の位置ずれの発生
を確実に防止することが出来、これにより基板を基板ホ
ルダに受け渡す際の基板の位置ずれの発生要因を一つ排
除することができる。According to this, when the substrate is transferred to the transfer position by the transfer arm, the substrate table moves together with the stage to a position where the substrate can be transferred to the substrate holder, and the transfer means transfers the substrate from the transfer arm to the substrate holder. The photosensitive substrate is delivered. Every time the transfer means transfers the photosensitive substrate to the substrate holder, the control means measures the inclination of the photosensitive substrate using the measuring means during the transfer, and contacts the substrate holder with the substrate based on the measurement result. The tilt of the substrate table is adjusted so that the surface is parallel to the photosensitive substrate. Therefore, before the substrate is transferred to the substrate holder, the difference between the inclination angle of the substrate contact surface of the substrate holder and the inclination angle of the substrate is forced to zero, and the substrate at the time of the transfer to the substrate holder due to this angle difference. It is possible to reliably prevent the occurrence of the positional deviation of the substrate, and thereby to eliminate one factor that causes the positional deviation of the substrate when the substrate is transferred to the substrate holder.
【0013】請求項6に記載の発明は、請求項5に記載
の露光装置において、前記制御手段に代えて、前記計測
手段を用いて前記感光基板の傾斜計測を予め一度だけ行
なうとともに、前記感光基板が前記基板ホルダに渡され
る度毎に、その受け渡しの途中で前記基板ホルダの基板
との接触面が前記感光基板と平行になるように前記傾斜
計測の結果を用いて前記基板テーブルの傾斜を調整する
第2の制御手段を備えることを特徴とする。According to a sixth aspect of the invention, in the exposure apparatus according to the fifth aspect, the inclination of the photosensitive substrate is measured only once in advance by using the measuring means instead of the control means, and the exposure is performed. Each time the substrate is transferred to the substrate holder, the inclination of the substrate table is tilted by using the result of the tilt measurement so that the contact surface of the substrate holder with the substrate becomes parallel to the photosensitive substrate during the transfer. A second control means for adjusting is provided.
【0014】これによれば、第2の制御手段では、計測
手段を用いて感光基板の傾斜計測を予め一度だけ行い、
感光基板が基板ホルダに渡される度毎に、その受け渡し
の途中で基板ホルダの基板との接触面が感光基板と平行
になるように傾斜計測の結果を用いて基板テーブルの傾
斜を調整することから、感光基板を基板ホルダに渡す度
毎に計測を行う請求項2に記載の発明に比べてスループ
ットの向上を図ることが可能となる。According to this, the second control means uses the measuring means to measure the inclination of the photosensitive substrate only once in advance,
Every time the photosensitive substrate is transferred to the substrate holder, the inclination of the substrate table is adjusted using the result of the inclination measurement so that the contact surface of the substrate holder with the substrate becomes parallel to the photosensitive substrate during the transfer. The throughput can be improved as compared with the invention described in claim 2, in which the measurement is performed every time the photosensitive substrate is transferred to the substrate holder.
【0015】請求項5又は6に記載の露光装置おいて、
前記計測手段は、前記感光基板表面の複数箇所の前記光
軸方向位置を検出する焦点検出機構により構成しても良
く、あるいは前記感光基板表面に前記投影光学系の光軸
に対して斜めの方向から平行光束を照射しその反射光束
の受光位置に基づいて前記感光基板の傾斜を検出するレ
ベリング検出機構により構成してもよい。後者の場合に
は、必ずしも感光基板が投影光学系の焦点面近傍になく
てもその傾斜測定が可能であるという利点がある。In the exposure apparatus according to claim 5 or 6,
The measuring means may be configured by a focus detection mechanism that detects the positions of the photosensitive substrate surface in the optical axis direction at a plurality of positions, or a direction oblique to the optical axis of the projection optical system on the photosensitive substrate surface. It may be configured by a leveling detection mechanism that irradiates a parallel light flux from the above and detects the inclination of the photosensitive substrate based on the light receiving position of the reflected light flux. In the latter case, there is an advantage that the inclination can be measured even if the photosensitive substrate is not necessarily near the focal plane of the projection optical system.
【0016】[0016]
《第1の実施形態》以下、本発明の第1の実施形態を図
1ないし図5に基づいて説明する。<< First Embodiment >> A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【0017】図1には第1の実施形態に係る露光装置1
0の全体構成が概略的に示されている。この露光装置1
0は、床上に水平に載置された台座12上に4個の除振
パッド14を介して保持された定盤(除振台)16と、
この定盤16上に配置されたステージ装置20と、この
ステージ装置20の上方で定盤16上に植設された第1
コラム18と、この第1コラム18に保持された投影光
学系PLと、この投影光学系PLの上方で第1コラム1
8に植設された第2コラム22と、この第2コラム22
上に載置されマスクとしてのレチクルRを保持するたレ
チクルホルダ24と、このレチクルホルダ24の上方に
配置された照明系26とを備えている。FIG. 1 shows an exposure apparatus 1 according to the first embodiment.
The overall configuration of 0 is shown schematically. This exposure apparatus 1
0 is a surface plate (anti-vibration table) 16 held on a pedestal 12 horizontally placed on the floor via four anti-vibration pads 14,
The stage device 20 arranged on the surface plate 16 and the first device 20 planted on the surface plate 16 above the stage device 20.
The column 18, the projection optical system PL held by the first column 18, and the first column 1 above the projection optical system PL.
Second column 22 planted in No. 8 and this second column 22
The reticle holder 24 is mounted on the reticle R for holding the reticle R as a mask, and the illumination system 26 is arranged above the reticle holder 24.
【0018】前記ステージ装置20は、定盤16上をY
軸方向(図1における紙面直交方向)に移動可能なYス
テージ28Yと、Y軸に直交するX軸方向(図1におけ
る紙面左右方向)に移動可能なステージとしてのXステ
ージ28Xと、Yステージ28Y、Xステージ28Xを
それぞれの移動方向に駆動する駆動系29と、Xステー
ジ28X上に搭載された上下ティルティング機構30
と、この上下ティルティング機構30によってXY平面
に直交するZ軸(鉛直軸)方向及びX軸、Y軸回りの回
転方向に駆動される基板テーブル32とを含んで構成さ
れている。The stage device 20 is mounted on the surface plate 16 in the Y direction.
A Y stage 28Y movable in the axial direction (direction orthogonal to the paper surface in FIG. 1), an X stage 28X as a stage movable in the X axis direction orthogonal to the Y axis (lateral direction in the paper surface in FIG. 1), and a Y stage 28Y. , A drive system 29 for driving the X stage 28X in the respective moving directions, and a vertical tilting mechanism 30 mounted on the X stage 28X.
And a substrate table 32 driven by the vertical tilting mechanism 30 in the Z-axis (vertical axis) direction orthogonal to the XY plane and in the rotational directions around the X-axis and the Y-axis.
【0019】基板テーブル32上には不図示のθテーブ
ルを介してウエハホルダ34が搭載され、このウエハホ
ルダ34上に感光基板としてのウエハWが吸着固定され
ている。また、基板テーブル32の端部には、レーザ干
渉計システムを構成する移動鏡36が固定されており、
この移動鏡36を介してレーザ干渉計38によって基板
テーブル32のXY2次元方向の位置座標、すなわちウ
エハW上のショット領域のXY座標が計測されるように
なっている。なお、実際には、図2の概略平面図に示さ
れるように、X軸方向に延設されたY軸用移動鏡36Y
と、Y軸方向に延設されたX軸用移動鏡36Xとが存在
し、これに対応してY軸用レーザ干渉計38Yと、X軸
用レーザ干渉計38Xとが存在するが、図1ではこれら
が代表的に移動鏡36、レーザ干渉計38として示され
ている。A wafer holder 34 is mounted on the substrate table 32 via a θ table (not shown), and a wafer W as a photosensitive substrate is adsorbed and fixed on the wafer holder 34. Further, a movable mirror 36 constituting a laser interferometer system is fixed to an end of the substrate table 32,
The laser interferometer 38 is used to measure the position coordinates of the substrate table 32 in the XY two-dimensional directions, that is, the XY coordinates of the shot area on the wafer W via the movable mirror 36. Actually, as shown in the schematic plan view of FIG. 2, the Y-axis moving mirror 36Y extended in the X-axis direction.
And an X-axis moving mirror 36X extending in the Y-axis direction, and a Y-axis laser interferometer 38Y and an X-axis laser interferometer 38X corresponding thereto are present. Then, these are typically shown as a moving mirror 36 and a laser interferometer 38.
【0020】前記レチクルホルダ24は、駆動系25に
よってXY2次元方向及びθ方向(Z軸回りの回転方
向)に微少駆動可能とされており、レチクルホルダ24
に保持されたレチクルRのアライメントの際には、レチ
クルRのパターン面の中心(レチクルセンタ)が投影光
学系PLの光軸に一致するよう駆動系25を介してレチ
クルホルダのXY面内の位置が調整される。The reticle holder 24 can be finely driven in the XY two-dimensional directions and the θ direction (rotational direction around the Z axis) by the drive system 25.
When aligning the reticle R held by the reticle R, the center of the pattern surface of the reticle R (reticle center) is aligned with the optical axis of the projection optical system PL via the drive system 25 in the XY plane. Is adjusted.
【0021】前記投影光学系PLは、その光軸がXY平
面に直交するZ軸方向となる状態で第1コラム18に保
持されており、この投影光学系としては、ここでは両側
テレセントリックで所定の縮小倍率(例えば、1/4)
を有するものが使用されている。従って、レチクルR及
びウエハWのアライメントが行われた状態で照明系26
からの照明光によりレチクルRが照明されると、このレ
チクルRのパターン面に描画されたパターンの縮小像が
ウエハW上のショット領域に転写されるようになってい
る。The projection optical system PL is held by the first column 18 in a state in which its optical axis is in the Z-axis direction orthogonal to the XY plane. As the projection optical system, here, both sides are telecentric and predetermined. Reduction ratio (for example, 1/4)
Are used. Therefore, with the reticle R and the wafer W aligned, the illumination system 26
When the reticle R is illuminated with the illumination light from, the reduced image of the pattern drawn on the pattern surface of the reticle R is transferred to the shot area on the wafer W.
【0022】図2には、第1コラム18の上板及びこれ
より上方の構成部分を取り除いた状態の露光装置10の
平面図が概略的に示されている。この図2に示されるよ
うに、第1コラム18の前面側(図2おける下側)に
は、X軸方向に伸びるX軸ガイド42が配置されてお
り、このX軸ガイド42の更に前面側には、ウエハカセ
ット44が2つ配置されている。X軸ガイド42に直交
してY軸ガイド46が設けられており、このY軸ガイド
46は不図示のウエハローダ駆動系によりX軸ガイド4
2に沿って駆動されるようになっている。Y軸ガイド4
6には、ウエハロード用の搬送アーム(ロードアーム)
48Aとウエハアンロード用の搬送アーム(アンロード
アーム)48Bとが、当該Y軸ガイド46に沿って移動
可能に設けられている。これらロードアーム48A、ア
ンロードアーム48Bも不図示のウエハローダ駆動系に
より駆動されるようになっている。この場合において、
アンロードアーム48Bの移動面よりロードアーム48
Aの移動面の方が高い位置に設定されている。これは、
高い位置の方が空中に雰囲気中に浮遊するゴミ等が少な
く、また露光前はウエハ表面のレジストが固まっていな
いので、このレジストにゴミ等が付着する不都合をなる
べく回避する等のためである。FIG. 2 is a schematic plan view of the exposure apparatus 10 with the upper plate of the first column 18 and the components above the upper plate removed. As shown in FIG. 2, an X-axis guide 42 extending in the X-axis direction is arranged on the front side (lower side in FIG. 2) of the first column 18, and the front side of the X-axis guide 42 is further forward. Two wafer cassettes 44 are arranged in the. A Y-axis guide 46 is provided orthogonally to the X-axis guide 42, and the Y-axis guide 46 is provided by a wafer loader drive system (not shown).
It is designed to be driven along the line 2. Y-axis guide 4
6 is a transfer arm for wafer loading (load arm)
A transfer arm 48A and a transfer arm (unload arm) 48B for unloading the wafer are provided so as to be movable along the Y-axis guide 46. These load arm 48A and unload arm 48B are also driven by a wafer loader drive system (not shown). In this case,
From the moving surface of the unload arm 48B, the load arm 48
The moving surface of A is set at a higher position. this is,
This is for the purpose of avoiding the inconvenience of dust and the like adhering to this resist as much as possible because the higher position has less dust and the like floating in the atmosphere in the air and the resist on the wafer surface is not solidified before exposure.
【0023】ロードアーム48A上面には、図2に示さ
れるように、ウエハWを吸着するための一対の吸着部5
0が設けられており、この一対の吸着部50の間の部分
にU字状の切欠きが形成されている。この切欠きは、後
述するセンターアップにウエハWを受け渡す際に、セン
ターアップがロードアーム48Aと干渉しないようにす
るために形成されている。On the upper surface of the load arm 48A, as shown in FIG. 2, a pair of adsorption portions 5 for adsorbing the wafer W.
0 is provided, and a U-shaped cutout is formed in a portion between the pair of suction portions 50. This notch is formed so that the center-up does not interfere with the load arm 48A when the wafer W is transferred to the center-up described later.
【0024】本実施形態では、X軸ガイド42、Y軸ガ
イド46、ロードアーム48A、アンロードアーム48
B及びウエハローダ駆動系(図示省略)によって、外部
から所定の受け渡し位置(基板テーブルの移動範囲内の
予め定められた位置)にウエハWを搬入するとともに、
その受け渡し位置で露光済みのウエハWを受け取って外
部に搬出するウエハ搬送機構としてのウエハローダが構
成されている。なお、図1ではロードアーム48A、ア
ンロードアーム48Bが代表的に搬送アーム48として
図示されている。In this embodiment, the X-axis guide 42, the Y-axis guide 46, the load arm 48A, and the unload arm 48.
B and a wafer loader drive system (not shown) carry the wafer W from the outside to a predetermined transfer position (a predetermined position within the moving range of the substrate table), and
A wafer loader is configured as a wafer transfer mechanism that receives the exposed wafer W at the delivery position and carries it out to the outside. In FIG. 1, the load arm 48A and the unload arm 48B are typically shown as the transfer arm 48.
【0025】更に、本実施形態の露光装置10では、露
光処理時にウエハホルダ34に吸着固定されたウエハW
のショット領域の傾斜を測定したり、後述するウエハ上
下動機構を構成するセンターアップに保持されたウエハ
Wの表面(上面)の傾斜角を測定する測定手段としてレ
ベリング検出機構(レベリングセンサ)52が設けられ
ている(図1参照)。このレベリングセンサ52の具体
的構成、作用等については後述する。Further, in the exposure apparatus 10 of the present embodiment, the wafer W that is suction-fixed to the wafer holder 34 during the exposure process.
The leveling detection mechanism (leveling sensor) 52 is used as a measuring means for measuring the inclination of the shot area of the wafer W or for measuring the inclination angle of the surface (upper surface) of the wafer W held in the center-up which constitutes the wafer vertical movement mechanism described later. It is provided (see FIG. 1). The specific configuration, operation, etc. of the leveling sensor 52 will be described later.
【0026】図3には、ウエハ上下動機構及びレベリン
グセンサ52の概略構成が示されている。この図3にお
いて、ウエハ上下動機構は、基板テーブル32及びこの
基板テーブル32上のウエハホルダ34に対し相対的に
上下動可能な段付き円柱状部品から成るセンターアップ
56と、センターアップ56を駆動するセンターアップ
駆動機構58とから構成されている。これを更に詳述す
ると、センターアップ56は、ウエハホルダ34の中央
部の開口部34Aと基板テーブル32中央部の開口部内
に所定のクリアランスを介して挿入されており、また、
前記センターアップ駆動機構58は、Xステージ28X
の最上面に固定され、モータ58Aとこのモータ58A
の回転運動をセンターアップ56の直線運動に変換する
変換機構とから構成されている。従って、センターアッ
プ56は、ウエハホルダ34及び基板テーブル32に対
し相対的にかつこれらとは独立して上下動可能になって
いる。換言すれば、基板テーブル32もセンターアップ
56に拘束されることなく、自由に傾斜動作が可能とな
っている。センターアップ58の最上面には、前述した
従来例と同様に、単数又は複数のウエハWとの接触部が
設けられ、この接触部では不図示の不図示の配管系を介
して接続された真空ポンプの吸引力によりウエハWを吸
着固定できるようになっている。FIG. 3 shows a schematic structure of the wafer vertical movement mechanism and the leveling sensor 52. In FIG. 3, the wafer up-and-down moving mechanism drives the center-up 56, which includes a substrate table 32 and a stepped columnar component that can move up-and-down relative to the wafer holder 34 on the substrate table 32, and the center-up 56. It is composed of a center-up drive mechanism 58. More specifically, the center-up 56 is inserted through a predetermined clearance into the central opening 34A of the wafer holder 34 and the central opening of the substrate table 32.
The center-up drive mechanism 58 is the X stage 28X.
Is fixed to the uppermost surface of the motor 58A and this motor 58A
And a conversion mechanism for converting the rotational movement of the above into the linear movement of the center-up 56. Therefore, the center-up 56 can move up and down relatively to the wafer holder 34 and the substrate table 32 and independently of them. In other words, the substrate table 32 is also not restricted by the center-up 56 and can freely tilt. Similar to the conventional example described above, a contact portion with one or a plurality of wafers W is provided on the uppermost surface of the center-up 58, and this contact portion has a vacuum connected through a piping system (not shown). The wafer W can be sucked and fixed by the suction force of the pump.
【0027】前記レベリングセンサ52は、図3に示さ
れるように、例えば光源52A、コリメートレンズ52
B、集光レンズ52C及び4分割受光素子等から成る位
置検出器52Dを含んで構成される。これによれば、図
3に示されるように、光源52Aからの照明光はコリメ
ートレンズ52Bにより平行光に変換され、この平行光
はZ軸に対して所定角度傾斜した光軸上を進み、ウエハ
W表面で反射され、この反射光束が集光レンズ52Cを
介して位置検出器52Dの受光面で結像する。従って、
ウエハW表面の傾きに応じて位置検出器52Dの受光面
上での結像位置がずれるので、この結像位置の情報から
ウエハW表面の傾斜量(ローリング量、ピッチング量)
を知ることが出来る。このように、本実施形態の露光装
置10では、ウエハ表面の傾斜角を測定する測定手段と
して、コリメータの原理を利用したレベリングセンサ5
2が採用されているので、ウエハW表面が必ずしも投影
光学系PLの焦点面と合致していなくても傾斜角が測定
可能である。The leveling sensor 52 is, for example, as shown in FIG. 3, a light source 52A and a collimating lens 52.
B, a condenser lens 52C, and a position detector 52D including a four-division light receiving element and the like. According to this, as shown in FIG. 3, the illumination light from the light source 52A is converted into parallel light by the collimator lens 52B, and this parallel light travels on the optical axis inclined by a predetermined angle with respect to the Z axis, and the wafer It is reflected by the W surface, and this reflected light beam forms an image on the light receiving surface of the position detector 52D via the condenser lens 52C. Therefore,
Since the image forming position on the light receiving surface of the position detector 52D is shifted according to the inclination of the surface of the wafer W, the amount of inclination (rolling amount, pitching amount) of the surface of the wafer W is obtained from the information of the image forming position.
You can know As described above, in the exposure apparatus 10 of the present embodiment, the leveling sensor 5 utilizing the principle of the collimator is used as the measuring means for measuring the tilt angle of the wafer surface.
Since No. 2 is adopted, the tilt angle can be measured even if the surface of the wafer W does not necessarily match the focal plane of the projection optical system PL.
【0028】図4には、上述した露光装置10のウエハ
W受け渡しに関連する制御系の構成が示されている。こ
の制御系は、CPU(中央処理装置)、ROM、RAM
等を含んで構成されたマイクロコンピュータ(又はミニ
コンピュータ)から成る主制御装置60を中心に構成さ
れており、この主制御装置60の入力側には、X軸用レ
ーザ干渉計38X、Y干渉計38Y及びレベリングセン
サ52等が接続されている。また、この主制御装置60
の出力側には、駆動系29、上下ティルティング機構3
0、センターアップ駆動機構58、前述したウエハロー
ダ駆動系を制御するウエハローダ制御系62及び光源5
2Aをオン・オフする光源スイッチ(光源SW)64等
が接続されている。FIG. 4 shows the configuration of a control system related to the delivery of the wafer W of the exposure apparatus 10 described above. This control system consists of a CPU (central processing unit), ROM, RAM
The main control unit 60 is mainly composed of a microcomputer (or a minicomputer) including the above, and the X-axis laser interferometer 38X, Y interferometer is provided on the input side of the main control unit 60. 38Y, the leveling sensor 52, etc. are connected. The main controller 60
The output side of the drive system 29, the vertical tilting mechanism 3
0, a center-up drive mechanism 58, a wafer loader control system 62 for controlling the wafer loader drive system described above, and a light source 5.
A light source switch (light source SW) 64 for turning the 2A on and off is connected.
【0029】次に、主制御装置60内CPUの主要な制
御アルゴリズムを示す図5のフローチャートに基づい
て、ウエハホルダ34へのウエハWの受け渡し時の動作
について説明する。Next, the operation of transferring the wafer W to the wafer holder 34 will be described based on the flowchart of FIG. 5 showing the main control algorithm of the CPU in the main controller 60.
【0030】まず、ステップ100でウエハローダ制御
系62にウエハ供給を命令した後、ステップ102に進
んで所定の受け渡し位置までウエハWが搬送されるのを
待つ。First, in step 100, after instructing the wafer loader control system 62 to supply a wafer, the process proceeds to step 102 to wait until the wafer W is transferred to a predetermined delivery position.
【0031】ウエハローダ制御系62では、ウエハ供給
命令を受け、ウエハローダ駆動系を介してロードアーム
48A及びY軸ガイド46を駆動してウエハカセット4
4からロードアーム48AによりウエハWを取り出して
所定の受け渡し位置まで搬送する。The wafer loader control system 62 receives the wafer supply command and drives the load arm 48A and the Y-axis guide 46 through the wafer loader drive system to drive the wafer cassette 4.
The wafer W is taken out from the No. 4 by the load arm 48A and is transferred to a predetermined delivery position.
【0032】ウエハWが受け渡し位置まで搬送される
と、ステップ102における判断が肯定され、ステップ
104に進んでXステージ28X、Yステージ28Yを
駆動して受け渡し位置まで基板テーブル32を移動す
る。この移動の際の基板テーブル32の位置決めはレー
ザ干渉計38X、38Yの計測値をモニタしつつ駆動系
29を制御することにより行われる。ここで、受け渡し
位置までウエハWが搬送されたか否かの判断は、主制御
装置60の側でロードアーム48Aの位置をモニタして
行っても良いが、ウエハローダ制御系62から搬送完了
コマンドを受け取るようにしてこのコマンドに基づいて
行うようにしても良い。When the wafer W is transferred to the delivery position, the determination at step 102 is affirmative, and the routine proceeds to step 104, where the X stage 28X and the Y stage 28Y are driven to move the substrate table 32 to the delivery position. The positioning of the substrate table 32 during this movement is performed by controlling the drive system 29 while monitoring the measurement values of the laser interferometers 38X and 38Y. Here, the main controller 60 may monitor the position of the load arm 48A to determine whether or not the wafer W has been transferred to the delivery position, but a transfer completion command is received from the wafer loader control system 62. Thus, the command may be performed based on this command.
【0033】なお、受け渡し位置への基板テーブル32
の移動は、受け渡し位置へのウエハWの搬送に先立って
行っても良く、あるいはこの動作と同時に行っても良
い。The substrate table 32 to the transfer position
May be performed prior to the transfer of the wafer W to the delivery position, or may be performed simultaneously with this operation.
【0034】次のステップ106ではセンターアップ駆
動機構58を介してセンターアップ56を上昇駆動す
る。これにより、センターアップ56が上昇してウエハ
ローダのロードアーム48Aに保持されているウエハW
を下方から持ち上げて保持する。なお、このとき、ロー
ドアーム48Aの吸着部50によるウエハWの吸引は解
除されており、また、ウエハWに接触すると同時にセン
ターアップ56の接触部によるウエハWの吸引が開始さ
れる。In the next step 106, the center-up drive mechanism 58 is used to drive the center-up 56 upward. As a result, the center up 56 rises and the wafer W held by the load arm 48A of the wafer loader is moved.
Hold from below. At this time, the suction of the wafer W by the suction portion 50 of the load arm 48A is released, and at the same time when the wafer W is contacted, the suction of the wafer W by the contact portion of the center-up 56 is started.
【0035】次のステップ108では、ロードアーム4
8Aがステージ装置20と干渉しない位置まで退避する
のを待つ。このロードアーム48Aの退避は、例えばロ
ードアーム48AからウエハWが離れたことを不図示の
センサを介してウエハローダ制御系62が検知して開始
される。In the next step 108, the load arm 4
Wait until 8A retracts to a position where it does not interfere with the stage device 20. The evacuation of the load arm 48A is started when the wafer loader control system 62 detects, for example, that the wafer W is separated from the load arm 48A via a sensor (not shown).
【0036】そして、ロードアーム48Aの位置のモニ
タ結果、あるいはウエハローダ制御系62からの退避完
了コマンドに基づいてロードアーム48Aがステージ装
置20と干渉しない位置まで退避したことを確認する
と、ステップ110に進み、センターアップ駆動機構5
8を介してセンターアップ56を所定量下降駆動する。
これはレベリングセンサ52により、ウエハW表面の傾
斜を測定できる高さまでウエハWを下げるためである。When it is confirmed that the load arm 48A has retracted to a position where it does not interfere with the stage device 20 based on the result of monitoring the position of the load arm 48A or the retract completion command from the wafer loader control system 62, the routine proceeds to step 110. , Center-up drive mechanism 5
The center up 56 is driven downward by a predetermined amount via 8.
This is because the leveling sensor 52 lowers the wafer W to a height at which the inclination of the surface of the wafer W can be measured.
【0037】次のステップ112では、レベリングセン
サ52を用いてウエハホルダ34への受け渡し前にセン
ターアップ56に保持されたウエハW表面の傾斜量を測
定する。この測定は、光源スイッチ64をオンにしてレ
ベリングセンサ52の光源52Aから照明光をウエハW
表面に照射させ、このときの位置検出器52Dの出力に
基づいて傾斜量を演算することにより行われる。In the next step 112, the leveling sensor 52 is used to measure the amount of inclination of the surface of the wafer W held by the center-up 56 before the wafer W is transferred to the wafer holder 34. In this measurement, the light source switch 64 is turned on, and the illumination light is emitted from the light source 52A of the leveling sensor 52 on the wafer W.
It is performed by irradiating the surface and calculating the tilt amount based on the output of the position detector 52D at this time.
【0038】次のステップ114では、上記ステップ1
12における傾斜量の測定結果に基づいて未だウエハW
と接触していないウエハホルダ34上面(ウエハWとの
接触面)がウエハ面と平行になるように(すなわちウエ
ハ面の傾斜とウエハホルダ34上面との傾斜角の差θが
ゼロとなるように)、上下ティルティング機構30を介
して基板テーブル32の傾斜を調整する。これにより、
センターアップ56からウエハホルダ34がウエハWを
受け取る前に、ウエハホルダ34上面とウエハ面との傾
斜角の差をほぼゼロに追い込むことが出来る。In the next step 114, the above step 1
Wafer W based on the measurement result of the tilt amount in No. 12
So that the upper surface of the wafer holder 34 (contact surface with the wafer W) not in contact with is parallel to the wafer surface (that is, the difference θ between the inclination of the wafer surface and the upper surface of the wafer holder 34 is zero). The tilt of the substrate table 32 is adjusted via the vertical tilting mechanism 30. This allows
Before the wafer holder 34 receives the wafer W from the center-up 56, the difference in inclination angle between the upper surface of the wafer holder 34 and the wafer surface can be reduced to almost zero.
【0039】次のステップ116ではセンターアップ駆
動機構58を介してウエハホルダ34上面にウエハWの
裏面が接触するまでセンターアップ56を下降駆動し、
本ルーチンの一連の制御動作を終了する。この後、セン
ターアップ56によるウエハWの吸引が解除されると同
時に、ウエハホルダ34によるウエハWの吸引が開始さ
れ、これにより、ウエハWのウエハホルダ34への受け
渡しが完了する。At the next step 116, the center-up drive mechanism 58 is used to drive the center-up 56 downwardly until the upper surface of the wafer holder 34 contacts the upper surface of the wafer W.
A series of control operations of this routine are finished. Thereafter, the suction of the wafer W by the center-up 56 is released, and at the same time, the suction of the wafer W by the wafer holder 34 is started, whereby the delivery of the wafer W to the wafer holder 34 is completed.
【0040】これまでの説明から明らかなように、本実
施形態では、センターアップ56及びセンターアップ駆
動機構58とから成る受け渡し機構と、これを制御する
主制御装置60との機能によって受け渡し手段が実現さ
れ、主制御装置の機能によって制御手段が実現される。As is clear from the above description, in this embodiment, the delivery means is realized by the functions of the delivery mechanism including the center-up 56 and the center-up drive mechanism 58 and the main controller 60 that controls the delivery mechanism. The control means is realized by the function of the main controller.
【0041】以上説明したように、本実施形態の露光装
置10によると、ウエハホルダ34へのウエハWの受け
渡し直前にウエハホルダ34上面とウエハ面との傾斜角
の差θをほぼゼロに追い込むことが出来るので、ウエハ
Wがウエハホルダ34上に載置される際の角度差θに起
因する位置ずれの発生を確実に防止することができ、こ
れによりウエハWとウエハホルダ34の位置ずれの要
因、ひいてはウエハW上のショット領域の露光時の位置
決め精度悪化の要因の一つを確実に排除することができ
る。更には、従来、センターアップ56の上面とウエハ
ホルダ34上面との平行度に関しては相当にシビアな精
度が要求され、これを実現できる設計・製造工程をとら
ざるを得なかったが、製造後にこの調整が可能となるの
で、従来のような平行度に関するシビアな精度は要求さ
れなくなるので、設計・製造上のコストダウンを図るこ
とが出来るようになる。As described above, according to the exposure apparatus 10 of the present embodiment, the difference θ in inclination angle between the upper surface of the wafer holder 34 and the wafer surface can be driven to almost zero immediately before the wafer W is transferred to the wafer holder 34. Therefore, it is possible to reliably prevent the occurrence of the positional deviation due to the angular difference θ when the wafer W is placed on the wafer holder 34, which causes the positional deviation between the wafer W and the wafer holder 34, and thus the wafer W. It is possible to reliably eliminate one of the factors that deteriorate the positioning accuracy during exposure of the upper shot area. Further, conventionally, the degree of parallelism between the upper surface of the center-up 56 and the upper surface of the wafer holder 34 is required to be considerably strict, and a design / manufacturing process that can achieve this has been unavoidable. Since it is possible to reduce the cost in designing / manufacturing, it is not necessary to have the severe accuracy related to the parallelism as in the conventional case.
【0042】《第2の実施形態》次に、本発明の第2の
実施形態を図6ないし図7に基づいて説明する。ここ
で、前述した第1の実施形態と同一若しくは同等の構成
部分については同一の符号を用いるとともにその説明を
簡略化し若しくは省略するものとする。<< Second Embodiment >> Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Here, the same reference numerals will be used for the same or equivalent components as in the first embodiment described above, and the description thereof will be simplified or omitted.
【0043】本第2実施形態は、前述した第1の実施形
態におけるレベリングセンサ52に代えて、計測手段と
していわゆる斜入射光式の多点焦点位置検出機構70が
用いられている点に特徴を有する。The second embodiment is characterized in that a so-called oblique incident light type multi-point focal position detecting mechanism 70 is used as a measuring means in place of the leveling sensor 52 in the first embodiment. Have.
【0044】図6には、本実施形態の計測手段としての
多点焦点位置検出機構70がウエハ上下動機構とともに
示されている。この多点焦点位置検出機構70は、光源
70A、投影スリット板70B、投影レンズ(送光光学
系)70C、受光レンズ(受光光学系)70D、受光セ
ンサ70E及び不図示の受光スリット板等を含んで構成
されている。投影レンズ70Cの光軸と受光レンズ70
Dの光軸とは、Z軸(投影光学系PLの光軸)に関して
対称となっている。ここで、投影スリット板70Bに
は、複数のスリットが形成されており、光源70Aから
の光により投影スリット板70Bが照明されると、これ
らのスリットの像が投影レンズ70Cを介してウエハW
表面に結像し、この像が受光レンズ70Dを介して不図
示の受光スリット板上に再結像し、各像が受光センサ
(これは、スリット像にそれぞれ対応して設けられた複
数のフォトダイオード等の受光素子から成る)70Eに
よってそれぞれ検出され、ウエハW表面の各スリット像
位置のZ軸方向位置に対応した焦点ずれ信号(デフォー
カス信号)が各受光素子から出力される。この場合は、
焦点検出面が投影光学系PLの焦点面と一致した構成を
とることになるため、センターアップ56上のウエハW
を投影光学系PLの焦点面とほぼ合致させなければなら
ない。FIG. 6 shows a multipoint focal position detecting mechanism 70 as the measuring means of this embodiment together with a wafer up-and-down moving mechanism. The multi-point focus position detection mechanism 70 includes a light source 70A, a projection slit plate 70B, a projection lens (light transmitting optical system) 70C, a light receiving lens (light receiving optical system) 70D, a light receiving sensor 70E, and a light receiving slit plate (not shown). It is composed of. Optical axis of projection lens 70C and light receiving lens 70
The optical axis of D is symmetrical with respect to the Z axis (optical axis of the projection optical system PL). Here, a plurality of slits are formed in the projection slit plate 70B, and when the light from the light source 70A illuminates the projection slit plate 70B, images of these slits are transferred to the wafer W via the projection lens 70C.
An image is formed on the surface, and this image is re-imaged on a light-receiving slit plate (not shown) via the light-receiving lens 70D, and each image is formed by a light-receiving sensor (a plurality of photosensors provided corresponding to the slit images respectively). A defocus signal (defocus signal) corresponding to the position of each slit image on the surface of the wafer W in the Z-axis direction is output from each light receiving element. in this case,
Since the focus detection surface has the same structure as the focus surface of the projection optical system PL, the wafer W on the center-up 56 is
Should substantially coincide with the focal plane of the projection optical system PL.
【0045】その他の部分の構成等は、主制御装置60
の制御アルゴリズムが僅かに異なっている点を除き、前
述した第1の実施形態と同様である。The configuration of the other parts is the same as that of the main controller 60.
Is the same as that of the above-described first embodiment, except that the control algorithm is slightly different.
【0046】次に、本第2の実施形態に係る主制御装置
内CPUの主要な制御アルゴリズムを示す図7のフロー
チャートに基づいて、ウエハホルダ34へのウエハWの
受け渡し時の動作について説明する。Next, the operation when the wafer W is delivered to the wafer holder 34 will be described based on the flowchart of FIG. 7 showing the main control algorithm of the CPU in the main controller according to the second embodiment.
【0047】ステップ200〜ステップ208では第1
の実施形態におけるステップ100〜ステップ108と
同様の制御動作を行うので、この説明については省略す
る。In steps 200 to 208, the first
Since the same control operation as that of steps 100 to 108 in the above embodiment is performed, description thereof will be omitted.
【0048】ステップ208の待ち状態において、ロー
ドアーム48Aがステージ装置20と干渉しない位置ま
で退避すると、ステップ209に進んでセンターアップ
56によりウエハWを保持した状態のまま、基板テーブ
ル32を所定量下降駆動する。これは、前述した如く、
本実施形態の場合は、センターアップ56上のウエハW
を投影光学系PLの焦点面とほぼ合致させた状態で多点
焦点位置検出機構70による測定を行う必要があること
から、後述するウエハW表面の傾斜量測定のために、ウ
エハW表面が投影光学系PLの焦点面近傍に位置するよ
うセンターアップ56を下降駆動した状態でウエハホル
ダ34上面にウエハWが接触しないように、予め上下テ
ィルティング機構30を駆動して基板テーブル32を下
降するものである。In the waiting state of step 208, when the load arm 48A retracts to a position where it does not interfere with the stage device 20, the process proceeds to step 209 and the substrate table 32 is lowered by a predetermined amount while the wafer W is held by the center up 56. To drive. This is as mentioned above
In the case of the present embodiment, the wafer W on the center up 56
Since it is necessary to perform the measurement by the multipoint focus position detection mechanism 70 in a state in which is substantially matched with the focal plane of the projection optical system PL, the surface of the wafer W is projected for measuring the tilt amount of the surface of the wafer W described later. In order to prevent the wafer W from coming into contact with the upper surface of the wafer holder 34 while the center-up 56 is driven to descend near the focal plane of the optical system PL, the vertical tilting mechanism 30 is driven in advance to lower the substrate table 32. is there.
【0049】次のステップ210では、多点焦点位置検
出機構70によりウエハW表面の傾斜を測定できる高さ
までセンターアップ駆動機構58を介してセンターアッ
プ56を所定量下降駆動する。In the next step 210, the center-up drive mechanism 58 drives the center-up 56 downward by a predetermined amount to a height at which the tilt of the surface of the wafer W can be measured by the multi-point focus position detection mechanism 70.
【0050】次のステップ212では、多点焦点位置検
出機構70を用いてウエハホルダ34への受け渡し前に
センターアップ56に保持されたウエハW表面の傾斜量
を測定する。この測定は、多点焦点位置検出機構70の
光源スイッチをオンにして光源70Aからの照明光によ
り投影スリット板70Bを照明し、投影レンズ70Cに
より複数のスリット像をウエハW表面に結像させ、各ス
リット像の光束を受光レンズ70Dを介して受光センサ
70Eで受光して得られる各スリット像位置に対応する
フォーカス信号に基づいてウエハW表面の少なくとも3
個所のZ軸方向位置情報を得、これらの位置情報を用い
て最小二乗法等の統計処理を行い近似面及びその傾斜を
算出することにより行われる。In the next step 212, the tilt amount of the surface of the wafer W held by the center-up 56 before the transfer to the wafer holder 34 is measured by using the multipoint focus position detection mechanism 70. In this measurement, the light source switch of the multipoint focal position detection mechanism 70 is turned on, the projection slit plate 70B is illuminated by the illumination light from the light source 70A, and a plurality of slit images are formed on the surface of the wafer W by the projection lens 70C. Based on the focus signal corresponding to each slit image position obtained by receiving the light flux of each slit image by the light receiving sensor 70E via the light receiving lens 70D, at least 3 on the surface of the wafer W
This is performed by obtaining position information in the Z-axis direction of a portion and performing statistical processing such as the least-squares method using these position information to calculate the approximate surface and its inclination.
【0051】次のステップ214以降では前述したステ
ップ114以降と同様の制御動作を行うことにより、ウ
エハWのウエハホルダ34への受け渡しが完了する。In the next step 214 and thereafter, the same control operation as in step 114 and thereafter is carried out to complete the transfer of the wafer W to the wafer holder 34.
【0052】以上説明した本第2の実施形態によると、
ステップ212、214の処理によりセンターアップ5
6からウエハホルダ34がウエハWを受け取る前に、ウ
エハホルダ34上面とウエハ面との傾斜角の差をほぼゼ
ロに追い込むことが出来るので、第1の実施形態と同様
に、ウエハWがウエハホルダ34上に載置される際のウ
エハホルダ34上面とウエハ面との傾斜角の差θに起因
する位置ずれの発生を確実に防止することができ、これ
によりウエハW上のショット領域の露光時の位置決め精
度悪化の要因の一つを確実に排除することができるとと
もに、設計・製造上のコストダウンを図ることが出来
る。According to the second embodiment described above,
Center up 5 by the processing of steps 212 and 214
Before the wafer holder 34 receives the wafer W from 6, the difference in the inclination angle between the upper surface of the wafer holder 34 and the wafer surface can be reduced to almost zero, so that the wafer W is placed on the wafer holder 34 as in the first embodiment. It is possible to reliably prevent the occurrence of positional deviation due to the difference θ in the tilt angle between the upper surface of the wafer holder 34 and the wafer surface when the wafer W is mounted, and thus the positioning accuracy of the shot area on the wafer W during exposure is deteriorated. It is possible to reliably eliminate one of the factors, and it is possible to reduce the design and manufacturing costs.
【0053】なお、上記第1、第2の実施形態では、ウ
エハWがセンターアップ56に受け渡される度毎にウエ
ハW表面の傾斜量の測定を行う場合について説明した
が、本発明がこれに限定されることはなく、主制御装置
60の制御アルゴリズムとして装置組上げ時・立ち上げ
時に1回だけ測定を行い、その測定結果を不図示のRA
M内に記憶しておき、それを装置定数として使用するよ
うなアルゴリスムを採用しても良い。この場合には、主
制御装置60の機能によって第2の制御手段が実現さ
れ、前述したフローチャートのステップ112、212
の処理を省略することができ、その分スループットの向
上を図ることが可能となる。但し、この場合には、ステ
ップ114、214における基板テーブル32の傾斜量
調整はRAM内に記憶された装置定数に基づいて行われ
る。In the first and second embodiments described above, the case where the inclination amount of the surface of the wafer W is measured every time the wafer W is transferred to the center-up 56 has been described. The control algorithm of the main control device 60 is not limited, but measurement is performed only once when the device is assembled / started up, and the measurement result is shown in RA (not shown).
An algorithm which is stored in M and used as a device constant may be adopted. In this case, the second control means is realized by the function of the main control device 60, and steps 112 and 212 of the above-described flowchart are performed.
The processing can be omitted, and the throughput can be improved accordingly. However, in this case, the tilt amount adjustment of the substrate table 32 in steps 114 and 214 is performed based on the device constant stored in the RAM.
【0054】また、光電コリメータ又は水泡式水準器な
どの汎用性の高い傾斜計測手段を使用して受け渡し位置
に搬送されたウエハの傾斜とウエハホルダの相対的な傾
斜計測を、ウエハホルダ及びウエハホルダに基板を受け
渡すための機構、例えばセンターアップの組み立て調整
時に予め一度だけ行ない、ウエハがウエハホルダに渡さ
れる度毎に、その受け渡しの途中でウエハホルダのウエ
ハとの接触面がウエハと平行になるように、傾斜計測の
結果を用いて基板テーブルの傾斜(又はウエハの傾斜)
を調整するようにしてもよい。この場合もスループット
の向上が期待できる。Further, the inclination of the wafer transferred to the transfer position and the relative inclination measurement of the wafer holder are measured by using a highly versatile inclination measuring means such as a photoelectric collimator or a water bubble level, and a substrate is placed on the wafer holder and the wafer holder. A mechanism for delivering, for example, performing only once in advance during center-up assembly adjustment, and tilting every time the wafer is delivered to the wafer holder so that the contact surface of the wafer holder with the wafer becomes parallel to the wafer during the delivery. Tilt the substrate table (or tilt the wafer) using the measurement results
May be adjusted. Also in this case, improvement in throughput can be expected.
【0055】但し、実際問題としては、ウエハは熱処理
等により、微少レベルで平面度が変動する可能性が高
く、これを考慮すると、毎回計測を行うことが望まし
い。However, as a practical problem, the flatness of the wafer is likely to fluctuate at a minute level due to heat treatment or the like, and in consideration of this, it is desirable to perform the measurement every time.
【0056】また、上記第1、第2の実施形態では上下
動するセンターアップ56を備えた装置について説明し
たが、本発明に係る受け渡し方法はこのような装置にの
み適用されるものではなく、例えばウエハローダの搬送
アーム自体が上下動可能とされていてもよい。この場合
には、ウエハホルダ34への受け渡し前にウエハW表面
の傾斜を測定するためには、図8に示されるように搬送
アーム48に保持された状態のウエハの傾斜を専門に測
定するセンサ80をレベリングセンサ52とは、別に設
ける必要があるが、この場合であっても、本発明方法は
適用可能である。また、このセンサ80は、センターア
ップを備えた装置においてもレベリングセンサとは別に
受け渡し位置付近に設けておいても良い。このようにす
れば、投影光学系PLから離れた位置に受け渡し位置を
設定することが可能になる。In the first and second embodiments described above, the apparatus provided with the vertically moving center up 56 has been described, but the delivery method according to the present invention is not applied only to such an apparatus. For example, the transfer arm itself of the wafer loader may be vertically movable. In this case, in order to measure the inclination of the surface of the wafer W before the wafer is transferred to the wafer holder 34, a sensor 80 specialized for measuring the inclination of the wafer held by the transfer arm 48 as shown in FIG. Need to be provided separately from the leveling sensor 52, but even in this case, the method of the present invention can be applied. Further, the sensor 80 may be provided near the delivery position in addition to the leveling sensor even in the device having the center-up function. By doing so, it becomes possible to set the delivery position at a position away from the projection optical system PL.
【0057】さらに、上記第1、第2の実施形態では、
ウエハ受け渡し部材としてのセンターアップ56は、ウ
エハホルダ34中心部に上下動(昇降可能)に設けられ
ていたが、本発明がこれに限定されるものではない。例
えば、図9(A)、(B)に示されるようにウエハホル
ダ34中心と同心の円周上に中心角120度の間隔で配
置された3本の上下動ピン56Aから成るセンターアッ
プをウエハ受け渡し部材として用いてもよく、あるいは
図10(A)、(B)に示されるように、ウエハホルダ
34の中心に対して左右対称に配置され、ウエハ裏面の
両サイドに接触してウエハを保持可能な2本の上下動部
材56Bによってウエハ受け渡し部材を構成してもよ
い。いずれにしても、ウエハ中心が接触部で包括される
形状の中に入るような接触部を備えた受け渡し部材であ
れば、力学的に安定したウエハ支持が可能である。Furthermore, in the first and second embodiments described above,
The center-up 56 serving as a wafer transfer member is provided at the center of the wafer holder 34 so as to be vertically movable (movable up and down), but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIGS. 9 (A) and 9 (B), a center-up consisting of three vertical movement pins 56A arranged at intervals of a central angle of 120 degrees on a circle concentric with the center of the wafer holder 34 It may be used as a member, or, as shown in FIGS. 10A and 10B, it is arranged symmetrically with respect to the center of the wafer holder 34 and can hold the wafer by contacting both sides of the back surface of the wafer. A wafer transfer member may be constituted by the two vertical movement members 56B. In any case, if the delivery member is provided with a contact portion such that the center of the wafer falls within the shape covered by the contact portion, it is possible to support the wafer mechanically and stably.
【0058】[0058]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
板を基板ホルダに受け渡す際の基板の位置ずれの発生を
確実に抑制することが出来るという従来にない優れた効
果がある。As described above, according to the present invention, there is an unprecedented excellent effect that it is possible to surely suppress the occurrence of displacement of the substrate when the substrate is transferred to the substrate holder.
【図1】第1の実施形態に係る露光装置の全体構成を概
略的に示す正面図ある。FIG. 1 is a front view schematically showing an overall configuration of an exposure apparatus according to a first embodiment.
【図2】図1の装置において第1コラムの上板より上方
の部分を取り除いた状態を示す平面図ある。FIG. 2 is a plan view showing a state in which a portion above the upper plate of the first column is removed in the device of FIG.
【図3】ウエハ上下動機構及びレベリングセンサの概略
構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of a wafer vertical movement mechanism and a leveling sensor.
【図4】図1の装置の制御系の構成を示すブロック図で
ある。4 is a block diagram showing a configuration of a control system of the apparatus of FIG.
【図5】第1の実施形態に係る主制御装置内CPUの主
要な制御アルゴリスムを示すフローチャートである。FIG. 5 is a flowchart showing a main control algorithm of the CPU in the main control device according to the first embodiment.
【図6】第2の実施形態に係る計測手段としての多点焦
点位置検出機構をウエハ上下動機構とともに示す図あ
る。FIG. 6 is a diagram showing a multi-point focal position detection mechanism as a measuring unit according to a second embodiment together with a wafer vertical movement mechanism.
【図7】第2の実施形態に係る主制御装置内CPUの主
要な制御アルゴリスムを示すフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart showing a main control algorithm of the CPU in the main control device according to the second embodiment.
【図8】変形例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a modified example.
【図9】センターアップの他の構成を示す図であって、
(A)はウエハホルダ部分の平面図、(B)はウエハホ
ルダ部分の斜視図である。FIG. 9 is a diagram showing another configuration of center-up,
(A) is a plan view of the wafer holder portion, and (B) is a perspective view of the wafer holder portion.
【図10】センターアップのその他の構成を示す図であ
って、(A)はウエハホルダ部分の平面図、(B)はウ
エハホルダ部分の斜視図である。10A and 10B are diagrams showing another configuration of the center-up, wherein FIG. 10A is a plan view of a wafer holder portion, and FIG. 10B is a perspective view of the wafer holder portion.
【図11】従来例を説明するための図である。FIG. 11 is a diagram for explaining a conventional example.
10 露光装置 28X Xステージ(ステージ) 32 基板テーブル 34 ウエハホルダ(基板ホルダ) 48 搬送アーム 48A ロードアーム(搬送アーム) 52 レベリングセンサ(計測手段、レベリング検出機
構) 56 センターアップ(受け渡し機構の一部、受け渡し
手段の一部) 58 センターアップ駆動機構(受け渡し機構の一部、
受け渡し手段の一部) 60 主制御装置(制御手段、受け渡し手段の一部) 70 多点焦点位置検出機構(計測手段) W ウエハ(感光基板、基板) R レチクル(マスク) PL 投影光学系10 Exposure Device 28X X Stage (Stage) 32 Substrate Table 34 Wafer Holder (Substrate Holder) 48 Transfer Arm 48A Load Arm (Transfer Arm) 52 Leveling Sensor (Measurement Unit, Leveling Detection Mechanism) 56 Center Up (Part of Transfer Mechanism, Transfer) Part of the means 58 Center up drive mechanism (part of the transfer mechanism,
Part of transfer means 60 Main controller (control means, part of transfer means) 70 Multi-point focus position detection mechanism (measurement means) W Wafer (photosensitive substrate, substrate) R Reticle (mask) PL Projection optical system
Claims (8)
板を受け渡す基板の受け渡し方法であって、 所定の受け渡し位置に搬送される基板と前記基板ホルダ
との相対的な傾斜を計測する第1工程と;前記受け渡し
位置に基板を搬送する第2工程と;前記第1工程の計測
結果に基づいて、前記基板ホルダの基板との接触面が前
記受け渡し位置に搬送された基板と平行になるように、
前記受け渡し位置に搬送された基板及び前記基板ホルダ
の少なくとも一方の傾斜を調整する第3工程と;しかる
後、前記基板及び基板ホルダの傾斜を維持した状態で前
記基板を前記基板ホルダ上に載置する第4工程とを含む
ことを特徴とする基板の受け渡し方法。1. A substrate transfer method for transferring a substrate to a substrate holder provided on a stage, which measures a relative inclination between the substrate transported to a predetermined transfer position and the substrate holder. And a second step of transporting the substrate to the delivery position; and a contact surface of the substrate holder with the substrate that is in parallel with the substrate transported to the delivery position, based on the measurement result of the first step. To
A third step of adjusting the inclination of at least one of the substrate and the substrate holder conveyed to the transfer position; and thereafter, placing the substrate on the substrate holder while maintaining the inclination of the substrate and the substrate holder. And a fourth step of: delivering the substrate.
が搬送された後に行なわれることを特徴とする請求項1
に記載の基板の受け渡し方法。2. The first step is performed after the substrate is transported to the transfer position.
The method of delivering a substrate according to.
基板ホルダに基板を受け渡すための受け渡し機構の組み
立て調整時に行なわれることを特徴とする請求項1に記
載の基板の受け渡し方法。3. The substrate transfer method according to claim 1, wherein the first step is performed during assembly and adjustment of the substrate holder and a transfer mechanism for transferring the substrate to the substrate holder.
の計測は光電コリメータ又は水泡式水準器で行なうこと
を特徴とする請求項3に記載の基板の受け渡し方法。4. The substrate transfer method according to claim 3, wherein in the first step, the relative inclination is measured by a photoelectric collimator or a water bubble level.
系を介して感光基板上に投影露光する露光装置であっ
て、 2次元面内で移動可能なステージと;前記ステージ上に
搭載され、前記投影光学系の光軸方向の移動及び光軸に
対する傾斜が調整可能な基板テーブルと;前記基板テー
ブル上に搭載され、前記感光基板が載置される基板ホル
ダと;前記感光基板を所定の受け渡し位置まで搬送する
搬送アームと;前記搬送アームと前記基板ホルダ間の前
記感光基板の受け渡しを行う受け渡し手段と;前記感光
基板の傾斜を計測する計測手段と;前記受け渡し手段に
よって前記感光基板が前記基板ホルダに渡される度毎
に、その受け渡しの途中で前記計測手段を用いて前記感
光基板の傾斜を計測し、その計測結果に基づいて前記基
板ホルダの基板との接触面が前記感光基板と平行になる
ように前記基板テーブルの傾斜を調整する制御手段とを
有する露光装置。5. An exposure apparatus for projecting and exposing a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate via a projection optical system, comprising a stage movable in a two-dimensional plane; mounted on the stage, A substrate table capable of adjusting the movement of the projection optical system in the optical axis direction and an inclination with respect to the optical axis; a substrate holder mounted on the substrate table and on which the photosensitive substrate is placed; a predetermined transfer position of the photosensitive substrate A transfer arm that transfers the photosensitive substrate between the transfer arm and the substrate holder; a measuring unit that measures an inclination of the photosensitive substrate; and a transfer unit that transfers the photosensitive substrate to the substrate holder. Every time it is delivered to the substrate holder, the inclination of the photosensitive substrate is measured using the measuring means during the delivery, and the substrate of the substrate holder is determined based on the measurement result. Exposure device contact surface and a control means for adjusting the tilt of the substrate table so as to be parallel with the photosensitive substrate.
度だけ行なうとともに、前記感光基板が前記基板ホルダ
に渡される度毎に、その受け渡しの途中で前記基板ホル
ダの基板との接触面が前記感光基板と平行になるように
前記傾斜計測の結果を用いて前記基板テーブルの傾斜を
調整する第2の制御手段を備えることを特徴とする請求
項5に記載の露光装置。6. Instead of the control means, the measuring means is used to measure the inclination of the photosensitive substrate only once in advance, and each time the photosensitive substrate is delivered to the substrate holder, the process is performed during the delivery. 6. A second control means for adjusting the inclination of the substrate table by using the result of the inclination measurement so that the contact surface of the substrate holder with the substrate is parallel to the photosensitive substrate. The exposure apparatus according to.
数箇所の前記光軸方向位置を検出する多点焦点位置検出
機構であることを特徴とする請求項5又は6に記載の露
光装置。7. The exposure apparatus according to claim 5, wherein the measuring unit is a multipoint focus position detection mechanism that detects the positions of the photosensitive substrate surface at a plurality of positions in the optical axis direction.
記投影光学系の光軸に対して斜めの方向から平行光束を
照射しその反射光束の受光位置に基づいて前記感光基板
の傾斜を検出するレベリング検出機構であることを特徴
とする請求項5又は6に記載の露光装置。8. The measuring means irradiates the surface of the photosensitive substrate with a parallel light beam from a direction oblique to the optical axis of the projection optical system, and detects the inclination of the photosensitive substrate based on the light receiving position of the reflected light beam. 7. The exposure apparatus according to claim 5, wherein the exposure apparatus is a leveling detection mechanism.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP8154931A JPH09320948A (en) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | Substrate transfer method and exposure apparatus |
| KR1019970020697A KR970077122A (en) | 1996-05-27 | 1997-05-26 | Substrate delivery method and exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP8154931A JPH09320948A (en) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | Substrate transfer method and exposure apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09320948A true JPH09320948A (en) | 1997-12-12 |
Family
ID=15595079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8154931A Withdrawn JPH09320948A (en) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | Substrate transfer method and exposure apparatus |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970077122A (en) | 1997-12-12 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060921 |