JPH0936195A

JPH0936195A - 基板処理装置

Info

Publication number: JPH0936195A
Application number: JP7178701A
Authority: JP
Inventors: Kenji Sugimoto; 憲司杉本
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1995-07-14
Filing date: 1995-07-14
Publication date: 1997-02-07

Abstract

(57)【要約】【課題】基板の特徴部位が一定方向を向くように調整
して諸履歴を同一にすることができる基板処理装置を提
供する。【解決手段】基板搬入搬出部たるインデクサＩＤにオ
リフラ合わせ部（第１位置決め機構）１２が設けられ、
オリフラが一定方向を向くように半導体ウエハ１を位置
決めした後で、処理部群１１０，１２０側に搬出する。
また、半導体ウエハ１を回転させる処理部（スピンコー
タＳＣおよびスピンデベロッパＳＤ１，ＳＤ２）に、半
導体ウエハ１の回転停止の際にそのオリフラが一定方向
を向くように半導体ウエハ１を回転位置決めするための
第２位置決め機構が設けられている。このため、半導体
ウエハ１は、常にオリフラが一定方向を向いた状態で各
処理部に搬送されるので、各半導体ウエハ１の間での熱
履歴やスピン処理履歴などの諸履歴を同一にすることが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶表示装置用ガラス基板などの各種の被処理基板に対
して一連の処理を行う基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】周知のように半導体ウエハに対してはレ
ジストの回転塗布処理やそれに関連する処理など、種々
の表面処理が行われ、それら一連の処理を自動的に行う
半導体ウエハ処理装置が使用されている。そして、これ
ら一連の処理を効率的に行わせるために、複数の処理部
を２列に配置して処理部群を形成するとともに、カセッ
トから被処理基板たる半導体ウエハを１枚ずつ処理部群
側に搬出し、当該半導体ウエハを搬送ロボット（搬送手
段）によって各処理部間で搬送している。

【０００３】処理部群を構成している複数の処理部に
は、半導体ウエハに加熱処理や冷却処理を実行する熱処
理部が含まれている。この熱処理部では、プレートの上
面に直接もしくは所定の間隔をおいて半導体ウエハを載
置して熱処理を実行する。ここで、ヒータの個体差やプ
レート設置環境などの要因からプレート上の熱分布を完
全に均一にすることは困難であり、この熱処理部により
熱処理された半導体ウエハには、その熱処理部の熱分布
に応じた特有の熱履歴が反映される。このため、熱処理
部に半導体ウエハを載置する際に、半導体ウエハの特徴
部位であるオリフラが一定方向を向くように配置するこ
とで、各半導体ウエハの間で熱履歴を同じくすることが
望まれる。

【０００４】また、処理部群には、半導体ウエハを回転
させてレジストを回転塗布するスピンコータ（回転式レ
ジスト塗布装置）などの回転処理部が含まれており、各
半導体ウエハの間でスピン処理履歴を同一にしたいとい
う要望がある。この「スピン処理履歴」は、回転初期に
おける風切りの影響が大きく、回転に先立って半導体ウ
エハのオリフラが一定方向を向くように位置させてお
き、その状態から回転始動させることで各半導体ウエハ
の間でスピン処理履歴を同じにすることができる。

【０００５】さらに、半導体ウエハを搬送する際には、
半導体ウエハの振動を抑制したいという要請があり、こ
れを満足するためには半導体ウエハのオリフラが一定方
向を向いた姿勢で搬送して各半導体ウエハの間での搬送
履歴を同じにすることが必要である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体ウエ
ハは、オリフラ（特徴部位）が種々の方向を向いた状態
でカセット内に収容されている。しかも、従来において
は、カセットから搬出して処理部群に搬出する際に、半
導体ウエハのオリフラが一定方向を向くように調整する
ような配慮はなされていない。そのため、上記した諸履
歴を各半導体ウエハ間で同じにすることができず、半導
体ウエハ間で処理のバラツキが生じて、安定した基板処
理を行うことができないという問題があった。

【０００７】なお、このような問題は半導体ウエハに限
られた問題ではなく、一部に切欠などの特徴部位を備え
た液晶表示装置用ガラス基板などを処理する基板処理装
置全般の問題である。また、スピン処理履歴は、スピン
コータのみならず、回転式現像装置（スピンデベロッ
パ）などにおいても問題となる。

【０００８】本発明は、上述のような問題を解消して、
基板の特徴部位が一定方向を向くように調整して諸履歴
を同一にすることができる基板処理装置を提供すること
を目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、それ
ぞれが基板に対して所定の処理を行う複数の処理部から
なる処理部群と、複数の基板を順次前記処理部群に向け
て搬出する基板搬入搬出部と、前記基板搬入搬出部から
搬出された基板を前記複数の処理部の間で搬送する搬送
手段とを備えた基板処理装置であって、上記目的を達成
するため、前記基板搬入搬出部は、基板ごとにその特徴
部位を検出して当該特徴部位が一定の方向を向くように
位置決めする第１位置決め機構を備えている。この基板
搬入搬出部では、前記第１位置決め機構で基板が位置決
めされた後、前記処理部群に向けて搬出される。

【００１０】請求項２の発明は、処理部として基板を回
転させて処理する回転処理部を含んでおり、この回転処
理部は、基板を回転停止させる際に、その特徴部位が一
定方向を向くように基板を位置決めする第２位置決め機
構を備えている。したがって、回転処理部から搬出する
際には、基板は、その特徴部位が一定方向を向くように
位置決めされる。

【００１１】請求項３の発明は、処理部として基板に対
して熱処理を施す熱処理部である。特徴部位が一定方向
を向いた状態で基板が熱処理部に与えられて熱処理され
るので、各基板の間での熱履歴が同じになる。

【００１２】請求項４の発明は、前記搬送手段に回転対
称な形状の保持部が備えられている。前記搬送手段は、
前記保持部の回転対称軸上に基板の重心が位置するよう
に基板を保持しながら前記複数の処理部の間で搬送す
る。したがって、搬送時の基板の振動が抑制される。

【００１３】

【発明の実施の形態】図１はこの発明の一実施形態であ
る半導体ウエハ処理装置１００の外観斜視図であり、後
述する各図との方向関係を明確にするために、ＸＹＺ直
角座標軸が示されている。また、図２はこの装置１００
の概念的平面配置図である。この装置１００では、半導
体ウエハ１を複数の処理部の間で搬送するための搬送手
段を２つの搬送ロボットＴＨ、ＴＣで構成している。

【００１４】この装置１００においては、複数の半導体
ウエハ１を順次後述するように構成された処理部群１１
０，１２０に向けて搬出する基板搬入搬出部として機能
するインデクサＩＤが設けられている。このインデクサ
ＩＤは、ロボット１０１と、半導体ウエハ１が収容され
たカセット１０を載置するためのカセット載置部１１
と、オリフラ合わせ部（第１位置決め機構）１２とで構
成されている。このロボット１０１は、インデクサＩＤ
上のカセット１０、オリフラ合わせ部１２および搬送ロ
ボットＴＨの間で半導体ウエハ１を搬送可能となってお
り、まずカセットから半導体ウエハ１を取り出し、オリ
フラ合わせ部１２に搬送する。

【００１５】このオリフラ合わせ部１２は、図３に示す
ように、半導体ウエハ１を吸着保持するチャック部１３
と、チャック部１３を中心として放射状に配置されて収
縮・拡張自在な５本のセンタリングアーム１４と、チャ
ック部１３により支持された半導体ウエハ１の端縁部の
上方位置に配置されたセンサ１５とで構成されている。
このオリフラ合わせ部１２では、ロボット１０１により
チャック部１３上に半導体ウエハ１が載置されると、セ
ンタリングアーム１４が収縮して半導体ウエハ１のセン
タリング処理を行う。それに続いて、半導体ウエハ１を
チャック部１３で吸着保持しながらチャック部１３と一
体的に回転させてセンサ１５で半導体ウエハ１の特徴部
位であるオリフラ１ａを検出した後、そのオリフラ１ａ
が所定方向を向くと、チャック部１３の回転を停止させ
て半導体ウエハ１を位置決めする。

【００１６】こうして位置決めされた半導体ウエハ１
は、ロボット１０１で搬送ロボットＴＨに受け渡されて
処理部群１１０側に搬出される。

【００１７】第１と第２の処理部群１１０，１２０はほ
ぼ並行な２列に配置されており、またインデクサＩＤと
反対側には循環搬送の途中で半導体ウエハ１を外部装
置、例えばステッパーと受渡しすべく一時的に載置する
ための基板載置台としてのインターフェイスＩＦＢが設
けられている。

【００１８】図４は第１の処理部群１１０の概念的正面
配置図である。この第１の処理部群１１０は複数の処理
部を多段多列とした積層構造となっており、ホットプレ
ート（ベーク部）ＨＰ１〜ＨＰ４の積層配列やエッジ露
光部ＥＥＷ１，ＥＥＷ２などを含む。ホットプレートＨ
Ｐ１〜ＨＰ４は半導体ウエハ１を高温でベークするため
の熱処理部であり、エッジ露光部ＥＥＷ１，ＥＥＷ２は
レジストを塗布された後の半導体ウエハ１のエッジを露
光するためのものである。

【００１９】また第１の処理部群１１０の最下段に相当
する部分には受渡し部列１４０が設けられている。この
受渡し部列１４０は３組の受渡し部１４１，１４２，１
４３の集合からなり、このうち受渡し部１４１は、クー
ルプレート（冷却部）ＣＰ１の上にインターフェイス部
ＩＦ１を積層して構成されている。同様に、他の受渡し
部１４２（１４３）も、クールプレートＣＰ２（ＣＰ
３）の上に、インターフェイス部ＩＦ２（ＩＦ３）を積
層して構成されている。

【００２０】これら受渡し部１４１〜１４３を構成する
要素のうち、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３は、ホット
プレートＨＰ１〜ＨＰ３によって加熱された後の半導体
ウエハ１を、常温付近の所定温度の恒温水が内部に供給
されるプレート上に載置して強制冷却させる機能を有し
ており、半導体ウエハ１を第１の処理部群１１０側と第
２の処理部群１２０側とで受渡しするための一時的載置
場所としても使用される。この受渡しにおいてこれらの
クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３は搬送ロボットＴＨ，Ｔ
Ｃのいずれからも共通にアクセスされる処理部である。
また、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３においては、薬液
を使用した塗布や現像などのように微少な温度変化にも
処理結果が極めて大きな影響を受ける処理は行わないた
め、その処理開始時の温度が多少変動してもその処理に
実質的影響はない。

【００２１】これに対してインターフェイス部ＩＦ１〜
ＩＦ３は半導体ウエハ１の受渡しのためのみに使用する
ウエハ載置場所であって、ウエハを載置する３本のピン
を有し、「受渡し専用部」として設けられている。

【００２２】なお、ホットプレートＨＰ４によって加熱
された後の半導体ウエハ１を強制冷却させるためのクー
ルプレートＣＰ４は第１の処理部群１１０の端部上方に
設けられており、このクールプレートＣＰ４は半導体ウ
エハ１の受渡しのためには使用しない。また、図４中、
「−−」は空室となっている部分を示す。

【００２３】第２の処理部群１２０は、図２に示すよう
に、スピンコータ（回転式レジスト塗布装置）ＳＣおよ
び、スピンデベロッパ（回転式現像装置）ＳＤ１，ＳＤ
２を有している。

【００２４】図５は図１、図２および図４に示したＶ−
Ｖ線に沿って見た断面図である。ただし、搬送ロボット
ＴＨ，ＴＣの双方が図５に現れるように、これら搬送ロ
ボットＴＨ，ＴＣの位置は、それらの並進可能な範囲で
図１、図２および図４とはずらせた位置に描かれてい
る。図５に示すように、この装置１００においては２台
の搬送ロボットＴＣ，ＴＨが設けられており、これらの
搬送ロボットＴＣ，ＴＨによって半導体ウエハ１の循環
搬送および出し入れを行う。すなわち、この実施例で
は、これらの搬送ロボットＴＣ，ＴＨにより被処理基板
たる半導体ウエハ１を第１および第２の処理部群の１１
０，１２０の処理部の間で順次搬送する搬送手段が構成
されている。なお、これらの搬送ロボットＴＣ，ＴＨの
うち、前者は第２の処理部群１２０への半導体ウエハ１
の搬送のために設けられている「低温ロボット」であ
り、後者は第１の処理部群１１０への半導体ウエハ１の
搬送のために設けられている「高温ロボット」であり、
それぞれ以下のように構成されている。

【００２５】低温ロボットＴＣは、第１および第２の処
理部群１１０，１２０の間をＸ方向およびその反対方向
に並進可能であって、ハンドとしては同時入れ替え型の
ものを有している。この同時入れ替え型のハンドは、低
温ロボットＴＣの中心に、２本の伸縮式の多関節アーム
（以下、単に腕と称する）が若干異なる高さに設けら
れ、その両端にそれぞれ第１保持部１３３および第２保
持部１３４が取り付けられて構成されている。これらの
腕は、その水平面内の動きについては、低温ロボットＴ
Ｃ内に設けられた単一の共通な駆動源であるモータＭに
より両方が同時に連動して伸長ないし縮退するよう駆動
される。そして、それぞれが昇降することにより、互い
に向かい合った処理部等の間で半導体ウエハを搬送す
る。第１保持部１３３および第２保持部１３４は、図６
に示すように、円弧の一部を切り取った形状であって、
回転対称軸ＳＡに対して対称となっており、円弧中心に
向かって突設された３本の爪部ＦＰにより半導体ウエハ
１の端縁を支持する。このように構成された低温ロボッ
トＴＣは、スピンコータＳＣ、スピンデベロッパＳＤ
１，ＳＤ２の正面に移動し、例えばスピンコータＳＣの
正面にあるときには、クールプレートＣＰにある半導体
ウエハをスピンコータＳＣへ搬送し、同時にスピンコー
タＳＣにある半導体ウエハをインターフェイス部ＩＦ１
へ搬送する動作を行う。なお、低温ロボットＴＣの構成
はこれに限定されるものではなく、後述する高温ロボッ
トＴＨのように、２つのハンドを上下に重ね合わせた、
いわゆるダブルハンド型であってもよい。

【００２６】高温ロボットＴＨは、第１の処理部群１１
０の背面側（Ｙ方向側）でＸ方向およびその反対方向に
並進可能である。すなわち、高温ロボットＴＨは装置本
体ＦＲの背面とで接する搬送路１３０Ｈ（図２）上を並
進自在となっている。また、高温ロボットＴＨは上下方
向に昇降可能となっている（図４の垂直方向の双方向矢
印）。さらに、互いに独立して進退可能なハンド１３
１，１３２がウエハ出し入れ口１１５（１４５）を介し
て各処理部や受渡し部１４２にアクセスし、半導体ウエ
ハの取り出しや載置動作を行う。例えば、高温ロボット
ＴＨの第１のハンド１３１が第１の半導体ウエハを保持
しており、その第１の半導体ウエハをホットプレートＨ
Ｐ２に載置するとともに、既にこのホットプレートＨＰ
２での処理を完了した第２の半導体ウエハをこのホット
プレートＨＰ２から取り出す場合を考える（半導体ウエ
ハの「交換」）。この場合、高温ロボットＴＨはホット
プレートＨＰ２のウエハ出し入れ口１１５の前まで移動
し、空状態の第２のハンド１３２をホットプレートＨＰ
２に差し込んで第２の半導体ウエハを保持して取り出
す。その後、第１のハンド１３１をホットプレートＨＰ
２へ差し込み、それが保持していた第１の半導体ウエハ
をホットプレートＨＰ２へ載置する。これよって第１と
第２の半導体ウエハの「交換」が達成される。このよう
な交換ではなく、「取り出し」または「載置」のみを行
う場合には、これらの動作のうちの一方だけでよい。

【００２７】図５に戻って説明を続ける。同図に示すよ
うに、スピンコータＳＣのモータ軸の下部に軸位置検出
用のスリット板１２１が取り付けられるとともに、スリ
ット板１２１の端縁部にフォト・インタラプタ１２２が
配置されており、レジストの回転塗布処理が完了し半導
体ウエハ１を回転停止させた際に、フォト・インタラプ
タ１２２でスリット板１２１に設けられたスリット部
（図示省略）を検出しながら、半導体ウエハ１の特徴部
位たるオリフラ１ａが一定方向を向くように半導体ウエ
ハ１を回転位置決めする。このように、この実施形態で
は、スリット板１２１とフォト・インタラプタ１２２と
で半導体ウエハ１の位置決めを行う第２位置決め機構が
構成されている。なお、図面への図示は省略されている
が、スピンデベロッパＳＤ１，ＳＤ２においても、スピ
ンコータＳＣと同様に、第２位置決め機構が形成されて
いる。また、第２位置決め機構の構成に関しては、この
構成に限定されるものではなく、例えば第１位置決め機
構と同様に、半導体ウエハ１のオリフラ１ａを直接検出
し、そのオリフラ１ａが所定方向を向くように半導体ウ
エハ１を位置決めするようにしてもよい。

【００２８】なお、同図および図２において、符号１５
０は、このように構成された半導体ウエハ処理装置１０
０と装置外部との間で用力の取り合いを行うための用力
取合部であり、搬送路１３０Ｈの直下の空間ＳＰ１に設
けられている。

【００２９】次に、上記のように構成された半導体ウエ
ハ処理装置１００の特徴的な動作について図７を参照し
つつ説明する。図７は、カセット１０から半導体ウエハ
１を取り出し、ホットプレートＨＰによるベーク処理、
クールプレートＣＰによる冷却処理およびスピンコータ
ＳＣによるレジストの回転塗布処理を順次行う手順を模
式的に示した図であり、同図において、点線矢印はイン
デクサＩＤのロボット１０１による半導体ウエハ１の搬
送を示す一方、実線矢印は搬送手段（高温および低温ロ
ボットＴＨ，ＴＣ）による半導体ウエハ１の搬送を示し
ている。

【００３０】まず、この装置１００では、ロボット１０
１がカセット１０から半導体ウエハ１を取り出し、オリ
フラ合わせ部１２に搬送する（点線矢印ＡＲ1）。そし
て、このオリフラ合わせ部１２で、上記のようにして半
導体ウエハ１の特徴部位たるオリフラ１ａが一定方向を
向くように位置決めされる。それに続いて、ロボット１
０１がオリフラ合わせ部１２から位置決めされた半導体
ウエハ１を取り出し（点線矢印ＡＲ2）、処理部群１１
０，１２０側の搬送手段（高温ロボットＴＨ）に受け渡
す（同図の丸印位置）。このように、この実施形態で
は、カセット１０に収容された半導体ウエハ１を直接、
処理部群１１０，１２０側に搬送するのではなく、必ず
オリフラ合わせ部１２でオリフラ１ａが一定方向を向く
ように半導体ウエハ１を位置決めした後、処理部群１１
０，１２０側に搬送しているので、カセット１０内での
半導体ウエハ１の収容状態にかかわらず、オリフラ１ａ
が一定方向を向いた姿勢で半導体ウエハ１は搬送され
る。

【００３１】半導体ウエハ１を受け取った搬送手段（高
温ロボットＴＨ）は、半導体ウエハ１をホットプレート
ＨＰに搬送し（実線矢印ＡＲ3）、プレートの上面に直
接もしくは所定の間隔をおいて載置してベーク処理を行
う。したがって、ホットプレートＨＰでは、オリフラ１
ａが一定方向を向いた状態で半導体ウエハ１に対するベ
ーク処理が行われる。

【００３２】ホットプレートＨＰでのベーク処理が完了
すると、搬送手段（高温ロボットＴＨ）がホットプレー
トＨＰから半導体ウエハ１を取り出し（実線矢印ＡＲ
4）、クールプレートＣＰに搬送し（実線矢印ＡＲ5）、
プレートの上面に直接もしくは所定の間隔をおいて載置
して冷却処理を行う。このため、ホットプレートＨＰで
のベーク処理と同様に、オリフラ１ａが一定方向を向い
た状態で半導体ウエハ１に対する冷却処理が行われる。

【００３３】クールプレートＣＰでの冷却処理が完了す
ると、搬送手段（低温ロボットＴＣ）がクールプレート
ＣＰから半導体ウエハ１を取り出し（実線矢印ＡＲ
6）、スピンコータＳＣに搬送する（実線矢印ＡＲ7）。
こうしてスピンコータＳＣに搬送されてきた半導体ウエ
ハ１のオリフラ１ａは常に一定方向を向いており、この
状態から回転始動して半導体ウエハ１にレジストが回転
塗布される。このため、各半導体ウエハ１の間でスピン
処理履歴を同じにすることができる。

【００３４】スピンコータＳＣでのレジスト塗布処理が
完了すると、フォト・インタラプタ１２２によりスリッ
ト板１２１のスリット部（図示省略）を検出しながら、
半導体ウエハ１のオリフラ１ａが一定方向を向くように
半導体ウエハ１を回転位置決めする。それに続いて、搬
送手段（低温ロボットＴＣ）がスピンコータＳＣから半
導体ウエハ１を取り出し（実線矢印ＡＲ8）、次の処理
部に搬送する。

【００３５】なお、後の処理部のうち、ホットプレート
ＨＰやクールプレートＣＰと同様に半導体ウエハ１を回
転させることなく処理する処理部においては、搬送手段
（高温あるいは低温ロボットＴＨ，ＴＣ）により処理部
内に搬入するとともに、処理が完了すると処理部より搬
出する。一方、スピンコータＳＣと同様に半導体ウエハ
１を回転させて処理するスピンデベロッパＳＤ１，ＳＤ
２では、搬送手段（高温あるいは低温ロボットＴＨ，Ｔ
Ｃ）により処理部内に搬入し、回転処理するとともに、
回転現像処理が完了すると、第２位置決め機構により半
導体ウエハ１のオリフラ１ａが一定方向を向くように半
導体ウエハ１を回転位置決めした後、搬送手段（低温ロ
ボットＴＣ）により処理部から搬出する。そして、一連
の処理が完了すると、搬送手段（高温ロボットＴＨ）が
半導体ウエハ１をインデクサＩＤ側に搬送し、ロボット
１０１に受け渡す。その後で、ロボット１０１がカセッ
ト１０内に当該半導体ウエハ１を戻す。装置１００はこ
のような一連の処理を繰り返す。

【００３６】以上のように、この実施形態によれば、基
板搬入搬出部たるインデクサＩＤにオリフラ合わせ部
（第１位置決め機構）１２を設け、このオリフラ合わせ
部１２でオリフラ１ａが一定方向を向くように半導体ウ
エハ１を位置決めした後で、処理部群１１０，１２０側
に搬出するとともに、半導体ウエハ１を回転させる回転
処理部（スピンコータＳＣおよびスピンデベロッパＳＤ
１，ＳＤ２）に、半導体ウエハ１の回転停止の際にその
オリフラ１ａが一定方向を向くように半導体ウエハ１を
回転位置決めするための第２位置決め機構を設けている
ので、回転処理部での処理の前または後のいずれにおい
て、熱処理部（ホットプレートＨＰおよびクールプレー
トＣＰ）で熱処理を行う場合でも、半導体ウエハ１は、
常にオリフラ１ａが一定方向を向いた状態でホットプレ
ートＨＰやクールプレートＣＰに搬送されて処理される
ので、各半導体ウエハ１の間での熱履歴は回転処理部で
の処理の前後を通じて同一となる。

【００３７】また、スピンコータＳＣでは、半導体ウエ
ハ１に塗布液を塗布して塗布膜を形成した後、半導体ウ
エハ１の周縁部の塗布膜を溶剤にて溶解除去することが
一般的に行われているが、このような溶解塗布膜の溶解
除去は、半導体ウエハ１の周縁部を狙って半導体ウエハ
を回転させながら溶剤の供給を行うため、円周上より中
心側に位置するオリフラ１ａの部分はうまく溶解除去さ
れずそのまま塗布膜が残ってしまうことがある。そし
て、オリフラ１ａの部分に塗布膜を残したまま一連の処
理が行われ、最後にインデクサＩＤのカセット１０内に
半導体ウエハ１が戻される際に、カセット１０内の基板
支持部にオリフラ１ａの部分が接触して支持されてしま
うと、その接触によりパーティクルを生じてしまうこと
となる。しかし、この実施形態によれば、スピンコータ
ＳＣを含む回転処理部において、半導体ウエハ１を回転
位置決めするための第２位置決め機構を設けているの
で、カセット１０内に半導体ウエハ１が戻された際に、
カセット１０内の基板支持部にオリフラ１ａの部分が接
触しないように、予めオリフラ１ａが一定方向に向くよ
う位置決めすることができ、上述のようなパーティクル
の発生を防ぐことができる。

【００３８】また、スピンコータＳＣおよびスピンデベ
ロッパＳＤ１，ＳＤ２においても、上記状態を維持した
ままで処理部にセットされ、この状態から回転開始され
るので、各半導体ウエハ１の間での回転初期における風
切りの影響は同一となり、各半導体ウエハ１の間でスピ
ン処理履歴は同一となる。

【００３９】さらに、上記状態のままで搬送ロボットＴ
Ｈ，ＴＣにより搬送されるので、搬送履歴を同一にする
ことができる。特に、図６に示すように、保持部１３
３，１３４の回転対称軸ＳＡ上に半導体ウエハ１の重心
ＧＰを位置させて半導体ウエハ１を搬送ロボットＴＣで
搬送すると、搬送時に発生する半導体ウエハ１の振動を
抑えることができる。このことは低温ロボットＴＣ側の
みではなく、高温ロボットＴＨにおいても同様である。

【００４０】なお、上記実施例では、２つの搬送ロボッ
トＴＨ，ＴＣにより搬送手段が構成されており、これら
の搬送ロボットＴＨ，ＴＣによって半導体ウエハ１を循
環搬送する装置であったが、１つの搬送ロボット、ある
いは３つ以上の搬送ロボットにより搬送手段が構成され
た装置にも本発明を適用することができる。

【００４１】また、被処理基板としては半導体ウエハだ
けでなく、液晶表示装置用基板など精密電子機器用の種
々の基板なども対象とすることができる。処理部の構成
はその被処理基板の処理に必要とされる内容に応じて適
宜に変更可能である。

【００４２】さらに、上記実施形態では、半導体ウエハ
１を回転させて処理する回転処理部（スピンコータＳＣ
およびスピンデベロッパＳＤ１，ＳＤ２）を設けている
が、回転処理部を備えていない基板処理装置にも本発明
を適用することができる。ただし、この場合、スピン処
理履歴は問題とはならない。

【００４３】また、カセット１０内に基板支持部にオリ
フラ１ａの部分が支持されると半導体ウエハ１の前部が
下方に傾き、ロボット１０１のカセット内への進入を妨
げるという不都合が一般に生じるが、本発明において
は、回転処理部を備えない場合には第１位置決め機構に
より、一方回転処理部を備える場合には第２位置決め機
構により、カセット１０内に半導体ウエハ１が戻される
際に、カセット１０内の基板支持部にオリフラ１ａの部
分が支持されないように、予めオリフラ１ａが一定方向
を向くよう位置決めしておけばこのような不都合を解消
できる。

【００４４】

【発明の効果】請求項１の発明によれば、基板搬入搬出
部に、基板ごとにその特徴部位を検出して当該特徴部位
が一定の方向を向くように位置決めする第１位置決め機
構を設け、この第１位置決め機構で基板を位置決めされ
た後、処理部群に向けて基板を搬出するようにしている
ので、諸履歴を同一にすることができる。

【００４５】請求項２の発明によれば、基板を回転させ
て処理する回転処理部に、基板を回転停止させる際に、
基板の特徴部位が一定方向を向くように基板を位置決め
する第２位置決め機構を設け、回転処理部から搬出する
際に、その特徴部位が一定方向を向くように基板を位置
決めしているので、回転処理部を設けた場合であって
も、諸履歴を同一にすることができる。

【００４６】請求項３の発明によれば、処理部として基
板に対して熱処理を施す熱処理部を有する場合、特徴部
位が一定方向を向いた状態で基板が熱処理部に与えられ
て熱処理されるので、各基板の間での熱履歴を同一にす
ることができる。

【００４７】請求項４の発明によれば、搬送手段は回転
対称な形状の保持部を備えており、その保持部の回転対
称軸上に基板の重心が位置するように基板を保持しなが
ら処理部の間で搬送するようにしているので、搬送時の
基板の振動を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態である半導体ウエハ処理
装置（基板処理装置）の外観斜視図である。

【図２】図１の装置の概念的平面配置図である。

【図３】オリフラ合わせ部の拡大平面図である。

【図４】第１の処理部群の概念的正面配置図である。

【図５】図１、図２および図４に示したＶ−Ｖ線に沿っ
て見た断面図である。

【図６】保持部の拡大平面図である。

【図７】図１の装置の動作を示す模式図である。

【符号の説明】

１半導体ウエハ（基板）１２オリフラ合わせ部（第１位置決め機構）１００半導体ウエハ処理装置（基板処理装置）１１０，１２０処理部群１２１スリット板１２２フォト・インタラプタＣＰ１〜ＣＰ４クールプレート（処理部）ＥＥＷ１，ＥＥＷ２エッジ露光部（処理部）ＨＰ１〜ＨＰ４ホットプレート（処理部）ＩＤインデクサ（基板搬入搬出部）ＩＦ１〜ＩＦ３インターフェイス部（処理部）ＳＣスピンコータ（回転処理部）ＳＤ１，ＳＤ２スピンデベロッパ（回転処理部）ＴＨ高温ロボット（搬送手段）ＴＣ低温ロボット（搬送手段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｃ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】それぞれが基板に対して所定の処理を行
う複数の処理部からなる処理部群と、複数の基板を順次
前記処理部群に向けて搬出する基板搬入搬出部と、前記
基板搬入搬出部から搬出された基板を前記複数の処理部
の間で搬送する搬送手段とを備えた基板処理装置におい
て、前記基板搬入搬出部は、基板ごとにその特徴部位を検出
して当該特徴部位が一定の方向を向くように位置決めす
る第１位置決め機構を備えており、前記第１位置決め機
構で基板を位置決めした後、前記処理部群に向けて搬出
することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】前記複数の処理部のひとつが基板を回転
させて処理する回転処理部であり、当該回転処理部は、
基板を回転停止させる際に、その特徴部位が一定方向を
向くように前記基板を位置決めする第２位置決め機構を
備えた請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】前記複数の処理部のひとつが基板に対し
て熱処理を施す熱処理部である請求項１記載の基板処理
装置。
【請求項４】前記搬送手段は回転対称な形状の保持部
を備えており、前記保持部の回転対称軸上に基板の重心
が位置するように基板を保持しながら前記複数の処理部
の間で搬送する請求項１記載の基板処理装置。