JPH09326531A - 半導体レーザおよび製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよび製造方法Info
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- JPH09326531A JPH09326531A JP8141416A JP14141696A JPH09326531A JP H09326531 A JPH09326531 A JP H09326531A JP 8141416 A JP8141416 A JP 8141416A JP 14141696 A JP14141696 A JP 14141696A JP H09326531 A JPH09326531 A JP H09326531A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高出力を得られるGaInP/AlGaInP系半導体レ
ーザを提供する。 【解決手段】 GaInP/AlGaInP系半導体レーザの高反射
コーティング膜に、ECRCVD装置により形成した水素化ア
モルファスシリコン膜４０１を用いる。ECRCVD装置によ
り形成した水素化アモルファスシリコン膜４０１は屈折
率が高く、高反射コーティング膜を形成でき、吸収係数
が低くいのでコーティング膜の光学破壊が発生しない。
よって高出力の半導体レーザを実現できる。
ーザを提供する。 【解決手段】 GaInP/AlGaInP系半導体レーザの高反射
コーティング膜に、ECRCVD装置により形成した水素化ア
モルファスシリコン膜４０１を用いる。ECRCVD装置によ
り形成した水素化アモルファスシリコン膜４０１は屈折
率が高く、高反射コーティング膜を形成でき、吸収係数
が低くいのでコーティング膜の光学破壊が発生しない。
よって高出力の半導体レーザを実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザおよ
び製造方法に関するものである。
び製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】GaInP/AlGaInP系半導体レーザは発振波
長が630〜690nmであり、AlGaAs系半導体レーザの発振波
長、780nmに比べて発振波長が短く、光ディスクシステ
ムの記録密度の向上が可能なため実用化されつつある
が、記録再生型光ディスクシステムなどのピックアップ
光源としてはディスクへの記録時に高出力が要求され、
GaInP/AlGaInP系半導体レーザの高出力化が求められて
いる。
長が630〜690nmであり、AlGaAs系半導体レーザの発振波
長、780nmに比べて発振波長が短く、光ディスクシステ
ムの記録密度の向上が可能なため実用化されつつある
が、記録再生型光ディスクシステムなどのピックアップ
光源としてはディスクへの記録時に高出力が要求され、
GaInP/AlGaInP系半導体レーザの高出力化が求められて
いる。
【０００３】高出力半導体レーザでは、一方の共振器端
面に高反射コーティング膜を形成し、他方に低反射コー
ティング膜を形成し、非対称コートを形成する。このと
きの共振器内部の電界強度分布を図６に示す。低反射側
が高い電界分布となり高出力のレーザ光を得ることがで
きる。
面に高反射コーティング膜を形成し、他方に低反射コー
ティング膜を形成し、非対称コートを形成する。このと
きの共振器内部の電界強度分布を図６に示す。低反射側
が高い電界分布となり高出力のレーザ光を得ることがで
きる。
【０００４】高反射コーティング膜の材料としては、ア
モルファスシリコンが用いられる。これはアモルファス
シリコンは屈折率が高く、屈折率の低い材料との組み合
わせで高反射率のコーティング膜が得られるからであ
る。
モルファスシリコンが用いられる。これはアモルファス
シリコンは屈折率が高く、屈折率の低い材料との組み合
わせで高反射率のコーティング膜が得られるからであ
る。
【０００５】従来、AlGaAs系半導体レーザのコーティン
グ膜はマグネトロンスパッタ装置を用いて堆積していた
（特開昭63-200589号公報参照）。共振器端面にアルミ
ナ膜とアモルファスシリコン膜を交互に積層することに
より高い反射率のコーティング膜を形成している。
グ膜はマグネトロンスパッタ装置を用いて堆積していた
（特開昭63-200589号公報参照）。共振器端面にアルミ
ナ膜とアモルファスシリコン膜を交互に積層することに
より高い反射率のコーティング膜を形成している。
【０００６】マグネトロンスパッタ装置の場合、ターゲ
ットにはシリコンを用いて、プラズマガスにはアルゴン
を用いる。マグネトロンスパッタ装置は、装置が安価で
取扱が簡単である反面、アモルファスシリコン膜の堆積
がプラズマの放電電極間で行われるため、図３に示すよ
うに、基板304上に形成したアモルファスシリコン膜303
は、堆積する基板自身がスパッタされ、その結果プラズ
マのダメージが大きく、平坦性が乏しいため、反射率が
低下する。
ットにはシリコンを用いて、プラズマガスにはアルゴン
を用いる。マグネトロンスパッタ装置は、装置が安価で
取扱が簡単である反面、アモルファスシリコン膜の堆積
がプラズマの放電電極間で行われるため、図３に示すよ
うに、基板304上に形成したアモルファスシリコン膜303
は、堆積する基板自身がスパッタされ、その結果プラズ
マのダメージが大きく、平坦性が乏しいため、反射率が
低下する。
【０００７】また、マグネトロンスパッタ装置で形成し
たアモルファスシリコン膜は非結晶質で、ダングリング
ボンド（未結合手）が多く存在し、それらが終端されて
いないためバンド間準位が多く存在し、図２に示すよう
に吸収係数が大きい。このためマグネトロンスパッタ装
置で作製したアモルファスシリコンを用いてコーティン
グ膜を形成した場合、吸収係数が大きくレーザ光を吸収
し発熱する。
たアモルファスシリコン膜は非結晶質で、ダングリング
ボンド（未結合手）が多く存在し、それらが終端されて
いないためバンド間準位が多く存在し、図２に示すよう
に吸収係数が大きい。このためマグネトロンスパッタ装
置で作製したアモルファスシリコンを用いてコーティン
グ膜を形成した場合、吸収係数が大きくレーザ光を吸収
し発熱する。
【０００８】また、吸収係数を低減するために、マグネ
トロンスパッタ装置に水素ガスを導入しながらアモルフ
ァスシリコン膜を形成する方法もあるが、シリコンと水
素の結合が弱く膜から水素が脱離しやすいので、屈折率
が変化し膜の信頼性に欠ける。
トロンスパッタ装置に水素ガスを導入しながらアモルフ
ァスシリコン膜を形成する方法もあるが、シリコンと水
素の結合が弱く膜から水素が脱離しやすいので、屈折率
が変化し膜の信頼性に欠ける。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように従来のマグ
ネトロンスパッタ装置によるアモルファスシリコン膜の
堆積では、堆積中にプラズマによるダメージが入りレー
ザ素子が劣化したり、堆積したアモルファスシリコン膜
もスパッタされるため膜の平坦性に欠ける。
ネトロンスパッタ装置によるアモルファスシリコン膜の
堆積では、堆積中にプラズマによるダメージが入りレー
ザ素子が劣化したり、堆積したアモルファスシリコン膜
もスパッタされるため膜の平坦性に欠ける。
【００１０】また非対称コートの場合、図６に示すよう
に低反射コーティング膜側では高電界のため光密度も高
く、光学損傷は低反射コーティング膜側で発生するはず
であるが、高反射コーティング膜に用いるアモルファス
シリコン膜の吸収係数が大き場合、高反射コーティング
膜側で光学損傷が生じやすい。AlGaAs系半導体レーザに
比べてGaInP/AlGaInP系半導体レーザは波長が短く、吸
収係数は増加する傾向にあり、半導体レーザの発振波長
が短波長化するとさらに吸収係数が増加し最大光出力を
制限してしまう。
に低反射コーティング膜側では高電界のため光密度も高
く、光学損傷は低反射コーティング膜側で発生するはず
であるが、高反射コーティング膜に用いるアモルファス
シリコン膜の吸収係数が大き場合、高反射コーティング
膜側で光学損傷が生じやすい。AlGaAs系半導体レーザに
比べてGaInP/AlGaInP系半導体レーザは波長が短く、吸
収係数は増加する傾向にあり、半導体レーザの発振波長
が短波長化するとさらに吸収係数が増加し最大光出力を
制限してしまう。
【００１１】また、吸収係数を低減するために、マグネ
トロンスパッタ装置での膜の堆積時に水素を導入して
も、水素は脱離しやすく屈折率が変化するためコーティ
ング膜の反射率が変化するなど信頼性に問題がある。
トロンスパッタ装置での膜の堆積時に水素を導入して
も、水素は脱離しやすく屈折率が変化するためコーティ
ング膜の反射率が変化するなど信頼性に問題がある。
【００１２】そこで本発明では平坦性が良好でダメージ
が少なく、水素が脱離せず、GaInP/AlGaInP系半導体レ
ーザのコーティング膜として適用できる吸収係数の小さ
い水素化アモルファスシリコン膜を用いたGaInP/AlGaIn
P系半導体レーザおよび製造方法を提供することを目的
とする。
が少なく、水素が脱離せず、GaInP/AlGaInP系半導体レ
ーザのコーティング膜として適用できる吸収係数の小さ
い水素化アモルファスシリコン膜を用いたGaInP/AlGaIn
P系半導体レーザおよび製造方法を提供することを目的
とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明の半導体レーザおよび製造方法は、端面に水素
化アモルファスシリコンを形成するものである。特にEC
Rプラズマを用いて水素化アモルファスシリコンを形成
するのが好ましい。その原料には、シランガス（SinH2n
+2)を用い、屈折率が高く、吸収係数が小さい膜を形成
する。これにより、半導体レーザの高出力化が可能にな
る。
に本発明の半導体レーザおよび製造方法は、端面に水素
化アモルファスシリコンを形成するものである。特にEC
Rプラズマを用いて水素化アモルファスシリコンを形成
するのが好ましい。その原料には、シランガス（SinH2n
+2)を用い、屈折率が高く、吸収係数が小さい膜を形成
する。これにより、半導体レーザの高出力化が可能にな
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例について
説明する。
説明する。
【００１５】コーティング膜の堆積には、図１に示す電
子サイクロトロン共鳴プラズマCVD（Electron Cyclotro
n Resonance Plasma CVD）装置を用いる。
子サイクロトロン共鳴プラズマCVD（Electron Cyclotro
n Resonance Plasma CVD）装置を用いる。
【００１６】図1の装置内に、ウエハーからバーの状態
に切り出した半導体レーザ103を、一方の端面にプラズ
マが照射されるように試料ホルダー102に設置する。ま
ず端面に付着した水分を取り除き、コーティング膜の密
着性を向上させるために、試料ホルダー102に具備され
た加熱機構により例えば140℃で10分加熱する。図４に
示す後面コーティング膜403の第一の絶縁物として、例
えばSiO2膜を形成する場合、例えばモノシラン（SiH4）
を流量5sccm、酸素を流量10sccm供給し、SiO2膜402を11
40Å堆積する。次に第一の絶縁物の上に第二の絶縁物で
ある水素化アモルファスシリコン401を形成する。反応
ガスに例えばモノシラン（SiH4）を使用しプラズマガス
には例えばアルゴン（Ar)を用いる。モノシランを用い
るのは、シランガスのなかでもSi原子に結合するH原子
の数が最も多く、水素化アモルファスシリコン401を堆
積しやすいからである。反応ガス導入口104より例えば
モノシランを流量2sccm、プラズマガス導入口107より例
えばアルゴンを流量10sccmを導入しながら、導波管108
より2.45GHzのマイクロ波を導入し、励磁コイル106によ
り磁場を形成し、プラズマ室105に電子サイクロトロン
共鳴によるプラズマを発生させ、水素化アモルファスシ
リコン401を550Å堆積する。第一の絶縁物と第二の絶縁
物の組み合わせにより高反射の後面コーティング膜403
が形成される。
に切り出した半導体レーザ103を、一方の端面にプラズ
マが照射されるように試料ホルダー102に設置する。ま
ず端面に付着した水分を取り除き、コーティング膜の密
着性を向上させるために、試料ホルダー102に具備され
た加熱機構により例えば140℃で10分加熱する。図４に
示す後面コーティング膜403の第一の絶縁物として、例
えばSiO2膜を形成する場合、例えばモノシラン（SiH4）
を流量5sccm、酸素を流量10sccm供給し、SiO2膜402を11
40Å堆積する。次に第一の絶縁物の上に第二の絶縁物で
ある水素化アモルファスシリコン401を形成する。反応
ガスに例えばモノシラン（SiH4）を使用しプラズマガス
には例えばアルゴン（Ar)を用いる。モノシランを用い
るのは、シランガスのなかでもSi原子に結合するH原子
の数が最も多く、水素化アモルファスシリコン401を堆
積しやすいからである。反応ガス導入口104より例えば
モノシランを流量2sccm、プラズマガス導入口107より例
えばアルゴンを流量10sccmを導入しながら、導波管108
より2.45GHzのマイクロ波を導入し、励磁コイル106によ
り磁場を形成し、プラズマ室105に電子サイクロトロン
共鳴によるプラズマを発生させ、水素化アモルファスシ
リコン401を550Å堆積する。第一の絶縁物と第二の絶縁
物の組み合わせにより高反射の後面コーティング膜403
が形成される。
【００１７】前面コーティング膜404の形成は、他方の
端面にプラズマが照射されるように試料ホルダー102に
設置する。まず端面に付着した水分を取り除き、コーテ
ィング膜の密着性を向上させるために、試料ホルダー10
2に具備された加熱機構により例えば140℃で10分加熱す
る。次に反射率が最適となるようにSiO2膜やSiN膜を形
成し、前面コーティング膜404とする。レーザ光405は前
面側から出射する。
端面にプラズマが照射されるように試料ホルダー102に
設置する。まず端面に付着した水分を取り除き、コーテ
ィング膜の密着性を向上させるために、試料ホルダー10
2に具備された加熱機構により例えば140℃で10分加熱す
る。次に反射率が最適となるようにSiO2膜やSiN膜を形
成し、前面コーティング膜404とする。レーザ光405は前
面側から出射する。
【００１８】水素化アモルファスシリコン401の形成にE
CRプラズマを用いる理由は、アルゴンのイオン化率が高
く、モノシランの分解を促進するため堆積レートが大き
く、効率よく水素化アモルファスシリコン膜401が堆積
できるからである。このため反応ガスであるモノシラン
の供給量が少量で済み、堆積室にパーティクルなども発
生しにくく、装置のメンテナンスも少なくて済む。
CRプラズマを用いる理由は、アルゴンのイオン化率が高
く、モノシランの分解を促進するため堆積レートが大き
く、効率よく水素化アモルファスシリコン膜401が堆積
できるからである。このため反応ガスであるモノシラン
の供給量が少量で済み、堆積室にパーティクルなども発
生しにくく、装置のメンテナンスも少なくて済む。
【００１９】なお、プラズマガスにはアルゴンの代わり
にヘリウム（He）を用いても良い。アルゴンはイオン化
率が高いためシランガスの分解効率が良く、堆積レート
も大きいが、プラズマ条件によっては局所的にプラズマ
が発生しやすく堆積レートに面内分布が生じる場合があ
る。ヘリウムはアルゴンに比べてイオン化率が低く、シ
ランガスの分解効率が若干劣るが、プラズマが均等に発
生するため堆積レートの面内分布が良好である。用途に
よりアルゴンとヘリウムは使い分ければよい。
にヘリウム（He）を用いても良い。アルゴンはイオン化
率が高いためシランガスの分解効率が良く、堆積レート
も大きいが、プラズマ条件によっては局所的にプラズマ
が発生しやすく堆積レートに面内分布が生じる場合があ
る。ヘリウムはアルゴンに比べてイオン化率が低く、シ
ランガスの分解効率が若干劣るが、プラズマが均等に発
生するため堆積レートの面内分布が良好である。用途に
よりアルゴンとヘリウムは使い分ければよい。
【００２０】コーティング膜は反射ミラーとして作用す
るため平坦性が重要である。本発明による水素化アモル
ファスシリコン膜の平坦性を調べると図３に示すよう
に、基板302上に水素化アモルファスシリコン301を形成
したものは極めて平坦であった。ECRプラズマは指向性
が強く、基板に対して垂直に反応種が供給されるので、
均等に水素化アモルファスシリコンが堆積され平坦な膜
を得ることができる。またECRプラズマはダメージが少
なく堆積した水素化アモルファスシリコン膜をスパッタ
しないので、堆積したままの平坦性を保つことができ
る。
るため平坦性が重要である。本発明による水素化アモル
ファスシリコン膜の平坦性を調べると図３に示すよう
に、基板302上に水素化アモルファスシリコン301を形成
したものは極めて平坦であった。ECRプラズマは指向性
が強く、基板に対して垂直に反応種が供給されるので、
均等に水素化アモルファスシリコンが堆積され平坦な膜
を得ることができる。またECRプラズマはダメージが少
なく堆積した水素化アモルファスシリコン膜をスパッタ
しないので、堆積したままの平坦性を保つことができ
る。
【００２１】堆積した水素化アモルファスシリコン膜
は、常温ないし300℃程度で堆積するため非結晶質では
あるが、原料にモノシランを用いるので、ダングリング
ボンド（未結合手）がＨ（水素）で終端されている。こ
のためバンド間準位密度が低減され、吸収係数を低く抑
えることができる。
は、常温ないし300℃程度で堆積するため非結晶質では
あるが、原料にモノシランを用いるので、ダングリング
ボンド（未結合手）がＨ（水素）で終端されている。こ
のためバンド間準位密度が低減され、吸収係数を低く抑
えることができる。
【００２２】図２に本発明に用いた水素化アモルファス
シリコンと、マグネトロンスパッタ装置により作成した
アモルファスシリコンの吸収係数の波長依存性を示す。
例えば波長６８０ｎｍでの吸収係数は水素化アモルファ
スシリコンが3×102cm-1、水素化しないアモルファスシ
リコンが５×104cm-1である。水素化アモルファスシリ
コンは水素化しないアモルファスシリコンに比べて吸収
係数が２桁以上低く、GaInP/AlGaInP系半導体レーザの
コーティング膜に適用した場合、レーザ光の吸収による
発熱が少なく光学損傷が生じないため、最大光出力が向
上する。
シリコンと、マグネトロンスパッタ装置により作成した
アモルファスシリコンの吸収係数の波長依存性を示す。
例えば波長６８０ｎｍでの吸収係数は水素化アモルファ
スシリコンが3×102cm-1、水素化しないアモルファスシ
リコンが５×104cm-1である。水素化アモルファスシリ
コンは水素化しないアモルファスシリコンに比べて吸収
係数が２桁以上低く、GaInP/AlGaInP系半導体レーザの
コーティング膜に適用した場合、レーザ光の吸収による
発熱が少なく光学損傷が生じないため、最大光出力が向
上する。
【００２３】また、図２の斜線で示した領域は、高反射
コーティング膜に用いる水素化アモルファスシリコンで
の光学破壊の生じない範囲を示している。水素の含有量
が少なく吸収係数が3000cm-1以上の水素化アモルファス
シリコン膜を用いた場合、レーザ光の吸収により光学損
傷は水素化アモルファスシリコン膜で発生する。また、
水素の含有量が多く吸収係数が3000cm-1以下の水素化ア
モルファスシリコン膜を用いた場合、光学損傷は水素化
アモルファスシリコン膜で発生しない。
コーティング膜に用いる水素化アモルファスシリコンで
の光学破壊の生じない範囲を示している。水素の含有量
が少なく吸収係数が3000cm-1以上の水素化アモルファス
シリコン膜を用いた場合、レーザ光の吸収により光学損
傷は水素化アモルファスシリコン膜で発生する。また、
水素の含有量が多く吸収係数が3000cm-1以下の水素化ア
モルファスシリコン膜を用いた場合、光学損傷は水素化
アモルファスシリコン膜で発生しない。
【００２４】このためGaInP/AlGaInP系半導体レーザの
高反射コーティング膜に水素化アモルファスシリコン膜
を用いる場合、吸収係数が3000cm-1以下である事が必要
である。
高反射コーティング膜に水素化アモルファスシリコン膜
を用いる場合、吸収係数が3000cm-1以下である事が必要
である。
【００２５】吸収係数の低い水素化アモルファスシリコ
ン膜を用いた半導体レーザでは、レーザ光の吸収による
発熱が少ないので、水素化アモルファスシリコン膜の損
傷せず、高出力化が可能である。
ン膜を用いた半導体レーザでは、レーザ光の吸収による
発熱が少ないので、水素化アモルファスシリコン膜の損
傷せず、高出力化が可能である。
【００２６】図５は水素化アモルファスシリコンを半導
体レーザの高反射コーティング膜として用いた場合の光
出力特性を示す。レーザ光の吸収せずコーティング膜が
損傷しないので、光出力が増大している。
体レーザの高反射コーティング膜として用いた場合の光
出力特性を示す。レーザ光の吸収せずコーティング膜が
損傷しないので、光出力が増大している。
【００２７】尚、高反射コーティング膜は積層膜を２周
期以上形成しても良く、その場合はさらに高反射のコー
ティング膜を得ることができる。
期以上形成しても良く、その場合はさらに高反射のコー
ティング膜を得ることができる。
【００２８】また、ECRプラズマを用いると、低ダメー
ジで共振器端面に水素化アモルファスシリコン膜が堆積
できるためレーザ素子の劣化が少なくて済み、寿命試験
等の信頼性が向上する。
ジで共振器端面に水素化アモルファスシリコン膜が堆積
できるためレーザ素子の劣化が少なくて済み、寿命試験
等の信頼性が向上する。
【００２９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、水素化ア
モルファスシリコン膜を、GaInP/AlGaInP系半導体レー
ザの高反射コーティング膜として用いると、反射率が高
く、吸収係数の低いコーティング膜が形成できるので、
光出力が大きく、信頼性の高い半導体レーザを実現する
ことができる。
モルファスシリコン膜を、GaInP/AlGaInP系半導体レー
ザの高反射コーティング膜として用いると、反射率が高
く、吸収係数の低いコーティング膜が形成できるので、
光出力が大きく、信頼性の高い半導体レーザを実現する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ECRCVD装置の構造断面図
【図２】水素化アモルファスシリコンの吸収係数を示す
図
図
【図３】水素化アモルファスシリコン平坦性を表す図
【図４】後面コーティング膜の構成を示す斜視図
【図５】GaInP/AlGaInP系半導体レーザの光出力特性図
【図６】非対称コートを形成した場合の共振器内部の電
界強度分布図
界強度分布図
１０１ 成膜室 １０２ 試料ホルダー １０３ 半導体レーザ １０４ 反応ガス導入口 １０５ プラズマ室 １０６ 励磁コイル １０７ プラズマガス導入口 １０８ 導波管 ３０１ 水素化アモルファスシリコン膜 ３０２ 基板 ３０３ アモルファスシリコン膜 ３０４ 基板 ４０１ 水素化アモルファスシリコン ４０２ ＳｉＯ２ ４０３ リアコーティング膜 ４０４ フロントコート膜 ４０５ レーザ光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高森 晃 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 福久 敏哉 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 萬濃 正也 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に形成された活性層と、該活性層
を挟む一対のクラッド層とを備えた半導体レーザであっ
て、前記半導体レーザの共振器端面の少なくとも一方
が、構成元素に珪素を含む第一の絶縁物と、第二の絶縁
物である水素化アモルファスシリコンとを少なくとも一
周期以上交互に積層した構造によって形成されている半
導体レーザ。 - 【請求項２】 前記第二の絶縁物である水素化アモルフ
ァスシリコンの吸収係数が3000cm-1以下である請求項１
に記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 第一の絶縁物がSiO2、SiON、またはSiN
である請求項２に記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】 半導体レーザがGaInP/AlGaInP系である
請求項１、２または３に記載の半導体レーザ。 - 【請求項５】 共振器端面の少なくとも一方に、構成元
素に珪素を含む第一の絶縁物を堆積する工程と、前記第
一の絶縁物上に第二の絶縁物である水素化アモルファス
シリコンを堆積する工程とを有することを特徴をするGa
InP/AlGaInP系半導体レーザの製造方法。 - 【請求項６】 電子サイクロトロン共鳴プラズマを用い
て前記第一の絶縁物と第二の絶縁物とを形成する請求項
５に記載のGaInP/AlGaInP系半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8141416A JPH09326531A (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | 半導体レーザおよび製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8141416A JPH09326531A (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | 半導体レーザおよび製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09326531A true JPH09326531A (ja) | 1997-12-16 |
Family
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1996
- 1996-06-04 JP JP8141416A patent/JPH09326531A/ja active Pending
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