JPH09331102A - レーザ出射端面が傾いている波長多重光源 - Google Patents
レーザ出射端面が傾いている波長多重光源Info
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- JPH09331102A JPH09331102A JP17304496A JP17304496A JPH09331102A JP H09331102 A JPH09331102 A JP H09331102A JP 17304496 A JP17304496 A JP 17304496A JP 17304496 A JP17304496 A JP 17304496A JP H09331102 A JPH09331102 A JP H09331102A
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- semiconductor laser
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体レーザアレイ出射端構造の工夫により、
小型・高出力で集光・集積設計の容易な波長多重光源で
ある。 【解決手段】波長多重光源は半導体レーザアレイ11及
びチャネル導波形合流器12から構成される。半導体レ
ーザアレイ11の各レーザ101〜108の出射端面
が、波長多重光源の基板に垂直な面内で形成され、且つ
少なくとも1つの半導体レーザについてその共振器軸に
対して傾いている。半導体レーザアレイ11の各レーザ
101〜108からの光は、所定の角度で出射し、半導
体レーザアレイ11と異なる材料から形成されるチャネ
ル導波形合流器12にて合流し、出力導波路部13から
出射される。
小型・高出力で集光・集積設計の容易な波長多重光源で
ある。 【解決手段】波長多重光源は半導体レーザアレイ11及
びチャネル導波形合流器12から構成される。半導体レ
ーザアレイ11の各レーザ101〜108の出射端面
が、波長多重光源の基板に垂直な面内で形成され、且つ
少なくとも1つの半導体レーザについてその共振器軸に
対して傾いている。半導体レーザアレイ11の各レーザ
101〜108からの光は、所定の角度で出射し、半導
体レーザアレイ11と異なる材料から形成されるチャネ
ル導波形合流器12にて合流し、出力導波路部13から
出射される。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システム、
特に波長分割多重通信システムに使用される波長多重光
源、それを用いた通信システム等に関する。
特に波長分割多重通信システムに使用される波長多重光
源、それを用いた通信システム等に関する。
【0002】
【従来の技術】波長分割多重通信システム(以下、WD
Mシステム)は、光波長の広帯域性を生かして、高速で
大容量の情報が伝送できることから、様々な分野で応用
されている。このWDMシステムを支える鍵となるデバ
イスが波長可変レーザである。特に、波長多重度を向上
させ、システムの柔軟性を上げるために有効なのが波長
可変レーザを複数集積化した波長多重光源である。即
ち、複数の波長の光を同時に制御・送信できる装置であ
る。
Mシステム)は、光波長の広帯域性を生かして、高速で
大容量の情報が伝送できることから、様々な分野で応用
されている。このWDMシステムを支える鍵となるデバ
イスが波長可変レーザである。特に、波長多重度を向上
させ、システムの柔軟性を上げるために有効なのが波長
可変レーザを複数集積化した波長多重光源である。即
ち、複数の波長の光を同時に制御・送信できる装置であ
る。
【0003】この波長多重光源からの送信光を光ファイ
バヘ伝送させるためには、大きく分けて2つの方法が挙
げられる。1つは、光ファイバのアレイと光源のアレイ
を結合させる形態で、ファイバアレイの合流はファイバ
スターカップラで行うものである。もう1つは、光源ア
レイの出射光を合流させ1本の光ファイバヘ導くもので
ある。前者の手法は、光の合流をファイバスターカップ
ラで実現するため、結合損失を比較的低くできる長所を
持つものの、光源アレイと光ファイバアレイの光学的配
置が煩雑で、大型化する問題がある。後者の手法は、光
ファイバとの結合時点で光源アレイの出射光がまとまっ
ているため、配置の煩雑さや装置の大型化を避けられ
る。そこで、例えば、米国特許第5,394,489号
明細書に見られるように、分布帰還形半導体レーザアレ
イの形成された基板上で導波形のスターカップラを形成
してレーザ出射光を合流して1本の導波路から出力する
波長多重光源が提案されている。
バヘ伝送させるためには、大きく分けて2つの方法が挙
げられる。1つは、光ファイバのアレイと光源のアレイ
を結合させる形態で、ファイバアレイの合流はファイバ
スターカップラで行うものである。もう1つは、光源ア
レイの出射光を合流させ1本の光ファイバヘ導くもので
ある。前者の手法は、光の合流をファイバスターカップ
ラで実現するため、結合損失を比較的低くできる長所を
持つものの、光源アレイと光ファイバアレイの光学的配
置が煩雑で、大型化する問題がある。後者の手法は、光
ファイバとの結合時点で光源アレイの出射光がまとまっ
ているため、配置の煩雑さや装置の大型化を避けられ
る。そこで、例えば、米国特許第5,394,489号
明細書に見られるように、分布帰還形半導体レーザアレ
イの形成された基板上で導波形のスターカップラを形成
してレーザ出射光を合流して1本の導波路から出力する
波長多重光源が提案されている。
【0004】
【発明が解決しようとしている課題】しかし、従来提案
されていた上記米国特許明細書などに記載された波長多
重光源では、半導体レーザアレイの出射光を結合させる
ための曲げ導波路を必要とし、素子長が長くなる難点が
あった。また、光ファイバヘの励起を含めたレーザ出射
光の利用効率も高いものではなかった。さらに、合流器
の入射端面からの反射戻り光がレーザ特性の劣化を招い
ていた。
されていた上記米国特許明細書などに記載された波長多
重光源では、半導体レーザアレイの出射光を結合させる
ための曲げ導波路を必要とし、素子長が長くなる難点が
あった。また、光ファイバヘの励起を含めたレーザ出射
光の利用効率も高いものではなかった。さらに、合流器
の入射端面からの反射戻り光がレーザ特性の劣化を招い
ていた。
【0005】このような課題に鑑み、本発明の目的を各
請求項に対応して以下に述べる。
請求項に対応して以下に述べる。
【0006】本発明の第1乃至第3の目的は、半導体レ
ーザアレイ出射端構造の工夫により、小型・高出力で集
光・集積設計の容易な波長多重光源を提供することにあ
る。
ーザアレイ出射端構造の工夫により、小型・高出力で集
光・集積設計の容易な波長多重光源を提供することにあ
る。
【0007】本発明の第4及び第5の目的は、合流器導
波路の工夫により、小型で且つ高効率に集光可能な波長
多重光源を提供することにある。
波路の工夫により、小型で且つ高効率に集光可能な波長
多重光源を提供することにある。
【0008】本発明の第6の目的は、半導体レーザアレ
イの工夫により、変調時にモードの安定な波長多重光源
を提供することにある。
イの工夫により、変調時にモードの安定な波長多重光源
を提供することにある。
【0009】本発明の第7の目的は、半導体レーザアレ
イの工夫により、変調時に発振線幅の広がりの小さな波
長多重光源を提供することにある。
イの工夫により、変調時に発振線幅の広がりの小さな波
長多重光源を提供することにある。
【0010】本発明の第8の目的は、半導体レーザアレ
イの工夫により、波長多重配置の自由度の大きな波長多
重光源を提供することにある。
イの工夫により、波長多重配置の自由度の大きな波長多
重光源を提供することにある。
【0011】本発明の第9の目的は、半導体レーザアレ
イの工夫により、波長多重範囲の広帯域な波長多重光源
を提供することにある。
イの工夫により、波長多重範囲の広帯域な波長多重光源
を提供することにある。
【0012】本発明の第10の目的は、偏波変調による
光伝送等のための光−電気変換装置を提供することであ
る。
光伝送等のための光−電気変換装置を提供することであ
る。
【0013】本発明の第11の目的は、偏波変調による
光伝送を利用した波長分割多重のローカルエリアネット
ワーク等のシステムを構築することにある。
光伝送を利用した波長分割多重のローカルエリアネット
ワーク等のシステムを構築することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記第1乃至第5の目的
を達成する本発明の波長多重光源の構成、作用は以下の
ようである。すなわち、半導体レーザアレイ及びチャネ
ル導波形合流器から構成される波長多重光源において、
該半導体レーザアレイのそれぞれのレーザの出射端面
が、該波長多重光源の基板に垂直な面内で形成されてい
て、且つ、少なくとも1つの半導体レーザについてその
共振器軸に対して傾いていることで、該半導体レーザア
レイのそれぞれのレーザからの光が所定の角度で出射
し、半導体レーザアレイと異なる材料から形成されるチ
ャネル導波形合流器にて合流し、出射されることを特徴
とする(請求項1に対応)。半導体レーザアレイを構成
する半導体レーザの出射端面は、アレイ中央部からアレ
イ周辺部に向かって徐々に傾き角が大きくなったり(請
求項2に対応)、半導体レーザアレイを構成する半導体
レーザの出射端面は、TEモードの導波光に対してブル
ースタ角となる様に設定されていたり(請求項3に対
応)、チャネル導波形合流器は、各レーザから伸びる直
線状分枝導波路と該分枝導波路が集まる合流部とを有す
る熊手形結合器から構成されていたり(請求項4に対
応)、チャネル導波形合流器は、直線状幹部導波路と該
幹部導波路に各箇所で合流する直線状分枝導波路とを有
する枝分れ形結合器から構成されていたりする(請求項
5に対応)。
を達成する本発明の波長多重光源の構成、作用は以下の
ようである。すなわち、半導体レーザアレイ及びチャネ
ル導波形合流器から構成される波長多重光源において、
該半導体レーザアレイのそれぞれのレーザの出射端面
が、該波長多重光源の基板に垂直な面内で形成されてい
て、且つ、少なくとも1つの半導体レーザについてその
共振器軸に対して傾いていることで、該半導体レーザア
レイのそれぞれのレーザからの光が所定の角度で出射
し、半導体レーザアレイと異なる材料から形成されるチ
ャネル導波形合流器にて合流し、出射されることを特徴
とする(請求項1に対応)。半導体レーザアレイを構成
する半導体レーザの出射端面は、アレイ中央部からアレ
イ周辺部に向かって徐々に傾き角が大きくなったり(請
求項2に対応)、半導体レーザアレイを構成する半導体
レーザの出射端面は、TEモードの導波光に対してブル
ースタ角となる様に設定されていたり(請求項3に対
応)、チャネル導波形合流器は、各レーザから伸びる直
線状分枝導波路と該分枝導波路が集まる合流部とを有す
る熊手形結合器から構成されていたり(請求項4に対
応)、チャネル導波形合流器は、直線状幹部導波路と該
幹部導波路に各箇所で合流する直線状分枝導波路とを有
する枝分れ形結合器から構成されていたりする(請求項
5に対応)。
【0015】具体的には、半導体レーザアレイを構成す
る個々のレーザの出射端が合流器導波路に接続されてい
て、その出射端面をレーザ共振器軸に対して傾けること
で、レーザ出射光を斜めに射出させ、一本の出力用導波
路に合流し出射する。図2はこの原理を模式的に表して
いる。半導体レーザ21の出射端面22は斜めにカット
されているため、出射光は屈折し、傾いて設けられた導
波路23に平行に光が進行するようになる。その際、レ
ーザ出射端面22の傾き角θ1をレーザアレイの各レー
ザの位置ごとに制御することで、光の出射角θ2を変え
ることができ、合流器における集光を効率よく行うこと
ができる。レーザ共振器軸に対する傾き角θ2はスネル
の法則として良く知られているように、以下のように表
される。 θ2=−θ1+sin-1(n1/n2sinθ1) (1) 但し、n1、n2はそれぞれ半導体レーザ21、合流器導
波路23の等価屈折率を表す。
る個々のレーザの出射端が合流器導波路に接続されてい
て、その出射端面をレーザ共振器軸に対して傾けること
で、レーザ出射光を斜めに射出させ、一本の出力用導波
路に合流し出射する。図2はこの原理を模式的に表して
いる。半導体レーザ21の出射端面22は斜めにカット
されているため、出射光は屈折し、傾いて設けられた導
波路23に平行に光が進行するようになる。その際、レ
ーザ出射端面22の傾き角θ1をレーザアレイの各レー
ザの位置ごとに制御することで、光の出射角θ2を変え
ることができ、合流器における集光を効率よく行うこと
ができる。レーザ共振器軸に対する傾き角θ2はスネル
の法則として良く知られているように、以下のように表
される。 θ2=−θ1+sin-1(n1/n2sinθ1) (1) 但し、n1、n2はそれぞれ半導体レーザ21、合流器導
波路23の等価屈折率を表す。
【0016】したがって、図1のように、傾き角を半導
体レーザアレイ11の各レーザ101〜108に対し
て、徐々に変化させて、その出射光がチャネル導波形合
流器12の出力導波路部13に収束するようにしてい
る。以上のような構成の結果、半導体レーザアレイ11
のうち、アレイ中央部14からの出射光はほぼ真っ直ぐ
に、また、アレイ周辺部15からの出射光は曲げられ
て、あたかもフレネルレンズで集光されるようになる。
そして、図1に示すような熊手形、あるいは枝分れ形の
光学結合を通して、全て出力導波路部13へ向かうこと
になる。本発明では、レーザ出射端面で屈折が起こる様
に合流器を構成する導波路は半導体レーザを構成する導
波路と異なる等価屈折率を有している。図1の構成で
は、各レーザからの出射光の進み方は中央部を中心とし
て対称的になる様に構成されているが、各半導体レーザ
の出射端面の設定の仕方はこれに限られない。
体レーザアレイ11の各レーザ101〜108に対し
て、徐々に変化させて、その出射光がチャネル導波形合
流器12の出力導波路部13に収束するようにしてい
る。以上のような構成の結果、半導体レーザアレイ11
のうち、アレイ中央部14からの出射光はほぼ真っ直ぐ
に、また、アレイ周辺部15からの出射光は曲げられ
て、あたかもフレネルレンズで集光されるようになる。
そして、図1に示すような熊手形、あるいは枝分れ形の
光学結合を通して、全て出力導波路部13へ向かうこと
になる。本発明では、レーザ出射端面で屈折が起こる様
に合流器を構成する導波路は半導体レーザを構成する導
波路と異なる等価屈折率を有している。図1の構成で
は、各レーザからの出射光の進み方は中央部を中心とし
て対称的になる様に構成されているが、各半導体レーザ
の出射端面の設定の仕方はこれに限られない。
【0017】上記第6乃至第9の目的を達成する本発明
の波長多重光源の構成、作用は以下のようである。6)
半導体レーザアレイを、分布帰還形もしくは分布反射形
レーザから構成することで、動的に安定な発振を可能と
する(請求項6に対応)。7)半導体レーザアレイを、
発振光の偏波モードがTEモードとTMモードの間で切
り替わるレーザを採用することで、変調時の線幅増大が
抑えられる(請求項7に対応)。ブルースタ角で出射端
面を切削されたレーザは、偏波依存性を有するため、合
流器出力端に設けた偏光子とともに偏波消光比を向上さ
せる作用も併せ持つ。8)半導体レーザアレイの各レー
ザの発振波長が独立に可変制御されることで、自由な波
長チャネルの送信が可能となる(請求項8に対応)。
9)半導体レーザアレイを構成する半導体レーザが互い
に発振波長が異なることで、広帯城な波長分割多重通信
が行なえる(請求項9に対応)。
の波長多重光源の構成、作用は以下のようである。6)
半導体レーザアレイを、分布帰還形もしくは分布反射形
レーザから構成することで、動的に安定な発振を可能と
する(請求項6に対応)。7)半導体レーザアレイを、
発振光の偏波モードがTEモードとTMモードの間で切
り替わるレーザを採用することで、変調時の線幅増大が
抑えられる(請求項7に対応)。ブルースタ角で出射端
面を切削されたレーザは、偏波依存性を有するため、合
流器出力端に設けた偏光子とともに偏波消光比を向上さ
せる作用も併せ持つ。8)半導体レーザアレイの各レー
ザの発振波長が独立に可変制御されることで、自由な波
長チャネルの送信が可能となる(請求項8に対応)。
9)半導体レーザアレイを構成する半導体レーザが互い
に発振波長が異なることで、広帯城な波長分割多重通信
が行なえる(請求項9に対応)。
【0018】また、上記第10及び第11の目的を達成
する本発明の装置及びシステムの構成、作用は以下のよ
うである。10)上記長多重光源を送信装置とし、波長
可変の光フィルタと受光素子を受信装置として、これら
を1つにまとめて、波長多重ローカルエリアネットワー
クなどに用いられる光−電気変換装置を構成できる(請
求項10に対応)。9)上記光−電気変換装置を用い、
送信装置の偏波変調を行ない偏波変調光を強度変調光に
変換して伝送し、受信装置によって所望の波長の光受信
を行なうことで波長分割多重光伝送システムを構築でき
る(請求項11に対応)。
する本発明の装置及びシステムの構成、作用は以下のよ
うである。10)上記長多重光源を送信装置とし、波長
可変の光フィルタと受光素子を受信装置として、これら
を1つにまとめて、波長多重ローカルエリアネットワー
クなどに用いられる光−電気変換装置を構成できる(請
求項10に対応)。9)上記光−電気変換装置を用い、
送信装置の偏波変調を行ない偏波変調光を強度変調光に
変換して伝送し、受信装置によって所望の波長の光受信
を行なうことで波長分割多重光伝送システムを構築でき
る(請求項11に対応)。
【0019】
【発明の実施の形態】第1実施例 本発明による第1の実施例を図1によって説明する。1
1は、それぞれ2電極構成からなる8アレイの分布帰還
形レーザ101〜108のレーザアレイである。12は
熊手形配置によるチャネル導波形合流器である。また、
13は出力導波路部である。図3は図1の導波方向の断
面を示している。
1は、それぞれ2電極構成からなる8アレイの分布帰還
形レーザ101〜108のレーザアレイである。12は
熊手形配置によるチャネル導波形合流器である。また、
13は出力導波路部である。図3は図1の導波方向の断
面を示している。
【0020】この2つの図を用いて、本実施例の波長多
重光源を説明する。半導体レーザアレイの層構成は、n
−InP基板301上に、周期240nmのグレーティ
ング302を形成した0.5μm厚のn−InPバッフ
ァ層303、0.15μm厚のn−InGaAsP(バ
ンドギャップ波長λg=1.17μm)光ガイド層30
4、0.08μm厚のi−InGaAsP(λg=1.
51μm)活性層305、0.4μm厚のp−InGa
AsP(λg=1.17μm)光ガイド層306、1.
8μm厚のp−InPクラッド層307、p−InGa
Asコンタクト層308を積層した形態から成る。レー
ザ共振器では導波路幅を3μmとするリッジを形成し、
横方向両側を高抵抗InP層によって埋め込んでいる。
各レーザ101〜108の横方向間隔は250μmと
し、共振器方向の長さは700μmである。
重光源を説明する。半導体レーザアレイの層構成は、n
−InP基板301上に、周期240nmのグレーティ
ング302を形成した0.5μm厚のn−InPバッフ
ァ層303、0.15μm厚のn−InGaAsP(バ
ンドギャップ波長λg=1.17μm)光ガイド層30
4、0.08μm厚のi−InGaAsP(λg=1.
51μm)活性層305、0.4μm厚のp−InGa
AsP(λg=1.17μm)光ガイド層306、1.
8μm厚のp−InPクラッド層307、p−InGa
Asコンタクト層308を積層した形態から成る。レー
ザ共振器では導波路幅を3μmとするリッジを形成し、
横方向両側を高抵抗InP層によって埋め込んでいる。
各レーザ101〜108の横方向間隔は250μmと
し、共振器方向の長さは700μmである。
【0021】続いて、半導体レーザアレイ11の合流器
側端面を、フォトマスクを用いたリソグラフィ法によ
り、上方からみて斜めにn−InP基板301までをエ
ッチングにより除去する。除去した面にチャネル導波形
合流器12用のクラッド311としてポリイミドPIX
(日立化成製)を塗布、焼成した後、コア312として
ポリイミドUR5100FX(東レ製)を塗布した。そ
して、フォトマスクを用いてUR5100FXを露光・
現像し、図1に示すような熊手形のチャネル導波形合流
器12のパターンを形成した。同様に焼成を加え、上部
クラッド313としてPIXを塗布、焼成してチャネル
導波形合流器12を作製する。半導体レーザ領域におい
ては、電極分離領域のコンタクト層308までを除去し
て共振器を2分割し、p−電極であるAu/Zn/Au
層309を形成し、基板側には電極のAuGe/Au層
310を形成し、これらを合金化している。
側端面を、フォトマスクを用いたリソグラフィ法によ
り、上方からみて斜めにn−InP基板301までをエ
ッチングにより除去する。除去した面にチャネル導波形
合流器12用のクラッド311としてポリイミドPIX
(日立化成製)を塗布、焼成した後、コア312として
ポリイミドUR5100FX(東レ製)を塗布した。そ
して、フォトマスクを用いてUR5100FXを露光・
現像し、図1に示すような熊手形のチャネル導波形合流
器12のパターンを形成した。同様に焼成を加え、上部
クラッド313としてPIXを塗布、焼成してチャネル
導波形合流器12を作製する。半導体レーザ領域におい
ては、電極分離領域のコンタクト層308までを除去し
て共振器を2分割し、p−電極であるAu/Zn/Au
層309を形成し、基板側には電極のAuGe/Au層
310を形成し、これらを合金化している。
【0022】半導体レーザアレイ11のレーザ101〜
108はそれぞれ2電極に注入する電流を制御すること
で、その発振波長を2nmにわたって可変である。図1
に示すように、各レーザ101〜108からの出射光は
斜めに形成された端面で屈折されてポリイミド導波路に
伝搬すると、合流部16を通して出力導波路部13に結
合する。その際、射出端面が分布的に傾いているため、
レーザ101〜108の各出射光は、図1に示すよう
に、自然に集光される。半導体レーザの出射端面22の
傾き角θ1は、101、l08が20度、102、10
7が16度、103、106が10.5度、104、1
05が4度であり、半導体レーザアレイ11から合流部
16までの長さは1.6mmとなる。出力導波路部13
の長さ400μmを加えて、チャネル導波形合流器12
の長さはほぼ2mmとなる。レーザ出射端面に近い領域
で導波路に曲げを要さないため、素子長が短く、且つ、
端面が傾いているため端面反射が共振器に戻らずDFB
発振を安定化させる効果もある。集光された光は、出力
導波路部13を通して出射される。したがって、この波
長多重光源によれば、同時に8波長の光に信号を載せて
光ファイバ上へ伝送することが可能である。
108はそれぞれ2電極に注入する電流を制御すること
で、その発振波長を2nmにわたって可変である。図1
に示すように、各レーザ101〜108からの出射光は
斜めに形成された端面で屈折されてポリイミド導波路に
伝搬すると、合流部16を通して出力導波路部13に結
合する。その際、射出端面が分布的に傾いているため、
レーザ101〜108の各出射光は、図1に示すよう
に、自然に集光される。半導体レーザの出射端面22の
傾き角θ1は、101、l08が20度、102、10
7が16度、103、106が10.5度、104、1
05が4度であり、半導体レーザアレイ11から合流部
16までの長さは1.6mmとなる。出力導波路部13
の長さ400μmを加えて、チャネル導波形合流器12
の長さはほぼ2mmとなる。レーザ出射端面に近い領域
で導波路に曲げを要さないため、素子長が短く、且つ、
端面が傾いているため端面反射が共振器に戻らずDFB
発振を安定化させる効果もある。集光された光は、出力
導波路部13を通して出射される。したがって、この波
長多重光源によれば、同時に8波長の光に信号を載せて
光ファイバ上へ伝送することが可能である。
【0023】第2実施例 次に、半導体レーザアレイを偏波切り替え可能な構成と
した例を示す。2つの電極への注入電流を制御すること
で、発振の偏波モードを切り替えられる。そして、出力
を偏光子等の偏波選択素子を通すことで、振幅変調の光
が得られる。通常の直接振幅変調方式と比較して、小振
幅電流で変調が行える特長がある。さらに、レーザ内の
キャリア変動量が小さいので変調時の線幅広がりを抑圧
できる。そのために、発振波長近傍の光のTE、TMモ
ードの閾値利得をおおよそ同程度のものとする必要があ
る。
した例を示す。2つの電極への注入電流を制御すること
で、発振の偏波モードを切り替えられる。そして、出力
を偏光子等の偏波選択素子を通すことで、振幅変調の光
が得られる。通常の直接振幅変調方式と比較して、小振
幅電流で変調が行える特長がある。さらに、レーザ内の
キャリア変動量が小さいので変調時の線幅広がりを抑圧
できる。そのために、発振波長近傍の光のTE、TMモ
ードの閾値利得をおおよそ同程度のものとする必要があ
る。
【0024】通常に知られる量子井戸半導体レーザにお
いては、共振器利得がTEモードについて大きく、TM
モードに対して小さくなるのであるが、本実施例におい
ては以下の構成によって、分布帰還形レーザ共振器中で
TMモードが受ける共振器利得をTEモードが受ける共
振器利得と同等とし、TMモードでの発振を容易にして
いる。1つは、ブラッグ波長をTEモードの利得ピーク
よりも短波長側のTMモードの利得ピーク付近に設定し
たことである。さらには、活性層に歪量子井戸を導入し
た点にある。
いては、共振器利得がTEモードについて大きく、TM
モードに対して小さくなるのであるが、本実施例におい
ては以下の構成によって、分布帰還形レーザ共振器中で
TMモードが受ける共振器利得をTEモードが受ける共
振器利得と同等とし、TMモードでの発振を容易にして
いる。1つは、ブラッグ波長をTEモードの利得ピーク
よりも短波長側のTMモードの利得ピーク付近に設定し
たことである。さらには、活性層に歪量子井戸を導入し
た点にある。
【0025】以上の構成において、複数電極への不均一
電流注入によって共振器の等価屈折率を不均一に変化さ
せて、TEモードとTMモードのうちのいずれか、閾値
利得の低くなる方の偏波モードで発振する。
電流注入によって共振器の等価屈折率を不均一に変化さ
せて、TEモードとTMモードのうちのいずれか、閾値
利得の低くなる方の偏波モードで発振する。
【0026】本実施例の構成及び動作を図4によって説
明する。n−InP基板401上に、0.15μm厚の
n−InGaAsP(λg=1.17μm)光ガイド層
402、活性層403を積層する。活性層403となる
歪量子井戸は、井戸層がi−In0.53Ga0.47As(厚
さ6nm)、バリア層がi−In0.28Ga0.72As(厚
さ10nm)の5重量子井戸からなっている。更に、
0.1μm厚のp−InGaAsP(λg=1.17μ
m)光ガイド層404を形成し、光ガイド層404上に
周期240nmのグレーティング405を形成する。こ
の上に、p−InPクラッド層406、p−InGaA
sコンタクト層407を積層している。
明する。n−InP基板401上に、0.15μm厚の
n−InGaAsP(λg=1.17μm)光ガイド層
402、活性層403を積層する。活性層403となる
歪量子井戸は、井戸層がi−In0.53Ga0.47As(厚
さ6nm)、バリア層がi−In0.28Ga0.72As(厚
さ10nm)の5重量子井戸からなっている。更に、
0.1μm厚のp−InGaAsP(λg=1.17μ
m)光ガイド層404を形成し、光ガイド層404上に
周期240nmのグレーティング405を形成する。こ
の上に、p−InPクラッド層406、p−InGaA
sコンタクト層407を積層している。
【0027】横方向は、導波路幅を3μmとするハイメ
サを形成し、両側を高抵抗InP層によって埋め込んで
いる。グレーティング405は、1/4波長シフト40
8が片側電極の中央部に形成されている。続いて、コン
タクト層407までを除去して電極分離領域を設け、上
部にp電極であるAu/Cr層409を形成し、基板側
には電極のAuGe/Au層410を形成し、これらを
合金化している。各p電極領城の長さは各々300μ
m、300μmである。この状態から、各p電極409
への電流注入量を制御することにより、TE←→TM間
での偏波モードスイッチングが実現された。
サを形成し、両側を高抵抗InP層によって埋め込んで
いる。グレーティング405は、1/4波長シフト40
8が片側電極の中央部に形成されている。続いて、コン
タクト層407までを除去して電極分離領域を設け、上
部にp電極であるAu/Cr層409を形成し、基板側
には電極のAuGe/Au層410を形成し、これらを
合金化している。各p電極領城の長さは各々300μ
m、300μmである。この状態から、各p電極409
への電流注入量を制御することにより、TE←→TM間
での偏波モードスイッチングが実現された。
【0028】つづいて、レーザ端面をInP基板311
までエッチング除去して、第1実施例と同様にポリイミ
ド導波路結合器を形成した。図5は本実施例による波長
多重光源を上面より見た図である。半導体レーザアレイ
51の各レーザ出射端面53はすべてブルースタ角であ
る24.5度にエッチングされている。ポリイミド導波
路結合器52の各導波路は出力導波路部54へ向かって
行き、出力導波路部54との結合は図5に示すように、
枝が幹につくように順次合流している。
までエッチング除去して、第1実施例と同様にポリイミ
ド導波路結合器を形成した。図5は本実施例による波長
多重光源を上面より見た図である。半導体レーザアレイ
51の各レーザ出射端面53はすべてブルースタ角であ
る24.5度にエッチングされている。ポリイミド導波
路結合器52の各導波路は出力導波路部54へ向かって
行き、出力導波路部54との結合は図5に示すように、
枝が幹につくように順次合流している。
【0029】半導体レーザアレイ51からの出射光のう
ち、TEモードで発振した光は、図5に示すように、ブ
ルースタ角に近い出射角で透過率が高くなリポリイミド
導波路結合器52ヘ移行し出力導波路部54から出射さ
れる。しかし、TMモードに切り替わった出射光は、端
面53での反射率が高く、光はあまリポリイミド導波路
結合器52に移行しない。この反射光は共振器軸に対し
て斜めに反射されるのでレーザへの悪影響は無い。移行
したTMモードの光も、出力端に設けられた偏光子55
により遮断され、偏波変調された光は振幅変調に変換さ
れる。
ち、TEモードで発振した光は、図5に示すように、ブ
ルースタ角に近い出射角で透過率が高くなリポリイミド
導波路結合器52ヘ移行し出力導波路部54から出射さ
れる。しかし、TMモードに切り替わった出射光は、端
面53での反射率が高く、光はあまリポリイミド導波路
結合器52に移行しない。この反射光は共振器軸に対し
て斜めに反射されるのでレーザへの悪影響は無い。移行
したTMモードの光も、出力端に設けられた偏光子55
により遮断され、偏波変調された光は振幅変調に変換さ
れる。
【0030】第3実施例 本発明による波長多重光源60を用いて光伝送を行なっ
た実施例を図6に沿って説明する。61は本発明によっ
て発振波長及び消光比が安定に制御され偏波変調されて
いる半導体レーザアレイである。この半導体レーザアレ
イ61では、波長間隔10GHz(約0.08nm)程
度で、2nmの範囲で波長を変えられる。また、偏波変
調では通常の直接強度変調方式で問題になるようなチャ
ーピングと呼ばれる動的波長変動が2GHz(約0.0
16nm)以下と非常に小さいため、波長多重する場合
に10GHz間隔で並べても隣のチャネルにクロストー
クを与えることはない。従って、この半導体レーザアレ
イを用いた場合、2/0.016すなわち100チャネ
ル以上の波長多重が可能である。この半導体レーザアレ
イ61の出射光はチャネル導波形合流器62を通して光
ファイバ63へ励起される。
た実施例を図6に沿って説明する。61は本発明によっ
て発振波長及び消光比が安定に制御され偏波変調されて
いる半導体レーザアレイである。この半導体レーザアレ
イ61では、波長間隔10GHz(約0.08nm)程
度で、2nmの範囲で波長を変えられる。また、偏波変
調では通常の直接強度変調方式で問題になるようなチャ
ーピングと呼ばれる動的波長変動が2GHz(約0.0
16nm)以下と非常に小さいため、波長多重する場合
に10GHz間隔で並べても隣のチャネルにクロストー
クを与えることはない。従って、この半導体レーザアレ
イを用いた場合、2/0.016すなわち100チャネ
ル以上の波長多重が可能である。この半導体レーザアレ
イ61の出射光はチャネル導波形合流器62を通して光
ファイバ63へ励起される。
【0031】この波長多重光源60と波長分波受信部6
4とから構成される光通信システムを説明する。波長多
重光源60から出射された光はファイバスターカップラ
69を通して、ネットワーク上に伝送される。光ファイ
バ63を伝送してきた光信号は、波長分波受信部64に
おいて、光フィルタ65により所望の波長チャネルの光
が選択分波され、光検出器66により信号検波される。
ここでは、光フィルタ65として分布帰還形レーザと同
じ構造のものを、閾値以下に電流をバイアスして使用し
ている。光フィルタ65の2電極の電流比率を変えるこ
とで、透過利得を20dBと一定にして透過波長を2n
m変えることができる。また、このフィルタ65の10
dBダウンの透過幅は0.03nmであり、0.08n
mの間隔で波長多重するのに十分な特性を持っている。
光フィルタとして同様の波長透過幅を持つもの、例え
ば、マッハツェンダ型、ファブリペロ型の波長フィルタ
あるいはグレーティングによる分波器などを用いてもよ
い。
4とから構成される光通信システムを説明する。波長多
重光源60から出射された光はファイバスターカップラ
69を通して、ネットワーク上に伝送される。光ファイ
バ63を伝送してきた光信号は、波長分波受信部64に
おいて、光フィルタ65により所望の波長チャネルの光
が選択分波され、光検出器66により信号検波される。
ここでは、光フィルタ65として分布帰還形レーザと同
じ構造のものを、閾値以下に電流をバイアスして使用し
ている。光フィルタ65の2電極の電流比率を変えるこ
とで、透過利得を20dBと一定にして透過波長を2n
m変えることができる。また、このフィルタ65の10
dBダウンの透過幅は0.03nmであり、0.08n
mの間隔で波長多重するのに十分な特性を持っている。
光フィルタとして同様の波長透過幅を持つもの、例え
ば、マッハツェンダ型、ファブリペロ型の波長フィルタ
あるいはグレーティングによる分波器などを用いてもよ
い。
【0032】光通信システムのネットワークとして、図
6に示すのはスター型であり、光ノードをネットワーク
に接続することにより、多数の端末およびセンタを設置
することができる。ネットワークの形態としては、リン
グ型、バス型あるいは、複数の形態を複合したものでも
良い。
6に示すのはスター型であり、光ノードをネットワーク
に接続することにより、多数の端末およびセンタを設置
することができる。ネットワークの形態としては、リン
グ型、バス型あるいは、複数の形態を複合したものでも
良い。
【0033】第4実施例 分布反射形半導体レーザをレーザアレイとした例を図7
によって説明する。半導体レーザアレイの層構成は、n
−InP基板701上に、0.2μm厚のn−In0.79
Ga0.21As0.45P0.55下部光ガイド層702、活性層
となる0.05μm厚のi−In0.59Ga0.41As0.87
P0.13703を成長後、活性層703を一部削除して、
0.2μm厚のp−In0.79Ga0.21As0.45P0.55上
部光ガイド層704を形成する。そして、活性層を取り
除いた領域の上部光ガイド層704に周期237nmの
分布反射グレーティング705を形成する。更に、その
上に、p−InPクラッド層706、p−In0.59Ga
0.41As0.9P0.1コンタクト層707を積層している。
によって説明する。半導体レーザアレイの層構成は、n
−InP基板701上に、0.2μm厚のn−In0.79
Ga0.21As0.45P0.55下部光ガイド層702、活性層
となる0.05μm厚のi−In0.59Ga0.41As0.87
P0.13703を成長後、活性層703を一部削除して、
0.2μm厚のp−In0.79Ga0.21As0.45P0.55上
部光ガイド層704を形成する。そして、活性層を取り
除いた領域の上部光ガイド層704に周期237nmの
分布反射グレーティング705を形成する。更に、その
上に、p−InPクラッド層706、p−In0.59Ga
0.41As0.9P0.1コンタクト層707を積層している。
【0034】横方向は、活性層703での幅を3μmと
するリッジを形成し、SiNx層によって埋め込んでい
る。電極708、709の形成については、第1の実施
例と同様である。以上のようにして、分布反射形レーザ
からなる半導体レーザアレイ71を作製した。
するリッジを形成し、SiNx層によって埋め込んでい
る。電極708、709の形成については、第1の実施
例と同様である。以上のようにして、分布反射形レーザ
からなる半導体レーザアレイ71を作製した。
【0035】つづいて、チャネル導波形合流器72側の
出射端面を斜めにエッチング除去して、コア厚3μmの
ポリイミド導波路311、312、313からなる熊手
形合流器72を形成した。
出射端面を斜めにエッチング除去して、コア厚3μmの
ポリイミド導波路311、312、313からなる熊手
形合流器72を形成した。
【0036】本実施例では、分布反射形レーザを適用し
たため、波長可変範囲はおよそ4nmとなり、分布帰還
形に比較して2倍の拡張が図れた。また、チャネル導波
形合流器72には偏波依存性がないため、レーザアレイ
71からの出射光を、出力導波路に外付けした偏光板で
偏波弁別して、振幅変調された信号光が得られる。
たため、波長可変範囲はおよそ4nmとなり、分布帰還
形に比較して2倍の拡張が図れた。また、チャネル導波
形合流器72には偏波依存性がないため、レーザアレイ
71からの出射光を、出力導波路に外付けした偏光板で
偏波弁別して、振幅変調された信号光が得られる。
【0037】第5実施例 半導体レーザアレイの各発振波長を互いに異ならせた波
長多重光源の例を図8に示す。分布帰還形レーザ801
〜808においては、発振波長はほぼグレーティング周
期に比例するので、周期240nm付近で0.3nmづ
つ変えることで、各分布帰還形レーザの中心波長を2n
mづつ変えた。波長分割多重の波長間隔を広く設定して
いるため、送信側を固定波長として利用するシステムに
好適である。波長間隔が2nm程度と比較的広いので、
第3実施例で示した光フィルタ以外に、グレーティング
や干渉多層膜で構成した分波器で光受信部を構成するこ
ともできる。
長多重光源の例を図8に示す。分布帰還形レーザ801
〜808においては、発振波長はほぼグレーティング周
期に比例するので、周期240nm付近で0.3nmづ
つ変えることで、各分布帰還形レーザの中心波長を2n
mづつ変えた。波長分割多重の波長間隔を広く設定して
いるため、送信側を固定波長として利用するシステムに
好適である。波長間隔が2nm程度と比較的広いので、
第3実施例で示した光フィルタ以外に、グレーティング
や干渉多層膜で構成した分波器で光受信部を構成するこ
ともできる。
【0038】以上に述べた複数の実施例において、いず
れもリッジ形成と高抵抗層による埋込みを例として説明
したが、pn接合の逆方向バイアスを利用する電流狭搾
と光閉じ込めであったりしても良い。また、導波路の面
内の光閉じ込め構造についても埋め込みヘテロ構造に限
定したものではなく、横方向に光閉じこめをする構造で
あれば良い。
れもリッジ形成と高抵抗層による埋込みを例として説明
したが、pn接合の逆方向バイアスを利用する電流狭搾
と光閉じ込めであったりしても良い。また、導波路の面
内の光閉じ込め構造についても埋め込みヘテロ構造に限
定したものではなく、横方向に光閉じこめをする構造で
あれば良い。
【0039】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の各構成(請
求項1乃至10に対応)により以下のような効果が奏さ
れる。
求項1乃至10に対応)により以下のような効果が奏さ
れる。
【0040】1)−5)によれば、波長多重光源におい
て、少なくとも1つのレーザの出射端面が、光送信器基
板に垂直な面内で半導体レーザの光軸に対して傾いてい
ることで、チャネル導波形合流器への光結合が円滑に行
なわれ、小型で集光設計の自由度(出射端面の角度の持
たせ方でレーザの並び方等を自由に設計できる)が大き
く高出力な波長分割多重伝送用等の波長多重光源を提供
できる。また、出射端面が傾いているため、反射戻り光
も抑圧できる。6)によれば、上記1)−5)における
半導体レーザアレイを、分布帰還形もしくは分布反射形
レーザから構成することで、動的に安定な発振を可能と
する効果がある。7)によれば、半導体レーザアレイ
を、発振光の偏波モードがTEモードとTMモードの間
で切り替わるレーザとすることで、上記1)−6)記載
の波長多重光源の変調時の線幅増大が抑えられる効果が
ある。8)によれば、半導体レーザアレイの発振波長が
独立に可変制御されることで、自由な波長チャネルの送
信が可能な上記1)−7)記載の波長多重光源を提供で
きる。9)によれば、半導体レーザアレイを構成する半
導体レーザが互いに発振波長が異なることで、広帯域な
波長分割多重通信が可能な上記1)−7)記載の波長多
重光源を提供できる。
て、少なくとも1つのレーザの出射端面が、光送信器基
板に垂直な面内で半導体レーザの光軸に対して傾いてい
ることで、チャネル導波形合流器への光結合が円滑に行
なわれ、小型で集光設計の自由度(出射端面の角度の持
たせ方でレーザの並び方等を自由に設計できる)が大き
く高出力な波長分割多重伝送用等の波長多重光源を提供
できる。また、出射端面が傾いているため、反射戻り光
も抑圧できる。6)によれば、上記1)−5)における
半導体レーザアレイを、分布帰還形もしくは分布反射形
レーザから構成することで、動的に安定な発振を可能と
する効果がある。7)によれば、半導体レーザアレイ
を、発振光の偏波モードがTEモードとTMモードの間
で切り替わるレーザとすることで、上記1)−6)記載
の波長多重光源の変調時の線幅増大が抑えられる効果が
ある。8)によれば、半導体レーザアレイの発振波長が
独立に可変制御されることで、自由な波長チャネルの送
信が可能な上記1)−7)記載の波長多重光源を提供で
きる。9)によれば、半導体レーザアレイを構成する半
導体レーザが互いに発振波長が異なることで、広帯域な
波長分割多重通信が可能な上記1)−7)記載の波長多
重光源を提供できる。
【0041】また、10)によれば、偏波変調による光
伝送等を利用した波長分割多重のローカルエリアネット
ワーク等を構築するための光−電気変換装置を提供でき
る。11)によれば、偏波変調による光伝送を利用した
波長分割多重のローカルエリアネットワーク等の伝送シ
ステムを構築できる。
伝送等を利用した波長分割多重のローカルエリアネット
ワーク等を構築するための光−電気変換装置を提供でき
る。11)によれば、偏波変調による光伝送を利用した
波長分割多重のローカルエリアネットワーク等の伝送シ
ステムを構築できる。
【図1】図1は本発明による第1実施例の波長多重伝送
用等の光源を示す平面図である。
用等の光源を示す平面図である。
【図2】図2は本発明の波長多重光源の動作原理を説明
する図である。
する図である。
【図3】図3は本発明の第1実施例の導波方向の断面図
である。
である。
【図4】図4は本発明の第2実施例の導波方向の断面図
である。
である。
【図5】図5は本発明の第2実施例の平面図である。
【図6】図6は本発明による波長多重光源を用いた光通
信方式を説明するブロック図である。
信方式を説明するブロック図である。
【図7】図7は本発明の第4実施例の導波方向の断面図
である。
である。
【図8】図8は本発明の第5実施例の平面図である。
11、51、61、71:半導体レーザアレイ 12、52、62、72:チャネル導波形合流器 13、54:出力導波路部 14:レーザアレー中央部 15:レーザアレー周辺部 16:合流部 21、101〜108、801〜808:半導体レーザ 22、53:レーザ出射端面 23:合流器導波路 55:偏光子 60:波長多重光源 63:光ファイバ 64:波長分波受信器 65:光フィルタ 66:光検出器 69:ファイバスターカップラ 301、401、701:基板 302、405、705:レーザ用グレーティング 303:バッファ層 304、306、402、404、702、704:光
ガイド層 305、403、703:活性層 307、406、706:クラッド層 308、407、707:コンタクト層 309、310、409、410、708、709:電
極 311、313:導波路クラッド 312:導波路コア 408、313:λ/4シフト部
ガイド層 305、403、703:活性層 307、406、706:クラッド層 308、407、707:コンタクト層 309、310、409、410、708、709:電
極 311、313:導波路クラッド 312:導波路コア 408、313:λ/4シフト部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成8年8月28日
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【図5】
【図2】
【図3】
【図4】
【図6】
【図7】
【図8】
Claims (11)
- 【請求項1】半導体レーザアレイ及びチャネル導波形合
流器から構成される波長多重光源において、該半導体レ
ーザアレイの各レーザの出射端面が、該波長多重光源の
基板に垂直な面内で形成されていて、且つ、少なくとも
1つの半導体レーザについてその共振器軸に対して傾い
ていることで、該半導体レーザアレイの各レーザからの
光が所定の角度で出射し、半導体レーザアレイと異なる
材料から形成される該チャネル導波形合流器にて合流、
出射されることを特徴とする波長多重光源。 - 【請求項2】該半導体レーザアレイを構成する半導体レ
ーザの出射端面は、アレイ中央部からアレイ周辺部に向
かって徐々に傾き角が大きくなることを特徴とする請求
項1記載の波長多重光源。 - 【請求項3】該半導体レーザアレイを構成する半導体レ
ーザの出射端面は、TEモードの導波光に対してブルー
スタ角となる様に設定されていることを特徴とする請求
項1記載の波長多重光源。 - 【請求項4】該チャネル導波形合流器は、各レーザから
伸びる直線状分枝導波路と該分枝導波路が集まる合流部
とを有する熊手形結合器から構成されることを特徴とす
る請求項1、2または3記載の波長多重光源。 - 【請求項5】該チャネル導波形合流器は、直線状幹部導
波路と該幹部導波路に各箇所で合流する直線状分枝導波
路とを有する枝分れ形結合器から構成されることを特徴
とする請求項1、2または3記載の波長多重光源。 - 【請求項6】該半導体レーザアレイは、分布帰還形もし
くは分布反射形レーザを並列に配置した構成からなるこ
とを特徴とする請求項1乃至5の何れかに記載の波長多
重光源。 - 【請求項7】該半導体レーザアレイの各レーザは、発振
光の偏波モードがTEモードとTMモードの間で切り替
わることを特徴とする請求項1乃至6の何れかに記載の
波長多重光源。 - 【請求項8】該半導体レーザアレイを構成する半導体レ
ーザは独立に発振波長が可変制御されることを特徴とす
る請求項1乃至7の何れかに記載の波長多重光源。 - 【請求項9】該半導体レーザアレイを構成する半導体レ
ーザは互いに発振波長が異なることを特徴とする請求項
1乃至7の何れかに記載の波長多重光源。 - 【請求項10】請求項1乃至9の何れかに記載の波長多
重光源を送信装置として、波長可変の光フィルタと受光
素子を受信装置として、これらを1つにまとめたことを
特徴とする光−電気変換装置。 - 【請求項11】請求項10記載の光−電気変換装置を用
い、波長多重光源の半導体レーザアレイの各レーザの偏
波変調を行ない偏波変調光を強度変調光に変換して伝送
し、受信装置によって所望の波長の光受信を行なうこと
を特徴とする波長分割多重光伝送システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17304496A JPH09331102A (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | レーザ出射端面が傾いている波長多重光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17304496A JPH09331102A (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | レーザ出射端面が傾いている波長多重光源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09331102A true JPH09331102A (ja) | 1997-12-22 |
Family
ID=15953174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17304496A Pending JPH09331102A (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | レーザ出射端面が傾いている波長多重光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09331102A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000019362A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-21 | Nec Corp | アレイ型半導体レーザ用光結合装置及び該アレイ型半導体レーザを用いた固体レーザ装置 |
| JP2000261087A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Hitachi Cable Ltd | 3次元光受動導波路回路付きアクティブデバイス |
| WO2004088802A1 (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-14 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | 光半導体素子および光半導体集積回路 |
| JP2007515792A (ja) * | 2003-12-19 | 2007-06-14 | ノベラ・オプティクス・インコーポレーテッド | 受動的光ネットワーク用のレーザ光源と検出器の一体化 |
| CN100377455C (zh) * | 2003-03-31 | 2008-03-26 | 日本电信电话株式会社 | 光半导体元件和光半导体集成电路 |
-
1996
- 1996-06-12 JP JP17304496A patent/JPH09331102A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7471864B2 (en) | 2003-03-31 | 2008-12-30 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical semiconductor device and optical semiconductor integrated circuit |
| US7474817B2 (en) | 2003-03-31 | 2009-01-06 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation. | Optical semiconductor device and optical semiconductor integrated circuit |
| US7738520B2 (en) | 2003-03-31 | 2010-06-15 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical semiconductor device and optical semiconductor integrated circuit |
| JP2007515792A (ja) * | 2003-12-19 | 2007-06-14 | ノベラ・オプティクス・インコーポレーテッド | 受動的光ネットワーク用のレーザ光源と検出器の一体化 |
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