JPH09330932A - バンプ形成体およびバンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成体およびバンプ形成方法Info
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- JPH09330932A JPH09330932A JP8146966A JP14696696A JPH09330932A JP H09330932 A JPH09330932 A JP H09330932A JP 8146966 A JP8146966 A JP 8146966A JP 14696696 A JP14696696 A JP 14696696A JP H09330932 A JPH09330932 A JP H09330932A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- sprayed
- pad
- bump
- film
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
- H10W72/01251—Changing the shapes of bumps
- H10W72/01255—Changing the shapes of bumps by using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/231—Shapes
- H10W72/234—Cross-sectional shape, i.e. in side view
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 蒸着、メッキ法ではバンプ用厚膜形成に長時
間を要する。印刷法ではペースト作成、焼成工程が必
要。ボールボンディング法では多パッド化と共にバッド
作成時間がかかりすぎるためコストが高い。 【解決手段】 プラズマ溶射法によりパッド上に選択的
に単層または多層の金属厚膜を形成し、その表面を平坦
化する。パッド金属を超塑性金属の厚膜とし、成膜後、
超塑性温度に保ち、所望の形状に彫り込んだ凹版をウエ
ハ、またはチップに押し当てることによって所望の形状
のバンプを形成する。
間を要する。印刷法ではペースト作成、焼成工程が必
要。ボールボンディング法では多パッド化と共にバッド
作成時間がかかりすぎるためコストが高い。 【解決手段】 プラズマ溶射法によりパッド上に選択的
に単層または多層の金属厚膜を形成し、その表面を平坦
化する。パッド金属を超塑性金属の厚膜とし、成膜後、
超塑性温度に保ち、所望の形状に彫り込んだ凹版をウエ
ハ、またはチップに押し当てることによって所望の形状
のバンプを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品にバンプを
形成したバンプ形成体およびバンプの形成方法に関する
ものである。
形成したバンプ形成体およびバンプの形成方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型、軽量、高機能化の流れ
に伴って、高密度実装の要求が高まっている。各種の高
密度実装方式のなかで、複数個の裸のＬＳＩチップ（ベ
アチップ）を回路基板上にマウントするマルチチップモ
ジュール（ＭＣＭ）が最も有望な方式である。ＭＣＭの
実用化のためにはベアチップをバンプを介して回路基板
に接続するフリップチップ接続技術のレベルアップと低
コスト化が必須である。フリップチップ接続技術とはベ
アチップを裏向けにしてバンプを介して回路基板に接続
する技術で、接続領域がチップの領域内で済み、高密度
で実装できる優れた方法である。フリップチップで重要
な役目を果たすバンプについては各種の材料、構造、形
成方法等が開発中である。
に伴って、高密度実装の要求が高まっている。各種の高
密度実装方式のなかで、複数個の裸のＬＳＩチップ（ベ
アチップ）を回路基板上にマウントするマルチチップモ
ジュール（ＭＣＭ）が最も有望な方式である。ＭＣＭの
実用化のためにはベアチップをバンプを介して回路基板
に接続するフリップチップ接続技術のレベルアップと低
コスト化が必須である。フリップチップ接続技術とはベ
アチップを裏向けにしてバンプを介して回路基板に接続
する技術で、接続領域がチップの領域内で済み、高密度
で実装できる優れた方法である。フリップチップで重要
な役目を果たすバンプについては各種の材料、構造、形
成方法等が開発中である。
【０００３】バンプ形成法には大きく分けて２種類の方
法がある。第１の方法はＬＳＩウエハ上の各チップのパ
ッド上に一斉に下地金属層（金属の拡散を防止するバリ
アメタル層）堆積させた後、更に１０〜５０μｍの厚さ
のハンダ層（Ｓｎ，Ｐｂ）を付けたハンダバンプ法であ
る。ハンダ層は真空蒸着法（特公昭６３−４９３９号公
報）、電解メッキ法（特開昭６３−６８６０号公報）ま
たはハンダボール法（特開昭６４−２２０４９号公報）
等で付ける。真空蒸着法は堆積速度が小さく、ＳｎとＰ
ｂの合金を１０μｍ以上の厚さに付けることは工程コス
トの面から問題である。また、電解メッキの場合、電界
分布に応じてメッキ厚が変動すること、メッキに長時間
を要すること、全パッドを電気的に接続するための共通
電極が必要であること等が問題である。ハンダボール法
の場合、粒径のそろったハンダボールが必要であり、全
パッド上にハンダボールを挿入もれなく供給することが
難しい。第２の方法はパッドに金線によるボールボンデ
ィングをし、パッド上に高さ約５０μｍの金ボールを形
成するもので、下地金属層が不要で通常のＬＳＩチップ
が使えるという特徴があるが、パッド数の増大に伴って
パッド作成に要する時間が増大するという問題がある。
また、ボンディング時の衝撃によりパッド下面のアクテ
ィブ素子が破壊されるために、パッド下面にはアクティ
ブ素子を配置出来ない。
法がある。第１の方法はＬＳＩウエハ上の各チップのパ
ッド上に一斉に下地金属層（金属の拡散を防止するバリ
アメタル層）堆積させた後、更に１０〜５０μｍの厚さ
のハンダ層（Ｓｎ，Ｐｂ）を付けたハンダバンプ法であ
る。ハンダ層は真空蒸着法（特公昭６３−４９３９号公
報）、電解メッキ法（特開昭６３−６８６０号公報）ま
たはハンダボール法（特開昭６４−２２０４９号公報）
等で付ける。真空蒸着法は堆積速度が小さく、ＳｎとＰ
ｂの合金を１０μｍ以上の厚さに付けることは工程コス
トの面から問題である。また、電解メッキの場合、電界
分布に応じてメッキ厚が変動すること、メッキに長時間
を要すること、全パッドを電気的に接続するための共通
電極が必要であること等が問題である。ハンダボール法
の場合、粒径のそろったハンダボールが必要であり、全
パッド上にハンダボールを挿入もれなく供給することが
難しい。第２の方法はパッドに金線によるボールボンデ
ィングをし、パッド上に高さ約５０μｍの金ボールを形
成するもので、下地金属層が不要で通常のＬＳＩチップ
が使えるという特徴があるが、パッド数の増大に伴って
パッド作成に要する時間が増大するという問題がある。
また、ボンディング時の衝撃によりパッド下面のアクテ
ィブ素子が破壊されるために、パッド下面にはアクティ
ブ素子を配置出来ない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】蒸着法、メッキ法で厚
さ１０μｍ〜５０μｍの厚膜を形成するためには長時間
を要し、工程コストが高くなると同時に膜厚の管理が難
しい。ハンダボール法は今後の高集積化に伴うパッドピ
ッチの縮小に対応できないこと、および挿入ミスによる
歩留まり低下が問題である。ボールボンディング法はパ
ッド毎にボールボンディングするもので、高速ボンダで
も秒速６〜８パッドであり、多パッド化と共に工程コス
トが大になり量産向きでない。
さ１０μｍ〜５０μｍの厚膜を形成するためには長時間
を要し、工程コストが高くなると同時に膜厚の管理が難
しい。ハンダボール法は今後の高集積化に伴うパッドピ
ッチの縮小に対応できないこと、および挿入ミスによる
歩留まり低下が問題である。ボールボンディング法はパ
ッド毎にボールボンディングするもので、高速ボンダで
も秒速６〜８パッドであり、多パッド化と共に工程コス
トが大になり量産向きでない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明においては上記の
問題を解決するために、電子部品の一部に選択的にプラ
ズマ溶射法により、単層または多層の溶射金属厚膜を形
成させてバンプを形成するようにしている。また、電子
部品の一部に選択的にプラズマ溶射法により、超塑性を
示す金属厚膜を形成し、成形して一定のバンプ形成体を
得るようにしている。
問題を解決するために、電子部品の一部に選択的にプラ
ズマ溶射法により、単層または多層の溶射金属厚膜を形
成させてバンプを形成するようにしている。また、電子
部品の一部に選択的にプラズマ溶射法により、超塑性を
示す金属厚膜を形成し、成形して一定のバンプ形成体を
得るようにしている。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１から図４を用いて説明する。
て、図１から図４を用いて説明する。
【０００７】図１は本発明のバンプ形成方法で作成した
バンプ形成体の断面図であり、（ａ）は溶射厚膜が単層
のものであり、金属材料としてはＡｌまたはＣｕが使え
る。（ｂ）はＡｌ溶射厚膜、Ｃｕ溶射厚膜の２層による
ものである。なお、バンプはＳｉチップ表面に設けられ
たパッド上にアレイ状またはライン状に形成される。１
はＳｉウエハであり、２はウエハ上に形成した蒸着Ａｌ
薄膜からなるパッド、３はＳｉＮ等のパッシベーション
膜である。ＳｉＮ膜の開口部のサイズがパッドサイズで
ある。また、４は下地金属層、５はＡｌまたはＣｕ溶射
厚膜である。なお、２層厚膜の場合における６はＡｌ溶
射厚膜、７はＣｕ溶射厚膜である。パッドを構成する蒸
着ＡｌとＣｕ溶射厚膜との間に溶射Ａｌを介在させるこ
とにより、バンプのパッドへの付着力を増大させること
ができる。
バンプ形成体の断面図であり、（ａ）は溶射厚膜が単層
のものであり、金属材料としてはＡｌまたはＣｕが使え
る。（ｂ）はＡｌ溶射厚膜、Ｃｕ溶射厚膜の２層による
ものである。なお、バンプはＳｉチップ表面に設けられ
たパッド上にアレイ状またはライン状に形成される。１
はＳｉウエハであり、２はウエハ上に形成した蒸着Ａｌ
薄膜からなるパッド、３はＳｉＮ等のパッシベーション
膜である。ＳｉＮ膜の開口部のサイズがパッドサイズで
ある。また、４は下地金属層、５はＡｌまたはＣｕ溶射
厚膜である。なお、２層厚膜の場合における６はＡｌ溶
射厚膜、７はＣｕ溶射厚膜である。パッドを構成する蒸
着ＡｌとＣｕ溶射厚膜との間に溶射Ａｌを介在させるこ
とにより、バンプのパッドへの付着力を増大させること
ができる。
【０００８】図２はＡｌ溶射膜、Ｃｕ溶射膜２層構成の
バンプの形成工程図である。ウエハプロセス終了後のＩ
ＣまたはＬＳＩウエハの表面に感光性レジスト膜８を貼
り付けた（図２ａ）後、パッドパターン部を開口するよ
うに露光することによって、パッド部にパッドサイズよ
り若干大きめの面積で開口９（図２ｂ）させる。なお、
感光性レジスト膜８の厚さは必要とするバンプの高さと
ほぼ同程度とする。下地金属層４として蒸着法でＣｒま
たはＴｉ薄膜を約１μｍの厚さに堆積（図２ｃ）させ
る。その後、プラズマ溶射装置を用いてウエハ全面にＡ
ｌ粉末のプラズマ溶射を行う。溶射厚膜の特性として、
弾性のある表面（感光レジストマスク膜）では溶射粒子
が弾き飛ばされるために、開口部の下地金属層の上にの
み成膜（図４ｃ）され、Ａｌ溶射厚膜６が形成させる。
Ａｌ溶射厚膜６の厚さは約２０μｍとした。その後、感
光性レジストマスクはそのままにして、同一のプラズマ
溶射装置を用いてウエハ全面にＣｕ粉末をプラズマ溶射
し、Ｃｕ溶射厚膜７を堆積（図２ｄ）させる。Ｃｕ溶射
厚膜７の厚さは最適のパッドの高さの条件から約５０μ
ｍとした。図２の工程では感光性レジストのパターン形
成工程を含むが、パッドサイズと同サイズのバンプで使
用可能な場合、図示していないが、通常のＩＣ、ＬＳＩ
ウエハプロセスの最終工程におけるパッド形成用レジス
トパターンをそのまま溶射厚膜用のマスクとして用いる
ことができ、これによって（図２ａ〜図２ｃ）の工程を
省略することができる。以上の説明ではバンプをウエハ
単位で一括形成しているが、ウエハをチップ単位に分割
して、チップ単位でバンプを形成することも可能であ
る。
バンプの形成工程図である。ウエハプロセス終了後のＩ
ＣまたはＬＳＩウエハの表面に感光性レジスト膜８を貼
り付けた（図２ａ）後、パッドパターン部を開口するよ
うに露光することによって、パッド部にパッドサイズよ
り若干大きめの面積で開口９（図２ｂ）させる。なお、
感光性レジスト膜８の厚さは必要とするバンプの高さと
ほぼ同程度とする。下地金属層４として蒸着法でＣｒま
たはＴｉ薄膜を約１μｍの厚さに堆積（図２ｃ）させ
る。その後、プラズマ溶射装置を用いてウエハ全面にＡ
ｌ粉末のプラズマ溶射を行う。溶射厚膜の特性として、
弾性のある表面（感光レジストマスク膜）では溶射粒子
が弾き飛ばされるために、開口部の下地金属層の上にの
み成膜（図４ｃ）され、Ａｌ溶射厚膜６が形成させる。
Ａｌ溶射厚膜６の厚さは約２０μｍとした。その後、感
光性レジストマスクはそのままにして、同一のプラズマ
溶射装置を用いてウエハ全面にＣｕ粉末をプラズマ溶射
し、Ｃｕ溶射厚膜７を堆積（図２ｄ）させる。Ｃｕ溶射
厚膜７の厚さは最適のパッドの高さの条件から約５０μ
ｍとした。図２の工程では感光性レジストのパターン形
成工程を含むが、パッドサイズと同サイズのバンプで使
用可能な場合、図示していないが、通常のＩＣ、ＬＳＩ
ウエハプロセスの最終工程におけるパッド形成用レジス
トパターンをそのまま溶射厚膜用のマスクとして用いる
ことができ、これによって（図２ａ〜図２ｃ）の工程を
省略することができる。以上の説明ではバンプをウエハ
単位で一括形成しているが、ウエハをチップ単位に分割
して、チップ単位でバンプを形成することも可能であ
る。
【０００９】一般にフリップチップ実装ではバンプ形成
体高さの均一性は重要であり、一般に要求される±１μ
ｍを得るために平坦化を行う。図示していないが、平板
をウエハ上のバンプに押し当てることによってバンプ表
面を平坦化（図２ｅ）する。その後、感光性レジスト膜
８を除去してフリップチップ用バンプ（図２ｆ）は完成
する。最近、チップ保護のためにポリイミド膜をコーテ
ィングしたＬＳＩが多く作られている。このような場合
はフォトレジストは要らない。ポリイミド保護膜がフォ
トレジストの代わりをする。この場合はもちろんポリイ
ミド保護膜を最後に取り除く必要はない。
体高さの均一性は重要であり、一般に要求される±１μ
ｍを得るために平坦化を行う。図示していないが、平板
をウエハ上のバンプに押し当てることによってバンプ表
面を平坦化（図２ｅ）する。その後、感光性レジスト膜
８を除去してフリップチップ用バンプ（図２ｆ）は完成
する。最近、チップ保護のためにポリイミド膜をコーテ
ィングしたＬＳＩが多く作られている。このような場合
はフォトレジストは要らない。ポリイミド保護膜がフォ
トレジストの代わりをする。この場合はもちろんポリイ
ミド保護膜を最後に取り除く必要はない。
【００１０】プラズマ溶射プロセスは高速成膜が可能で
あり、厚さ１０μｍ以上の厚膜が高速で得られる。更
に、バインダレスであること、堆積後焼成工程が不要で
あること等が長所として挙げられる。プラズマ溶射では
原料粒子の速度が大であり、高速でパッド部に衝突する
ために、パッドを形成するＡｌ膜の表面酸化膜を突き破
って溶射厚膜が堆積され、溶射厚膜はパッド上のＡｌ膜
と低接触抵抗の電気的接続を可能にする。また、プラズ
マ溶射法によるＡｌ厚膜を用いた場合、ウエハ上のＡｌ
薄膜と同一金属であるので金属拡散の影響はなく、且つ
低接触抵抗が得られることから、必ずしも下地層は必要
ではなく、工程が簡略化できる。プラズマ溶射法では感
光性レジスト上には成膜されないため、レジスト除去の
工程で開口部の溶射厚膜がはぎ取られることがなく、パ
ッド部のみに高精度で厚膜を形成することが可能にな
る。
あり、厚さ１０μｍ以上の厚膜が高速で得られる。更
に、バインダレスであること、堆積後焼成工程が不要で
あること等が長所として挙げられる。プラズマ溶射では
原料粒子の速度が大であり、高速でパッド部に衝突する
ために、パッドを形成するＡｌ膜の表面酸化膜を突き破
って溶射厚膜が堆積され、溶射厚膜はパッド上のＡｌ膜
と低接触抵抗の電気的接続を可能にする。また、プラズ
マ溶射法によるＡｌ厚膜を用いた場合、ウエハ上のＡｌ
薄膜と同一金属であるので金属拡散の影響はなく、且つ
低接触抵抗が得られることから、必ずしも下地層は必要
ではなく、工程が簡略化できる。プラズマ溶射法では感
光性レジスト上には成膜されないため、レジスト除去の
工程で開口部の溶射厚膜がはぎ取られることがなく、パ
ッド部のみに高精度で厚膜を形成することが可能にな
る。
【００１１】また、本発明ではバンプをつける下地にワ
イヤボンディングのように力がかからないために、バン
プ下にアクティブ素子があるようなＬＳＩでもバンプ形
成が可能である。
イヤボンディングのように力がかからないために、バン
プ下にアクティブ素子があるようなＬＳＩでもバンプ形
成が可能である。
【００１２】図３は本発明の第２の実施例における断面
図である。図１の場合と同一の膜には同一の番号を付し
ている。１０は超塑性材料からなるプラズマ溶射厚膜で
あり、本発明では超塑性の大きさおよび超塑性温度から
材料として亜鉛／２２Ａｌを用いた。亜鉛／２２Ａｌの
超塑性温度は約２５０℃であり、Ｓｉウエハ上での成形
処理をするためには好都合である。この場合の製作工程
を図４に示す。ウエハプロセスの終了後、パッドパター
ン部を開口するように露光することによって、パッド部
にパッドサイズより若干大きめの面積で開口９（図４
ａ）させる。下地金属層４として蒸着法でＣｒまたはＴ
ｉ薄膜を約１μｍの厚さに堆積（図４ｂ）させる。その
後、プラズマ溶射装置を用いてウエハ全面に亜鉛／２２
Ａｌ粉末の溶射を行う。その結果、溶射成膜の特性とし
て、弾性のある表面では溶射粒子が弾き飛ばされるため
に、開口部の下地金属層４の上にのみ成膜（図４ｃ）さ
れる。溶射成膜後、感光性レジスト８を除去（図４ｄ）
し、ウエハを超塑性温度に保持し、パッド位置に合わせ
て所望の形状に彫り込んだ凹版（図示していない）を位
置合わせしてウエハに所望の圧力で押し当てる。超塑性
材料の特質から超塑性厚膜９が版に従って忠実に塑性変
形するために、所望のバンプ形状を一括して得ることが
できる。導電性樹脂またはハンダによってチップを基板
と接続をする場合、図３に示すような凸型、つまり２段
突起型のバンプ形状にすることによって、１段目の突起
上に導電性樹脂の溜め部分できるために、余分な樹脂ま
たはハンダが広がらず、高精度な実装が可能になる。超
塑性を示す材料としては本実施例の他に、ビスマス／Ｓ
ｎ合金、鉛／Ｓｎ合金、Ｍｇ／Ａｌ合金なども使用可能
であると考えられるが、ビスマス／Ｓｎと鉛／Ｓｎは超
塑性温度が低すぎ、またＭｇ／Ａｌは超塑性温度が高す
ぎて使いにくい。
図である。図１の場合と同一の膜には同一の番号を付し
ている。１０は超塑性材料からなるプラズマ溶射厚膜で
あり、本発明では超塑性の大きさおよび超塑性温度から
材料として亜鉛／２２Ａｌを用いた。亜鉛／２２Ａｌの
超塑性温度は約２５０℃であり、Ｓｉウエハ上での成形
処理をするためには好都合である。この場合の製作工程
を図４に示す。ウエハプロセスの終了後、パッドパター
ン部を開口するように露光することによって、パッド部
にパッドサイズより若干大きめの面積で開口９（図４
ａ）させる。下地金属層４として蒸着法でＣｒまたはＴ
ｉ薄膜を約１μｍの厚さに堆積（図４ｂ）させる。その
後、プラズマ溶射装置を用いてウエハ全面に亜鉛／２２
Ａｌ粉末の溶射を行う。その結果、溶射成膜の特性とし
て、弾性のある表面では溶射粒子が弾き飛ばされるため
に、開口部の下地金属層４の上にのみ成膜（図４ｃ）さ
れる。溶射成膜後、感光性レジスト８を除去（図４ｄ）
し、ウエハを超塑性温度に保持し、パッド位置に合わせ
て所望の形状に彫り込んだ凹版（図示していない）を位
置合わせしてウエハに所望の圧力で押し当てる。超塑性
材料の特質から超塑性厚膜９が版に従って忠実に塑性変
形するために、所望のバンプ形状を一括して得ることが
できる。導電性樹脂またはハンダによってチップを基板
と接続をする場合、図３に示すような凸型、つまり２段
突起型のバンプ形状にすることによって、１段目の突起
上に導電性樹脂の溜め部分できるために、余分な樹脂ま
たはハンダが広がらず、高精度な実装が可能になる。超
塑性を示す材料としては本実施例の他に、ビスマス／Ｓ
ｎ合金、鉛／Ｓｎ合金、Ｍｇ／Ａｌ合金なども使用可能
であると考えられるが、ビスマス／Ｓｎと鉛／Ｓｎは超
塑性温度が低すぎ、またＭｇ／Ａｌは超塑性温度が高す
ぎて使いにくい。
【００１３】
【発明の効果】以上の説明ではＳｉウエハ上での話に限
ったが、プラズマ溶射を用いるとあらゆる材料の上にあ
らゆる材料の厚膜を形成できるため一般電子部品にバン
プを形成することができる。例えば、チップ抵抗器やチ
ップインダクター、チップコンデンサやその他部品にも
バンプを作ることができる。現在のチップ部品の端子部
の最外層はハンダで覆われている。この上に金属溶射厚
膜を形成することは当然可能である。チップ部品の中に
はハンダ層の下地層としてＮｉや焼結銀があるものがあ
り、そのようなものでは外層のハンダ層を付ける必要が
ない、接点などにおいて、接触部の一部に突起（バン
プ）を付けることも可能である。溶射材料に関しても、
金銀等の貴金属やＡｌ、Ｃｕ以外の非金属も可能であ
る。
ったが、プラズマ溶射を用いるとあらゆる材料の上にあ
らゆる材料の厚膜を形成できるため一般電子部品にバン
プを形成することができる。例えば、チップ抵抗器やチ
ップインダクター、チップコンデンサやその他部品にも
バンプを作ることができる。現在のチップ部品の端子部
の最外層はハンダで覆われている。この上に金属溶射厚
膜を形成することは当然可能である。チップ部品の中に
はハンダ層の下地層としてＮｉや焼結銀があるものがあ
り、そのようなものでは外層のハンダ層を付ける必要が
ない、接点などにおいて、接触部の一部に突起（バン
プ）を付けることも可能である。溶射材料に関しても、
金銀等の貴金属やＡｌ、Ｃｕ以外の非金属も可能であ
る。
【図１】本発明の第１の実施形態によるバンプの構造を
示す図
示す図
【図２】本発明の第１の実施形態によるバンプの形成方
法を示す図
法を示す図
【図３】本発明の第２の実施形態によるバンプの構造を
示す図
示す図
【図４】本発明の第２の実施形態によるバンプの形成方
法を示す図
法を示す図
１ Ｓｉウエハ ２ Ａｌ薄膜からなるパッド ３ パッシベーション膜 ４ 下地金属層 ５ ＡｌまたはＣｕ溶射厚膜 ６ Ａｌ溶射厚膜 ７ Ｃｕ溶射厚膜 ８ 感光性レジスト膜 ９ パッド部の開口 １０ 超塑性材料からなる厚膜
Claims (8)
- 【請求項１】単層または多層の溶射金属厚膜からなるバ
ンプを有することを特徴とするバンプ形成体。 - 【請求項２】溶射金属厚膜がＡｌ溶射厚膜またはＣｕ溶
射厚膜であることを特徴とする請求項１記載のバンプ形
成体。 - 【請求項３】Ａｌ溶射厚膜、Ｃｕ溶射厚膜を順次積層し
たバンプを有することを特徴とする請求項１記載のバン
プ形成体。 - 【請求項４】成形した超塑性溶射金属厚膜からなるバン
プを有するバンプ形成体。 - 【請求項５】電子部品の一部に選択的にプラズマ溶射法
により、単層または多層の溶射金属厚膜を形成させたこ
とを特徴とするバンプ形成方法。 - 【請求項６】溶射金属厚膜がＡｌまたはＣｕであること
を特徴とする請求項５記載のバンプ形成方法。 - 【請求項７】金属厚膜として順次Ａｌ溶射厚膜、Ｃｕ溶
射厚膜を形成したことを特徴とする請求項１記載のバン
プの形成方法。 - 【請求項８】電子部品の一部に選択的にプラズマ溶射法
により、超塑性を示す金属厚膜を形成し、成形したこと
を特徴とするバンプの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8146966A JPH09330932A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | バンプ形成体およびバンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8146966A JPH09330932A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | バンプ形成体およびバンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09330932A true JPH09330932A (ja) | 1997-12-22 |
Family
ID=15419616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8146966A Pending JPH09330932A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | バンプ形成体およびバンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09330932A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999044228A1 (fr) * | 1998-02-25 | 1999-09-02 | Citizen Watch Co., Ltd. | Dispositif a semi-conducteur |
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1996
- 1996-06-10 JP JP8146966A patent/JPH09330932A/ja active Pending
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