JPH09325073A - 赤外線カメラ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ボロメータアレイ型検出器を用いた赤外線カ
メラにおいて、検出器の温度制御を行わず、低コスト・
低消費電力のカメラを提供する。 【解決手段】 半導体基板上に作製した、赤外線を検知
するボロメータアレイに、赤外線を該ボロメータアレイ
に導く光学アセンブリ１０と赤外線の入射を遮断するシ
ャッタ１１を具備する赤外線カメラにおいて、該基板の
温度変化を検知する温度センサにより該基板の温度を検
知し、該基板の温度変化がある規定した値以上になった
ときに該シャッタ１１を閉じ、ボロメータアレイの画像
信号のオフセット補正を行うものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はボロメータアレイ型
検出器を用いた赤外線ビデオカメラに関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】最近、赤外線による光学機器の利用が盛
んになっており、夜間の監視を温度計測などに活用され
ている。この応用の拡大に伴い、ボロメータ方式、サー
モパイル方式、あるいは焦電方式の熱型検出器による安
価な赤外線検出器の開発が要望されている。例えば特表
平７−５０９０５７号公報や特表平７−５０７８６７号
公報に記載されているように、検出器の各画素をブリッ
ジ構造で中空に浮かしたボロメータ方式の赤外線検出器
は近年注目されてきているもので、この画素をアレイ状
に配列することにより赤外線の画像を得ようとするもの
である。特表平７−５０８３８４号公報における赤外線
カメラはこのボロメータアレイ素子を使ったものであ
る。これらのボロメータアレイによる熱型検出器は、従
来からの量子型の赤外線画像の検出器と比較して、赤外
線検知部の冷却が不要であるため、低コストの赤外線検
出器として提供できる利点を有している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】一方、ボロメータ型の
検出器は、受光部が吸収する入射赤外線を受光部の温度
変化に変え、この温度変化により生じた抵抗変化を信号
として検出するものであるから、受光部の温度がカメラ
や環境などの温度変化によって変動するとそれが画像信
号として検出される問題点がある。

【０００４】これを防止するために、特表平７−５０８
３８４号公報では、ボロメータアレイ素子の基板に温度
安定器を設け、温度を一定にするという工夫がとられて
いる。しかしながら、ボロメータアレイの素子温度を一
定にするための安定器は、通常、ペルチェ効果による小
型の熱電素子が用いられるが、この熱電素子は吸熱面と
発熱面での温度差が大きくなると、消費電力が増大する
だけでなく、ある温度差以上になると制御不能になると
いう問題点がある。この温度差の許容値をなるべく大き
くしようとすると、熱電素子のサイズや制御回路は大き
なものとなり、カメラの小型化や低コスト化の障害とな
るなどの問題点があった。

【０００５】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたもので、ボロメータアレイ素子の温度制御
が不要のボロメータアレイ型検出器を用いた赤外線カメ
ラを提供しようとするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】第１の赤外線カメラは、
半導体基板上に作製した、赤外線を検知するボロメータ
アレイに、赤外線を該ボロメータアレイに導く光学アセ
ンブリと赤外線の入射を遮断するシャッタとを具備する
カメラにおいて、該基板の温度変化を検知する温度セン
サにより該基板の温度を検知し、該基板の温度変化があ
る規定した値以上になったときに該シャッタを閉じ、ボ
ロメータアレイの画像信号のオフセット補正を行うもの
である。

【０００７】また、第２の赤外線カメラは、半導体基板
上に作製した、赤外線を検知するボロメータアレイが、
２次元的に配列したボロメータアレイであり、２次元の
行と列にそれぞれトランジスタスイッチを接続し、該ト
ランジスタスイッチを開閉することによりボロメータア
レイの各ボロメータピクセルにバイアス電圧を走査させ
る水平走査回路と垂直走査回路を備え、該ピクセルの受
光部は基板と熱的に絶縁され、該受光部に赤外線が照射
したことによる温度変化によって該ピクセルのボロメー
タの抵抗が変化し、該抵抗値の変化を、該バイアス電圧
を印加することにより読み取る際に、該ボロメータと直
列に接続する負荷抵抗に、該ボロメータと同じ抵抗値で
かつ同じ温度変化をする抵抗を用いることを特徴とする
ものである。

【０００８】第３の赤外線カメラにおいては、ボロメー
タの温度変化を検知する温度センサが、ボロメータアレ
イを作製する基板上に配置することを特徴とするもので
ある。

【０００９】また、第４の赤外線カメラにおいては、半
導体基板上に作製した、赤外線を検知するボロメータア
レイが、２次元的に配列したボロメータアレイであり、
２次元の行と列にそれぞれトランジスタスイッチを接続
し、該トランジスタスイッチを開閉することによりボロ
メータアレイの各ボロメータピクセルにバイアス電圧を
走査させる水平走査回路と垂直走査回路をそれぞれ備
え、該ピクセルの受光部は基板と熱的に絶縁され、該受
光部に赤外線が照射したことによる温度変化によって該
ピクセルのボロメータの抵抗が変化し、該抵抗の変化を
該バイアス電圧を印加することにより読み取る際に、該
ボロメータと直列に接続する負荷抵抗に、該ボロメータ
と同じ抵抗値でかつ同じ温度変化をする抵抗を用いるこ
とを特徴とし、さらに赤外線を該ボロメータアレイに導
く光学アセンブリと赤外線の入射を遮断するシャッタ
と、赤外線の画像をモニタできる画像出力装置と、赤外
線の画像をモニタしながら画像信号のオフセット補正を
行うことができる入力スイッチとを設けたことを特徴と
するものである。

【００１０】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．まず本発明の実施の形態１について以下
に詳細に説明する。図１は本発明の実施の形態１に関す
る赤外線カメラ１のブロック図である。この実施の形態
１の赤外線カメラ１では、まずレンズや反射鏡などの光
学アセンブリ１０を通して、被写体からの赤外線をボロ
メータアレイ素子の受光面上に結像させる。ボロメータ
アレイ素子は、図２に示したパッケージ１３の中に組み
込まれており、被写体からの赤外線は、赤外線を透過す
るウィンドウ４１を通してボロメータ素子４２に照射さ
れる。該パッケージ１３はウィンドウ４１、素子を囲む
壁４４とベースプレート４５によって素子４２が配置さ
れる空間は密封されるようになっている。該パッケージ
１３の密封後は排気穴４６から排気管４７を通して真空
引きされ、排気管４７を塞ぐことによって該空間は真空
が保たれるようになる。また該空間内の、ボロメータ素
子４２の近いところにサーミスタ式の温度センサ４３を
配置し、該温度センサ４３により、該基板の温度変化を
感知するようにする。温度センサ４３及びボロメータ素
子４２の外部への信号取り出しは、パッド４８がパッケ
ージ外側の端子に繋がっているため、パッド４８に接続
することにより外部との導通が図られる。

【００１１】ボロメータ素子４２の各ピクセルの構造は
図３で示される。半導体基板３１の上に誘電体材料によ
るマイクロブリッジ構造３２により、２本の支持脚で赤
外線の受光部を上方に持ち上げる。赤外線の受光部には
ボロメータ材料３５がフィルム状に置かれ、さらに保護
膜３６として誘電体材料をボロメータ上にコーティング
する。マイクロブリッジ構造により受光部の下部は空洞
３３となるため、真空パッケージにより該ボロメータ素
子４２の周囲および空洞３３を真空とすることによっ
て、受光面の熱絶縁性が高くなり、該受光部に照射した
赤外線は、受光部温度を効果的に上昇させることができ
る。この温度変化により該ボロメータ材料３５の抵抗値
が変わり、配線３４を通してバイアス電圧が負荷され、
基板回路に接続される。

【００１２】このカメラ１の動作については、まずカメ
ラの動作スタート時にオフセット補正を行うことから始
まる。オフセット補正というのは、ある一様な温度の物
体を見たときに、本来各ピクセルからの信号が、ボロメ
ータ材料の特性のばらつき等により一様になっていない
ものを、あるレベル（オフセットレベル）に揃える機能
をいう。こうすることにより、ボロメータに抵抗値など
の特性のばらつきがあっても、一様なものを撮像したと
きには一様な出力の画像となる。オフセット補正の動作
は、タイミング発生回路１６がまずシャッタ閉の指示を
シャッタ制御回路２６に出す。シャッタ制御回路２６は
シャッタ開閉モータ１２を動作させ、シャッタ１１を閉
じる。次にタイミング発生回路１６はスイッチ２１をメ
モリ２２の入力側に切換え、アレイ信号増幅回路１９、
アナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換回路２０を経てきた
赤外線画像信号をメモリ２２に蓄える。ここで蓄えられ
る画像信号はシャッタ１１の表面の赤外線画像である。
メモリ２２の蓄積が完了するとタイミング発生回路１６
はシャッタ１１を開けるように指令し、オフセット補正
は完了する。またスイッチ２１はタイミング発生回路１
６によりメモリ２２側から信号減算回路２３側に切り換
えられる。シャッタ１１が開くと被写体の赤外線画像信
号は、アレイ信号増幅回路１９、Ａ／Ｄ変換回路２０を
経て、信号減算回路２３により、メモリ２２に蓄えられ
ている信号で減じられる。こうすることにより赤外線画
像信号はシャッタ表面の一様な画像を基準とした出力に
変換される。変換された信号はスキャンコンバータ２４
によりテレビラインの信号に変換され、さらにデジタル
／アナログ（Ｄ／Ａ）変換回路２５によりアナログ信号
に変換され出力となる。

【００１３】ここで、カメラ内の温度変動によりボロメ
ータ素子４２の基板温度が変化すると、各画素のボロメ
ータの抵抗が変わるので、たとえ被写体の赤外線放射が
同じであっても信号の変化（温度ドリフト）となって現
れる。そこで、真空パッケージ内の温度センサ４３の信
号を読み取り、温度センサ信号増幅回路１４により増幅
し、温度信号を比較回路１５に導く。比較回路１５では
基準電圧源１７から発せられる基準温度信号と温度信号
を比較し、ある定められた温度差が発生すると、タイミ
ング発生回路１６とオフセット補正の指令を与え、前記
オフセット補正の動作を繰り返す。こうすることによ
り、ボロメータアレイ素子の温度ドリフトは一定温度範
囲に抑えることができる。

【００１４】実施の形態２．本発明の実施の形態２を以
下に詳細に説明する。実施の形態２では、実施の形態１
の赤外線カメラのボロメータ素子４２を、図４に示した
回路に基づいて作製したものを採用している。バイアス
電圧を走査する回路として、電界効果トランジスタ（Ｆ
ＥＴ）を用いた。この回路は、水平走査回路８５と垂直
走査回路８６により、水平ＦＥＴスイッチ８３と垂直Ｆ
ＥＴスイッチ８４を順次スイッチングし、バイアス電圧
入力端子８８に負荷したバイアス電圧を各ピクセルの赤
外線検知用ボロメータ８１に印加する。該ボロメータ８
１の抵抗変化は負荷抵抗間の電圧変化に変わるから、こ
れをアンプ８７に入力し、信号出力端子８９から信号と
して取り出す。なお、画素分離用ダイオード８２は、Ｆ
ＥＴスイッチ８３，８４により選択されたピクセルか
ら、それ以外のピクセルへのバイアス電流の流れを遮断
するためのものである。実施の形態２の素子の特徴は、
アンプ８７手前の各ピクセルのボロメータと直列に接続
する負荷抵抗として、各画素の赤外線検知用ボロメータ
８１と同じ抵抗値でかつ同じ温度変化の負荷抵抗用ボロ
メータ９０と、垂直トランジスタ（ＦＥＴ）スイッチ８
４および画素分離用ダイオード８２および水平トランジ
スタ（ＦＥＴ）スイッチ８３の和と同じ抵抗値である疑
似抵抗９１とを直列につないだことである。なお、負荷
抵抗用ボロメータ９０は基板上に、マイクロブリッジ構
造を用いることなしに直接配置し、基板と常に同じ温度
となるようにした。こうすることにより、基板温度の変
動により赤外線検知用ボロメータ８１の抵抗値が変化し
ても、同時に負荷抵抗用ボロメータ９０の抵抗も同じよ
うに変化するので、アンプ８７に入力する基板温度の変
動による電位変化は相殺される。仮にボロメータの特性
と疑似抵抗の抵抗値が完全に同じであるなら、どんなに
基板温度が変化しても温度ドリフトは発生しないことに
なるが、実際には画素間や画素・負荷抵抗間でボロメー
タ特性にばらつきや差が生じるので、温度ドリフトを完
全に抑制することはできない。なお、各ピクセルのボロ
メータ８１と同じ抵抗値でかつ同じ温度変化となる特性
の負荷抵抗用ボロメータを得るためには、ボロメータを
基板上に形成する過程で両方を同時に形成すればよい。
実際には製造過程のある段階で半導体基板上にボロメー
タのフィルムを一様に成膜し、続くエッチング工程で各
ピクセルのボロメータと負荷抵抗用ボロメータが同時に
形成することになる。

【００１５】ここで、一般に該ボロメータ８１の抵抗値
は画素分離用ダイオード８２およびトランジスタスイッ
チ８３，８４の抵抗値より十分に大きいので、ある程度
の温度ドリフトを許容するなら疑似抵抗９１を省いても
よい。

【００１６】このような素子を使うことにより、実施の
形態１で記した許容温度範囲を大きくとることができる
ので、実施の形態１と比較してオフセット補正の頻度は
格段に小さくなる。

【００１７】実施の形態３．本発明の実施の形態３の赤
外線カメラについて以下に詳細に説明する。実施の形態
３の赤外線カメラは、実施の形態１の赤外線カメラの基
板の温度センサを基板上に形成し、温度変化を検知する
ものである。具体的には、実施の形態２で記した負荷抵
抗用ボロメータと同じものを、同様の方法によって基板
温度検知用として基板上に配置すればよい。こうするこ
とにより、基板の温度がより正確に測れるので、オフセ
ット補正を行う温度変化のタイミングがより正確にとれ
ることになる。なお、本発明の形態は、実施の形態２に
おいても適用できることはいうまでもない。

【００１８】実施の形態４．本発明の実施の形態４の赤
外線カメラについて以下に詳細に説明する。図５は実施
の形態４の赤外線カメラの外観説明図を示した。本発明
の特徴は、ボロメータアレイとして実施の形態２で用い
た温度ドリフトを低減したものを使い、オフセット補正
の実施時期としては、実際に赤外線画像をモニタし、そ
の必要が生じた際に手動によりオフセット補正のスイッ
チを操作してオフセット補正を行うものである。具体的
には、ベルト６５に手を通すことによりカメラ３を保持
し、ビューファインダフード６４から赤外画像を表示し
ているビューファインダを覗くことにより画像をモニタ
し、オフセット補正の必要が生じた際にはカメラ３上部
のオフセット補正スイッチ６２を押してオフセット補正
を実施する。

【００１９】なお、実施の形態４の赤外線カメラ３は携
帯型の赤外線カメラであり、カメラ上部にはオフセット
補正スイッチ６２の他に電源スイッチ６３がおかれ、ま
たカメラ内部には電源としてバッテリが組み込まれてい
る。

【００２０】図６は実施の形態４のブロック図を示し
た。実施の形態１と異なる部分は、まずボロメータアレ
イ素子４２の温度モニタを行っていないことである。す
なわち、真空パッケージ１３内の温度センサは不要とな
る。また、オフセット補正の実施時期は、ビューファイ
ンダ内の画像出力装置５１により赤外画像をモニタし、
オフセット補正が必要な時期に、オフセット補正入力装
置５０によりタイミング発生回路１６にオフセット動作
の指令信号を与える。以下、タイミング発生回路１６は
実施の形態１と同様にオフセット補正を行う。

【００２１】この発明の形態４においては、手動により
オフセット補正操作を行うため、操作が繁雑になるとい
う問題点があるが、実施の形態２による温度ドリフトの
低減を行ったボロメータアレイを使っているため、オフ
セット補正の頻度は小さく十分使用に耐えるものであ
る。また、基板の温度制御回路や温度モニタ回路などは
不要なので、消費電力が小さいだけでなく回路基板の小
型化が図れている。

【００２２】実施の形態５．本発明の実施の形態５の赤
外線カメラについて以下に詳細に説明する。図７は実施
の形態５の赤外線カメラの外観図を示したものである。
本発明の特徴は、被写体からの赤外線を、赤外線レンズ
７０によりカメラ本体７１の中のボロメータアレイ素子
の受光面に結像し、ボロメータアレイとしては実施の形
態２で説明した温度ドリフトを低減したものを使い、カ
メラ本体７１から離れた位置にあるテレビモニタ７２に
より赤外線画像をモニタし、オフセット補正の必要が生
じた際には、テレビモニタ７２の近傍に置かれた操作ス
イッチ７３によりオフセット補正を行うものである。す
なわち、実施の形態４が携帯型の赤外線カメラであるの
に対して、実施の形態５はケーブル７４により遠隔操作
を可能とした固定式カメラとなっている。

【００２３】実施の形態５のブロック図は、実施の形態
４のブロック図である図７と全く同じである。この発明
の形態５においては、手動によりオフセット補正操作を
行うため、操作が繁雑になるという問題点があるが、実
施の形態２による温度ドリフトの低減を行ったボロメー
タアレイを使っているため、オフセット補正の頻度は小
さく十分使用に耐えるものである。また、基板の温度制
御回路や温度モニタ回路などは不要なので、消費電力が
小さいだけでなく回路基板の小型化が図れている。

【００２４】

【発明の効果】本発明による赤外線カメラによれば、半
導体基板上に作製した赤外線を検知するボロメータアレ
イに、赤外線を該ボロメータアレイに導く光学アセンブ
リと赤外線の入射を遮断するシャッタとを具備するカメ
ラにおいて、該基板の温度変化を検知する温度センサに
より該基板の温度を検知し、該基板の温度変化がある規
定した値以上になると自動的に該シャッタが閉じ、ボロ
メータアレイの出力信号のオフセット補正を行うように
したので、基板の温度がオフセット補正を必要とするま
でに変動した場合は、自動的にオフセットがかかるの
で、素子温度の制御の不要なボロメータカメラとなる効
果がある。

【００２５】また、前記ボロメータアレイが、２次元的
に配列したボロメータアレイであり、行と列にそれぞれ
トランジスタスイッチを接続し、該トランジスタスイッ
チを開閉することによりボロメータアレイの各ボロメー
タピクセルにバイアス電圧を走査させる水平走査回路と
垂直走査回路をそれぞれ備え、該ピクセルは基板と熱的
に絶縁され、該ピクセルに赤外線が照射したことによる
温度変化によって該ピクセルのボロメータが抵抗変化
し、該抵抗変化を該バイアス電圧を印加して読み取る際
に、該ボロメータと直列に接続する負荷抵抗に、該ボロ
メータと同じ抵抗値でかつ同じ温度変化をする抵抗を用
いているため、温度ドリフトが低減でき、オフセット補
正の頻度が小さいカメラが得られる効果がある。

【００２６】また、前記ボロメータの温度変化を検知す
る温度センサが、ボロメータアレイを形成する基板上に
配置されるので、該基板の温度変化が正確に読み取るこ
とができ、オフセット補正を行うタイミングを正確に行
える効果がある。

【００２７】半導体基板上に作製した赤外線を検知する
ボロメータアレイが、２次元的に配列したボロメータア
レイであり、行と列にそれぞれトランジスタスイッチを
接続し、該トランジスタスイッチを開閉することにより
ボロメータアレイの各ボロメータピクセルにバイアス電
圧を走査させる水平走査回路と垂直走査回路をそれぞれ
備え、該ピクセルは基板と熱的に絶縁され、該ピクセル
に赤外線が照射したことによる温度変化によって該ピク
セルのボロメータが抵抗変化し、該抵抗変化を該バイア
ス電圧を印加して読み取る際に、該ボロメータと直列に
接続する負荷抵抗に、該ボロメータと同じ抵抗値でかつ
同じ温度変化をする抵抗を用いることを特徴とし、赤外
線を該ボロメータアレイに導く光学アセンブリと赤外線
の入射を遮断するシャッタと、赤外線の画像をモニタで
きる画像出力装置と、赤外線の画像をモニタしながら画
像信号のオフセット補正が行うことができる入力スイッ
チを設けたので、オフセット補正の頻度が少なく、しか
も赤外画像をモニタしながら、該補正が必要なときはい
つでも実施できる赤外線カメラとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の赤外線カメラの実施の形態１を示す
ブロック図である。

【図２】 本発明の赤外線カメラの実施の形態１で用い
たボロメータアレイ素子を組み込むためのパッケージを
示す図である。

【図３】 本発明の赤外線カメラの実施の形態１に用い
たボロメータアレイ素子の受光部の断面説明図である。

【図４】 本発明の赤外線カメラの実施の形態２に用い
たボロメータアレイ素子の回路を示す図である。

【図５】 本発明の赤外線カメラの実施の形態４におけ
る外観図である。

【図６】 本発明の赤外線カメラの実施の形態４を示す
ブロック図である。

【図７】 本発明の赤外線カメラの実施の形態５におけ
る外観図である。

【符号の説明】

１ 赤外線カメラ、２ 赤外線カメラ、３ 赤外線カメ
ラ、１０ 光学アセンブリ、１１ シャッタ、１２ シ
ャッタ開閉モータ、１３ パッケージ、１４温度センサ
信号増幅回路、１５ 比較回路、１６ タイミング発生
回路、１７基準電圧源、１８ ドライバ回路、１９ ア
レイ信号増幅回路、２０ Ａ／Ｄ変換回路、２１ スイ
ッチ、２２ メモリ、２３ 信号減算回路、２４ スキ
ャンコンバータ、２５ Ｄ／Ａ変換回路、２６ シャッ
タ制御回路、３１ 半導体基板、３２ マイクロブリッ
ジ構造、３３ 空洞、３４ 配線、３５ ボロメータ材
料、３６ 保護膜、４１ ウィンドウ、４２ ボロメー
タ素子、４３ 温度センサ、４４ 壁、４５ ベースプ
レート、４６ 排気穴、４７ 排気管、４８パッド、５
０ オフセット補正入力装置、５１ 画像出力装置、６
１ 赤外線窓、６２ オフセット補正スイッチ、６３
電源スイッチ、６４ ビューファインダフード、６５
ベルト、７０ 赤外線レンズ、７１ カメラ本体、７２
テレビモニタ、７３ 操作スイッチ、７４ ケーブ
ル、８１ 赤外線検知用ボロメータ、８２ 画素分離用
ダイオード、８３ 水平ＦＥＴスイッチ、８４ 垂直Ｆ
ＥＴスイッチ、８５ 水平走査回路、８６ 垂直走査回
路、８７ アンプ、８８バイアス入力端子、８９ 信号
出力端子、９０ 負荷抵抗用ボロメータ、９１疑似抵
抗。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板上に作製した、赤外線を検知
   するボロメータアレイに、赤外線を上記ボロメータアレ
   イに導く光学アセンブリと赤外線の入射を遮断するシャ
   ッタとを具備する赤外線カメラにおいて、上記基板の温
   度変化を検知する温度センサと、上記温度センサにより
   検出された上記基板の温度変化がある規定した値以上に
   なったときに、上記ボロメータアレイの画像信号のオフ
   セット補正を行う手段とを具備したことを特徴とする赤
   外線カメラ。
2. 【請求項２】 半導体基板上に作製した、赤外線を検知
   するボロメータアレイが、２次元的に配列したボロメー
   タアレイであり、２次元の行と列にそれぞれトランジス
   タスイッチを接続し、上記トランジスタスイッチを開閉
   することによりボロメータアレイの各ピクセルにバイア
   ス電圧を走査させる水平走査回路と垂直走査回路を備
   え、上記ピクセルの受光部は基板と熱的に絶縁され、上
   記受光部に赤外線が照射したことによる温度変化によっ
   て上記ピクセルのボロメータが抵抗変化し、上記抵抗変
   化を上記バイアス電圧を加えて読み取る際に、上記ボロ
   メータと直列に接続する負荷抵抗に、上記ボロメータと
   同じ抵抗値でかつ同じ温度変化をする抵抗を用いること
   を特徴とする請求項１記載の赤外線カメラ。
3. 【請求項３】 温度センサを、ボロメータアレイを作製
   する半導体基板上に配置することを特徴とする請求項１
   又は２記載の赤外線カメラ。
4. 【請求項４】 半導体基板上に作製した、赤外線を検知
   するボロメータアレイが、２次元的に配列したボロメー
   タアレイであり、２次元の行と列にそれぞれトランジス
   タスイッチを接続し、上記トランジスタスイッチを開閉
   することによりボロメータアレイの各ボロメータピクセ
   ルにバイアス電圧を走査させる水平走査回路と垂直走査
   回路をそれぞれ備え、上記ピクセルは基板と熱的に絶縁
   され、上記ピクセルに赤外線が照射したことによる温度
   変化によって上記ピクセルのボロメータが抵抗変化し、
   上記抵抗変化を該バイアス電圧を加えて読み取る際に、
   上記ボロメータと直列に接続する負荷抵抗に、上記ボロ
   メータと同じ抵抗値でかつ同じ温度変化をする抵抗を用
   い、さらに赤外線を上記ボロメータアレイに導く光学ア
   センブリと赤外線の入射を遮断するシャッタと、赤外線
   の画像をモニタできる画像出力装置と、赤外線の画像を
   モニタしながら画像信号のオフセット補正を行うための
   入力スイッチとを設けたことを特徴とする赤外線カメ
   ラ。