JPH0936143A - 半導体装置およびその製造方法並びにその実装方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法並びにその実装方法Info
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- JPH0936143A JPH0936143A JP7205114A JP20511495A JPH0936143A JP H0936143 A JPH0936143 A JP H0936143A JP 7205114 A JP7205114 A JP 7205114A JP 20511495 A JP20511495 A JP 20511495A JP H0936143 A JPH0936143 A JP H0936143A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 実装工程数を少なくすることができ、また異
方導電性接着剤の接合力が低下しないようにすることが
できるようにする。 【解決手段】 上面に複数の突起電極１２が形成された
ウエハ１１の上面にスピンコートにより異方導電性接着
剤層１８を突起電極１２を覆うように形成し、次いでウ
エハ１１をダイシングストリート１３に沿ってダイシン
グして個々のチップに分割し、これにより異方導電性接
着剤層１８を予め備えた半導体装置を得る。この結果、
半導体装置を基板上に実装する場合には、異方導電性接
着剤層１８を備えた半導体装置を基板上に載置すればよ
く、異方導電性接着剤を基板上に配置するそれ専用の工
程を省略することができる。また、スピンコートにより
形成される異方導電性接着剤層１８とウエハ１１との間
に空気が取り残されないようにすることができ、したが
って異方導電性接着剤の接合力が低下しないようにする
ことができる。
方導電性接着剤の接合力が低下しないようにすることが
できるようにする。 【解決手段】 上面に複数の突起電極１２が形成された
ウエハ１１の上面にスピンコートにより異方導電性接着
剤層１８を突起電極１２を覆うように形成し、次いでウ
エハ１１をダイシングストリート１３に沿ってダイシン
グして個々のチップに分割し、これにより異方導電性接
着剤層１８を予め備えた半導体装置を得る。この結果、
半導体装置を基板上に実装する場合には、異方導電性接
着剤層１８を備えた半導体装置を基板上に載置すればよ
く、異方導電性接着剤を基板上に配置するそれ専用の工
程を省略することができる。また、スピンコートにより
形成される異方導電性接着剤層１８とウエハ１１との間
に空気が取り残されないようにすることができ、したが
って異方導電性接着剤の接合力が低下しないようにする
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体装置および
その製造方法並びにその実装方法に関する。
その製造方法並びにその実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば液晶表示素子において、ＣＯＧ
（Chip on Glass）方式とよばれる半導体装置（突起電
極を有する半導体チップ）の実装技術では、図９に示す
ように、半導体チップ１の下面に設けられた突起電極２
を液晶表示素子のガラス等からなる透明基板３の上面に
設けられた接続端子４に異方導電性接着剤５を介して導
電接続することにより、半導体チップ１を透明基板３上
に実装することがある。この場合、異方導電性接着剤５
は、絶縁性接着剤６中に導電性粒子７を適度な密度で混
入したものからなっている。
（Chip on Glass）方式とよばれる半導体装置（突起電
極を有する半導体チップ）の実装技術では、図９に示す
ように、半導体チップ１の下面に設けられた突起電極２
を液晶表示素子のガラス等からなる透明基板３の上面に
設けられた接続端子４に異方導電性接着剤５を介して導
電接続することにより、半導体チップ１を透明基板３上
に実装することがある。この場合、異方導電性接着剤５
は、絶縁性接着剤６中に導電性粒子７を適度な密度で混
入したものからなっている。
【０００３】従来のこのような半導体装置の実装方法に
ついてさらに詳述すると、まず図１０に示すように、透
明基板３の接続端子４を含む接続部分の上面にシート状
の異方導電性接着剤５を仮熱圧着し、このシート状の異
方導電性接着剤５の上面に半導体チップ１の突起電極２
を含む接続部分を位置合わせして載置する。次に、本熱
圧着した後、ポストベークを行うことにより、図９に示
すように、透明基板３の接続端子４と半導体チップ１の
突起電極２とを異方導電性接着剤５の導電性粒子７を介
して導電接続するとともに、半導体チップ１を透明基板
３上に異方導電性接着剤５の絶縁性接着剤６を介して接
着している。
ついてさらに詳述すると、まず図１０に示すように、透
明基板３の接続端子４を含む接続部分の上面にシート状
の異方導電性接着剤５を仮熱圧着し、このシート状の異
方導電性接着剤５の上面に半導体チップ１の突起電極２
を含む接続部分を位置合わせして載置する。次に、本熱
圧着した後、ポストベークを行うことにより、図９に示
すように、透明基板３の接続端子４と半導体チップ１の
突起電極２とを異方導電性接着剤５の導電性粒子７を介
して導電接続するとともに、半導体チップ１を透明基板
３上に異方導電性接着剤５の絶縁性接着剤６を介して接
着している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このような半導体装置の実装方法では、長尺な異方導電
性接着剤ベースシートを切断して得られたシート状の異
方導電性接着剤５を透明基板３の接続端子４を含む接続
部分毎に仮熱圧着することになるので、実装工程数が多
いという問題があった。また、図１１に示すように、本
熱圧着したとき、半導体チップ１の下面と異方導電性接
着剤５との間に局部的に空気８が取り残されることがあ
り、このような現象が生じた場合には、異方導電性接着
剤５の接合力が低下するという問題があった。この発明
の課題は、実装工程数を少なくすることができ、また異
方導電性接着剤の接合力が低下しないようにすることが
できるようにすることである。
このような半導体装置の実装方法では、長尺な異方導電
性接着剤ベースシートを切断して得られたシート状の異
方導電性接着剤５を透明基板３の接続端子４を含む接続
部分毎に仮熱圧着することになるので、実装工程数が多
いという問題があった。また、図１１に示すように、本
熱圧着したとき、半導体チップ１の下面と異方導電性接
着剤５との間に局部的に空気８が取り残されることがあ
り、このような現象が生じた場合には、異方導電性接着
剤５の接合力が低下するという問題があった。この発明
の課題は、実装工程数を少なくすることができ、また異
方導電性接着剤の接合力が低下しないようにすることが
できるようにすることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
る半導体装置は、半導体チップと、この半導体チップの
一の面に設けられた突起電極と、前記半導体チップの一
の面に前記突起電極を覆うように設けられた異方導電性
接着剤層とを具備したものである。請求項４記載の発明
に係る半導体装置の製造方法は、一の面に突起電極が設
けられたウエハの一の面にスピンコートにより異方導電
性接着剤層を前記突起電極を覆うように形成し、次いで
前記ウエハを切断して個々のチップに分割するようにし
たものである。請求項７記載の発明に係る半導体装置の
実装方法は、半導体チップとこの半導体チップの一の面
に設けられた突起電極と前記半導体チップの一の面に前
記突起電極を覆うように設けられた異方導電性接着剤層
とからなる半導体装置を基板上に載置し、熱圧着するこ
とにより前記半導体チップを前記異方導電性接着剤層を
介して前記基板上に実装するようにしたものである。
る半導体装置は、半導体チップと、この半導体チップの
一の面に設けられた突起電極と、前記半導体チップの一
の面に前記突起電極を覆うように設けられた異方導電性
接着剤層とを具備したものである。請求項４記載の発明
に係る半導体装置の製造方法は、一の面に突起電極が設
けられたウエハの一の面にスピンコートにより異方導電
性接着剤層を前記突起電極を覆うように形成し、次いで
前記ウエハを切断して個々のチップに分割するようにし
たものである。請求項７記載の発明に係る半導体装置の
実装方法は、半導体チップとこの半導体チップの一の面
に設けられた突起電極と前記半導体チップの一の面に前
記突起電極を覆うように設けられた異方導電性接着剤層
とからなる半導体装置を基板上に載置し、熱圧着するこ
とにより前記半導体チップを前記異方導電性接着剤層を
介して前記基板上に実装するようにしたものである。
【０００６】請求項４記載の発明によれば、ウエハの一
の面にスピンコートにより異方導電性接着剤層を突起電
極を覆うように形成し、次いでウエハを切断して個々の
チップに分割しているので、請求項１記載の発明のよう
に、異方導電性接着剤層を予め備えた半導体装置を得る
ことができる。この結果、請求項７記載の発明のよう
に、異方導電性接着剤層を備えた半導体装置を基板上に
載置すればよく、したがって従来のようにシート状の異
方導電性接着剤を基板上に仮熱圧着する必要がなく、実
装工程数を少なくすることができる。また、請求項４記
載の発明によれば、ウエハの一の面にスピンコートによ
り異方導電性接着剤層を突起電極を覆うように形成して
いるので、半導体チップと異方導電性接着剤層との間に
空気が取り残されないようにすることができ、したがっ
て異方導電性接着剤の接合力が低下しないようにするこ
とができる。
の面にスピンコートにより異方導電性接着剤層を突起電
極を覆うように形成し、次いでウエハを切断して個々の
チップに分割しているので、請求項１記載の発明のよう
に、異方導電性接着剤層を予め備えた半導体装置を得る
ことができる。この結果、請求項７記載の発明のよう
に、異方導電性接着剤層を備えた半導体装置を基板上に
載置すればよく、したがって従来のようにシート状の異
方導電性接着剤を基板上に仮熱圧着する必要がなく、実
装工程数を少なくすることができる。また、請求項４記
載の発明によれば、ウエハの一の面にスピンコートによ
り異方導電性接着剤層を突起電極を覆うように形成して
いるので、半導体チップと異方導電性接着剤層との間に
空気が取り残されないようにすることができ、したがっ
て異方導電性接着剤の接合力が低下しないようにするこ
とができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１〜図５はそれぞれこの発明の
第１実施形態における半導体装置の各製造工程を示した
ものである。そこで、これらの図を順に参照しながら、
この実施形態における半導体装置の構造についてその製
造方法と併せて説明する。
第１実施形態における半導体装置の各製造工程を示した
ものである。そこで、これらの図を順に参照しながら、
この実施形態における半導体装置の構造についてその製
造方法と併せて説明する。
【０００８】まず、図１に示すように、ウエハ１１上に
複数の突起電極１２が形成されたものを用意する。この
場合、ウエハ１１上の格子状の線はウエハ１１をダイシ
ングして個々のチップに分割するときのダイシングスト
リート１３を示している。突起電極１２は、高さ２０〜
１００μｍ程度の金や銅等の金属突起からなり、各チッ
プの外周部に対応する位置に配列して設けられている。
次に、ディスペンサ１４を用いて感光性ポリイミド等か
らなるショート防止壁形成用材料１５をウエハ１１の上
面中央部に滴下し、次いでウエハ１１を高速回転させる
と、図２に示すように、ウエハ１１の上面にショート防
止壁形成用層１６が突起電極１２の上部が露出するよう
に形成される。次に、図示しない所定のマスクを用いて
露光し、次いで現像して、ショート防止壁形成用層１６
の不要な部分を除去することにより、図３に示すよう
に、各チップの突起電極１２の配列部の外側の部分に、
つまり各チップの突起電極１２とダイシングストリート
１３との間に枠状のショート防止壁１７を形成する。
複数の突起電極１２が形成されたものを用意する。この
場合、ウエハ１１上の格子状の線はウエハ１１をダイシ
ングして個々のチップに分割するときのダイシングスト
リート１３を示している。突起電極１２は、高さ２０〜
１００μｍ程度の金や銅等の金属突起からなり、各チッ
プの外周部に対応する位置に配列して設けられている。
次に、ディスペンサ１４を用いて感光性ポリイミド等か
らなるショート防止壁形成用材料１５をウエハ１１の上
面中央部に滴下し、次いでウエハ１１を高速回転させる
と、図２に示すように、ウエハ１１の上面にショート防
止壁形成用層１６が突起電極１２の上部が露出するよう
に形成される。次に、図示しない所定のマスクを用いて
露光し、次いで現像して、ショート防止壁形成用層１６
の不要な部分を除去することにより、図３に示すよう
に、各チップの突起電極１２の配列部の外側の部分に、
つまり各チップの突起電極１２とダイシングストリート
１３との間に枠状のショート防止壁１７を形成する。
【０００９】次に、図示しないディスペンサを用いて溶
剤を含有する液状の異方導電性接着剤をウエハ１１の上
面中央部に滴下し、次いでウエハ１１を高速回転させ、
次いで溶剤を蒸発させて乾燥させると、図４に示すよう
に、ウエハ１１の上面に異方導電性接着剤層１８が突起
電極１２およびショート防止壁１７を覆うように形成さ
れる。この場合、異方導電性接着剤層１８は、絶縁性接
着剤１９中に絶縁性樹脂膜（図示せず）で表面が被覆さ
れた導電性粒子２０を適度な密度で混入したものからな
っている。このうち絶縁性接着剤１９は熱可塑性樹脂、
熱硬化性樹脂あるいは両者の混合物からなっている。導
電性粒子２０は金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウ
ム等の金属粒子、有機共役系高分子等の導電性高分子粒
子、あるいは樹脂粒子の表面にニッケルメッキ等からな
る金属被膜を被覆したものからなっている。導電性粒子
２０の表面に被覆された絶縁性樹脂膜は熱可塑性樹脂等
からなっている。
剤を含有する液状の異方導電性接着剤をウエハ１１の上
面中央部に滴下し、次いでウエハ１１を高速回転させ、
次いで溶剤を蒸発させて乾燥させると、図４に示すよう
に、ウエハ１１の上面に異方導電性接着剤層１８が突起
電極１２およびショート防止壁１７を覆うように形成さ
れる。この場合、異方導電性接着剤層１８は、絶縁性接
着剤１９中に絶縁性樹脂膜（図示せず）で表面が被覆さ
れた導電性粒子２０を適度な密度で混入したものからな
っている。このうち絶縁性接着剤１９は熱可塑性樹脂、
熱硬化性樹脂あるいは両者の混合物からなっている。導
電性粒子２０は金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウ
ム等の金属粒子、有機共役系高分子等の導電性高分子粒
子、あるいは樹脂粒子の表面にニッケルメッキ等からな
る金属被膜を被覆したものからなっている。導電性粒子
２０の表面に被覆された絶縁性樹脂膜は熱可塑性樹脂等
からなっている。
【００１０】このように、ウエハ１１の上面にスピンコ
ートにより異方導電性接着剤層１８を突起電極１２を覆
うように形成しているので、ウエハ１１の状態における
チップと異方導電性接着剤層１８との間に空気が取り残
されないようにすることができ、またウエハ１１の状態
における全てのチップの上面に一度に異方導電性接着剤
層１８を形成することができ、異方導電性接着剤層１８
を備えたチップを短時間で形成することができる。
ートにより異方導電性接着剤層１８を突起電極１２を覆
うように形成しているので、ウエハ１１の状態における
チップと異方導電性接着剤層１８との間に空気が取り残
されないようにすることができ、またウエハ１１の状態
における全てのチップの上面に一度に異方導電性接着剤
層１８を形成することができ、異方導電性接着剤層１８
を備えたチップを短時間で形成することができる。
【００１１】次に、ウエハ１１上の異方導電性接着剤層
１８のみをダイシングストリート１３に沿って接着剤層
切断用のダイシングブレード（図示せず）によってダイ
シングし、次いでウエハ１１をダイシングストリート１
３に沿ってダイヤモンドブレード等のウエハ切断用のダ
イシングブレード（図示せず）によってダイシングして
切断し、個々のチップに分割すると、図５に示すよう
に、個々のチップからなる半導体装置２１が得られる。
この場合、２回に分けてダイシングするのは、ウエハ切
断用のダイシングブレードの劣化を防止するためであ
る。ところで、異方導電性接着剤層１８を接着剤層切断
用のダイシングブレードによってダイシングする際に、
ダイシングストリート１３に位置する導電性粒子２０が
突起電極１２の近傍に移動し、隣接する突起電極１２の
間でショートが生じることがある。しかしながら、突起
電極１２の外側にはショート防止壁１７が設けられてい
るので、ダイシングストリート１３に位置する導電性粒
子２０が突起電極１２の近傍に移動することがなく、突
起電極１２間がショートしないようにすることができ
る。
１８のみをダイシングストリート１３に沿って接着剤層
切断用のダイシングブレード（図示せず）によってダイ
シングし、次いでウエハ１１をダイシングストリート１
３に沿ってダイヤモンドブレード等のウエハ切断用のダ
イシングブレード（図示せず）によってダイシングして
切断し、個々のチップに分割すると、図５に示すよう
に、個々のチップからなる半導体装置２１が得られる。
この場合、２回に分けてダイシングするのは、ウエハ切
断用のダイシングブレードの劣化を防止するためであ
る。ところで、異方導電性接着剤層１８を接着剤層切断
用のダイシングブレードによってダイシングする際に、
ダイシングストリート１３に位置する導電性粒子２０が
突起電極１２の近傍に移動し、隣接する突起電極１２の
間でショートが生じることがある。しかしながら、突起
電極１２の外側にはショート防止壁１７が設けられてい
るので、ダイシングストリート１３に位置する導電性粒
子２０が突起電極１２の近傍に移動することがなく、突
起電極１２間がショートしないようにすることができ
る。
【００１２】このようにして得られた半導体装置２１で
は、半導体チップ２２の上面の外周部に突起電極１２が
配列して設けられ、半導体チップ２２の上面の突起電極
１２の配列部の外側の部分にショート防止壁１７がその
高さを突起電極１２の高さよりも低くされて設けられ、
半導体チップ２２の上面に異方導電性接着剤層１８が突
起電極１２およびショート防止壁１７を覆うように設け
られた構造となっている。この場合、異方導電性接着剤
層１８が外周雰囲気からの汚染や破損から半導体チップ
２２の上面（突起電極形成面）を十分に保護することが
できる。
は、半導体チップ２２の上面の外周部に突起電極１２が
配列して設けられ、半導体チップ２２の上面の突起電極
１２の配列部の外側の部分にショート防止壁１７がその
高さを突起電極１２の高さよりも低くされて設けられ、
半導体チップ２２の上面に異方導電性接着剤層１８が突
起電極１２およびショート防止壁１７を覆うように設け
られた構造となっている。この場合、異方導電性接着剤
層１８が外周雰囲気からの汚染や破損から半導体チップ
２２の上面（突起電極形成面）を十分に保護することが
できる。
【００１３】次に、図６および図７は半導体装置２１を
液晶表示素子のガラス等からなる透明基板２３上に実装
する工程を示したものである。この実装方法では、まず
図６に示すように、透明基板２３の接続端子２４を含む
接続部分の上面に半導体装置２１の異方導電性接着剤層
１８を位置合わせして載置する。次に、熱圧着すると、
導電性粒子２０の表面に被覆されている絶縁性樹脂膜お
よび導電性粒子２０相互間に介在されている絶縁性接着
剤１９が溶融し、それらの一部が流動して逃げることに
より、図７に示すように、異方導電性接着剤層１８の導
電性粒子２０の一部が相対向する半導体チップ２２の突
起電極１２と透明基板２３の接続端子２４に共に接触
し、これにより相対向する突起電極１２と接続端子２４
とが導電接続される。この場合、導電接続に関与しない
導電性粒子２０の表面には絶縁性樹脂膜がそのまま被覆
されていることにより、絶縁性が維持されている。ま
た、導電性粒子２０相互間に介在されている絶縁性接着
剤１９が固化することにより、半導体チップ２２が透明
基板２３上に接着される。なお、ショート防止壁１７は
その厚さを突起電極１２の高さよりも低くされて形成さ
れているので、突起電極１２を透明基板２３の接続端子
２４に良好に導電接続することができる。
液晶表示素子のガラス等からなる透明基板２３上に実装
する工程を示したものである。この実装方法では、まず
図６に示すように、透明基板２３の接続端子２４を含む
接続部分の上面に半導体装置２１の異方導電性接着剤層
１８を位置合わせして載置する。次に、熱圧着すると、
導電性粒子２０の表面に被覆されている絶縁性樹脂膜お
よび導電性粒子２０相互間に介在されている絶縁性接着
剤１９が溶融し、それらの一部が流動して逃げることに
より、図７に示すように、異方導電性接着剤層１８の導
電性粒子２０の一部が相対向する半導体チップ２２の突
起電極１２と透明基板２３の接続端子２４に共に接触
し、これにより相対向する突起電極１２と接続端子２４
とが導電接続される。この場合、導電接続に関与しない
導電性粒子２０の表面には絶縁性樹脂膜がそのまま被覆
されていることにより、絶縁性が維持されている。ま
た、導電性粒子２０相互間に介在されている絶縁性接着
剤１９が固化することにより、半導体チップ２２が透明
基板２３上に接着される。なお、ショート防止壁１７は
その厚さを突起電極１２の高さよりも低くされて形成さ
れているので、突起電極１２を透明基板２３の接続端子
２４に良好に導電接続することができる。
【００１４】このように、この半導体装置の実装方法で
は、異方導電性接着剤層１８を予め備えた半導体装置２
１を透明基板２３上に載置して熱圧着すればよいので、
図１０に示す従来のようなシート状の異方導電性接着剤
５を透明基板３上に仮熱圧着する必要がなく、したがっ
て実装工程数を少なくすることができる。また、既に説
明したように、ウエハ１１の上面にスピンコートにより
異方導電性接着剤層１８を突起電極１２を覆うように形
成することにより、半導体チップ２２と異方導電性接着
剤層１８との間に空気が取り残されないようにすること
ができるので、異方導電性接着剤の接合力が低下しない
ようにすることができる。
は、異方導電性接着剤層１８を予め備えた半導体装置２
１を透明基板２３上に載置して熱圧着すればよいので、
図１０に示す従来のようなシート状の異方導電性接着剤
５を透明基板３上に仮熱圧着する必要がなく、したがっ
て実装工程数を少なくすることができる。また、既に説
明したように、ウエハ１１の上面にスピンコートにより
異方導電性接着剤層１８を突起電極１２を覆うように形
成することにより、半導体チップ２２と異方導電性接着
剤層１８との間に空気が取り残されないようにすること
ができるので、異方導電性接着剤の接合力が低下しない
ようにすることができる。
【００１５】図８はこの発明の第２実施形態における半
導体装置を示したものである。この半導体装置では、半
導体チップ２２の上面の突起電極１２の配列部の内側の
部分にショート防止壁１７と同一の材料からなる保護膜
３１がその厚さをショート防止壁１７の高さと同じとさ
れて設けられている。この場合、保護膜３１が熱圧着時
の圧力等から半導体チップ２２の上面を保護することが
できる。また、保護膜３１がその厚さを突起電極１２の
高さよりも低くされて形成されているので、突起電極１
２を透明基板２３の接続端子２４に良好に導電接続する
ことができる。なお、この半導体装置の製造方法では、
保護膜３１がショート防止壁形成用層１６のパターニン
グ時に、ショート防止壁１７と同時に形成される。
導体装置を示したものである。この半導体装置では、半
導体チップ２２の上面の突起電極１２の配列部の内側の
部分にショート防止壁１７と同一の材料からなる保護膜
３１がその厚さをショート防止壁１７の高さと同じとさ
れて設けられている。この場合、保護膜３１が熱圧着時
の圧力等から半導体チップ２２の上面を保護することが
できる。また、保護膜３１がその厚さを突起電極１２の
高さよりも低くされて形成されているので、突起電極１
２を透明基板２３の接続端子２４に良好に導電接続する
ことができる。なお、この半導体装置の製造方法では、
保護膜３１がショート防止壁形成用層１６のパターニン
グ時に、ショート防止壁１７と同時に形成される。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、請求項４記載の発
明によれば、ウエハの一の面にスピンコートにより異方
導電性接着剤層を突起電極を覆うように形成し、次いで
ウエハを切断して個々のチップに分割しているので、請
求項１記載の発明のように、異方導電性接着剤層を予め
備えた半導体装置を得ることができる。この結果、請求
項７記載の発明のように、異方導電性接着剤層を備えた
半導体装置を基板上に載置すればよく、したがって従来
のようにシート状の異方導電性接着剤を基板上に仮熱圧
着する必要がなく、実装工程数を少なくすることができ
る。また、請求項４記載の発明によれば、ウエハの一の
面にスピンコートにより異方導電性接着剤層を突起電極
を覆うように形成しているので、半導体チップと異方導
電性接着剤層との間に空気が取り残されないようにする
ことができ、したがって異方導電性接着剤の接合力が低
下しないようにすることができる。
明によれば、ウエハの一の面にスピンコートにより異方
導電性接着剤層を突起電極を覆うように形成し、次いで
ウエハを切断して個々のチップに分割しているので、請
求項１記載の発明のように、異方導電性接着剤層を予め
備えた半導体装置を得ることができる。この結果、請求
項７記載の発明のように、異方導電性接着剤層を備えた
半導体装置を基板上に載置すればよく、したがって従来
のようにシート状の異方導電性接着剤を基板上に仮熱圧
着する必要がなく、実装工程数を少なくすることができ
る。また、請求項４記載の発明によれば、ウエハの一の
面にスピンコートにより異方導電性接着剤層を突起電極
を覆うように形成しているので、半導体チップと異方導
電性接着剤層との間に空気が取り残されないようにする
ことができ、したがって異方導電性接着剤の接合力が低
下しないようにすることができる。
【図１】この発明の第１実施形態における半導体装置の
製造に際し、ウエハの上面中央部にショート防止壁形成
用材料を滴下した状態の一部を拡大して示す斜視図。
製造に際し、ウエハの上面中央部にショート防止壁形成
用材料を滴下した状態の一部を拡大して示す斜視図。
【図２】図１に続く工程であって、スピンコートにより
ウエハの上面にショート防止壁形成用層を突起電極の上
部が露出するように形成した状態を示す断面図。
ウエハの上面にショート防止壁形成用層を突起電極の上
部が露出するように形成した状態を示す断面図。
【図３】図２に続く工程であって、ショート防止壁を形
成した状態を示す断面図。
成した状態を示す断面図。
【図４】図３に続く工程であって、スピンコートにより
ウエハの上面に異方導電性接着剤層を突起電極およびシ
ョート防止壁を覆うように形成した状態を示す断面図。
ウエハの上面に異方導電性接着剤層を突起電極およびシ
ョート防止壁を覆うように形成した状態を示す断面図。
【図５】図４に続く工程であって、ウエハをダイシング
ストリートに沿ってダイシングして個々のチップに分割
した状態を示す断面図。
ストリートに沿ってダイシングして個々のチップに分割
した状態を示す断面図。
【図６】半導体装置の実装に際し、半導体装置を透明基
板上に位置合わせして載置した状態の断面図。
板上に位置合わせして載置した状態の断面図。
【図７】半導体装置を透明基板上に実装した状態の断面
図。
図。
【図８】この発明の第２実施形態における半導体装置を
示す断面図。
示す断面図。
【図９】従来の半導体装置を透明基板上に実装した状態
の断面図。
の断面図。
【図１０】半導体装置の実装に際し、半導体装置を透明
基板上に位置合わせして載置した状態の断面図。
基板上に位置合わせして載置した状態の断面図。
【図１１】従来の半導体装置の実装方法の問題点の１つ
を説明するために示す断面図。
を説明するために示す断面図。
１１ ウエハ １２ 突起電極 １７ ショート防止壁 １８ 異方導電性接着剤層 ２１ 半導体装置 ２２ 半導体チップ ２３ 透明基板 ２４ 接続端子 ３１ 保護膜
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体チップと、この半導体チップの一
の面に設けられた突起電極と、前記半導体チップの一の
面に前記突起電極を覆うように設けられた異方導電性接
着剤層とを具備することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の発明において、前記突起
電極は前記半導体チップの一の面の外周部に配列して設
けられ、前記半導体チップの一の面の前記突起電極の配
列部の外側の部分にショート防止壁がその高さを前記突
起電極の高さよりも低くされて設けられていることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の発明において、前記半導
体チップの一の面の前記突起電極の配列部の内側の部分
に前記ショート防止壁と同一の材料からなる保護膜がそ
の厚さを前記ショート防止壁の高さと同じとされて設け
られていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 一の面に突起電極が設けられたウエハの
一の面にスピンコートにより異方導電性接着剤層を前記
突起電極を覆うように形成し、次いで前記ウエハを切断
して個々のチップに分割することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の発明において、前記ウエ
ハの一の面に設けられた前記突起電極は前記各チップの
外周部に対応する位置に配列して設けられ、前記異方導
電性接着剤層を形成する前に、前記ウエハの一の面であ
って前記各チップの前記突起電極の配列部の外側の部分
にショート防止壁をその高さが前記突起電極の高さより
も低くなるように形成することを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の発明において、前記ウエ
ハの一の面であって前記各チップの前記突起電極の配列
部の内側の部分に前記ショート防止壁の形成と同時に該
ショート防止壁と同一の材料からなる保護膜をその厚さ
が前記ショート防止壁の高さと同じとなるように形成す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 半導体チップとこの半導体チップの一の
面に設けられた突起電極と前記半導体チップの一の面に
前記突起電極を覆うように設けられた異方導電性接着剤
層とからなる半導体装置を基板上に載置し、熱圧着する
ことにより前記半導体チップを前記異方導電性接着剤層
を介して前記基板上に実装することを特徴とする半導体
装置の実装方法。 - 【請求項８】 請求項２または３記載の半導体装置を基
板上に載置し、熱圧着することにより前記半導体チップ
を前記異方導電性接着剤層を介して前記基板上に実装す
ることを特徴とする半導体装置の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7205114A JP3038703B2 (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 半導体装置およびその製造方法並びにその実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7205114A JP3038703B2 (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 半導体装置およびその製造方法並びにその実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936143A true JPH0936143A (ja) | 1997-02-07 |
| JP3038703B2 JP3038703B2 (ja) | 2000-05-08 |
Family
ID=16501658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7205114A Expired - Fee Related JP3038703B2 (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 半導体装置およびその製造方法並びにその実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3038703B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5918113A (en) * | 1996-07-19 | 1999-06-29 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Process for producing a semiconductor device using anisotropic conductive adhesive |
| JP2000340877A (ja) * | 1999-05-05 | 2000-12-08 | Mitel Semiconductor Ab | 垂直共振器型面発光レーザと光検出用モニターとのアセンブリー及びそのアセンブリング方法 |
| SG97773A1 (en) * | 1997-12-17 | 2003-08-20 | Tdk Corp | Magnetic head device and method of manufacturing same |
| KR100520080B1 (ko) * | 2003-07-18 | 2005-10-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체칩 표면실장방법 |
| JP2007300052A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Chukaminkoku Taiwan Hakumaku Denshotai Ekisho Keijiki Sangyo Kyokai | フリップチップ実装の部品とその製造方法 |
| US7327041B2 (en) | 2001-05-28 | 2008-02-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor package and a method for producing the same |
| WO2008091840A3 (en) * | 2007-01-24 | 2008-11-06 | Analog Devices Inc | Stress free package and laminate-based isolator package |
| JP2011100843A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Sekisui Chem Co Ltd | 接着剤層付き半導体チップの製造方法 |
-
1995
- 1995-07-20 JP JP7205114A patent/JP3038703B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5918113A (en) * | 1996-07-19 | 1999-06-29 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Process for producing a semiconductor device using anisotropic conductive adhesive |
| SG97773A1 (en) * | 1997-12-17 | 2003-08-20 | Tdk Corp | Magnetic head device and method of manufacturing same |
| JP2000340877A (ja) * | 1999-05-05 | 2000-12-08 | Mitel Semiconductor Ab | 垂直共振器型面発光レーザと光検出用モニターとのアセンブリー及びそのアセンブリング方法 |
| US7327041B2 (en) | 2001-05-28 | 2008-02-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor package and a method for producing the same |
| KR100520080B1 (ko) * | 2003-07-18 | 2005-10-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체칩 표면실장방법 |
| JP2007300052A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Chukaminkoku Taiwan Hakumaku Denshotai Ekisho Keijiki Sangyo Kyokai | フリップチップ実装の部品とその製造方法 |
| WO2008091840A3 (en) * | 2007-01-24 | 2008-11-06 | Analog Devices Inc | Stress free package and laminate-based isolator package |
| US7871865B2 (en) | 2007-01-24 | 2011-01-18 | Analog Devices, Inc. | Stress free package and laminate-based isolator package |
| JP2011100843A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Sekisui Chem Co Ltd | 接着剤層付き半導体チップの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3038703B2 (ja) | 2000-05-08 |
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