JPH0936155A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0936155A JPH0936155A JP18133895A JP18133895A JPH0936155A JP H0936155 A JPH0936155 A JP H0936155A JP 18133895 A JP18133895 A JP 18133895A JP 18133895 A JP18133895 A JP 18133895A JP H0936155 A JPH0936155 A JP H0936155A
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- resin
- mold
- frame body
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止装置で用いる金型の構造を簡素化
し、信頼性の高い製品を容易に製造する。 【解決手段】 金型の上型１０ａと下型１０ｂとで片面
に半導体素子１１を搭載した基板１２をクランプし、基
板１２の半導体素子１１を搭載した面を樹脂封止する半
導体装置の製造方法において、前記半導体素子１１の搭
載部を含む樹脂封止領域の周縁の基板１２上に、該樹脂
封止領域の周縁に沿って枠状に形成した枠体２０を固着
するとともに、前記基板１２上で金型のゲート部１４が
対向する部位に沿って前記枠体２０から基板縁部に延出
するゲート当接体２０ａを取り付けた後、前記上型１０
ａと下型１０ｂとで前記枠体２０とともに前記ゲート当
接体２０ａをクランプし、前記枠体２０と金型とで囲ま
れて形成されたキャビティ１６内に前記ゲート部１４を
経由して樹脂を充填することを特徴とする。
し、信頼性の高い製品を容易に製造する。 【解決手段】 金型の上型１０ａと下型１０ｂとで片面
に半導体素子１１を搭載した基板１２をクランプし、基
板１２の半導体素子１１を搭載した面を樹脂封止する半
導体装置の製造方法において、前記半導体素子１１の搭
載部を含む樹脂封止領域の周縁の基板１２上に、該樹脂
封止領域の周縁に沿って枠状に形成した枠体２０を固着
するとともに、前記基板１２上で金型のゲート部１４が
対向する部位に沿って前記枠体２０から基板縁部に延出
するゲート当接体２０ａを取り付けた後、前記上型１０
ａと下型１０ｂとで前記枠体２０とともに前記ゲート当
接体２０ａをクランプし、前記枠体２０と金型とで囲ま
れて形成されたキャビティ１６内に前記ゲート部１４を
経由して樹脂を充填することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、より詳細には半導体素子を搭載した基板の片
面を樹脂封止する半導体装置の製造方法に関する。
法に関し、より詳細には半導体素子を搭載した基板の片
面を樹脂封止する半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７、８は基板１２に搭載した半導体素
子１１に対し樹脂封止装置により基板１２の半導体素子
搭載面を片面樹脂封止して成る製品の製造方法を示す断
面図である。図７は上型１０ａと下型１０ｂとで基板１
２をクランプし、上型１０ａに設けたゲート部１４から
半導体素子１１の搭載部を含む基板１２の樹脂封止領域
と対応する上型１０ａのキャビティ１６内に樹脂１７を
充填して半導体素子１１を樹脂封止する方法、図８は封
止樹脂の外側面を成形する中金型１８を介して上型１０
ａと下型１０ｂとにより基板１２をクランプし、中金型
１８の上面に設けたゲート部１４から中金型１８により
形成されるキャビティ１６内に樹脂１７を充填して半導
体素子１１を樹脂封止する方法を示す。
子１１に対し樹脂封止装置により基板１２の半導体素子
搭載面を片面樹脂封止して成る製品の製造方法を示す断
面図である。図７は上型１０ａと下型１０ｂとで基板１
２をクランプし、上型１０ａに設けたゲート部１４から
半導体素子１１の搭載部を含む基板１２の樹脂封止領域
と対応する上型１０ａのキャビティ１６内に樹脂１７を
充填して半導体素子１１を樹脂封止する方法、図８は封
止樹脂の外側面を成形する中金型１８を介して上型１０
ａと下型１０ｂとにより基板１２をクランプし、中金型
１８の上面に設けたゲート部１４から中金型１８により
形成されるキャビティ１６内に樹脂１７を充填して半導
体素子１１を樹脂封止する方法を示す。
【０００３】図７と図８に示す樹脂封止方法を比較する
と、図７に示す方法では樹脂封止する際に基板１２のゲ
ート部１４が当接する部分にじかに樹脂１７が付着する
のに対し、図８に示す方法では中金型１８を基板１２の
表面に当接させ中金型１８を介してゲート部１４が配設
されて樹脂封止されることにより基板１２に樹脂１７を
付着させずに樹脂封止できるという特徴がある。このよ
うに、図８に示す方法によれば樹脂封止時に基板１２に
樹脂１７が付着しないから、樹脂封止後に基板１２から
樹脂ばりを剥離して除去する必要がなく、また基板１２
に配線パターンを形成する際にゲート部１４の通過位置
を避けて配置するといった必要がないという利点があ
る。
と、図７に示す方法では樹脂封止する際に基板１２のゲ
ート部１４が当接する部分にじかに樹脂１７が付着する
のに対し、図８に示す方法では中金型１８を基板１２の
表面に当接させ中金型１８を介してゲート部１４が配設
されて樹脂封止されることにより基板１２に樹脂１７を
付着させずに樹脂封止できるという特徴がある。このよ
うに、図８に示す方法によれば樹脂封止時に基板１２に
樹脂１７が付着しないから、樹脂封止後に基板１２から
樹脂ばりを剥離して除去する必要がなく、また基板１２
に配線パターンを形成する際にゲート部１４の通過位置
を避けて配置するといった必要がないという利点があ
る。
【０００４】基板１２の表面には半導体素子１１と外部
接続端子とを接続する微細な配線パターンが設けられて
いるから、図８に示す樹脂封止方法によれば樹脂封止後
に樹脂ばりを除去する工程が不要となることで、基板１
２に損傷を与えたり、樹脂ばりを除去する際に基板１２
表面に形成した配線パターンを被覆しているソルダーレ
ジストなどの保護膜を樹脂ばりと共に剥がすなどの問題
がなくなり好適である。また、ゲート部１４の通過位置
に関わりなく基板１２上に配線パターンを形成できるこ
とから配線パターンの引き回しの自由度がもたせられる
などの利点がある。
接続端子とを接続する微細な配線パターンが設けられて
いるから、図８に示す樹脂封止方法によれば樹脂封止後
に樹脂ばりを除去する工程が不要となることで、基板１
２に損傷を与えたり、樹脂ばりを除去する際に基板１２
表面に形成した配線パターンを被覆しているソルダーレ
ジストなどの保護膜を樹脂ばりと共に剥がすなどの問題
がなくなり好適である。また、ゲート部１４の通過位置
に関わりなく基板１２上に配線パターンを形成できるこ
とから配線パターンの引き回しの自由度がもたせられる
などの利点がある。
【０００５】なお、図９は基板１２の半導体素子１１の
搭載面を片面樹脂封止する他の方法として枠体２０を用
いる方法を示す。この樹脂封止方法では半導体素子１１
を囲む枠状に形成した枠体２０を基板１２に接着し、枠
体２０の内部に樹脂１７をポッティング法により樹脂を
滴下して半導体素子１１を樹脂封止する。枠体２０は樹
脂１７の流れ止めとして作用し、これによって樹脂を成
形するとともに半導体素子１１を樹脂封止することがで
きる。
搭載面を片面樹脂封止する他の方法として枠体２０を用
いる方法を示す。この樹脂封止方法では半導体素子１１
を囲む枠状に形成した枠体２０を基板１２に接着し、枠
体２０の内部に樹脂１７をポッティング法により樹脂を
滴下して半導体素子１１を樹脂封止する。枠体２０は樹
脂１７の流れ止めとして作用し、これによって樹脂を成
形するとともに半導体素子１１を樹脂封止することがで
きる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図８に示す
中金型１８を用いる方法は基板１２に樹脂１７を付着さ
せることなく樹脂封止できる点で有効であるが、金型と
して上型１０ａと下型１０ｂの他に中金型１８を使わな
ければならず金型構造が複雑になることと、樹脂封止操
作ごと中金型を着脱しなければならないといった操作上
の煩雑さがあった。また、ダム枠を設けた場合でも、金
型を用いたトランスファモールド法により樹脂封止する
と、金型のゲート部が基板１２の表面に対向するため樹
脂封止後に樹脂ばりが基板１２上に残る問題がある。
中金型１８を用いる方法は基板１２に樹脂１７を付着さ
せることなく樹脂封止できる点で有効であるが、金型と
して上型１０ａと下型１０ｂの他に中金型１８を使わな
ければならず金型構造が複雑になることと、樹脂封止操
作ごと中金型を着脱しなければならないといった操作上
の煩雑さがあった。また、ダム枠を設けた場合でも、金
型を用いたトランスファモールド法により樹脂封止する
と、金型のゲート部が基板１２の表面に対向するため樹
脂封止後に樹脂ばりが基板１２上に残る問題がある。
【０００７】本発明はこれらの問題点を解消すべくなさ
れたものであり、その目的とするところは、樹脂封止装
置で用いる金型の構造を簡素化することにより製品の製
造を容易にするとともに、信頼性の高い製品の製造を容
易にする半導体装置の製造方法を提供するにある。
れたものであり、その目的とするところは、樹脂封止装
置で用いる金型の構造を簡素化することにより製品の製
造を容易にするとともに、信頼性の高い製品の製造を容
易にする半導体装置の製造方法を提供するにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、金型の上型と下
型とで片面に半導体素子を搭載した基板をクランプし、
基板の半導体素子を搭載した面を樹脂封止する半導体装
置の製造方法において、前記半導体素子の搭載部を含む
樹脂封止領域の周縁の基板上に、該樹脂封止領域の周縁
に沿って枠状に形成した枠体を固着するとともに、前記
基板上で金型のゲート部が対向する部位に沿って前記枠
体から基板縁部に延出するゲート当接体を取り付けた
後、前記上型と下型とで前記枠体とともに前記ゲート当
接体をクランプし、前記枠体と金型とで囲まれて形成さ
れたキャビティ内に前記ゲート部を経由して樹脂を充填
することを特徴とする。また、基板に半導体素子を搭載
した後、前記基板に前記枠体および前記ゲート当接体を
固着することを特徴とする。また、基板に前記枠体およ
び前記ゲート当接体を固着した後、前記基板に半導体素
子を搭載することを特徴とする。また、前記ゲート当接
体の上面に金めっきを施したことを特徴とする。また、
前記ゲート当接体の上面にキャビティに通じる溝部を設
け、該溝部に封止樹脂を流入させてキャビティ内に樹脂
を充填することを特徴とする。また、前記ゲート当接体
の溝部を含む上面に金めっきを施したことを特徴とす
る。
するため次の構成を備える。すなわち、金型の上型と下
型とで片面に半導体素子を搭載した基板をクランプし、
基板の半導体素子を搭載した面を樹脂封止する半導体装
置の製造方法において、前記半導体素子の搭載部を含む
樹脂封止領域の周縁の基板上に、該樹脂封止領域の周縁
に沿って枠状に形成した枠体を固着するとともに、前記
基板上で金型のゲート部が対向する部位に沿って前記枠
体から基板縁部に延出するゲート当接体を取り付けた
後、前記上型と下型とで前記枠体とともに前記ゲート当
接体をクランプし、前記枠体と金型とで囲まれて形成さ
れたキャビティ内に前記ゲート部を経由して樹脂を充填
することを特徴とする。また、基板に半導体素子を搭載
した後、前記基板に前記枠体および前記ゲート当接体を
固着することを特徴とする。また、基板に前記枠体およ
び前記ゲート当接体を固着した後、前記基板に半導体素
子を搭載することを特徴とする。また、前記ゲート当接
体の上面に金めっきを施したことを特徴とする。また、
前記ゲート当接体の上面にキャビティに通じる溝部を設
け、該溝部に封止樹脂を流入させてキャビティ内に樹脂
を充填することを特徴とする。また、前記ゲート当接体
の溝部を含む上面に金めっきを施したことを特徴とす
る。
【０００９】本発明に係る半導体装置の製造方法では基
板の樹脂封止領域の周縁に沿って枠体を固着するととも
に基板にゲート当接体を固着し、枠体とゲート当接体を
固着した基板を金型の上型と下型とでクランプし、枠体
と金型によって形成されたキャビティ内に樹脂を充填し
て樹脂封止する。枠体は樹脂封止時に樹脂の流れ止めと
して作用し所定形状に樹脂成形して半導体素子を樹脂封
止する。封止樹脂はゲート当接体に対向して配置された
金型のゲート部からキャビティ内に充填されるから、基
板上に樹脂ばりを生じさせずに樹脂封止することができ
る。樹脂封止後ゲート当接体等の不要部分を除去して製
品とする。
板の樹脂封止領域の周縁に沿って枠体を固着するととも
に基板にゲート当接体を固着し、枠体とゲート当接体を
固着した基板を金型の上型と下型とでクランプし、枠体
と金型によって形成されたキャビティ内に樹脂を充填し
て樹脂封止する。枠体は樹脂封止時に樹脂の流れ止めと
して作用し所定形状に樹脂成形して半導体素子を樹脂封
止する。封止樹脂はゲート当接体に対向して配置された
金型のゲート部からキャビティ内に充填されるから、基
板上に樹脂ばりを生じさせずに樹脂封止することができ
る。樹脂封止後ゲート当接体等の不要部分を除去して製
品とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。本発明に係る半
導体装置の製造方法は基板の半導体素子の搭載部を含む
樹脂封止領域の周縁に樹脂封止領域の周縁に沿って枠体
を固着して樹脂封止することを特徴とする。図１は枠体
２０を取り付けた基板１２を上型１０ａおよび下型１０
ｂでクランプして樹脂封止する様子を示す。１４は上型
１０ａに設けたゲート部、１６はキャビティである。
を添付図面に基づいて詳細に説明する。本発明に係る半
導体装置の製造方法は基板の半導体素子の搭載部を含む
樹脂封止領域の周縁に樹脂封止領域の周縁に沿って枠体
を固着して樹脂封止することを特徴とする。図１は枠体
２０を取り付けた基板１２を上型１０ａおよび下型１０
ｂでクランプして樹脂封止する様子を示す。１４は上型
１０ａに設けたゲート部、１６はキャビティである。
【００１１】この実施形態での基板１２はＢＧＡ（Ball
Grid Array)型、ＰＰＧＡ（Plastic Pin Gridb Array)
型等の半導体装置などに用いられる基板で、基板１２の
一方の面に半導体素子１１の搭載部および半導体素子１
１と外部接続端子とを接続する配線パターンが設けら
れ、他方の面に外部接続端子を接続するためのランドが
設けられている。ランドと配線パターンとは基板１２に
設けたスルーホールを介して電気的に接続される。な
お、基板１２はプリント回路基板で単層形状でも多層形
状でも用いられる。配線パターンは基板表面に銅箔等の
導体層を設け、導体層をエッチングして所定のパターン
に形成することができる。基板１２の表面は配線パター
ンのボンディング部およびランド等の所要部分を除いて
ソルダーレジスト等の保護膜によって被覆される。
Grid Array)型、ＰＰＧＡ（Plastic Pin Gridb Array)
型等の半導体装置などに用いられる基板で、基板１２の
一方の面に半導体素子１１の搭載部および半導体素子１
１と外部接続端子とを接続する配線パターンが設けら
れ、他方の面に外部接続端子を接続するためのランドが
設けられている。ランドと配線パターンとは基板１２に
設けたスルーホールを介して電気的に接続される。な
お、基板１２はプリント回路基板で単層形状でも多層形
状でも用いられる。配線パターンは基板表面に銅箔等の
導体層を設け、導体層をエッチングして所定のパターン
に形成することができる。基板１２の表面は配線パター
ンのボンディング部およびランド等の所要部分を除いて
ソルダーレジスト等の保護膜によって被覆される。
【００１２】図２は枠体２０を取り付けた基板１２の平
面図、図３は斜視図である。この実施形態では各々半導
体素子１１が搭載され最終的に個片に分離されて製品と
なる基板をサイドレール部で支持した短冊状の基板を用
いている。また、この例では半導体素子１１と配線パタ
ーン１４とはワイヤボンディングによって電気的に接続
しているが、他の接続方法を使用することも可能であ
る。枠体２０は基板１２とは別体で枠状に形成した部材
である。枠体２０は基板１２の各々の半導体素子１１ご
と、半導体素子１１の搭載部を含む樹脂封止領域の周縁
の基板１２上に樹脂封止領域の周縁に沿って固着する。
なお、枠体２０を基板１２に固着する場合、基板１２に
半導体素子１１を搭載した後に固着してもよいし、基板
１２に枠体２０を固着した後に半導体素子１１を搭載し
てもよい。
面図、図３は斜視図である。この実施形態では各々半導
体素子１１が搭載され最終的に個片に分離されて製品と
なる基板をサイドレール部で支持した短冊状の基板を用
いている。また、この例では半導体素子１１と配線パタ
ーン１４とはワイヤボンディングによって電気的に接続
しているが、他の接続方法を使用することも可能であ
る。枠体２０は基板１２とは別体で枠状に形成した部材
である。枠体２０は基板１２の各々の半導体素子１１ご
と、半導体素子１１の搭載部を含む樹脂封止領域の周縁
の基板１２上に樹脂封止領域の周縁に沿って固着する。
なお、枠体２０を基板１２に固着する場合、基板１２に
半導体素子１１を搭載した後に固着してもよいし、基板
１２に枠体２０を固着した後に半導体素子１１を搭載し
てもよい。
【００１３】図１に示すように枠体２０は樹脂封止の際
に樹脂を成形するキャビティ１６の一部を構成し、枠体
２０によって樹脂封止領域の周縁部分が規定される。し
たがって、枠体２０は製品に応じてその寸法および配置
位置等を適宜設定しなければならない。図１に示す例で
は上型１０ａにキャビティ凹部を設けて所要のキャビテ
ィ空間を確保している。なお、上型１０ａのキャビティ
１６に対向する面にキャビティ凹部を設けず平坦面で形
成した場合は枠体２０の上面と同一の高さまで樹脂１７
が充填されることになるから、枠体２０は樹脂１７によ
って半導体素子１１が埋没される厚さに設定する必要が
ある。
に樹脂を成形するキャビティ１６の一部を構成し、枠体
２０によって樹脂封止領域の周縁部分が規定される。し
たがって、枠体２０は製品に応じてその寸法および配置
位置等を適宜設定しなければならない。図１に示す例で
は上型１０ａにキャビティ凹部を設けて所要のキャビテ
ィ空間を確保している。なお、上型１０ａのキャビティ
１６に対向する面にキャビティ凹部を設けず平坦面で形
成した場合は枠体２０の上面と同一の高さまで樹脂１７
が充填されることになるから、枠体２０は樹脂１７によ
って半導体素子１１が埋没される厚さに設定する必要が
ある。
【００１４】上型１０ａと下型１０ｂで基板１２をクラ
ンプする場合は、図１に示すように枠体２０を介して上
型１０ａと下型１０ｂでクランプし、これにより枠体２
０と上型１０ａによってキャビティ１６が形成される。
キャビティ１６内には上型１０ａに設けたゲート部１４
から樹脂１７を充填するが、この例では上型１０ａのゲ
ート部１４が対向する部位に枠体２０からゲート当接体
２０ａを基板１２の縁部まで延設し、枠体２０とともに
ゲート当接体２０ａを基板１２に固着するようにした。
ゲート当接体２０ａの厚さは枠体２０と同じであっても
よいし、枠体２０よりも薄くした場合には、後述するよ
うにキャビティ凹部に通じる溝部をゲート当接体２０ａ
に設けてもよい。ゲート当接体２０ａの上面でゲート部
１４が通過する部位には硬化樹脂が容易に剥離できるよ
うに金めっき２４等を施すのがよい。
ンプする場合は、図１に示すように枠体２０を介して上
型１０ａと下型１０ｂでクランプし、これにより枠体２
０と上型１０ａによってキャビティ１６が形成される。
キャビティ１６内には上型１０ａに設けたゲート部１４
から樹脂１７を充填するが、この例では上型１０ａのゲ
ート部１４が対向する部位に枠体２０からゲート当接体
２０ａを基板１２の縁部まで延設し、枠体２０とともに
ゲート当接体２０ａを基板１２に固着するようにした。
ゲート当接体２０ａの厚さは枠体２０と同じであっても
よいし、枠体２０よりも薄くした場合には、後述するよ
うにキャビティ凹部に通じる溝部をゲート当接体２０ａ
に設けてもよい。ゲート当接体２０ａの上面でゲート部
１４が通過する部位には硬化樹脂が容易に剥離できるよ
うに金めっき２４等を施すのがよい。
【００１５】図１はゲート当接体２０ａを通過する位置
（図２のＡ−Ａ線）での断面図である。２６は枠体２
０、ゲート当接体２０ａを基板１２に接着する接着剤で
ある。実施例では上型１０ａのゲート部１４がゲート当
接体２０ａの上面を通過してキャビティ１６に通じるよ
うにし、ゲート部１４とキャビティ１６とを連絡するゲ
ート口を枠体２０の上面のキャビティ１６のコーナー部
に配置した。こうして、ゲート部１４からキャビティ１
６に圧送される樹脂１７はゲート当接体２０ａの上面を
通過してキャビティ１６の内に充填される。図４は樹脂
封止後の基板１２の斜視図を示す。封止樹脂は枠体２０
および上型１０ａのキャビティ凹部によって成形されて
いる。
（図２のＡ−Ａ線）での断面図である。２６は枠体２
０、ゲート当接体２０ａを基板１２に接着する接着剤で
ある。実施例では上型１０ａのゲート部１４がゲート当
接体２０ａの上面を通過してキャビティ１６に通じるよ
うにし、ゲート部１４とキャビティ１６とを連絡するゲ
ート口を枠体２０の上面のキャビティ１６のコーナー部
に配置した。こうして、ゲート部１４からキャビティ１
６に圧送される樹脂１７はゲート当接体２０ａの上面を
通過してキャビティ１６の内に充填される。図４は樹脂
封止後の基板１２の斜視図を示す。封止樹脂は枠体２０
および上型１０ａのキャビティ凹部によって成形されて
いる。
【００１６】樹脂封止後は、基板１２からゲート当接体
２０ａおよびサイドレール部等の不要部分を除去し、個
片に分離して製品とする。図２で基板１２から個片に分
離する位置を線Ｂで示す。基板１２から製品を個片に分
離する際には枠体２０の周縁から若干離して分離しても
よいし、枠体２０の周縁に沿って分離してもよい。基板
１２から製品を個片に分離した後、外部接続端子を接合
して製品とする。
２０ａおよびサイドレール部等の不要部分を除去し、個
片に分離して製品とする。図２で基板１２から個片に分
離する位置を線Ｂで示す。基板１２から製品を個片に分
離する際には枠体２０の周縁から若干離して分離しても
よいし、枠体２０の周縁に沿って分離してもよい。基板
１２から製品を個片に分離した後、外部接続端子を接合
して製品とする。
【００１７】図５は枠体２０を取り付けた基板１２を用
いて樹脂封止する他の実施形態を示す。この実施形態に
おいても上記例と同様に枠体２０とゲート当接体２０ａ
を固着した基板１２を使用する。上型１０ａと下型１０
ｂとで枠体２０およびゲート当接体２０ａを介して基板
１２をクランプし、ゲート当接体２０ａからキャビティ
１６内に樹脂を充填して樹脂封止する。なお、この例で
は上型１０ａにキャビティ凹部を設けずにキャビティ内
面を平坦面に形成して樹脂封止する。
いて樹脂封止する他の実施形態を示す。この実施形態に
おいても上記例と同様に枠体２０とゲート当接体２０ａ
を固着した基板１２を使用する。上型１０ａと下型１０
ｂとで枠体２０およびゲート当接体２０ａを介して基板
１２をクランプし、ゲート当接体２０ａからキャビティ
１６内に樹脂を充填して樹脂封止する。なお、この例で
は上型１０ａにキャビティ凹部を設けずにキャビティ内
面を平坦面に形成して樹脂封止する。
【００１８】この実施形態ではキャビティ１６に樹脂を
充填する樹脂路としてゲート当接体２０ａの上面にゲー
ト当接体２０ａの端部からキャビティ１６まで通じる溝
部３０を設け、溝部３０を樹脂路としてキャビティ１６
内に樹脂１７を充填する。図６に樹脂封止後の基板１２
の斜視図を示す。枠体２０の上面と封止樹脂とが同一高
さで樹脂成形されている。ゲート当接体２０ａに設ける
溝部３０は断面Ｖ字状、Ｕ字状等の適宜形状に形成でき
る。
充填する樹脂路としてゲート当接体２０ａの上面にゲー
ト当接体２０ａの端部からキャビティ１６まで通じる溝
部３０を設け、溝部３０を樹脂路としてキャビティ１６
内に樹脂１７を充填する。図６に樹脂封止後の基板１２
の斜視図を示す。枠体２０の上面と封止樹脂とが同一高
さで樹脂成形されている。ゲート当接体２０ａに設ける
溝部３０は断面Ｖ字状、Ｕ字状等の適宜形状に形成でき
る。
【００１９】樹脂封止後は溝部３０内に樹脂１７が残留
して硬化する。この溝部３０で硬化した樹脂を容易に剥
離して除去できるようにするために、少なくとも溝部３
０を含むゲート当接体２０ａの上面に金めっきを施すの
がよい。樹脂封止後は、上記例と同様にゲート当接体２
０ａやサイドレール部等の不要部分を基板１２から除去
し個片に分離して製品とする。こうして得られた樹脂封
止製品は、基板１２に枠体２０が固着され、枠体２０の
内側に樹脂１７が充填されて半導体素子１１が封止され
たものとなる。
して硬化する。この溝部３０で硬化した樹脂を容易に剥
離して除去できるようにするために、少なくとも溝部３
０を含むゲート当接体２０ａの上面に金めっきを施すの
がよい。樹脂封止後は、上記例と同様にゲート当接体２
０ａやサイドレール部等の不要部分を基板１２から除去
し個片に分離して製品とする。こうして得られた樹脂封
止製品は、基板１２に枠体２０が固着され、枠体２０の
内側に樹脂１７が充填されて半導体素子１１が封止され
たものとなる。
【００２０】なお、基板１２上に固着する枠体２０とゲ
ート当接体２０ａはあらかじめ一体に形成したものを用
いてもよいし、別体に形成した枠体２０とゲート当接体
２０ａを基板１２上に取り付けて用いてもよい。枠体２
０とゲート当接体２０ａを別体に形成する場合は、ゲー
ト当接体２０ａを基板１２に仮止めする等により、樹脂
封止後に基板１２からゲート当接体２０ａを容易に除去
できるという利点がある。
ート当接体２０ａはあらかじめ一体に形成したものを用
いてもよいし、別体に形成した枠体２０とゲート当接体
２０ａを基板１２上に取り付けて用いてもよい。枠体２
０とゲート当接体２０ａを別体に形成する場合は、ゲー
ト当接体２０ａを基板１２に仮止めする等により、樹脂
封止後に基板１２からゲート当接体２０ａを容易に除去
できるという利点がある。
【００２１】本発明に係る半導体装置の製造方法では基
板１２とともに枠体２０をクランプして樹脂封止するか
ら、枠体２０は金型によるクランプに耐えられる一定の
強度を有するものであればよく、プリント基板等に用い
るガラス−布−エポキシ、ガラス−布−ポリイミド、ガ
ラス−布−テフロン、ＢＴレジン等の他、金属材を用い
ることもできる。なお、枠体２０を基板１２と同材料で
作成した場合は、基板１２と枠体２０との熱膨張係数を
マッチングさせることができ半導体装置を実装した際の
信頼性を向上させることができるという利点がある。
板１２とともに枠体２０をクランプして樹脂封止するか
ら、枠体２０は金型によるクランプに耐えられる一定の
強度を有するものであればよく、プリント基板等に用い
るガラス−布−エポキシ、ガラス−布−ポリイミド、ガ
ラス−布−テフロン、ＢＴレジン等の他、金属材を用い
ることもできる。なお、枠体２０を基板１２と同材料で
作成した場合は、基板１２と枠体２０との熱膨張係数を
マッチングさせることができ半導体装置を実装した際の
信頼性を向上させることができるという利点がある。
【００２２】なお、上記実施例では上型１０ａにゲート
部１４を設けて上型１０ａ側からキャビティ１６に樹脂
１７を充填したが、金型の構造は実施例のものに限定さ
れるものではなく、たとえば下型１０ｂにゲート部１４
を設けて下型１０ｂからキャビティ１６に樹脂１７を充
填するといった方法を採用することもできる。また、製
品に応じて、枠体２０およびゲート当接体２０ａの形
状、寸法等を適宜設定して樹脂封止することができる。
部１４を設けて上型１０ａ側からキャビティ１６に樹脂
１７を充填したが、金型の構造は実施例のものに限定さ
れるものではなく、たとえば下型１０ｂにゲート部１４
を設けて下型１０ｂからキャビティ１６に樹脂１７を充
填するといった方法を採用することもできる。また、製
品に応じて、枠体２０およびゲート当接体２０ａの形
状、寸法等を適宜設定して樹脂封止することができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置の製造方法によ
れば、上述したように、枠体とゲート当接体を取り付け
た基板を用いることにより、基板にじかに樹脂を付着さ
せずに樹脂封止することができ、樹脂封止後に基板に付
着した樹脂を除去する必要がなく、基板を被覆する保護
膜に損傷を与えることを防止することができる。また、
ゲートの通過位置に関わりなく基板上に配線パターンが
形成できるから配線パターンの引回しの自由度が大きく
なるという利点がある。また、樹脂封止する際に中金型
を使用する必要がなく、金型の構造を簡素化することが
できるとともに、金型を用いた樹脂封止操作が簡単にな
る等の著効を奏する。
れば、上述したように、枠体とゲート当接体を取り付け
た基板を用いることにより、基板にじかに樹脂を付着さ
せずに樹脂封止することができ、樹脂封止後に基板に付
着した樹脂を除去する必要がなく、基板を被覆する保護
膜に損傷を与えることを防止することができる。また、
ゲートの通過位置に関わりなく基板上に配線パターンが
形成できるから配線パターンの引回しの自由度が大きく
なるという利点がある。また、樹脂封止する際に中金型
を使用する必要がなく、金型の構造を簡素化することが
できるとともに、金型を用いた樹脂封止操作が簡単にな
る等の著効を奏する。
【図１】枠体を取り付けた基板を金型でクランプして樹
脂封止する状態を示す断面図である。
脂封止する状態を示す断面図である。
【図２】枠体を取り付けた基板の平面図である。
【図３】枠体を取り付けた基板の斜視図である。
【図４】樹脂封止後の基板の斜視図である。
【図５】枠体を取り付けた基板を金型でクランプして樹
脂封止する他の方法を示す断面図である。
脂封止する他の方法を示す断面図である。
【図６】樹脂封止後の基板の斜視図である。
【図７】基板を片面樹脂封止する方法の従来例を示す断
面図である。
面図である。
【図８】基板を片面樹脂封止する方法の従来例を示す断
面図である。
面図である。
【図９】基板に枠体を取り付けて樹脂封止した半導体装
置の例を示す断面図である。
置の例を示す断面図である。
１０ａ 上型 １０ｂ 下型 １１ 半導体素子 １２ 基板 １４ ゲート部 １６ キャビティ １７ 樹脂 １８ 中金型 ２０ 枠体 ２０ａ ゲート当接体 ２４ 金めっき ２６ 接着剤 ３０ 溝部
Claims (6)
- 【請求項１】 金型の上型と下型とで片面に半導体素子
を搭載した基板をクランプし、基板の半導体素子を搭載
した面を樹脂封止する半導体装置の製造方法において、 前記半導体素子の搭載部を含む樹脂封止領域の周縁の基
板上に、該樹脂封止領域の周縁に沿って枠状に形成した
枠体を固着するとともに、前記基板上で金型のゲート部
が対向する部位に沿って前記枠体から基板縁部に延出す
るゲート当接体を取り付けた後、 前記上型と下型とで前記枠体とともに前記ゲート当接体
をクランプし、前記枠体と金型とで囲まれて形成された
キャビティ内に前記ゲート部を経由して樹脂を充填する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 基板に半導体素子を搭載した後、前記基
板に前記枠体および前記ゲート当接体を固着することを
特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 基板に前記枠体および前記ゲート当接体
を固着した後、前記基板に半導体素子を搭載することを
特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記ゲート当接体の上面に金めっきを施
したことを特徴とする請求項１、２または３記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記ゲート当接体の上面にキャビティに
通じる溝部を設け、該溝部に封止樹脂を流入させてキャ
ビティ内に樹脂を充填することを特徴とする請求項１、
２または３記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記ゲート当接体の溝部を含む上面に金
めっきを施したことを特徴とする請求項５記載の半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18133895A JPH0936155A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18133895A JPH0936155A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936155A true JPH0936155A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16098958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18133895A Pending JPH0936155A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0936155A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6200121B1 (en) | 1998-06-25 | 2001-03-13 | Nec Corporation | Process for concurrently molding semiconductor chips without void and wire weep and molding die used therein |
| KR100393093B1 (ko) * | 1999-06-07 | 2003-07-31 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지의 제조방법 |
| WO2006129343A1 (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Spansion Llc | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| SG127716A1 (en) * | 2003-03-11 | 2006-12-29 | Hitachi Cable | Mold die and method for manufacturing semiconductor device using the same |
| JP2008060160A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JP2014093451A (ja) * | 2012-11-05 | 2014-05-19 | Denso Corp | モールドパッケージの製造方法 |
| JP2021012992A (ja) * | 2019-07-09 | 2021-02-04 | アサヒ・エンジニアリング株式会社 | 樹脂封止装置 |
-
1995
- 1995-07-18 JP JP18133895A patent/JPH0936155A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6200121B1 (en) | 1998-06-25 | 2001-03-13 | Nec Corporation | Process for concurrently molding semiconductor chips without void and wire weep and molding die used therein |
| US6315540B1 (en) * | 1998-06-25 | 2001-11-13 | Nec Corporation | Molding die for concurrently molding semiconductor chips without voids and wire weep |
| KR100393093B1 (ko) * | 1999-06-07 | 2003-07-31 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지의 제조방법 |
| SG127716A1 (en) * | 2003-03-11 | 2006-12-29 | Hitachi Cable | Mold die and method for manufacturing semiconductor device using the same |
| US7355278B2 (en) | 2003-03-11 | 2008-04-08 | Hitachi Cable, Ltd. | Mold die for a semiconductor device |
| WO2006129343A1 (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Spansion Llc | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| JPWO2006129343A1 (ja) * | 2005-05-30 | 2008-12-25 | スパンション エルエルシー | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| US7622067B2 (en) | 2005-05-30 | 2009-11-24 | Spansion Llc | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
| JP5166870B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2013-03-21 | スパンション エルエルシー | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2008060160A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JP2014093451A (ja) * | 2012-11-05 | 2014-05-19 | Denso Corp | モールドパッケージの製造方法 |
| JP2021012992A (ja) * | 2019-07-09 | 2021-02-04 | アサヒ・エンジニアリング株式会社 | 樹脂封止装置 |
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