JPH0936017A

JPH0936017A - パタン形成方法及びそれを用いた半導体素子の製造方法

Info

Publication number: JPH0936017A
Application number: JP7183826A
Authority: JP
Inventors: Norio Hasegawa; 昇雄長谷川; Tsuneo Terasawa; 恒男寺澤; Hiroshi Shiraishi; 洋白石; Katsuya Hayano; 勝也早野; Akira Imai; 彰今井; Toshihiko Tanaka; 稔彦田中; Naoko Asai; 尚子浅井; Shinji Okazaki; 信次岡崎
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1995-07-20
Filing date: 1995-07-20
Publication date: 1997-02-07

Abstract

(57)【要約】【構成】レジスト膜１２上に屈折率の高いオーバコー
ト膜１３を設け、投影露光する。【効果】オーバコート膜に斜めから入射した光は膜表
面で垂直方向に屈折するため実効的な焦点深度が向上す
る。基板段差や、焦点位置のばらつきが実効的に小さく
なりパタン形成精度が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は投影露光法を用いたリソ
フラフィ技術に係わり、特に、実効的な焦点深度を向上
させたパタン形成方法及びそれを用いた半導体素子の製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】投影露光法を用いたパタンの形成方法
は、半導体素子の製造を代表とする、種々の分野に適用
されている。近年のパタンの微細化要求に応え、投影露
光装置はレンズの高ＮＡ化や、露光光の短波長化が進め
られている。しかし、レイリーの原理により、レンズの
高ＮＡ化や短波長化では焦点深度の低下が問題となり、
更なる微細化を達成することは困難となってきつつあ
る。焦点深度を向上させる方法としては、ホトマスクに
位相差を与えた位相シフトマスクを用いる方法や、基板
そのものを平坦化するＣＭＰ法（ケミカル・メカニカル
・ポリッシング法）などが知られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
は、適用できる工程が限られていることや、工程が複雑
であることが問題である。たとえば、半導体素子の電極
配線の形成に位相シフトマスクを用いる場合は、ネガ型
レジストを用いる必要がある。さらに、位相シフタの配
置に矛盾が生じる場合があり、パタンレイアウトに制約
を受け、設計に大幅な時間がかかる。試行錯誤が必要で
ある。また、ＣＭＰ技術では、平坦化加工できる膜や工
程に制限があり、すべての工程に適用することは困難で
ある。

【０００４】本発明の目的は、適用工程に制限が無く、
さらに簡単に焦点深度を向上できるパタンの製造方法及
びそれを用いた微細で高性能な半導体素子の製造方法を
提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、レジスト膜上にオーバーコート膜を形
成した後、投影露光を行い、オーバーコート膜を除去し
た後に現像処理を行い、レジストパタンを形成した。オ
ーバーコート膜は現像前に水洗で除去できるように水溶
性にするのが望ましい。または、オーバーコート膜の屈
折率はレジスト膜の屈折率よりも大きいことが望まし
い。

【０００６】レジスト上にオーバーコート膜を形成する
方法は、例えばジャーナル・オブ・エレクトロケミカル
・ソサエティ(J.Electrochem.Soc.):SOLID-STATE SCIEN
CE AND TECHNOLOGY(July 1988)ページ1844-1846に開示
されている。本文献においては、段差上のレジスト膜表
面が平坦でないことに起因するパタン形状劣化を防止す
るために、表面が平坦な透明膜を形成しており、その膜
厚は基板の表面段差程度が良いこと、また、屈折率はレ
ジスト膜と同程度が良いことが開示されている。

【０００７】また、特開昭６０−３８８２１号公報で
は、基板で反射した露光光がレジスト膜／空気界面から
レジスト内に反射して戻る光を打ち消す方法として、レ
ジスト膜表面に透明膜を形成している。この透明膜は、
屈折率ｎがレジスト膜の屈折率よりも小さな√ｎ
_R（ｎ_R：レジストの屈折率）で、膜厚はλ／４ｎ（λ：
露光光の波長）であることが必要である。上記これら
の、方法では、本発明の目的である焦点深度の向上につ
いては何ら開示されていない。

【０００８】

【作用】本発明におけるレジスト上のオーバーコート膜
は、焦点深度を向上させる役目を持つ。

【０００９】図２に従来法を示す。２１が段差を持つ基
板、２２がホトレジストである。露光光２４は点２５お
よび２６で焦点を結んでいる。像形成可能な焦点深度は
２７および２８の領域である。焦点２５はレジスト表面
に位置している。露光光２４はレンズのＮＡ（開口数）
に依存した角度で斜方からレジストに入射し、レジスト
界面で屈折する。これにより、レジスト内での焦点深度
は実効的に深くなる。しかし、点２６は基板段差の影響
でレジスト界面が焦点位置より下方にずれているため、
空気中で焦点を結んでいる。このため、レジスト内では
像の形成が困難である。

【００１０】これに対し、本発明では、レジスト上に屈
折率の大きなオーバーコート膜を形成する。図１に本発
明の原理を示す。１１が段差を持つ基板、１２がホトレ
ジスト、１３がオーバーコート膜である。オーバーコー
ト膜は厚く被着するために表面は平坦化されている。し
かし、本発明においてはオーバコート膜の表面の平坦化
は必須では無い。露光光１４はオーバーコート膜に入射
し屈折する。焦点１５はレジスト表面に、焦点１６はオ
ーバーコート膜内に位置する。両焦点共に焦点深度が大
きくなっているために、レジスト内まで焦点深度領域が
達し、パタン解像が可能であることが判る。このよう
に、レジスト表面に屈折率の大きいオーバコート膜を被
着することにより、実質的に焦点深度の向上が可能であ
る。

【００１１】基板段差が無い場合でも有効であり、投影
露光面内での焦点位置の分布を減少する効果がある。

【００１２】図４に他の従来法を示す。４１が平坦な基
板、４５が被加工膜、４２がホトレジストである。露光
装置の投影レンズに像面歪などがあるため、一般に焦点
を結ぶ高さ方向の位置が面内で異なる。このため、露光
光４４は点４６および４７で焦点を結んでいる。像形成
可能な焦点深度を４８および４９とすると、４９ではレ
ジスト膜の基板側は焦点深度外になりパタンが解像しな
い。左右の焦点位置の差はＡ’、焦点深度が両者共満足
する範囲はＢ’である。

【００１３】本発明を適用した場合を図３に示す。３１
が平坦な基板、３５が被加工膜、３２がホトレジストで
ある。露光光３４は点３６および３７で焦点を結んでい
る。像形成可能な焦点深度は３８および３９とする。左
右の焦点位置の差はＡであり、従来法のＡ’よりも大き
くなっている。しかし、焦点深度が両者共満足する範囲
Ｂは従来法のＢ’よりも大きくなっており、両者共解像
できる範囲が増加することが判る。

【００１４】膜厚が同じならオーバコート膜の屈折率
は、大きい方が焦点深度向上効果は大きい。レジスト膜
の屈折率よりも大きいことが望ましい。これは、オーバ
コート膜表面での屈折角がより大きくなり、屈折後の光
線がより垂直方向に進行する光となるためである。あま
り屈折率が大きいとレジストとオーバコート膜の界面で
露光光の反射が起こるため好ましくない。オーバコート
膜の屈折率はレジスト膜の屈折率の１から２倍程度が好
ましい。但し、屈折率が１倍に近い場合にはレジスト膜
の１．５倍以上の膜厚で実用的な効果が得られるが、２
倍以上の膜厚のオ−バコ−ト膜を形成することがより望
ましい。

【００１５】また、レジスト膜の屈折率より小さくて
も、オ−バコ−ト膜の屈折率が１以上であれば膜厚をレ
ジスト膜の２倍以上にすることにより、実用的な焦点深
度の向上効果が得られる。

【００１６】また、オ−バコ−ト膜の屈折率をレジスト
膜の屈折率の２倍以上にする場合は、基板の反射防止処
理をするのが好ましい。すなわち、レジスト膜とオーバ
ーコート膜の屈折率が大きく異なると、レジスト膜とオ
ーバーコート膜の界面で基板からの反射光が反射し、レ
ジスト膜内での露光光の干渉が起こるためである。これ
を防止するには基板に反射防止処理をする必要がある。
なお、この反射防止は反射光を約半分以下にする事を意
味する。

【００１７】オーバコート膜付加の効果はレジスト膜厚
が薄いときに特に効果がある。すなわち、レジスト膜が
厚い場合は、レジスト膜そのものが焦点深度向上作用を
持つ。これに対してレジスト膜が薄い場合は、レジスト
膜自体の焦点深度向上効果は小さいため、本発明の効果
は大きくなる。

【００１８】今後、投影光学系の高ＮＡ化や、露光光に
ＫｒＦやＡｒＦエキシマレーザを用いて微細パタンを形
成する際は、焦点深度は小さくなり、さらに、レジスト
膜厚は解像パタン寸法に比例して、薄膜化することが必
要となる。これは、パタンの幅に対してパタン厚さが厚
くなり過ぎると、形成したパタンが倒れる現象などが発
生するためである。したがって、今後の微細パタン形成
においては焦点深度の低下が深刻な問題である。本発明
の効果はこれらの薄膜化したレジストに微細パタンを形
成する際に特に有効である。

【００１９】本発明により、焦点深度が深まるが、この
焦点深度からデバイス作成に必要な焦点深度を引いた焦
点余裕分、投影露光光学系をさらに高ＮＡ化できる。こ
の様な使い方をすると従来法に比べ、より微細なパタン
形成が可能となる。

【００２０】さらに、ＡｒＦなどのレジストプロセスで
はレジスト膜表面にパタンを形成するいわゆる表面反応
プロセスが、適用される可能性があり、この場合は特に
本発明の適用は焦点深度向上に有効である。本発明の適
用により実効的な焦点深度の向上が達成でき、ＵＬＳＩ
の微細化、並びに生産性を効率良く向上することが可能
である。

【００２１】

【実施例】

（実施例１）本発明の第１の実施例を各工程の断面図を
用いて説明する。図５は工程を示す断面図である。Ｓｉ
基板５１上に、被加工材料であるＳｉＯ₂膜５２を被着
した。次に、通常のポジ型レジスト膜５３を０．５μｍ
の厚さで被着し、通常の熱処理を行った。

【００２２】次に、水溶性オーバコート膜５４を３μｍ
の厚さで形成した。オーバコート膜の膜厚は、ウェーハ
表面の段差、投影露光での１露光フィールド内の焦点分
布幅、解像する所望のパタンの焦点深度の合計程度にす
る必要があり、ここではウェーハ表面の段差が０．５μ
ｍ、投影露光での１露光フィールド内の焦点分布幅が
０．３μｍ、解像する所望のパタンの焦点深度が約１μ
ｍであったので、１．８μｍ以上が好ましい。前記膜厚
はこれに限らず厚くても問題無いが、本発明の効果を得
るには、前記膜厚の値の半分より大きい事が望ましい。
通常の縮小投影露光装置を用い、マスクを介し所望のパ
タンをレジスト膜５３に投影した。これにより、レジス
ト膜上に潜像５６が形成された。

【００２３】次に、水溶性オーバコート膜５４を水洗に
より除去した。水洗時間が短い場合は、膜が薄く残存す
る場合があったが、オーバコート膜の除去をレジスト膜
の現像が進まない程度の薄い濃度のアルカリ溶液で行っ
た結果、特に良好に除去ができた。次に、通常の現像に
より潜像５６の部分を除去した。この他に、現像工程前
に通常のポストエクスポージャベーク（熱処理）工程を
行う場合があるが、この工程はオーバコート膜除去の前
に行うか、あとで行うかは、オーバコート膜の熱処理特
性に合わせて決定する必要がある。熱処理により、除去
が困難になる場合は熱処理前に除去する必要がある。

【００２４】次に、通常の方法でＳｉＯ₂膜５２をエッ
チングし、所望のパタンを形成した。この結果、通常法
でパタン形成した時に比較し、焦点深度が約１．３倍に
向上した。ここで、レジスト膜５３はポジ型を用いたが
これに限らない。ネガ型でも良い。また、オーバコート
膜５４はレジスト膜との混入の心配が無い水溶性にした
が、これに限らない。溶媒が有機溶材の場合、レジスト
膜との混入が問題となるため、レジスト膜とオーバコー
ト膜の間に両者の混入を防止するための膜を設けること
が有効である。たとえば、ポリビニルアルコールなどの
水溶性樹脂などがある。なお、オーバコート膜５４には
ポリビニルベンジルトリメチルアンモニウムクロライド
を用いた。この膜のｉ線での屈折率は約１．７であっ
た。その他、ポリビニルベンジルトリメチルアンモニウ
ムアイオダイド、ポリビニルアルコール、ポリビニルピ
ロリドン、ポリビニルピリジンなど、あるいはこれらの
材料に、屈折率調整、あるいは吸収特性調整あるいは塗
布特性調整などの為の添加物を加えたものなど、特に制
限は無い。又、多層構造にすることも特に問題無い。ま
た、オーバコート膜に最初不透明で、光照射によりその
光量に応じて透明化する特性、いわゆるブリーチング特
性を持たせることなども、解像特性の向上に有効であ
る。また、オーバコート膜の膜厚も３μｍに限らない。
焦点深度が向上する効果が表れる膜厚が必要である。

【００２５】また、縮小投影露光装置はＮＡ０．５５の
ｉ線（３６５ｎｍ）ステッパを用いた。装置の構成を図
６に示す。光源１０１から発する光は、フライアイレン
ズ１０２、コンデンサレンズ１０３、１０５及びミラー
を介してマスク１０６を照明する。マスク１０６上には
異物付着によるパタン転写不良を防止するためのペリク
ル１０７が設けられている。マスク１０６上に描かれた
マスクパタンは、投影レンズ１０８を介して試料基板で
あるウエハ１０９上に投影される。なお、マスク１０６
はマスク位置制御手段１１７で制御されたマスクステー
ジ１１８上に載置され、その中心と投影レンズ１０８の
光軸とは正確に位置合わせがなされている。

【００２６】ウエハ１０９は、試料台１１０上に真空吸
着されている。試料台１１０は、投影レンズ１０８の光
軸方向すなわちＺ方向に移動可能なＺステージ１１１上
に載置され、さらにＸＹステージ１１２上に搭載されて
いる。Ｚステージ１１１及びＸＹステージ１１２は、主
制御系１１９からの制御命令に応じてそれぞれの駆動手
段１１３、１１４によって駆動されるので、所望の露光
位置に移動可能である。その位置はＺステージ１１１に
固定されたミラー１１６の位置として、レーザ測長機１
１５で正確にモニタされている。

【００２７】また、ウエハ１０９の表面位置は、検出光
発生部１２０、検出光１２３、受光部１２１から構成さ
れる焦点位置検出手段で計測される。

【００２８】この方式では、本発明を適用すると、オー
バコート膜表面が基準面となるため、実際にパタンを形
成するレジストは下に位置するようになり、焦点がずれ
るため、ステージを上側に所定量だけずらして露光し
た。ずらし量はオーバコート膜の膜厚に依存して決定し
た。具体的には、オーバコート膜の膜厚をＴ、オーバコ
ート膜の屈折率をｎ、ステージの上側への移動量をｚと
した時、おおよそｚ＝ａＴ／ｎ（ただし、１．３≧ａ≧
０．７）の関係になるようにステージを上側に移動し
た。実際の種々の基板の場合はこの値に所定のオフセッ
トを加えることにより、良好なパタンの解像ができた。

【００２９】（実施例２）次に、第２の実施例としてＫ
ｒＦエキシマレーザステッパを用いた例を示す。第１の
実施例と構成はほぼ同じであり、通常のＫｒＦエキシマ
レーザ（２４８ｎｍ）使用のプロセスにオーバコート膜
を付加した工程とした。オーバコート膜にはポリ・ビニ
ル・ベンジル・トリメチル・アンモニウム・アイオダイ
ドを用いた。オーバコート膜のＫｒＦエキシマレーザ光
での屈折率は約１．８であった。

【００３０】この結果、通常法でパタン形成した時に比
較し、焦点深度が約１．５倍に向上した。

【００３１】（実施例３）次に第３の実施例として、本
発明のマスクを用いて半導体メモリ素子を作製した。図
７に素子の製造の主な工程を示す断面図である。図７
（ａ）に示すように、Ｐ型のＳｉ半導体７１を基板に用
い。その表面に公知の素子分離技術を用い素子分離領域
７２を形成する。次に、例えば厚さ１５０ｎｍの多結晶
Ｓｉと厚さ２００ｎｍのＳｉＯ₂を積層した構造のワー
ド線７３を形成し、さらに化学気相成長法を用いて例え
ば１５０ｎｍのＳｉＯ₂を被着し、異方的に加工してワ
ード線の側壁にＳｉＯ₂のサイドスペーサ７４を形成す
る。

【００３２】次に、通常の方法でｎ拡散層７５を形成す
る。次に図７（ｂ）に示すように、通常の工程を経て多
結晶Ｓｉ又は高融点金属シリサイド、あるいはこれらの
積層膜などから成るデータ線７６を形成する。

【００３３】次に図７（ｃ）に示すように、通常の工程
を経て多結晶Ｓｉからなる蓄積電極７８を形成する。

【００３４】その後、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ₂、
強誘電体、あるいはこれらの複合膜などを被着し、キャ
パシタ用絶縁膜７９を形成する。ひきつづき多結晶Ｓ
ｉ、高融点金属、高融点金属シリサイド、あるいはＡ
ｌ、Ｃｕ等の低抵抗な導体を被着しプレート電極８０を
形成する。

【００３５】次に図７（ｄ）に示すように、通常の工程
を経て配線８１を形成する。次に通常の配線層形成工程
やパッシベーション工程を経てメモリ素子を作製した。
なお、ここでは、代表的な製造工程のみを説明したが、
これ以外は通常の素子製造工程を用いた。また、各工程
の順番が前後しても本発明は適用できる。

【００３６】上記素子製造工程におけるリソグラフィ工
程ではほとんどの工程に本発明を適用したが、たとえ
ば、焦点深度に問題無い工程には本発明は必ずしも適用
する必要は無い。パッシベーション工程での同通孔形成
工程や、パタンが大きなイオン打ち込みマスク形成用の
パタン形成工程には本発明は適用しなかった。

【００３７】次に、リソグラフィで形成したパタンにつ
いて説明する。図８は製造したメモリ素子を構成する代
表的なパタンのメモリ部のパタン配置を示す。図８
（ａ）は作製した第１の素子のパタンの一例を示す。８
２がワード線、８３がデータ線、８４がアクティブ領
域、８５が蓄積電極、８６が電極取り出し孔のパタンで
ある。リソグラフィ工程の中から微細パタンの解像が必
要な工程に本発明を用いた。図８（ａ）に示したパタン
ではすべてのパタンの形成に本発明を用いた。また、図
８（ｂ）は作製した第２の素子のパタンの一例を示す。
８７がワード線、８８がデータ線、８９がアクティブ領
域、９０が蓄積電極、９１が電極取り出し孔のパタンで
ある。この例においても、ここに示したパタンすべての
形成に本発明を用いた。ここに示したパタン形成以外で
も最小設計ルールを用いている工程では本発明を用い
た。

【００３８】本発明を用いて作製した素子の特性は、従
来法を用いて作製した素子の特性と比較すると特性が良
好であった。具体的にはワード線の線幅のばらつきが小
さいことから、データの読みだしスピードが速く特性が
安定している。蓄積電極の面積のばらつきが小さいこと
からデータの保持特性が安定している。等の特性の改善
が実現できた。また、素子の良品取得歩留まりも従来法
では４０％以下であったのが、７０％以上に向上でき
た。明らかな改善効果が得られた。

【００３９】

【発明の効果】本発明により、リソグラフィにおけるパ
タン形成での実効的な焦点深度が向上し、段差構造を持
つ実素子上でのパタン形成精度が向上し、素子の微細化
及び素子製造歩留まりの向上が実現できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るパタン形成方法を説明するための
基板の要部断面図。

【図２】従来法に係るパタン形成方法を説明するための
基板の要部断面図。

【図３】本発明の原理を示す概念図。

【図４】従来法の問題を示す概念図。

【図５】本発明の実施例を示す工程図。

【図６】本発明の実施例で使用した投影露光装置の構成
図。

【図７】本発明による半導体素子の製造工程を示す断面
図。

【図８】本発明により作成した半導体素子のパタン配置
の平面図。

【符号の説明】

１１、２１、３１、４１、５１……基板、１２、２２、
３２、４２、５３……ホトレジスト、５２……ＳｉＯ２
膜、１３、３３、５４……オーバコート膜、１４、２
４、３４、４４、５５……露光光、１５、１６、２５、
２６、３６、３７、４７、４７……焦点位置、１７、１
８、２７、２８、３８、３９、４８、４９、……焦点深
度領域、５６……潜像、７２……素子分離領域、７３、
８２、８７……ワード線、７６、８３、８８……データ
線、８０……プレート電極、７８、８５、９０……蓄積
電極、１０８……投影レンズ、１１２……ＸＹステー
ジ、１０１……光源、１０６……マスク、１０９……ウ
ェーハ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者早野勝也東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者今井彰東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者田中稔彦東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者浅井尚子東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者岡崎信次東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にレジスト膜とオーバコート膜を順
次形成した後投影露光して、所望のパタンを転写するパ
タン形成方法において、上記オーバコート膜の膜厚は、上記基板の表面段差、上
記投影露光における１露光フィールド内の焦点分布幅、
解像する所望のパタンの焦点深度の合計の値の半分より
大きいことを特徴とするレジストパタン形成方法。
【請求項２】基板上にレジスト膜とオーバコート膜を順
次形成した後投影露光して、所望のパタンを転写するパ
タン形成方法において、上記オーバコート膜の屈折率は、上記レジスト膜の屈折
率よりも大きいことを特徴とするパタン形成方法。
【請求項３】上記オーバコート膜の屈折率は、上記レジ
スト膜の屈折率に対して１〜２倍の範囲内の値を有する
ことを特徴とする請求項１記載のパタン形成方法。
【請求項４】上記オーバコート膜は、水溶性であること
を特徴とする請求項１又は２記載のパタン形成方法。
【請求項５】上記投影露光は、上記オ−バコ−ト膜の膜
厚及び屈折率に応じて、焦点位置を該オ−バコ−ト膜の
表面位置から光軸方向に所定量ずらした位置に設定して
行われることを特徴とする請求項１又は２記載のパタン
形成方法。
【請求項６】上記焦点位置と上記オ−バコ−ト膜表面と
の光軸上での距離ｚは、上記オーバコート膜の膜厚を
Ｔ、屈折率をｎとして、おおよそｚ＝ａＴ／ｎ（ただ
し、１．３≧ａ≧０．７）の関係にあることを特徴とす
る請求項５記載のパタン形成方法。
【請求項７】上記オーバコート膜の主成分は、ポリビニ
ルアルコール、ポリビニルベンジルトリメチルアンモニ
ウムクロライド、ポリビニルベンジルトリメチルアンモ
ニウムアイオダイド、ポリビニルピロリドン、ポリビニ
ルピリジンの何れかであることを特徴とする請求項１記
載のパタン形成方法。
【請求項８】被加工基板上にレジスト膜を塗布する工程
と、該レジスト膜よりも屈折率が大きく且つ露光光に対して
透明なオーバコート膜をレジスト膜上に塗布する工程
と、その後、露光する工程と、該レジスト膜の現像が実質的に進まない濃度のアルカリ
溶液を用いて該オーバコート膜を除去する工程と、その後、該レジスト膜を現像する工程とを含むことを特
徴とするパタン形成方法。
【請求項９】投影露光法を用いて半導体基体の表面に所
望の形状を有する膜を形成する工程を有する半導体素子
の製造方法において、上記半導体基体の表面に第１の膜を形成するステップ
と、該第１の膜上にレジスト膜を形成するステップと、該レジスト膜上に該レジスト膜よりも屈折率の大きなオ
−バコ−ト膜を形成するステップと、投影露光により形成された所望の形状を有するレジスト
膜をマスクにして該第１の膜を加工するステップとを有
することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項１０】上記第１の膜は絶縁膜であることを特徴
とする請求項９記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１１】上記絶縁膜は、素子分離用の耐酸化性膜
又は層間絶縁膜であることを特徴とする請求項１０記載
の半導体素子の形成方法。
【請求項１２】上記第１の膜は、導電性膜であることを
特徴とする請求項９記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１３】上記導電性膜は、ワ−ド線、デ−タ線、
キャパシタの電荷蓄積電極、プレ−ト電極又は配線とし
て用いられることを特徴とする請求項１２記載の半導体
素子の製造方法。