JPH0941104A - Fe族基非晶質金属薄帯 - Google Patents

Fe族基非晶質金属薄帯

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JPH0941104A
JPH0941104A JP19166095A JP19166095A JPH0941104A JP H0941104 A JPH0941104 A JP H0941104A JP 19166095 A JP19166095 A JP 19166095A JP 19166095 A JP19166095 A JP 19166095A JP H0941104 A JPH0941104 A JP H0941104A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 合金組成の選択が容易であり、かつ厚さが1
00μm以下の超薄型のパルス電圧発生素子としても優
れた性能を有するFe族基非晶質金属薄帯を提供する。 【解決手段】 Fe族基の元素であるFe、Co、Ni
のうち少なくとも1種の元素を合計で65原子%以上含
有し、磁歪定数の絶対値が1×10-6以上であり、幅が
400μm以下で、かつ相当厚さの幅に対する長さの比
が0.1以上であることを特徴とするFe族基非晶質金
属薄帯。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、急冷凝固状態にお
いてパルス電圧発生特性に優れた非晶質金属薄帯に関す
るものであり、特に、交流あるいは直流磁化特性におい
て急峻な磁化反転を示す、パルス電圧発生特性に優れた
Fe族基非晶質金属薄帯に関するものである。
【0002】
【従来の技術】溶融状態の合金を急冷することにより、
薄帯状、細線状、粉粒体状など種々の形状と特性を有す
る非晶質金属材料が得られることはよく知られている。
その中でも、特開昭56−165016号公報ならびに
特開昭57−79052号公報により開示されたFe及
びCo基の急冷凝固非晶質金属細線は、磁化過程におけ
るある特定の励磁磁界値(逆磁区形成限界磁界値)にお
いて急速に磁化反転を生じる双安定磁気特性を示す磁性
材料として知られており、励磁磁界の変化速度に関係な
く、検出コイルに鋭い誘導電圧パルスを発生するパルス
電圧発生素子として各種磁気マーカや磁気センサに広く
応用されている。
【0003】一方、磁歪の大きいFe族基非晶質金属薄
帯は、急冷凝固状態では非晶質金属細線と異なり、双安
定磁気特性を示さないことが広く知られており、交流磁
界中において薄帯を励磁したとき、検出コイルに発生す
る誘導電圧パルスの電圧の大きさは非晶質金属細線の場
合に比べて劣るものとされてきた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
特開昭56−165016号公報及び特開昭57−79
052号公報に開示された円形断面を有するFe及びC
o基の非晶質金属細線は、回転液中紡糸法と呼ばれる製
造方法により作製されるため、回転冷却液中において細
線形態を形成する特定の合金組成のものに限定されると
いう問題があった。また、上記の製造方法では、100
μm以下の細孔を有するノズルから溶融合金を回転冷却
液中に安定して噴出させることが困難であり、100μ
m以下の線径を有するFe及びCo基の急冷凝固非晶質
金属細線が得られにくいという問題もあった。そのた
め、上記の製造方法により得られたFe及びCo基の急
冷凝固非晶質金属細線が、双安定磁気特性を示すパルス
電圧発生素子として各種有機材料からなるフィルムに挟
まれて使用される場合には、素子全体の寸法が厚くなる
という問題点を有していた。したがって、厚さが100
μm以下の超薄型のパルス電圧発生素子として使用可能
な、非晶質金属材料の開発が望まれていた。本発明は、
合金組成の選択が容易であり、かつ厚さが100μm以
下の超薄型のパルス電圧発生素子としても優れた性能を
有する非晶質金属材料を提供することを目的とするもの
である。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、このよう
な課題を解決するために鋭意検討の結果、従来、急冷凝
固状態ではパルス電圧発生特性が悪いとされてきたFe
族基非晶質金属薄帯において、選択が容易な合金組成
で、特定の磁歪と特定の断面形態を有するものが、厚さ
100μm以下の超薄型のパルス電圧発生素子として優
れた性能を有するという事実を見出し、本発明に到達し
た。すなわち、本発明は、Fe族基の元素であるFe、
Co、Niのうち少なくとも1種の元素を合計で65原
子%以上含有し、磁歪定数の絶対値が1×10-6以上で
あり、幅が400μm以下で、かつ相当厚さの幅に対す
る長さの比が0.1以上であることを特徴とするFe族
基非晶質金属薄帯を要旨とするものである。
【0006】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の非晶質金属薄帯は、X線回折実験により確認さ
れる非晶質構造を有することが必要であるが、交流ある
いは直流磁化特性において急峻な磁化反転を示し、パル
ス電圧発生特性が優れている限りにおいては、結晶質相
が若干含まれていてもよい。また、本発明のFe族基非
晶質金属薄帯においては、Fe族基の元素であるFe、
Co、Niのうち少なくとも1種の元素を合計で65原
子%以上含む合金であることが必要である。Fe族基の
元素の合計含有量が65原子%未満である場合には、磁
気特性が劣化し、室温において急峻な磁化反転を示す磁
気特性を示さなくなる。
【0007】さらに、本発明においては、Fe、Co及
びNiのうち少なく1種の元素を合計で65原子%以上
90原子%以下含有することが好ましく、特に、Niが
35原子%以下であることが好ましい。また、Fe、C
o及びNiのうち少なく1種の元素を合計で65原子%
以上90原子%以下含有し、非晶質形成を促進する元素
として、B、P、C、Si、Al、Ga、Zr、Nb及
びTaの群から選ばれた1種又は2種以上の元素を合計
で10原子%以上35原子%以下含む合金であることが
より好ましい。Fe族基の元素の合計含有量が90原子
%を越える場合や、非晶質形成を促進する元素の合計が
10原子%未満あるいは35原子%を越える場合には、
非晶質形成能が低下しやすくなるため、非晶質単相を形
成しにくくなり、磁化曲線において急峻な磁化反転を示
す磁気特性を有する非晶質金属薄帯が得られにくくな
る。また、この合金組成に耐食性を改善する目的で、
W、V、Cr、Cu、Moが10原子%以下含まれてい
ても磁化曲線において急峻な磁化反転を示すものであれ
ば特に問題はない。
【0008】本発明の非晶質金属薄帯においては、磁歪
定数の絶対値が1×10-6以上であることが必要であ
り、特に、磁歪定数の絶対値が3×10-6以上3×10
-4以下であることが好ましい。非晶質金属薄帯が磁歪定
数の絶対値として1×10-6より小さい磁歪を有するも
のになると、磁化特性において急峻な磁化反転を示さな
くなり、パルス電圧発生特性が大幅に悪化する。
【0009】また、本発明の非晶質金属薄帯において
は、幅が400μm以下で、かつ薄帯の相当厚さの幅に
対する長さの比が0.1以上であることが必要であり、
幅が400μm以下100μm以上で、かつ薄帯の相当
長さの幅に対する長さの比が0.1以上0.3以下であ
ることが好ましい。また、幅が350μm以下100μ
m以上で、かつ薄帯の相当厚さの幅に対する長さの比が
0.14以上であることがより好ましい。さらに、本発
明の非晶質金属薄帯においては、幅が275μm以下
で、かつ相当厚さの幅に対する長さの比が0.2以上で
あることが特に好ましい。なお、ここでいう薄帯の
「幅」とは、任意の断面における端部間の距離(横方向
の最大寸法)のことであり、「相当厚さ」とは、(断面
積)÷(幅)の数式で求められる値のことである。Fe
族基非晶質金属薄帯において、薄帯の断面の幅が400
μm以上の場合や、薄帯の相当厚さの幅に対する長さの
比が0.1以下の断面形態を有する場合には、交流磁化
特性あるいは直流磁化特性において急峻な磁化反転を示
さなくなり、パルス電圧発生特性が大幅に悪化する。さ
らに、断面の幅が100μmより小さくなると、急峻な
磁化反転を示しても、パルス発生特性が悪化する傾向が
認められる。
【0010】また、本発明の非晶質金属薄帯は、相当厚
さに対して薄帯の長さが500倍以上であることが好ま
しく、1000倍以上であることがより好ましい。薄帯
の長さが相当厚さの500倍未満の場合には、交流磁化
特性あるいは直流磁化特性において急峻な磁化反転を示
さなくなりやすく、パルス電圧発生特性が大幅に悪化す
る傾向を示す。本発明の非晶質金属薄帯の断面形態の例
を図1〜3に示す。本発明においては上記で定義される
「幅」と「相当厚さ」において、幅が400μm以下
で、かつ相当厚さの幅に対する長さの比が0.1以上で
あれば、断面が矩形に近いものや半月、三日月状などの
種々の断面形態を有する薄帯であってもよい。
【0011】本発明のFe族基非晶質金属薄帯は、本発
明における断面形態を有する薄帯が得られる方法であれ
ば、特に製造方法は限定されるものではないが、Fe族
基の合金を溶融してその溶融金属を高速運動する固体冷
媒に接触させることにより急冷凝固を実現する製造方法
により作製することができる。中でも、従来より液体急
冷法として知られている融液抽出法(メルトイクストラ
クション法)、遠心急冷法、単ロール法あるいは双ロー
ル法を用いて作製することが好ましい。
【0012】例えば、液体急冷法として単ロール法を利
用する場合には、先端に孔を有するセラミックス製ノズ
ル中で合金を溶融し、回転している銅ロール上に溶融合
金をノズル孔から噴出させて急冷凝固させることによ
り、本発明のFe族基金属薄帯を製造することができ
る。ここで、代表的な製造条件としては、断面積が0.
2mm2 以下のノズル孔を有するセラミックス製のノズ
ルを用い、5〜50m/sの周速度で回転する銅ロール
上に、大気中や真空中、あるいはアルゴン等の不活性ガ
ス雰囲気中でノズル孔から溶融合金を0.005kg/
cm2 以上の圧力で噴出させればよい。
【0013】また、図4は、急速に磁化反転を生じるあ
る特定の励磁磁界値(臨界磁界値)以下の励磁磁界下に
おける本発明のFe族基非晶質金属薄帯の交流磁化ヒス
テリシスループの一例を示す図であり、図5は、臨界磁
界下における本発明のFe族基非晶質金属薄帯の交流磁
化ヒステリシスループの一例を示す図である。交流磁化
特性において、図4〜5に示されるように、ある特定の
励磁磁界値(臨界磁界値)において急速に磁化反転を生
じる磁気特性を示すものであり、その急峻な磁化反転に
おいて材料の飽和磁化(飽和磁束密度)の30%以上の
磁化変化量を伴うものである。そして、磁化反転が生じ
る臨界磁界値としては、0.02〜0.45Oeを示
し、交流磁界中で急峻な磁化反転に伴う波形の鋭い誘導
電圧パルスを発生するものである。
【0014】また、発生するパルス電圧の高調波成分も
非晶質金属細線の場合とほぼ同様の良好なものが得ら
れ、パルス電圧発生素子として、各種磁気マーカや磁気
センサーに広く用いることができる新しい磁性材料であ
る。また、本発明のFe族基非晶質金属薄帯において
は、容易に厚さ(断面の縦方向の最大寸法)が100μ
m以下のものが得られ、超薄型のパルス電圧発生素子と
して各種磁気マーカや磁気センサーに広く用いることが
できる。
【0015】
【実施例】次に、実施例及び比較例により本発明を具体
的に説明する。 実施例1〜14、比較例1〜7 表1及び表2に示す各種組成からなる合金を、アルゴン
雰囲気下で直径200〜400μmのノズル孔を備える
石英ノズル中で溶融させた。次に、1500rpmで回
転する直径20cmの銅ロール上に、溶融合金をアルゴ
ンガス噴出圧0.2〜2.0kg/cm2 で噴出させる
ことにより、金属薄帯を作製した。このときの石英ノズ
ルと回転冷却ロール面との距離は1mm以下であった。
【0016】次に、作製したこれらの金属薄帯の組織、
磁歪定数、幅、相当厚さの幅に対する長さの比、交流磁
化ヒステリシスループにおける急峻な磁化反転の有無、
検出パルス電圧を測定した。それらの結果を表1及び表
2に示す。ここで、組織については、X線回折法により
非晶質相特有のハローパターンが得られた状態を非晶質
と判定し、非晶質と結晶質とが混在する状態は結晶質と
判定した。また、断面を光学顕微鏡により10点観察
し、10断面について幅、相当厚さ、相当厚さの幅に対
する長さの比を求め、急冷薄帯の幅、相当厚さの幅に対
する長さの比として、これら10点の平均値をとった。
また、作製された金属薄帯の磁歪定数は、試料長20c
mの薄帯を幅より10〜20%程度大きい内径の石英ガ
ラス管内に挿入し、薄帯の長手方向に圧縮力あるいは張
力を負荷しながら交流磁気ヒステリシスループを測定す
ることにより求めた。なお、印加磁界は60Hzの交流
電源を用いた。
【0017】さらに、試料長20cmの薄帯について励
磁磁界0.01〜1Oe、周波数60Hzにおいて交流
磁気ヒステリシスループを測定し、急峻な磁化反転の有
無を判定した。また、作製された金属薄帯のパルス電圧
発生特性としては、周波数50Hz、印加最大磁界1O
eの正弦波で試料長15cmの薄帯を励磁し、金属薄帯
の周囲に巻かれた長さ3.5cm、590ターン、内径
3cmの検出コイルにて検出されるパルス電圧を測定し
た。
【0018】
【表1】
【0019】
【表2】
【0020】表1より明らかなように、本発明のFe族
基非晶質金属薄帯は、実施例1〜14にあるように交流
磁化特性においてある特定の励磁磁界値(臨界磁界値)
において急速に磁化反転を生じる磁気特性を示すもので
あり、検出コイルに発生する誘導パルスも波形の鋭いパ
ルスであり、いずれも70mV以上の優れたパルス電圧
発生特性を有していた。
【0021】しかしながら、表2の比較例1及び2に示
すように、幅が400μmを越えるか、あるいは、相当
厚さの幅に対する比が0.1未満の断面を有する金属薄
帯は、たとえ1×10-6以上の磁歪を有し、組織が非晶
質であっても、磁気特性において急峻な磁化反転を示さ
ず、発生するパルス電圧も実施例1〜14に比べて格段
に低いものになった。また、比較例3及び4に示すよう
に、磁歪定数の絶対値が1×10-6より小さくなると、
組織が非晶質であっても、磁気特性において急峻な磁化
反転を示さず、発生するパルス電圧も実施例1〜14に
比べて格段に低いものになった。
【0022】さらに、比較例5〜6に示すように、Fe
族基の元素の合計含有量が65原子%より少なくなる
と、磁気特性が劣化し非磁性薄帯となってしまった。ま
た、比較例7では、Fe族基の元素の含有量が65原子
%より少なく、非晶質形成を促進する元素の含有量が多
過ぎたため、かえって非晶質構造が形成できず、磁歪を
有する強磁性体結晶質であり、磁気特性において急峻な
磁化反転を示さず、発生するパルス電圧も実験における
励磁振幅の範囲では明確に観測されなかった。
【0023】
【発明の効果】本発明のFe族基非晶質金属薄帯は、あ
る特定の励磁磁界値(臨界磁界値)において急峻な磁化
反転を示し、パルス電圧発生特性に優れた非晶質金属薄
帯であり、盗難防止用磁気マーカなどの各種磁気マーカ
や回転センサー等の各種磁気センサーに広く応用できる
新しい磁性材料である。また、従来の急冷凝固非晶質金
属細線では得られない超薄型のパルス発生素子として種
々の超薄型センサー素子への応用が可能な工業材料であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のFe族基非晶質金属薄帯の断面の一例
を示す模式図である。
【図2】本発明のFe族基非晶質金属薄帯の断面の他の
一例を示す模式図である。
【図3】本発明のFe族基非晶質金属薄帯の断面の他の
一例を示す模式図である。
【図4】本発明のFe族基非晶質金属薄帯の、臨界磁界
値以下の励磁磁界下における交流磁化ヒステリシスルー
プの一例を示す図である。
【図5】本発明のFe族基非晶質金属薄帯の、臨界磁界
下における交流磁化ヒステリシスループの一例を示す図
である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 Fe族基の元素であるFe、Co、Ni
    のうち少なくとも1種の元素を合計で65原子%以上含
    有し、磁歪定数の絶対値が1×10-6以上であり、幅が
    400μm以下で、かつ相当厚さの幅に対する長さの比
    が0.1以上であることを特徴とするFe族基非晶質金
    属薄帯。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002522643A (ja) * 1998-08-13 2002-07-23 バクームシュメルツェ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング アモルファス合金を短い焼鈍時間で焼鈍するために引張応力制御と低コスト合金組成を用いる方法
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JP2002536839A (ja) * 1999-02-10 2002-10-29 バクームシユメルツエ、ゲゼルシヤフト、ミツト、ベシユレンクテル、ハフツング 電子商品監視用の磁気音響式マーカ

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