JPH0936474A - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、レーザ発振波長が任意のλμｍの
半導体レーザにおいて、導波路幅を広くしても、高次モ
ードの発生を抑制可能とし、活性層内の内部劣化と端面
破壊を抑制して信頼性を向上するとともに、歩留りを向
上する。さらに、活性層におけるレーザ光の縦モードの
擾乱による雑音を抑制できる半導体レーザを提供する。 【解決手段】 ｎ型半導体基板１上に、波長λのレーザ
光を発する量子井戸活性層３、導波路幅Ｗbのｐ型半導
体層６、７からなるリッジ導波路１２を形成し、リッジ
導波路１２の外側を、上記波長λのレーザ光を吸収する
金属およびｎ型とする金属をドープした電流ブロック層
８で埋める構成である。
半導体レーザにおいて、導波路幅を広くしても、高次モ
ードの発生を抑制可能とし、活性層内の内部劣化と端面
破壊を抑制して信頼性を向上するとともに、歩留りを向
上する。さらに、活性層におけるレーザ光の縦モードの
擾乱による雑音を抑制できる半導体レーザを提供する。 【解決手段】 ｎ型半導体基板１上に、波長λのレーザ
光を発する量子井戸活性層３、導波路幅Ｗbのｐ型半導
体層６、７からなるリッジ導波路１２を形成し、リッジ
導波路１２の外側を、上記波長λのレーザ光を吸収する
金属およびｎ型とする金属をドープした電流ブロック層
８で埋める構成である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ、特
にファイバーアンプ励起用のリッジ型半導体レーザ及び
その製造方法に関するものである。
にファイバーアンプ励起用のリッジ型半導体レーザ及び
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来の半導体レーザの構造を示
す斜視図で、特開昭６３―２１３９８８号公報あるいは
特開昭６３―２３３５８７号公報に記載されている。図
６は、その製造工程を示す断面図である。図において、
１はｎ―ＧａＡｓからなる半導体基板、２はｎ―Ａｌ
0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるクラッド層、３はＩｎＧａＡｓ
からなる量子井戸活性層、４はｐ―Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ
からなる第１クラッド層、５はｐ―Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ
からなるエッチングストッパ層、６はｐ―Ａｌ0.5Ｇａ
0.5Ａｓからなる第２クラッド層、７はｐ―ＧａＡｓか
らなる第１コンタクト層、１４はｎ―Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａ
ｓからなる電流ブロック層、９はｐ―ＧａＡｓからなる
第２コンタクト層、１０はｐ―電極、１１はｎ―電極
で、１２はリッジ導波路を示す。
す斜視図で、特開昭６３―２１３９８８号公報あるいは
特開昭６３―２３３５８７号公報に記載されている。図
６は、その製造工程を示す断面図である。図において、
１はｎ―ＧａＡｓからなる半導体基板、２はｎ―Ａｌ
0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるクラッド層、３はＩｎＧａＡｓ
からなる量子井戸活性層、４はｐ―Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ
からなる第１クラッド層、５はｐ―Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ
からなるエッチングストッパ層、６はｐ―Ａｌ0.5Ｇａ
0.5Ａｓからなる第２クラッド層、７はｐ―ＧａＡｓか
らなる第１コンタクト層、１４はｎ―Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａ
ｓからなる電流ブロック層、９はｐ―ＧａＡｓからなる
第２コンタクト層、１０はｐ―電極、１１はｎ―電極
で、１２はリッジ導波路を示す。
【０００３】次に、図６に従って製造方法を説明する。
まず、図６（ａ）に示すように、ｎ―ＧａＡｓからなる
半導体基板１上に、ｎ―Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるク
ラッド層２、ＩｎＧａＡｓからなる量子井戸活性層３、
ｐ―Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなる第１クラッド層４、ｐ
―Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓからなるエッチングストッパ層
５、ｐ―Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなる第２クラッド層
６、ｐ―ＧａＡｓからなる第１コンタクト層７の各層を
順次エピタキシャル結晶成長する。
まず、図６（ａ）に示すように、ｎ―ＧａＡｓからなる
半導体基板１上に、ｎ―Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるク
ラッド層２、ＩｎＧａＡｓからなる量子井戸活性層３、
ｐ―Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなる第１クラッド層４、ｐ
―Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓからなるエッチングストッパ層
５、ｐ―Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなる第２クラッド層
６、ｐ―ＧａＡｓからなる第１コンタクト層７の各層を
順次エピタキシャル結晶成長する。
【０００４】次に、図６（ｂ）に示すように、ストライ
プ状の絶縁膜１３を形成する。絶縁膜１３は、Ｓｉ3Ｎ4
あるいはＳｉＯ2などが用いられ、リッジエッチングの
マスクとして機能する。
プ状の絶縁膜１３を形成する。絶縁膜１３は、Ｓｉ3Ｎ4
あるいはＳｉＯ2などが用いられ、リッジエッチングの
マスクとして機能する。
【０００５】次に、絶縁膜１３をマスクとしてエッチン
グを行い、図６（ｃ）に示すように、導波路幅Ｗbのリ
ッジ導波路１２を形成する。このエッチングにおいて、
第１コンタクト層７、第２クラッド層６がエッチングさ
れ、エッチングストッパ層５はエッチングされないよう
な選択エッチャントを用いることによって、再現性よく
リッジ構造を形成することができる。
グを行い、図６（ｃ）に示すように、導波路幅Ｗbのリ
ッジ導波路１２を形成する。このエッチングにおいて、
第１コンタクト層７、第２クラッド層６がエッチングさ
れ、エッチングストッパ層５はエッチングされないよう
な選択エッチャントを用いることによって、再現性よく
リッジ構造を形成することができる。
【０００６】次に、図６（ｄ）に示すように、リッジ導
波路１２の外側にｎ―Ａｌ0.7Ｇａ0 .3Ａｓを再結晶成長
し電流ブロック層１４を形成する。リッジ導波路１２は
絶縁膜１３が結晶成長時においてマスクとなるので、こ
の上には結晶成長しない。
波路１２の外側にｎ―Ａｌ0.7Ｇａ0 .3Ａｓを再結晶成長
し電流ブロック層１４を形成する。リッジ導波路１２は
絶縁膜１３が結晶成長時においてマスクとなるので、こ
の上には結晶成長しない。
【０００７】次に、ウエットエッチングあるいはドライ
エッチングで絶縁膜１３を除去した後、図６（ｅ）に示
すように、ｐ―ＧａＡｓからなる第２コンタクト層９を
結晶成長し、さらに、半導体基板１側にｎ―電極、第２
コンタクト層９側にｐ―電極を形成し、半導体レーザが
製造される。
エッチングで絶縁膜１３を除去した後、図６（ｅ）に示
すように、ｐ―ＧａＡｓからなる第２コンタクト層９を
結晶成長し、さらに、半導体基板１側にｎ―電極、第２
コンタクト層９側にｐ―電極を形成し、半導体レーザが
製造される。
【０００８】上記構造の半導体レーザは、ｐ型電極１０
を＋、ｎ型電極１１を−とする電圧を印加すると、空孔
は第２コンタクト層９、第１コンタクト層７、第２クラ
ッド層６第１クラッド層４を経て量子井戸活性層３へ注
入され、また、電子は半導体基板１、クラッド層２を経
て量子井戸活性層３に注入されて電子と空孔の再結合が
発生し、量子井戸活性層３内で誘導放出光が生じる。こ
の時、キャリアの注入量を十分高くして導波路の損失を
越える光が発生すればレーザ発振が生ずる。
を＋、ｎ型電極１１を−とする電圧を印加すると、空孔
は第２コンタクト層９、第１コンタクト層７、第２クラ
ッド層６第１クラッド層４を経て量子井戸活性層３へ注
入され、また、電子は半導体基板１、クラッド層２を経
て量子井戸活性層３に注入されて電子と空孔の再結合が
発生し、量子井戸活性層３内で誘導放出光が生じる。こ
の時、キャリアの注入量を十分高くして導波路の損失を
越える光が発生すればレーザ発振が生ずる。
【０００９】一般に半導体レーザにおいては、単峰、す
なわち基本横モードのレーザビームを得るため、様々な
構造上の工夫がなされている。上記構造の半導体レーザ
は、リッジ導波路１２を構成する第２クラッド層６の屈
折率を電流ブロック層１４の屈折率より大きくして、レ
ーザビームがリッジ導波路１２に沿って導波されるよう
にし、半導体レーザの動作特性の中で重要な水平横モー
ドを安定に単峰の形状にしている。
なわち基本横モードのレーザビームを得るため、様々な
構造上の工夫がなされている。上記構造の半導体レーザ
は、リッジ導波路１２を構成する第２クラッド層６の屈
折率を電流ブロック層１４の屈折率より大きくして、レ
ーザビームがリッジ導波路１２に沿って導波されるよう
にし、半導体レーザの動作特性の中で重要な水平横モー
ドを安定に単峰の形状にしている。
【００１０】モード制御の観点から、リッジ導波路１２
がエッチングストッパ層５に接する面における導波路幅
Ｗbは１μｍ〜１．５μｍの範囲にしなければならな
い。導波路幅Ｗbが１．５μｍ以上になると、基本モー
ドに加えて、２次以上の高次モードが発生しやすくな
り、電流―光出力特性はキンクと呼ばれる非線形特性が
得られ、実用上大きな問題となる。また、高次モードの
レーザビームの発生によって光ファイバーとの結合効率
が格段に低下する。
がエッチングストッパ層５に接する面における導波路幅
Ｗbは１μｍ〜１．５μｍの範囲にしなければならな
い。導波路幅Ｗbが１．５μｍ以上になると、基本モー
ドに加えて、２次以上の高次モードが発生しやすくな
り、電流―光出力特性はキンクと呼ばれる非線形特性が
得られ、実用上大きな問題となる。また、高次モードの
レーザビームの発生によって光ファイバーとの結合効率
が格段に低下する。
【００１１】そこで、マージンも考慮して導波路幅Ｗb
を１μｍ程度にするのが好ましいが、導波路幅Ｗbを小
さくすると動作時における電流密度が高くなって、量子
井戸活性層３内の転位の増殖による内部劣化と高光密度
に伴う端面部分の溶融による端面破壊が発生し、信頼性
上極めて不利になるという問題がある。
を１μｍ程度にするのが好ましいが、導波路幅Ｗbを小
さくすると動作時における電流密度が高くなって、量子
井戸活性層３内の転位の増殖による内部劣化と高光密度
に伴う端面部分の溶融による端面破壊が発生し、信頼性
上極めて不利になるという問題がある。
【００１２】また、水平横モードの半値全角は導波路幅
Ｗbに依存し、導波路幅Ｗbが小さくなる程、僅かな導波
路幅Ｗbの変動でも半値全角が大きく変動して水平横モ
ードのばらつきが大きくなり、歩留りが低下するという
問題があった。
Ｗbに依存し、導波路幅Ｗbが小さくなる程、僅かな導波
路幅Ｗbの変動でも半値全角が大きく変動して水平横モ
ードのばらつきが大きくなり、歩留りが低下するという
問題があった。
【００１３】また、例えば、Ｅｒ（エルビウム）ドープ
ファイバーアンプ励起用の光源として用いられる半導体
レーザのレーザ発振波長は０．９８μｍであるが、量子
井戸活性層３で発生した０．９８μｍのレーザ光は第１
クラッド層４、エッチングストッパ層５、第２クラッド
層６、第１コンタクト層７、及び第２コンタクト層９に
吸収を透過し、ｐ―電極１０で反射され量子井戸活性層
３に戻ってレーザ光の縦モードの擾乱を引き起こし、メ
インピークの波長以外に１〜３ｎｍ離れた波長にサブピ
ークを生じさせ、このサブピークが実用に際して雑音と
して作用するという問題があった。
ファイバーアンプ励起用の光源として用いられる半導体
レーザのレーザ発振波長は０．９８μｍであるが、量子
井戸活性層３で発生した０．９８μｍのレーザ光は第１
クラッド層４、エッチングストッパ層５、第２クラッド
層６、第１コンタクト層７、及び第２コンタクト層９に
吸収を透過し、ｐ―電極１０で反射され量子井戸活性層
３に戻ってレーザ光の縦モードの擾乱を引き起こし、メ
インピークの波長以外に１〜３ｎｍ離れた波長にサブピ
ークを生じさせ、このサブピークが実用に際して雑音と
して作用するという問題があった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来の半導体レーザの問題を解決するもので、レーザ
発振波長が任意のλμｍの半導体レーザにおいて、導波
路幅を広くしても、高次モードの発生を抑制することが
できるようにして、活性層内の内部劣化と端面破壊を抑
制して信頼性を向上するとともに、水平横モードの半値
全角のばらつきを小さくして歩留りを向上する。さら
に、活性層におけるレーザ光の縦モードの擾乱による雑
音を抑制するものである。
な従来の半導体レーザの問題を解決するもので、レーザ
発振波長が任意のλμｍの半導体レーザにおいて、導波
路幅を広くしても、高次モードの発生を抑制することが
できるようにして、活性層内の内部劣化と端面破壊を抑
制して信頼性を向上するとともに、水平横モードの半値
全角のばらつきを小さくして歩留りを向上する。さら
に、活性層におけるレーザ光の縦モードの擾乱による雑
音を抑制するものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
第１導電型の半導体基板上に、順次、第１導電型のクラ
ッド層、波長λのレーザ光を発する活性層、所定の導波
路幅で形成された導波路を構成する第２導電型のクラッ
ド層、この導波路の外側を埋める上記波長λのレーザ光
を吸収する元素をドープした第１導電型の電流ブロック
層、上記リッジ導波路および電流ブロック層を覆う第２
導電型のコンタクト層を備えた半導体レーザである。
第１導電型の半導体基板上に、順次、第１導電型のクラ
ッド層、波長λのレーザ光を発する活性層、所定の導波
路幅で形成された導波路を構成する第２導電型のクラッ
ド層、この導波路の外側を埋める上記波長λのレーザ光
を吸収する元素をドープした第１導電型の電流ブロック
層、上記リッジ導波路および電流ブロック層を覆う第２
導電型のコンタクト層を備えた半導体レーザである。
【００１６】請求項２に係る発明は、請求項１記載の半
導体レーザにおいて、コンタクト層に波長λのレーザ光
を吸収する元素をドープしたものである。
導体レーザにおいて、コンタクト層に波長λのレーザ光
を吸収する元素をドープしたものである。
【００１７】請求項３に係る発明は、第１導電型の半導
体基板上に、順次、第１導電型のクラッド層、波長λの
レーザ光を発する活性層、所定の導波路幅で形成された
リッジ導波路を構成する第２導電型のクラッド層、この
導波路の外側を埋める第１導電型の電流ブロック層、上
記導波路および電流ブロック層を覆う上記波長λのレー
ザ光を吸収する元素をドープした第２導電型のコンタク
ト層を備えた半導体レーザである。
体基板上に、順次、第１導電型のクラッド層、波長λの
レーザ光を発する活性層、所定の導波路幅で形成された
リッジ導波路を構成する第２導電型のクラッド層、この
導波路の外側を埋める第１導電型の電流ブロック層、上
記導波路および電流ブロック層を覆う上記波長λのレー
ザ光を吸収する元素をドープした第２導電型のコンタク
ト層を備えた半導体レーザである。
【００１８】請求項４に係る発明は、請求項１ないし３
のいずれかに記載の半導体レーザにおいて、波長λのレ
ーザ光を吸収する元素がエルビウム（Ｅｒ）、ホルミウ
ム（Ｈｏ）またはネオジム（Ｎｄ）であるものである。
のいずれかに記載の半導体レーザにおいて、波長λのレ
ーザ光を吸収する元素がエルビウム（Ｅｒ）、ホルミウ
ム（Ｈｏ）またはネオジム（Ｎｄ）であるものである。
【００１９】請求項５に係る発明は、第１導電型の半導
体基板上に、順次、第１導電型のクラッド層、波長λの
レーザ光を発する活性層、第２導電型のクラッド層を結
晶成長する工程、この第２導電型のクラッド層をエッチ
ングして所定の導波路幅の導波路を形成する工程、この
導波路の外側に上記波長λのレーザ光を吸収する元素お
よび第１導電型にする金属をドープした電流ブロック層
を結晶成長する工程、上記導波路および電流ブロック層
上にコンタクト層を結晶成長する工程を備えた半導体レ
ーザの製造方法である。
体基板上に、順次、第１導電型のクラッド層、波長λの
レーザ光を発する活性層、第２導電型のクラッド層を結
晶成長する工程、この第２導電型のクラッド層をエッチ
ングして所定の導波路幅の導波路を形成する工程、この
導波路の外側に上記波長λのレーザ光を吸収する元素お
よび第１導電型にする金属をドープした電流ブロック層
を結晶成長する工程、上記導波路および電流ブロック層
上にコンタクト層を結晶成長する工程を備えた半導体レ
ーザの製造方法である。
【００２０】請求項６に係る発明は、第１導電型の半導
体基板上に、順次、第１導電型のクラッド層、波長λの
レーザ光を発する活性層、上記波長λのレーザ光を吸収
する元素および第１導電型にする金属をドープした電流
ブロック層を結晶成長する工程、この電流ブロック層を
エッチングして所定の導波路幅の導波路を形成する工
程、この導波路及び上記電流ブロック層を埋める第２導
電型のクラッド層を結晶成長する工程、上記第２導電型
クラッド層上にコンタクト層を結晶成長する工程を備え
た半導体レーザの製造方法である。
体基板上に、順次、第１導電型のクラッド層、波長λの
レーザ光を発する活性層、上記波長λのレーザ光を吸収
する元素および第１導電型にする金属をドープした電流
ブロック層を結晶成長する工程、この電流ブロック層を
エッチングして所定の導波路幅の導波路を形成する工
程、この導波路及び上記電流ブロック層を埋める第２導
電型のクラッド層を結晶成長する工程、上記第２導電型
クラッド層上にコンタクト層を結晶成長する工程を備え
た半導体レーザの製造方法である。
【００２１】請求項７に係る発明は、請求項５または６
記載の半導体レーザの製造方法において、コンタクト層
に波長λのレーザ光を吸収する元素をドープするもので
ある。
記載の半導体レーザの製造方法において、コンタクト層
に波長λのレーザ光を吸収する元素をドープするもので
ある。
【００２２】請求項８に係る発明は、第１導電型の半導
体基板上に、順次、第１導電型のクラッド層、波長λの
レーザ光を発する活性層、第２導電型のクラッド層を結
晶成長する工程、この第２導電型のクラッド層をエッチ
ングして所定の導波路幅の導波路を形成する工程、この
導波路の外側に第１導電型の電流ブロック層を結晶成長
する工程、上記第２クラッド層および電流ブロック層上
に上記波長λのレーザ光を吸収する元素および第２導電
型にする金属をドープしたコンタクト層を結晶成長する
工程を備えた半導体レーザの製造方法である。
体基板上に、順次、第１導電型のクラッド層、波長λの
レーザ光を発する活性層、第２導電型のクラッド層を結
晶成長する工程、この第２導電型のクラッド層をエッチ
ングして所定の導波路幅の導波路を形成する工程、この
導波路の外側に第１導電型の電流ブロック層を結晶成長
する工程、上記第２クラッド層および電流ブロック層上
に上記波長λのレーザ光を吸収する元素および第２導電
型にする金属をドープしたコンタクト層を結晶成長する
工程を備えた半導体レーザの製造方法である。
【００２３】請求項９に係る発明は、第１導電型の半導
体基板上に、順次、第１導電型のクラッド層、波長λの
レーザ光を発する活性層、第１導電型の電流ブロック層
を結晶成長する工程、この第１導電型の電流ブロック層
をエッチングして所定の導波路幅の導波路を形成する工
程、この導波路及び上記電流ブロック層を埋める上記波
長λのレーザ光を吸収する元素および第２導電型にする
金属をドープしたコンタクト層を結晶成長する工程を備
えた半導体レーザの製造方法である。
体基板上に、順次、第１導電型のクラッド層、波長λの
レーザ光を発する活性層、第１導電型の電流ブロック層
を結晶成長する工程、この第１導電型の電流ブロック層
をエッチングして所定の導波路幅の導波路を形成する工
程、この導波路及び上記電流ブロック層を埋める上記波
長λのレーザ光を吸収する元素および第２導電型にする
金属をドープしたコンタクト層を結晶成長する工程を備
えた半導体レーザの製造方法である。
【００２４】請求項１０に係る発明は、請求項５ないし
９のいずれかに記載の半導体レーザの製造方法におい
て、波長λのレーザ光を吸収する元素がエルビウム（Ｅ
ｒ）、ホルミウム（Ｈｏ）あるいはネオジム（Ｎｄ）で
あるものである。
９のいずれかに記載の半導体レーザの製造方法におい
て、波長λのレーザ光を吸収する元素がエルビウム（Ｅ
ｒ）、ホルミウム（Ｈｏ）あるいはネオジム（Ｎｄ）で
あるものである。
【００２５】
実施の形態１．図１は、本発明の第１の実施の形態にな
る半導体レーザを示す斜視図で、０．９８μｍのレーザ
光を発生するように活性層が設計されている。図１にお
いて、１はｎ―ＧａＡｓからなる半導体基板、２はｎ―
Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるクラッド層、３はＩｎＧａ
Ａｓからなる量子井戸活性層、４はｐ―Ａｌ0.5Ｇａ0.5
Ａｓからなる第１クラッド層、５はｐ―Ａｌ0.7Ｇａ0.3
Ａｓからなるエッチングストッパ層、６はｐ―Ａｌ0.5
Ｇａ0.5Ａｓからなる第２クラッド層、７はｐ―ＧａＡ
ｓからなる第１コンタクト層、８はエルビウム（Ｅｒ）
ドープｎ―Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓからなる電流ブロック
層、９はｐ―ＧａＡｓからなる第２コンタクト層、１０
はｐ―電極、１１はｎ―電極で、１２はリッジ導波路で
ある。
る半導体レーザを示す斜視図で、０．９８μｍのレーザ
光を発生するように活性層が設計されている。図１にお
いて、１はｎ―ＧａＡｓからなる半導体基板、２はｎ―
Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるクラッド層、３はＩｎＧａ
Ａｓからなる量子井戸活性層、４はｐ―Ａｌ0.5Ｇａ0.5
Ａｓからなる第１クラッド層、５はｐ―Ａｌ0.7Ｇａ0.3
Ａｓからなるエッチングストッパ層、６はｐ―Ａｌ0.5
Ｇａ0.5Ａｓからなる第２クラッド層、７はｐ―ＧａＡ
ｓからなる第１コンタクト層、８はエルビウム（Ｅｒ）
ドープｎ―Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓからなる電流ブロック
層、９はｐ―ＧａＡｓからなる第２コンタクト層、１０
はｐ―電極、１１はｎ―電極で、１２はリッジ導波路で
ある。
【００２６】次に、図１に示した半導体レーザの製造方
法を図２の製造工程に従って説明する。まず、図２
（ａ）に示すように、ｎ―ＧａＡｓからなる半導体基板
１上に、ｎ―Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるクラッド層
２、ＩｎＧａＡｓからなる量子井戸活性層３、ｐ―Ａｌ
0.5Ｇａ0.5Ａｓからなる第１クラッド層４、ｐ―Ａｌ
0.7Ｇａ0 .3Ａｓからなるエッチングストッパ層５、ｐ―
Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなる第２クラッド層６、ｐ―Ｇ
ａＡｓからなる第１コンタクト層７の各層を順次エピタ
キシャル結晶成長する。
法を図２の製造工程に従って説明する。まず、図２
（ａ）に示すように、ｎ―ＧａＡｓからなる半導体基板
１上に、ｎ―Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるクラッド層
２、ＩｎＧａＡｓからなる量子井戸活性層３、ｐ―Ａｌ
0.5Ｇａ0.5Ａｓからなる第１クラッド層４、ｐ―Ａｌ
0.7Ｇａ0 .3Ａｓからなるエッチングストッパ層５、ｐ―
Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなる第２クラッド層６、ｐ―Ｇ
ａＡｓからなる第１コンタクト層７の各層を順次エピタ
キシャル結晶成長する。
【００２７】次に、図２（ｂ）に示すように、ストライ
プ状の絶縁膜１３を形成する。絶縁膜１３は、Ｓｉ3Ｎ4
あるいはＳｉＯ2などが用いられ、リッジエッチングの
マスクとして機能する。
プ状の絶縁膜１３を形成する。絶縁膜１３は、Ｓｉ3Ｎ4
あるいはＳｉＯ2などが用いられ、リッジエッチングの
マスクとして機能する。
【００２８】次に、絶縁膜１３をマスクとしてエッチン
グを行い、リッジ導波路１２を形成する。このエッチン
グにおいて、第１コンタクト層７、第２クラッド層６が
エッチングされ、エッチングストッパ層５はエッチング
されないような選択エッチャントを用いることによっ
て、再現性よくリッジ構造を形成することができる。こ
のようなエッチャントの例として、酒石酸と過酸化水素
の混合液が挙げられる。
グを行い、リッジ導波路１２を形成する。このエッチン
グにおいて、第１コンタクト層７、第２クラッド層６が
エッチングされ、エッチングストッパ層５はエッチング
されないような選択エッチャントを用いることによっ
て、再現性よくリッジ構造を形成することができる。こ
のようなエッチャントの例として、酒石酸と過酸化水素
の混合液が挙げられる。
【００２９】次に、図２（ｄ）に示すように、リッジ導
波路１２の外側にＥｒドープｎ―Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓを
再結晶成長し電流ブロック層１４を形成する。リッジ導
波路１２は絶縁膜１３が結晶成長時においてマスクとな
るので、この上には結晶成長しない。なお、電流ブロッ
ク層１４をｎ型とするために、結晶成長中、シリコン
（Ｓｉ）またはセレン（Ｓｅ）も同時にドーピングす
る。
波路１２の外側にＥｒドープｎ―Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓを
再結晶成長し電流ブロック層１４を形成する。リッジ導
波路１２は絶縁膜１３が結晶成長時においてマスクとな
るので、この上には結晶成長しない。なお、電流ブロッ
ク層１４をｎ型とするために、結晶成長中、シリコン
（Ｓｉ）またはセレン（Ｓｅ）も同時にドーピングす
る。
【００３０】次に、ウエットエッチングあるいはドライ
エッチングで絶縁膜１３を除去した後、図２（ｅ）に示
すように、ｐ―ＧａＡｓからなる第２コンタクト層９を
結晶成長し、さらに、半導体基板１側にｎ―電極、第２
コンタクト層９側にｐ―電極を形成し、半導体レーザが
製造される。
エッチングで絶縁膜１３を除去した後、図２（ｅ）に示
すように、ｐ―ＧａＡｓからなる第２コンタクト層９を
結晶成長し、さらに、半導体基板１側にｎ―電極、第２
コンタクト層９側にｐ―電極を形成し、半導体レーザが
製造される。
【００３１】Ｅｒイオンは、図３に示すように、０．９
８μｍの波長に吸収域を有する。本発明の半導体レーザ
において、リッジ導波路１２直下の量子井戸活性層３で
発した波長０．９８μｍのレーザ光は電流ブロック層８
中の Ｅｒイオンに強く吸収される。すなわち、電流ブ
ロック層８はレーザ光の吸収層として機能し、従来の実
屈折率型の半導体レーザとは異なり、ロスガイド型の半
導体レーザとなる。
８μｍの波長に吸収域を有する。本発明の半導体レーザ
において、リッジ導波路１２直下の量子井戸活性層３で
発した波長０．９８μｍのレーザ光は電流ブロック層８
中の Ｅｒイオンに強く吸収される。すなわち、電流ブ
ロック層８はレーザ光の吸収層として機能し、従来の実
屈折率型の半導体レーザとは異なり、ロスガイド型の半
導体レーザとなる。
【００３２】ロスガイド型の半導体レーザは、レーザ光
が吸収されるので導波路損失が従来よりも若干大きくな
り、閾値電流が大きくなるが、リッジ導波路１２の端部
に近付くに従い、電流ブロック層８によるレーザ光の吸
収が強くなり、リッジ導波路１２に対して端部にピーク
をもつ高次のモードの利得が従来の実屈折率型の半導体
レーザに比べて小さくなる。従って、従来１〜１．５μ
ｍ幅であった導波路幅Ｗbをより大きくし、例えば、２
μｍ〜５μｍに広げても、単峰の基本横モードが安定し
て得られる。
が吸収されるので導波路損失が従来よりも若干大きくな
り、閾値電流が大きくなるが、リッジ導波路１２の端部
に近付くに従い、電流ブロック層８によるレーザ光の吸
収が強くなり、リッジ導波路１２に対して端部にピーク
をもつ高次のモードの利得が従来の実屈折率型の半導体
レーザに比べて小さくなる。従って、従来１〜１．５μ
ｍ幅であった導波路幅Ｗbをより大きくし、例えば、２
μｍ〜５μｍに広げても、単峰の基本横モードが安定し
て得られる。
【００３３】導波路幅Ｗbを大きくすることによって、
電流密度が低減されるので、量子井戸活性層３における
転位の増殖が抑制され、内部劣化がなくなり、また、端
面破壊を防止することができ、信頼性が向上する。
電流密度が低減されるので、量子井戸活性層３における
転位の増殖が抑制され、内部劣化がなくなり、また、端
面破壊を防止することができ、信頼性が向上する。
【００３４】また、導波路幅Ｗbを大きくすることによ
って、導波路幅Ｗbの変動が水平横モードの半値全角の
変動に与える影響が小さくなるので、半導体レーザ特性
の均一性が向上し、歩留りがよくなる。
って、導波路幅Ｗbの変動が水平横モードの半値全角の
変動に与える影響が小さくなるので、半導体レーザ特性
の均一性が向上し、歩留りがよくなる。
【００３５】なお、本実施の形態においてリッジ導波路
１２をエッチングストッパ層５を用いて選択エッチング
で形成する方法を説明したが、エッチングストッパ層５
を用いないで、エッチング時間の制御でエッチング深さ
を制御してリッジ導波路１２を形成しても何ら問題はな
い。
１２をエッチングストッパ層５を用いて選択エッチング
で形成する方法を説明したが、エッチングストッパ層５
を用いないで、エッチング時間の制御でエッチング深さ
を制御してリッジ導波路１２を形成しても何ら問題はな
い。
【００３６】実施の形態２．図４は、本発明の第２の実
施の形態になる半導体レーザを示す斜視図である。図に
おいて、図１と同一符号は同一箇所あるいは相当箇所を
示す。１４はｎ―Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流ブロック層、
１５はＥｒドープコンタクト層である。
施の形態になる半導体レーザを示す斜視図である。図に
おいて、図１と同一符号は同一箇所あるいは相当箇所を
示す。１４はｎ―Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ電流ブロック層、
１５はＥｒドープコンタクト層である。
【００３７】Ｅｒドープコンタクト層１５は、量子井戸
活性層３で発したレーザ波長０．９８μｍのレーザ光を
Ｅｒイオンが吸収し、ｐ―電極１０によるレーザ光の反
射を防止する。その結果、量子井戸活性層３におけるレ
ーザ光の縦モードの擾乱を防止し、雑音をなくすことが
できる。
活性層３で発したレーザ波長０．９８μｍのレーザ光を
Ｅｒイオンが吸収し、ｐ―電極１０によるレーザ光の反
射を防止する。その結果、量子井戸活性層３におけるレ
ーザ光の縦モードの擾乱を防止し、雑音をなくすことが
できる。
【００３８】図４に示した半導体レーザは、図２と同様
に、ｎ―ＧａＡｓからなる半導体基板１上に、ｎ―Ａｌ
0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるクラッド層２、ＩｎＧａＡｓか
らなる量子井戸活性層３、ｐ―Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓから
なる第１クラッド層４、ｐ―Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓからな
るエッチングストッパ層５、ｐ―Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓか
らなる第２クラッド層６、ｐ―ＧａＡｓからなる第１コ
ンタクト層７の各層を順次エピタキシャル結晶成長した
後、絶縁膜１３をマスクとしてエッチングを行い、リッ
ジ導波路１２を形成し、リッジ導波路１２の外側にＥｒ
ドープｎ―Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓからなる電流ブロック層
８に代えてｎ―Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓからなる電流ブロッ
ク層１４を結晶成長し、さらに、絶縁膜１３を除去した
後、さらに、ｐ―ＧａＡｓからなる第２コンタクト層９
に代えてＥｒをドープしたｐ―ＧａＡｓを結晶成長し、
Ｅｒドープｐ―ＧａＡｓからなる第２コンタクト層１５
を形成し、半導体基板１側にｎ―電極１１、第２コンタ
クト層１５側にｐ―電極１０を形成する。第２コンタク
ト層１５をｐ型にするために、Ｅｒのドープと同時に亜
鉛（Ｚｎ）をドープする。
に、ｎ―ＧａＡｓからなる半導体基板１上に、ｎ―Ａｌ
0.5Ｇａ0.5Ａｓからなるクラッド層２、ＩｎＧａＡｓか
らなる量子井戸活性層３、ｐ―Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓから
なる第１クラッド層４、ｐ―Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓからな
るエッチングストッパ層５、ｐ―Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓか
らなる第２クラッド層６、ｐ―ＧａＡｓからなる第１コ
ンタクト層７の各層を順次エピタキシャル結晶成長した
後、絶縁膜１３をマスクとしてエッチングを行い、リッ
ジ導波路１２を形成し、リッジ導波路１２の外側にＥｒ
ドープｎ―Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓからなる電流ブロック層
８に代えてｎ―Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓからなる電流ブロッ
ク層１４を結晶成長し、さらに、絶縁膜１３を除去した
後、さらに、ｐ―ＧａＡｓからなる第２コンタクト層９
に代えてＥｒをドープしたｐ―ＧａＡｓを結晶成長し、
Ｅｒドープｐ―ＧａＡｓからなる第２コンタクト層１５
を形成し、半導体基板１側にｎ―電極１１、第２コンタ
クト層１５側にｐ―電極１０を形成する。第２コンタク
ト層１５をｐ型にするために、Ｅｒのドープと同時に亜
鉛（Ｚｎ）をドープする。
【００３９】なお、本実施の形態において、Ｅｒドープ
ｎ―Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓからなる電流ブロック層を形成
することによって、実施の形態１と同様の効果が得られ
る。すなわち、導波路幅Ｗbを従来の１μｍ〜１．５μ
ｍ幅から２μｍ〜４μｍに広げても、単峰の基本横モー
ドが安定して得られる。さらに、導波路幅Ｗbを大きく
することによって、電流密度が低減され、量子井戸活性
層３における転位の増殖が抑制されるので、内部劣化が
なくなり、また、端面破壊を防止することができ、信頼
性が向上するとともに、導波路幅Ｗbの変動が水平横モ
ードの半値全角の変動に与える影響が小さくなるので、
半導体レーザ特性の均一性が向上し、歩留りがよくな
る。
ｎ―Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓからなる電流ブロック層を形成
することによって、実施の形態１と同様の効果が得られ
る。すなわち、導波路幅Ｗbを従来の１μｍ〜１．５μ
ｍ幅から２μｍ〜４μｍに広げても、単峰の基本横モー
ドが安定して得られる。さらに、導波路幅Ｗbを大きく
することによって、電流密度が低減され、量子井戸活性
層３における転位の増殖が抑制されるので、内部劣化が
なくなり、また、端面破壊を防止することができ、信頼
性が向上するとともに、導波路幅Ｗbの変動が水平横モ
ードの半値全角の変動に与える影響が小さくなるので、
半導体レーザ特性の均一性が向上し、歩留りがよくな
る。
【００４０】また、実施の形態１及び２において、ｎ―
ＧａＡｓからなる半導体基板１の例を示したが、ｐ―Ｇ
ａＡｓからなる半導体基板を使用し、各層の導電型を反
転しても同様の効果が得られることはいうまでもなく、
また、活性層は量子井戸活性層３が製造し易さの点で好
ましいが、これに限られるものではない。
ＧａＡｓからなる半導体基板１の例を示したが、ｐ―Ｇ
ａＡｓからなる半導体基板を使用し、各層の導電型を反
転しても同様の効果が得られることはいうまでもなく、
また、活性層は量子井戸活性層３が製造し易さの点で好
ましいが、これに限られるものではない。
【００４１】また、実施の形態１および２において、電
流ブロック層および／または第２コンタクト層にドープ
する元素は、Ｅｒのほか波長０．９８μｍレーザ光を吸
収するホルミウム（Ｈｏ）、０．８７μｍレーザ光を吸
収するネオジム（Ｎｄ）のような元素など、活性層で発
した波長λのレーザ光を吸収する元素であればよい。
流ブロック層および／または第２コンタクト層にドープ
する元素は、Ｅｒのほか波長０．９８μｍレーザ光を吸
収するホルミウム（Ｈｏ）、０．８７μｍレーザ光を吸
収するネオジム（Ｎｄ）のような元素など、活性層で発
した波長λのレーザ光を吸収する元素であればよい。
【００４２】また、実施の形態１及び２において、リッ
ジ導波路型レーザの例を示したが、図８に示すように、
ＳＡＳ型レーザにも適用できる。このＳＡＳ型レーザに
おいても、図における電流ブロック層１６および／また
は第２コンタクト層１７にＥｒ，ＨｏあるいはＮｄなど
の元素をドープすることによって導波路１８の幅を大き
くすることができ、実施の形態１および２と同様の効果
が得られる。
ジ導波路型レーザの例を示したが、図８に示すように、
ＳＡＳ型レーザにも適用できる。このＳＡＳ型レーザに
おいても、図における電流ブロック層１６および／また
は第２コンタクト層１７にＥｒ，ＨｏあるいはＮｄなど
の元素をドープすることによって導波路１８の幅を大き
くすることができ、実施の形態１および２と同様の効果
が得られる。
【００４３】なお、図８に示したＳＡＳ型レーザの製造
においては、半導体基板１上に、順次、クラッド層２、
活性層３、第１クラッド層４、電流ブロック層１６を結
晶成長した後、電流ブロック層１６をエッチングして所
定の導波路幅の導波路１８を形成し、導波路１８及び電
流ブロック層１６を埋める第２クラッド層６、コンタク
ト層１７を結晶成長し、電流ブロック層１６および／あ
るいはコンタクト層１７の結晶成長でＥｒ，Ｈｏあるい
はＮｄなどの元素をドープすればよい。
においては、半導体基板１上に、順次、クラッド層２、
活性層３、第１クラッド層４、電流ブロック層１６を結
晶成長した後、電流ブロック層１６をエッチングして所
定の導波路幅の導波路１８を形成し、導波路１８及び電
流ブロック層１６を埋める第２クラッド層６、コンタク
ト層１７を結晶成長し、電流ブロック層１６および／あ
るいはコンタクト層１７の結晶成長でＥｒ，Ｈｏあるい
はＮｄなどの元素をドープすればよい。
【００４４】
【発明の効果】請求項１、２、４、５、６、７および１
０に係る発明によれば、導波路幅を大きくすることがで
き、電流密度が低減されるので、活性層における転位の
増殖が抑制され、内部劣化がなくなり、また、端面破壊
を防止することができ、信頼性が向上する。さらに、導
波路幅を大きくすることによって、導波路幅の変動が水
平横モードの半値全角の変動に与える影響が小さくなる
ので、半導体レーザ特性の均一性が向上し、歩留りがよ
くなる。
０に係る発明によれば、導波路幅を大きくすることがで
き、電流密度が低減されるので、活性層における転位の
増殖が抑制され、内部劣化がなくなり、また、端面破壊
を防止することができ、信頼性が向上する。さらに、導
波路幅を大きくすることによって、導波路幅の変動が水
平横モードの半値全角の変動に与える影響が小さくなる
ので、半導体レーザ特性の均一性が向上し、歩留りがよ
くなる。
【００４５】請求項２、３、４、７、８、９および１０
に係る発明によれば、活性層で発したレーザ波長λのレ
ーザ光をコンタクト層が吸収して、レーザ光の反射を防
止するので、活性層におけるレーザ光の縦モードの擾乱
を防止し、雑音をなくすことができる。
に係る発明によれば、活性層で発したレーザ波長λのレ
ーザ光をコンタクト層が吸収して、レーザ光の反射を防
止するので、活性層におけるレーザ光の縦モードの擾乱
を防止し、雑音をなくすことができる。
【図１】 本発明の第１の実施の形態になる半導体レー
ザを示す斜視図である。
ザを示す斜視図である。
【図２】 本発明の第１の実施の形態になる半導体レー
ザの製造方法を説明する断面図である。
ザの製造方法を説明する断面図である。
【図３】 Ｅｒイオンのレーザ光吸収特性を示す図であ
る。
る。
【図４】 本発明の第２の実施の形態になる半導体レー
ザを示す斜視図である。
ザを示す斜視図である。
【図５】 従来の半導体レーザを示す斜視図である。
【図６】 従来の半導体レーザの製造方法を説明する断
面図である。
面図である。
【図７】 リッジ導波路と電流ブロック層の屈折率を示
す図である。
す図である。
【図８】 本発明のその他の実施の形態になる半導体レ
ーザを示す断面図である。
ーザを示す断面図である。
１ 半導体基板（ｎ―ＧａＡｓ）、２ クラッド層（ｎ
―Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ）、３ 量子井戸活性層（ＩｎＧ
ａＡｓ）、４ 第１クラッド層（ｐ―Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａ
ｓ）、５ エッチングストッパ層（ｐ―Ａｌ0.7Ｇａ0.3
Ａｓ）、６第２クラッド層（ｐ―Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａ
ｓ）、７ 第１コンタクト層（ｐ―ＧａＡｓ）、８，１
６ 電流ブロック層（エルビウム（Ｅｒ）ドープ）―Ａ
ｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ）、９ 第２コンタクト層（ｐ―Ｇａ
Ａｓ）、１０ ｐ―電極、１１ｎ―電極、１２ リッジ
導波路、１３ 絶縁膜、１４ 電流ブロック層（ｎ―Ａ
ｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ）、１５，１７ 第２コンタクト層
（Ｅｒドープｐ―ＧａＡｓ）、Ｗb 導波路幅、１８
導波路
―Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ）、３ 量子井戸活性層（ＩｎＧ
ａＡｓ）、４ 第１クラッド層（ｐ―Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａ
ｓ）、５ エッチングストッパ層（ｐ―Ａｌ0.7Ｇａ0.3
Ａｓ）、６第２クラッド層（ｐ―Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａ
ｓ）、７ 第１コンタクト層（ｐ―ＧａＡｓ）、８，１
６ 電流ブロック層（エルビウム（Ｅｒ）ドープ）―Ａ
ｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ）、９ 第２コンタクト層（ｐ―Ｇａ
Ａｓ）、１０ ｐ―電極、１１ｎ―電極、１２ リッジ
導波路、１３ 絶縁膜、１４ 電流ブロック層（ｎ―Ａ
ｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ）、１５，１７ 第２コンタクト層
（Ｅｒドープｐ―ＧａＡｓ）、Ｗb 導波路幅、１８
導波路
Claims (10)
- 【請求項１】 第１導電型の半導体基板上に、順次、第
１導電型のクラッド層、波長λのレーザ光を発する活性
層、所定の導波路幅で形成された導波路を構成する第２
導電型のクラッド層、この導波路の外側を埋める上記波
長λのレーザ光を吸収する元素をドープした第１導電型
の電流ブロック層、上記導波路および電流ブロック層を
覆う第２導電型のコンタクト層を備えたことを特徴とす
る半導体レーザ。 - 【請求項２】 コンタクト層に波長λのレーザ光を吸収
する元素をドープしたことを特徴とする請求項１記載の
半導体レーザ。 - 【請求項３】 第１導電型の半導体基板上に、順次、第
１導電型のクラッド層、波長λのレーザ光を発する活性
層、所定の導波路幅で形成された導波路を構成する第２
導電型のクラッド層、この導波路の外側を埋める第１導
電型の電流ブロック層、上記導波路および電流ブロック
層を覆う上記波長λのレーザ光を吸収する元素をドープ
した第２導電型のコンタクト層を備えたことを特徴とす
る半導体レーザ。 - 【請求項４】 波長λのレーザ光を吸収する元素がエル
ビウム（Ｅｒ）、ホルミウム（Ｈｏ）、あるいは（Ｎ
ｄ）であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれ
かに記載の半導体レーザ。 - 【請求項５】 第１導電型の半導体基板上に、順次、第
１導電型のクラッド層、波長λのレーザ光を発する活性
層、第２導電型のクラッド層を結晶成長する工程、この
第２導電型のクラッド層をエッチングして所定の導波路
幅の導波路を形成する工程、この導波路の外側に上記波
長λのレーザ光を吸収する元素および第１導電型にする
金属をドープした電流ブロック層を結晶成長する工程、
上記導波路および電流ブロック層上にコンタクト層を結
晶成長する工程を備えたことを特徴とする半導体レーザ
の製造方法。 - 【請求項６】 第１導電型の半導体基板上に、順次、第
１導電型のクラッド層、波長λのレーザ光を発する活性
層、上記波長λのレーザ光を吸収する元素および第１導
電型にする金属をドープした電流ブロック層を結晶成長
する工程、この電流ブロック層をエッチングして所定の
導波路幅の導波路を形成する工程、この導波路及び上記
電流ブロック層を埋める第２導電型のクラッド層を結晶
成長する工程、上記第２導電型クラッド層上にコンタク
ト層を結晶成長する工程を備えたことを特徴とする半導
体レーザの製造方法。 - 【請求項７】 コンタクト層に波長λのレーザ光を吸収
する元素をドープすることを特徴とする請求項５または
６記載の半導体レーザの製造方法。 - 【請求項８】 第１導電型の半導体基板上に、順次、第
１導電型のクラッド層、波長λのレーザ光を発する活性
層、第２導電型のクラッド層を結晶成長する工程、この
第２導電型のクラッド層をエッチングして所定の導波路
幅の導波路を形成する工程、この導波路の外側に第１導
電型の電流ブロック層を結晶成長する工程、上記第２ク
ラッド層および電流ブロック層上に上記波長λのレーザ
光を吸収する元素および第２導電型にする金属をドープ
したコンタクト層を結晶成長する工程を備えたことを特
徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項９】 第１導電型の半導体基板上に、順次、第
１導電型のクラッド層、波長λのレーザ光を発する活性
層、第１導電型の電流ブロック層を結晶成長する工程、
この第１導電型の電流ブロック層をエッチングして所定
の導波路幅の導波路を形成する工程、この導波路及び上
記電流ブロック層を埋める上記波長λのレーザ光を吸収
する元素および第２導電型にする金属をドープしたコン
タクト層を結晶成長する工程を備えたことを特徴とする
半導体レーザの製造方法。 - 【請求項１０】 波長λのレーザ光を吸収する元素がエ
ルビウム（Ｅｒ）、ホルミウム（Ｈｏ）、あるいはネオ
ジム（Ｎｄ）であることを特徴とする請求項５ないし９
のいずれかに記載の半導体レーザの製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP7178759A JPH0936474A (ja) | 1995-07-14 | 1995-07-14 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
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1996
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