JPH09323180A - スケーリング補正機能を持つレーザ描画装置 - Google Patents
スケーリング補正機能を持つレーザ描画装置Info
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- JPH09323180A JPH09323180A JP8163697A JP16369796A JPH09323180A JP H09323180 A JPH09323180 A JP H09323180A JP 8163697 A JP8163697 A JP 8163697A JP 16369796 A JP16369796 A JP 16369796A JP H09323180 A JPH09323180 A JP H09323180A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/704—Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 被描画体をレーザビームで走査させてそこに
描画行なうレーザ描画装置において、個々の被描画体の
寸法変動に対して適正でかつ精度の高いスケーリング補
正処理を行い得るようにする。 【解決手段】 被描画体をレーザビームでもって走査さ
せつつ該被描画体に対するレーザビームの明滅をラスタ
データに基づいて所定の周波数のクロックパルスに従っ
て制御して描画を行う。被描画体の寸法値を基準寸法値
と比較してその寸法差及びその大小関係を判別する。ク
ロックパルスの位相を寸法差に応じた所定の間隔でしか
も大小関係に応じて正側及び負側のいずれか一方に順次
シフトさせてその全シフト量を寸法差に実質的に一致せ
さるようにクロックパルスの出力を制御する。
描画行なうレーザ描画装置において、個々の被描画体の
寸法変動に対して適正でかつ精度の高いスケーリング補
正処理を行い得るようにする。 【解決手段】 被描画体をレーザビームでもって走査さ
せつつ該被描画体に対するレーザビームの明滅をラスタ
データに基づいて所定の周波数のクロックパルスに従っ
て制御して描画を行う。被描画体の寸法値を基準寸法値
と比較してその寸法差及びその大小関係を判別する。ク
ロックパルスの位相を寸法差に応じた所定の間隔でしか
も大小関係に応じて正側及び負側のいずれか一方に順次
シフトさせてその全シフト量を寸法差に実質的に一致せ
さるようにクロックパルスの出力を制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は被描画体をレーザビ
ームでもって走査させつつ該被描画体に対するレーザビ
ームの変調をラスタデータに基づいて所定の周波数のク
ロックパルスに従って制御して描画を行うレーザ描画装
置に関する。
ームでもって走査させつつ該被描画体に対するレーザビ
ームの変調をラスタデータに基づいて所定の周波数のク
ロックパルスに従って制御して描画を行うレーザ描画装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ描画装置は一般的には適当な被描
画体の表面に微細なパターンの描画に使用される。代表
的な使用例としては、プリント回路基板の製造過程での
回路パターンの描画が挙げられ、この場合被描画体とし
ては、フォトマスク用感光フィルムあるいは基板上のフ
ォトレジスト層となる。近年、回路パターンの設計プロ
セスからその描画プロセスに至る一連のプロセスが統合
化され、レーザ描画装置はその統合システムの一翼を担
っている。また、かかる統合システムには、レーザ描画
装置の他に、回路パターンの設計を行うＣＡＤ(Compute
r Aided Design)ステーション、このＣＡＤステーショ
ンで得られた回路パターンデータ即ちベクタデータに編
集処理を施すＣＡＭ(Computer Aided Manufacturing)ス
テーション等が設けられる。
画体の表面に微細なパターンの描画に使用される。代表
的な使用例としては、プリント回路基板の製造過程での
回路パターンの描画が挙げられ、この場合被描画体とし
ては、フォトマスク用感光フィルムあるいは基板上のフ
ォトレジスト層となる。近年、回路パターンの設計プロ
セスからその描画プロセスに至る一連のプロセスが統合
化され、レーザ描画装置はその統合システムの一翼を担
っている。また、かかる統合システムには、レーザ描画
装置の他に、回路パターンの設計を行うＣＡＤ(Compute
r Aided Design)ステーション、このＣＡＤステーショ
ンで得られた回路パターンデータ即ちベクタデータに編
集処理を施すＣＡＭ(Computer Aided Manufacturing)ス
テーション等が設けられる。
【０００３】ＣＡＭステーションで編集されたベクタデ
ータはレーザ描画装置に転送され、そこでベクタデータ
はラスタデータに変換される。レーザ描画装置では、フ
ォトマスク用感光フィルムあるいは基板上のフォトレジ
スト層等の被描画体上に回路パターンがかかるラスタデ
ータに基づいて描かれる。勿論、プリント回路基板を高
精度で製造するためには、回路パターンの描画は所定の
寸法形状で被描画体に対して所定位置で行なわれなけれ
ばならない。
ータはレーザ描画装置に転送され、そこでベクタデータ
はラスタデータに変換される。レーザ描画装置では、フ
ォトマスク用感光フィルムあるいは基板上のフォトレジ
スト層等の被描画体上に回路パターンがかかるラスタデ
ータに基づいて描かれる。勿論、プリント回路基板を高
精度で製造するためには、回路パターンの描画は所定の
寸法形状で被描画体に対して所定位置で行なわれなけれ
ばならない。
【０００４】回路パターンに所定の寸法形状を与える処
理、即ちスケーリング処理については上述のＣＡＭステ
ーションで行われる。被描画体が基板上のフォトレジス
ト層であるとき、かかる所定寸法形状の回路パターンは
該フォトレジスト層に対して所定位置に正確に位置決め
されなくてはならず、この場合にはかかる位置決めにつ
いてはレーザ描画装置側で行われる。即ち、フォトレジ
スト層に対する回路パターンの位置決めのために、その
基板の四隅には位置決めマークが設けられ、この位置決
めマークをＣＣＤカメラ等の固体撮像素子で読み取り、
その読取り位置をレーザ描画装置側の基準座標に対して
相対位置を求めることにより、回路パターンの描画位置
が決定され、このため回路パターンは基板上のフォトレ
ジスト層に対して所定位置に描かれ得ることになる。一
方、被描画体がフォトマスク用感光フィルムであると
き、該フォトマスク用感光フィルムには回路パターンの
描画時に位置決め基準マークも同時に描かれ、フォトマ
スクの作成後そのフォトマスクはかかる位置決め基準マ
ークを用いて基板上のフォトレジスト層に対して正確に
位置決めされることになる。
理、即ちスケーリング処理については上述のＣＡＭステ
ーションで行われる。被描画体が基板上のフォトレジス
ト層であるとき、かかる所定寸法形状の回路パターンは
該フォトレジスト層に対して所定位置に正確に位置決め
されなくてはならず、この場合にはかかる位置決めにつ
いてはレーザ描画装置側で行われる。即ち、フォトレジ
スト層に対する回路パターンの位置決めのために、その
基板の四隅には位置決めマークが設けられ、この位置決
めマークをＣＣＤカメラ等の固体撮像素子で読み取り、
その読取り位置をレーザ描画装置側の基準座標に対して
相対位置を求めることにより、回路パターンの描画位置
が決定され、このため回路パターンは基板上のフォトレ
ジスト層に対して所定位置に描かれ得ることになる。一
方、被描画体がフォトマスク用感光フィルムであると
き、該フォトマスク用感光フィルムには回路パターンの
描画時に位置決め基準マークも同時に描かれ、フォトマ
スクの作成後そのフォトマスクはかかる位置決め基準マ
ークを用いて基板上のフォトレジスト層に対して正確に
位置決めされることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、個々のフォ
トマスク用感光フィルムあるいは個々の基板にはその製
造条件や環境条件に起因する寸法上の変動が不可避的に
伴う。即ち、個々のフォトマスク用感光フィルムあるい
は個々の基板の寸法は適正な寸法に対して二次元方向に
伸縮するような態様で変動し、その変動量が許容値を越
えたときには、その変動量に応じてスケーリング補正処
理を行うことが必要である。例えば、フォトマスク用感
光フィルムあるいは個々の基板の寸法が適正な寸法に対
して二次元方向に伸張した場合には、その伸張量に応じ
て回路パターンの描画も二次元方向に伸張させて行うこ
とが必要であり、それとは反対に、フォトマスク用感光
フィルムあるいは個々の基板の寸法が適正な寸法に対し
て二次元方向に収縮した場合には、その収縮量に応じて
回路パターンの描画も二次元方向に収縮させて行うこと
が必要である。
トマスク用感光フィルムあるいは個々の基板にはその製
造条件や環境条件に起因する寸法上の変動が不可避的に
伴う。即ち、個々のフォトマスク用感光フィルムあるい
は個々の基板の寸法は適正な寸法に対して二次元方向に
伸縮するような態様で変動し、その変動量が許容値を越
えたときには、その変動量に応じてスケーリング補正処
理を行うことが必要である。例えば、フォトマスク用感
光フィルムあるいは個々の基板の寸法が適正な寸法に対
して二次元方向に伸張した場合には、その伸張量に応じ
て回路パターンの描画も二次元方向に伸張させて行うこ
とが必要であり、それとは反対に、フォトマスク用感光
フィルムあるいは個々の基板の寸法が適正な寸法に対し
て二次元方向に収縮した場合には、その収縮量に応じて
回路パターンの描画も二次元方向に収縮させて行うこと
が必要である。
【０００６】しかしながら、従来では、上述したような
スケーリング補正処理を適正にかつ精度よく行うことで
きないということが問題点として指摘されている。詳述
すると、例えば、一連のフォトマスク用感光フィルムあ
るいは基板が同一製造条件下でかつ同一環境条件下で製
造された場合には、その一連のフォトマスク用感光フィ
ルムあるいは基板には同程度の寸法変動が生じていると
して、その変動値を統計的に得て、その変動値を補正値
としてスケーリング補正処理が行われるので、そのよう
なスケーリング補正処理が個々のフォトマスク用感光フ
ィルムあるいは個々の基板に対して必ずしも最適な処理
であるとは言えない。というのは、実際には、かかる一
連のフォトマスク用感光フィルムあるいは基板間にも寸
法上の変動が生じているために、個々のフォトマスク用
感光フィルムあるいは個々の基板に対して適正なスケー
リング補正処理を施すことはできないからである。ま
た、スケーリング補正処理もスケーリング処理の場合と
同様に上述したＣＡＭステーションで行われるので、そ
の最小の補正処理単位はラスタデータの一画素単位とな
り、このためスケーリング補正処理自体をラスタデータ
の一画素単位以下で行うことは不可能である。
スケーリング補正処理を適正にかつ精度よく行うことで
きないということが問題点として指摘されている。詳述
すると、例えば、一連のフォトマスク用感光フィルムあ
るいは基板が同一製造条件下でかつ同一環境条件下で製
造された場合には、その一連のフォトマスク用感光フィ
ルムあるいは基板には同程度の寸法変動が生じていると
して、その変動値を統計的に得て、その変動値を補正値
としてスケーリング補正処理が行われるので、そのよう
なスケーリング補正処理が個々のフォトマスク用感光フ
ィルムあるいは個々の基板に対して必ずしも最適な処理
であるとは言えない。というのは、実際には、かかる一
連のフォトマスク用感光フィルムあるいは基板間にも寸
法上の変動が生じているために、個々のフォトマスク用
感光フィルムあるいは個々の基板に対して適正なスケー
リング補正処理を施すことはできないからである。ま
た、スケーリング補正処理もスケーリング処理の場合と
同様に上述したＣＡＭステーションで行われるので、そ
の最小の補正処理単位はラスタデータの一画素単位とな
り、このためスケーリング補正処理自体をラスタデータ
の一画素単位以下で行うことは不可能である。
【０００７】従って、本発明の目的は被描画体をレーザ
ビームでもって走査させつつ該被描画体に対するレーザ
ビームの変調をラスタデータに基づいて所定の周波数の
クロックパルスに従って制御して描画を行うレーザ描画
装置であって、個々の被描画体の寸法変動に対して適正
なスケーリング補正処理を施し得ると共にそのスケーリ
ング補正処理をラスタデータの一画素以下の単位で行い
得るレーザ描画装置に関する。
ビームでもって走査させつつ該被描画体に対するレーザ
ビームの変調をラスタデータに基づいて所定の周波数の
クロックパルスに従って制御して描画を行うレーザ描画
装置であって、個々の被描画体の寸法変動に対して適正
なスケーリング補正処理を施し得ると共にそのスケーリ
ング補正処理をラスタデータの一画素以下の単位で行い
得るレーザ描画装置に関する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の局面によ
るレーザ描画装置は被描画体をレーザビームでもって走
査させつつ該被描画体に対するレーザビームの変調をラ
スタデータに基づいて所定の周波数のクロックパルスに
従って制御して描画を行うものであって、被描画体の寸
法値を基準寸法値と比較してその寸法差及びその大小関
係を判別する寸法判別手段と、クロックパルスの位相を
寸法差に応じた所定の間隔でしかも大小関係に応じて正
側及び負側のいずれか一方に順次シフトさせてその全シ
フト量を寸法差に実質的に一致させるようにクロックパ
ルスの出力を制御するクロックパルス出力制御手段とを
具備して成るものである。
るレーザ描画装置は被描画体をレーザビームでもって走
査させつつ該被描画体に対するレーザビームの変調をラ
スタデータに基づいて所定の周波数のクロックパルスに
従って制御して描画を行うものであって、被描画体の寸
法値を基準寸法値と比較してその寸法差及びその大小関
係を判別する寸法判別手段と、クロックパルスの位相を
寸法差に応じた所定の間隔でしかも大小関係に応じて正
側及び負側のいずれか一方に順次シフトさせてその全シ
フト量を寸法差に実質的に一致させるようにクロックパ
ルスの出力を制御するクロックパルス出力制御手段とを
具備して成るものである。
【０００９】本発明の第１の局面によるレーザ描画装置
において、被描画体に対するレーザビームによる走査が
該レーザビームを該被描画体に対して偏向させることに
よって行われる場合にあっては、寸法判別手段によって
被描画体の寸法値が基準寸法値よりも大きいと判別され
たとき、クロックパルス出力制御手段はクロックパルス
の位相を正側に順次シフトさせてその全シフト量を寸法
差に実質的に一致させるようにクロックパルスの出力を
制御し、寸法判別手段によって被描画体の寸法値が基準
寸法値よりも小さいと判別されたとき、クロックパルス
出力制御手段はクロックパルスの位相を負側に順次シフ
トさせてその全シフト量を寸法差に実質的に一致させる
ようにクロックパルスの出力を制御するようになってい
る。
において、被描画体に対するレーザビームによる走査が
該レーザビームを該被描画体に対して偏向させることに
よって行われる場合にあっては、寸法判別手段によって
被描画体の寸法値が基準寸法値よりも大きいと判別され
たとき、クロックパルス出力制御手段はクロックパルス
の位相を正側に順次シフトさせてその全シフト量を寸法
差に実質的に一致させるようにクロックパルスの出力を
制御し、寸法判別手段によって被描画体の寸法値が基準
寸法値よりも小さいと判別されたとき、クロックパルス
出力制御手段はクロックパルスの位相を負側に順次シフ
トさせてその全シフト量を寸法差に実質的に一致させる
ようにクロックパルスの出力を制御するようになってい
る。
【００１０】また、本発明の第１の局面によるレーザ描
画装置において、被描画体に対するレーザビームによる
走査が該被描画体を該レーザビームに対して移動させる
ことによって行われる場合にあっては、寸法判別手段に
よって被描画体の寸法値が基準寸法値よりも大きいと判
別されたとき、クロックパルス出力制御手段はクロック
パルスの位相を負側に順次シフトさせてその全シフト量
を寸法差に実質的に一致させるようにクロックパルスの
出力を制御し、寸法判別手段によって被描画体の寸法値
が基準寸法値よりも小さいと判別されたとき、クロック
パルス出力制御手段はクロックパルスの位相を正側に順
次シフトさせてその全シフト量を寸法差に実質的に一致
させるようにクロックパルスの出力を制御するようにな
っている。
画装置において、被描画体に対するレーザビームによる
走査が該被描画体を該レーザビームに対して移動させる
ことによって行われる場合にあっては、寸法判別手段に
よって被描画体の寸法値が基準寸法値よりも大きいと判
別されたとき、クロックパルス出力制御手段はクロック
パルスの位相を負側に順次シフトさせてその全シフト量
を寸法差に実質的に一致させるようにクロックパルスの
出力を制御し、寸法判別手段によって被描画体の寸法値
が基準寸法値よりも小さいと判別されたとき、クロック
パルス出力制御手段はクロックパルスの位相を正側に順
次シフトさせてその全シフト量を寸法差に実質的に一致
させるようにクロックパルスの出力を制御するようにな
っている。
【００１１】本発明の第２の局面によるレーザ描画装置
は被描画体を偏向レーザビームでもって走査させつつ該
被描画体に対する偏向レーザビームの変調をラスタデー
タに基づいて所定の周波数のクロックパルスに従って制
御して描画を行うものであって、被描画体の寸法値を基
準寸法値と比較してその寸法差及びその大小関係を判別
する寸法判別手段と、この寸法判別手段によって被描画
体の寸法値が基準寸法値よりも大きいと判別されたと
き、クロックパルスの位相を寸法差に応じた所定の間隔
で正側に順次シフトさせてその全シフト量を寸法差に実
質的に一致させるようにクロックパルスの出力を制御
し、かつ該寸法判別手段によって被描画体の寸法値が基
準寸法値よりも小さいと判別されたとき、クロックパル
スの位相を寸法差に応じた所定の間隔で負側に順次シフ
トさせてその全シフト量を寸法差に一致させるようにク
ロックパルスの出力を制御するクロックパルス出力制御
手段とを具備して成るものである。
は被描画体を偏向レーザビームでもって走査させつつ該
被描画体に対する偏向レーザビームの変調をラスタデー
タに基づいて所定の周波数のクロックパルスに従って制
御して描画を行うものであって、被描画体の寸法値を基
準寸法値と比較してその寸法差及びその大小関係を判別
する寸法判別手段と、この寸法判別手段によって被描画
体の寸法値が基準寸法値よりも大きいと判別されたと
き、クロックパルスの位相を寸法差に応じた所定の間隔
で正側に順次シフトさせてその全シフト量を寸法差に実
質的に一致させるようにクロックパルスの出力を制御
し、かつ該寸法判別手段によって被描画体の寸法値が基
準寸法値よりも小さいと判別されたとき、クロックパル
スの位相を寸法差に応じた所定の間隔で負側に順次シフ
トさせてその全シフト量を寸法差に一致させるようにク
ロックパルスの出力を制御するクロックパルス出力制御
手段とを具備して成るものである。
【００１２】本発明の第２の局面によるレーザ描画装置
において、好ましくは、クロックパルス出力制御手段は
クロックパルスとして位相の異なる少なくとも２つ以上
のクロックパルスを発生させるクロックパルス発生手段
と、このクロックパルス発生手段からの少なくとも２つ
以上のクロックパルスを選択的に切り換えて出力するク
ロックパルス切換手段と、このクロックパルス切換手段
によるクロックパルスの切換を第１のクロックパルス出
力順序及び第２のクロックパルス出力順序のいずれかの
態様で行うかを制御するクロックパルス出力順序制御手
段とを包含する。第１のクロックパルス出力順序では、
少なくとも２つ以上のクロックパルスがその位相を正側
に順次シフトするような態様でクロックパルス切換手段
から出力され、第２のクロックパルス出力順序では、少
なくとも２つ以上のクロックパルスがその位相を負側に
順次シフトするような態様でクロックパルス切換手段か
ら出力される。寸法判別手段によって被描画体の寸法値
が基準寸法値よりも大きいと判別されたとき、クロック
パルス切換手段によるクロックパルスの切換がクロック
パルス出力順序制御手段によって第１のクロックパルス
出力順序で行われるように制御され、寸法判別手段によ
って被描画体の寸法値が基準寸法値よりも小さいと判別
されたとき、クロックパルス切換手段によるクロックパ
ルスの切換がクロックパルス出力順序制御手段によって
第２のクロックパルス出力順序で行われるように制御さ
れる。クロックパルス出力制御手段は、更に、被描画体
の寸法値と基準寸法値との寸法差が大きければ大きい
程、クロックパルス切換手段によるクロックパルスの切
換間隔を小さくするように該クロックパルス切換手段を
制御するクロックパルス切換間隔制御手段を包含する。
において、好ましくは、クロックパルス出力制御手段は
クロックパルスとして位相の異なる少なくとも２つ以上
のクロックパルスを発生させるクロックパルス発生手段
と、このクロックパルス発生手段からの少なくとも２つ
以上のクロックパルスを選択的に切り換えて出力するク
ロックパルス切換手段と、このクロックパルス切換手段
によるクロックパルスの切換を第１のクロックパルス出
力順序及び第２のクロックパルス出力順序のいずれかの
態様で行うかを制御するクロックパルス出力順序制御手
段とを包含する。第１のクロックパルス出力順序では、
少なくとも２つ以上のクロックパルスがその位相を正側
に順次シフトするような態様でクロックパルス切換手段
から出力され、第２のクロックパルス出力順序では、少
なくとも２つ以上のクロックパルスがその位相を負側に
順次シフトするような態様でクロックパルス切換手段か
ら出力される。寸法判別手段によって被描画体の寸法値
が基準寸法値よりも大きいと判別されたとき、クロック
パルス切換手段によるクロックパルスの切換がクロック
パルス出力順序制御手段によって第１のクロックパルス
出力順序で行われるように制御され、寸法判別手段によ
って被描画体の寸法値が基準寸法値よりも小さいと判別
されたとき、クロックパルス切換手段によるクロックパ
ルスの切換がクロックパルス出力順序制御手段によって
第２のクロックパルス出力順序で行われるように制御さ
れる。クロックパルス出力制御手段は、更に、被描画体
の寸法値と基準寸法値との寸法差が大きければ大きい
程、クロックパルス切換手段によるクロックパルスの切
換間隔を小さくするように該クロックパルス切換手段を
制御するクロックパルス切換間隔制御手段を包含する。
【００１３】本発明の第３の局面によるレーザ描画装置
は被描画体を偏向レーザビームでもって走査させつつ該
被描画体に対する偏向レーザビームの変調をラスタデー
タに基づいて所定の周波数のクロックパルスに従って制
御して描画を行うものであって、被描画体のレーザビー
ム走査方向に沿う寸法変動値を基準寸法値に基づいて検
出する寸法変動検出手段と、この寸法変動検出手段で検
出された寸法変動値を基準寸法値と比較してその寸法差
及びその大小関係を判別する寸法判別手段と、この寸法
判別手段によって被描画体の寸法変動値が基準寸法値よ
りも大きいと判別されたとき、クロックパルスの位相を
寸法差に応じた所定の間隔で正側に順次シフトさせてそ
の全シフト量を寸法差に実質的に一致させるようにクロ
ックパルスの出力を制御し、かつ該寸法判別手段によっ
て被描画体の寸法変動値が基準寸法値よりも小さいと判
別されたとき、クロックパルスの位相を寸法差に応じた
所定の間隔でクロックパルスの位相を負側にシフト順次
させてその全シフト量を寸法差に実質的に一致させるよ
うにクロックパルスの出力を制御するクロックパルス出
力制御手段とを具備して成るものである。
は被描画体を偏向レーザビームでもって走査させつつ該
被描画体に対する偏向レーザビームの変調をラスタデー
タに基づいて所定の周波数のクロックパルスに従って制
御して描画を行うものであって、被描画体のレーザビー
ム走査方向に沿う寸法変動値を基準寸法値に基づいて検
出する寸法変動検出手段と、この寸法変動検出手段で検
出された寸法変動値を基準寸法値と比較してその寸法差
及びその大小関係を判別する寸法判別手段と、この寸法
判別手段によって被描画体の寸法変動値が基準寸法値よ
りも大きいと判別されたとき、クロックパルスの位相を
寸法差に応じた所定の間隔で正側に順次シフトさせてそ
の全シフト量を寸法差に実質的に一致させるようにクロ
ックパルスの出力を制御し、かつ該寸法判別手段によっ
て被描画体の寸法変動値が基準寸法値よりも小さいと判
別されたとき、クロックパルスの位相を寸法差に応じた
所定の間隔でクロックパルスの位相を負側にシフト順次
させてその全シフト量を寸法差に実質的に一致させるよ
うにクロックパルスの出力を制御するクロックパルス出
力制御手段とを具備して成るものである。
【００１４】本発明の第３の局面によるレーザ描画装置
にあっては、好ましくは、寸法変動検出手段はレーザビ
ーム走査方向に沿って被描画体上に予め設けられた２つ
の位置決めマーク間の距離を測定し、その測定値を基準
寸法値と比較して該被描画体の寸法変動値を検出するよ
うになっている。
にあっては、好ましくは、寸法変動検出手段はレーザビ
ーム走査方向に沿って被描画体上に予め設けられた２つ
の位置決めマーク間の距離を測定し、その測定値を基準
寸法値と比較して該被描画体の寸法変動値を検出するよ
うになっている。
【００１５】また、本発明の第３の局面によるレーザ描
画装置において、好ましくは、クロックパルス出力制御
手段はクロックパルスとして位相の異なる少なくとも２
つ以上のクロックパルスを発生させるクロックパルス発
生手段と、このクロックパルス発生手段からの少なくと
も２つ以上のクロックパルスを選択的に切り換えて出力
するクロックパルス切換手段と、このクロックパルス切
換手段によるクロックパルスの切換を第１のクロックパ
ルス出力順序及び第２のクロックパルス出力順序のいず
れかの態様で行うかを制御するクロックパルス出力順序
制御手段とを包含する。第１のクロックパルス出力順序
では、少なくとも２つ以上のクロックパルスがその位相
を正側に順次シフトするような態様でクロックパルス切
換手段から出力され、第２のクロックパルス出力順序で
は、少なくとも２つ以上のクロックパルスがその位相を
負側に順次シフトするような態様でクロックパルス切換
手段から出力される。寸法判別手段によって被描画体の
寸法変動値が基準寸法値よりも大きいと判別されたと
き、クロックパルス切換手段によるクロックパルスの切
換がクロックパルス出力順序制御手段によって第１のク
ロックパルス出力順序で行われるように制御され、寸法
判別手段によって被描画体の寸法変動値が基準寸法値よ
りも小さいと判別されたとき、クロックパルス切換手段
によるクロックパルスの切換がクロックパルス出力順序
制御手段によって第２のクロックパルス出力順序で行わ
れるように制御される。クロックパルス出力制御手段
は、更に、被描画体の寸法変動値と基準寸法値との差が
大きければ大きい程、クロックパルス切換手段によるク
ロックパルスの切換間隔を小さくするように該クロック
パルス切換手段を制御するクロックパルス切換間隔制御
手段を包含する。
画装置において、好ましくは、クロックパルス出力制御
手段はクロックパルスとして位相の異なる少なくとも２
つ以上のクロックパルスを発生させるクロックパルス発
生手段と、このクロックパルス発生手段からの少なくと
も２つ以上のクロックパルスを選択的に切り換えて出力
するクロックパルス切換手段と、このクロックパルス切
換手段によるクロックパルスの切換を第１のクロックパ
ルス出力順序及び第２のクロックパルス出力順序のいず
れかの態様で行うかを制御するクロックパルス出力順序
制御手段とを包含する。第１のクロックパルス出力順序
では、少なくとも２つ以上のクロックパルスがその位相
を正側に順次シフトするような態様でクロックパルス切
換手段から出力され、第２のクロックパルス出力順序で
は、少なくとも２つ以上のクロックパルスがその位相を
負側に順次シフトするような態様でクロックパルス切換
手段から出力される。寸法判別手段によって被描画体の
寸法変動値が基準寸法値よりも大きいと判別されたと
き、クロックパルス切換手段によるクロックパルスの切
換がクロックパルス出力順序制御手段によって第１のク
ロックパルス出力順序で行われるように制御され、寸法
判別手段によって被描画体の寸法変動値が基準寸法値よ
りも小さいと判別されたとき、クロックパルス切換手段
によるクロックパルスの切換がクロックパルス出力順序
制御手段によって第２のクロックパルス出力順序で行わ
れるように制御される。クロックパルス出力制御手段
は、更に、被描画体の寸法変動値と基準寸法値との差が
大きければ大きい程、クロックパルス切換手段によるク
ロックパルスの切換間隔を小さくするように該クロック
パルス切換手段を制御するクロックパルス切換間隔制御
手段を包含する。
【００１６】本発明の第４の局面によるレーザ描画装置
は被描画体を偏向レーザビームでもって主走査方向に走
査させつつ該被描画体に対する偏向レーザビームの変調
をラスタデータに基づいて所定の周波数のクロックパル
スに従って制御しかつ被描画体を副走査方向に所定の周
波数の駆動パルスに従って駆動して描画を行うものであ
って、被描画体の主走査方向寸法値を主走査方向基準寸
法値と比較してその主走査方向寸法差及びその主走査方
向大小関係を判別する主走査方向寸法判別手段と、被描
画体の副走査方向寸法値を副走査方向基準寸法値と比較
してその副走査方向寸法差及びその副走査方向大小関係
を判別する副走査方向寸法判別手段と、主走査方向寸法
判別手段によって被描画体の主走査方向寸法値が主走査
方向基準寸法値よりも大きいと判別されたとき、クロッ
クパルスの位相を主走査方向寸法差に応じた所定の間隔
で正側に順次シフトさせてその全シフト量を主走査方向
寸法差に実質的に一致させるようにクロックパルスの出
力を制御し、かつ主走査方向寸法判別手段によって被描
画体の主走査方向寸法値が主走査方向基準寸法値よりも
小さいと判別されたとき、クロックパルスの位相を主走
査方向寸法差に応じた所定の間隔で負側に順次シフトさ
せてその全シフト量を主走査方向寸法差に一致させるよ
うにクロックパルスの出力を制御するクロックパルス出
力制御手段と、副走査方向寸法判別手段によって被描画
体の副走査方向寸法値が副走査方向基準寸法値よりも大
きいと判別されたとき、駆動パルスの位相を副走査方向
寸法差に応じた所定の間隔で負側に順次シフトさせてそ
の全シフト量を副走査方向寸法差に実質的に一致させる
ように駆動パルスの出力を制御し、かつ副走査方向寸法
判別手段によって被描画体の副走査方向寸法値が副走査
方向基準寸法値よりも小さいと判別されたとき、駆動パ
ルスの位相を副走査方向寸法差に応じた所定の間隔で正
側に順次シフトさせてその全シフト量を副走査方向寸法
差に一致させるように駆動パルスの出力を制御する駆動
パルス出力制御手段とを具備して成るものである。
は被描画体を偏向レーザビームでもって主走査方向に走
査させつつ該被描画体に対する偏向レーザビームの変調
をラスタデータに基づいて所定の周波数のクロックパル
スに従って制御しかつ被描画体を副走査方向に所定の周
波数の駆動パルスに従って駆動して描画を行うものであ
って、被描画体の主走査方向寸法値を主走査方向基準寸
法値と比較してその主走査方向寸法差及びその主走査方
向大小関係を判別する主走査方向寸法判別手段と、被描
画体の副走査方向寸法値を副走査方向基準寸法値と比較
してその副走査方向寸法差及びその副走査方向大小関係
を判別する副走査方向寸法判別手段と、主走査方向寸法
判別手段によって被描画体の主走査方向寸法値が主走査
方向基準寸法値よりも大きいと判別されたとき、クロッ
クパルスの位相を主走査方向寸法差に応じた所定の間隔
で正側に順次シフトさせてその全シフト量を主走査方向
寸法差に実質的に一致させるようにクロックパルスの出
力を制御し、かつ主走査方向寸法判別手段によって被描
画体の主走査方向寸法値が主走査方向基準寸法値よりも
小さいと判別されたとき、クロックパルスの位相を主走
査方向寸法差に応じた所定の間隔で負側に順次シフトさ
せてその全シフト量を主走査方向寸法差に一致させるよ
うにクロックパルスの出力を制御するクロックパルス出
力制御手段と、副走査方向寸法判別手段によって被描画
体の副走査方向寸法値が副走査方向基準寸法値よりも大
きいと判別されたとき、駆動パルスの位相を副走査方向
寸法差に応じた所定の間隔で負側に順次シフトさせてそ
の全シフト量を副走査方向寸法差に実質的に一致させる
ように駆動パルスの出力を制御し、かつ副走査方向寸法
判別手段によって被描画体の副走査方向寸法値が副走査
方向基準寸法値よりも小さいと判別されたとき、駆動パ
ルスの位相を副走査方向寸法差に応じた所定の間隔で正
側に順次シフトさせてその全シフト量を副走査方向寸法
差に一致させるように駆動パルスの出力を制御する駆動
パルス出力制御手段とを具備して成るものである。
【００１７】本発明の第４の局面によるレーザ描画装置
にあっては、好ましくは、クロックパルス出力制御手段
はクロックパルスとして位相の異なる少なくとも２つ以
上のクロックパルスを発生させるクロックパルス発生手
段と、このクロックパルス発生手段からの少なくとも２
つ以上のクロックパルスを選択的に切り換えて出力する
クロックパルス切換手段と、このクロックパルス切換手
段によるクロックパルスの切換を第１のクロックパルス
出力順序及び第２のクロックパルス出力順序のいずれか
の態様で行うかを制御するクロックパルス出力順序制御
手段とを包含する。第１のクロックパルス出力順序で
は、少なくとも２つ以上のクロックパルスがその位相を
正側に順次シフトするような態様でクロックパルス切換
手段から出力され、第２のクロックパルス出力順序で
は、少なくとも２つ以上のクロックパルスがその位相を
負側に順次シフトするような態様でクロックパルス切換
手段から出力される。主走査方向寸法判別手段によって
被描画体の主走査方向寸法値が主走査方向基準寸法値よ
りも大きいと判別されたとき、クロックパルス切換手段
によるクロックパルスの切換はクロックパルス出力順序
制御手段によって第１のクロックパルス出力順序で行わ
れるように制御され、主走査方向寸法判別手段によって
被描画体の主走査方向寸法値が主走査方向基準寸法値よ
りも小さいと判別されたとき、クロックパルス切換手段
によるクロックパルスの切換はクロックパルス出力順序
制御手段によって第２のクロックパルス出力順序で行わ
れるように制御されるようになっている。また、クロッ
クパルス出力制御手段は、更に、被描画体の主走査方向
寸法値と主基準寸法値との寸法差が大きければ大きい
程、クロックパルス切換手段によるクロックパルスの切
換間隔を小さくするように該クロックパルス切換手段を
制御するクロックパルス切換間隔制御手段を包含する。
にあっては、好ましくは、クロックパルス出力制御手段
はクロックパルスとして位相の異なる少なくとも２つ以
上のクロックパルスを発生させるクロックパルス発生手
段と、このクロックパルス発生手段からの少なくとも２
つ以上のクロックパルスを選択的に切り換えて出力する
クロックパルス切換手段と、このクロックパルス切換手
段によるクロックパルスの切換を第１のクロックパルス
出力順序及び第２のクロックパルス出力順序のいずれか
の態様で行うかを制御するクロックパルス出力順序制御
手段とを包含する。第１のクロックパルス出力順序で
は、少なくとも２つ以上のクロックパルスがその位相を
正側に順次シフトするような態様でクロックパルス切換
手段から出力され、第２のクロックパルス出力順序で
は、少なくとも２つ以上のクロックパルスがその位相を
負側に順次シフトするような態様でクロックパルス切換
手段から出力される。主走査方向寸法判別手段によって
被描画体の主走査方向寸法値が主走査方向基準寸法値よ
りも大きいと判別されたとき、クロックパルス切換手段
によるクロックパルスの切換はクロックパルス出力順序
制御手段によって第１のクロックパルス出力順序で行わ
れるように制御され、主走査方向寸法判別手段によって
被描画体の主走査方向寸法値が主走査方向基準寸法値よ
りも小さいと判別されたとき、クロックパルス切換手段
によるクロックパルスの切換はクロックパルス出力順序
制御手段によって第２のクロックパルス出力順序で行わ
れるように制御されるようになっている。また、クロッ
クパルス出力制御手段は、更に、被描画体の主走査方向
寸法値と主基準寸法値との寸法差が大きければ大きい
程、クロックパルス切換手段によるクロックパルスの切
換間隔を小さくするように該クロックパルス切換手段を
制御するクロックパルス切換間隔制御手段を包含する。
【００１８】一方、本発明の第４の局面によるレーザ描
画装置にあっては、好ましくは、駆動パルス出力制御手
段は駆動パルスとして位相の異なる少なくとも２つ以上
の駆動パルスを発生させる駆動パルス発生手段と、この
駆動パルス発生手段からの少なくとも２つ以上の駆動パ
ルスを選択的に切り換えて出力する駆動パルス切換手段
と、この駆動パルス切換手段による駆動パルスの切換を
第１の駆動パルス出力順序及び第２の駆動パルス出力順
序のいずれかの態様で行うかを制御する駆動パルス出力
順序制御手段とを包含する。第１の駆動パルス出力順序
では、少なくとも２つ以上の駆動パルスがその位相を負
側に順次シフトするような態様で駆動パルス切換手段か
ら出力され、第２の駆動パルス出力順序では、少なくと
も２つ以上の駆動パルスがその位相を正側に順次シフト
するような態様で駆動パルス切換手段から出力される。
副走査方向寸法判別手段によって被描画体の副走査方向
寸法値が副走査方向基準寸法値よりも大きいと判別され
たとき、駆動パルス切換手段による駆動パルスの切換は
駆動パルス出力順序制御手段によって第１の駆動パルス
出力順序で行われるように制御され、副走査方向寸法判
別手段によって被描画体の副走査方向寸法値が副走査方
向基準寸法値よりも小さいと判別されたとき、駆動パル
ス切換手段による駆動パルスの切換は駆動パルス出力順
序制御手段によって第２の駆動パルス出力順序で行われ
るように制御される。また、駆動パルス出力制御手段
は、更に、被描画体の副走査方向寸法値と副基準寸法値
との寸法差が大きければ大きい程、駆動パルス切換手段
による駆動パルスの切換間隔を小さくするように該駆動
パルス切換手段を制御する駆動パルス切換間隔制御手段
を包含する。
画装置にあっては、好ましくは、駆動パルス出力制御手
段は駆動パルスとして位相の異なる少なくとも２つ以上
の駆動パルスを発生させる駆動パルス発生手段と、この
駆動パルス発生手段からの少なくとも２つ以上の駆動パ
ルスを選択的に切り換えて出力する駆動パルス切換手段
と、この駆動パルス切換手段による駆動パルスの切換を
第１の駆動パルス出力順序及び第２の駆動パルス出力順
序のいずれかの態様で行うかを制御する駆動パルス出力
順序制御手段とを包含する。第１の駆動パルス出力順序
では、少なくとも２つ以上の駆動パルスがその位相を負
側に順次シフトするような態様で駆動パルス切換手段か
ら出力され、第２の駆動パルス出力順序では、少なくと
も２つ以上の駆動パルスがその位相を正側に順次シフト
するような態様で駆動パルス切換手段から出力される。
副走査方向寸法判別手段によって被描画体の副走査方向
寸法値が副走査方向基準寸法値よりも大きいと判別され
たとき、駆動パルス切換手段による駆動パルスの切換は
駆動パルス出力順序制御手段によって第１の駆動パルス
出力順序で行われるように制御され、副走査方向寸法判
別手段によって被描画体の副走査方向寸法値が副走査方
向基準寸法値よりも小さいと判別されたとき、駆動パル
ス切換手段による駆動パルスの切換は駆動パルス出力順
序制御手段によって第２の駆動パルス出力順序で行われ
るように制御される。また、駆動パルス出力制御手段
は、更に、被描画体の副走査方向寸法値と副基準寸法値
との寸法差が大きければ大きい程、駆動パルス切換手段
による駆動パルスの切換間隔を小さくするように該駆動
パルス切換手段を制御する駆動パルス切換間隔制御手段
を包含する。
【００１９】本発明の第５の局面によるレーザ描画装置
は被描画体を偏向レーザビームでもって主走査方向に走
査させつつ該被描画体に対する偏向レーザビームの変調
をラスタデータに基づいて所定の周波数のクロックパル
スに従って制御しかつ被描画体を副走査方向に所定の周
波数の駆動パルスに従って駆動して描画を行うものであ
って、被描画体の主走査方向寸法変動値を主走査方向基
準寸法値に基づいて検出する主走査方向寸法変動検出手
段と、この主走査方向寸法変動検出手段で検出された主
走査方向寸法変動値を主走査方向基準寸法値と比較して
その主走査方向寸法差及びその主走査方向大小関係を判
別する主走査方向寸法判別手段と、被描画体の副走査方
向寸法変動値を副走査方向基準寸法値に基づいて検出す
る副走査方向寸法変動検出手段と、この走査方向寸法変
動検出手段で検出された副走査方向寸法変動値を副走査
方向基準寸法値と比較してその副走査方向寸法差及びそ
の副走査方向大小関係を判別する副走査方向寸法判別手
段と、この主走査方向寸法判別手段によって被描画体の
主走査方向寸法変動値が主走査方向基準寸法値よりも大
きいと判別されたとき、クロックパルスの位相を主走査
方向寸法差に応じた所定の間隔で正側に順次シフトさせ
てその全シフト量を主走査方向寸法差に実質的に一致さ
せるようにクロックパルスの出力を制御し、かつ主走査
方向寸法判別手段によって被描画体の主走査方向寸法変
動値が主走査方向基準寸法値よりも小さいと判別された
とき、クロックパルスの位相を主走査方向寸法差に応じ
た所定の間隔で負側に順次シフトさせてその全シフト量
を主走査方向寸法差に一致させるようにクロックパルス
の出力を制御するクロックパルス出力制御手段と、副走
査方向寸法判別手段によって被描画体の副走査方向寸法
変動値が副走査方向基準寸法値よりも大きいと判別され
たとき、駆動パルスの位相を副走査方向寸法差に応じた
所定の間隔で負側に順次シフトさせてその全シフト量を
副走査方向寸法差に実質的に一致させるように駆動パル
スの出力を制御し、かつ副走査方向寸法判別手段によっ
て被描画体の副走査方向寸法変動値が副走査方向基準寸
法値よりも小さいと判別されたとき、駆動パルスの位相
を副走査方向寸法差に応じた所定の間隔で正側に順次シ
フトさせてその全シフト量を副走査方向寸法差に一致さ
せるように駆動パルスの出力を制御する駆動パルス出力
制御手段とを具備して成るものである。
は被描画体を偏向レーザビームでもって主走査方向に走
査させつつ該被描画体に対する偏向レーザビームの変調
をラスタデータに基づいて所定の周波数のクロックパル
スに従って制御しかつ被描画体を副走査方向に所定の周
波数の駆動パルスに従って駆動して描画を行うものであ
って、被描画体の主走査方向寸法変動値を主走査方向基
準寸法値に基づいて検出する主走査方向寸法変動検出手
段と、この主走査方向寸法変動検出手段で検出された主
走査方向寸法変動値を主走査方向基準寸法値と比較して
その主走査方向寸法差及びその主走査方向大小関係を判
別する主走査方向寸法判別手段と、被描画体の副走査方
向寸法変動値を副走査方向基準寸法値に基づいて検出す
る副走査方向寸法変動検出手段と、この走査方向寸法変
動検出手段で検出された副走査方向寸法変動値を副走査
方向基準寸法値と比較してその副走査方向寸法差及びそ
の副走査方向大小関係を判別する副走査方向寸法判別手
段と、この主走査方向寸法判別手段によって被描画体の
主走査方向寸法変動値が主走査方向基準寸法値よりも大
きいと判別されたとき、クロックパルスの位相を主走査
方向寸法差に応じた所定の間隔で正側に順次シフトさせ
てその全シフト量を主走査方向寸法差に実質的に一致さ
せるようにクロックパルスの出力を制御し、かつ主走査
方向寸法判別手段によって被描画体の主走査方向寸法変
動値が主走査方向基準寸法値よりも小さいと判別された
とき、クロックパルスの位相を主走査方向寸法差に応じ
た所定の間隔で負側に順次シフトさせてその全シフト量
を主走査方向寸法差に一致させるようにクロックパルス
の出力を制御するクロックパルス出力制御手段と、副走
査方向寸法判別手段によって被描画体の副走査方向寸法
変動値が副走査方向基準寸法値よりも大きいと判別され
たとき、駆動パルスの位相を副走査方向寸法差に応じた
所定の間隔で負側に順次シフトさせてその全シフト量を
副走査方向寸法差に実質的に一致させるように駆動パル
スの出力を制御し、かつ副走査方向寸法判別手段によっ
て被描画体の副走査方向寸法変動値が副走査方向基準寸
法値よりも小さいと判別されたとき、駆動パルスの位相
を副走査方向寸法差に応じた所定の間隔で正側に順次シ
フトさせてその全シフト量を副走査方向寸法差に一致さ
せるように駆動パルスの出力を制御する駆動パルス出力
制御手段とを具備して成るものである。
【００２０】本発明の第５の局面によるレーザ描画装置
にあっては、好ましくは、クロックパルス出力制御手段
はクロックパルスとして位相の異なる少なくとも２つ以
上のクロックパルスを発生させるクロックパルス発生手
段と、このクロックパルス発生手段からの少なくとも２
つ以上のクロックパルスを選択的に切り換えて出力する
クロックパルス切換手段と、このクロックパルス切換手
段によるクロックパルスの切換を第１のクロックパルス
出力順序及び第２のクロックパルス出力順序のいずれか
の態様で行うかを制御するクロックパルス出力順序制御
手段とを包含する。第１のクロックパルス出力順序で
は、少なくとも２つ以上のクロックパルスがその位相を
正側に順次シフトするような態様でクロックパルス切換
手段から出力され、第２のクロックパルス出力順序で
は、少なくとも２つ以上のクロックパルスがその位相を
負側に順次シフトするような態様でクロックパルス切換
手段から出力される。主走査方向寸法判別手段によって
被描画体の主走査方向寸法変動値が主走査方向基準寸法
値よりも大きいと判別されたとき、クロックパルス切換
手段によるクロックパルスの切換はクロックパルス出力
順序制御手段によって第１のクロックパルス出力順序で
行われるように制御され、主走査方向寸法判別手段によ
って被描画体の主走査方向寸法変動値が主走査方向基準
寸法値よりも小さいと判別されたとき、クロックパルス
切換手段によるクロックパルスの切換はクロックパルス
出力順序制御手段によって第２のクロックパルス出力順
序で行われるように制御される。また、クロックパルス
出力制御手段は、更に、被描画体の主走査方向寸法変動
値と主基準寸法値との寸法差が大きければ大きい程、ク
ロックパルス切換手段によるクロックパルスの切換間隔
を小さくするように該クロックパルス切換手段を制御す
るクロックパルス切換間隔制御手段を包含する。
にあっては、好ましくは、クロックパルス出力制御手段
はクロックパルスとして位相の異なる少なくとも２つ以
上のクロックパルスを発生させるクロックパルス発生手
段と、このクロックパルス発生手段からの少なくとも２
つ以上のクロックパルスを選択的に切り換えて出力する
クロックパルス切換手段と、このクロックパルス切換手
段によるクロックパルスの切換を第１のクロックパルス
出力順序及び第２のクロックパルス出力順序のいずれか
の態様で行うかを制御するクロックパルス出力順序制御
手段とを包含する。第１のクロックパルス出力順序で
は、少なくとも２つ以上のクロックパルスがその位相を
正側に順次シフトするような態様でクロックパルス切換
手段から出力され、第２のクロックパルス出力順序で
は、少なくとも２つ以上のクロックパルスがその位相を
負側に順次シフトするような態様でクロックパルス切換
手段から出力される。主走査方向寸法判別手段によって
被描画体の主走査方向寸法変動値が主走査方向基準寸法
値よりも大きいと判別されたとき、クロックパルス切換
手段によるクロックパルスの切換はクロックパルス出力
順序制御手段によって第１のクロックパルス出力順序で
行われるように制御され、主走査方向寸法判別手段によ
って被描画体の主走査方向寸法変動値が主走査方向基準
寸法値よりも小さいと判別されたとき、クロックパルス
切換手段によるクロックパルスの切換はクロックパルス
出力順序制御手段によって第２のクロックパルス出力順
序で行われるように制御される。また、クロックパルス
出力制御手段は、更に、被描画体の主走査方向寸法変動
値と主基準寸法値との寸法差が大きければ大きい程、ク
ロックパルス切換手段によるクロックパルスの切換間隔
を小さくするように該クロックパルス切換手段を制御す
るクロックパルス切換間隔制御手段を包含する。
【００２１】一方、本発明の第５の局面によるレーザ描
画装置にあっては、好ましくは、駆動パルス出力制御手
段は駆動パルスとして位相の異なる少なくとも２つ以上
の駆動パルスを発生させる駆動パルス発生手段と、この
駆動パルス発生手段からの少なくとも２つ以上の駆動パ
ルスを選択的に切り換えて出力する駆動パルス切換手段
と、この駆動パルス切換手段による駆動パルスの切換を
第１の駆動パルス出力順序及び第２の駆動パルス出力順
序のいずれかの態様で行うかを制御する駆動パルス出力
順序制御手段とを包含する。第１の駆動パルス出力順序
では、少なくとも２つ以上の駆動パルスがその位相を負
側に順次シフトするような態様で駆動パルス切換手段か
ら出力され、第２の駆動パルス出力順序では、少なくと
も２つ以上の駆動パルスがその位相を正側に順次シフト
するような態様で駆動パルス切換手段から出力される。
副走査方向寸法判別手段によって被描画体の副走査方向
寸法変動値が副走査方向基準寸法値よりも大きいと判別
されたとき、駆動パルス切換手段による駆動パルスの切
換は駆動パルス出力順序制御手段によって第１の駆動パ
ルス出力順序で行われるように制御され、副走査方向寸
法判別手段によって被描画体の副走査方向寸法変動値が
副走査方向基準寸法値よりも小さいと判別されたとき、
駆動パルス切換手段による駆動パルスの切換は駆動パル
ス出力順序制御手段によって第２の駆動パルス出力順序
で行われるように制御される。また、駆動パルス出力制
御手段は、更に、被描画体の副走査方向寸法変動値と副
基準寸法値との寸法差が大きければ大きい程、駆動パル
ス切換手段による駆動パルスの切換間隔を小さくするよ
うに該駆動パルス切換手段を制御する駆動パルス切換間
隔制御手段を包含する。
画装置にあっては、好ましくは、駆動パルス出力制御手
段は駆動パルスとして位相の異なる少なくとも２つ以上
の駆動パルスを発生させる駆動パルス発生手段と、この
駆動パルス発生手段からの少なくとも２つ以上の駆動パ
ルスを選択的に切り換えて出力する駆動パルス切換手段
と、この駆動パルス切換手段による駆動パルスの切換を
第１の駆動パルス出力順序及び第２の駆動パルス出力順
序のいずれかの態様で行うかを制御する駆動パルス出力
順序制御手段とを包含する。第１の駆動パルス出力順序
では、少なくとも２つ以上の駆動パルスがその位相を負
側に順次シフトするような態様で駆動パルス切換手段か
ら出力され、第２の駆動パルス出力順序では、少なくと
も２つ以上の駆動パルスがその位相を正側に順次シフト
するような態様で駆動パルス切換手段から出力される。
副走査方向寸法判別手段によって被描画体の副走査方向
寸法変動値が副走査方向基準寸法値よりも大きいと判別
されたとき、駆動パルス切換手段による駆動パルスの切
換は駆動パルス出力順序制御手段によって第１の駆動パ
ルス出力順序で行われるように制御され、副走査方向寸
法判別手段によって被描画体の副走査方向寸法変動値が
副走査方向基準寸法値よりも小さいと判別されたとき、
駆動パルス切換手段による駆動パルスの切換は駆動パル
ス出力順序制御手段によって第２の駆動パルス出力順序
で行われるように制御される。また、駆動パルス出力制
御手段は、更に、被描画体の副走査方向寸法変動値と副
基準寸法値との寸法差が大きければ大きい程、駆動パル
ス切換手段による駆動パルスの切換間隔を小さくするよ
うに該駆動パルス切換手段を制御する駆動パルス切換間
隔制御手段を包含する。
【００２２】
【発明の実施の形態】次に、本発明によるレーザ描画装
置の一実施形態について添付図面を参照して説明する。
置の一実施形態について添付図面を参照して説明する。
【００２３】図１には、本発明によるレーザ描画装置が
斜視図として概略的に示され、このレーザ描画装置はプ
リント回路基板を製造するための基板上のフォトレジス
ト層に回路パターンを直接描画するように構成されてい
るものである。レーザ描画装置は床面上に据え付けられ
た基台１０を具備し、この基台１０の上面には一対のレ
ール１２が平行に設置される。一対のレール１２上には
Ｘテーブル１４が搭載され、このＸテーブル１４は図１
では図示されない適当な駆動モータ例えばサーボモータ
あるいはステッピングモータ等でもって一対のレール１
２の長手方向即ちＸ方向に沿って移動し得るようになっ
ている。Ｘテーブル１４上にはθテーブル１６を介して
描画テーブル１８が設置され、その間には微調整駆動器
２０が互いに対向する側辺のそれぞれに２つずつ設けら
れ、これにより描画テーブル１８の四隅のそれぞれの上
下位置が微調整されるようになっている。なお、図１で
は、図示の複雑化を避けるために一方の側辺に設けられ
た２つの微調整駆動器２０だけが示されている。
斜視図として概略的に示され、このレーザ描画装置はプ
リント回路基板を製造するための基板上のフォトレジス
ト層に回路パターンを直接描画するように構成されてい
るものである。レーザ描画装置は床面上に据え付けられ
た基台１０を具備し、この基台１０の上面には一対のレ
ール１２が平行に設置される。一対のレール１２上には
Ｘテーブル１４が搭載され、このＸテーブル１４は図１
では図示されない適当な駆動モータ例えばサーボモータ
あるいはステッピングモータ等でもって一対のレール１
２の長手方向即ちＸ方向に沿って移動し得るようになっ
ている。Ｘテーブル１４上にはθテーブル１６を介して
描画テーブル１８が設置され、その間には微調整駆動器
２０が互いに対向する側辺のそれぞれに２つずつ設けら
れ、これにより描画テーブル１８の四隅のそれぞれの上
下位置が微調整されるようになっている。なお、図１で
は、図示の複雑化を避けるために一方の側辺に設けられ
た２つの微調整駆動器２０だけが示されている。
【００２４】描画テーブル１８上にはフォトレジズト層
を持つ基板が被描画体として適当な搬送手段例えばベル
トコンベヤ等で搬送され、その基板は描画テーブル１８
上で適当なクランプ手段によって固定される。なお、図
１では、そのクランプ手段の一部を成すクランプ部材２
２が示される。
を持つ基板が被描画体として適当な搬送手段例えばベル
トコンベヤ等で搬送され、その基板は描画テーブル１８
上で適当なクランプ手段によって固定される。なお、図
１では、そのクランプ手段の一部を成すクランプ部材２
２が示される。
【００２５】基台１０の一方の側にはレーザ光源として
アルゴンレーザ発生器２４が設置され、このアルゴンレ
ーザ発生器２４から射出されたレーザビームＬＢはビー
ムベンダ２６によって上方に偏向される。一方、描画テ
ーブル１８の上方側には、図示されない適当な支持構造
体によって支持された固定テーブル板２８が配置され、
この固定テーブル体２８上にはビームベンダ２６によっ
て偏向されたレーザビームＬＢを処理するための種々光
学要素が設置される。なお、本実施形態では、アルゴン
レーザ発生器２４は水冷式とされ、その出力は1.8 W で
あり、そのレーザの波長は 488nmとされる。
アルゴンレーザ発生器２４が設置され、このアルゴンレ
ーザ発生器２４から射出されたレーザビームＬＢはビー
ムベンダ２６によって上方に偏向される。一方、描画テ
ーブル１８の上方側には、図示されない適当な支持構造
体によって支持された固定テーブル板２８が配置され、
この固定テーブル体２８上にはビームベンダ２６によっ
て偏向されたレーザビームＬＢを処理するための種々光
学要素が設置される。なお、本実施形態では、アルゴン
レーザ発生器２４は水冷式とされ、その出力は1.8 W で
あり、そのレーザの波長は 488nmとされる。
【００２６】固定テーブル板２８にはビームベンダ３０
が設けられ、このビームベンダ３０はビームベンダ２６
からのレーザビームＬＢを受け取ってビームスプリッタ
３２に向けられる。ビームスプリッタ３２はレーザビー
ムＬＢを２つのレーザビームＬＢ１及びＬＢ２に分割さ
れる。レーザビームＬＢ１はビームベンダ３４及び３６
を介してビームセパレータ３８に向けられ、またレーザ
ビームＬＢ２はビームベンダ４０、４２及び４４を介し
てビームセパレータ４６に向けられる。
が設けられ、このビームベンダ３０はビームベンダ２６
からのレーザビームＬＢを受け取ってビームスプリッタ
３２に向けられる。ビームスプリッタ３２はレーザビー
ムＬＢを２つのレーザビームＬＢ１及びＬＢ２に分割さ
れる。レーザビームＬＢ１はビームベンダ３４及び３６
を介してビームセパレータ３８に向けられ、またレーザ
ビームＬＢ２はビームベンダ４０、４２及び４４を介し
てビームセパレータ４６に向けられる。
【００２７】ビームセパレータ３８はレーザビームＬＢ
１を８本の平行レーザビームに分割し、同様にビームセ
パレータ４６はレーザビームＬＢ２を８本の平行レーザ
ビームに分割する。ビームセパレータ３８からの平行レ
ーザビームはビームベンダ４８及び５０によって電子シ
ャッタ５２に導かれ、またビームセパレータ４６からの
平行レーザビームはビームベンダ５４及び５６によって
電子シャッタ５８に導かれる。
１を８本の平行レーザビームに分割し、同様にビームセ
パレータ４６はレーザビームＬＢ２を８本の平行レーザ
ビームに分割する。ビームセパレータ３８からの平行レ
ーザビームはビームベンダ４８及び５０によって電子シ
ャッタ５２に導かれ、またビームセパレータ４６からの
平行レーザビームはビームベンダ５４及び５６によって
電子シャッタ５８に導かれる。
【００２８】電子シャッタ５２及び５８の各々は８つの
音響光学素子から形成され、各音響光学素子には８本の
レーザビームのうちの該当レーザビームが割り当てられ
る。電子シャッタ５２を経た８本のレーザは光合成器６
０に入射させられ、一方電子シャッタ５８を経た８本の
レーザビームはビームベンダ６２を介して光合成器６０
に入射させられる。光合成器６０は例えば偏光ビームス
プリッタとして構成され、電子シャッタ５２及び５８の
それぞれを経た８本のレーザビームは光合成器（偏光ビ
ームスプリッタ）６０によって16本のレーザビームに纏
められる。16本のレーザビームはビームベンダ６４、６
６及び６８を介してポリゴンミラー７０に入射させら
れ、その各回転反射面によって所定の走査範囲にわった
て偏向させられる。
音響光学素子から形成され、各音響光学素子には８本の
レーザビームのうちの該当レーザビームが割り当てられ
る。電子シャッタ５２を経た８本のレーザは光合成器６
０に入射させられ、一方電子シャッタ５８を経た８本の
レーザビームはビームベンダ６２を介して光合成器６０
に入射させられる。光合成器６０は例えば偏光ビームス
プリッタとして構成され、電子シャッタ５２及び５８の
それぞれを経た８本のレーザビームは光合成器（偏光ビ
ームスプリッタ）６０によって16本のレーザビームに纏
められる。16本のレーザビームはビームベンダ６４、６
６及び６８を介してポリゴンミラー７０に入射させら
れ、その各回転反射面によって所定の走査範囲にわった
て偏向させられる。
【００２９】ポリゴンミラー７０の各回転反射面によっ
て所定の走査範囲にわったて偏向させられる16本のレー
ザビームは先ずｆθレンズ７２を通過させられ、次いで
ターニングミラー７４によって描画テーブル１８側に偏
向させられた後にコンデンサレンズ７６を経て描画テー
ブル１８上に到達させられる。要するに、16本のレーザ
ビームはポリゴンミラー７０の各回転反射面によってＹ
方向即ち主走査方向に偏向される。従って、フォトレジ
スト層を持つ基板が先に述べたように描画テーブル１８
上に設置されていれば、その基板上のフォトレジスト層
表面はポリゴンミラー７０の各回転反射面によって偏向
される16本のレーザビームでもって一度に走査（主走査
方向）される。従って、各電子シャッタ５２、５８の８
つの音響光学素子がラスタデータに基づいて所定の周波
数のクロックパルスに従ってオン／オフ即ち変調あるい
は明滅されると、即ち基板上のフォトレジスト層表面に
対する16本のレーザビームの変調がラスタデータに基づ
いて所定の周波数のクロックパルスに従って制御される
と、該フォトレジスト層表面には所定の回路パターンの
一部が描かれることになる。
て所定の走査範囲にわったて偏向させられる16本のレー
ザビームは先ずｆθレンズ７２を通過させられ、次いで
ターニングミラー７４によって描画テーブル１８側に偏
向させられた後にコンデンサレンズ７６を経て描画テー
ブル１８上に到達させられる。要するに、16本のレーザ
ビームはポリゴンミラー７０の各回転反射面によってＹ
方向即ち主走査方向に偏向される。従って、フォトレジ
スト層を持つ基板が先に述べたように描画テーブル１８
上に設置されていれば、その基板上のフォトレジスト層
表面はポリゴンミラー７０の各回転反射面によって偏向
される16本のレーザビームでもって一度に走査（主走査
方向）される。従って、各電子シャッタ５２、５８の８
つの音響光学素子がラスタデータに基づいて所定の周波
数のクロックパルスに従ってオン／オフ即ち変調あるい
は明滅されると、即ち基板上のフォトレジスト層表面に
対する16本のレーザビームの変調がラスタデータに基づ
いて所定の周波数のクロックパルスに従って制御される
と、該フォトレジスト層表面には所定の回路パターンの
一部が描かれることになる。
【００３０】16本のレーザビームによる主走査方向の走
査が行われてる間、描画テーブル１８はＸテーブル１４
によってＸ方向即ち副走査方向に沿って所定のピッチで
順次移動させられ、16本のレーザビームによる主走査方
向の走査が終了したとき、描画テーブル１８の移動距離
はかかる16本のレーザビームの幅に相当した距離とな
る。かくして、16本のレーザビームによる主走査方向の
走査を繰り返すことにとにより、基板上のフォトレジス
ト層表面上には所定の回路パターンが16本のレーザビー
ムによる主走査方向の走査によって部分的に順次描かれ
ることになる。
査が行われてる間、描画テーブル１８はＸテーブル１４
によってＸ方向即ち副走査方向に沿って所定のピッチで
順次移動させられ、16本のレーザビームによる主走査方
向の走査が終了したとき、描画テーブル１８の移動距離
はかかる16本のレーザビームの幅に相当した距離とな
る。かくして、16本のレーザビームによる主走査方向の
走査を繰り返すことにとにより、基板上のフォトレジス
ト層表面上には所定の回路パターンが16本のレーザビー
ムによる主走査方向の走査によって部分的に順次描かれ
ることになる。
【００３１】主走査方向と副走査方向とが互いに直角で
あるとすると、16本のレーザビームによる主走査方向の
走査ラインはＸ方向（副走査方向）に対して傾斜したも
のとなる。というのは、上述したように、16本のレーザ
ビームによる主走査方向の走査が行われてる間、描画テ
ーブル１８はＸテーブル１４によってＸ方向即ち副走査
方向に沿って所定のピッチで順次移動させられているか
らである。しかしながら、実際には、主走査方向はＸ方
向に対して予め所定角度だけ傾斜させられ、このため16
本のレーザビームによる主走査方向の走査ラインはＸ方
向に対して直角となり、適正な回路パターンの描画が行
われる。
あるとすると、16本のレーザビームによる主走査方向の
走査ラインはＸ方向（副走査方向）に対して傾斜したも
のとなる。というのは、上述したように、16本のレーザ
ビームによる主走査方向の走査が行われてる間、描画テ
ーブル１８はＸテーブル１４によってＸ方向即ち副走査
方向に沿って所定のピッチで順次移動させられているか
らである。しかしながら、実際には、主走査方向はＸ方
向に対して予め所定角度だけ傾斜させられ、このため16
本のレーザビームによる主走査方向の走査ラインはＸ方
向に対して直角となり、適正な回路パターンの描画が行
われる。
【００３２】図２を参照すると、本発明によるレーザ描
画装置のブロック図が示され、同ブロック図において、
参照符号７８はシステムコントロール回路を示し、この
システムコントロール回路７８は例えば中央演算装置
（ＣＰＵ）等のマイクロプロセッサ及びメモリ（ＲＯ
Ｍ、ＲＡＭ）等からなるマイクロコンピュータとして構
成される。
画装置のブロック図が示され、同ブロック図において、
参照符号７８はシステムコントロール回路を示し、この
システムコントロール回路７８は例えば中央演算装置
（ＣＰＵ）等のマイクロプロセッサ及びメモリ（ＲＯ
Ｍ、ＲＡＭ）等からなるマイクロコンピュータとして構
成される。
【００３３】システムコントロール回路７８には、２つ
のＣＣＤカメラ８０が画像処理回路８２を介して接続さ
れる。ＣＣＤカメラ８０の各々は固体撮像素子としてＣ
ＣＤ(charge-coupled device) から成る小型カメラであ
り、図１に示すように、描画テーブル１８の上方側でし
かもかつコンデンサレンズ７６に接近した側に固定位置
に配置される。ＣＣＤカメラ８０はフォトレジスト層を
持つ基板の四隅のそれぞれに設けられた位置決めマーク
の座標を読み取り、その読取り座標を基準寸法座標と比
較することにより各基板の寸法変動値を検出する。この
ようなＣＣＤカメラ８０による寸法変動値の検出につい
て図３を参照して以下に説明する。
のＣＣＤカメラ８０が画像処理回路８２を介して接続さ
れる。ＣＣＤカメラ８０の各々は固体撮像素子としてＣ
ＣＤ(charge-coupled device) から成る小型カメラであ
り、図１に示すように、描画テーブル１８の上方側でし
かもかつコンデンサレンズ７６に接近した側に固定位置
に配置される。ＣＣＤカメラ８０はフォトレジスト層を
持つ基板の四隅のそれぞれに設けられた位置決めマーク
の座標を読み取り、その読取り座標を基準寸法座標と比
較することにより各基板の寸法変動値を検出する。この
ようなＣＣＤカメラ８０による寸法変動値の検出につい
て図３を参照して以下に説明する。
【００３４】図３において、座標(X01, Y01)、座標(X0
2, Y02)、座標(X03, Y03)並びに座標(X04, Y04)は設計
段階で計算上得られる基準基板の四隅に予め設定される
位置決めマークの基準座標である。基準座標のデータは
システムコントロール回路のメモリ例えば読出し専用メ
モリ（ＲＯＭ）に定数として予め読み込まれていてもよ
いし、あるいはレーザ描画装置内の適当な記録媒体例え
ばハードディスクに格納されていてもよい。なお、後者
の場合には、基準座標のデータはレーザ描画装置の始動
時にハードデータ等から読み出されて、システムコント
ロール回路７８内のメモリ例えば読出し／書込み可能な
メモリ（ＲＡＭ）に取り込まれる。これに対して、座標
(X11, Y11)、座標(X12, Y12)、座標(X13, Y13)並びに座
標(X14, Y14)は描画テーブル１８上に設置された実際の
被描画体即ち基板の四隅に設けられた位置決めマークの
座標であり、これら位置決めマークの座標は２つのＣＣ
Ｄカメラ８０から得られるビデオデータを画像処理回路
８２で適宜処理した後にその処理データに基づいてシス
テムコントロール回路７８内で適宜演算することにより
得られるものである。
2, Y02)、座標(X03, Y03)並びに座標(X04, Y04)は設計
段階で計算上得られる基準基板の四隅に予め設定される
位置決めマークの基準座標である。基準座標のデータは
システムコントロール回路のメモリ例えば読出し専用メ
モリ（ＲＯＭ）に定数として予め読み込まれていてもよ
いし、あるいはレーザ描画装置内の適当な記録媒体例え
ばハードディスクに格納されていてもよい。なお、後者
の場合には、基準座標のデータはレーザ描画装置の始動
時にハードデータ等から読み出されて、システムコント
ロール回路７８内のメモリ例えば読出し／書込み可能な
メモリ（ＲＡＭ）に取り込まれる。これに対して、座標
(X11, Y11)、座標(X12, Y12)、座標(X13, Y13)並びに座
標(X14, Y14)は描画テーブル１８上に設置された実際の
被描画体即ち基板の四隅に設けられた位置決めマークの
座標であり、これら位置決めマークの座標は２つのＣＣ
Ｄカメラ８０から得られるビデオデータを画像処理回路
８２で適宜処理した後にその処理データに基づいてシス
テムコントロール回路７８内で適宜演算することにより
得られるものである。
【００３５】実際の基板の位置決めマークの座標が得ら
れると、先ず、基準座標の中心からの該基板のずれ量、
即ち位置補正値がシステムコントロール回路７８内で演
算される。ここでＹ方向（主走査方向）の位置補正値を
ΔY とし、Ｘ方向（副走査方向）の位置補正値をΔX と
すると、これら位置補正値（平均値）は以下の式から得
られる。 ΔY = (Y11 + Y12 + Y13 + Y14 - Y01 - Y02 - Y03 - Y
04)/4 ΔX = (X11 + X12 + X13 + X14 - X01 - X02 - X03 - X
04)/4
れると、先ず、基準座標の中心からの該基板のずれ量、
即ち位置補正値がシステムコントロール回路７８内で演
算される。ここでＹ方向（主走査方向）の位置補正値を
ΔY とし、Ｘ方向（副走査方向）の位置補正値をΔX と
すると、これら位置補正値（平均値）は以下の式から得
られる。 ΔY = (Y11 + Y12 + Y13 + Y14 - Y01 - Y02 - Y03 - Y
04)/4 ΔX = (X11 + X12 + X13 + X14 - X01 - X02 - X03 - X
04)/4
【００３６】また、システムコントロール回路７８で
は、実際の基板の座標と基準基板の基準座標とに基づい
て、実際の基板の二次元方向の伸縮率、即ちＹ方向の伸
縮率ΔSY及びＸ方向の伸縮率ΔSXが演算される。これら
伸縮率（平均値）については、実際の基板の各辺に沿う
位置決めマーク間の距離と基準基板の該当基準座標間の
距離との比を表す以下の式から得られる。 ΔSY = [(Y13 + Y14 - Y11 - Y12)/(Y03 + Y04 - Y01 -
Y02) - 1] ΔSX = [(X12 + X13 - X11 - X14)/(X02 + X03 - X01 -
X04) - 1]
は、実際の基板の座標と基準基板の基準座標とに基づい
て、実際の基板の二次元方向の伸縮率、即ちＹ方向の伸
縮率ΔSY及びＸ方向の伸縮率ΔSXが演算される。これら
伸縮率（平均値）については、実際の基板の各辺に沿う
位置決めマーク間の距離と基準基板の該当基準座標間の
距離との比を表す以下の式から得られる。 ΔSY = [(Y13 + Y14 - Y11 - Y12)/(Y03 + Y04 - Y01 -
Y02) - 1] ΔSX = [(X12 + X13 - X11 - X14)/(X02 + X03 - X01 -
X04) - 1]
【００３７】伸縮率ΔSYの値が正であれば、実際の基板
のＹ方向寸法は基準基板のＹ方向基準寸法よりも伸びた
ものとなり、伸縮率ΔSYの値が負であれば、実際の基板
のＹ方向寸法は基準基板のＹ方向基準寸法よりも縮んだ
ものとなる。同様に、伸縮率ΔSXの値が正であれば、実
際の基板のＸ方向寸法は基準基板のＸ方向基準寸法より
も伸びたものとなり、伸縮率ΔSXの値が負であれば、実
際の基板のＸ方向寸法は基準基板のＸ方向基準寸法より
も縮んだものとなる。
のＹ方向寸法は基準基板のＹ方向基準寸法よりも伸びた
ものとなり、伸縮率ΔSYの値が負であれば、実際の基板
のＹ方向寸法は基準基板のＹ方向基準寸法よりも縮んだ
ものとなる。同様に、伸縮率ΔSXの値が正であれば、実
際の基板のＸ方向寸法は基準基板のＸ方向基準寸法より
も伸びたものとなり、伸縮率ΔSXの値が負であれば、実
際の基板のＸ方向寸法は基準基板のＸ方向基準寸法より
も縮んだものとなる。
【００３８】先に述べたように、本発明によるレーザ描
画装置にあっては、個々の被描画体の寸法変動に対して
適正なスケーリング補正処理をラスタデータの一画素以
下の単位で行うことが特徴とされる。従って、ラスタデ
ータの一画素のサイズをDpとすると、スケーリング補正
処理時での画素最小シフト単位はDp/nとなり、本実施形
態にあっては、例えば^n" は10とされる。仮に、ラスタ
データの一主走査ラインに10万画素が含まれ、しかもそ
の10万画素が一主走査ラインの基準長さ500 mmの主走査
範囲内に割り当てられるとすると、その一画素サイズは
５μm となり、この例では、0.5 (5/10)μm がスケーリ
ング補正処理時での画素最小シフト単位となる。
画装置にあっては、個々の被描画体の寸法変動に対して
適正なスケーリング補正処理をラスタデータの一画素以
下の単位で行うことが特徴とされる。従って、ラスタデ
ータの一画素のサイズをDpとすると、スケーリング補正
処理時での画素最小シフト単位はDp/nとなり、本実施形
態にあっては、例えば^n" は10とされる。仮に、ラスタ
データの一主走査ラインに10万画素が含まれ、しかもそ
の10万画素が一主走査ラインの基準長さ500 mmの主走査
範囲内に割り当てられるとすると、その一画素サイズは
５μm となり、この例では、0.5 (5/10)μm がスケーリ
ング補正処理時での画素最小シフト単位となる。
【００３９】以上で述べた事例において、もし実際の基
板の主走査方向の寸法が１mmだけ伸びて501 mmになった
とすると（伸び率ΔSY = 0.002) 、200(10万×ΔSY) 画
素分だけスケーリング補正処理が行われなければならな
い。このとき10万画素を501mmの範囲内にできるだけ均
等に配列するためには、500(10万/200) 画素毎に画素配
列を１画素分(5μm)だけ正側（主走査方向に沿うレーザ
ビームの偏向方向）にシフトさせればよいことが分か
る。ところが、上述の事例では、スケーリング補正処理
時での画素最小シフト単位が0.5 (5/10)μm であるか
ら、50(500/10)画素毎に画素配列を0.5 (5/10)μm ずつ
正側にシフトさせることが500 画素毎に画素配列を１画
素分(5μm)が正側にシフトさせることと等価となる。か
くして、501mmの範囲内には10万画素が更に一層均等に
配列されることになる。換言すれば、50画素が連続して
配列される距離は250 μm に相当するから、レーザビー
ムが主走査方向に沿って偏向させられるとき、該レーザ
ビームが250 μm 進む度毎に0.5 (5/10)μm だけ正側シ
フトさせれば、501 mmの範囲内での一層均等な10万画素
の配列が得られることになる。
板の主走査方向の寸法が１mmだけ伸びて501 mmになった
とすると（伸び率ΔSY = 0.002) 、200(10万×ΔSY) 画
素分だけスケーリング補正処理が行われなければならな
い。このとき10万画素を501mmの範囲内にできるだけ均
等に配列するためには、500(10万/200) 画素毎に画素配
列を１画素分(5μm)だけ正側（主走査方向に沿うレーザ
ビームの偏向方向）にシフトさせればよいことが分か
る。ところが、上述の事例では、スケーリング補正処理
時での画素最小シフト単位が0.5 (5/10)μm であるか
ら、50(500/10)画素毎に画素配列を0.5 (5/10)μm ずつ
正側にシフトさせることが500 画素毎に画素配列を１画
素分(5μm)が正側にシフトさせることと等価となる。か
くして、501mmの範囲内には10万画素が更に一層均等に
配列されることになる。換言すれば、50画素が連続して
配列される距離は250 μm に相当するから、レーザビー
ムが主走査方向に沿って偏向させられるとき、該レーザ
ビームが250 μm 進む度毎に0.5 (5/10)μm だけ正側シ
フトさせれば、501 mmの範囲内での一層均等な10万画素
の配列が得られることになる。
【００４０】上述の事例では、伸び率ΔSYが正の値を取
る場合について述べたが、伸び率が負の値を取る場合に
ついても実質的に同じことが言える。詳しく述べると、
もし実際の基板の主走査方向の寸法が１mmだけ縮んで49
9 mmになったとすると（伸び率ΔSY = -0.002)、200(10
万×ΔSY) 画素分だけスケーリング補正処理が行われな
ければならない。このとき10万画素を499 mmの範囲内に
できるだけ均等に配列するためには、500(10万/200) 画
素毎に画素配列を１画素分(5μm)だけ負側（主走査方向
に沿うレーザビームの偏向方向とは逆方向）にシフトさ
せればよいことが分かる。ところが、本事例では、スケ
ーリング補正処理時での画素最小シフト単位はΔSYの値
が正の場合と同様に0.5 (5/10)μm であるから、50(500
/10)画素毎に画素配列を0.5 (5/10)μm ずつ負側にシフ
トさせることが500 画素毎に画素配列を１画素分(5μm)
が負側にシフトさせることと等価となる。かくして、49
9mmの範囲内には10万画素が更に一層均等に配列される
ことになる。換言すれば、50画素が連続して配列される
距離は250 μm に相当するから、レーザビームが主走査
方向に沿って偏向させられるとき、該レーザビームが25
0 μm 進む度毎に0.5 (5/10)μm だけ負側シフトさせれ
ば、499 mmの範囲内での一層均等な10万画素の配列が得
られることになる。
る場合について述べたが、伸び率が負の値を取る場合に
ついても実質的に同じことが言える。詳しく述べると、
もし実際の基板の主走査方向の寸法が１mmだけ縮んで49
9 mmになったとすると（伸び率ΔSY = -0.002)、200(10
万×ΔSY) 画素分だけスケーリング補正処理が行われな
ければならない。このとき10万画素を499 mmの範囲内に
できるだけ均等に配列するためには、500(10万/200) 画
素毎に画素配列を１画素分(5μm)だけ負側（主走査方向
に沿うレーザビームの偏向方向とは逆方向）にシフトさ
せればよいことが分かる。ところが、本事例では、スケ
ーリング補正処理時での画素最小シフト単位はΔSYの値
が正の場合と同様に0.5 (5/10)μm であるから、50(500
/10)画素毎に画素配列を0.5 (5/10)μm ずつ負側にシフ
トさせることが500 画素毎に画素配列を１画素分(5μm)
が負側にシフトさせることと等価となる。かくして、49
9mmの範囲内には10万画素が更に一層均等に配列される
ことになる。換言すれば、50画素が連続して配列される
距離は250 μm に相当するから、レーザビームが主走査
方向に沿って偏向させられるとき、該レーザビームが25
0 μm 進む度毎に0.5 (5/10)μm だけ負側シフトさせれ
ば、499 mmの範囲内での一層均等な10万画素の配列が得
られることになる。
【００４１】上述の事例では、Ｙ方向即ち主走査方向の
寸法変動に対するスケーリング補正処理について説明し
たが、Ｘ方向即ち副走査方向の寸法変動に対するスケー
リング補正処理についても以下の点を除けば同様なこと
が言える。即ち、 (1) Ｘ方向即ち副走査方向の寸法変動に対するスケーリ
ング補正処理では、レーザビーム自体が副走査方向に偏
向されることはないが、しかしそのようなレーザビーム
の偏向については、描画テーブル１８のＸ方向即ち副走
査方向に沿う相対的な移動として定義することができ
る。 (2) 以上のように定義されたレーザビームの偏向時での
そのシフト方向の正負については、レーザビームの副走
査方向に沿う偏向が正側に、ピッチ/nだけシフトされた
場合、送りパルスの周期は長くなり、描画テーブル１８
の副走査方向の送りが通常のピッチよりもピッチ/nだけ
短くなる。また、レーザビームの副走査方向に沿う偏向
が負側にピッチ/nだけシフトされた場合、送りパルスの
周期は短くなり、描画テーブル１８の副走査方向の送り
が通常のピッチよりもピッチ/nだけ長くなる。なお、上
述したようなＹ方向即ち主走査方向の寸法変動に対する
スケーリング補正処理の事例に当てはめると、描画テー
ブル１８の副走査方向の送りが通常の送りピッチはラス
タデータの一画素のサイズ５μm となり、また^n"は10
となる。
寸法変動に対するスケーリング補正処理について説明し
たが、Ｘ方向即ち副走査方向の寸法変動に対するスケー
リング補正処理についても以下の点を除けば同様なこと
が言える。即ち、 (1) Ｘ方向即ち副走査方向の寸法変動に対するスケーリ
ング補正処理では、レーザビーム自体が副走査方向に偏
向されることはないが、しかしそのようなレーザビーム
の偏向については、描画テーブル１８のＸ方向即ち副走
査方向に沿う相対的な移動として定義することができ
る。 (2) 以上のように定義されたレーザビームの偏向時での
そのシフト方向の正負については、レーザビームの副走
査方向に沿う偏向が正側に、ピッチ/nだけシフトされた
場合、送りパルスの周期は長くなり、描画テーブル１８
の副走査方向の送りが通常のピッチよりもピッチ/nだけ
短くなる。また、レーザビームの副走査方向に沿う偏向
が負側にピッチ/nだけシフトされた場合、送りパルスの
周期は短くなり、描画テーブル１８の副走査方向の送り
が通常のピッチよりもピッチ/nだけ長くなる。なお、上
述したようなＹ方向即ち主走査方向の寸法変動に対する
スケーリング補正処理の事例に当てはめると、描画テー
ブル１８の副走査方向の送りが通常の送りピッチはラス
タデータの一画素のサイズ５μm となり、また^n"は10
となる。
【００４２】以上記載から明らかなように、本発明に従
ってスケーリング補正処理が行われるためには、レーザ
ビームが主走査方向あるいは副走査方向に沿って所定距
離だけ偏向させられる度毎に該レーザビームの偏向を正
側あるいは負側にシフトさせることが必要となり、その
ような所定距離について一般式で表すと以下のようにな
る。主走査方向に対する所定距離をYcとすると、 Yc = (Dp/n)/ΔSY また、副走査方向に対する所定距離をXcとすると、 Xc = (Dp/n)/ΔSX なお、上述したようなＹ方向即ち主走査方向の寸法変動
に対するスケーリング補正処理の事例に当てはめると、 Yc = (0.5 μm/10)/0.002 = 250 μm
ってスケーリング補正処理が行われるためには、レーザ
ビームが主走査方向あるいは副走査方向に沿って所定距
離だけ偏向させられる度毎に該レーザビームの偏向を正
側あるいは負側にシフトさせることが必要となり、その
ような所定距離について一般式で表すと以下のようにな
る。主走査方向に対する所定距離をYcとすると、 Yc = (Dp/n)/ΔSY また、副走査方向に対する所定距離をXcとすると、 Xc = (Dp/n)/ΔSX なお、上述したようなＹ方向即ち主走査方向の寸法変動
に対するスケーリング補正処理の事例に当てはめると、 Yc = (0.5 μm/10)/0.002 = 250 μm
【００４３】また、かかる所定距離Yc及びXcをそれぞれ
レーザビームによる走査始点即ち原点から測定された距
離Ys及びXtとして順次表すと、 Yt = Yc*t = Dp/(ΔSY*n)*t Xs = Xc*s = Dp/(ΔSX*n)*s ここで^*" は積を表し、また^t" 及び^s" は共に整数で
あり、それら上限値のそれぞれは一主走査ラインに沿っ
て配列される総画素数及び一副走査ラインに沿って配列
される総画素数によって決まるものである。
レーザビームによる走査始点即ち原点から測定された距
離Ys及びXtとして順次表すと、 Yt = Yc*t = Dp/(ΔSY*n)*t Xs = Xc*s = Dp/(ΔSX*n)*s ここで^*" は積を表し、また^t" 及び^s" は共に整数で
あり、それら上限値のそれぞれは一主走査ラインに沿っ
て配列される総画素数及び一副走査ラインに沿って配列
される総画素数によって決まるものである。
【００４４】データYc、Xc、Yt、Xs, t 及s については
特に説明しなかったが、これらデータについてもデータ
ΔY 、ΔX 、ΔSY及びΔSXと同様にシステムコントロー
ル回路７８内で演算されることは明らかであろう。な
お、ラスタデータの一画素サイズDp及び^n" は例えばレ
ーザ描画装置の適当な記録媒体例えばハードディスク等
に予め格納され、レーザ描画装置の始動時に該ハードデ
ィスク等から読み出されて、システムコントロール回路
７８内のメモリ例えば読出し／書込み可能なメモリ（Ｒ
ＡＭ）に取り込まれるものである。
特に説明しなかったが、これらデータについてもデータ
ΔY 、ΔX 、ΔSY及びΔSXと同様にシステムコントロー
ル回路７８内で演算されることは明らかであろう。な
お、ラスタデータの一画素サイズDp及び^n" は例えばレ
ーザ描画装置の適当な記録媒体例えばハードディスク等
に予め格納され、レーザ描画装置の始動時に該ハードデ
ィスク等から読み出されて、システムコントロール回路
７８内のメモリ例えば読出し／書込み可能なメモリ（Ｒ
ＡＭ）に取り込まれるものである。
【００４５】再び図２に戻って説明すると、システムコ
ントロール回路７８にはスケーリング補正制御回路８４
が接続され、このスケーリング補正制御回路８４は図４
に示すような主走査方向スケーリング補正処理回路を含
み、このスケーリング補正処理回路には２つのディレイ
ライン９０Ｂ１及び９０Ｂ２が設けられる。
ントロール回路７８にはスケーリング補正制御回路８４
が接続され、このスケーリング補正制御回路８４は図４
に示すような主走査方向スケーリング補正処理回路を含
み、このスケーリング補正処理回路には２つのディレイ
ライン９０Ｂ１及び９０Ｂ２が設けられる。
【００４６】ディレイライン９０Ｂ１には基本クロック
パルスYCK-INがバッファ９０Ｂ３を介して入力され、デ
ィレイライン９０Ｂ１は基本クロックパルスYCK-INに基
づいて５つのクロックパルスYCK-SEF1、YCK-SEF2、YCK-
SEF3、YCK-SEF4及びYCK-SEF5を出力するようになってい
る。図５のタイムチャートから明らかなように、クロッ
クパルスYCK-SFT1は基本クロックパルスYCK-INと同じ位
相を有し、クロックパルスYCK-SFT2の位相はクロックパ
ルスYCK-SFT1に対してπ/5だけ正側にずれる。同様に、
クロックパルスYCK-SFT3ないしYCK-SFT5のそれぞれもそ
の直前のクロックパルスに対してπ/5だけ順次正側にず
れる。かくして、クロックパルスYCK-SFT5の位相はクロ
ックパルスYCK-SFT1（基本クロックパルスYCK-IN）に対
して 4π/5だけずれることになる。
パルスYCK-INがバッファ９０Ｂ３を介して入力され、デ
ィレイライン９０Ｂ１は基本クロックパルスYCK-INに基
づいて５つのクロックパルスYCK-SEF1、YCK-SEF2、YCK-
SEF3、YCK-SEF4及びYCK-SEF5を出力するようになってい
る。図５のタイムチャートから明らかなように、クロッ
クパルスYCK-SFT1は基本クロックパルスYCK-INと同じ位
相を有し、クロックパルスYCK-SFT2の位相はクロックパ
ルスYCK-SFT1に対してπ/5だけ正側にずれる。同様に、
クロックパルスYCK-SFT3ないしYCK-SFT5のそれぞれもそ
の直前のクロックパルスに対してπ/5だけ順次正側にず
れる。かくして、クロックパルスYCK-SFT5の位相はクロ
ックパルスYCK-SFT1（基本クロックパルスYCK-IN）に対
して 4π/5だけずれることになる。
【００４７】一方、ディレイライン９０Ｂ２には基本ク
ロックパルスYCK-INが反転器を持つバッファ９０Ｂ４を
介して入力される。即ち、ディレイライン９０Ｂ２に入
力される基本クロックパルスの位相は基本クロックパル
スYCK-INに対してπだけずれたものとなる。ディレイラ
イン９０Ｂ２はそのように位相のずれた基本クロックパ
ルスに基づいて５つのクロックパルスYCK-SEF6、YCK-SE
F7、YCK-SEF8、YCK-SEF9及びYCK-SEF10 を出力するよう
になっている。図５のタイムチャートから明らかなよう
に、クロックパルスYCK-SFT6はディレイライン９０Ｂ２
に入力される基本パルスと同じ位相を有し、クロックパ
ルスYCK-SFT7の位相はクロックパルスYCK-SFT6に対して
π/5だけ正側にずれる。同様に、クロックパルスYCK-SF
T7ないしYCK-SFT10 のそれぞれもその直前のクロックパ
ルスに対してπ/5だけ順次正側にずれる。かくして、ク
ロックパルスYCK-SFT10 の位相はクロックパルスYCK-SF
T1（基本クロックパルスYCK-IN）に対して9 π/5 (18π
/10)だけ正側に位相がずれたものとなる。なお、クロッ
クパルスYCK-SFT10 の位相が更にπ/5(2π/10)だけシフ
トされると、その位相はクロックパルスYCK-SFT1の位相
と同じになる。
ロックパルスYCK-INが反転器を持つバッファ９０Ｂ４を
介して入力される。即ち、ディレイライン９０Ｂ２に入
力される基本クロックパルスの位相は基本クロックパル
スYCK-INに対してπだけずれたものとなる。ディレイラ
イン９０Ｂ２はそのように位相のずれた基本クロックパ
ルスに基づいて５つのクロックパルスYCK-SEF6、YCK-SE
F7、YCK-SEF8、YCK-SEF9及びYCK-SEF10 を出力するよう
になっている。図５のタイムチャートから明らかなよう
に、クロックパルスYCK-SFT6はディレイライン９０Ｂ２
に入力される基本パルスと同じ位相を有し、クロックパ
ルスYCK-SFT7の位相はクロックパルスYCK-SFT6に対して
π/5だけ正側にずれる。同様に、クロックパルスYCK-SF
T7ないしYCK-SFT10 のそれぞれもその直前のクロックパ
ルスに対してπ/5だけ順次正側にずれる。かくして、ク
ロックパルスYCK-SFT10 の位相はクロックパルスYCK-SF
T1（基本クロックパルスYCK-IN）に対して9 π/5 (18π
/10)だけ正側に位相がずれたものとなる。なお、クロッ
クパルスYCK-SFT10 の位相が更にπ/5(2π/10)だけシフ
トされると、その位相はクロックパルスYCK-SFT1の位相
と同じになる。
【００４８】要するに、ディレイライン９０Ｂ１及び９
０Ｂ２の双方から出力される10種類のクロックパルスYC
K-SFT1、YCK-SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4、YCK-SFT5、YC
K-SFT6、YCK-SFT7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及びYCK-SFT10
は順次π/5だけ正側に位相がずれたものとなる。
０Ｂ２の双方から出力される10種類のクロックパルスYC
K-SFT1、YCK-SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4、YCK-SFT5、YC
K-SFT6、YCK-SFT7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及びYCK-SFT10
は順次π/5だけ正側に位相がずれたものとなる。
【００４９】図４から明らかなように、主走査方向スケ
ーリング補正処理回路にはパルス出力制御回路９０Ｂ５
及びマルチプレクサ９０Ｂ６が設けられ、パルス出力制
御回路９０Ｂ５からは４種類の選択信号Y-SEL1、Y-SEL
2、Y-SEL3及びY-SEL4がマルチプレクサ９０Ｂ６に対し
て出力されるようになっている。パルス出力制御回路９
０Ｂ５はシステムコントロール回路７８で上述の演算デ
ータ、即ちΔY 、Yc、Yt等に基づいて作成される指令信
号によって制御され、それら指令信号に応じてマルチプ
レクサ９０Ｂ６から10種類のクロックパルスYCK-SFT1、
YCK-SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4、YCK-SFT5、YCK-SFT6、
YCK-SFT7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及びYCK-SFT10 のうちの
いずれかが出力される。即ち、下記の表１に示すよう
に、かかる指令信号に応じて、４種類の選択信号Y-SEL
1、Y-SEL2、Y-SEL3及びY-SEL4の出力レベルの組合が変
えられ、これにより上述の10種類のクロックパルスのい
ずれかが出力されることになる
ーリング補正処理回路にはパルス出力制御回路９０Ｂ５
及びマルチプレクサ９０Ｂ６が設けられ、パルス出力制
御回路９０Ｂ５からは４種類の選択信号Y-SEL1、Y-SEL
2、Y-SEL3及びY-SEL4がマルチプレクサ９０Ｂ６に対し
て出力されるようになっている。パルス出力制御回路９
０Ｂ５はシステムコントロール回路７８で上述の演算デ
ータ、即ちΔY 、Yc、Yt等に基づいて作成される指令信
号によって制御され、それら指令信号に応じてマルチプ
レクサ９０Ｂ６から10種類のクロックパルスYCK-SFT1、
YCK-SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4、YCK-SFT5、YCK-SFT6、
YCK-SFT7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及びYCK-SFT10 のうちの
いずれかが出力される。即ち、下記の表１に示すよう
に、かかる指令信号に応じて、４種類の選択信号Y-SEL
1、Y-SEL2、Y-SEL3及びY-SEL4の出力レベルの組合が変
えられ、これにより上述の10種類のクロックパルスのい
ずれかが出力されることになる
【００５０】
【表１】
【００５１】表１から明らかなように、例えば、マルチ
プレクサ９０Ｂ６からクロックパルスYCK-SET3を出力す
るためには、選択信号Y-SEL3及びY-SEL4をローレベル
（Ｌ）とし、その他の選択信号Y-SEL1及びY-SEL2をハイ
レベル（Ｈ）とするようにパルス出力制御回路９０Ｂ５
に指令信号を入力すればよく、更にマルチプレクサ９０
Ｂ６からクロックパルスYCK-SET1を出力するためには、
４種類の選択信号Y-SEL1だけをハイレベル（Ｈ）とする
ようにパルス出力制御回路９０Ｂ５に指令信号を入力す
ればよい。
プレクサ９０Ｂ６からクロックパルスYCK-SET3を出力す
るためには、選択信号Y-SEL3及びY-SEL4をローレベル
（Ｌ）とし、その他の選択信号Y-SEL1及びY-SEL2をハイ
レベル（Ｈ）とするようにパルス出力制御回路９０Ｂ５
に指令信号を入力すればよく、更にマルチプレクサ９０
Ｂ６からクロックパルスYCK-SET1を出力するためには、
４種類の選択信号Y-SEL1だけをハイレベル（Ｈ）とする
ようにパルス出力制御回路９０Ｂ５に指令信号を入力す
ればよい。
【００５２】図２に示すように、システムコントロール
回路７８及びスケーリング補正制御回路８４は主走査制
御回路８６のビーム位置制御回路９０に接続され、この
ビーム位置制御回路９０には電子シャッタ５２及び５８
がそれぞれ接続される。図６に示すように、ビーム位置
制御回路９０にはバッファメモリ９０Ａ及び同期回路９
０Ｂが設けられる。一主走査ライン分のラスタデータが
バッファメモリ９０Ａを介して同期信号９０Ｂに順次入
力されると同時に、該同期回路９０Ｂにはスケーリング
補正制御回路８４の主走査方向スケーリング補正処理回
路（図４）のマルチプレクサ９０Ｂ６から10種類のクロ
ックパルスYCK-SFT1、YCK-SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4、
YCK-SFT5、YCK-SFT6、YCK-SFT7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及
びYCK-SFT10 のうちのいずれかが入力される。かくし
て、同期回路９０Ｂからは各電子シャッタ５２、５８に
含まれる８つの音響光学素子のそれぞれに対して制御信
号がラスタデータに基づいて所定クロックパルスに従っ
て出力される。
回路７８及びスケーリング補正制御回路８４は主走査制
御回路８６のビーム位置制御回路９０に接続され、この
ビーム位置制御回路９０には電子シャッタ５２及び５８
がそれぞれ接続される。図６に示すように、ビーム位置
制御回路９０にはバッファメモリ９０Ａ及び同期回路９
０Ｂが設けられる。一主走査ライン分のラスタデータが
バッファメモリ９０Ａを介して同期信号９０Ｂに順次入
力されると同時に、該同期回路９０Ｂにはスケーリング
補正制御回路８４の主走査方向スケーリング補正処理回
路（図４）のマルチプレクサ９０Ｂ６から10種類のクロ
ックパルスYCK-SFT1、YCK-SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4、
YCK-SFT5、YCK-SFT6、YCK-SFT7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及
びYCK-SFT10 のうちのいずれかが入力される。かくし
て、同期回路９０Ｂからは各電子シャッタ５２、５８に
含まれる８つの音響光学素子のそれぞれに対して制御信
号がラスタデータに基づいて所定クロックパルスに従っ
て出力される。
【００５３】詳述すると、同期回路９０Ｂから出力され
る制御信号が電子シャッタ５２に内蔵される８つの音響
光学素子駆動回路のそれぞれに入力されると、各音響光
学素子駆動回路から出力される高周波駆動電圧が該当音
響光学素子に印加され、そのような高周波駆動電圧の印
加中、該当音響光学素子はそこを通過するレーザビーム
を光合成器６０（図１）に向けて回折させる。一方、同
期回路９０Ｂから出力される制御信号が電子シャッタ５
８に内蔵される８つの音響光学素子駆動回路のそれぞれ
に入力されると、各音響光学素子駆動回路から出力され
る高周波駆動電圧が該当音響光学素子に印加され、その
ような高周波駆動電圧の印加中、該当音響光学素子はそ
こを通過するレーザビームをビームベンダ６２向かって
回折させる。かくして、被描画体即ち基板上のフォトレ
ジスト層に対するレーザビームの変調が上述のラスタデ
ータに基づいて所定の周波数のクロックパルスに従って
制御され、これにより該フォトレジスト層表面に対する
回路パターンの描画が行われることになる。
る制御信号が電子シャッタ５２に内蔵される８つの音響
光学素子駆動回路のそれぞれに入力されると、各音響光
学素子駆動回路から出力される高周波駆動電圧が該当音
響光学素子に印加され、そのような高周波駆動電圧の印
加中、該当音響光学素子はそこを通過するレーザビーム
を光合成器６０（図１）に向けて回折させる。一方、同
期回路９０Ｂから出力される制御信号が電子シャッタ５
８に内蔵される８つの音響光学素子駆動回路のそれぞれ
に入力されると、各音響光学素子駆動回路から出力され
る高周波駆動電圧が該当音響光学素子に印加され、その
ような高周波駆動電圧の印加中、該当音響光学素子はそ
こを通過するレーザビームをビームベンダ６２向かって
回折させる。かくして、被描画体即ち基板上のフォトレ
ジスト層に対するレーザビームの変調が上述のラスタデ
ータに基づいて所定の周波数のクロックパルスに従って
制御され、これにより該フォトレジスト層表面に対する
回路パターンの描画が行われることになる。
【００５４】また、システムコントロール回路７８で
は、主走査方向位置補正データΔY に基づいて主走査方
向での走査開始指令信号が作成され、この走査開始指令
信号はシステムコントローラ７８からビーム位置制御回
路９０に対して出力され、これによりレーザビームによ
る主走査方向の走査開始位置が主走査方向位置補正デー
タΔY に応じて決められる。
は、主走査方向位置補正データΔY に基づいて主走査方
向での走査開始指令信号が作成され、この走査開始指令
信号はシステムコントローラ７８からビーム位置制御回
路９０に対して出力され、これによりレーザビームによ
る主走査方向の走査開始位置が主走査方向位置補正デー
タΔY に応じて決められる。
【００５５】図２に示すように、主走査制御回路８６に
はＹスケールセンサ９４及び信号処理回路９６が設けら
れる。Ｙスケールセンサ９４は図１には図示されていな
いが、レーザビームの主走査方向に沿うその偏向距離を
計測して検出するものであり、それ自体は周知ものであ
る。Ｙスケールセンサ９４からの出力信号は信号処理回
路９６によって適宜処理された後に基本クロックパルス
YCK-INとしてスケーリング補正制御回路８４の主走査方
向スケーリング補正処理回路（図４）に入力される。
はＹスケールセンサ９４及び信号処理回路９６が設けら
れる。Ｙスケールセンサ９４は図１には図示されていな
いが、レーザビームの主走査方向に沿うその偏向距離を
計測して検出するものであり、それ自体は周知ものであ
る。Ｙスケールセンサ９４からの出力信号は信号処理回
路９６によって適宜処理された後に基本クロックパルス
YCK-INとしてスケーリング補正制御回路８４の主走査方
向スケーリング補正処理回路（図４）に入力される。
【００５６】スケーリング補正制御回路８４は更に図７
に示すような副走査方向スケーリング補正処理回路を含
み、この副走査方向スケーリング補正処理回路には２つ
のシフトレジスタ９９Ｂ１及び９９Ｂ２が設けられる。
に示すような副走査方向スケーリング補正処理回路を含
み、この副走査方向スケーリング補正処理回路には２つ
のシフトレジスタ９９Ｂ１及び９９Ｂ２が設けられる。
【００５７】シフトレジスタ９９Ｂ１には図８のタイム
チャートに示すような基本駆動制御パルスXDP-INが入力
される。また、シフトレジスタ９９Ｂ１には基本駆動制
御パルスXDP-INの５倍の周波数を持つ駆動制御パルスXD
P-5IN がバッファ９９Ｂ３を介して入力される。なお、
駆動制御パルスXDP-5IN はシステムコントロール回路７
８内の発振器から得られるパルスを適宜分周することに
より得られるものである。
チャートに示すような基本駆動制御パルスXDP-INが入力
される。また、シフトレジスタ９９Ｂ１には基本駆動制
御パルスXDP-INの５倍の周波数を持つ駆動制御パルスXD
P-5IN がバッファ９９Ｂ３を介して入力される。なお、
駆動制御パルスXDP-5IN はシステムコントロール回路７
８内の発振器から得られるパルスを適宜分周することに
より得られるものである。
【００５８】図８のタイムチャートから明らかなよう
に、シフトレジスタ９９Ｂ１からは、駆動制御パルスXD
P-5IN と基本駆動制御パルスYCK-INとに基づいて作成さ
れた駆動制御パルスXDP-SFT1が出力され、この駆動制御
パルスXDP-SFT1は基本駆動制御パルスXDP-INと同じ位相
を持つ。また、シフトレジスタ９９Ｂ１からは、駆動制
御パルスXDP-5IN と駆動制御パルスXDP-SFT1とに基づい
て作成された駆動制御パルスXDP-SFT3が出力され、この
駆動制御パルスXDP-SFT3は駆動制御パルスXDP-SFT1に対
して 2π/5だけ正側に位相がずれたものとなる。更に、
シフトレジスタ９９Ｂ１からは、駆動制御パルスXDP-5I
N と駆動制御パルスXDP-SFT3とに基づいて作成された駆
動制御パルスXDP-SFT5が出力され、この駆動制御パルス
XDP-SFT5は駆動制御パルスXDP-SFT1に対して 4π/5だけ
正側に位相がずれたものとなる。更にまた、シフトレジ
スタ９９Ｂ１からは、駆動制御パルスXDP-5IN と駆動制
御パルスXDP-SFT5とに基づいて作成された駆動制御パル
スXDP-SFT7が出力され、この駆動制御パルスXDP-SFT7は
駆動制御パルスXDP-SFT1に対して 6π/5だけ正側に位相
がずれたものとなる。そして更にまた、シフトレジスタ
９９Ｂ１からは、駆動制御パルスXDP-5IN と駆動制御パ
ルスXDP-SFT7とに基づいて作成された駆動制御パルスXD
P-SFT9が出力され、この駆動制御パルスXDP-SFT9は駆動
制御パルスXDP-SFT1に対して 8π/5だけ正側に位相がず
れたものとなる。
に、シフトレジスタ９９Ｂ１からは、駆動制御パルスXD
P-5IN と基本駆動制御パルスYCK-INとに基づいて作成さ
れた駆動制御パルスXDP-SFT1が出力され、この駆動制御
パルスXDP-SFT1は基本駆動制御パルスXDP-INと同じ位相
を持つ。また、シフトレジスタ９９Ｂ１からは、駆動制
御パルスXDP-5IN と駆動制御パルスXDP-SFT1とに基づい
て作成された駆動制御パルスXDP-SFT3が出力され、この
駆動制御パルスXDP-SFT3は駆動制御パルスXDP-SFT1に対
して 2π/5だけ正側に位相がずれたものとなる。更に、
シフトレジスタ９９Ｂ１からは、駆動制御パルスXDP-5I
N と駆動制御パルスXDP-SFT3とに基づいて作成された駆
動制御パルスXDP-SFT5が出力され、この駆動制御パルス
XDP-SFT5は駆動制御パルスXDP-SFT1に対して 4π/5だけ
正側に位相がずれたものとなる。更にまた、シフトレジ
スタ９９Ｂ１からは、駆動制御パルスXDP-5IN と駆動制
御パルスXDP-SFT5とに基づいて作成された駆動制御パル
スXDP-SFT7が出力され、この駆動制御パルスXDP-SFT7は
駆動制御パルスXDP-SFT1に対して 6π/5だけ正側に位相
がずれたものとなる。そして更にまた、シフトレジスタ
９９Ｂ１からは、駆動制御パルスXDP-5IN と駆動制御パ
ルスXDP-SFT7とに基づいて作成された駆動制御パルスXD
P-SFT9が出力され、この駆動制御パルスXDP-SFT9は駆動
制御パルスXDP-SFT1に対して 8π/5だけ正側に位相がず
れたものとなる。
【００５９】図７から明らかなように、シフトレジスタ
９９Ｂ２にも基本駆動制御パルスXDP-INが入力される。
また、シフトレジスタ９９Ｂ２には基本駆動制御パルス
XDP-INの５倍の周波数を持つ駆動制御パルスXDP-5IN が
反転器を持つバッファ９９Ｂ４を介して入力される。即
ち、図７及び図８から明らかなように、シフトレジスタ
９９Ｂ２には、駆動制御パルスXDP-5IN がその位相に対
してπ/5(2π/10)だけ正側にずれた位相を持つ反転駆動
制御パルスXDP-5IN*として入力される。シフトレジスタ
９９Ｂ２からは、駆動制御パルスXDP-5IN*と基本駆動制
御パルスXDP-IN（即ち駆動制御パルスXDP-SFT1) とに基
づいて作成された駆動制御パルスXDP-SFT2が出力され、
この駆動制御パルスXDP-SFT2は基本駆動制御パルスXDP-
INに対してπ/5(2π/10)だけ正側に位相がずれたものと
なる。また、シフトレジスタ９９Ｂ２からは、駆動制御
パルスXDP-5IN*と駆動制御パルスXDP-SFT2とに基づいて
作成された駆動制御パルスXDP-SFT4が出力され、この駆
動制御パルスXDP-SFT4は駆動制御パルスXDP-SFT1に対し
て 3π/5(6π/10)だけ正側に位相がずれたものとなる。
更に、シフトレジスタ９９Ｂ２からは、駆動制御パルス
XDP-5IN*と駆動制御パルスXDP-SFT4とに基づいて作成さ
れた駆動制御パルスXDP-SFT6が出力され、この駆動制御
パルスXDP-SFT6は駆動制御パルスXDP-SFT1に対してπ
(10π/10)だけ正側に位相がずれたものとなる。更にま
た、シフトレジスタ９９Ｂ２からは、駆動制御パルスXD
P-5IN*と駆動制御パルスXDP-SFT6とに基づいて作成され
た駆動制御パルスXDP-SFT8が出力され、この駆動制御パ
ルスXDP-SFT8は駆動制御パルスXDP-SFT1に対して 7π/5
(14π/10)だけ正側に位相がずれたものとなる。そして
更にまた、シフトレジスタ９９Ｂ２からは、駆動制御パ
ルスXDP-5*N と駆動制御パルスXDP-SFT8とに基づいて作
成された駆動制御パルスXDP-SFT10 が出力され、この駆
動制御パルスXDP-SFT10 は駆動制御パルスXDP-SFT1に対
して 9π/5 (18π/10)だけ正側に位相がずれたものとな
る。なお、駆動制御パルスXDP-SFT10 の位相が更にπ/5
(2π/10)だけシフトされると、その位相は駆動制御パル
スXDP-SFT1の位相と同じになる。
９９Ｂ２にも基本駆動制御パルスXDP-INが入力される。
また、シフトレジスタ９９Ｂ２には基本駆動制御パルス
XDP-INの５倍の周波数を持つ駆動制御パルスXDP-5IN が
反転器を持つバッファ９９Ｂ４を介して入力される。即
ち、図７及び図８から明らかなように、シフトレジスタ
９９Ｂ２には、駆動制御パルスXDP-5IN がその位相に対
してπ/5(2π/10)だけ正側にずれた位相を持つ反転駆動
制御パルスXDP-5IN*として入力される。シフトレジスタ
９９Ｂ２からは、駆動制御パルスXDP-5IN*と基本駆動制
御パルスXDP-IN（即ち駆動制御パルスXDP-SFT1) とに基
づいて作成された駆動制御パルスXDP-SFT2が出力され、
この駆動制御パルスXDP-SFT2は基本駆動制御パルスXDP-
INに対してπ/5(2π/10)だけ正側に位相がずれたものと
なる。また、シフトレジスタ９９Ｂ２からは、駆動制御
パルスXDP-5IN*と駆動制御パルスXDP-SFT2とに基づいて
作成された駆動制御パルスXDP-SFT4が出力され、この駆
動制御パルスXDP-SFT4は駆動制御パルスXDP-SFT1に対し
て 3π/5(6π/10)だけ正側に位相がずれたものとなる。
更に、シフトレジスタ９９Ｂ２からは、駆動制御パルス
XDP-5IN*と駆動制御パルスXDP-SFT4とに基づいて作成さ
れた駆動制御パルスXDP-SFT6が出力され、この駆動制御
パルスXDP-SFT6は駆動制御パルスXDP-SFT1に対してπ
(10π/10)だけ正側に位相がずれたものとなる。更にま
た、シフトレジスタ９９Ｂ２からは、駆動制御パルスXD
P-5IN*と駆動制御パルスXDP-SFT6とに基づいて作成され
た駆動制御パルスXDP-SFT8が出力され、この駆動制御パ
ルスXDP-SFT8は駆動制御パルスXDP-SFT1に対して 7π/5
(14π/10)だけ正側に位相がずれたものとなる。そして
更にまた、シフトレジスタ９９Ｂ２からは、駆動制御パ
ルスXDP-5*N と駆動制御パルスXDP-SFT8とに基づいて作
成された駆動制御パルスXDP-SFT10 が出力され、この駆
動制御パルスXDP-SFT10 は駆動制御パルスXDP-SFT1に対
して 9π/5 (18π/10)だけ正側に位相がずれたものとな
る。なお、駆動制御パルスXDP-SFT10 の位相が更にπ/5
(2π/10)だけシフトされると、その位相は駆動制御パル
スXDP-SFT1の位相と同じになる。
【００６０】要するに、シフトレジスタ９９Ｂ１及び９
９Ｂ２の双方から出力される10種類の駆動制御パルスXD
P-SFT1、XDP-SFT2、XDP-SFT3、XDP-SFT4、XDP-SFT5、XD
P-SFT6、XDP-SFT7、XDP-SFT8、XDP-SFT9及びXDP-SFT10
は順次π/5だけ正側に位相がずれたものとなる。
９Ｂ２の双方から出力される10種類の駆動制御パルスXD
P-SFT1、XDP-SFT2、XDP-SFT3、XDP-SFT4、XDP-SFT5、XD
P-SFT6、XDP-SFT7、XDP-SFT8、XDP-SFT9及びXDP-SFT10
は順次π/5だけ正側に位相がずれたものとなる。
【００６１】図７から明らかなように、副走査方向スケ
ーリング補正処理回路には更にパルス出力制御回路９９
Ｂ５及びマルチプレクサ９９Ｂ６が設けられ、パルス出
力制御回路９９Ｂ５からは４種類の選択信号X-SEL1、X-
SEL2、X-SEL3及びX-SEL4がマルチプレクサ９９Ｂ６に対
して出力されるようになっている。パルス出力制御回路
９９Ｂ５はシステムコントロール回路７８上述の演算デ
ータ、即ちΔX 、Xc、Xt等に基づいて作成される指令信
号によって制御され、それら指令信号に応じてマルチプ
レクサ９９Ｂ６から10種類の駆動制御パルスXDP-SFT1、
XDP-SFT2、XDP-SFT3、XDP-SFT4、XDP-SFT5、XDP-SFT6、
XDP-SFT7、XDP-SFT8、XDP-SFT9及びXDP-SFT10 のうちの
いずれかが出力される。即ち、下記の表２に示すよう
に、かかる指令信号に応じて、４種類の選択信号X-SEL
1、X-SEL2、X-SEL3及びX-SEL4の出力レベルの組合が変
えられ、これにより上述の10種類の駆動制御パルスのい
ずれかが出力されることになる。
ーリング補正処理回路には更にパルス出力制御回路９９
Ｂ５及びマルチプレクサ９９Ｂ６が設けられ、パルス出
力制御回路９９Ｂ５からは４種類の選択信号X-SEL1、X-
SEL2、X-SEL3及びX-SEL4がマルチプレクサ９９Ｂ６に対
して出力されるようになっている。パルス出力制御回路
９９Ｂ５はシステムコントロール回路７８上述の演算デ
ータ、即ちΔX 、Xc、Xt等に基づいて作成される指令信
号によって制御され、それら指令信号に応じてマルチプ
レクサ９９Ｂ６から10種類の駆動制御パルスXDP-SFT1、
XDP-SFT2、XDP-SFT3、XDP-SFT4、XDP-SFT5、XDP-SFT6、
XDP-SFT7、XDP-SFT8、XDP-SFT9及びXDP-SFT10 のうちの
いずれかが出力される。即ち、下記の表２に示すよう
に、かかる指令信号に応じて、４種類の選択信号X-SEL
1、X-SEL2、X-SEL3及びX-SEL4の出力レベルの組合が変
えられ、これにより上述の10種類の駆動制御パルスのい
ずれかが出力されることになる。
【００６２】
【表２】
【００６３】表２から明らかなように、例えば、マルチ
プレクサ９９Ｂ６から駆動制御パルスXCK-SET1を出力す
るためには、４種類のうち選択信号X-SEL1をハイレベル
（Ｈ）とし、その他の選択信号X-SEL2、X-SEL3及びX-SE
L4を全てローレベル（Ｌ）とするようにパルス出力制御
回路９９Ｂ５に指令信号を入力すればよく、またマルチ
プレクサ９９Ｂ６から駆動制御パルスXCK-SET9を出力す
るためには、選択信号X-SEL1及びX-SEL4をハイレベル
（Ｈ）とし、その他の選択信号X-SEL2及びX-SEL3をロー
レベル（Ｌ）とするようにパルス出力制御回路９９Ｂ５
に指令信号を入力すればよい。
プレクサ９９Ｂ６から駆動制御パルスXCK-SET1を出力す
るためには、４種類のうち選択信号X-SEL1をハイレベル
（Ｈ）とし、その他の選択信号X-SEL2、X-SEL3及びX-SE
L4を全てローレベル（Ｌ）とするようにパルス出力制御
回路９９Ｂ５に指令信号を入力すればよく、またマルチ
プレクサ９９Ｂ６から駆動制御パルスXCK-SET9を出力す
るためには、選択信号X-SEL1及びX-SEL4をハイレベル
（Ｈ）とし、その他の選択信号X-SEL2及びX-SEL3をロー
レベル（Ｌ）とするようにパルス出力制御回路９９Ｂ５
に指令信号を入力すればよい。
【００６４】かくして、マルチプレクサ９９Ｂ６からは
10種類の駆動制御パルスXCK-SFT1、XCK-SFT2、XCK-SFT
3、XCK-SFT4、XCK-SFT5、XCK-SFT6、XCK-SFT7、XCK-SFT
8、XCK-SFT9及びXCK-SFT10 のうちのいずれかが出力さ
れ、これにより描画テーブル１８は副走査方向に沿って
所定ピッチで駆動させられることになる。
10種類の駆動制御パルスXCK-SFT1、XCK-SFT2、XCK-SFT
3、XCK-SFT4、XCK-SFT5、XCK-SFT6、XCK-SFT7、XCK-SFT
8、XCK-SFT9及びXCK-SFT10 のうちのいずれかが出力さ
れ、これにより描画テーブル１８は副走査方向に沿って
所定ピッチで駆動させられることになる。
【００６５】図２に示すように、システムコントロール
回路７８及びスケーリング補正制御回路８４は副走査制
御回路８８のＸテーブル位置制御回路９９に接続され、
このＸテーブル位置制御回路９９にはＸテーブル１４を
Ｘ方向即ち副走査方向に所定のピッチで移動させるため
のサーボモータ９８が接続される。スケーリング補正制
御回路８４の副走査方向スケーリング補正処理回路（図
７）から駆動制御パルスがＸテーブル位置制御回路９９
に出力されると、そこからは駆動指令信号がサーボモー
タ９８に内蔵されたその駆動回路に出力され、これによ
りＸテーブル位置制御回路９９から出力されるクロック
パルス即ち駆動制御パルスに基づいてサーボモータ９８
が駆動され、これにより描画テーブル１８は副走査方向
に所定のピッチで移動させられる。
回路７８及びスケーリング補正制御回路８４は副走査制
御回路８８のＸテーブル位置制御回路９９に接続され、
このＸテーブル位置制御回路９９にはＸテーブル１４を
Ｘ方向即ち副走査方向に所定のピッチで移動させるため
のサーボモータ９８が接続される。スケーリング補正制
御回路８４の副走査方向スケーリング補正処理回路（図
７）から駆動制御パルスがＸテーブル位置制御回路９９
に出力されると、そこからは駆動指令信号がサーボモー
タ９８に内蔵されたその駆動回路に出力され、これによ
りＸテーブル位置制御回路９９から出力されるクロック
パルス即ち駆動制御パルスに基づいてサーボモータ９８
が駆動され、これにより描画テーブル１８は副走査方向
に所定のピッチで移動させられる。
【００６６】また、システムコントロール回路７８で
は、副走査方向位置補正データΔX に基づいて副走査方
向での走査開始指令信号が作成され、この走査開始指令
信号はシステムコントローラ７８からＸテーブル位置制
御回路９９に対して出力され、これによりレーザビーム
による副走査方向の走査開始位置が副走査方向位置補正
データΔX に応じて決められる。
は、副走査方向位置補正データΔX に基づいて副走査方
向での走査開始指令信号が作成され、この走査開始指令
信号はシステムコントローラ７８からＸテーブル位置制
御回路９９に対して出力され、これによりレーザビーム
による副走査方向の走査開始位置が副走査方向位置補正
データΔX に応じて決められる。
【００６７】図２に示すように、副走査制御回路８８に
は更にＸスケールセンサ１００及び信号処理回路１０２
が設けられる。Ｙスケールセンサ１００は図１には図示
されていないが、レーザビームの副走査方向に沿う相対
的移動距離即ち描画テーブル１８のＸ方向に沿う移動を
計測して検出するものであり、それ自体は周知ものであ
る。Ｘスケールセンサ９４からの出力信号は信号処理回
路１０２によって適宜処理されて基本駆動制御パルスXD
P-INとしてスケーリング補正制御回路８４の副走査方向
スケーリング補正処理回路（図７）に入力される。
は更にＸスケールセンサ１００及び信号処理回路１０２
が設けられる。Ｙスケールセンサ１００は図１には図示
されていないが、レーザビームの副走査方向に沿う相対
的移動距離即ち描画テーブル１８のＸ方向に沿う移動を
計測して検出するものであり、それ自体は周知ものであ
る。Ｘスケールセンサ９４からの出力信号は信号処理回
路１０２によって適宜処理されて基本駆動制御パルスXD
P-INとしてスケーリング補正制御回路８４の副走査方向
スケーリング補正処理回路（図７）に入力される。
【００６８】次に、図９に示すフローチャートを参照し
て、本発明によるレーザ描画装置の作動について説明す
る。
て、本発明によるレーザ描画装置の作動について説明す
る。
【００６９】先ず、ステップ９０１において、描画テー
ブル１８が適当にＸ方向に沿って移動させられ、基板の
Ｙ方向の一方の側辺に沿う一対の位置決めマークが２つ
のＣＣＤカメラ８０によって撮られる。次いで、ステッ
プ９０２では、該一対の位置決めマークの座標データが
読み取られる。
ブル１８が適当にＸ方向に沿って移動させられ、基板の
Ｙ方向の一方の側辺に沿う一対の位置決めマークが２つ
のＣＣＤカメラ８０によって撮られる。次いで、ステッ
プ９０２では、該一対の位置決めマークの座標データが
読み取られる。
【００７０】ステップ９０３では、描画テーブル１８が
再び移動させられ、基板のＹ方向の他方の側辺に沿う一
対の位置決めマークが２つのＣＣＤカメラ８０によって
撮られる。次いで、ステップ９０４では、該一対の位置
決めマークの座標データが読み取られる。
再び移動させられ、基板のＹ方向の他方の側辺に沿う一
対の位置決めマークが２つのＣＣＤカメラ８０によって
撮られる。次いで、ステップ９０４では、該一対の位置
決めマークの座標データが読み取られる。
【００７１】ステップ９０５では、読取り座標データに
基づいて、先に述べたような種々データが演算される。
ステップ９０６では、位置補正データΔX 及びΔY に基
づいて、描画テーブル１８が描画開始位置に位置決めさ
れると共にレーザビームによる主走査方向の走査開始位
置が決定され、これにより被描画体に対する走査範囲が
確定される。なお、本例では、先に述べた事例と同様
に、主走査方向の基準走査範囲は500mm とされ、ラスタ
データの一画素サイズは５μm とされるので、かかる主
走査方向の基準走査範囲内には10万画素が配列される。
基づいて、先に述べたような種々データが演算される。
ステップ９０６では、位置補正データΔX 及びΔY に基
づいて、描画テーブル１８が描画開始位置に位置決めさ
れると共にレーザビームによる主走査方向の走査開始位
置が決定され、これにより被描画体に対する走査範囲が
確定される。なお、本例では、先に述べた事例と同様
に、主走査方向の基準走査範囲は500mm とされ、ラスタ
データの一画素サイズは５μm とされるので、かかる主
走査方向の基準走査範囲内には10万画素が配列される。
【００７２】ステップ９０７及び９０８では、カウンタ
ｔ及びｓがそれぞれリセットされ、次いでステップ９０
９において、描画がスタートされる。
ｔ及びｓがそれぞれリセットされ、次いでステップ９０
９において、描画がスタートされる。
【００７３】ステップ９１０では、図１０に示すような
サブルーチン即ち主走査方向スケーリング補正処理ルー
チンが実行される。
サブルーチン即ち主走査方向スケーリング補正処理ルー
チンが実行される。
【００７４】ステップ１００１では、演算データΔSYの
正負が判断される。もしΔSY>0であれば、ステップ１０
０２に進み、そこで第１のクロックパルス出力順序が設
定される。この第１のクロックパルス出力順序が設定さ
れると、マルチプレクサ９０Ｂ６（図５）からクロック
パルスYCK-SFT1、YCK-SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4、YCK-
SFT5、YCK-SFT6、YCK-SFT7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及びYC
K-SFT10 の順序で出力される。即ち、それらクロックパ
ルスの位相は正側に順次シフトされる。
正負が判断される。もしΔSY>0であれば、ステップ１０
０２に進み、そこで第１のクロックパルス出力順序が設
定される。この第１のクロックパルス出力順序が設定さ
れると、マルチプレクサ９０Ｂ６（図５）からクロック
パルスYCK-SFT1、YCK-SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4、YCK-
SFT5、YCK-SFT6、YCK-SFT7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及びYC
K-SFT10 の順序で出力される。即ち、それらクロックパ
ルスの位相は正側に順次シフトされる。
【００７５】一方、もしΔSY<0であれば、ステップ１０
０３に進み、そこで第２のクロックパルス出力順序が設
定される。この第２のクロックパルス出力順序が設定さ
れると、マルチプレクサ９０Ｂ６（図５）からクロック
パルスYCK-SFT1、YCK-SFT10、YCK-SFT9、YCK-SFT8、YCK
-SFT7、YCK-SFT6、YCK-SFT5、YCK-SFT4、YCK-SFT3及びY
CK-SFT2の順序で出力される。即ち、それらクロックパ
ルスの位相は負側に順次シフトされる。
０３に進み、そこで第２のクロックパルス出力順序が設
定される。この第２のクロックパルス出力順序が設定さ
れると、マルチプレクサ９０Ｂ６（図５）からクロック
パルスYCK-SFT1、YCK-SFT10、YCK-SFT9、YCK-SFT8、YCK
-SFT7、YCK-SFT6、YCK-SFT5、YCK-SFT4、YCK-SFT3及びY
CK-SFT2の順序で出力される。即ち、それらクロックパ
ルスの位相は負側に順次シフトされる。
【００７６】例えば、先に述べた事例において、基板が
主走査方向に１mmだけ伸びてそのＸ方向寸法が501mm に
なった場合には、ステップ１００２に進み、また基板が
主走査方向に１mmだけ縮んでそのＸ方向寸法が499mm に
なった場合には、ステップ１００３に進む。
主走査方向に１mmだけ伸びてそのＸ方向寸法が501mm に
なった場合には、ステップ１００２に進み、また基板が
主走査方向に１mmだけ縮んでそのＸ方向寸法が499mm に
なった場合には、ステップ１００３に進む。
【００７７】ステップ１００４ではＹスケールセンサ９
４からＹスケール読取りデータCyが所定の時間間隔でサ
ンプリングされて順次更新される。次いで、ステップ１
００５では、データCyがそのサンプリング毎に演算デー
タYtと比較される。上述の事例では、カウンタt = 0 の
とき、Ytは250 μm(即ち、50画素分) である。従って、
ステップ１００５では、Cy = 250μm の値到達したか否
かが確認され、もし到達していなければ、ステップ１０
０６に進み、そこで主走査方向の描画が未だ完了してい
なければ、ステップ１００４に戻る。
４からＹスケール読取りデータCyが所定の時間間隔でサ
ンプリングされて順次更新される。次いで、ステップ１
００５では、データCyがそのサンプリング毎に演算デー
タYtと比較される。上述の事例では、カウンタt = 0 の
とき、Ytは250 μm(即ち、50画素分) である。従って、
ステップ１００５では、Cy = 250μm の値到達したか否
かが確認され、もし到達していなければ、ステップ１０
０６に進み、そこで主走査方向の描画が未だ完了してい
なければ、ステップ１００４に戻る。
【００７８】ステップ１００５において、データCyの値
が 250μm に到達すると、即ちCy =Yt となったとき、
ステップ１００７に進み、そこでクロックパルスの切換
が行われる。この切換順については、もしΔSY>0であれ
ば、第１のクロックパルス出力順序に従い、もしΔSY<0
であれば、第２のクロックパルス出力順序に従う。
が 250μm に到達すると、即ちCy =Yt となったとき、
ステップ１００７に進み、そこでクロックパルスの切換
が行われる。この切換順については、もしΔSY>0であれ
ば、第１のクロックパルス出力順序に従い、もしΔSY<0
であれば、第２のクロックパルス出力順序に従う。
【００７９】次いで、ステップ１００８に進み、そこで
カウンタｔは+1だけカウントアップされると、ステップ
１００４に戻される。従って、データCyの値が上限値に
到達するまでの間、主走査方向の描画画素は50画素の単
位で0.5 μm ずつ正側 (ΔSY>0のとき) あるいは負側
(ΔSY>0のとき) にシフトされる。
カウンタｔは+1だけカウントアップされると、ステップ
１００４に戻される。従って、データCyの値が上限値に
到達するまでの間、主走査方向の描画画素は50画素の単
位で0.5 μm ずつ正側 (ΔSY>0のとき) あるいは負側
(ΔSY>0のとき) にシフトされる。
【００８０】ステップ１００６において、主走査方向の
描画が完了したことが確認されると、ステップ１００９
に進み、そこでカウントｔがリセットされる。次いで、
ステップ９１１に戻る（図９）。
描画が完了したことが確認されると、ステップ１００９
に進み、そこでカウントｔがリセットされる。次いで、
ステップ９１１に戻る（図９）。
【００８１】ステップ９１１では、図１１に示すような
サブルーチン即ち副走査方向スケーリング補正処理ルー
チンが実行される。
サブルーチン即ち副走査方向スケーリング補正処理ルー
チンが実行される。
【００８２】ステップ１１０１では、演算データΔSXの
正負が判断される。もしΔSX>0であれば、ステップ１１
０２に進み、そこで第１の駆動制御パルス出力順序が設
定される。この第１の駆動制御パルス出力順序が設定さ
れると、マルチプレクサ９９Ｂ６（図７）から駆動制御
パルスXCK-SFT1、XCK-SFT10 、XCK-SFT9、XCK-SFT8、XC
K-SFT7、XCK-SFT6、XCK-SFT5、XCK-SFT4、XCK-SFT3及び
XCK-SFT2の順序で出力される。即ち、それら駆動制御パ
ルスの位相は負側に順次シフトされる。
正負が判断される。もしΔSX>0であれば、ステップ１１
０２に進み、そこで第１の駆動制御パルス出力順序が設
定される。この第１の駆動制御パルス出力順序が設定さ
れると、マルチプレクサ９９Ｂ６（図７）から駆動制御
パルスXCK-SFT1、XCK-SFT10 、XCK-SFT9、XCK-SFT8、XC
K-SFT7、XCK-SFT6、XCK-SFT5、XCK-SFT4、XCK-SFT3及び
XCK-SFT2の順序で出力される。即ち、それら駆動制御パ
ルスの位相は負側に順次シフトされる。
【００８３】一方、もしΔSX<0であれば、ステップ１１
０３に進み、そこで第２の駆動制御パルス出力順序が設
定される。この第２の駆動制御パルス出力順序が設定さ
れると、マルチプレクサ９９Ｂ６（図７）から駆動制御
パルスXCK-SFT1、XCK-SFT2、XCK-SFT3、XCK-SFT4、XCK-
SFT5、XCK-SFT6、XCK-SFT7、XCK-SFT8、XCK-SFT9及びXC
K-SFT10 の順序で出力される。即ち、それら駆動制御パ
ルスの位相は正側に順次シフトされる。
０３に進み、そこで第２の駆動制御パルス出力順序が設
定される。この第２の駆動制御パルス出力順序が設定さ
れると、マルチプレクサ９９Ｂ６（図７）から駆動制御
パルスXCK-SFT1、XCK-SFT2、XCK-SFT3、XCK-SFT4、XCK-
SFT5、XCK-SFT6、XCK-SFT7、XCK-SFT8、XCK-SFT9及びXC
K-SFT10 の順序で出力される。即ち、それら駆動制御パ
ルスの位相は正側に順次シフトされる。
【００８４】例えば、先に述べた事例において、基板が
副走査方向に１mmだけ伸びてそのＸ方向寸法が501mm に
なった場合には、ステップ１１０２（駆動制御パルスの
位相は負側にシフト）に進み、また基板が副走査方向に
１mmだけ縮んでそのＸ方向寸法が499mm になった場合に
は、ステップ１１０３（駆動制御パルスの位相は正側に
シフト）に進む。
副走査方向に１mmだけ伸びてそのＸ方向寸法が501mm に
なった場合には、ステップ１１０２（駆動制御パルスの
位相は負側にシフト）に進み、また基板が副走査方向に
１mmだけ縮んでそのＸ方向寸法が499mm になった場合に
は、ステップ１１０３（駆動制御パルスの位相は正側に
シフト）に進む。
【００８５】ステップ１１０４では、Ｘスケールセンサ
１００からＸスケール読取りデータCxが所定の時間間隔
でサンプリングされて順次更新される。次いで、ステッ
プ１１０５では、データCxがそのサンプリング毎に演算
データXsと比較される。上述の事例では、カウンタｓ=
0 のとき、Xsは250 μm(即ち、50画素分) である。従っ
て、ステップ１１０５では、Cx = 250μm の値に到達し
たか否かが確認され、もし到達していなければ、ステッ
プ１１０６に進み、そこで副走査方向の描画が未だ完了
していなければ、図１０のステップ１００１に戻され
る。
１００からＸスケール読取りデータCxが所定の時間間隔
でサンプリングされて順次更新される。次いで、ステッ
プ１１０５では、データCxがそのサンプリング毎に演算
データXsと比較される。上述の事例では、カウンタｓ=
0 のとき、Xsは250 μm(即ち、50画素分) である。従っ
て、ステップ１１０５では、Cx = 250μm の値に到達し
たか否かが確認され、もし到達していなければ、ステッ
プ１１０６に進み、そこで副走査方向の描画が未だ完了
していなければ、図１０のステップ１００１に戻され
る。
【００８６】ステップ１１０５において、データCxの値
が 250μm に到達すると、即ちCx =Xs となったとき、
ステップ１１０７に進み、そこで駆動制御パルスの切換
が行われる。この切換順については、もしΔSX>0であれ
ば、第１の駆動制御パルス出力順序に従い、もしΔSX<0
であれば、第２の駆動制御パルス出力順序に従う。
が 250μm に到達すると、即ちCx =Xs となったとき、
ステップ１１０７に進み、そこで駆動制御パルスの切換
が行われる。この切換順については、もしΔSX>0であれ
ば、第１の駆動制御パルス出力順序に従い、もしΔSX<0
であれば、第２の駆動制御パルス出力順序に従う。
【００８７】次いで、ステップ１１０８に進み、そこで
カウンタｓのカウント値が+1だけカウントアップされた
後、図１０のステップ１００１に戻される。ステップ１
１０４に戻される。従って、データCxの値が上限値に到
達するまでの間、副走査方向の描画画素は50画素の単位
で0.5 μm ずつ負側 (ΔSX>0のとき) あるいは正側 (Δ
SX>0のとき) にシフトされる。
カウンタｓのカウント値が+1だけカウントアップされた
後、図１０のステップ１００１に戻される。ステップ１
１０４に戻される。従って、データCxの値が上限値に到
達するまでの間、副走査方向の描画画素は50画素の単位
で0.5 μm ずつ負側 (ΔSX>0のとき) あるいは正側 (Δ
SX>0のとき) にシフトされる。
【００８８】ステップ１１０６において、副走査方向の
描画が完了したことが確認されると、即ち基板に対する
回路パターンの描画が完了すると、図１のステップ９１
２に戻され、そこで描画テーブル１８が原点位置に復帰
させられる。
描画が完了したことが確認されると、即ち基板に対する
回路パターンの描画が完了すると、図１のステップ９１
２に戻され、そこで描画テーブル１８が原点位置に復帰
させられる。
【００８９】
【発明の効果】以上の記載から明らかように、本発明に
よるレーザ描画装置にあっては、個々の被描画体の寸法
変動に対して適正なスケーリング補正処理を施し得ると
共にそのスケーリング補正処理をラスタデータの一画素
以下の単位で行うことができるので、被描画体の寸法変
動に拘らず、高精度でのパターンの描画が可能である。
よるレーザ描画装置にあっては、個々の被描画体の寸法
変動に対して適正なスケーリング補正処理を施し得ると
共にそのスケーリング補正処理をラスタデータの一画素
以下の単位で行うことができるので、被描画体の寸法変
動に拘らず、高精度でのパターンの描画が可能である。
【図１】本発明によるレーザ描画装置の一実施形態を示
す概略斜視図である。
す概略斜視図である。
【図２】図１のレーザ描画装置のブロック図である。
【図３】被描画体の寸法変動の検出を説明するための概
念図である。
念図である。
【図４】図２に示したスケーリング補正制御回路の一部
を構成する主走査方向スケーリング補正処理回路を示す
ブロック図である。
を構成する主走査方向スケーリング補正処理回路を示す
ブロック図である。
【図５】主走査方向スケーリング補正処理の際に用いら
れるクロックパルスのタイムチャートである。
れるクロックパルスのタイムチャートである。
【図６】図２に示したビーム位置制御回路の詳細ブロッ
ク図である。
ク図である。
【図７】図２に示したスケーリング補正制御回路の一部
を構成する副走査方向スケーリング補正処理回路を示す
ブロック図である。
を構成する副走査方向スケーリング補正処理回路を示す
ブロック図である。
【図８】副走査方向スケーリング補正処理の際に用いら
れる駆動制御パルスのタイムチャートである。
れる駆動制御パルスのタイムチャートである。
【図９】本発明によるレーザ描画装置の作動を説明する
フローチャートである。
フローチャートである。
【図１０】図９のフローチャートの一部を詳細に示すフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図１１】図９のフローチャートのその他の一部を詳細
に示すフローチャートである。
に示すフローチャートである。
１０ 基台 １２ レール １４ Ｘテーブル １８ 描画テーブル ２４ アルゴンレーザ発生器 ７０ ポリゴンミラー ７８ システムコントロール回路 ８４ スケーリング補正制御回路 ８６ 主走査制御回路 ８８ 主走査制御回路 ９０ ビーム位置制御回路 ９４ Ｙスケールセンサ ９９ Ｘテーブル位置制御回路
Claims (12)
- 【請求項１】 被描画体をレーザビームでもって走査さ
せつつ該被描画体に対するレーザビームの変調をラスタ
データに基づいて所定の周波数のクロックパルスに従っ
て制御して描画を行うレーザ描画装置であって、 前記被描画体の寸法値を基準寸法値と比較してその寸法
差及びその大小関係を判別する寸法判別手段と、 前記クロックパルスの位相を前記寸法差に応じた所定の
間隔でしかも前記大小関係に応じて正側及び負側のいず
れか一方に順次シフトさせてその全シフト量を前記寸法
差に実質的に一致させるように前記クロックパルスの出
力を制御するクロックパルス出力制御手段とを具備して
成るレーザ描画装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のレーザ描画装置におい
て、前記被描画体に対するレーザビームによる走査が該
レーザビームを該被描画体に対して偏向させることによ
って行われる場合にあっては、前記寸法判別手段によっ
て前記被描画体の寸法値が前記基準寸法値よりも大きい
と判別されたとき、前記クロックパルス出力制御手段が
前記クロックパルスの位相を正側に順次シフトさせてそ
の全シフト量を前記寸法差に実質的に一致させるように
前記クロックパルスの出力を制御し、前記寸法判別手段
によって前記被描画体の寸法値が前記基準寸法値よりも
小さいと判別されたとき、前記クロックパルス出力制御
手段が前記クロックパルスの位相を負側に順次シフトさ
せてその全シフト量を前記寸法差に実質的に一致させる
ように前記クロックパルスの出力を制御することを特徴
とするレーザ描画装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載のレーザ描画装置におい
て、前記被描画体に対するレーザビームによる走査が該
被描画体を該レーザビームに対して移動させることによ
って行われる場合にあっては、前記寸法判別手段によっ
て前記被描画体の寸法値が前記基準寸法値よりも大きい
と判別されたとき、前記クロックパルス出力制御手段が
前記クロックパルスの位相を負側に順次シフトさせてそ
の全シフト量を前記寸法差に実質的に一致させるように
前記クロックパルスの出力を制御し、前記寸法判別手段
によって前記被描画体の寸法値が前記基準寸法値よりも
小さいと判別されたとき、前記クロックパルス出力制御
手段が前記クロックパルスの位相を正側に順次シフトさ
せてその全シフト量を前記寸法差に実質的に一致させる
ように前記クロックパルスの出力を制御することを特徴
とするレーザ描画装置。 - 【請求項４】 被描画体を偏向レーザビームでもって走
査させつつ該被描画体に対する偏向レーザビームの変調
をラスタデータに基づいて所定の周波数のクロックパル
スに従って制御して描画を行うレーザ描画装置であっ
て、 前記被描画体の寸法値を基準寸法値と比較してその寸法
差及びその大小関係を判別する寸法判別手段と、 前記寸法判別手段によって前記被描画体の寸法値が前記
基準寸法値よりも大きいと判別されたとき、前記クロッ
クパルスの位相を前記寸法差に応じた所定の間隔で正側
に順次シフトさせてその全シフト量を前記寸法差に実質
的に一致させるように前記クロックパルスの出力を制御
し、かつ前記寸法判別手段によって前記被描画体の寸法
値が前記基準寸法値よりも小さいと判別されたとき、前
記クロックパルスの位相を前記寸法差に応じた所定の間
隔で負側に順次シフトさせてその全シフト量を前記寸法
差に一致させるように前記クロックパルスの出力を制御
するクロックパルス出力制御手段とを具備して成るレー
ザ描画装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載のレーザ描画装置におい
て、 前記クロックパルス出力制御手段が前記クロックパルス
として位相の異なる少なくとも２つ以上のクロックパル
スを発生させるクロックパルス発生手段と、 前記クロックパルス発生手段からの少なくとも２つ以上
のクロックパルスを選択的に切り換えて出力するクロッ
クパルス切換手段と、 前記クロックパルス切換手段によるクロックパルスの切
換を第１のクロックパルス出力順序及び第２のクロック
パルス出力順序のいずれかの態様で行うかを制御するク
ロックパルス出力順序制御手段とを包含し、 前記第１のクロックパルス出力順序では、前記少なくと
も２つ以上のクロックパルスがその位相を正側に順次シ
フトするような態様で前記クロックパルス切換手段から
出力され、前記第２のクロックパルス出力順序では、前
記少なくとも２つ以上のクロックパルスがその位相を負
側に順次シフトするような態様で前記クロックパルス切
換手段から出力され、 前記寸法判別手段によって前記被描画体の寸法値が前記
基準寸法値よりも大きいと判別されたとき、前記クロッ
クパルス切換手段によるクロックパルスの切換が前記ク
ロックパルス出力順序制御手段によって前記第１のクロ
ックパルス出力順序で行われるように制御され、前記寸
法判別手段によって前記被描画体の寸法値が前記基準寸
法値よりも小さいと判別されたとき、前記クロックパル
ス切換手段によるクロックパルスの切換が前記クロック
パルス出力順序制御手段によって前記第２のクロックパ
ルス出力順序で行われるように制御され、 前記クロックパルス出力制御手段が更に、前記被描画体
の寸法値と前記基準寸法値との寸法差が大きければ大き
い程、前記クロックパルス切換手段によるクロックパル
スの切換間隔を小さくするように該クロックパルス切換
手段を制御するクロックパルス切換間隔制御手段を包含
することを特徴とするレーザ描画装置。 - 【請求項６】 被描画体を偏向レーザビームでもって走
査させつつ該被描画体に対する偏向レーザビームの変調
をラスタデータに基づいて所定の周波数のクロックパル
スに従って制御して描画を行うレーザ描画装置であっ
て、 前記被描画体のレーザビーム走査方向に沿う寸法変動値
を基準寸法値に基づいて検出する寸法変動検出手段と、 前記寸法変動検出手段で検出された寸法変動値を前記基
準寸法値と比較してその寸法差及びその大小関係を判別
する寸法判別手段と、 前記寸法判別手段によって前記被描画体の寸法変動値が
前記基準寸法値よりも大きいと判別されたとき、前記ク
ロックパルスの位相を前記寸法差に応じた所定の間隔で
正側に順次シフトさせてその全シフト量を前記寸法差に
実質的に一致させるように前記クロックパルスの出力を
制御し、かつ前記寸法判別手段によって前記被描画体の
寸法変動値が前記基準寸法値よりも小さいと判別された
とき、前記クロックパルスの位相を前記寸法差に応じた
所定の間隔で前記クロックパルスの位相を負側にシフト
順次させてその全シフト量を前記寸法差に実質的に一致
させるように前記クロックパルスの出力を制御するクロ
ックパルス出力制御手段とを具備して成るレーザ描画装
置。 - 【請求項７】 請求項６に記載のレーザ描画装置におい
て、前記寸法変動検出手段がレーザビーム走査方向に沿
って前記被描画体上に予め設けられた２つの位置決めマ
ーク間の距離を測定し、その測定値を前記基準寸法値と
比較して該被描画体の寸法変動値を検出することを特徴
とするレーザ描画装置。 - 【請求項８】 請求項６または７に記載のレーザ描画装
置において、 前記クロックパルス出力制御手段が前記クロックパルス
として位相の異なる少なくとも２つ以上のクロックパル
スを発生させるクロックパルス発生手段と、 前記クロックパルス発生手段からの少なくとも２つ以上
のクロックパルスを選択的に切り換えて出力するクロッ
クパルス切換手段と、 前記クロックパルス切換手段によるクロックパルスの切
換を第１のクロックパルス出力順序及び第２のクロック
パルス出力順序のいずれかの態様で行うかを制御するク
ロックパルス出力順序制御手段とを包含し、 前記第１のクロックパルス出力順序では、前記少なくと
も２つ以上のクロックパルスがその位相を正側に順次シ
フトするような態様で前記クロックパルス切換手段から
出力され、前記第２のクロックパルス出力順序では、前
記少なくとも２つ以上のクロックパルスがその位相を負
側に順次シフトするような態様で前記クロックパルス切
換手段から出力され、 前記寸法判別手段によって前記被描画体の寸法変動値が
前記基準寸法値よりも大きいと判別されたとき、前記ク
ロックパルス切換手段によるクロックパルスの切換が前
記クロックパルス出力順序制御手段によって前記第１の
クロックパルス出力順序で行われるように制御され、前
記寸法判別手段によって前記被描画体の寸法変動値が前
記基準寸法値よりも小さいと判別されたとき、前記クロ
ックパルス切換手段によるクロックパルスの切換が前記
クロックパルス出力順序制御手段によって前記第２のク
ロックパルス出力順序で行われるように制御され、 前記クロックパルス出力制御手段が更に、前記被描画体
の寸法変動値と前記基準寸法値との差が大きければ大き
い程、前記クロックパルス切換手段によるクロックパル
スの切換間隔を小さくするように該クロックパルス切換
手段を制御するクロックパルス切換間隔制御手段を包含
することを特徴とするレーザ描画装置。 - 【請求項９】 被描画体を偏向レーザビームでもって主
走査方向に走査させつつ該被描画体に対する偏向レーザ
ビームの変調をラスタデータに基づいて所定の周波数の
クロックパルスに従って制御しかつ前記被描画体を副走
査方向に所定の周波数の駆動パルスに従って駆動して描
画を行うレーザ描画装置であって、 前記被描画体の主走査方向寸法値を主走査方向基準寸法
値と比較してその主走査方向寸法差及びその主走査方向
大小関係を判別する主走査方向寸法判別手段と、 前記被描画体の副走査方向寸法値を副走査方向基準寸法
値と比較してその副走査方向寸法差及びその副走査方向
大小関係を判別する副走査方向寸法判別手段と、 前記主走査方向寸法判別手段によって前記被描画体の主
走査方向寸法値が前記主走査方向基準寸法値よりも大き
いと判別されたとき、前記クロックパルスの位相を前記
主走査方向寸法差に応じた所定の間隔で正側に順次シフ
トさせてその全シフト量を前記主走査方向寸法差に実質
的に一致させるように前記クロックパルスの出力を制御
し、かつ前記主走査方向寸法判別手段によって前記被描
画体の主走査方向寸法値が前記主走査方向基準寸法値よ
りも小さいと判別されたとき、前記クロックパルスの位
相を前記主走査方向寸法差に応じた所定の間隔で負側に
順次シフトさせてその全シフト量を前記主走査方向寸法
差に一致させるように前記クロックパルスの出力を制御
するクロックパルス出力制御手段と、 前記副走査方向寸法判別手段によって前記被描画体の副
走査方向寸法値が前記副走査方向基準寸法値よりも大き
いと判別されたとき、前記駆動パルスの位相を前記副走
査方向寸法差に応じた所定の間隔で負側に順次シフトさ
せてその全シフト量を前記副走査方向寸法差に実質的に
一致させるように前記駆動パルスの出力を制御し、かつ
前記副走査方向寸法判別手段によって前記被描画体の副
走査方向寸法値が前記副走査方向基準寸法値よりも小さ
いと判別されたとき、前記駆動パルスの位相を前記副走
査方向寸法差に応じた所定の間隔で正側に順次シフトさ
せてその全シフト量を前記副走査方向寸法差に一致させ
るように前記駆動パルスの出力を制御する駆動パルス出
力制御手段とを具備して成るレーザ描画装置。 - 【請求項１０】 請求項９に記載のレーザ描画装置にお
いて、 前記クロックパルス出力制御手段が前記クロックパルス
として位相の異なる少なくとも２つ以上のクロックパル
スを発生させるクロックパルス発生手段と、 前記クロックパルス発生手段からの少なくとも２つ以上
のクロックパルスを選択的に切り換えて出力するクロッ
クパルス切換手段と、 前記クロックパルス切換手段によるクロックパルスの切
換を第１のクロックパルス出力順序及び第２のクロック
パルス出力順序のいずれかの態様で行うかを制御するク
ロックパルス出力順序制御手段とを包含し、 前記第１のクロックパルス出力順序では、前記少なくと
も２つ以上のクロックパルスがその位相を正側に順次シ
フトするような態様で前記クロックパルス切換手段から
出力され、前記第２のクロックパルス出力順序では、前
記少なくとも２つ以上のクロックパルスがその位相を負
側に順次シフトするような態様で前記クロックパルス切
換手段から出力され、 前記主走査方向寸法判別手段によって前記被描画体の主
走査方向寸法値が前記主走査方向基準寸法値よりも大き
いと判別されたとき、前記クロックパルス切換手段によ
るクロックパルスの切換が前記クロックパルス出力順序
制御手段によって前記第１のクロックパルス出力順序で
行われるように制御され、前記主走査方向寸法判別手段
によって前記被描画体の主走査方向寸法値が前記主走査
方向基準寸法値よりも小さいと判別されたとき、前記ク
ロックパルス切換手段によるクロックパルスの切換が前
記クロックパルス出力順序制御手段によって前記第２の
クロックパルス出力順序で行われるように制御され、 前記クロックパルス出力制御手段が更に、前記被描画体
の主走査方向寸法値と前記主基準寸法値との寸法差が大
きければ大きい程、前記クロックパルス切換手段による
クロックパルスの切換間隔を小さくするように該クロッ
クパルス切換手段を制御するクロックパルス切換間隔制
御手段を包含し、 前記駆動パルス出力制御手段が前記駆動パルスとして位
相の異なる少なくとも２つ以上の駆動パルスを発生させ
る駆動パルス発生手段と、 前記駆動パルス発生手段からの少なくとも２つ以上の駆
動パルスを選択的に切り換えて出力する駆動パルス切換
手段と、 前記駆動パルス切換手段による駆動パルスの切換を第１
の駆動パルス出力順序及び第２の駆動パルス出力順序の
いずれかの態様で行うかを制御する駆動パルス出力順序
制御手段とを包含し、 前記第１の駆動パルス出力順序では、前記少なくとも２
つ以上の駆動パルスがその位相を負側に順次シフトする
ような態様で前記駆動パルス切換手段から出力され、前
記第２の駆動パルス出力順序では、前記少なくとも２つ
以上の駆動パルスがその位相を正側に順次シフトするよ
うな態様で前記駆動パルス切換手段から出力され、 前記副走査方向寸法判別手段によって前記被描画体の副
走査方向寸法値が前記副走査方向基準寸法値よりも大き
いと判別されたとき、前記駆動パルス切換手段による駆
動パルスの切換が前記駆動パルス出力順序制御手段によ
って前記第１の駆動パルス出力順序で行われるように制
御され、前記副走査方向寸法判別手段によって前記被描
画体の副走査方向寸法値が前記副走査方向基準寸法値よ
りも小さいと判別されたとき、前記駆動パルス切換手段
による駆動パルスの切換が前記駆動パルス出力順序制御
手段によって前記第２の駆動パルス出力順序で行われる
ように制御され、 前記駆動パルス出力制御手段が更に、前記被描画体の副
走査方向寸法値と前記副基準寸法値との寸法差が大きけ
れば大きい程、前記駆動パルス切換手段による駆動パル
スの切換間隔を小さくするように該駆動パルス切換手段
を制御する駆動パルス切換間隔制御手段を包含すること
を特徴とするレーザ描画装置。 - 【請求項１１】 被描画体を偏向レーザビームでもって
主走査方向に走査させつつ該被描画体に対する偏向レー
ザビームの変調をラスタデータに基づいて所定の周波数
のクロックパルスに従って制御しかつ前記被描画体を副
走査方向に所定の周波数の駆動パルスに従って駆動して
描画を行うレーザ描画装置であって、 前記被描画体の主走査方向寸法変動値を主走査方向基準
寸法値に基づいて検出する主走査方向寸法変動検出手段
と、 前記主走査方向寸法変動検出手段で検出された主走査方
向寸法変動値を前記主走査方向基準寸法値と比較してそ
の主走査方向寸法差及びその主走査方向大小関係を判別
する主走査方向寸法判別手段と、 前記被描画体の副走査方向寸法変動値を副走査方向基準
寸法値に基づいて検出する副走査方向寸法変動検出手段
と、 前記副走査方向寸法変動検出手段で検出された副走査方
向寸法変動値を前記副走査方向基準寸法値と比較してそ
の副走査方向寸法差及びその副走査方向大小関係を判別
する副走査方向寸法判別手段と、 前記主走査方向寸法判別手段によって前記被描画体の主
走査方向寸法変動値が前記主走査方向基準寸法値よりも
大きいと判別されたとき、前記クロックパルスの位相を
前記主走査方向寸法差に応じた所定の間隔で正側に順次
シフトさせてその全シフト量を前記主走査方向寸法差に
実質的に一致させるように前記クロックパルスの出力を
制御し、かつ前記主走査方向寸法判別手段によって前記
被描画体の主走査方向寸法変動値が前記主走査方向基準
寸法値よりも小さいと判別されたとき、前記クロックパ
ルスの位相を前記主走査方向寸法差に応じた所定の間隔
で負側に順次シフトさせてその全シフト量を前記主走査
方向寸法差に一致させるように前記クロックパルスの出
力を制御するクロックパルス出力制御手段と、 前記副走査方向寸法判別手段によって前記被描画体の副
走査方向寸法変動値が前記副走査方向基準寸法値よりも
大きいと判別されたとき、前記駆動パルスの位相を前記
副走査方向寸法差に応じた所定の間隔で負側に順次シフ
トさせてその全シフト量を前記副走査方向寸法差に実質
的に一致させるように前記駆動パルスの出力を制御し、
かつ前記副走査方向寸法判別手段によって前記被描画体
の副走査方向寸法変動値が前記副走査方向基準寸法値よ
りも小さいと判別されたとき、前記駆動パルスの位相を
前記副走査方向寸法差に応じた所定の間隔で正側に順次
シフトさせてその全シフト量を前記副走査方向寸法差に
一致させるように前記駆動パルスの出力を制御する駆動
パルス出力制御手段とを具備して成るレーザ描画装置。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載のレーザ描画装置に
おいて、 前記クロックパルス出力制御手段が前記クロックパルス
として位相の異なる少なくとも２つ以上のクロックパル
スを発生させるクロックパルス発生手段と、 前記クロックパルス発生手段からの少なくとも２つ以上
のクロックパルスを選択的に切り換えて出力するクロッ
クパルス切換手段と、 前記クロックパルス切換手段によるクロックパルスの切
換を第１のクロックパルス出力順序及び第２のクロック
パルス出力順序のいずれかの態様で行うかを制御するク
ロックパルス出力順序制御手段とを包含し、 前記第１のクロックパルス出力順序では、前記少なくと
も２つ以上のクロックパルスがその位相を正側に順次シ
フトするような態様で前記クロックパルス切換手段から
出力され、前記第２のクロックパルス出力順序では、前
記少なくとも２つ以上のクロックパルスがその位相を負
側に順次シフトするような態様で前記クロックパルス切
換手段から出力され、 前記主走査方向寸法判別手段によって前記被描画体の主
走査方向寸法変動値が前記主走査方向基準寸法値よりも
大きいと判別されたとき、前記クロックパルス切換手段
によるクロックパルスの切換が前記クロックパルス出力
順序制御手段によって前記第１のクロックパルス出力順
序で行われるように制御され、前記主走査方向寸法判別
手段によって前記被描画体の主走査方向寸法変動値が前
記主走査方向基準寸法値よりも小さいと判別されたと
き、前記クロックパルス切換手段によるクロックパルス
の切換が前記クロックパルス出力順序制御手段によって
前記第２のクロックパルス出力順序で行われるように制
御され、 前記クロックパルス出力制御手段が更に、前記被描画体
の主走査方向寸法変動値と前記主基準寸法値との寸法差
が大きければ大きい程、前記クロックパルス切換手段に
よるクロックパルスの切換間隔を小さくするように該ク
ロックパルス切換手段を制御するクロックパルス切換間
隔制御手段を包含し、 前記駆動パルス出力制御手段が前記駆動パルスとして位
相の異なる少なくとも２つ以上の駆動パルスを発生させ
る駆動パルス発生手段と、 前記駆動パルス発生手段からの少なくとも２つ以上の駆
動パルスを選択的に切り換えて出力する駆動パルス切換
手段と、 前記駆動パルス切換手段による駆動パルスの切換を第１
の駆動パルス出力順序及び第２の駆動パルス出力順序の
いずれかの態様で行うかを制御する駆動パルス出力順序
制御手段とを包含し、 前記第１の駆動パルス出力順序では、前記少なくとも２
つ以上の駆動パルスがその位相を負側に順次シフトする
ような態様で前記駆動パルス切換手段から出力され、前
記第２の駆動パルス出力順序では、前記少なくとも２つ
以上の駆動パルスがその位相を正側に順次シフトするよ
うな態様で前記駆動パルス切換手段から出力され、 前記副走査方向寸法判別手段によって前記被描画体の副
走査方向寸法変動値が前記副走査方向基準寸法値よりも
大きいと判別されたとき、前記駆動パルス切換手段によ
る駆動パルスの切換が前記駆動パルス出力順序制御手段
によって前記第１の駆動パルス出力順序で行われるよう
に制御され、前記副走査方向寸法判別手段によって前記
被描画体の副走査方向寸法変動値が前記副走査方向基準
寸法値よりも小さいと判別されたとき、前記駆動パルス
切換手段による駆動パルスの切換が前記駆動パルス出力
順序制御手段によって前記第２の駆動パルス出力順序で
行われるように制御され、 前記駆動パルス出力制御手段が更に、前記被描画体の副
走査方向寸法変動値と前記副基準寸法値との寸法差が大
きければ大きい程、前記駆動パルス切換手段による駆動
パルスの切換間隔を小さくするように該駆動パルス切換
手段を制御する駆動パルス切換間隔制御手段を包含する
ことを特徴とするレーザ描画装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8163697A JPH09323180A (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | スケーリング補正機能を持つレーザ描画装置 |
| US08/867,195 US5980088A (en) | 1996-06-04 | 1997-06-02 | Laser drawing apparatus with precision scaling-correction |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8163697A JPH09323180A (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | スケーリング補正機能を持つレーザ描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09323180A true JPH09323180A (ja) | 1997-12-16 |
Family
ID=15778902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8163697A Pending JPH09323180A (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | スケーリング補正機能を持つレーザ描画装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| US (1) | US5980088A (ja) |
| JP (1) | JPH09323180A (ja) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041210 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060421 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20060830 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060830 |
|
| A02 | Decision of refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070927 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20071011 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20080926 |