JPH09325373A - 液晶表示素子とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、垂直配向型ＥＣＢモード液晶表示
素子において、斜め電界の作用する非表示領域の光抜け
を防止し、コントラストと透過率特性を向上させること
を目的とする。 【解決手段】 液晶表示素子は、所定間隔で対向配置さ
れた１対の基板と、１対の基板上に形成された電極と、
一対の基板間に配置される液晶層と、直交ニコル配置の
一対の偏光板とを有し、液晶層に電圧が印加されてない
状態で液晶分子が基板面に対して垂直に配向し、液晶層
に電圧を印加した時に基板の表示領域の液晶分子が偏光
板の偏光軸方向に対して実質的に４５°の角度方向に傾
き、基板の非表示領域の液晶分子が偏光板の偏光軸方向
に対して実質的に平行もしくは直交する方向に傾く垂直
配向型ＥＣＢモード液晶表示素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子に関
し、特にコントラスト特性等の表示品質が優れた液晶表
示素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】図８に示すような垂直配向型ＥＣＢ（Ｅ
ｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉ
ｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モードＬＣＤ（液晶表示装
置）は、電圧無印加時に液晶分子１０が上下基板１１、
１２に対して垂直に配向している。液晶分子１０は、負
の誘電異方性または長軸方向に垂直な電気ダイポールを
有し、基板１１、１２間に電圧を印加することによって
水平方向に向かって傾く。

【０００３】基板１１、１２の両側に直交ニコル配置の
偏光板１３、１４を配置すると電圧無印加時には直交偏
光板１３、１４によって入射光が遮られ、電圧印加時に
は液晶分子が傾くことによって生じる複屈折により偏光
解消が生じ、入射光が透過する。遮光状態での光透過率
を低くできることにより高コントラスト表示が得られる
ことが知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このＥＣＢモ
ードには、以下に示すような欠点があった。

【０００５】 電圧印加時には液晶分子１０を一定方
向に倒す。すると、図９に示すように視角方向（矢印）
により液晶層のリターデーション値が異なってしまう。
このため、視角依存性を持ってしまう。

【０００６】 電圧無印加時に液晶分子が基板に対し
て完全に垂直に配向すると、電圧印加時に液晶分子の倒
れる方向が定まらない。電圧を印加した際に液晶分子１
０を一定方向に倒すために初期状態でプレティルト角θ
を設けると、図１０に示すように、電圧無印加時に液晶
分子１０は完全な垂直配向とならないため、面内方向に
複屈折を生じてしまう。このため、偏光解消を生じて充
分な黒レベルが得られず、コントラストが低下してしま
う。

【０００７】ところで、上記に示した視角特性を改善
する液晶表示装置が本出願と同一の出願人による特開平
３─２５９１２１号公報の明細書に開示されている。こ
の明細書に記載の発明は、電極の交差部分（表示ピクセ
ル部分）において、どちらか一方の電極側にそれと対向
する電極のエッジに沿う方向に細長い開口部（スリッ
ト）を形成することにより、ピクセル内の液晶分子を電
圧印加時に二つ以上の方向に倒れさせ広視角化を実現す
る。この公報記載の発明の実施例を図１１を参照して簡
単に説明する。

【０００８】図１１の（Ａ）は上記公報に記載のドット
マトリックス型の液晶表示素子の構成を示す外観図であ
る。一対のガラス基板１１、１２が、液晶を収容する所
定ギャップの空間を画定するように対向配置される。下
側のガラス基板１１上には、コモン電極１６が複数本平
行に配置されている。上側のガラス基板１２の表面に
は、コモン電極１６と直交する方向により細いセグメン
ト電極１７が複数本平行に配置されている。一対の基板
１１、１２の外側には、互いに直交ニコルの関係の偏光
板１３、１４が配置されている。

【０００９】コモン電極１６には、セグメント電極１７
の長手方向にそって細長い開口部（スリット）１８が各
セグメント電極１７の中央位置に対応して形成されてい
る。すなわち、上下電極の交差部分で構成されるピクセ
ル領域がスリット１８によって大きく２つの領域に分割
される。

【００１０】図１１（Ａ）におけるＡ−Ａ’断面では電
極構造による電界の向きは図１１（Ｂ）の矢印で示すよ
うになる。液晶分子の倒れる方向が１８０度異なる２つ
の方向に制御できていることがわかる。

【００１１】さらに、電極の形状や配置を改良して、上
記公開公報に開示の発明よりも透過率や開口率を改善し
た発明が、本出願と同一の出願人による特願平８─４０
１６３号の明細書に開示されている。その電極構造を図
１２に示す。

【００１２】図１２（Ａ）は、電極交差部の構造を示す
平面図である。図示しない基板に実線で示す走査電極１
が形成され、別の基板に破線で示す複数の信号電極２が
形成され、走査電極１と信号電極２とは互いに直交する
ように配置されている。走査電極１には、細長い切り込
み部３が形成されており、この切り込み部３では電極部
材は取り除かれている。切り込み部３は、信号電極２の
エッジ４に沿った方向に信号電極２の配列ピッチで配列
しており、走査電極１の対向するエッジ５、６間で互い
違いとなるように形成されている。

【００１３】図１２（Ｂ）と図１２（Ｃ）は、図１２
（Ａ）のＡ−Ａ’とＢ−Ｂ’での側断面における電極エ
ッジでの電界方向を矢印で示している。一つのピクセル
（画素）の信号電極２のエッジにおける電界の方向はＡ
−Ａ’とＢ−Ｂ’断面のいずれの位置においても平行で
あり、かつ一つのピクセル内での上部分と下部分を示す
断面Ａ−Ａ’とＢ−Ｂで電界の傾き方向は逆になってい
る。

【００１４】したがって、一つのピクセル内での液晶分
子は電圧印加時に走査電極１の中央部を境に上下（紙面
の上と下方向）半分ずつがそれぞれ１８０°逆の方向に
傾くことになる。このときの液晶分子の様子を図１２
（Ｄ）に示す。図１２（Ｄ）では液晶分子１０の黒く塗
った部分が傾き方向を示し、液晶分子１０は電界Ｅによ
り上下領域で互いに逆方向を向いていることが判る。ま
た、互いに隣接する左右のピクセル間においても液晶分
子の傾き関係が逆になることも図１２（Ｂ）〜（Ｄ）等
から明らかであろう。

【００１５】図１２の液晶セルにおいては、一対の基板
の外側に直交ニコル配置の偏光板をその偏光軸が信号電
極２の長手方向に対して４５°の角度（図１２（Ｄ）の
右側矢印）を保つように配置しているため、同図に示さ
れるような液晶配列に対しては透過率的には最も効率が
良い設定となっている。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】以上説明した特開平３
−２５９１２１号及び特願平８−４０１６３号に記載の
垂直配向型ＥＣＢモードの液晶表示素子では、表示電極
の形状や配置の工夫によって視角特性を改善している。
両者の発明はともに電極エッジ部に生じる斜め電界を利
用するものである。

【００１７】そのような場合、液晶分子の配列が変化
（傾く）してセルの光透過率が変化し始める印加電圧値
が、本来の表示領域での垂直電界の電圧値よりも斜め電
界が作用する領域では低くなる。したがって、斜め電界
の作用する非表示領域で表示領域と境を接する領域では
本来のしきい値電圧よりも低電圧で透過率が変わり始め
るという現象いわゆる光抜けが生じていた。

【００１８】図１３を参照して、この光抜けの現象を詳
しく説明する。図１３は、基板の表示領域と非表示領域
との境目付近の部分拡大図であり同図（Ａ）はその平面
図、（Ｂ）は側断面図である。電極１７、１６が互いに
対向する表示領域２０では印加電圧が閾値電圧より低い
間は矢印２１の電界が生じても液晶分子１０は無電圧時
とほぼ同じく垂直に配列したままである。しかし、非表
示領域３０の表示領域２０との隣接部２５では、矢印２
１と同じ低い電圧であっても矢印３１の斜め電界により
液晶分子１０が倒れ始める。

【００１９】この現象は図１４の電圧（横軸）対透過率
（縦軸）特性で示される。図１４の実線は表示領域２０
の電圧−透過率特性である。非表示領域２５の電圧−透
過率特性は同図の点線で示すように、光抜けにより電圧
−透過率曲線のしきい値付近になまりが生じる。このよ
うななまりがある領域２５では、マルチプレックス駆動
でのＯＮ時の透過率を一定とした場合に、ＯＦＦ時の透
過率が上昇してしまいコントラスト比が低下してしまう
という問題が生じる。

【００２０】もし、このような光抜け領域２５をブラッ
クマスクで覆って対策をしようとすると、製造上のばら
つきを考慮して、実際にはブラックマスク部を光抜け部
２５よりも広い領域まで覆うようにする必要がある。そ
うなると、表示領域２０の一部にまでブラックマスクが
覆うということになり、開口率の低下とそれに伴う透過
率の低下という犠牲を払うことになる。

【００２１】本発明の目的は、垂直配向型ＥＣＢモード
の液晶表示素子において、斜め電界に起因する光抜けに
よるコントラスト低下を防止して、高表示品質の液晶表
示素子ないしその製造方法を提供することにある。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示素子
は、所定間隔で対向配置された一対の基板と、前記一対
の基板上に形成された電極と、前記一対の基板間に配置
される液晶層と、前記一対の基板を間に挟んで配置され
た直交ニコル配置の一対の偏光板とを有し、前記液晶層
に電圧が印加されてない状態で液晶分子が基板面に対し
て垂直に配向している垂直配向型ＥＣＢモード液晶表示
素子において、前記液晶層に電圧を印加した時に前記基
板の表示領域の液晶分子が前記偏光板の偏光軸方向に対
して実質的に４５°の角度方向に傾き、前記基板の非表
示領域の液晶分子が前記偏光板の偏光軸方向に対して実
質的に平行もしくは直交する方向に傾くことを特徴とす
る。

【００２３】本発明の液晶表示素子の製造方法は、液晶
層に電圧が印加されてない状態で液晶分子が基板面に対
して垂直に配向している垂直配向型ＥＣＢモード液晶表
示素子の製造方法において、表示領域において基板面内
の所定方向に傾くフリンジ電界を生じるように電極を形
成した一対の基板の少なくとも一方に、電圧印加時に該
基板の非表示領域において前記所定方向に対して実質的
に４５度の方向に液晶分子が傾斜するように該非表示領
域に分割配向処理をする工程と、前記一対の基板を所定
間隔で対向配置して、その間に液晶材料を注入する工程
と、直交ニコル配置の一対の偏光板を前記一対の基板を
間に挟むように配置し、前記液晶層に電圧を印加した時
に前記基板の表示領域の液晶分子の傾斜方向が前記偏光
板の偏光軸方向に対して実質的に４５°の角度方向にな
り、前記基板の非表示領域の液晶分子の傾斜方向が前記
偏光板の偏光軸方向に対して実質的に平行もしくは直交
する方向になるように配置する工程とを有することを特
徴とする。

【００２４】基板に分割配向処理により非表示領域で表
示領域と異なる方向に液晶分子を傾かせる。具体的に
は、表示領域の液晶分子の傾斜方向を偏光板の偏光軸と
実質的に４５°の角度となるようにして最も透過効率の
よい方向とし、非表示領域は偏光軸と実質的に平行もし
くは直交するようにすることにより非表示領域の光抜け
を防止する。

【００２５】

【発明の実施の形態】図１は本発明の実施例による垂直
配向型ＥＣＢモード液晶表示素子の電極構造と電圧印加
時の液晶分子の傾斜方向とを示す平面図である。なお、
電極の形状そのものは図１１で示したものと同じであ
る。

【００２６】図１において、図示しない一方の基板に電
極１７が形成され、他方の基板に電極１６が形成され、
電極１７と電極１６とは互いに直交するように配置され
ている。一方の電極１６には他方の電極１７と平行な方
向に細長いスリット（開口部）１８が形成されている。
このスリット１８では電極部材は取り除かれている。

【００２７】図１の小さな矢印は、電圧印加時の液晶分
子の傾き方向（倒れ始める方向）を示す。同図の右側に
基板を挟持する直交ニコル配置の一対の偏光板の偏光軸
の方向を示す。図１から明らかなように、両基板の電極
同士が重なる表示領域では液晶分子の傾き方向が偏光板
の偏光軸に対して４５°の方向になっている。一方、ス
リット１８部のように上下電極が重ならない非表示領域
（図のハッチングの領域）では、液晶分子の傾き方向が
偏光軸の方向に対して平行もしくは直交するようになっ
ている。

【００２８】図１の液晶表示素子に電圧を印加した場
合、斜め電界の影響により電極エッジ部の周辺の非表示
領域の液晶分子から倒れ始めるが、液晶分子の倒れる方
向と偏光板の偏光軸の方向が平行あるいは直交している
ために偏光解消は生じない。従って、光は透過せず光抜
けは生じない。

【００２９】図２に図１の点線の円で囲った表示領域を
含む部分の拡大図を示す。この表示領域においてもスリ
ット１８の電極エッジ部に近い液晶分子１０Ａと下電極
１７のギャップ部１９に近い液晶分子１０Ｂとは偏光軸
と平行もしくは直交する方向に傾斜する。

【００３０】この表示領域の両端部の液晶分子１０Ａ，
１０Ｂの傾斜方向は互いに９０°の方向にずれた関係に
なっているために、図２のように表示領域（電極１６、
１７の交差部）の液晶分子１０は連続的に傾斜方向が変
化する。表示領域全体としては液晶分子１０が偏光軸に
対して実質的に４５°の角度となると見なせる。よっ
て、表示領域の両端部の液晶分子の傾きが表示領域の透
過率ロスをもたらすことは少ない。

【００３１】さらに、液晶材料にカイラル剤を添加し
て、電圧印加時の液晶分子がツイスト構造をとるように
すると、透過率ロスをさらに少なくすることができる。
これは、ツイスト構造ををとったときに、液晶分子の倒
れる方向と偏光軸の方向との関係に起因する透過率の変
化が少ないためである。

【００３２】たとえば、ツイスト構造でない場合に、液
晶分子の倒れる方向と偏光軸の方向とが平行もしくは直
交の関係で電圧を印加しても透過率は変化しない（遮光
状態を保つ）が、ツイスト構造にするとこの場合でも透
過率の変化がある。ただし、電極エッジ付近での光抜け
が問題となるようなしきい値電圧付近の低電圧において
は、ツイスト構造による効果は見られない。

【００３３】液晶分子の配列はカイラル剤の有無により
変わると考えられるが、しきい値付近では垂直配向に近
いために光学的には差が現れないものと考えられる。従
ってカイラル剤を添加しても添加しない場合と同様に光
抜け防止という効果は得られる。

【００３４】図３は本発明の別の実施例による垂直配向
型ＥＣＢモード液晶表示素子の電極構造と電圧印加時の
液晶分子の傾斜方向とを示す平面図である。なお、電極
の形状そのものは図１２で示したものと同じである。

【００３５】図３において、図示しない一方の基板に電
極１が形成され、他方の基板に電極２が形成され、電極
１と電極２とは全体として互いに直交するように配置さ
れている。一方の電極１には切り込み部３が形成されて
いる。この切り込み部３では電極部材は取り除かれてい
る。

【００３６】図３の小さな矢印は、電圧印加時の液晶分
子の傾き方向（倒れ始める方向）を示す。同図の右側に
基板を挟持する直交ニコル配置の一対の偏光板の偏光軸
の方向を示す。図３から明らかなように、二枚の基板の
電極同士が重なる表示領域では液晶分子の傾き方向が偏
光板の偏光軸に対して４５°の方向になっている。一
方、切り込み３の部分のように電極同士が重ならない非
表示領域（図のハッチング領域）では、液晶分子の傾き
方向が偏光軸の方向に対して平行もしくは直交するよう
になっている。

【００３７】図３の液晶表示素子に電圧を印加した場
合、斜め電界の影響により電極エッジ部の周辺の非表示
領域の液晶分子から倒れ始めるが、液晶分子の倒れる方
向と偏光板の偏光軸の方向が平行あるいは直交している
ために偏光解消は生じない。より詳しく説明すると、入
射直線偏光の電界ベクトルが液晶分子の持つ複屈折を感
じないため、直線偏光を保ったまま、ツイストすること
もなく液晶層を通過し、出射側の偏光板に達する。従っ
て、入射光は透過せず光抜けは生じない。

【００３８】なお、図３の構成の場合、非表示領域内で
傾き方向が約９０度異なる領域が隣接するが、もともと
非表示領域であるので表示晶質上問題は生じない。たと
え表示領域に若干の影響を及ぼすとしても、この不都合
よりも得られる効果の方がずっと大きい。

【００３９】以上の実施例に示したいずれの電極構造に
おいても、電圧印加時に非表示領域で液晶分子を表示領
域と異なる方向（４５°）に傾けるように分割配向させ
る。分割配向処理は、紫外線の偏光を配向膜に照射する
ことにより行う。照射偏光の偏光軸に応じて液晶分子の
傾き方向が決まる。偏光方向に対して平行に傾き方向を
与える配向膜と、偏光方向に対して直交する方向に傾き
方向を与える偏光膜とがある。

【００４０】斜め電界による逆ティルトを防止して液晶
分子の倒れる方向を確実にする目的で本出願人が出願し
た特願平８−１９０２５号に開示の発明のように光照射
によるプレティルトの付与をすることも可能であるが、
電界の傾きにより液晶分子の傾く方向が定まるのでプレ
ティルト角を液晶分子に与えることは必ずしも必要な
い。但し、プレティルトを付与してもよい。

【００４１】本発明の実施例によれば、分割配向は、直
線偏光あるいは楕円偏光の紫外線を配向膜の法線方向か
ら１回照射すればよい。図１１あるいは図１２に示した
ような斜め電界の流れを基板面へ投射したときの投射電
界の方向と偏光照射により定められる傾斜方向とは４５
°のずれがあるが、電圧印加時に液晶分子が傾斜する方
位角方向は電界方向でなく光照射の偏光方向で決まる。
但し、電界の方向は１８０°異なるいずれの方向側に配
向するかを規制する。

【００４２】なお、偏光紫外線照射は片側の基板のみで
も、両側の基板に行ってもいずれでもかまわない。以下
でさらに詳しく説明する実施例の結果では両側基板に紫
外線照射した場合の方がコントラスト比が若干良かっ
た。

【００４３】以下、実際に本発明の実施例の液晶表示素
子を製作したときの工程とその表示性能について説明す
る。

【００４４】（実施例１） 図１に示す形状の電極構造を有するガラス基板に垂
直配向処理（垂直配向ポリイミドの塗布焼成）を施し
た。

【００４５】 各々のガラス基板に図４に示すような
開口パターンを有するフォトマスクを重ねる。その際、
フォトマスクの開口部４０が基板の電極１６のスリット
１８に重なるようにする。主として２５４ｎｍに輝線ス
ペクトルを有する直線偏光紫外光を２００秒間配向膜に
照射した。両方の基板の照射偏光軸の方向はセル構成時
に互いに平行な方向になるようにした。偏光軸の方向は
図４の矢印方向に液晶分子が傾斜するように選択した。

【００４６】 次に、の工程のフォトマスクを取り
去り、各々のガラス基板に図５に示すような開口パター
ンを有するフォトマスクを重ねる。その際、フォトマス
クの格子状の開口部４１がスリット部１８以外の非表示
領域（電極ギャップ領域１９等）に対応するように位置
決めする。主として２５４ｎｍに輝線スペクトルを有す
る直線偏光紫外光を２００秒間配向膜に照射した。両方
の基板の照射偏光軸の方向はセル構成時に互いに平行な
方向になるようにした。偏光軸の方向は図５の矢印方向
に液晶分子が傾斜するように選択した。なお、この場合
の偏光軸方向は上記の偏光軸の方向と直交するように
した。

【００４７】 上記との工程で分割配向処理した
基板を、セル厚が５μｍになるように重ね合わせて空セ
ルを作成した。重ね合わせた後の電極の関係は図１と同
じである。

【００４８】 この空セルに誘電率異方性が負のネマ
ティック液晶を注入し液晶表示素子を作成した。

【００４９】（実施例２）この実施例では、基本的に上
記実施例１と同じ電極構造でおなじ工程により作製し
た。但し、本実施例では、との工程では偏光紫外光
が照射される基板は一方の基板（スリット１８を有する
電極が形成された基板）のみとした。そして、偏光紫外
光照射により分割配向処理した基板としない基板とを使
用して上記との工程と同じようにして液晶表示素子
を作製した。

【００５０】（実施例３） 図３に示す形状の電極構造を有するガラス基板に垂
直配向処理（垂直配向ポリイミドの塗布焼成）を施し
た。

【００５１】 各々のガラス基板に図６に示すような
開口パターンを有するフォトマスクを重ねる。その際、
フォトマスクの開口部４２が基板の非表示領域に重なる
ようにする。主として２５４ｎｍに輝線スペクトルを有
する直線偏光紫外光を２００秒間配向膜に照射した。両
方の基板の照射偏光軸の方向はセル構成時に互いに平行
な方向になるようにした。偏光軸の方向は図６の矢印方
向に液晶分子が傾斜するように選択した。

【００５２】 次に、の工程のフォトマスクを取り
去り、各々のガラス基板に図７に示すような開口パター
ンを有するフォトマスクを重ねる。その際、フォトマス
クの開口部４３がで照射した領域以外の非表示領域に
対応するように位置決めする。主として２５４ｎｍに輝
線スペクトルを有する直線偏光紫外光を２００秒間配向
膜に照射した。両方の基板の照射偏光軸の方向はセル構
成時に互いに平行な方向になるようにした。偏光軸の方
向は図７の矢印方向に液晶分子が傾斜するように選択し
た。なお、この場合の偏光軸方向は上記の偏光軸の方
向と直交するようにした。

【００５３】なお、この２回目の偏光照射工程のフォト
マスク（図７）は、の偏光照射工程のフォトマスク
（図６）の位置をずらしてそのまま使用することができ
る。その場合には、の光照射工程後、フォトマスクを
基板面内で１８０°回転し、セグメント電極１ピッチ分
とコモン電極１ピッチ分左右にずらして２回目の偏光照
射を行えばよい。

【００５４】 上記との工程で分割配向処理した
基板を、セル厚が５μｍになるように重ね合わせて空セ
ルを作成した。重ね合わせた後の電極の関係は図３と同
じである。

【００５５】 この空セルに誘電率異方性が負のネマ
ティック液晶を注入し液晶表示素子を作成した。

【００５６】以上の実施例で説明した偏光照射による分
割配向処理以外に、フォトレジストをマスクとして非表
示領域をラビング処理することによって分割配向をする
ことも出来る。表示領域をラビング処理してもよい。

【００５７】次に、上記実施例との比較のために従来の
技術により分割配向処理をしない液晶表示素子を比較例
として作製した。

【００５８】（比較例） 図１に示す形状の電極構造を有するガラス基板に均
一に垂直配向処理（垂直配向ポリイミドの塗布焼成）を
施した。

【００５９】 の工程で作製した基板をセル厚が５
μｍになるように重ね合わせて空セルを作成した。重ね
合わせた後の電極の関係は図１と同じである。

【００６０】 この空セルに誘電率異方性が負のネマ
ティック液晶を注入し液晶表示素子を作成した。

【００６１】以上の実施例１、２、３及び比較例のそれ
ぞれの液晶表示セルの両側に、表示領域の液晶分子の倒
れる方向と４５°の角度方向に偏光軸を有する直交ニコ
ル配置の一対の偏光板（日東電工製Ｇ−１２２０）を設
置し、１／２４０デューティ駆動での電気光学特性を測
定した所、表１と表２のような結果が得られた。表１は
電圧印加時（ＯＮ時）の透過率を同じにしたときの各例
のコントラスト比の測定結果を示し、表示２にはコント
ラスト比を同じにした条件での各例のＯＮ時の透過率の
比較を示す。

【００６２】

【表１】

【００６３】

【表２】

【００６４】表１及び表２に示す測定結果から、本発明
の実施例による液晶表示素子は従来技術による比較例に
比較して、コントラスト比と、ＯＮ時の透過率とのいず
れにおいても優れていることが判る。上記表の測定結果
は透過率同一条件およびコントラスト比同一条件でそれ
ぞれ測定したものであるのが、実際の製品においては、
透過率とコントラスト比がともに同時に従来例のものに
比べて向上するような条件で液晶表示素子を作製するこ
とができる。

【００６５】以上、実施例に沿って本発明を説明した
が、本発明はこれらに制限されるものではない。たとえ
ば、切り込みを設ける電極は走査電極と信号電極のいず
れでもよい。また、種々の変更、改良、組み合わせ等が
可能なことは当業者に自明であろう。

【００６６】

【発明の効果】本発明によれば、垂直配向型ＥＣＢモー
ド液晶表示素子において、表示領域と非表示領域とを分
割配向処理をして、電圧印加時に液晶分子の傾き始める
方位角方向を異ならせたので、偏光板の偏光軸の適正な
配置により、非表示領域の表示領域との境界付近の光抜
けを防止をすることができ、コントラスト比と透過率を
向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例による液晶表示素子の電極構造
と液晶分子の配向状態を示す図である。

【図２】図１の液晶表示素子の表示領域の液晶分子の配
列を説明する部分拡大図である。

【図３】本発明の別の実施例による液晶表示素子の電極
構造と液晶分子の配向状態を示す図である。

【図４】本発明の実施例の液晶表示素子の分割配向処理
に用いられるフォトマスクの平面図である。

【図５】図４のフォトマスクと一緒に用いられるフォト
マスクの平面図である。

【図６】本発明の別の実施例の液晶表示素子の分割配向
処理に用いられるフォトマスクの平面図である。

【図７】図６のフォトマスクと一緒に用いられるフォト
マスクの平面図である。

【図８】垂直配向型ＥＣＢモードＬＣＤの電圧無印加時
の液晶分子配向を示す図である。

【図９】従来のＥＣＢモードＬＣＤの視角特性を説明す
る図である。

【図１０】液晶分子にプレティルト角を与えた場合の垂
直配向型ＥＣＢモードＬＣＤの電圧無印加時の液晶分子
配向を示す図である。

【図１１】電極にスリットを持つ液晶表示装置の斜視図
と、断面の電界方向を示す図である。

【図１２】電極に切り込み部を持つ液晶表示装置の斜視
図と、断面の電界方向を示す図である。

【図１３】斜め電界により非表示領域の表示領域との近
傍で光抜けが生じる理由を説明するための断面図であ
る。

【図１４】光抜けを説明するための電圧対透過率特性曲
線を示すグラフである。

【符号の説明】

１、２、１６、１７ 電極 １８ スリット ３ 切り込み部 １０ 液晶分子

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定間隔で対向配置された一対の基板
   と、前記一対の基板上に形成された電極と、前記一対の
   基板間に配置される液晶層と、前記一対の基板を間に挟
   んで配置された直交ニコル配置の一対の偏光板とを有
   し、前記液晶層に電圧が印加されてない状態で液晶分子
   が基板面に対して垂直に配向している垂直配向型ＥＣＢ
   モード液晶表示素子において、 前記液晶層に電圧を印加した時に前記基板の表示領域の
   液晶分子が前記偏光板の偏光軸方向に対して実質的に４
   ５°の角度方向に傾き、前記基板の非表示領域の液晶分
   子が前記偏光板の偏光軸方向に対して実質的に平行もし
   くは直交する方向に傾くことを特徴とする液晶表示素
   子。
2. 【請求項２】 一つの表示領域を間に介して隣合う二つ
   の非表示領域において、電圧印加時に液晶分子の傾く方
   向が互いに９０°異なる方向になるように該非表示領域
   に配向処理がされていることを特徴とする請求項１記載
   の液晶表示素子。
3. 【請求項３】 前記一対の基板の両方の表面上に前記電
   極が形成された領域と電極が形成されていない領域とを
   有し、前記表示領域においては前記一対の基板上の電極
   配置により、互いに異なる方向に液晶分子を傾ける電界
   が形成されることを特徴とする請求項１ないし２記載の
   液晶表示素子。
4. 【請求項４】 液晶層に電圧が印加されてない状態で液
   晶分子が基板面に対して垂直に配向している垂直配向型
   ＥＣＢモード液晶表示素子の製造方法において、 表示領域において基板面内の所定方向に傾くフリンジ電
   界を生じるように電極を形成した一対の基板の少なくと
   も一方に、電圧印加時に該基板の非表示領域において前
   記所定方向に対して実質的に４５度の方向に液晶分子が
   傾斜するように該非表示領域に分割配向処理をする工程
   と、 前記一対の基板を所定間隔で対向配置して、その間に液
   晶材料を注入する工程と、 直交ニコル配置の一対の偏光板を前記一対の基板を間に
   挟むように配置し、前記液晶層に電圧を印加した時に前
   記基板の表示領域の液晶分子の傾斜方向が前記偏光板の
   偏光軸方向に対して実質的に４５°の角度方向になり、
   前記基板の非表示領域の液晶分子の傾斜方向が前記偏光
   板の偏光軸方向に対して実質的に平行もしくは直交する
   方向になるように配置する工程とを有することを特徴と
   する液晶表示素子の製造方法。
5. 【請求項５】 前記分割配向処理をする工程が、前記一
   対の基板の少なくとも一方に配向膜を形成する工程と、
   前記非表示領域の前記配向膜に紫外線の偏光を照射する
   工程とを有することを特徴とする請求項４記載の液晶表
   示素子の製造方法。