JPH0943132A - パーティクル計測装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ハウジングに形成された窓部より外乱光がハ
ウジング内に進入すると、フォトダイオードはこの外乱
光によっても信号を生成してしまう。よって、パーティ
クルにより生成される信号と、外乱光により生成される
信号とが混在し、精度の高いパーティクルの計数を行う
ことができなくなる。 【解決手段】 半導体レーザ素子13から出射したレーザ
光L がハウジング12に形成された窓部18から進入するパ
ーティクルに衝突することにより発生する散乱光M をフ
ォトダイオード14a,14b で検出することによりパーティ
クルの計測を行うパーティクル計測装置において、前記
フォトダイオード14a,14b に散乱光以外の外乱光が入射
するのを防止する遮光部材16,17a,17bを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はパーティクル計測装
置に係り、特にパーティクルが発光素子から出射された
光と衝突することにより発生する散乱光を検出すること
によりパーティクルの計測を行うパーティクル計測装置
に関する。

【０００２】例えば、イオン注入装置等の半導体製造装
置は、微細な塵埃（パーティクル）が装置内に存在する
と、このパーティクルがウェハーが付着し歩留りが低下
することが知られている。特に近年のように半導体装置
の高密度化及び微細化が進むと、このパーティクルによ
る製造歩留りの低下は大きな問題となる。

【０００３】このため、装置内に存在するパーティクル
を計測装置を用いて計測し、その計測値に基づいて製造
プロセスの条件を最適化することにより製造歩留りの低
下を防止することが行われている。従って、パーティク
ルを計測するパーティクル計測装置の精度を向上させる
ことは、半導体製造装置における製造歩留りを向上させ
る面より重要である。

【０００４】

【従来の技術】図９は、従来におけるパーティクル計測
装置の一例を示す概略構成図である。同図に示されるよ
うに、パーティクル計測装置１は、大略するとハウジン
グ２，発光素子となる半導体レーザー素子３，受光素子
となるフォトダイオード４（ハッチングで示す），及び
レンズ系５等により構成されている。

【０００５】半導体レーザー素子３で生成されたレーザ
ー光Ｌは、レンズ系５で集光された後、フォトダイオー
ド４の間を通りハウジング２に設けられたビームストッ
パー６に吸収される。また、ハウジング２のフォトダイ
オード４の配設位置近傍には長孔形状の窓部７が形成さ
れている。そして、パーティクルはこの窓部７を介して
ハウジング２の内部に進入する。

【０００６】パーティクルが窓部７よりハウジング２の
内部に進入し半導体レーザー素子３から照射されるレー
ザー光Ｌと衝突すると、レーザー光Ｌはパーティクルに
より散乱され散乱光Ｍが発生する。この散乱光Ｍはフォ
トダイオード４で受光され、よってフォトダイオード４
は電気的なパルス信号を生成する。よって、フォトダイ
オード４が生成するこのパルス信号はパーティクルの数
と対応しており、従ってこのパルス信号に基づきパーテ
ィクルの数を計数することができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、真空装置内
では半導体レーザー素子３から照射されるレーザー光Ｌ
の波長と同波長の光が存在する場合がある。また、従来
のパーティクル計測装置１は、パーティクルをハウジン
グ２内に取り込むために、単にハウジング２に窓部７を
形成しただけの構成とされている。

【０００８】従って、この窓部７より真空装置内に存在
するレーザー光Ｌの波長と同波長の光（以下、外乱光と
いう）がハウジング２内に入り込むおそれがある。そし
て、外乱光がハウジング２内に入り込みフォトダイオー
ド４に入射した場合、フォトダイオード４はこの外乱光
によっても信号を生成してしまう。

【０００９】即ち、この場合にフォトダイオード４から
出力される信号は、パーティクルにより生成される信号
と、外乱光により生成される信号が重畳された信号とな
る。よって、従来構成のパーティクル計測装置１では、
精度の高いパーティクルの計数を行うことができないと
いう問題点があった。

【００１０】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、計測精度の向上を図ったパーティクル計測装置を
提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では下記の手段を講じた。請求項１記載の発
明では、発光装置から出射した光がハウジングに形成さ
れた窓部から進入するパーティクルに衝突することによ
り発生する散乱光を受光素子で検出することによりパー
ティクルの計測を行うパーティクル計測装置において、
前記受光素子に前記散乱光以外の外乱光が入射するのを
防止する遮光部材を設けたことを特徴とするものであ
る。

【００１２】また、請求項２記載の発明では、前記請求
項１記載のパーティクル計測装置において、前記遮光部
材が前記窓部を覆い得る構成としたことを特徴とするも
のである。また、請求項３記載の発明では、前記請求項
２記載のパーティクル計測装置において、前記遮光部材
を上記ハウジングに沿って位置調整可能な構成としたこ
とを特徴とするものである。

【００１３】また、請求項４記載の発明では、前記請求
項２または３記載のパーティクル計測装置において、前
記遮光部材を前記パーティクルの通過は許容すると共に
前記外乱光の透過は規制するブラインド構造としたこと
を特徴とするものである。

【００１４】また、請求項５記載の発明では、前記請求
項１記載のパーティクル計測装置において、前記遮光部
材を前記ハウジング内における前記受光素子の近傍位置
に配置したことを特徴とするものである。

【００１５】更に、請求項６記載の発明では、前記請求
項５記載のパーティクル計測装置において、前記遮光部
材を前記受光素子を挟んだ両側位置に前記発光装置から
出射した光の進行方向に対向するよう配置したことを特
徴とするものである。

【００１６】上記した各手段は、下記のように作用す
る。請求項１記載の発明によれば、受光素子に前記散乱
光以外の外乱光が入射するのを防止する遮光部材を設け
たことにより、受光素子が外乱光により信号を生成する
ことはなくなり、よってパーティクル計測の精度を向上
させることが可能となる。

【００１７】また、請求項２記載の発明によれば、遮光
部材が窓部を覆うよう構成したことにより、簡単な構成
で窓部から外乱光が入射するのを防止することができ
る。尚、遮光部材を配設する際、パーティクルが窓部よ
りハウジング内に進入しうる構成で遮光部材を配設する
ことは勿論である。

【００１８】また、請求項３記載の発明によれば、遮光
部材をハウジングに沿って位置調整可能な構成としたこ
とにより、遮光部材を外乱光の入射する方向に向けるこ
とができ、よって外乱光のハウジング内への進入を確実
に防止することができる。また、請求項４記載の発明に
よれば、遮光部材をパーティクルの通過は許容すると共
に外乱光の透過は規制するブラインド構造とすることに
より、遮光部材によりパーティクルの窓部からの進入を
妨げられることなく外乱光の進入を防止することができ
る。

【００１９】また、請求項５記載の発明によれば、遮光
部材を信号を生成する受光素子の近傍位置に配置したこ
とにより、外乱光が受光素子に入射するのを効率良く防
止することができる。更に、請求項６記載の発明によれ
ば、遮光部材を受光素子を挟んだ両側位置に発光装置か
ら出射した光の進行方向に対向するよう配置したことに
より、窓部から進入しハウジング内で乱反射することに
より側方位置から受光素子に進入する外乱光をも遮光す
ることができ、パーティクル計測の精度を更に向上させ
ることができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】次に発明の実施の形態について図
面と共に説明する。図１及び図２は本発明の一実施例で
あるパーティクル計測装置１０を示しており、また図３
はパーティクル計測装置１０の適用例を示している。図
１はパーティクル計測装置１０の部分切截断面図、図２
はパーティクル計測装置１０の外観図、図３はパーティ
クル計測装置１０をイオン注入装置１１に適用した例を
示す断面図である。

【００２１】以下、図１及び図２を用いてパーティクル
計測装置１０の構成について説明する。パーティクル計
測装置１０は、大略するとハウジング１２、発光素子と
なる半導体レーザー素子１３、受光素子となる一対のフ
ォトダイオード１４ａ，１４ｂ、光学レンズ１５ａ，１
５ｂ、そして本発明の要部であり遮光部材となる第１の
遮光板１６及び第２の遮光板１７ａ，１７ｂ等により構
成されている。

【００２２】先ず、パーティクル計測装置１０の基本構
成要素について説明する。ハウジング１２は円筒形状を
有しており、例えばステンレス鋼により形成されてい
る。このハウジング１２には、上記した半導体レーザー
素子１３、フォトダイオード１４ａ，１４ｂ、光学レン
ズ１５ａ，１５ｂ等が内設されている。また、後に詳述
するようにハウジング１２の所定位置には長孔状の窓部
１８（図１では一点鎖線で示す）が形成されており、こ
の窓部１８よりパーティクル（微細な塵埃）がハウジン
グ１２の内部に進入しうる構成となっている。

【００２３】半導体レーザー素子１３は所定波長のレー
ザ光Ｌを出力するものであり、円筒形状のハウジング１
２と略同軸的に配置された構成とされている。この半導
体レーザー素子１３から出射されたレーザ光Ｌは、光学
レンズ１５ａ，１５ｂにより集光された上でハウジング
１２内を図中右方向に進行する。上記のように半導体レ
ーザー素子１３はハウジング１２と略同軸的に配置され
ているため、レーザ光Ｌはハウジング１２の略中央位置
を軸線方向に進行する。また、ハウジング１２の図中右
方向端部にはビームストッパー１９が配設されており、
このビームストッパー１９においてレーザ光Ｌは吸収さ
れる。

【００２４】一対のフォトダイオード１４ａ，１４ｂは
ハウジング１２の内壁に対向配設されており、光が照射
されることによりパルス状の電気信号（以下、検出信号
という）を生成する構成となっている。また、各フォト
ダイオード１４ａ，１４ｂの上部にはフィルター２０
ａ，２０ｂが配設されている。このフィルター２０ａ，
２０ｂは、半導体レーザー素子１３が出力するレーザ光
Ｌと同一波長を有する光のみを透過し、異なる波長を有
する光は遮断する構成とされている。従って、フォトダ
イオード１４ａ，１４ｂには半導体レーザー素子１３が
出力するレーザ光Ｌと同一波長を有する光のみが入射す
る。

【００２５】また、前記したハウジング１２に形成され
た窓部１８は、このフォトダイオード１４ａ，１４ｂの
配設位置近傍に形成位置が選定されている。従って、パ
ーティクルは窓部１８を介して一対のフォトダイオード
１４ａ，１４ｂの間（この一対のフォトダイオード１４
ａ，１４ｂの間を検出領域という）に進入することとな
る。尚、図中２１は半導体レーザー素子１３を駆動する
ための前置増幅器である（図２には図示せず）。

【００２６】続いて、上記したパーティクル計測装置１
０の各基本構成要素の動作について説明する。上記のよ
うに、半導体レーザー素子１３で生成されたレーザー光
Ｌは、光学レンズ１５ａ，１５ｂで集光された後、フォ
トダイオード１４ａ，１４ｂの間の検出領域を通りビー
ムストッパー１９で吸収される。この際、パーティクル
が窓部１７を介してハウジング１２内の検出領域に進入
し、半導体レーザー素子１３から照射されるレーザー光
Ｌと衝突すると、レーザー光Ｌはパーティクルにより散
乱され散乱光Ｍが発生する。

【００２７】この散乱光Ｍは、フィルター２０ａ，２０
ｂを介してフォトダイオード１４ａ，１４ｂで受光さ
れ、フォトダイオード１４ａ，１４ｂは電気的なパルス
信号を生成する。また上記のように、フィルター２０
ａ，２０ｂは半導体レーザー素子１３が出力するレーザ
光Ｌと同一波長を有する光のみを透過する特性を有して
いる。よって、フォトダイオード１４ａ，１４ｂに入射
され光−電気変換される光は、パーティクルにより散乱
された散乱光Ｍのみとなるはずである。

【００２８】しかるに、散乱光Ｍとは別個に、窓部１８
から半導体レーザー素子１３が出力するレーザ光Ｌと同
一波長を有する光（以下、外乱光という）が入射する
と、この外乱光はフィルター２０ａ，２０ｂを通過しフ
ォトダイオード１４ａ，１４ｂに入射してしまう。よっ
て、フォトダイオード１４ａ，１４ｂは、パーティクル
による散乱光Ｍ以外に外乱光によっても検出信号を生成
してしまい、従ってパーティクルの計測精度が低下して
しまうことは前述した通りである。

【００２９】そこで、本発明では外乱光が検出領域内に
進入するのを防止するために、遮光部材となる第１の遮
光板１６及び第２の遮光板１７ａ，１７ｂを設けたこと
を特徴とするものである。以下、第１の遮光板１６及び
第２の遮光板１７ａ，１７ｂについて説明する。

【００３０】先ず、第１の遮光板１６について説明す
る。第１の遮光板１６は、例えばハウジング１２と同様
にステンレス鋼により形成された板状部材である。この
第１の遮光板１６は、少なくとも前記した窓部１８の面
積よりも広い面積を有し、窓部１８を覆い得る形状とさ
れている。また、第１の遮光板１６は取付板２２にネジ
２３ａ，２３ｂにより固定されており、また取付板２２
はブラケット２４によりハウジング１２に固定される構
成とされている。

【００３１】ブラケット２４は取付板２２に一体的に設
けられたものであり、調整ネジ２５を緩めることにより
第１の遮光板１６はハウジング１２に沿って移動可能な
構成となる。即ち、取付板２２，ブラケット２４及び調
整ネジ２５は、第１の遮光板１６の取付位置をハウジン
グ１２に沿って調整可能とする取付位置調整機構として
も機能する。この取付位置調整機構を設けることによ
り、第１の遮光板１６は図２に矢印Ｘ方向に直線移動さ
せることが可能になると共に、矢印Ｍで示すようにハウ
ジング１２を中心に回転させることも可能となる。

【００３２】上記構成とされた第１の遮光板１６は、外
乱光が入射する方向に向けて配設される。よって、外乱
光の窓部１８からハウジング１２内への進入は、第１の
遮光板１６により防止され、従ってフォトダイオード１
４ａ，１４ｂが外乱光により信号を生成することはなく
なる。よって、フォトダイオード１４ａ，１４ｂが生成
する信号は、パーティクルの存在により発生する散乱光
Ｍに起因した信号のみとなり、パーティクル計測の精度
を向上させることが可能となる。

【００３３】また上記したように、第１の遮光板１６は
取付位置調整機構を設けたことによりハウジング１２に
沿って取付位置調整可能な構成となっている。従って、
第１の遮光板１６を外乱光の入射する方向に位置調整す
ることができ、よって外乱光のハウジング１２内への進
入を確実に防止することができる。

【００３４】尚、外乱光が窓部１８からハウジング１２
内に進入しないよう第１の遮光板１６を配設することに
より、第１の遮光板１６がパーティクルが窓部１８から
ハウジング１２内に進入することをも阻止することも考
えられる。しかるに、本実施例では、各図に示されるよ
うに第１の遮光板１６はハウジング１２の外周よりも図
中矢印Ｈで示す距離だけ離間配設されている。従って、
パーティクルのハウジング１２内への進入を許容しつ
つ、外乱光のハウジング１２内への進入を阻止すること
ができる。

【００３５】また、図２（Ｂ）に示されるように、本実
施例では第１の遮光板１６の形状を矩形状の本体部１６
ａと取付板２２に固定される取付部１６ｂとよりなる形
状としたが、第１の遮光板１６の形状及び面積はこれに
限定されるものではなく、外乱光の光量や照射される方
向、及びパーティクル計測装置１０が取り付けられる半
導体製造装置のスペース等により適宜変更してもよいこ
とは勿論である。

【００３６】続いて、第２の遮光板１７ａ，１７ｂにつ
いて説明する。この第２の遮光板１７ａ，１７ｂはハウ
ジング１２の内部に形成されており、中央部にレーザ光
Ｌを通過させるための通過孔２６ａ，２６ｂが形成され
た円盤形状とされている。この一対の第２の遮光板１７
ａ，１７ｂは、ハウジング１２内におけるフォトダイオ
ード１４ａ，１４ｂの近傍位置に、具体的にはフォトダ
イオード１４ａ，１４ｂを挟んだ両側位置（検査領域を
挟んだ両側位置）に前記レーザ光Ｌの進行方向に互いに
対向するよう配置されている。

【００３７】ここで、窓部１８からハウジング１２内に
進入した外乱光の挙動について考察すると、外乱光はそ
の入射方向によっては直接フォトダイオード１４ａ，１
４ｂに入射せず、ハウジング１２内で乱反射（ハウジン
グ１２はステンレス鋼により形成されているため反射が
発生する）することにより、側方位置からフォトダイオ
ード１４ａ，１４ｂに入射する場合がある。

【００３８】しかるに、上記のように検査領域を挟んで
第２の遮光板１７ａ，１７ｂを配設することにより、側
方位置からフォトダイオード１４ａ，１４ｂに向け入射
する外乱光を第２の遮光板１７ａ，１７ｂにより遮光す
ることができる。従って、第２の遮光板１７ａ，１７ｂ
を設けることにより、パーティクル計測の精度を更に向
上させることができる。これについて、図４及び図５を
用いて詳述する。

【００３９】図４及び図５は、第２の遮光板１７ａ，１
７ｂの有無によりフォトダイオード１４ａ，１４ｂに入
射される外乱光の入射範囲の変化を示している。図５に
示されるように、第２の遮光板１７ａ，１７ｂを設けな
い場合には、図中矢印Ｗ２で示す範囲から外乱光が入射
した場合、フォトダイオード１４ａ，１４ｂは誤信号を
出力するおそれがある。これに対し、図４に示す第２の
遮光板１７ａ，１７ｂを設けた構成では、フォトダイオ
ード１４ａ，１４ｂが誤信号を出力するおそれがある範
囲は図中矢印Ｗ１で示す範囲となり、誤信号を出力する
おそれがある範囲を図５に示した構成よりも狭くするこ
とができる。即ち、第２の遮光板１７ａ，１７ｂによ
り、側方位置からフォトダイオード１４ａ，１４ｂに向
け入射する外乱光を低減することができる。尚、この第
２の遮光板１７ａ，１７ｂは、フォトダイオード１４
ａ，１４ｂに近接配設する程、外乱光がフォトダイオー
ド１４ａ，１４ｂに入射するのを効率良く防止すること
ができる。

【００４０】図３は上記したパーティクル計測装置１０
をイオン注入装置１１に適用した例を示す断面図であ
り、同図ではイオン注入装置１１のエンドステーション
を示している。イオン注入装置１１のエンドステーショ
ンは、大略するとカバー３０内にディスク３１，エレク
トロフラットガン３２，排気ライン３３，及びパーティ
クル計測装置１０を設けた構成とされている。

【００４１】ディスク３１は図示しない駆動装置により
回転する構成とされており、その表面には複数のウェハ
ー３４が装着されている。また、エレクトロフラットガ
ン３２は、ファラディ３５内にビームゲート３６等を具
備しており、イオン源から放出され加速器等により加速
されたイオンビームＩＢをウェハー３４に向け照射しイ
オンを打ち込む構成とされている。更に、排気ライン３
３は図示しない真空装置に接続されており、よってイオ
ン注入装置１１内は所定の真空度を有する構成とされて
いる。

【００４２】パーティクル計測装置１０は、この排気ラ
イン３３に配設されている。排気ライン３３は装置内に
存在するガスを吸引する部位であるため、パーティクル
が装置内に存在する場合、このパーティクルが最も集ま
り易い部位も排気ライン３３となる。従って、この排気
ライン３３にパーティクル計測装置１０を設け、パーテ
ィクルの計測を行うことにより、装置内に存在するパー
ティクルの数を確実に検出することができ、パーティク
ルの計測精度を向上させることができる。

【００４３】上記構成のイオン注入装置１１において、
イオン注入動作時にイオンビームＩＢとエレクトロフラ
ットガン３２とにより発光がビームライン内で発生する
場合がある。この発光には半導体レーザー素子１３が出
力するレーザ光Ｌと同一波長を有する光（即ち、外乱
光）が含まれており、よってこの外乱光がパーティクル
計測装置１０内に進入した場合にはパーティクルの計測
精度が大きく低下する。

【００４４】しかるに、前記したように本実施例に係る
パーティクル計測装置１０は、第１の遮光版１６及び第
２の遮光板１７ａ，１７ｂを設けているため、外乱光の
ハウジング１２内への進入を防止することができる。こ
こで、上記構成のイオン注入装置１１を用い、エレクト
ロフラットガン３２を作動させた状態下において実際に
パーティクルの計測処理を行った結果を図６及び図７に
示す。

【００４５】図６は、第１及び第２の遮光板１６，１７
ａ，１７ｂを具備するパーティクル計測装置１０を用い
てパーティクルの計測処理を行った場合の計測結果を示
しており、図７は遮光版を設けない従来のパーティクル
計測装置を用いてパーティクルの計測処理を行った場合
の計測結果を示している。尚、各図において、横軸は時
間を示しており、また縦軸は１秒間にフォトダイオード
１４ａ，１４ｂが出力したパルス数（従って、外乱光が
無い場合には、これがパーティクル数となる）を示して
いる。

【００４６】先ず、図７に示される遮光版を設けない従
来のパーティクル計測装置を用いたパーティクルの計測
処理結果を見ると、毎秒３５０個程度（パーティクルサ
イズ0.27μm 以上）のカウントが連続して見られた。こ
れに対し、第１及び第２の遮光板１６，１７ａ，１７ｂ
を具備するパーティクル計測装置１０を用いてパーティ
クルの計測処理結果を見ると、図７に示されるような毎
秒３５０個程度のカウントは見られず、適正なカウント
数が計測されたと考えられる。

【００４７】この計測結果より、図７に示される遮光版
を設けない従来のパーティクル計測装置を用いた場合に
見られる毎秒３５０個程度の過剰なカウント値は、外乱
光がパーティクル計測装置内に進入しフォトダイオード
が外乱光をカウントしてしまうことにより発生するもの
と推定される。

【００４８】これに対し、第１及び第２の遮光板１６，
１７ａ，１７ｂを設けることにより外乱光がハウジング
１２内に進入しないよう構成したパーティクル計測装置
１０では、外乱光により影響と思われる毎秒３５０個程
度の過剰なカウント値は現れておらず、パーティクルに
より発生した散乱光Ｍのみによるカウント値が計数され
ている。従って、第１及び第２の遮光板１６，１７ａ，
１７ｂを設けることにより、パーティクルの計数精度を
向上することができることが実証された。

【００４９】尚、上記した実施例では、図２（Ｂ）に示
されるように単なる板状部材を用いて第１の遮光板１６
を構成した。しかるに、これに代えて図８に示されるよ
うに複数のフィン３８を斜めに一部重なり合うよう組み
合わせ、パーティクルの通過は許容するが、外乱光の透
過は規制するブラインド構造とした遮光板３９としても
よい。この構成とすることにより、パーティクルのハウ
ジング１２内への進行が遮光板３９により妨げられるこ
とを防止でき、かつ外乱光がハウジング１２内へ進入す
ることを防止できるため、パーティクルの計測精度を更
に向上させることができる。

【００５０】また、上記した実施例では、第１の遮光板
１６と第２の遮光板１７ａ，１７ｂを共にパーティクル
計測装置１０に設けた構成を例に挙げて説明したが、第
１の遮光板１６と第２の遮光板１７ａ，１７ｂは夫々異
なる作用により外乱光の進入を防止するものであるた
め、夫々独立して設けてもよいことは勿論である。

【００５１】更に、上記した実施例では、パーティクル
計測装置１０をイオン注入装置１１に適用した例につい
て説明したが、本発明に係るパーティクル計測装置１０
はイオン注入装置以外にもパーティクルの存在が問題と
なる装置に広く適用できるものである。

【００５２】

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、下記の種々
の効果を実現することができる。請求項１記載の発明に
よれば、受光素子が外乱光により信号を生成することは
なくなり、よってパーティクル計測の精度を向上させる
ことができる。

【００５３】また、請求項２記載の発明によれば、簡単
な構成で窓部から外乱光が入射するのを防止することが
できる。また、請求項３記載の発明によれば、遮光部材
を外乱光の入射する方向に向けることができ、よって外
乱光のハウジング内への進入を確実に防止することがで
きる。

【００５４】また、請求項４記載の発明によれば、遮光
部材によりパーティクルの窓部からの進入を妨げられる
ことなく外乱光の進入を防止することができる。また、
請求項５記載の発明によれば、外乱光が受光素子に入射
するのを効率良く防止することができる。

【００５５】更に、請求項６記載の発明によれば、側方
位置から受光素子に進入する外乱光をも遮光することが
でき、パーティクル計測の精度を更に向上させることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例であるパーティクル計測装置
の部分切截断面図である。

【図２】本発明の一実施例であるパーティクル計測装置
の外観図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は側面
図である。

【図３】本発明の一実施例であるパーティクル計測装置
をイオン注入装置に適用した例を示す図である。

【図４】第２の遮光板を設けた場合における迷光の進入
範囲を示す図である。

【図５】第２の遮光板を設けない場合における迷光の進
入範囲を示す図である。

【図６】本発明の一実施例であるパーティクル計測装置
によるパーティクルの計測結果を示す図である。

【図７】従来のパーティクル計測装置によるパーティク
ルの計測結果を示す図である。

【図８】第１の遮光板の変形例を示す図であり、（Ａ）
は平面図であり、（Ｂ）はＡ−Ａ線に沿う断面図であ
る。

【図９】従来のパーティクル計測装置の一例を示す概略
構成図である。

【符号の説明】

１０ パーティクル計測装置 １１ イオン注入装置 １２ ハウジング １３ 半導体レーザ素子 １４ａ，１４ｂ フォトダイオード １６ 第１の遮光板 １７ａ，１７ｂ 第２の遮光板 １８ 窓部 １９ ビームストッパー ２０ａ，２０ｂ フィルター ２４ ブラケット ２５ 調整ネジ ３２ エレクトロフラットガン ３３ 排気ライン ３４ ウェハー ３８ フィン ３９ 遮光板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 稔 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２ 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内 (72)発明者 井上 實 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２ 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 発光装置から出射した光がハウジングに
   形成された窓部から進入するパーティクルに衝突するこ
   とにより発生する散乱光を受光素子で検出することによ
   りパーティクルの計測を行うパーティクル計測装置にお
   いて、 前記受光素子に前記散乱光以外の外乱光が入射するのを
   防止する遮光部材を設けたことを特徴とするパーティク
   ル計測装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載のパーティクル計測装置に
   おいて、 前記遮光部材が前記窓部を覆い得る構成としたことを特
   徴とするパーティクル計測装置。
3. 【請求項３】 請求項２記載のパーティクル計測装置に
   おいて、 前記遮光部材を上記ハウジングに沿って位置調整可能な
   構成としたことを特徴とするパーティクル計測装置。
4. 【請求項４】 請求項２または３記載のパーティクル計
   測装置において、 前記遮光部材を前記パーティクルの通過は許容すると共
   に前記外乱光の透過は規制するブラインド構造としたこ
   とを特徴とするパーティクル計測装置。
5. 【請求項５】 請求項１記載のパーティクル計測装置に
   おいて、 前記遮光部材を前記ハウジング内における前記受光素子
   の近傍位置に配置したことを特徴とするパーティクル計
   測装置。
6. 【請求項６】 請求項５記載のパーティクル計測装置に
   おいて、 前記遮光部材を前記受光素子を挟んだ両側位置に前記発
   光装置から出射した光の進行方向に対向するよう配置し
   たことを特徴とするパーティクル計測装置。