JPH0933874A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来、検査不能であった片出し基板の検査を、
現在ある検査装置を大幅に変更することなく容易かつ正
確に効率よく行う。 【解決手段】表示用絵素電極３２の両側列方向位置に、
表示に使用しないダミー用絵素電極３１を設け、ダミー
用絵素電極３１だけに所定信号を入力して位置合わせを
すれば、最初と最後の位置決めが容易にでき、さらに、
上記所定信号とは別の所定信号を表示用絵素電極３２に
入力し、上記位置合わせに基づいて、検査器と表示用絵
素電極３２の重心を一致させて表示用絵素電極の重心の
部分の電位をサンプリングして画像処理するようにすれ
ば、周辺絵素部分からの影響をより少なくすることが可
能となり、断線欠陥および絵素欠陥の検査をより正確に
効率よく行うことが可能となる。このように、片出しタ
イプであれば、同じ基板面積でより広い表示部が得られ
る。
現在ある検査装置を大幅に変更することなく容易かつ正
確に効率よく行う。 【解決手段】表示用絵素電極３２の両側列方向位置に、
表示に使用しないダミー用絵素電極３１を設け、ダミー
用絵素電極３１だけに所定信号を入力して位置合わせを
すれば、最初と最後の位置決めが容易にでき、さらに、
上記所定信号とは別の所定信号を表示用絵素電極３２に
入力し、上記位置合わせに基づいて、検査器と表示用絵
素電極３２の重心を一致させて表示用絵素電極の重心の
部分の電位をサンプリングして画像処理するようにすれ
ば、周辺絵素部分からの影響をより少なくすることが可
能となり、断線欠陥および絵素欠陥の検査をより正確に
効率よく行うことが可能となる。このように、片出しタ
イプであれば、同じ基板面積でより広い表示部が得られ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス基板を有する液晶表示装置およびその製造方法に関
する。
クス基板を有する液晶表示装置およびその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置に用いる液晶表示パ
ネルのアクティブマトリクス基板の検査方法について、
以下、図５〜図１１を用いて説明する。
ネルのアクティブマトリクス基板の検査方法について、
以下、図５〜図１１を用いて説明する。
【０００３】図５は液晶表示装置の一構成例を示す断面
図である。
図である。
【０００４】図５において、ＴＦＴ表示基板１に対向す
るように、対向電極２が設けられた対向基板３が配設さ
れ、これらＴＦＴ表示基板１と対向基板３の対向電極２
との間に液晶４がシール材５を用いて封止されて液晶表
示装置が構成されている。このＴＦＴ表示基板１がアク
ティブマトリクス基板で構成されている。
るように、対向電極２が設けられた対向基板３が配設さ
れ、これらＴＦＴ表示基板１と対向基板３の対向電極２
との間に液晶４がシール材５を用いて封止されて液晶表
示装置が構成されている。このＴＦＴ表示基板１がアク
ティブマトリクス基板で構成されている。
【０００５】図６は図５のＴＦＴ表示基板１の分断前の
様子を示す図であって、大型ガラス基板上に４枚のＴＦ
Ｔ表示基板１を形成した状態を示す配置図である。
様子を示す図であって、大型ガラス基板上に４枚のＴＦ
Ｔ表示基板１を形成した状態を示す配置図である。
【０００６】図６において、短絡線１１ａ，１１ｂは大
型ガラス基板１２の両側部近傍に設けられており、ま
た、短絡線１３ａ，１３ｂ，１３ｃは大型ガラス基板１
２の上下部および中央部近傍にそれぞれ設けられてい
る。これら短絡線１１ａ，１１ｂ，１３ａ，１３ｂ，１
３ｃは、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＭＩＭ（Metal
／Insulator／Metal）素子などのスイッチング素子が静
電気に弱いために、配線間をショートして静電気を外部
に逃がすように構成されており、これによってスイッチ
ング素子を静電気から守っている。これら短絡線１３
ａ，１３ｂ，１３ｃの間には、マトリクス状に設けられ
た絵素群を構成する表示部１４が上下左右合計して４個
設けられており、各短絡線１３ａ，１３ｂ，１３ｃから
は複数のソースライン１５が表示部１４にそれぞれ伸び
ている。これらソースライン１５は表示部１４に対して
上下両側から一本おきに（千鳥状に）交互に伸びてお
り、これらソースライン１５に外部から表示信号を供給
可能に構成している。また、両側部近傍に設けられた短
絡線１１ａ，１１ｂからは、複数のゲートライン１６が
表示部１４にそれぞれ伸びており、これらゲートライン
１６を介して表示部１４にゲート信号を供給可能に構成
している。
型ガラス基板１２の両側部近傍に設けられており、ま
た、短絡線１３ａ，１３ｂ，１３ｃは大型ガラス基板１
２の上下部および中央部近傍にそれぞれ設けられてい
る。これら短絡線１１ａ，１１ｂ，１３ａ，１３ｂ，１
３ｃは、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＭＩＭ（Metal
／Insulator／Metal）素子などのスイッチング素子が静
電気に弱いために、配線間をショートして静電気を外部
に逃がすように構成されており、これによってスイッチ
ング素子を静電気から守っている。これら短絡線１３
ａ，１３ｂ，１３ｃの間には、マトリクス状に設けられ
た絵素群を構成する表示部１４が上下左右合計して４個
設けられており、各短絡線１３ａ，１３ｂ，１３ｃから
は複数のソースライン１５が表示部１４にそれぞれ伸び
ている。これらソースライン１５は表示部１４に対して
上下両側から一本おきに（千鳥状に）交互に伸びてお
り、これらソースライン１５に外部から表示信号を供給
可能に構成している。また、両側部近傍に設けられた短
絡線１１ａ，１１ｂからは、複数のゲートライン１６が
表示部１４にそれぞれ伸びており、これらゲートライン
１６を介して表示部１４にゲート信号を供給可能に構成
している。
【０００７】図７は図６の短絡線１１ａ，１３ａを含む
表示部１４の構成を示す一部拡大図である。
表示部１４の構成を示す一部拡大図である。
【０００８】図７において、複数のソースライン１５と
ゲートライン１６とが縦横に交差するように配線されて
おり、その交差部近傍に、ソースライン１５およびゲー
トライン１６と接続されるスイッチング素子としてのＴ
ＦＴ（薄膜トランジスタ）１７が設けられている。これ
らソースライン１５とゲートライン１６とに囲まれた部
分にはそれぞれ、ＴＦＴ１７に接続された絵素電極１８
がマトリクス状に設けられている。
ゲートライン１６とが縦横に交差するように配線されて
おり、その交差部近傍に、ソースライン１５およびゲー
トライン１６と接続されるスイッチング素子としてのＴ
ＦＴ（薄膜トランジスタ）１７が設けられている。これ
らソースライン１５とゲートライン１６とに囲まれた部
分にはそれぞれ、ＴＦＴ１７に接続された絵素電極１８
がマトリクス状に設けられている。
【０００９】次に、上記ＴＦＴ型液晶表示装置の製造方
法およびその検査方法について、以下に説明する。
法およびその検査方法について、以下に説明する。
【００１０】まず、ＴＦＴ１７や絵素電極１８を形成す
るＴＦＴ製造工程において、図６に示すように大型ガラ
ス基板１２上に複数枚のＴＦＴ表示基板１を一緒に作り
込む。この後に、この大型ガラス基板１２と対向基板３
とを貼り合わせ、その間に液晶４を封入する液晶封入工
程を経て、大型ガラス基板１２を図６の１点鎖線で示し
た分断線１９で４つに分断し、短絡線１１ａ，１１ｂ，
１３ａ，１３ｂ，１３ｃを面取りによって取り去る。な
お、これら短絡線１１ａ，１１ｂ，１３ａ，１３ｂ，１
３ｃは、ここでは見やすくするために太く記載されてい
るが、実際には４００μｍ〜１０００μｍ程度の太さで
ある。
るＴＦＴ製造工程において、図６に示すように大型ガラ
ス基板１２上に複数枚のＴＦＴ表示基板１を一緒に作り
込む。この後に、この大型ガラス基板１２と対向基板３
とを貼り合わせ、その間に液晶４を封入する液晶封入工
程を経て、大型ガラス基板１２を図６の１点鎖線で示し
た分断線１９で４つに分断し、短絡線１１ａ，１１ｂ，
１３ａ，１３ｂ，１３ｃを面取りによって取り去る。な
お、これら短絡線１１ａ，１１ｂ，１３ａ，１３ｂ，１
３ｃは、ここでは見やすくするために太く記載されてい
るが、実際には４００μｍ〜１０００μｍ程度の太さで
ある。
【００１１】さらに、ＴＡＢなどの外部駆動部品を取り
付ける実装工程と順に送られてアクティブマトリクス型
液晶表示装置が完成する。このように、アクティブマト
リクス型液晶表示装置を製造する工程は長く、その製造
ロスを無くすとともに後工程に行くほど高価な部材を用
いるため、より早い段階で検査を行って不良品を発見
し、後ろの工程に不良品を送らないようにしなければな
らない。その最初の検査工程として、ＴＦＴ製造工程の
最後に図６のアクティブマトリクス大型ガラス基板１２
の状態で、欠陥絵素や欠陥配線（断線など）などの電気
的光学式検査を行っている。
付ける実装工程と順に送られてアクティブマトリクス型
液晶表示装置が完成する。このように、アクティブマト
リクス型液晶表示装置を製造する工程は長く、その製造
ロスを無くすとともに後工程に行くほど高価な部材を用
いるため、より早い段階で検査を行って不良品を発見
し、後ろの工程に不良品を送らないようにしなければな
らない。その最初の検査工程として、ＴＦＴ製造工程の
最後に図６のアクティブマトリクス大型ガラス基板１２
の状態で、欠陥絵素や欠陥配線（断線など）などの電気
的光学式検査を行っている。
【００１２】その検査方法の一例としては、ソースライ
ン１５に、まず、短絡線１３ａ側（Ｓ１・Ｓ３・・・Ｓ
ｍ−１；奇数側）より図８ａに示す信号を入力し、図９
に示す検査装置を用いて上記検査を行う。なお、図８ａ
〜図８ｄの信号は全て図７の絵素電極の位置に対応して
いる。ここで、図９ａを用いてこの種の検査装置の一例
として以下に説明する。
ン１５に、まず、短絡線１３ａ側（Ｓ１・Ｓ３・・・Ｓ
ｍ−１；奇数側）より図８ａに示す信号を入力し、図９
に示す検査装置を用いて上記検査を行う。なお、図８ａ
〜図８ｄの信号は全て図７の絵素電極の位置に対応して
いる。ここで、図９ａを用いてこの種の検査装置の一例
として以下に説明する。
【００１３】まず、＋Ｖｏｌｔｓまたは−Ｖｏｌｔｓの
信号を例えば短絡線１３ａに入力し、絵素電極１８に電
荷をチャージする。その状態でランプ２１より実線矢印
で示すように光線２２をハーフミラー２３を介してポッ
ケルス素子と呼ばれる光学変調素子２４に照射する。こ
の光学変調素子２４は、置かれた場所の電界強度に応じ
て屈折率が変化する特殊な結晶板である。このため、大
型ガラス基板１２に照射された光の点線矢印で示す反射
光２２’の偏光状態が絵素電極１８の表面電位に応じて
変化する。光学変調素子２４下の非導電性の有機反射膜
２４ａからの反射光２２’は光学変調素子２４、ハーフ
ミラー２３さらに（λ／４）板２５を通過する。この
（λ／４）板２５により反射光２２’の位相分を除去
し、ＣＣＤ２６などの撮像手段などで撮像する。この構
成によって、撮像信号が絵素の表面電位として捉えるこ
とができるようになる。その撮像結果を画像処理してメ
モリに取っておく。これら各絵素電極１８およびＣＣＤ
２６はそれぞれ略等ピッチで同サイズである。
信号を例えば短絡線１３ａに入力し、絵素電極１８に電
荷をチャージする。その状態でランプ２１より実線矢印
で示すように光線２２をハーフミラー２３を介してポッ
ケルス素子と呼ばれる光学変調素子２４に照射する。こ
の光学変調素子２４は、置かれた場所の電界強度に応じ
て屈折率が変化する特殊な結晶板である。このため、大
型ガラス基板１２に照射された光の点線矢印で示す反射
光２２’の偏光状態が絵素電極１８の表面電位に応じて
変化する。光学変調素子２４下の非導電性の有機反射膜
２４ａからの反射光２２’は光学変調素子２４、ハーフ
ミラー２３さらに（λ／４）板２５を通過する。この
（λ／４）板２５により反射光２２’の位相分を除去
し、ＣＣＤ２６などの撮像手段などで撮像する。この構
成によって、撮像信号が絵素の表面電位として捉えるこ
とができるようになる。その撮像結果を画像処理してメ
モリに取っておく。これら各絵素電極１８およびＣＣＤ
２６はそれぞれ略等ピッチで同サイズである。
【００１４】その次に、図８ａの信号をオフし、図８ｂ
の信号を短絡線１３ｂ側（Ｓ２・Ｓ４・・・Ｓｍ；偶数
側）に入力する。この場合にも同様に、画像処理し、そ
の後に、図８ａの信号と図８ｂの信号との差分を取って
図８ｃの実線で示す信号を得る。その差分をとる理由と
して、ＣＣＤ２６などの撮像手段のダイナミックレンジ
（絵素の電位）を測る能力はプローブピンを直接当てる
電気方式に比べてあまり良くないため、差分をとって十
分にダイナミックレンジを取って良否判定を行ってい
る。
の信号を短絡線１３ｂ側（Ｓ２・Ｓ４・・・Ｓｍ；偶数
側）に入力する。この場合にも同様に、画像処理し、そ
の後に、図８ａの信号と図８ｂの信号との差分を取って
図８ｃの実線で示す信号を得る。その差分をとる理由と
して、ＣＣＤ２６などの撮像手段のダイナミックレンジ
（絵素の電位）を測る能力はプローブピンを直接当てる
電気方式に比べてあまり良くないため、差分をとって十
分にダイナミックレンジを取って良否判定を行ってい
る。
【００１５】このとき、図８ｃの点線で示す出力波形
（撮像後の信号）２０が実線で示す入力信号に対して得
られ、例えば入力信号として２０Ｖの電圧を入力して
も、実際に出力として得られる信号は１８Ｖ〜１２Ｖ程
度である。この出力波形２０を得る方法としては、図９
ｂに示すように、絵素電極１８に対してＣＣＤ２６の点
線で示す撮像絵素２７を４つ程度使用している。ＣＣＤ
２６の撮像絵素２７の１絵素１絵素それぞれの電位を平
均化し、微分計算をして１点鎖線で示す絵素の重心点Ａ
の電位として扱ってそれをつなげていくと出力波形２０
になる。なお、この検査装置は、図１０に示すように、
１枚のＴＦＴ表示基板１を、さらに８×６に分け、上記
したように繰り返し行うことによって検査を行ってい
る。
（撮像後の信号）２０が実線で示す入力信号に対して得
られ、例えば入力信号として２０Ｖの電圧を入力して
も、実際に出力として得られる信号は１８Ｖ〜１２Ｖ程
度である。この出力波形２０を得る方法としては、図９
ｂに示すように、絵素電極１８に対してＣＣＤ２６の点
線で示す撮像絵素２７を４つ程度使用している。ＣＣＤ
２６の撮像絵素２７の１絵素１絵素それぞれの電位を平
均化し、微分計算をして１点鎖線で示す絵素の重心点Ａ
の電位として扱ってそれをつなげていくと出力波形２０
になる。なお、この検査装置は、図１０に示すように、
１枚のＴＦＴ表示基板１を、さらに８×６に分け、上記
したように繰り返し行うことによって検査を行ってい
る。
【００１６】図１１ａ〜図１１ｄに上記電気的光学式検
査により発見される欠陥絵素や断線などの代表的な不良
を示しており、斜線で示す絵素が不良絵素である。図１
１ａに示す輝点不良は、ＴＦＴが壊れているために絵素
電極に信号が入力されない場合であり、つまり、その電
位が０Ｖである。また、図１１ｂに示す黒点不良は、Ｔ
ＦＴが壊れリーク状態になるため絵素に常に信号が入っ
ている。ゲート信号をオフした時にもソースの電位がか
かっている。さらに、図１１ｃに示す連結輝点不良は、
輝点が連なっており、表示品位が非常に下がる。さら
に、図１１ｄに示す断線不良は、配線が途中から切れて
いるもので、例えば線１本分、電位０Ｖで致命的な欠陥
である。この断線不良の場合には修正可能である。な
お、上記した輝点、黒点はノーマリーホワイトモード時
のものである。
査により発見される欠陥絵素や断線などの代表的な不良
を示しており、斜線で示す絵素が不良絵素である。図１
１ａに示す輝点不良は、ＴＦＴが壊れているために絵素
電極に信号が入力されない場合であり、つまり、その電
位が０Ｖである。また、図１１ｂに示す黒点不良は、Ｔ
ＦＴが壊れリーク状態になるため絵素に常に信号が入っ
ている。ゲート信号をオフした時にもソースの電位がか
かっている。さらに、図１１ｃに示す連結輝点不良は、
輝点が連なっており、表示品位が非常に下がる。さら
に、図１１ｄに示す断線不良は、配線が途中から切れて
いるもので、例えば線１本分、電位０Ｖで致命的な欠陥
である。この断線不良の場合には修正可能である。な
お、上記した輝点、黒点はノーマリーホワイトモード時
のものである。
【００１７】
【発明が解決すべき課題】上記従来の検査手法では、図
６に示すようにソースライン１５が両出しタイプの場合
には、上記したように十分にダイナミックレンジがとれ
るので問題ないが、同じ基板面積でより広い表示部を得
ることができる片出しタイプであると、信号の差分を取
ることができず検査することができなかった。つまり、
片出しタイプの場合、全ての絵素に図８ｄの実線に示す
ような同じ信号が入力され、撮像後の出力信号として点
線で示す出力波形２０’が得られる。図７の絵素電極１
８と図８ｄの出力波形２０’との対応関係から明らかな
ように、まず、最初と最後の絵素が特定できず検査の位
置決めができない。また、絵素間の区別が付かない。そ
のため、１絵素単位での欠陥が見つけられない。これ
は、重要な問題で、連結欠陥がある場合、不良品として
落とさなければ、表示品位が大幅に低下してしまうから
である。何故ならば、ＣＣＤ２６などの撮像手段の分解
能が低いために、隣接する絵素と絵素がどこで切れるの
か見分けが付かないからである。図９ｂのパネル平面図
から明らかなように、パネルの絵素電極１８のピッチと
ＣＣＤ２６の撮像絵素２７のピッチとが違うため、隣の
絵素電極１８にＣＣＤ２６の撮像絵素２７がかかってし
まい、ますます絵素間の区別が付きにくい。これは、パ
ネルの高解像度化を進めていく程、絵素電極１８のピッ
チが狭くなる方向にあり、ますます顕著なものになって
いく。なお、絵素間の区別が付かないことについては、
ＣＣＤ２６の分解能を上げてやれば解決できるものの、
分解能を上げれば検査時間が長くなるばかりでなく、検
査装置が非常に高価なものになってしまうなどの問題を
有していた。これは、パネルの絵素電極１８とＣＣＤ２
６の撮像絵素２７のピッチを合わせてやれば解決するこ
とができるが、この場合、１機種について１台ずつ検査
装置を用意しなければならない。つまり、少ない機種を
製造するならば可能であるが、多品種を製造する場合に
は向いていない。さらに、図８ｄの信号における基準電
位からの電位Ｖｐ’が、図８ｃの信号の基準電位からの
電位Ｖｐに比べて半分しかなく、これでは致命的であ
る。つまり、一つの絵素電極１８をＣＣＤ２６の複数の
素子で撮像しているのであるが、複数の素子の中点が絵
素電極１８の重心（中点）とうまく一致すれば問題ない
が、実際には、ＣＣＤ２６の撮像絵素２７とパネルの絵
素電極１８とのサイズが異なる、ＴＦＴ表示基板製造中
のステッパずれなどがあってうまく一致しない。そのた
め、ダイナミックレンジが十分にとれないため、良否判
定を行うことが難しい。このため、アクティブマトリク
ス基板の段階では直る不良も液晶４の注入後では直らず
良品率の低下を余儀なくされていた。
６に示すようにソースライン１５が両出しタイプの場合
には、上記したように十分にダイナミックレンジがとれ
るので問題ないが、同じ基板面積でより広い表示部を得
ることができる片出しタイプであると、信号の差分を取
ることができず検査することができなかった。つまり、
片出しタイプの場合、全ての絵素に図８ｄの実線に示す
ような同じ信号が入力され、撮像後の出力信号として点
線で示す出力波形２０’が得られる。図７の絵素電極１
８と図８ｄの出力波形２０’との対応関係から明らかな
ように、まず、最初と最後の絵素が特定できず検査の位
置決めができない。また、絵素間の区別が付かない。そ
のため、１絵素単位での欠陥が見つけられない。これ
は、重要な問題で、連結欠陥がある場合、不良品として
落とさなければ、表示品位が大幅に低下してしまうから
である。何故ならば、ＣＣＤ２６などの撮像手段の分解
能が低いために、隣接する絵素と絵素がどこで切れるの
か見分けが付かないからである。図９ｂのパネル平面図
から明らかなように、パネルの絵素電極１８のピッチと
ＣＣＤ２６の撮像絵素２７のピッチとが違うため、隣の
絵素電極１８にＣＣＤ２６の撮像絵素２７がかかってし
まい、ますます絵素間の区別が付きにくい。これは、パ
ネルの高解像度化を進めていく程、絵素電極１８のピッ
チが狭くなる方向にあり、ますます顕著なものになって
いく。なお、絵素間の区別が付かないことについては、
ＣＣＤ２６の分解能を上げてやれば解決できるものの、
分解能を上げれば検査時間が長くなるばかりでなく、検
査装置が非常に高価なものになってしまうなどの問題を
有していた。これは、パネルの絵素電極１８とＣＣＤ２
６の撮像絵素２７のピッチを合わせてやれば解決するこ
とができるが、この場合、１機種について１台ずつ検査
装置を用意しなければならない。つまり、少ない機種を
製造するならば可能であるが、多品種を製造する場合に
は向いていない。さらに、図８ｄの信号における基準電
位からの電位Ｖｐ’が、図８ｃの信号の基準電位からの
電位Ｖｐに比べて半分しかなく、これでは致命的であ
る。つまり、一つの絵素電極１８をＣＣＤ２６の複数の
素子で撮像しているのであるが、複数の素子の中点が絵
素電極１８の重心（中点）とうまく一致すれば問題ない
が、実際には、ＣＣＤ２６の撮像絵素２７とパネルの絵
素電極１８とのサイズが異なる、ＴＦＴ表示基板製造中
のステッパずれなどがあってうまく一致しない。そのた
め、ダイナミックレンジが十分にとれないため、良否判
定を行うことが難しい。このため、アクティブマトリク
ス基板の段階では直る不良も液晶４の注入後では直らず
良品率の低下を余儀なくされていた。
【００１８】本発明は、上記従来の問題を解決するもの
で、最近主流になっている片出し基板の検査を現在ある
検査装置を大幅に変更することなく容易かつ正確に効率
よく行うことができる液晶表示装置およびその製造方法
を提供することを目的とする。
で、最近主流になっている片出し基板の検査を現在ある
検査装置を大幅に変更することなく容易かつ正確に効率
よく行うことができる液晶表示装置およびその製造方法
を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、ゲートラインとソースラインがマトリクス状に配置
され、その交点近傍にスイッチング素子と絵素電極を備
えたアクティブマトリクス型表示基板において、少なく
とも検査工程で使用する位置特定用絵素電極を設けるこ
とを特徴とするものであり、そのことにより上記目的が
達成される。
は、ゲートラインとソースラインがマトリクス状に配置
され、その交点近傍にスイッチング素子と絵素電極を備
えたアクティブマトリクス型表示基板において、少なく
とも検査工程で使用する位置特定用絵素電極を設けるこ
とを特徴とするものであり、そのことにより上記目的が
達成される。
【００２０】また、好ましくは、本発明の液晶表示装置
における位置特定用絵素電極が、表示に使用しないダミ
ー電極であることを特徴とする。
における位置特定用絵素電極が、表示に使用しないダミ
ー電極であることを特徴とする。
【００２１】さらに、好ましくは、本発明の液晶表示装
置における位置特定用絵素電極として、表示用絵素電極
を用いたことを特徴とする。
置における位置特定用絵素電極として、表示用絵素電極
を用いたことを特徴とする。
【００２２】さらに、好ましくは、本発明の液晶表示装
置におけるゲートラインとソースラインがマトリクス状
に配置され、その交点近傍にスイッチング素子と絵素電
極を備えたアクティブマトリクス型表示基板において、
少なくとも検査工程で使用する位置特定用ストライプ電
極を、表示用絵素電極とは別に設けたことを特徴とす
る。
置におけるゲートラインとソースラインがマトリクス状
に配置され、その交点近傍にスイッチング素子と絵素電
極を備えたアクティブマトリクス型表示基板において、
少なくとも検査工程で使用する位置特定用ストライプ電
極を、表示用絵素電極とは別に設けたことを特徴とす
る。
【００２３】さらに、好ましくは、本発明の液晶表示装
置におけるソースラインの外部信号入力端子が、１方向
から入力される片出しタイプであることを特徴とする。
置におけるソースラインの外部信号入力端子が、１方向
から入力される片出しタイプであることを特徴とする。
【００２４】さらに、好ましくは、本発明の液晶表示装
置におけるソースラインの外部信号入力端子が、絵素電
極と位置特定用電極とが上下別々の方向から取出されて
いることを特徴とする。
置におけるソースラインの外部信号入力端子が、絵素電
極と位置特定用電極とが上下別々の方向から取出されて
いることを特徴とする。
【００２５】さらに、好ましくは、本発明の液晶表示装
置における位置特定用電極が、前記表示絵素領域の両端
に設けられたことを特徴とする。
置における位置特定用電極が、前記表示絵素領域の両端
に設けられたことを特徴とする。
【００２６】さらに、好ましくは、本発明の液晶表示装
置におけるストライプ状ダミー電極を用いて、静電対策
を行っていることを特徴とする。
置におけるストライプ状ダミー電極を用いて、静電対策
を行っていることを特徴とする。
【００２７】また、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、スイッチング素子および絵素電極を形成する工程の
最後に、位置特定用絵素電極に所定信号を入力し、該位
置特定用絵素電極電位を撮像手段などの検査器を用いて
画像処理することで該表示用絵素電極の位置の特定を行
うことにより、マトリクス状に設けられた該表示用絵素
電極の電気的光学式検査を行うものであり、そのことに
より上記目的が達成される。
は、スイッチング素子および絵素電極を形成する工程の
最後に、位置特定用絵素電極に所定信号を入力し、該位
置特定用絵素電極電位を撮像手段などの検査器を用いて
画像処理することで該表示用絵素電極の位置の特定を行
うことにより、マトリクス状に設けられた該表示用絵素
電極の電気的光学式検査を行うものであり、そのことに
より上記目的が達成される。
【００２８】また、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、スイッチング素子および絵素電極を形成する工程の
最後に、マトリクス状に設けられた表示用絵素電極の両
側列方向位置のうち少なくとも片側列方向位置に少なく
とも１列設けられた位置特定用絵素電極に所定信号を入
力し、該位置特定用絵素電極電位を撮像手段などの検査
器を用いて画像処理することにより位置合わせをし、該
位置特定用絵素電極に入力した所定信号とは別の所定信
号を該表示用絵素電極に入力し、該位置合わせに基づい
て、該検査器と該表示用絵素電極の中心を一致させて該
表示用絵素電極の中心の部分の電位をサンプリングして
画像処理することにより断線欠陥および絵素欠陥などの
電気的光学式検査を行うものであり、そのことにより上
記目的が達成される。
は、スイッチング素子および絵素電極を形成する工程の
最後に、マトリクス状に設けられた表示用絵素電極の両
側列方向位置のうち少なくとも片側列方向位置に少なく
とも１列設けられた位置特定用絵素電極に所定信号を入
力し、該位置特定用絵素電極電位を撮像手段などの検査
器を用いて画像処理することにより位置合わせをし、該
位置特定用絵素電極に入力した所定信号とは別の所定信
号を該表示用絵素電極に入力し、該位置合わせに基づい
て、該検査器と該表示用絵素電極の中心を一致させて該
表示用絵素電極の中心の部分の電位をサンプリングして
画像処理することにより断線欠陥および絵素欠陥などの
電気的光学式検査を行うものであり、そのことにより上
記目的が達成される。
【００２９】即ち、以上の液晶表示装置に用いられるア
クティブマトリクス基板は、マトリクス状に配置された
表示用の絵素電極と、該絵素電極の周囲を通り相互に交
差した状態で配線されたゲートラインおよびソースライ
ンと、該ゲートラインおよびソースラインの交差部近傍
に設けられ、該ゲートラインおよびソースラインと接続
されるとともに該絵素電極に接続されたスイッチング素
子とを有するアクティブマトリクス基板において、検査
工程で使用する位置特定用の絵素電極を設けている。
クティブマトリクス基板は、マトリクス状に配置された
表示用の絵素電極と、該絵素電極の周囲を通り相互に交
差した状態で配線されたゲートラインおよびソースライ
ンと、該ゲートラインおよびソースラインの交差部近傍
に設けられ、該ゲートラインおよびソースラインと接続
されるとともに該絵素電極に接続されたスイッチング素
子とを有するアクティブマトリクス基板において、検査
工程で使用する位置特定用の絵素電極を設けている。
【００３０】また、アクティブマトリクス基板は、マト
リクス状に配置された表示用の絵素電極と、該絵素電極
の周囲を通り相互に交差した状態で配線されたゲートラ
インおよびソースラインと、該ゲートラインおよびソー
スラインの交差部近傍に設けられ、該ゲートラインおよ
びソースラインと接続されるとともに該絵素電極に接続
されたスイッチング素子とを有するアクティブマトリク
ス基板において、該表示用絵素電極の両側列方向位置の
うち少なくとも片側列方向位置に少なくとも１列、位置
特定用の絵素電極を設けている。
リクス状に配置された表示用の絵素電極と、該絵素電極
の周囲を通り相互に交差した状態で配線されたゲートラ
インおよびソースラインと、該ゲートラインおよびソー
スラインの交差部近傍に設けられ、該ゲートラインおよ
びソースラインと接続されるとともに該絵素電極に接続
されたスイッチング素子とを有するアクティブマトリク
ス基板において、該表示用絵素電極の両側列方向位置の
うち少なくとも片側列方向位置に少なくとも１列、位置
特定用の絵素電極を設けている。
【００３１】さらに、このアクティブマトリクス基板に
おける位置特定用絵素電極が、検査工程で使用され表示
に使用しないダミー用絵素電極である。
おける位置特定用絵素電極が、検査工程で使用され表示
に使用しないダミー用絵素電極である。
【００３２】さらに、このアクティブマトリクス基板に
おける位置特定用絵素電極が、表示用の絵素電極であ
る。
おける位置特定用絵素電極が、表示用の絵素電極であ
る。
【００３３】さらに、このアクティブマトリクス基板に
おいて、検査工程で使用する位置特定用ストライプ電極
が表示用絵素電極とは別に設けられる。
おいて、検査工程で使用する位置特定用ストライプ電極
が表示用絵素電極とは別に設けられる。
【００３４】さらに、このアクティブマトリクス基板に
おいて、位置特定用ストライプ電極がストライプ状ダミ
ー電極で構成され静電対策用に構成されている。
おいて、位置特定用ストライプ電極がストライプ状ダミ
ー電極で構成され静電対策用に構成されている。
【００３５】さらに、このアクティブマトリクス基板に
おける表示用絵素電極に対してソースラインが１方向か
ら入力される片出しタイプであり、該表示用絵素電極と
前記位置特定用絵素電極または位置特定用ストライプ電
極に対して上下別々の方向に該ソースラインが取り出さ
れている。
おける表示用絵素電極に対してソースラインが１方向か
ら入力される片出しタイプであり、該表示用絵素電極と
前記位置特定用絵素電極または位置特定用ストライプ電
極に対して上下別々の方向に該ソースラインが取り出さ
れている。
【００３６】上記構成により、以下、その作用を説明す
る。
る。
【００３７】本発明においては、例えば、マトリクス状
に設けられた表示用絵素電極の両側列方向位置のうち少
なくとも片側列方向位置に少なくとも１列、検査工程で
作用する位置特定用絵素電極を設けたので、従来、片出
しタイプの場合、全ての表示用絵素電極に同じ信号が入
力されるために、最初と最後の表示用絵素電極位置が解
らずに検査の位置決めができなかったが、位置特定用絵
素電極だけに所定信号を入力して位置合わせをするよう
にすれば、最初と最後のうち少なくとも何れかの位置決
めが容易かつ正確にでき、さらに、上記所定信号とは別
の所定信号を表示用絵素電極に入力し、上記位置合わせ
に基づいて、表示用絵素電極の重心の部分の電位をサン
プリングして画像処理するようにすれば、周辺絵素部分
からの影響を少なくすることが可能となり、断線欠陥お
よび絵素欠陥などの電気的光学式検査をより正確に効率
よく行うことが可能となる。このように、アルゴリズム
の変更により、検査時間の短縮が可能となり、検査コス
トの低減をも図ることが可能となる。
に設けられた表示用絵素電極の両側列方向位置のうち少
なくとも片側列方向位置に少なくとも１列、検査工程で
作用する位置特定用絵素電極を設けたので、従来、片出
しタイプの場合、全ての表示用絵素電極に同じ信号が入
力されるために、最初と最後の表示用絵素電極位置が解
らずに検査の位置決めができなかったが、位置特定用絵
素電極だけに所定信号を入力して位置合わせをするよう
にすれば、最初と最後のうち少なくとも何れかの位置決
めが容易かつ正確にでき、さらに、上記所定信号とは別
の所定信号を表示用絵素電極に入力し、上記位置合わせ
に基づいて、表示用絵素電極の重心の部分の電位をサン
プリングして画像処理するようにすれば、周辺絵素部分
からの影響を少なくすることが可能となり、断線欠陥お
よび絵素欠陥などの電気的光学式検査をより正確に効率
よく行うことが可能となる。このように、アルゴリズム
の変更により、検査時間の短縮が可能となり、検査コス
トの低減をも図ることが可能となる。
【００３８】また、ソースラインが、１方向から入力さ
れる片出しタイプであれば、ＴＡＢなどのドライバＩＣ
の数が大幅に減少することによる額縁縮小（ノートＰＣ
などに載せた場合、表示部の周りに額縁のようなものが
ありますが、この部分を減少させることができる。）が
可能となり、同じ基板面積でより広い表示部が得られる
ことになる。また、この片出しタイプで上下方向に位置
特定用絵素電極と表示用絵素電極を別々にソースライン
によって取り出すことで、短絡線を多層化する必要が無
くなるため、リーク不良が防止される。さらに、表示用
絵素電極と位置特定用絵素電極が別々の短絡線に接続さ
れていれば、表示用絵素電極と位置特定用絵素電極に別
々の信号を入力することが可能となり、正確な位置特定
が可能になる。さらには、ドライバを片側にしか付けな
いためコストダウンができる。
れる片出しタイプであれば、ＴＡＢなどのドライバＩＣ
の数が大幅に減少することによる額縁縮小（ノートＰＣ
などに載せた場合、表示部の周りに額縁のようなものが
ありますが、この部分を減少させることができる。）が
可能となり、同じ基板面積でより広い表示部が得られる
ことになる。また、この片出しタイプで上下方向に位置
特定用絵素電極と表示用絵素電極を別々にソースライン
によって取り出すことで、短絡線を多層化する必要が無
くなるため、リーク不良が防止される。さらに、表示用
絵素電極と位置特定用絵素電極が別々の短絡線に接続さ
れていれば、表示用絵素電極と位置特定用絵素電極に別
々の信号を入力することが可能となり、正確な位置特定
が可能になる。さらには、ドライバを片側にしか付けな
いためコストダウンができる。
【００３９】以上のように、最近主流になっている片出
しパネルを今ある検査器を大幅に変更することなしに、
簡単なパターンの追加、変更だけで検査することが可能
になる。
しパネルを今ある検査器を大幅に変更することなしに、
簡単なパターンの追加、変更だけで検査することが可能
になる。
【００４０】また、ダミー用絵素電極をストライプ状に
形成すれば、短絡線分断後の静電対策が行え、後工程で
の静電破壊を防止することが可能になって良品率向上を
図ることができ、さらにはコストダウン化が可能にな
る。
形成すれば、短絡線分断後の静電対策が行え、後工程で
の静電破壊を防止することが可能になって良品率向上を
図ることができ、さらにはコストダウン化が可能にな
る。
【００４１】さらに、アクティブマトリクス基板を製造
する工程を含む液晶表示装置の製造工程は長く、その製
造ロスを無くすとともに後工程に行くほど高価な部材を
用いるため、より早い段階で検査を行って不良品を発見
し、後ろの工程に不良品を送らないようにしなければな
らない。その最初の検査工程として、ＴＦＴ製造工程の
最後にアクティブマトリクス基板の状態で、欠陥絵素や
欠陥配線（断線など）などの電気的光学式検査を行う。
する工程を含む液晶表示装置の製造工程は長く、その製
造ロスを無くすとともに後工程に行くほど高価な部材を
用いるため、より早い段階で検査を行って不良品を発見
し、後ろの工程に不良品を送らないようにしなければな
らない。その最初の検査工程として、ＴＦＴ製造工程の
最後にアクティブマトリクス基板の状態で、欠陥絵素や
欠陥配線（断線など）などの電気的光学式検査を行う。
【００４２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００４３】図１はＴＦＴ表示基板の分断前の様子を示
す図であって、本発明の第１の実施の形態における、ア
クティブマトリクス大型ガラス基板上に４枚のＴＦＴ表
示基板を形成した状態を示す配置図であり、図２は図１
の短絡線１１ａ，１３ａを含む表示部の構成を示す一部
拡大図である。なお、従来例と同様の作用、効果を奏す
るものには同じ番号を付してその説明を省略する。
す図であって、本発明の第１の実施の形態における、ア
クティブマトリクス大型ガラス基板上に４枚のＴＦＴ表
示基板を形成した状態を示す配置図であり、図２は図１
の短絡線１１ａ，１３ａを含む表示部の構成を示す一部
拡大図である。なお、従来例と同様の作用、効果を奏す
るものには同じ番号を付してその説明を省略する。
【００４４】図１および図２において、両端の列方向位
置に表示に使用しない位置特定用絵素電極としてのダミ
ー用絵素電極３１が列方向に複数設けられ、これら両端
のダミー用絵素電極３１の列の間に、表示用の絵素電極
３２がマトリクス状に設けられている。これらダミー用
絵素電極３１および表示用絵素電極３２はスイッチング
素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１７を介して
ソースライン１５とゲートライン１６に接続されてい
る。このように、本実施の形態においては、両端側にそ
れぞれ、表示に使わないＴＦＴ１７およびダミー用絵素
電極３１から成るダミーパターンを有している。したが
って、従来のものと違う点は、このダミーパターンが両
端列にそれぞれ設けられたことと、ソースライン１５が
片側入力になっていることである。つまり、ソースライ
ン１５からの外部表示信号が、それぞれ１方向から各入
力端子を介してＳ1〜Ｓm列の複数の表示用絵素電極３２
に入力される片出しタイプである。
置に表示に使用しない位置特定用絵素電極としてのダミ
ー用絵素電極３１が列方向に複数設けられ、これら両端
のダミー用絵素電極３１の列の間に、表示用の絵素電極
３２がマトリクス状に設けられている。これらダミー用
絵素電極３１および表示用絵素電極３２はスイッチング
素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１７を介して
ソースライン１５とゲートライン１６に接続されてい
る。このように、本実施の形態においては、両端側にそ
れぞれ、表示に使わないＴＦＴ１７およびダミー用絵素
電極３１から成るダミーパターンを有している。したが
って、従来のものと違う点は、このダミーパターンが両
端列にそれぞれ設けられたことと、ソースライン１５が
片側入力になっていることである。つまり、ソースライ
ン１５からの外部表示信号が、それぞれ１方向から各入
力端子を介してＳ1〜Ｓm列の複数の表示用絵素電極３２
に入力される片出しタイプである。
【００４５】これらのダミー用絵素電極３１と表示用の
絵素電極３２とが１つの表示部３３に対して別々の短絡
線１３ａ，１３ｂ，１３ｃに接続されている。つまり、
左上の表示部３３の最初のＳ0列と最後のＳm+1列のダミ
ー用絵素電極３１は、短絡線１３ｂからのソースライン
１５によって信号が供給され、また、その最初のＳ０列
と最後の列Ｓｍ＋１のダミー用絵素電極３１の間にある
Ｓ1〜Ｓm列の表示用絵素電極３２は、短絡線１３ａから
のソースライン１５によって信号が供給される。以上に
よって本実施の形態のアクティブマトリクス大型ガラス
基板３４が構成されている。
絵素電極３２とが１つの表示部３３に対して別々の短絡
線１３ａ，１３ｂ，１３ｃに接続されている。つまり、
左上の表示部３３の最初のＳ0列と最後のＳm+1列のダミ
ー用絵素電極３１は、短絡線１３ｂからのソースライン
１５によって信号が供給され、また、その最初のＳ０列
と最後の列Ｓｍ＋１のダミー用絵素電極３１の間にある
Ｓ1〜Ｓm列の表示用絵素電極３２は、短絡線１３ａから
のソースライン１５によって信号が供給される。以上に
よって本実施の形態のアクティブマトリクス大型ガラス
基板３４が構成されている。
【００４６】ここで、断線欠陥や絵素欠陥の検査を行う
ための検査パターンを有するアクティブマトリクス大型
ガラス基板３４の検査方法について、以下に説明する。
なお、図３ａ〜図３ｃの信号は図２の絵素電極に対応し
ている。
ための検査パターンを有するアクティブマトリクス大型
ガラス基板３４の検査方法について、以下に説明する。
なお、図３ａ〜図３ｃの信号は図２の絵素電極に対応し
ている。
【００４７】この検査方法は、まず、図３ａの信号を短
絡ラインである短絡線１３ｂから入力し、それを、例え
ば図９のＣＣＤなどの撮像手段を用いて画像処理してメ
モリする。これで最初のＳ0列と最後のＳm+1列のダミー
用絵素電極３１が駆動されて電荷がチャージされ、上方
から光を照射すると反射してくる光の偏光状態が基板表
面の電位によって変化する。この偏光をカメラ（図示せ
ず）で受け取って画像処理することでダミー用絵素電極
３１ごとの情報を得ることができる。これにより、最初
のＳ0列のダミー用絵素電極３１の位置合わせを行うこ
とができる。また、このとき、絵素電極のＳ0列からＳ
m+1列の距離を求める。つまり、Ｓ0列からＳm +1列の距
離Ｄは予め設計で決まっているので、その設計値と実測
値ｄを比較してやればどの程度の表示絵素間のずれが発
生しているかが解る。このようにしてその距離ｄを求
め、それをＳm+2本で割ってやれば絵素の重心から重心
までの距離ｄｐが解る。なお、例えばダミーパターンは
どちらか片側だけに設け、絵素電極と同時にオンしてや
っても距離ｄpは求められるが、両側に設けた方がより
正確に求められるので、本実施の形態においてはダミー
パターンを両側に設けている。
絡ラインである短絡線１３ｂから入力し、それを、例え
ば図９のＣＣＤなどの撮像手段を用いて画像処理してメ
モリする。これで最初のＳ0列と最後のＳm+1列のダミー
用絵素電極３１が駆動されて電荷がチャージされ、上方
から光を照射すると反射してくる光の偏光状態が基板表
面の電位によって変化する。この偏光をカメラ（図示せ
ず）で受け取って画像処理することでダミー用絵素電極
３１ごとの情報を得ることができる。これにより、最初
のＳ0列のダミー用絵素電極３１の位置合わせを行うこ
とができる。また、このとき、絵素電極のＳ0列からＳ
m+1列の距離を求める。つまり、Ｓ0列からＳm +1列の距
離Ｄは予め設計で決まっているので、その設計値と実測
値ｄを比較してやればどの程度の表示絵素間のずれが発
生しているかが解る。このようにしてその距離ｄを求
め、それをＳm+2本で割ってやれば絵素の重心から重心
までの距離ｄｐが解る。なお、例えばダミーパターンは
どちらか片側だけに設け、絵素電極と同時にオンしてや
っても距離ｄpは求められるが、両側に設けた方がより
正確に求められるので、本実施の形態においてはダミー
パターンを両側に設けている。
【００４８】この絵素の重心から重心までの距離ｄpの
測定について具体的に説明すると、対角２５ｃｍ（約１
０”）のＶＧＡ（６４０×３色×４８０）パネルを用い
た場合、まず、図３ａの信号を下側の短絡線１３ｂより
入力し、画像処理して距離ｄを求めたところ、距離ｄ＝
２００．２１０ｍｍであった。このときの設計値Ｄ＝２
００．２０８ｍｍであるのでこれと比較するとほんのわ
ずかの誤差であり、１絵素に直すと無視できる値である
ので、計測誤差なども考慮し、ここでは、設計値Ｄを距
離ｄとして用いる。したがって、絵素の重心から重心ま
での距離ｄpは、 ｄp＝ｄ／Ｓm+2 ここで、ｍ＝１９２０であるので、ｄｐ＝１０４μｍが
求められる。
測定について具体的に説明すると、対角２５ｃｍ（約１
０”）のＶＧＡ（６４０×３色×４８０）パネルを用い
た場合、まず、図３ａの信号を下側の短絡線１３ｂより
入力し、画像処理して距離ｄを求めたところ、距離ｄ＝
２００．２１０ｍｍであった。このときの設計値Ｄ＝２
００．２０８ｍｍであるのでこれと比較するとほんのわ
ずかの誤差であり、１絵素に直すと無視できる値である
ので、計測誤差なども考慮し、ここでは、設計値Ｄを距
離ｄとして用いる。したがって、絵素の重心から重心ま
での距離ｄpは、 ｄp＝ｄ／Ｓm+2 ここで、ｍ＝１９２０であるので、ｄｐ＝１０４μｍが
求められる。
【００４９】次に、図３ａの信号をオフし、図３ｂの信
号を短絡ラインである短絡線１３ａから入力し、それを
ＣＣＤ（図示せず）などの撮像手段を用いて画像処理し
てメモリする。図３ａの信号と図３ｂの信号の差分を取
ったのが図３ｃの信号である。実際の出力信号を点線で
示している。このとき、先ほど求めた絵素の重心から重
心までの距離ｄpにより、絵素の重心の部分の電位をサ
ンプリングしてやれば、周辺絵素からの影響を一番なく
すことができて正確な値を効率よく求めることができ
る。また、基準電位を図３ａの信号のピーク値において
やると、図３ｃから明らかなように電位Ｖpが十分に取
れることが解る。
号を短絡ラインである短絡線１３ａから入力し、それを
ＣＣＤ（図示せず）などの撮像手段を用いて画像処理し
てメモリする。図３ａの信号と図３ｂの信号の差分を取
ったのが図３ｃの信号である。実際の出力信号を点線で
示している。このとき、先ほど求めた絵素の重心から重
心までの距離ｄpにより、絵素の重心の部分の電位をサ
ンプリングしてやれば、周辺絵素からの影響を一番なく
すことができて正確な値を効率よく求めることができ
る。また、基準電位を図３ａの信号のピーク値において
やると、図３ｃから明らかなように電位Ｖpが十分に取
れることが解る。
【００５０】このように、上側の短絡線１３ａより図３
ｂの信号を入れ、図３ａの信号との差分をとって図３ｃ
の信号を得、さらに、絵素間の距離ｄpは先ほどの計算
により求められているので、その部分の電位のみをサン
プリングしてやればよい。ここでは、電位Ｖpが２０Ｖ
として、実際の絵素の電位を求めた。例えば正常な絵素
の場合には、１２Ｖ〜１８Ｖ程度の電位値が得られる。
例えば図２の斜線部分で示す部分の絵素が、１０Ｖの電
位しか得られず欠陥絵素であることが分かったとする。
しかし全ての絵素を良品として作り込むことは非常に難
しいため、その欠陥が数個であれば良品としており、こ
のパネルでは斜線部分の１個だけが欠陥絵素で、他はす
べて良品だったので、不良絵素のＴＦＴを例えばＣ変換
などの修正技術を用いて修正し、良品として、次の液晶
封入工程に送られた。なお、検査を速くしたいならば、
ＣＣＤを２台以上用いて検査を行えば速くすることがで
きる。
ｂの信号を入れ、図３ａの信号との差分をとって図３ｃ
の信号を得、さらに、絵素間の距離ｄpは先ほどの計算
により求められているので、その部分の電位のみをサン
プリングしてやればよい。ここでは、電位Ｖpが２０Ｖ
として、実際の絵素の電位を求めた。例えば正常な絵素
の場合には、１２Ｖ〜１８Ｖ程度の電位値が得られる。
例えば図２の斜線部分で示す部分の絵素が、１０Ｖの電
位しか得られず欠陥絵素であることが分かったとする。
しかし全ての絵素を良品として作り込むことは非常に難
しいため、その欠陥が数個であれば良品としており、こ
のパネルでは斜線部分の１個だけが欠陥絵素で、他はす
べて良品だったので、不良絵素のＴＦＴを例えばＣ変換
などの修正技術を用いて修正し、良品として、次の液晶
封入工程に送られた。なお、検査を速くしたいならば、
ＣＣＤを２台以上用いて検査を行えば速くすることがで
きる。
【００５１】図４は本発明の第２の実施の形態である。
なお、従来例と同様の作用、効果を奏するものには同じ
番号を付してその説明を省略する。
なお、従来例と同様の作用、効果を奏するものには同じ
番号を付してその説明を省略する。
【００５２】図４において、マトリクス状に設けられた
表示用絵素電極４１の両側列方向に、位置特定用絵素電
極としてストライプ状のダミー用絵素電極４２を設けて
いる。このストライプ状パターンにした理由は、ダミー
用絵素電極４２は検査のときに、表示用絵素電極４１と
は別の短絡線より信号を入力して、位置合わせに用いて
いるだけであるので、ＴＦＴ１７などのスイッチング秦
子は必要ないからである。このため、ＴＦＴ１７やソー
スライン１５を作製しなくてよい分、製造工程が簡略化
されるとともに、欠陥が起きる可能性も減少する。ま
た、このストライプ状パターンにするもう一つのメリッ
トとして、短絡線１１ａ，１３ａなどを分断後の静電対
策になることである。静電破壊の大半は、ＴＦＴ１７の
ゲート上に乗っているゲート絶縁膜や半導体層が破壊さ
れて、ソースとゲートがショートしてしまうＳ−Ｇリー
クであるので、ゲートから入ってくる静電気をどこかに
逃がしてやればよいことになる。そこで、本実施の形態
のように、ダミー用絵素電極４２を、例えばＴａやＡｌ
よりなるゲートライン１６上のＳｉＮｘからなるゲート
絶縁膜上に乗せてやることにより、ＭＩ２（Metal／Ins
ulator／ITO）構造になる。この構造がコンデンサの役
割を果たし、この静電気をストライプ状ダミー用絵素電
極４２に逃がす。これにより、ショートリング分断後の
ＴＦＴ１７の静電破壊を防止することができる。なお、
ダミー絵素電極をＭｅｔａｌで作製することも可能であ
り、その場合は、ＭＩＭ（Metal／Insulator／Metal）
構造になる。
表示用絵素電極４１の両側列方向に、位置特定用絵素電
極としてストライプ状のダミー用絵素電極４２を設けて
いる。このストライプ状パターンにした理由は、ダミー
用絵素電極４２は検査のときに、表示用絵素電極４１と
は別の短絡線より信号を入力して、位置合わせに用いて
いるだけであるので、ＴＦＴ１７などのスイッチング秦
子は必要ないからである。このため、ＴＦＴ１７やソー
スライン１５を作製しなくてよい分、製造工程が簡略化
されるとともに、欠陥が起きる可能性も減少する。ま
た、このストライプ状パターンにするもう一つのメリッ
トとして、短絡線１１ａ，１３ａなどを分断後の静電対
策になることである。静電破壊の大半は、ＴＦＴ１７の
ゲート上に乗っているゲート絶縁膜や半導体層が破壊さ
れて、ソースとゲートがショートしてしまうＳ−Ｇリー
クであるので、ゲートから入ってくる静電気をどこかに
逃がしてやればよいことになる。そこで、本実施の形態
のように、ダミー用絵素電極４２を、例えばＴａやＡｌ
よりなるゲートライン１６上のＳｉＮｘからなるゲート
絶縁膜上に乗せてやることにより、ＭＩ２（Metal／Ins
ulator／ITO）構造になる。この構造がコンデンサの役
割を果たし、この静電気をストライプ状ダミー用絵素電
極４２に逃がす。これにより、ショートリング分断後の
ＴＦＴ１７の静電破壊を防止することができる。なお、
ダミー絵素電極をＭｅｔａｌで作製することも可能であ
り、その場合は、ＭＩＭ（Metal／Insulator／Metal）
構造になる。
【００５３】以上説明したように、本発明の液晶表示装
置のように、簡単なパターンの追加で、片出し基板の検
査、検査時間の短縮化、静電気対策などの様々な効果が
得られる。
置のように、簡単なパターンの追加で、片出し基板の検
査、検査時間の短縮化、静電気対策などの様々な効果が
得られる。
【００５４】また、Pixel On Pas構造（絵素電極が層間
絶縁膜を介してＴＦＴや配線上に形成された構造）など
の高開口率パネルに用いると、更に効果的である。
絶縁膜を介してＴＦＴや配線上に形成された構造）など
の高開口率パネルに用いると、更に効果的である。
【００５５】また、この検査手法を用いることによって
絵素ピッチの細かいパネルの検査を容易に行うことがで
きるようになる。
絵素ピッチの細かいパネルの検査を容易に行うことがで
きるようになる。
【００５６】なお、以上の各実施の形態ではダミーパタ
ーンを両側にそれぞれ１列または１本設けて、絵素電極
の位置合わせを行ったが、ダミーパターンを片側に１本
または２本以上設けて、絵素電極の位置合わせを行うこ
とも可能である。また、スイッチング素子として、ＴＦ
Ｔ素子を用いたがＭＩＭ素子などの他の素子であっても
使用可能である。さらに、上記各実施の形態では、ダミ
ー用絵素電極を表示用絵素電極と等ピッチとしたが、こ
の限りではない。しかし、上記各実施の形態のように等
ピッチにする方が検査時間が短縮される。
ーンを両側にそれぞれ１列または１本設けて、絵素電極
の位置合わせを行ったが、ダミーパターンを片側に１本
または２本以上設けて、絵素電極の位置合わせを行うこ
とも可能である。また、スイッチング素子として、ＴＦ
Ｔ素子を用いたがＭＩＭ素子などの他の素子であっても
使用可能である。さらに、上記各実施の形態では、ダミ
ー用絵素電極を表示用絵素電極と等ピッチとしたが、こ
の限りではない。しかし、上記各実施の形態のように等
ピッチにする方が検査時間が短縮される。
【００５７】また、上記各実施の形態では説明しなかっ
たが、別の短絡線につながれた表示用絵素電極を用意し
て位置特定絵素電極として用いることにより、上記各実
施の形態と同様の効果を得ることができることは明かで
ある。
たが、別の短絡線につながれた表示用絵素電極を用意し
て位置特定絵素電極として用いることにより、上記各実
施の形態と同様の効果を得ることができることは明かで
ある。
【００５８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、電極パタ
ーンの変更とアルゴリズムの変更だけで、従来できなか
った片出しパネルの断線欠陥および絵素欠陥の検査をよ
り正確に効率よく行うことができるとともに、アルゴリ
ズムの追加、変更で、検査時間の短縮が行え、経済的で
あるうえ、絵素ピッチの細かいパネルの検査を容易に行
うことができるようになる。このように、片出しタイプ
であれば、同じ基板面積でより広い表示部を得ることが
できる。
ーンの変更とアルゴリズムの変更だけで、従来できなか
った片出しパネルの断線欠陥および絵素欠陥の検査をよ
り正確に効率よく行うことができるとともに、アルゴリ
ズムの追加、変更で、検査時間の短縮が行え、経済的で
あるうえ、絵素ピッチの細かいパネルの検査を容易に行
うことができるようになる。このように、片出しタイプ
であれば、同じ基板面積でより広い表示部を得ることが
できる。
【００５９】また、分解能のよい高価な撮像手段を導入
しなくても、今ある撮像手段がほぼそのまま使えるた
め、製造設備の有効利用を図ることができる。
しなくても、今ある撮像手段がほぼそのまま使えるた
め、製造設備の有効利用を図ることができる。
【００６０】さらに、ダミー用絵素電極をストライプ状
に形成すれば、短絡線分断後の静電対策が行えるように
なる。
に形成すれば、短絡線分断後の静電対策が行えるように
なる。
【００６１】さらに、位置特定用の絵素電極を上下方向
に別々に取り出すことによって、短絡線を多層化せずに
すみ、リーク不良などを未然に防ぐことができる。
に別々に取り出すことによって、短絡線を多層化せずに
すみ、リーク不良などを未然に防ぐことができる。
【図１】ＴＦＴ表示基板分断前の様子を示す図であっ
て、本発明の第１の実施の形態における、大型ガラス基
板上に４枚のＴＦＴ表示基板を形成した状態を示す配置
図である。
て、本発明の第１の実施の形態における、大型ガラス基
板上に４枚のＴＦＴ表示基板を形成した状態を示す配置
図である。
【図２】図１の短絡線１１ａ，１３ａを含む表示部の構
成を示す一部拡大図である。
成を示す一部拡大図である。
【図３】ａ〜ｃは図２の各部に供給する検査信号の波形
図である。
図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態における短絡線１１
ａ，１３ａを含む表示部の構成を示す一部拡大図であ
る。
ａ，１３ａを含む表示部の構成を示す一部拡大図であ
る。
【図５】従来の液晶表示装置の一構成例を示す断面図で
ある。
ある。
【図６】図５のＴＦＴ表示基板１の分断前の様子を示す
図であって、大型ガラス基板上に４枚のＴＦＴ表示基板
１を形成した状態を示す配置図である。
図であって、大型ガラス基板上に４枚のＴＦＴ表示基板
１を形成した状態を示す配置図である。
【図７】図６の短絡線１１ａ，１３ａを含む表示部１４
の構成を示す一部拡大図である。
の構成を示す一部拡大図である。
【図８】ａ〜ｄは図７の各部に供給する従来の検査信号
の波形図である。
の波形図である。
【図９】ａはアクティブマトリクス基板用検査装置の側
面図、ｂはａの絵素部の拡大平面図である。
面図、ｂはａの絵素部の拡大平面図である。
【図１０】図９の検査装置を用いた場合の検査方法の一
例を示す図である。
例を示す図である。
【図１１】ａ〜ｄは電気的光学式検査により発見される
欠陥絵素や断線などの代表的な不良状態を示す図であ
る。
欠陥絵素や断線などの代表的な不良状態を示す図であ
る。
１１ａ，１１ｂ ゲート側短絡線 １３ａ，１３ｂ，１３ｃ ソース側短絡線 １５ ソースライン １６ ゲートライン １７ ＴＦＴ ２６ ＣＣＤ ２７ 撮像絵素 ３１，４２ ダミー用絵素電極 ３２，４１ 表示用絵素電極 ３３ 表示部 ３４ アクティブマトリクス大型ガラス基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 嶋田 吉祐 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 ゲートラインとソースラインがマトリク
ス状に配置され、その交点近傍にスイッチング素子と絵
素電極を備えたアクティブマトリクス型表示基板におい
て、 少なくとも検査工程で使用する位置特定用絵素電極を設
けることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記位置特定用絵素電極が、表示に使用
しないダミー電極であることを特徴とする請求項１に記
載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記位置特定用絵素電極として、表示用
絵素電極を用いたことを特徴とする請求項１に記載の液
晶表示装置。 - 【請求項４】 ゲートラインとソースラインがマトリク
ス状に配置され、その交点近傍にスイッチング素子と絵
素電極を備えたアクティブマトリクス型表示基板におい
て、 少なくとも検査工程で使用する位置特定用ストライプ電
極を、表示用絵素電極とは別に設けたことを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記ソースラインの外部信号入力端子
が、１方向から入力される片出しタイプであることを特
徴とする請求項１〜４のうちいずれかに記載の液晶表示
装置。 - 【請求項６】 前記ソースラインの外部信号入力端子
が、絵素電極と位置特定用電極とが上下別々の方向から
取出されていることを特徴とする請求項１〜５のうちい
ずれかに記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記位置特定用電極が、前記表示絵素領
域の両端に設けられたことを特徴とする請求項１〜６の
うちいずれかに記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記ストライプ状ダミー電極を用いて、
静電対策を行っていることを特徴とする請求項４〜７の
うちいずれかに記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 スイッチング素子および絵素電極を形成
する工程の最後に、位置特定用絵素電極に所定信号を入
力し、該位置特定用絵素電極電位を撮像手段などの検査
器を用いて画像処理することで該表示用絵素電極の位置
の特定を行うことにより、マトリクス状に設けられた該
表示用絵素電極の電気的光学式検査を行う液晶表示装置
の製造方法。 - 【請求項１０】 スイッチング素子および絵素電極を形
成する工程の最後に、マトリクス状に設けられた表示用
絵素電極の両側列方向位置のうち少なくとも片側列方向
位置に少なくとも１列設けられた位置特定用絵素電極に
所定信号を入力し、該位置特定用絵素電極電位を撮像手
段などの検査器を用いて画像処理することにより位置合
わせをし、該位置特定用絵素電極に入力した所定信号と
は別の所定信号を該表示用絵素電極に入力し、該位置合
わせに基づいて、該検査器と該表示用絵素電極の中心を
一致させて該表示用絵素電極の中心の部分の電位をサン
プリングして画像処理することにより断線欠陥および絵
素欠陥などの電気的光学式検査を行う液晶表示装置の製
造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17927195A JPH0933874A (ja) | 1995-07-14 | 1995-07-14 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| US08/678,956 US5719648A (en) | 1995-07-14 | 1996-07-12 | Liquid crystal display apparatus and method for producing the same with electrodes for producing a reference signal outside display area |
| KR1019960028358A KR970007455A (ko) | 1995-07-14 | 1996-07-13 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17927195A JPH0933874A (ja) | 1995-07-14 | 1995-07-14 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0933874A true JPH0933874A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16062929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17927195A Withdrawn JPH0933874A (ja) | 1995-07-14 | 1995-07-14 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5719648A (ja) |
| JP (1) | JPH0933874A (ja) |
| KR (1) | KR970007455A (ja) |
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| JP2011053605A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Citizen Holdings Co Ltd | 液晶光学素子とその製造方法及びこの液晶光学素子を備えたピックアップ装置 |
| CN101542372B (zh) | 2007-02-19 | 2011-09-21 | 东芝松下显示技术有限公司 | 液晶盒用长条状母材、液晶盒用多单元母材、阵列基板用基板、及液晶盒的制造方法 |
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| KR100430098B1 (ko) * | 1999-01-11 | 2004-05-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정패널 구동장치 |
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| KR100582598B1 (ko) * | 2000-10-25 | 2006-05-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 빛샘 현상을 방지하는 액정표시장치 |
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| KR20020052137A (ko) * | 2000-12-23 | 2002-07-02 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시장치 |
| KR100394026B1 (ko) | 2000-12-27 | 2003-08-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 구동방법 |
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| JP4544809B2 (ja) * | 2001-07-18 | 2010-09-15 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置 |
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| KR101266723B1 (ko) * | 2006-05-01 | 2013-05-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치와 그 구동방법 |
| KR101094289B1 (ko) * | 2009-10-14 | 2011-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 원장 검사 장치 및 그 검사 방법 |
| US11369862B2 (en) * | 2017-07-18 | 2022-06-28 | ZmartFun Electronics, Inc. | Sensory chessboard and method for detecting positions of chess pieces on a chessboard and transmitting those positions to a computer or other electronic recording device |
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