JPH0935328A - 光学情報記録媒体 - Google Patents
光学情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH0935328A JPH0935328A JP8119977A JP11997796A JPH0935328A JP H0935328 A JPH0935328 A JP H0935328A JP 8119977 A JP8119977 A JP 8119977A JP 11997796 A JP11997796 A JP 11997796A JP H0935328 A JPH0935328 A JP H0935328A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diameter
- less
- thickness
- base material
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 成膜時に発生する基材の歪を抑制することを
課題とするものであり、成膜時における基材の変形が発
生しにくい光情報記録媒体を提供することを課題とす
る。 【解決手段】 厚さ０．８ｍｍ以下、かつ外径が８０ｍ
ｍφ以上１３０ｍｍφ以下の円盤状のプラスチック基材
上に少なくとも１層以上の形成層を有した光学情報記録
媒体において、内周に未成膜部を有し、該未成膜部の直
径がディスクの内径以上３５ｍｍ以下とする。
課題とするものであり、成膜時における基材の変形が発
生しにくい光情報記録媒体を提供することを課題とす
る。 【解決手段】 厚さ０．８ｍｍ以下、かつ外径が８０ｍ
ｍφ以上１３０ｍｍφ以下の円盤状のプラスチック基材
上に少なくとも１層以上の形成層を有した光学情報記録
媒体において、内周に未成膜部を有し、該未成膜部の直
径がディスクの内径以上３５ｍｍ以下とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザービーム等に
より情報を再生できる光学情報記録媒体に関するもの
で、特に基材の厚さが０．８ｍｍ以下といった薄い基材
においても歪が少なく、機械的精度が良好な光ディスク
に関するものである。
より情報を再生できる光学情報記録媒体に関するもの
で、特に基材の厚さが０．８ｍｍ以下といった薄い基材
においても歪が少なく、機械的精度が良好な光ディスク
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光情報記録媒体は、高密度で大容量であ
ることから注目され、これまでにも様々な用途で使用さ
れている。例えば、再生専用の光ディスクとしては、コ
ンパクトディスクやデータ再生専用のＣＤ−ＲＯＭ等が
あり、音楽分野、コンピュータ分野、ゲーム分野等にお
いて広く使用されている。また、一回だけ記録可能な追
記型光ディスクは、文書ファイリングシステム、データ
ファイリングシステム等で特にデータのセキュリティが
重要視される分野で利用されている。
ることから注目され、これまでにも様々な用途で使用さ
れている。例えば、再生専用の光ディスクとしては、コ
ンパクトディスクやデータ再生専用のＣＤ−ＲＯＭ等が
あり、音楽分野、コンピュータ分野、ゲーム分野等にお
いて広く使用されている。また、一回だけ記録可能な追
記型光ディスクは、文書ファイリングシステム、データ
ファイリングシステム等で特にデータのセキュリティが
重要視される分野で利用されている。
【０００３】さらに、記録された情報の消去と再記録が
できる書換え可能型光ディスクは、データの修復や更新
が可能であるとともに、書換えによって繰り返し使用で
きるため、光ディスクの用途拡大に貢献するものとして
期待される。このような書換え可能型光ディスクとして
は、これまでに光磁気ディスクや相変化ディスクが実用
化されており、データファイル等に使用されている。
できる書換え可能型光ディスクは、データの修復や更新
が可能であるとともに、書換えによって繰り返し使用で
きるため、光ディスクの用途拡大に貢献するものとして
期待される。このような書換え可能型光ディスクとして
は、これまでに光磁気ディスクや相変化ディスクが実用
化されており、データファイル等に使用されている。
【０００４】光ディスクシステムをさらに大容量化する
には高密度化をはかる必要がある。光情報記録媒体の高
密度化にはレーザのスポット径を小さくすることが有効
な手法であり、スポット径はレーザ波長に比例し、対物
レンズの開口数（ＮＡ）に反比例する。そのため、高Ｎ
Ａ化はスポット径を小さくするうえで有効な手段である
が、ＮＡが大きくなるとディスクの傾きに対して収差が
増大しやすくなり、ディスクの傾き角（Ｔｉｌｔ）によ
る影響が大きくなる。
には高密度化をはかる必要がある。光情報記録媒体の高
密度化にはレーザのスポット径を小さくすることが有効
な手法であり、スポット径はレーザ波長に比例し、対物
レンズの開口数（ＮＡ）に反比例する。そのため、高Ｎ
Ａ化はスポット径を小さくするうえで有効な手段である
が、ＮＡが大きくなるとディスクの傾きに対して収差が
増大しやすくなり、ディスクの傾き角（Ｔｉｌｔ）によ
る影響が大きくなる。
【０００５】この収差は基材の厚さと（ＮＡ）3 に比例
し、この収差を小さくする方法として、基材の薄板化が
ある。例えば、従来のＣＤなどで使われている１．２ｍ
ｍの基材においてはＮＡを０．６以上とするとディスク
の傾き角が４ｍｒａｄ程度しか許容できず、実際の使用
環境あるいは生産性等を考慮すると現実的ではない。し
かし、例えば０．６ｍｍの基材を用いた場合には、ＮＡ
が０．６においてもディスクの傾き角が８ｍｒａｄ程度
まで許容できるようになり、十分実用的に使用可能な範
囲となる（Ｔ．Ｓｕｇａｙａ ｅｔ ａｌ．：Ｊｐｎ．
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．３２（１９９３）５４０
２．、Ｔ．Ｏｈｔａ ｅｔ ａｌ．：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．３２（１９９３）５２１４．）。
し、この収差を小さくする方法として、基材の薄板化が
ある。例えば、従来のＣＤなどで使われている１．２ｍ
ｍの基材においてはＮＡを０．６以上とするとディスク
の傾き角が４ｍｒａｄ程度しか許容できず、実際の使用
環境あるいは生産性等を考慮すると現実的ではない。し
かし、例えば０．６ｍｍの基材を用いた場合には、ＮＡ
が０．６においてもディスクの傾き角が８ｍｒａｄ程度
まで許容できるようになり、十分実用的に使用可能な範
囲となる（Ｔ．Ｓｕｇａｙａ ｅｔ ａｌ．：Ｊｐｎ．
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．３２（１９９３）５４０
２．、Ｔ．Ｏｈｔａ ｅｔ ａｌ．：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．３２（１９９３）５２１４．）。
【０００６】また、０．６ｍｍの基材を用いた場合に
は、１．２ｍｍ基材に対して体積あたりの記録容量を単
純に２倍にすることができ、媒体あるいは装置のサイズ
を大きくする事なく大容量化をはかれる点からも好まし
い。このように、Ｔｉｌｔによる影響を低減するために
は、ディスクのプラスチック基材の厚さを薄くする方法
が有効であり、この方法は今後高密度な次世代光ディス
ク基材の厚さとして本流になりつつある。
は、１．２ｍｍ基材に対して体積あたりの記録容量を単
純に２倍にすることができ、媒体あるいは装置のサイズ
を大きくする事なく大容量化をはかれる点からも好まし
い。このように、Ｔｉｌｔによる影響を低減するために
は、ディスクのプラスチック基材の厚さを薄くする方法
が有効であり、この方法は今後高密度な次世代光ディス
ク基材の厚さとして本流になりつつある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、プラスチック
基材の強度は基材の厚さと相関があり、基材が薄くなる
と基材の強度が弱くなる。このため、特にプラスチック
基材を用いると成膜過程で薄膜の応力や熱により図３の
ように基材１に歪２が発生するという問題があり、良好
な機械精度が得られないという問題があった。
基材の強度は基材の厚さと相関があり、基材が薄くなる
と基材の強度が弱くなる。このため、特にプラスチック
基材を用いると成膜過程で薄膜の応力や熱により図３の
ように基材１に歪２が発生するという問題があり、良好
な機械精度が得られないという問題があった。
【０００８】この歪の原因は膜の応力（全応力）による
もので、膜の内部応力と膜厚の積によって決まる。基材
の歪は特にフォーカス加速度を悪化させるため、レーザ
が追従できなくなり、オフフォーカス状態となってエラ
ーが発生する。あるいは最悪の場合、フォーカスが外れ
てしまいシステムダウンするなどトラブルの要因とな
る。
もので、膜の内部応力と膜厚の積によって決まる。基材
の歪は特にフォーカス加速度を悪化させるため、レーザ
が追従できなくなり、オフフォーカス状態となってエラ
ーが発生する。あるいは最悪の場合、フォーカスが外れ
てしまいシステムダウンするなどトラブルの要因とな
る。
【０００９】プラスチック基材の歪を抑えるには基材上
に設けられる膜の全応力を小さくすることも１つの手段
ではあるが、この方法では形成層の膜厚を薄くしたり、
応力の小さい材料を用いたり、あるいは成膜条件を変更
するなどにより膜の内部応力を小さくする必要がある。
しかし、これらの方法では膜の構造や材料、成膜条件が
制限されてしまい、必ずしも良好な信号特性との両立を
はかれるものではない。
に設けられる膜の全応力を小さくすることも１つの手段
ではあるが、この方法では形成層の膜厚を薄くしたり、
応力の小さい材料を用いたり、あるいは成膜条件を変更
するなどにより膜の内部応力を小さくする必要がある。
しかし、これらの方法では膜の構造や材料、成膜条件が
制限されてしまい、必ずしも良好な信号特性との両立を
はかれるものではない。
【００１０】本発明ではこれらの制限を受けずに、成膜
時に発生する基材の歪を抑制することを課題とするもの
であり、成膜時における基材の変形が発生しにくい光情
報記録媒体を提供することを課題とするものであり、特
に基材の厚さが０．８ｍｍ以下といった薄いプラスチッ
ク基材において有効な光情報記録媒体を提供することを
課題とする。
時に発生する基材の歪を抑制することを課題とするもの
であり、成膜時における基材の変形が発生しにくい光情
報記録媒体を提供することを課題とするものであり、特
に基材の厚さが０．８ｍｍ以下といった薄いプラスチッ
ク基材において有効な光情報記録媒体を提供することを
課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、薄膜を形
成した領域と薄膜を形成していない未成膜領域との全応
力のアンバランスがもとで基材の局所的な歪が発生して
いることを見いだし、アンバランスな領域をなくす、あ
るいは、応力が緩和され易い箇所にアンバランスな領域
を設けることにより基材の歪を抑えることができると考
え、本発明をなすに至った。
成した領域と薄膜を形成していない未成膜領域との全応
力のアンバランスがもとで基材の局所的な歪が発生して
いることを見いだし、アンバランスな領域をなくす、あ
るいは、応力が緩和され易い箇所にアンバランスな領域
を設けることにより基材の歪を抑えることができると考
え、本発明をなすに至った。
【００１２】すなわち、本発明の請求項１に係る光学情
報記録媒体は、厚さ０．８ｍｍ以下、かつ外径が８０ｍ
ｍφ以上１３０ｍｍφ以下の円盤状のプラスチック基材
上に少なくとも１層以上の形成層を有した光学情報記録
媒体において、内周に未成膜部を有し、該未成膜部の直
径がディスクの内径以上３５ｍｍ以下であることを特徴
とする。
報記録媒体は、厚さ０．８ｍｍ以下、かつ外径が８０ｍ
ｍφ以上１３０ｍｍφ以下の円盤状のプラスチック基材
上に少なくとも１層以上の形成層を有した光学情報記録
媒体において、内周に未成膜部を有し、該未成膜部の直
径がディスクの内径以上３５ｍｍ以下であることを特徴
とする。
【００１３】また、請求項２に係る光学情報記録媒体
は、形成層の全応力が０．１Ｎ／ｍ以上であることを特
徴とする。成膜装置に基材を取り付ける際、図２に示し
たように基材１の内周部と外周部を内周マスク６と外周
マスク５を用いて保持するのが一般的であり、その結
果、図１に示すように基材１の成膜部分９の両側の内周
部８と外周部７に未成膜領域が発生する。
は、形成層の全応力が０．１Ｎ／ｍ以上であることを特
徴とする。成膜装置に基材を取り付ける際、図２に示し
たように基材１の内周部と外周部を内周マスク６と外周
マスク５を用いて保持するのが一般的であり、その結
果、図１に示すように基材１の成膜部分９の両側の内周
部８と外周部７に未成膜領域が発生する。
【００１４】そのため、基材の面内において応力が発生
する部分と発生しない部分が存在し、その応力の不均一
により歪が発生する。歪を少なくするには応力の不均一
をなくす必要があり、そのためには内周の未成膜部分の
大きさを３５ｍｍ以下に小さくする必要がある。より好
ましくは内周の未成膜部分の大きさを３２ｍｍ以下にす
るのがよい。
する部分と発生しない部分が存在し、その応力の不均一
により歪が発生する。歪を少なくするには応力の不均一
をなくす必要があり、そのためには内周の未成膜部分の
大きさを３５ｍｍ以下に小さくする必要がある。より好
ましくは内周の未成膜部分の大きさを３２ｍｍ以下にす
るのがよい。
【００１５】また、ディスク基材の内径としては直径１
５ｍｍが一般的であるが、未成膜部分の直径は内径以上
に制限される。さらに、該円盤状プラスチック基材の作
成は、一般的に射出成形法が広く用いられているが、こ
の際、スタンパーを固定する内周スタンパー押さえの爪
部の跡が円盤状プラスチック基材に形成される。この内
周スタンパー押さえの爪部跡が、成膜部分より外周側に
あると成膜部分を紫外線硬化樹脂で被膜する際、紫外線
硬化樹脂が均一に塗れなくなり好ましくない。従って、
未成膜部分の直径は、内周スタンパー押さえの爪部跡の
直径よりも大きくするのが望ましい。
５ｍｍが一般的であるが、未成膜部分の直径は内径以上
に制限される。さらに、該円盤状プラスチック基材の作
成は、一般的に射出成形法が広く用いられているが、こ
の際、スタンパーを固定する内周スタンパー押さえの爪
部の跡が円盤状プラスチック基材に形成される。この内
周スタンパー押さえの爪部跡が、成膜部分より外周側に
あると成膜部分を紫外線硬化樹脂で被膜する際、紫外線
硬化樹脂が均一に塗れなくなり好ましくない。従って、
未成膜部分の直径は、内周スタンパー押さえの爪部跡の
直径よりも大きくするのが望ましい。
【００１６】本発明の検討によれば、プラスチック基材
に設けられる膜の材料については特に制限はなく、構造
も単層、積層の制限をするものではないが、本発明は、
プラスチック基材上に設けられる膜の全応力、すなわち
内部応力×膜厚が０．１Ｎ／ｍ以上の、応力が比較的大
きい構造を有する媒体において、特に効果を発揮するも
のである。
に設けられる膜の材料については特に制限はなく、構造
も単層、積層の制限をするものではないが、本発明は、
プラスチック基材上に設けられる膜の全応力、すなわち
内部応力×膜厚が０．１Ｎ／ｍ以上の、応力が比較的大
きい構造を有する媒体において、特に効果を発揮するも
のである。
【００１７】情報の書き換えが可能な光ディスクとして
は、相変化型光ディスクや光磁気ディスクが代表的なも
のであるが、どちらも図４、図５に示すように、円盤状
プラスチック基材上に３層または４層の多層膜を有する
積層構造となっている。すなわち、ポリカーボネート樹
脂等の透明基板１１上に直接記録層１３を形成させず
に、記録層１３の上下面を保護層１２および１４で保護
している。なお、図５の４層構造ディスクでは、反射層
１５を設けてあるため、保護層４は干渉層としての作用
も有する。保護層の材料としては、一般に、ＺｎＳ、Ｓ
ｉＯ2、ＳｉＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ
Ｎ、ＭｇＦ2、ＳｉＣ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2などの硫化物、
酸化物、窒化物、フッ化物、炭化物、またはそれらの混
合物などの、比較的内部応力が大きい材料が用いられ
る。また、透明基板１１と記録層１３との間に設けられ
る保護層１２の膜厚は、繰り返し記録、消去を行ったと
きに、透明基板への熱的ダメージを防ぐ、また、プラス
チック基材からの水分の侵入等を防ぐために５０ｎｍ以
上の膜厚を設けるのが一般的であり、膜の全応力として
は０．１Ｎ／ｍ以上の値となるのが通常であり、従っ
て、本発明は、厚さ０．８ｍｍ以下、かつ外径が８０ｍ
ｍφ以上１３０ｍｍφ以下のプラスチック基材を用い
た、情報の書き換えが可能な光ディスク媒体において特
に有効である。
は、相変化型光ディスクや光磁気ディスクが代表的なも
のであるが、どちらも図４、図５に示すように、円盤状
プラスチック基材上に３層または４層の多層膜を有する
積層構造となっている。すなわち、ポリカーボネート樹
脂等の透明基板１１上に直接記録層１３を形成させず
に、記録層１３の上下面を保護層１２および１４で保護
している。なお、図５の４層構造ディスクでは、反射層
１５を設けてあるため、保護層４は干渉層としての作用
も有する。保護層の材料としては、一般に、ＺｎＳ、Ｓ
ｉＯ2、ＳｉＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ
Ｎ、ＭｇＦ2、ＳｉＣ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2などの硫化物、
酸化物、窒化物、フッ化物、炭化物、またはそれらの混
合物などの、比較的内部応力が大きい材料が用いられ
る。また、透明基板１１と記録層１３との間に設けられ
る保護層１２の膜厚は、繰り返し記録、消去を行ったと
きに、透明基板への熱的ダメージを防ぐ、また、プラス
チック基材からの水分の侵入等を防ぐために５０ｎｍ以
上の膜厚を設けるのが一般的であり、膜の全応力として
は０．１Ｎ／ｍ以上の値となるのが通常であり、従っ
て、本発明は、厚さ０．８ｍｍ以下、かつ外径が８０ｍ
ｍφ以上１３０ｍｍφ以下のプラスチック基材を用い
た、情報の書き換えが可能な光ディスク媒体において特
に有効である。
【００１８】本発明の基材に用いられるプラスチックと
しては、ポリカーボネート樹脂やアクリ樹脂、エポキシ
樹脂、ポリスチレン樹脂等といったプラスチック材料を
挙げることができるが、光学的および強度面からポリカ
ーボネート樹脂が好ましい。本発明のプラスチック基材
上に設けられる形成層の形成方法については特に制限な
く、公知の方法、例えば真空蒸着、スパッタリング、イ
オンビームスパッタリング、イオンビーム蒸着、イオン
プレーティング、電子ビーム蒸着、プラズマ重合等の方
法を、目的、材料等に応じて適宜採用することができ
る。
しては、ポリカーボネート樹脂やアクリ樹脂、エポキシ
樹脂、ポリスチレン樹脂等といったプラスチック材料を
挙げることができるが、光学的および強度面からポリカ
ーボネート樹脂が好ましい。本発明のプラスチック基材
上に設けられる形成層の形成方法については特に制限な
く、公知の方法、例えば真空蒸着、スパッタリング、イ
オンビームスパッタリング、イオンビーム蒸着、イオン
プレーティング、電子ビーム蒸着、プラズマ重合等の方
法を、目的、材料等に応じて適宜採用することができ
る。
【００１９】本発明は全応力、すなわち内部応力×膜厚
が０．１Ｎ／ｍ以上の応力が比較的大きい構造を有する
媒体において、特に効果を発揮するものである。本発明
の基材に用いられるプラスチックとしては、ポリカーボ
ネートやアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン
等といったプラスチック材料をあげることができるが、
光学的および強度面からポリカーボネート樹脂が好まし
い。
が０．１Ｎ／ｍ以上の応力が比較的大きい構造を有する
媒体において、特に効果を発揮するものである。本発明
の基材に用いられるプラスチックとしては、ポリカーボ
ネートやアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン
等といったプラスチック材料をあげることができるが、
光学的および強度面からポリカーボネート樹脂が好まし
い。
【００２０】本発明の検討によれば、プラスチック基材
に設けられる膜の材料については特に制限はなく、構造
も単層、積層の制限もない。本発明の層の形成方法につ
いては特に制限なく、公知の方法、例えば真空蒸着、ス
パッタリング、イオンビームスパッタリング、イオンビ
ーム蒸着、イオンプレーティング、電子ビーム蒸着、プ
ラズマ重合等の方法を目的、材料等に応じて適宜採用す
ることができる。
に設けられる膜の材料については特に制限はなく、構造
も単層、積層の制限もない。本発明の層の形成方法につ
いては特に制限なく、公知の方法、例えば真空蒸着、ス
パッタリング、イオンビームスパッタリング、イオンビ
ーム蒸着、イオンプレーティング、電子ビーム蒸着、プ
ラズマ重合等の方法を目的、材料等に応じて適宜採用す
ることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明を詳細
に説明する。
に説明する。
【００２２】
【実施例１】外径８６ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ０．６
ｍｍのポリカーボネート基材の上に、厚さ２００ｎｍの
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる保護層、厚さ３０ｎｍのＳｂ
ＴｅＧｅからなる記録層、厚さ２０ｎｍのＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 からなる保護層、厚さ５０ｎｍのＡｌを主成分とす
る反射層を順次スパッタリング法により積層し、さらに
反射層の表面を紫外線硬化型樹脂で被膜することにより
ディスクを作成した。
ｍｍのポリカーボネート基材の上に、厚さ２００ｎｍの
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる保護層、厚さ３０ｎｍのＳｂ
ＴｅＧｅからなる記録層、厚さ２０ｎｍのＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 からなる保護層、厚さ５０ｎｍのＡｌを主成分とす
る反射層を順次スパッタリング法により積層し、さらに
反射層の表面を紫外線硬化型樹脂で被膜することにより
ディスクを作成した。
【００２３】このようにして作成した２枚の片面ディス
クを基材側を外側にしてホットメルト接着剤で接着する
ことにより、全面接着構造の相変化型光ディスクとし
た。成膜の際、成膜装置に取り付けるための内周マスク
の直径（＝未成膜部分の直径）を変化させて基材の変形
の度合いを調査した。変形度合いは精度検査機で半径２
４ｍｍにおいてフォーカス加速度を測定することで評価
した。精度検査機はレーザ光の波長６８０ｎｍ、対物レ
ンズのＮＡ０．６を用いて回転速度１８００ｒｐｍで測
定を行った。
クを基材側を外側にしてホットメルト接着剤で接着する
ことにより、全面接着構造の相変化型光ディスクとし
た。成膜の際、成膜装置に取り付けるための内周マスク
の直径（＝未成膜部分の直径）を変化させて基材の変形
の度合いを調査した。変形度合いは精度検査機で半径２
４ｍｍにおいてフォーカス加速度を測定することで評価
した。精度検査機はレーザ光の波長６８０ｎｍ、対物レ
ンズのＮＡ０．６を用いて回転速度１８００ｒｐｍで測
定を行った。
【００２４】表１に内周マスクの直径に対するフォーカ
ス加速度の値を示す。
ス加速度の値を示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】Ｎｏ．４のようにフォーカス加速度が１
１．７ｍ／ｓ2 であるとオフフォーカス状態になりやす
いため実用上好ましくない。つまり実用上問題のないフ
ォーカス加速度にするには内周の未成膜部分を３５ｍｍ
以下にすることが必要である。また、マスクの直径を３
２ｍｍすることにより、さらにフォーカス加速度は小さ
くなるので未成膜部分を３２ｍｍ以下にすることがより
好ましい。
１．７ｍ／ｓ2 であるとオフフォーカス状態になりやす
いため実用上好ましくない。つまり実用上問題のないフ
ォーカス加速度にするには内周の未成膜部分を３５ｍｍ
以下にすることが必要である。また、マスクの直径を３
２ｍｍすることにより、さらにフォーカス加速度は小さ
くなるので未成膜部分を３２ｍｍ以下にすることがより
好ましい。
【００２７】
【実施例２】外径８６ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ０．６
ｍｍのポリカーボネート基材の上に、厚さ１００〜３０
０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる保護層（下側保護
層）、厚さ３０ｎｍのＳｂＴｅＧｅからなる記録層、厚
さ２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる保護層、厚さ５
０ｎｍのＡｌを主成分とする反射層を順次スパッタリン
グ法により積層し、さらに反射層の表面を紫外線硬化型
樹脂で被膜することによりディスクを作成した。
ｍｍのポリカーボネート基材の上に、厚さ１００〜３０
０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる保護層（下側保護
層）、厚さ３０ｎｍのＳｂＴｅＧｅからなる記録層、厚
さ２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる保護層、厚さ５
０ｎｍのＡｌを主成分とする反射層を順次スパッタリン
グ法により積層し、さらに反射層の表面を紫外線硬化型
樹脂で被膜することによりディスクを作成した。
【００２８】このようにして作成した２枚の片面ディス
クを基材側を外側にしてホットメルト接着剤で接着する
ことにより、全面接着構造の相変化型光ディスクとし
た。内周マスクには直径３２ｍｍのマスクを用いた。基
材の変形度合いは上述と同様にフォーカス加速度を測定
することで評価した。精度検査機はレーザ光の波長６８
０ｎｍ、対物レンズのＮＡ０．６を用いて回転速度１８
００ｒｐｍで測定を行った。
クを基材側を外側にしてホットメルト接着剤で接着する
ことにより、全面接着構造の相変化型光ディスクとし
た。内周マスクには直径３２ｍｍのマスクを用いた。基
材の変形度合いは上述と同様にフォーカス加速度を測定
することで評価した。精度検査機はレーザ光の波長６８
０ｎｍ、対物レンズのＮＡ０．６を用いて回転速度１８
００ｒｐｍで測定を行った。
【００２９】また、ポリカーボネート基材と同時に厚さ
２０μｍのカプトン基材上にも成膜し、その曲がりの曲
率半径より材料の応力を求めた。薄膜の膜厚が基材の厚
さに対して薄いとき薄膜の内部応力（σ）および全応力
（σｔ）は次のように近似される。 内部応力 σ ＝（Ｅｄ2 ）／（６（１−ν）ｒｔ） 全応力 σｔ＝（Ｅｄ2 ）／（６（１−ν）ｒ） Ｅ：基材のヤング率 ｄ：基材の厚さ ν：基材のポアソン比 ｒ：曲率半径 ｔ：薄膜の膜厚 この式により、Ｅ＝２５Ｎ／ｍｍ2 、ν＝０．３として
薄膜の応力を求めた。
２０μｍのカプトン基材上にも成膜し、その曲がりの曲
率半径より材料の応力を求めた。薄膜の膜厚が基材の厚
さに対して薄いとき薄膜の内部応力（σ）および全応力
（σｔ）は次のように近似される。 内部応力 σ ＝（Ｅｄ2 ）／（６（１−ν）ｒｔ） 全応力 σｔ＝（Ｅｄ2 ）／（６（１−ν）ｒ） Ｅ：基材のヤング率 ｄ：基材の厚さ ν：基材のポアソン比 ｒ：曲率半径 ｔ：薄膜の膜厚 この式により、Ｅ＝２５Ｎ／ｍｍ2 、ν＝０．３として
薄膜の応力を求めた。
【００３０】表２に全応力とフォーカス加速度の値を示
す。
す。
【００３１】
【表２】
【００３２】この結果から、内周マスクの直径を３２ｍ
ｍにした場合は全応力が０．１Ｎ／ｍ以上と比較的全応
力が大きい形成層を設けた場合でも特に基材の歪はみら
れず、良好なフォーカス加速度の値が得られている。つ
まり、本発明は０．１Ｎ／ｍ以上の応力を有する膜を設
けた場合でも効果がみられる。
ｍにした場合は全応力が０．１Ｎ／ｍ以上と比較的全応
力が大きい形成層を設けた場合でも特に基材の歪はみら
れず、良好なフォーカス加速度の値が得られている。つ
まり、本発明は０．１Ｎ／ｍ以上の応力を有する膜を設
けた場合でも効果がみられる。
【００３３】
【実施例３】外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ０．
６ｍｍのポリカーボネート基材の上に、厚さ１５０ｎｍ
のＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる保護層、厚さ２５ｎｍのＳ
ｂＴｅＧｅからなる記録層、厚さ２０ｎｍのＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2からなる保護層、厚さ１００ｎｍのＡｌを主成分
とする反射層を順次スパッタリング法により積層し、さ
らに反射層の表面を紫外線硬化型樹脂で被覆することに
よりディスクを作製した。
６ｍｍのポリカーボネート基材の上に、厚さ１５０ｎｍ
のＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる保護層、厚さ２５ｎｍのＳ
ｂＴｅＧｅからなる記録層、厚さ２０ｎｍのＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2からなる保護層、厚さ１００ｎｍのＡｌを主成分
とする反射層を順次スパッタリング法により積層し、さ
らに反射層の表面を紫外線硬化型樹脂で被覆することに
よりディスクを作製した。
【００３４】このようにして作成した２枚の片面ディス
クを基材側を外側にしてホットメルト接着剤で接着剤で
接着することにより、全面接着構造の相変化型光ディス
クとした。成膜の際、成膜装置に取り付けるための内周
マスクの直径（＝未成膜部分の直径）を変化させて基材
の変形の度合いを調査した。変形度合いは精度検査機で
半径２４ｍｍにおいてフォーカス加速度を測定すること
で評価した。精度検査機はレーザ光の波長６８０ｎｍ、
対物レンズのＮＡ０．６を用いて回転速度１８００ｒｐ
ｍで測定を行った。
クを基材側を外側にしてホットメルト接着剤で接着剤で
接着することにより、全面接着構造の相変化型光ディス
クとした。成膜の際、成膜装置に取り付けるための内周
マスクの直径（＝未成膜部分の直径）を変化させて基材
の変形の度合いを調査した。変形度合いは精度検査機で
半径２４ｍｍにおいてフォーカス加速度を測定すること
で評価した。精度検査機はレーザ光の波長６８０ｎｍ、
対物レンズのＮＡ０．６を用いて回転速度１８００ｒｐ
ｍで測定を行った。
【００３５】表３に内周マスクの直径に対するフォーカ
ス加速度の値を示す。
ス加速度の値を示す。
【００３６】
【表３】
【００３７】外径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカ
ーボネート基材を用いた場合、内周マスク径が３８ｍｍ
以上では、内周側の成膜部分と未成膜部分の応力の不均
一の影響で、発生する歪みがかなり大きい。内周マスク
径を３５ｍｍ以下、すなわち内周の未成膜部分を３５ｍ
ｍ以下とすることで発生する歪みをかなり抑制すること
が可能であり、この結果より、内周の未成膜部分は少な
くとも３５ｍｍ以下に設定する必要がある。さらに、ド
ライブのバラツキ等を考慮して、複数のドライブでも安
定した記録再生を実現するには、マスク径を３２ｍｍ以
下にすることで、フォーカス加速度はより良好となるた
め、未成膜部分を３２ｍｍ以下に設定するのがより好ま
しい。
ーボネート基材を用いた場合、内周マスク径が３８ｍｍ
以上では、内周側の成膜部分と未成膜部分の応力の不均
一の影響で、発生する歪みがかなり大きい。内周マスク
径を３５ｍｍ以下、すなわち内周の未成膜部分を３５ｍ
ｍ以下とすることで発生する歪みをかなり抑制すること
が可能であり、この結果より、内周の未成膜部分は少な
くとも３５ｍｍ以下に設定する必要がある。さらに、ド
ライブのバラツキ等を考慮して、複数のドライブでも安
定した記録再生を実現するには、マスク径を３２ｍｍ以
下にすることで、フォーカス加速度はより良好となるた
め、未成膜部分を３２ｍｍ以下に設定するのがより好ま
しい。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、厚さ０．８ｍｍ以下、
かつ外径が８０ｍｍφ以上１３０ｍｍφ以下の円盤状の
プラスチック基材の内周の未成膜部分の直径がディスク
の内径以上３５ｍｍ以下とすることで、基材の変形を抑
え機械精度のよい光学情報記録媒体を提供することがで
きる。
かつ外径が８０ｍｍφ以上１３０ｍｍφ以下の円盤状の
プラスチック基材の内周の未成膜部分の直径がディスク
の内径以上３５ｍｍ以下とすることで、基材の変形を抑
え機械精度のよい光学情報記録媒体を提供することがで
きる。
【図１】本発明の光学情報記録媒体の模式図である。
【図２】光ディスクの基材を成膜装置に保持する内周マ
スク、外周マスクの概略図である。
スク、外周マスクの概略図である。
【図３】光ディスクの基材の歪を示す概略図である。
【図４】光ディスクの３層構造を示す図である。
【図５】光ディスクの４層構造を示す図である。
１ 基材 ２ 歪 ５ 外周マスク ６ 内周マスク ７ 未成膜領域（外周部） ８ 未成膜領域（内周部） ９ 成膜部分 １１ 透明基板 １２ 保護層 １３ 記録層 １４ 保護層 １５ 反射層
Claims (2)
- 【請求項１】 厚さ０．８ｍｍ以下、かつ外径が８０ｍ
ｍφ以上１３０ｍｍφ以下の円盤状のプラスチック基材
上に少なくとも１層以上の形成層を有した光学情報記録
媒体において、内周に未成膜部を有し、該未成膜部の直
径がディスクの内径以上３５ｍｍ以下であることを特徴
とする光学情報記録媒体。 - 【請求項２】 形成層の全応力が０．１Ｎ／ｍ以上であ
ることを特徴とする請求項１に記載の光学情報記録媒
体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8119977A JPH0935328A (ja) | 1995-05-16 | 1996-05-15 | 光学情報記録媒体 |
| TW085114019A TW319868B (ja) | 1995-05-16 | 1996-11-15 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11703695 | 1995-05-16 | ||
| JP7-117036 | 1995-05-16 | ||
| JP8119977A JPH0935328A (ja) | 1995-05-16 | 1996-05-15 | 光学情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0935328A true JPH0935328A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=26455226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8119977A Pending JPH0935328A (ja) | 1995-05-16 | 1996-05-15 | 光学情報記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0935328A (ja) |
| TW (1) | TW319868B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6258432B1 (en) | 1996-11-14 | 2001-07-10 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium and production method thereof |
-
1996
- 1996-05-15 JP JP8119977A patent/JPH0935328A/ja active Pending
- 1996-11-15 TW TW085114019A patent/TW319868B/zh active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6258432B1 (en) | 1996-11-14 | 2001-07-10 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium and production method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW319868B (ja) | 1997-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1187122A2 (en) | Method and apparatus for producing an optical information recording medium, and optical information recording medium | |
| JP3137657B2 (ja) | 光学情報記録媒体およびその製造方法 | |
| JPWO1998021718A1 (ja) | 光学情報記録媒体およびその製造方法 | |
| JP3742583B2 (ja) | 光情報記録媒体、および光情報記録媒体の製造方法 | |
| JPH09320117A (ja) | 光ディスク | |
| JPH0935328A (ja) | 光学情報記録媒体 | |
| JPH0660423A (ja) | 薄型光記録媒体 | |
| JP3537701B2 (ja) | 光学記録媒体、光学記録媒体の製造方法、および、光学記録媒体の製造装置 | |
| KR101017004B1 (ko) | 광기록 매체 및 그 제조 방법 | |
| US20050153094A1 (en) | Optical storage medium | |
| JP4085300B2 (ja) | 相変化型光ディスク媒体および該媒体の初期化方法 | |
| JP2002269826A (ja) | 相変化型光情報記録媒体 | |
| JPS60197957A (ja) | 光デイスクメモリ | |
| JPH10334518A (ja) | 光ディスク及びスタンパー | |
| JPH02227285A (ja) | 光カード | |
| JPH11144324A (ja) | 光ディスク媒体 | |
| JPH03263625A (ja) | 情報記録用媒体 | |
| JPH08321079A (ja) | 光ディスク | |
| JP2003006923A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JPS5936340A (ja) | 情報記憶媒体用原盤及びその製造方法 | |
| JP2000100005A (ja) | 光学的情報記録媒体の製造方法 | |
| JPH11265529A (ja) | 光学情報記録媒体の製造方法及び成膜装置 | |
| JPH0757303A (ja) | 光学的情報記録担体の製造方法および情報記録担体 | |
| JP2002269815A (ja) | 相変化型光情報記録媒体 | |
| JPH1153771A (ja) | 光ディスク |