JPH0933371A - Semiconductor pressure gauge - Google Patents
Semiconductor pressure gaugeInfo
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- JPH0933371A JPH0933371A JP18901395A JP18901395A JPH0933371A JP H0933371 A JPH0933371 A JP H0933371A JP 18901395 A JP18901395 A JP 18901395A JP 18901395 A JP18901395 A JP 18901395A JP H0933371 A JPH0933371 A JP H0933371A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 直線性特性、耐ノイズ特性が向上され、安価
な半導体圧力計を実現する。
【構成】支持基板と、該支持基板に一端が固定され自由
端側に測定圧が印加される片持ち梁状のセンサチップ
と、該センサチップの自由端側に設けられ該センサチッ
プに起歪部たるダイアフラムを構成する内部空所と、前
記センサチップの起歪部に設けられた半導体圧力検出素
子とを具備する半導体圧力計である。
(57) [Summary] [Purpose] To realize an inexpensive semiconductor pressure gauge with improved linearity characteristics and noise resistance characteristics. [Structure] A support substrate, a cantilever-shaped sensor chip whose one end is fixed to the support substrate and a measurement pressure is applied to the free end side, and a strain is generated in the sensor chip provided on the free end side. A semiconductor pressure gauge comprising an internal space forming a diaphragm, which is a part, and a semiconductor pressure detecting element provided in a strain generating portion of the sensor chip.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、センサチップの固定に
基づく固定歪の影響を排除して直線性特性が向上され、
外乱ノイズの影響を受け難くして耐ノイズ特性が向上さ
れ、且つ、安価な半導体圧力計に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention eliminates the influence of fixed strain due to fixing of a sensor chip to improve linearity characteristics,
The present invention relates to an inexpensive semiconductor pressure gauge that is less susceptible to the influence of disturbance noise and has improved noise resistance.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１３は従来より一般に使用されている
従来例の構成説明図で、例えば、実開昭６３ー６３７３
７号公報に示されている。図において、１はセンサチッ
プである。この場合は、シリコンが使用されている。２
はセンサチップ１に設けられセンサチップ１に起歪部た
るダイアフラム３を構成する凹部である。2. Description of the Related Art FIG. 13 is an explanatory view of the configuration of a conventional example which is generally used in the past.
No. 7 publication. In the figure, 1 is a sensor chip. In this case, silicon is used. Two
Is a concave portion which is provided in the sensor chip 1 and constitutes the diaphragm 3 which is a strain generating portion in the sensor chip 1.
【０００３】４は、センサチップ１の起歪部３に設けら
れた半導体圧力検出素子である。５はセンサチップの一
面に一面が接続され前記凹部と圧力導入室６を構成する
パイレックスガラスよりなるガラス支持基板である。こ
の場合は、センサチップ１とは陽極接合等により接合さ
れている。７はガラス支持基板に設けられ圧力導入室６
に連通する連通孔である。８は圧力容器である。ガラス
支持基板５の他面が接合されている。Reference numeral 4 is a semiconductor pressure detecting element provided in the strain-flexing portion 3 of the sensor chip 1. Reference numeral 5 is a glass supporting substrate made of Pyrex glass, which is connected to one surface of the sensor chip and constitutes the recess and the pressure introducing chamber 6. In this case, the sensor chip 1 is bonded by anodic bonding or the like. 7 is a pressure supporting chamber 6 provided on the glass supporting substrate.
Is a communication hole that communicates with. Reference numeral 8 is a pressure vessel. The other surface of the glass support substrate 5 is joined.
【０００４】以上の構成において、圧力導入室６に低圧
側圧力ＰLが導入され、ダイアフラム３の外側から高圧
側圧力ＰHが加わると、ダイアフラム３は、高圧側圧力
ＰH―低圧側圧力ＰLの差圧により変位する。この変位を
半導体圧力検出素子により電気的に検出すれば、差圧に
対応した電気信号出力が得られる。In the above structure, when the low pressure side pressure P L is introduced into the pressure introducing chamber 6 and the high pressure side pressure P H is applied from the outside of the diaphragm 3, the diaphragm 3 is high pressure side pressure P H minus the low pressure side pressure P H. It is displaced by the differential pressure of L. When this displacement is electrically detected by the semiconductor pressure detecting element, an electric signal output corresponding to the differential pressure can be obtained.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な装置においては、センサチップ１は、ガラス支持基板
５に接合されているので、接合による歪がどうしてもセ
ンサチップ１に及ぶ。この結果、直線性等の特性に悪影
響を及ぼす。However, in such a device, since the sensor chip 1 is bonded to the glass support substrate 5, the distortion due to the bonding inevitably affects the sensor chip 1. As a result, characteristics such as linearity are adversely affected.
【０００６】また、センサチップ１は、ガラス支持基板
５に全面的に接合されているので、機械的外乱の影響を
受けやすい。機械的外乱の影響を防止するために、支持
基板に溝を設け、機械的外乱に対する絞り手段を設ける
等の種々の対策が取られているが、構造が複雑となり高
価となる。Further, since the sensor chip 1 is entirely bonded to the glass supporting substrate 5, it is easily affected by mechanical disturbance. In order to prevent the influence of mechanical disturbance, various measures have been taken such as providing a groove in the support substrate and providing a diaphragm means for mechanical disturbance, but the structure is complicated and the cost is high.
【０００７】本発明は、この問題点を解決するものであ
る。本発明の目的は、センサチップの固定に基づく固定
歪の影響を排除して直線性特性が向上され、外乱ノイズ
の影響を受け難くして耐ノイズ特性が向上され、且つ、
安価な半導体圧力計を提供するにある。The present invention solves this problem. The object of the present invention is to improve the linearity characteristics by eliminating the influence of fixed distortion based on the fixing of the sensor chip, to be less susceptible to the influence of disturbance noise, the noise resistance characteristics are improved, and
It is to provide an inexpensive semiconductor pressure gauge.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、 （１）支持基板と、該支持基板に一端が固定され自由端
側に測定圧が印加される片持ち梁状のセンサチップと、
該センサチップの自由端側に設けられ該センサチップに
起歪部たるダイアフラムを構成する内部空所と、前記セ
ンサチップの起歪部に設けられた半導体圧力検出素子と
を具備する半導体圧力計。 （２）前記内部空所が真空に保たれたことを特徴とする
請求項１記載の半導体圧力計。 （３）一端が前記内部空所に連通し途中が前記支持基板
と前記センサチップとを通り他端から所定の基準圧が導
入される連通孔を具備したことを特徴とする半導体圧力
計。 を構成したものである。In order to achieve this object, the present invention provides: (1) a supporting substrate and a cantilever shape in which one end is fixed to the supporting substrate and a measurement pressure is applied to the free end side. Sensor chip of
A semiconductor pressure gauge, comprising: an internal space provided on the free end side of the sensor chip to form a diaphragm that is a strain-generating portion of the sensor chip; and a semiconductor pressure detecting element provided at the strain-generating portion of the sensor chip. (2) The semiconductor pressure gauge according to claim 1, wherein the internal space is kept in a vacuum. (3) A semiconductor pressure gauge having a communication hole, one end of which communicates with the internal space, the communication hole passing midway through the support substrate and the sensor chip and a predetermined reference pressure being introduced from the other end. Is configured.
【０００９】[0009]
【作用】以上の構成において、センサチップに測定圧が
加わると、ダイアフラムが変位する。この変位を半導体
圧力検出素子により電気的に検出すれば、測定圧に対応
した電気信号出力が得られる。In the above structure, when the measuring pressure is applied to the sensor chip, the diaphragm is displaced. If this displacement is electrically detected by the semiconductor pressure detecting element, an electric signal output corresponding to the measured pressure can be obtained.
【００１０】而して、センサチップは片持ち梁状に構成
されているので、センサチップの固定端の支持基板に対
する接合による歪の影響が、センサチップの自由端に設
けられた半導体圧力検出素子に及ぶ恐れが少ない。Since the sensor chip is formed in a cantilever shape, the influence of strain due to the bonding of the fixed end of the sensor chip to the support substrate is affected by the semiconductor pressure detecting element provided at the free end of the sensor chip. There is little fear of reaching.
【００１１】また、機械的外乱の影響も、センサチップ
の自由端に設けられた半導体圧力検出素子に及ぶ恐れが
少ない。以下、実施例に基づき詳細に説明する。Further, the influence of mechanical disturbance is less likely to affect the semiconductor pressure detecting element provided at the free end of the sensor chip. Hereinafter, detailed description will be given based on examples.
【００１２】[0012]
【実施例】図１は本発明の一実施例の要部構成説明図で
ある。図２は図１の平面図である。図において、図１３
と同一記号の構成は同一機能を表わす。以下、図１３と
相違部分のみ説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is an explanatory view of the essential structure of an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of FIG. In the figure, FIG.
The configurations of the same symbols as and represent the same functions. Only parts different from FIG. 13 will be described below.
【００１３】１１は、支持基板である。支持基板１１は
プリント基板、ＭＣＭ基板、セラミックス、プラスチッ
ク等が使用される。１２はセンサチップである。この場
合は、シリコン材からなり長方形をなしている。センサ
チップ１２は、固定端部１３を介して支持基板１１に片
持ち支持される。固定の方法としては、この場合は、接
着剤が使用されている。Reference numeral 11 is a support substrate. As the support substrate 11, a printed circuit board, an MCM board, ceramics, plastic, or the like is used. 12 is a sensor chip. In this case, it is made of silicon material and has a rectangular shape. The sensor chip 12 is cantilevered on the support substrate 11 via the fixed end 13. As a fixing method, an adhesive is used in this case.
【００１４】センサチップ１２の自由端１４側がフリー
になるように、支持基板１１の自由端１４側はｄだけ薄
くなっている。１５は、センサチップ１２の自由端側１
４の受圧面側に設けられ、センサチップ１２に起歪部た
るダイアフラム１６を構成する内部空所である。内部空
所１５は、この場合は、真空に保たれている。The free end 14 side of the support substrate 11 is thinned by d so that the free end 14 side of the sensor chip 12 is free. 15 is the free end side 1 of the sensor chip 12.
4 is an internal space that is provided on the pressure receiving surface side of 4 and forms a diaphragm 16 that is a strain generating portion in the sensor chip 12. The internal cavity 15 is in this case kept under vacuum.
【００１５】１７は、センサチップの起歪部１６に設け
られた半導体圧力検出素子である。この場合は、ピエゾ
抵抗素子が使用されている。１８は、支持基板１１に設
けられたアンプチップである。１９は、センサチップ１
２のパッドと支持基板１１のパッドとを電気的に接続す
るワイヤボンディングである。Reference numeral 17 is a semiconductor pressure detecting element provided in the strain-flexing portion 16 of the sensor chip. In this case, a piezoresistive element is used. Reference numeral 18 is an amplifier chip provided on the support substrate 11. 19 is the sensor chip 1
This is wire bonding for electrically connecting the second pad and the pad of the support substrate 11.
【００１６】以上の構成において、センサチップ１２に
測定圧Ｐｍが加わると、ダイアフラム１６が変位する。
この変位を半導体圧力検出素子１７により電気的に検出
すれば、測定圧Ｐｍに対応した電気信号出力が得られ
る。In the above structure, when the measuring pressure Pm is applied to the sensor chip 12, the diaphragm 16 is displaced.
When this displacement is electrically detected by the semiconductor pressure detecting element 17, an electric signal output corresponding to the measured pressure Pm can be obtained.
【００１７】而して、センサチップ１２は片持ち梁状に
構成されているので、センサチップの固定端１３の支持
基板１１に対する接合による歪の影響が、センサチップ
の自由端１４に設けられた半導体圧力検出素子１７に及
ぶ恐れが少ない。また、同様に、機械的外乱の影響も、
センサチップの自由端１４に設けられた半導体圧力検出
素子１７に及ぶ恐れが少ない。Since the sensor chip 12 is formed in a cantilever shape, the influence of strain due to the joining of the fixed end 13 of the sensor chip to the support substrate 11 is provided at the free end 14 of the sensor chip. There is little risk of reaching the semiconductor pressure detecting element 17. Similarly, the effects of mechanical disturbances
There is little risk of reaching the semiconductor pressure detecting element 17 provided at the free end 14 of the sensor chip.
【００１８】また、センサチップの自由端１４側は、測
定圧Ｐｍに囲まれているので、バランスしており、セン
サチップの自由端１４側が、測定圧Ｐｍにより変形する
恐れはない。Further, since the free end 14 side of the sensor chip is surrounded by the measurement pressure Pm, it is balanced, and there is no fear that the free end 14 side of the sensor chip is deformed by the measurement pressure Pm.
【００１９】この結果、センサチップの固定に基づく固
定歪の影響を排除して直線性特性が向上され、外乱ノイ
ズの影響を受け難くして耐ノイズ特性が向上され、且
つ、安価な半導体圧力計が得られる。As a result, the linear distortion characteristic is improved by eliminating the influence of the fixed strain due to the fixing of the sensor chip, the noise resistance characteristic is improved by being less affected by the disturbance noise, and the semiconductor pressure gauge is inexpensive. Is obtained.
【００２０】図３は、本発明装置の使用例を示したもの
である。図において、Ａは本発明装置である半導体圧力
計である。Ｂはチャンバである。チャンバＢ内の圧力Ｐ
が、本発明に係わる半導体圧力計Ａにより測定される。
なお、圧力チャンバＢには、外部振動Ｃが加わってい
る。この外部振動Ｃが、本発明に係わる半導体圧力計Ａ
には、外部ノイズとなる。FIG. 3 shows an example of use of the device of the present invention. In the figure, A is a semiconductor pressure gauge which is the device of the present invention. B is a chamber. Pressure P in chamber B
Is measured by the semiconductor pressure gauge A according to the present invention.
External vibration C is applied to the pressure chamber B. This external vibration C is the semiconductor pressure gauge A according to the present invention.
Becomes external noise.
【００２１】図４は本発明の他の実施例の要部構成説明
図である。図５は図４の要部平面図である。本実施例に
おいては、センサチップ１２は、その一端が厚みｄを有
する固定板３１が取付られた支持基板１１に固定されて
いる。３２は、一端が内部空所１５に連通し、途中がセ
ンサチップ１２，固定板３１と支持基板１１とを通り、
他端から所定の基準圧ＰSが導入される連通孔である。
３３はリードピンで、ワイヤボンディング１９を介し
て、半導体圧力検出素子１７に接続されている。FIG. 4 is an explanatory view of the essential structure of another embodiment of the present invention. FIG. 5 is a plan view of an essential part of FIG. In this embodiment, the sensor chip 12 has one end fixed to the support substrate 11 to which a fixing plate 31 having a thickness d is attached. 32, one end communicates with the internal space 15, and the middle passes through the sensor chip 12, the fixing plate 31, and the support substrate 11,
It is a communication hole into which a predetermined reference pressure P S is introduced from the other end.
Reference numeral 33 is a lead pin, which is connected to the semiconductor pressure detecting element 17 via the wire bonding 19.
【００２２】この場合は、基準圧ＰSは大気圧が使用さ
れている。３４は、カバーケースである。In this case, the atmospheric pressure is used as the reference pressure P S. 34 is a cover case.
【００２３】図６は本発明の他の実施例の要部構成説明
図である。図７は図６の平面図である。本実施例におい
て、FIG. 6 is an explanatory view of the essential structure of another embodiment of the present invention. FIG. 7 is a plan view of FIG. In this embodiment,
【００２４】４１は、支持基板４２に設けられた凹部４
３に固定端４４が固定されたセンサチップである。４５
は、センサチップ４１の自由端４６に設けられた内部空
所である。自由端４６の端面が測定ダイアフラム４７を
形成するように構成されている。Reference numeral 41 denotes a concave portion 4 provided on the support substrate 42.
3 is a sensor chip having a fixed end 44 fixed to the sensor chip 3. 45
Is an internal space provided at the free end 46 of the sensor chip 41. The end face of the free end 46 is configured to form the measurement diaphragm 47.
【００２５】図８は本発明の他の実施例の要部構成説明
図である。本実施例においては、センサチップ５１の自
由端５２を確保するために、固定端５３と支持基板５４
とを接着剤５５で接合し、接着剤５５の厚さをｄとした
ものである。FIG. 8 is an explanatory view of the essential structure of another embodiment of the present invention. In this embodiment, in order to secure the free end 52 of the sensor chip 51, the fixed end 53 and the support substrate 54 are provided.
And are joined with an adhesive 55, and the thickness of the adhesive 55 is d.
【００２６】図９は本発明の他の実施例の要部構成説明
図である。本実施例においては、外乱ノイズの影響を、
更に軽減するために、センサチップ６１の中央部付近
に、板厚さ方向に溝６２を設けたものである。溝６２に
より外乱ノイズが絞ることが出来るからである。FIG. 9 is an explanatory view of the essential structure of another embodiment of the present invention. In this embodiment, the influence of disturbance noise is
For further reduction, a groove 62 is provided near the center of the sensor chip 61 in the plate thickness direction. This is because the disturbance noise can be narrowed down by the groove 62.
【００２７】図１０は本発明の他の実施例の要部構成説
明図である。図１１は図１０側面図である。本実施例に
おいては、外乱ノイズの影響を、更に軽減するために、
センサチップ７１の中央部付近に、板幅に直交する方向
に溝７２を設けたものである。溝７２により外乱ノイズ
が更に絞ることが出来るからである。FIG. 10 is an explanatory view of the essential structure of another embodiment of the present invention. FIG. 11 is a side view of FIG. In this embodiment, in order to further reduce the influence of disturbance noise,
A groove 72 is provided near the central portion of the sensor chip 71 in a direction orthogonal to the plate width. This is because the disturbance noise can be further narrowed down by the groove 72.
【００２８】図１２は本発明の他の実施例の要部構成説
明図である。本実施例においては、センサチップ８１
に、信号処理回路用のＩＣ８２を設けたものである。FIG. 12 is an explanatory view of the essential structure of another embodiment of the present invention. In this embodiment, the sensor chip 81
In addition, an IC 82 for the signal processing circuit is provided.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、 （１）支持基板と、該支持基板に一端が固定され自由端
側に測定圧が印加される片持ち梁状のセンサチップと、
該センサチップの自由端側に設けられ該センサチップに
起歪部たるダイアフラムを構成する内部空所と、前記セ
ンサチップの起歪部に設けられた半導体圧力検出素子と
を具備する半導体圧力計。 （２）前記内部空所が真空に保たれたことを特徴とする
請求項１記載の半導体圧力計。 （３）一端が前記内部空所に連通し途中が前記支持基板
と前記センサチップとを通り他端から所定の基準圧が導
入される連通孔を具備したことを特徴とする半導体圧力
計。 を構成した。As described above, according to the present invention, (1) a supporting substrate, and a cantilever-shaped sensor chip having one end fixed to the supporting substrate and a measurement pressure applied to the free end side,
A semiconductor pressure gauge, comprising: an internal space provided on the free end side of the sensor chip to form a diaphragm that is a strain-generating portion of the sensor chip; and a semiconductor pressure detecting element provided at the strain-generating portion of the sensor chip. (2) The semiconductor pressure gauge according to claim 1, wherein the internal space is kept in a vacuum. (3) A semiconductor pressure gauge having a communication hole, one end of which communicates with the internal space, the communication hole passing midway through the support substrate and the sensor chip and a predetermined reference pressure being introduced from the other end. Was configured.
【００３０】而して、センサチップは片持ち梁状に構成
されているので、センサチップの固定端の支持基板に対
する接合による歪の影響が、センサチップの自由端に設
けられた半導体圧力検出素子に及ぶ恐れが少ない。Since the sensor chip is formed in a cantilever shape, the influence of strain due to the joining of the fixed end of the sensor chip to the support substrate is affected by the semiconductor pressure detecting element provided at the free end of the sensor chip. There is little fear of reaching.
【００３１】また、同様に、機械的外乱の影響も、セン
サチップの自由端に設けられた半導体圧力検出素子に及
ぶ恐れが少ない。また、センサチップの自由端側は、測
定圧に囲まれているので、バランスしており、センサチ
ップの自由端側が、測定圧により変形する恐れはない。Similarly, the influence of mechanical disturbance is unlikely to reach the semiconductor pressure detecting element provided at the free end of the sensor chip. Further, since the free end side of the sensor chip is surrounded by the measurement pressure, it is balanced, and there is no fear that the free end side of the sensor chip is deformed by the measurement pressure.
【００３２】この結果、直線性特性、耐ノイズ特性が向
上され、安価な半導体圧力計が得られる。As a result, the linearity characteristic and the noise resistance characteristic are improved, and an inexpensive semiconductor pressure gauge can be obtained.
【図１】本発明の一実施例の要部構成説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a main part configuration of an embodiment of the present invention.
【図２】図１の平面図である。FIG. 2 is a plan view of FIG.
【図３】図１の使用例の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a usage example of FIG. 1.
【図４】本発明の他の実施例の要部構成説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a main part configuration of another embodiment of the present invention.
【図５】図４の要部平面図である。FIG. 5 is a plan view of a main part of FIG. 4;
【図６】本発明の他の実施例の要部構成説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a main part configuration of another embodiment of the present invention.
【図７】図６の平面図である。FIG. 7 is a plan view of FIG. 6;
【図８】本発明の他の実施例の要部構成説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram of a main part configuration of another embodiment of the present invention.
【図９】本発明の他の実施例の要部構成説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram of a main part configuration of another embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の他の実施例の要部構成説明図であ
る。FIG. 10 is an explanatory diagram of a main part configuration of another embodiment of the present invention.
【図１１】図１０の側面図である。FIG. 11 is a side view of FIG. 10;
【図１２】本発明の他の実施例の要部構成説明図であ
る。FIG. 12 is an explanatory view of a main part configuration of another embodiment of the present invention.
【図１３】従来より一般に使用されている従来例の構成
説明図である。FIG. 13 is an explanatory diagram of a configuration of a conventional example generally used in the related art.
１１ 支持基板 １２ センサチップ １３ 固定 １４ 自由端 １５ 内部空所 １６ ダイアフラム １７ 半導体圧力検出素子 １８ アンプチップ １９ ワイヤボンディング ３１ 固定板 ３２ 連通孔 ３３ リードピン ３４ カバーケース ４１ センサチップ ４２ 支持基板 ４３ 凹部 ４４ 固定端 ４５ 内部空所 ４６ 自由端 ４７ 測定ダイアフラム ５１ センサチップ ５２ 自由端 ５３ 固定端 ５４ 支持基板 ５５ 接着剤 ６１ センサチップ ６２ 溝 ７１ センサチップ ７２ 溝 ８１ センサチップ ８２ 信号処理回路用のＩＣ 11 Support Substrate 12 Sensor Chip 13 Fixed 14 Free End 15 Internal Space 16 Diaphragm 17 Semiconductor Pressure Sensing Element 18 Amplifier Chip 19 Wire Bonding 31 Fixing Plate 32 Communication Hole 33 Lead Pin 34 Cover Case 41 Sensor Chip 42 Support Substrate 43 Recess 44 Fixed End 45 Internal void 46 Free end 47 Measuring diaphragm 51 Sensor chip 52 Free end 53 Fixed end 54 Support substrate 55 Adhesive 61 Sensor chip 62 Groove 71 Sensor chip 72 Groove 81 Sensor chip 82 IC for signal processing circuit
Claims (3)
れる片持ち梁状のセンサチップと、 該センサチップの自由端側に設けられ該センサチップに
起歪部たるダイアフラムを構成する内部空所と、 前記センサチップの起歪部に設けられた半導体圧力検出
素子とを具備する半導体圧力計。1. A support substrate, a cantilever-shaped sensor chip having one end fixed to the support substrate and a measurement pressure applied to the free end side, and a sensor chip provided on the free end side of the sensor chip. A semiconductor pressure gauge, comprising: an internal space that constitutes a diaphragm that is a strain-flexing portion;
とする請求項１記載の半導体圧力計。2. The semiconductor manometer according to claim 1, wherein the internal space is kept in a vacuum.
持基板と前記センサチップとを通り他端から所定の基準
圧が導入される連通孔を具備したことを特徴とする半導
体圧力計。3. A semiconductor pressure gauge, comprising: a communication hole, one end of which communicates with the internal space, and the middle of which passes through the support substrate and the sensor chip, and a predetermined reference pressure is introduced from the other end. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18901395A JPH0933371A (en) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | Semiconductor pressure gauge |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18901395A JPH0933371A (en) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | Semiconductor pressure gauge |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0933371A true JPH0933371A (en) | 1997-02-07 |
Family
ID=16233847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18901395A Pending JPH0933371A (en) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | Semiconductor pressure gauge |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0933371A (en) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005040601A (en) * | 2003-07-18 | 2005-02-17 | Radi Medical Systems Ab | Sensor-guide wire assembly and its manufacturing method |
| JP2006528365A (en) * | 2003-05-16 | 2006-12-14 | ローズマウント インコーポレイテッド | Pressure sensor capsule |
| JP2008517288A (en) * | 2004-10-22 | 2008-05-22 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | Method for mounting a semiconductor chip and corresponding semiconductor chip device |
| JP2009258075A (en) * | 2008-03-17 | 2009-11-05 | Denso Corp | Pressure sensor chip, method for manufacturing the same, and pressure sensor |
| JP2012132806A (en) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Yokogawa Electric Corp | Vibration-type absolute pressure transducer |
| JP2013224937A (en) * | 2012-04-20 | 2013-10-31 | Rosemount Aerospace Inc | Stress isolated mems structures and methods of manufacture |
| US9513182B2 (en) | 2012-06-29 | 2016-12-06 | Denso Corporation | Pressure sensor having multiple piezoresistive elements |
| JP2018066581A (en) * | 2016-10-17 | 2018-04-26 | 株式会社デンソー | Semiconductor device |
| JP2019530881A (en) * | 2016-10-17 | 2019-10-24 | シリコン マイクロストラクチャーズ， インコーポレイテッドＳｉｌｉｃｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ， Ｉｎｃ． | Catheter sensor shade |
| WO2022080080A1 (en) * | 2020-10-12 | 2022-04-21 | 株式会社村田製作所 | Pressure sensor device |
-
1995
- 1995-07-25 JP JP18901395A patent/JPH0933371A/en active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006528365A (en) * | 2003-05-16 | 2006-12-14 | ローズマウント インコーポレイテッド | Pressure sensor capsule |
| JP2005040601A (en) * | 2003-07-18 | 2005-02-17 | Radi Medical Systems Ab | Sensor-guide wire assembly and its manufacturing method |
| JP2008517288A (en) * | 2004-10-22 | 2008-05-22 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | Method for mounting a semiconductor chip and corresponding semiconductor chip device |
| JP2009258075A (en) * | 2008-03-17 | 2009-11-05 | Denso Corp | Pressure sensor chip, method for manufacturing the same, and pressure sensor |
| JP2012132806A (en) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Yokogawa Electric Corp | Vibration-type absolute pressure transducer |
| JP2013224937A (en) * | 2012-04-20 | 2013-10-31 | Rosemount Aerospace Inc | Stress isolated mems structures and methods of manufacture |
| US9513182B2 (en) | 2012-06-29 | 2016-12-06 | Denso Corporation | Pressure sensor having multiple piezoresistive elements |
| JP2018066581A (en) * | 2016-10-17 | 2018-04-26 | 株式会社デンソー | Semiconductor device |
| JP2019530881A (en) * | 2016-10-17 | 2019-10-24 | シリコン マイクロストラクチャーズ， インコーポレイテッドＳｉｌｉｃｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ， Ｉｎｃ． | Catheter sensor shade |
| WO2022080080A1 (en) * | 2020-10-12 | 2022-04-21 | 株式会社村田製作所 | Pressure sensor device |
| US12601650B2 (en) | 2020-10-12 | 2026-04-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Pressure sensor device having an oscillator including a membrane deformable to ambient differential pressure |
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