JPH0943145A - 可変容量式赤外線ガス検出器 - Google Patents
可変容量式赤外線ガス検出器Info
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- JPH0943145A JPH0943145A JP7195272A JP19527295A JPH0943145A JP H0943145 A JPH0943145 A JP H0943145A JP 7195272 A JP7195272 A JP 7195272A JP 19527295 A JP19527295 A JP 19527295A JP H0943145 A JPH0943145 A JP H0943145A
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- diaphragm
- pressure
- pair
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/37—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using pneumatic detection
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 赤外線の量に応じた電圧を出力する赤外線ガ
ス分析計で、微小な圧力変動を精度良く検出可能とす
る。 【解決手段】 一面に電極１２ａ，１２ｂを、他面に電
荷を帯電させたエレクトレット膜１３ａ，１３ｂと、一
定間隔を保って対向した電極１０ａ，１０ｂとからなる
静電容量式圧力検出素子８ａ，８ｂを２組設け、インピ
ーダンス変換素子２７ａ，２７ｂおよび差動増幅器２８
等を用いて外部振動等をキャンセルすることにより、微
小な圧力振動を精度良く検出し得るようにする。
ス分析計で、微小な圧力変動を精度良く検出可能とす
る。 【解決手段】 一面に電極１２ａ，１２ｂを、他面に電
荷を帯電させたエレクトレット膜１３ａ，１３ｂと、一
定間隔を保って対向した電極１０ａ，１０ｂとからなる
静電容量式圧力検出素子８ａ，８ｂを２組設け、インピ
ーダンス変換素子２７ａ，２７ｂおよび差動増幅器２８
等を用いて外部振動等をキャンセルすることにより、微
小な圧力振動を精度良く検出し得るようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、測定ガス中に含
まれている各種成分の定性，定量分析を行なう可変容量
式吸光赤外線ガス分析計、特にその検出器部分の改良に
関する。
まれている各種成分の定性，定量分析を行なう可変容量
式吸光赤外線ガス分析計、特にその検出器部分の改良に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図７に可変容量式吸光赤外線ガス分析計
の従来例を示す。同図において、４３はモータ、４４は
回転チョッパ、４５は赤外線光源、４６は光分配セル、
４７〜５２は光透過窓、５３は測定セル、５４は基準セ
ル、５５は導入管、５６は排出管、６は赤外線ガス検出
器（検出器）、７ａ，７ｂは膨張室である。これは、回
転チョッパ４４、光分配セル４６および光透過窓４７，
４９等を介して基準セル５４と測定セル５３を、赤外線
光源４５からの赤外線により断続的に照射し、基準セル
５４に封入されている基準ガスによる赤外線の吸光状態
と、測定セル５３に封入されている被測定ガスによる赤
外線の吸光状態を、赤外線ガス検出器６で圧力に変換
し、これを静電容量変化として検出するものである。
の従来例を示す。同図において、４３はモータ、４４は
回転チョッパ、４５は赤外線光源、４６は光分配セル、
４７〜５２は光透過窓、５３は測定セル、５４は基準セ
ル、５５は導入管、５６は排出管、６は赤外線ガス検出
器（検出器）、７ａ，７ｂは膨張室である。これは、回
転チョッパ４４、光分配セル４６および光透過窓４７，
４９等を介して基準セル５４と測定セル５３を、赤外線
光源４５からの赤外線により断続的に照射し、基準セル
５４に封入されている基準ガスによる赤外線の吸光状態
と、測定セル５３に封入されている被測定ガスによる赤
外線の吸光状態を、赤外線ガス検出器６で圧力に変換
し、これを静電容量変化として検出するものである。
【０００３】上記のような赤外線ガス検出器において、
振動ノイズを除去する従来技術としては、例えば（１）
特公昭５３−３８９４１号公報や、図８に示すものが知
られている。これは、主検出器１と副検出器２とを別々
に設置し、主検出器１内の圧力変化を静電容量の変化と
して検出するものであり、主検出器１と副検出器２の信
号を電気的に演算することにより、振動ノイズを除去す
るようにしている。また、電気ノイズを除去する技術と
しては、（２）特開昭５１−１４４６８２号公報や図９
に示すように、１つの可動極３を間に挟んで２つの固定
極４，５を設けた、いわゆる２固定極式差動検出器によ
り、信号量を増加させるようにしたものがある。
振動ノイズを除去する従来技術としては、例えば（１）
特公昭５３−３８９４１号公報や、図８に示すものが知
られている。これは、主検出器１と副検出器２とを別々
に設置し、主検出器１内の圧力変化を静電容量の変化と
して検出するものであり、主検出器１と副検出器２の信
号を電気的に演算することにより、振動ノイズを除去す
るようにしている。また、電気ノイズを除去する技術と
しては、（２）特開昭５１−１４４６８２号公報や図９
に示すように、１つの可動極３を間に挟んで２つの固定
極４，５を設けた、いわゆる２固定極式差動検出器によ
り、信号量を増加させるようにしたものがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
（１）のように、主検出器１と副検出器２の信号を電気
的に演算することにより振動ノイズを除去するもので
は、（ａ）電気系が複雑になる、（ｂ）検出器１，検出
器２の設置場所が離れているため振動の形態に差が生
じ、例えば微小振動領域では振動ノイズ除去が十分に行
なわれないという問題がある。また、上記（２）のよう
に、２つの固定極を用いて差動方式で検出するもので
は、信号量を増加させることはできるが、振動ノイズも
同時に増加するという問題がある。したがって、この発
明の課題は、ノイズを抑制しＳ／Ｎの改善を図ることに
ある。
（１）のように、主検出器１と副検出器２の信号を電気
的に演算することにより振動ノイズを除去するもので
は、（ａ）電気系が複雑になる、（ｂ）検出器１，検出
器２の設置場所が離れているため振動の形態に差が生
じ、例えば微小振動領域では振動ノイズ除去が十分に行
なわれないという問題がある。また、上記（２）のよう
に、２つの固定極を用いて差動方式で検出するもので
は、信号量を増加させることはできるが、振動ノイズも
同時に増加するという問題がある。したがって、この発
明の課題は、ノイズを抑制しＳ／Ｎの改善を図ることに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るため、請求項１の発明では、１対の膨張室と、これら
の膨張室にそれぞれ片側が接続されるとともに中央をダ
イアフラムによりそれぞれ仕切られた１対の圧力室と、
一方の圧力室の片側と他方の圧力室の反対側とを接続す
る連通路と、一方の圧力室の反対側と他方の圧力室の片
側とを接続する連通路と、片面に電極が形成されたエレ
クトレット膜とこれに対向配置される電極板のうちの一
方を前記圧力室内のダイアフラム側に形成し、電極板の
他方をダイアフラムに対向する位置に支持・固定して形
成した１対の可変容量型圧力検出素子とを備えたことを
特徴としている。請求項１の発明では、前記１対の圧力
室を同一面上に併設するとともに、１枚のエレクトレッ
ト膜を両面から挟圧してダイアフラムを形成することが
できる（請求項２の発明）。
るため、請求項１の発明では、１対の膨張室と、これら
の膨張室にそれぞれ片側が接続されるとともに中央をダ
イアフラムによりそれぞれ仕切られた１対の圧力室と、
一方の圧力室の片側と他方の圧力室の反対側とを接続す
る連通路と、一方の圧力室の反対側と他方の圧力室の片
側とを接続する連通路と、片面に電極が形成されたエレ
クトレット膜とこれに対向配置される電極板のうちの一
方を前記圧力室内のダイアフラム側に形成し、電極板の
他方をダイアフラムに対向する位置に支持・固定して形
成した１対の可変容量型圧力検出素子とを備えたことを
特徴としている。請求項１の発明では、前記１対の圧力
室を同一面上に併設するとともに、１枚のエレクトレッ
ト膜を両面から挟圧してダイアフラムを形成することが
できる（請求項２の発明）。
【０００６】請求項３の発明では、１対の膨張室と、一
方の膨張室に接続される上部圧力室および下部圧力室
と、この上部圧力室と下部圧力室の中間にそれぞれダイ
アフラムを介して形成されるとともに他方の膨張室に接
続される中間圧力室と、片面に電極が形成されたエレク
トレット膜とこれに対向配置される電極板のうちの一方
を前記ダイアフラム側に形成し、電極板の他方をダイア
フラムに対向する位置に支持・固定して形成した１対の
可変容量型圧力検出素子とを備えたことを特徴としてい
る。
方の膨張室に接続される上部圧力室および下部圧力室
と、この上部圧力室と下部圧力室の中間にそれぞれダイ
アフラムを介して形成されるとともに他方の膨張室に接
続される中間圧力室と、片面に電極が形成されたエレク
トレット膜とこれに対向配置される電極板のうちの一方
を前記ダイアフラム側に形成し、電極板の他方をダイア
フラムに対向する位置に支持・固定して形成した１対の
可変容量型圧力検出素子とを備えたことを特徴としてい
る。
【０００７】請求項４の発明では、１対の膨張室と、一
方の膨張室に接続される上部圧力室および下部圧力室
と、この上部圧力室と下部圧力室の中間にそれぞれダイ
アフラムを介して形成されるとともに他方の膨張室に接
続される中間圧力室と、片面に電極が形成されるととも
に帯電電荷の極性が異なる２枚のエレクトレット膜によ
り、その帯電面を対向させた状態でダイアフラムを形成
した１対の可変容量型圧力検出素子とを備えたことを特
徴としている。
方の膨張室に接続される上部圧力室および下部圧力室
と、この上部圧力室と下部圧力室の中間にそれぞれダイ
アフラムを介して形成されるとともに他方の膨張室に接
続される中間圧力室と、片面に電極が形成されるととも
に帯電電荷の極性が異なる２枚のエレクトレット膜によ
り、その帯電面を対向させた状態でダイアフラムを形成
した１対の可変容量型圧力検出素子とを備えたことを特
徴としている。
【０００８】請求項１の発明の如く、１対の膨張室から
導かれた検出圧を、互いにクロスする連通路を介して一
方の圧力室の片側と他方の圧力室の反対側へと伝達し、
各圧力室においてその検出圧の差圧に応じて互いに反対
方向にダイアフラムを変形させ、エレクトレット膜とこ
れに対向配置される電極板との間に電圧を発生させるこ
とで、振動ノイズをキャンセルしつつ信号成分を取り出
せるようにし、精度を向上させる。
導かれた検出圧を、互いにクロスする連通路を介して一
方の圧力室の片側と他方の圧力室の反対側へと伝達し、
各圧力室においてその検出圧の差圧に応じて互いに反対
方向にダイアフラムを変形させ、エレクトレット膜とこ
れに対向配置される電極板との間に電圧を発生させるこ
とで、振動ノイズをキャンセルしつつ信号成分を取り出
せるようにし、精度を向上させる。
【０００９】請求項２の発明の如く、１対の膨張室から
導かれた検出圧を、互いにクロスする連通路を介して一
方の圧力室の片側と他方の圧力室の反対側へと伝達さ
せ、各圧力室においてその検出圧の差圧に応じて互いに
反対方向にダイアフラムを変形させ、ダイアフラムを形
成するエレクトレット膜とこれに対向配置される電極板
との間に電圧を発生させ、振動ノイズをキャンセルしつ
つ信号成分を取り出し可能とし、感度を向上させる。こ
のとき、上記圧力室を同一平面上に併設するとともに、
連続した１枚のエレクトレット膜にてダイアフラムを形
成し、両圧力検出素子の特性を等しくして精度の向上を
図る。
導かれた検出圧を、互いにクロスする連通路を介して一
方の圧力室の片側と他方の圧力室の反対側へと伝達さ
せ、各圧力室においてその検出圧の差圧に応じて互いに
反対方向にダイアフラムを変形させ、ダイアフラムを形
成するエレクトレット膜とこれに対向配置される電極板
との間に電圧を発生させ、振動ノイズをキャンセルしつ
つ信号成分を取り出し可能とし、感度を向上させる。こ
のとき、上記圧力室を同一平面上に併設するとともに、
連続した１枚のエレクトレット膜にてダイアフラムを形
成し、両圧力検出素子の特性を等しくして精度の向上を
図る。
【００１０】請求項３の発明の如く、１対の膨張室の一
方から導かれた検出圧を上部圧力室および下部圧力室へ
伝達し、他方の膨張室から導かれた検出圧を中間圧力室
へ伝達し、各圧力室においてその検出圧の差圧に応じて
互いに反対方向にダイアフラムを変形させ、エレクトレ
ット膜とこれに対向配置される電極板との間に電圧を発
生させ、両可変容量型圧力検出素子から圧力信号として
出力させる。この例では、圧力室を積み重ねられるよう
に配置することで、全体形状をコンパクトにまとめられ
るようにする。
方から導かれた検出圧を上部圧力室および下部圧力室へ
伝達し、他方の膨張室から導かれた検出圧を中間圧力室
へ伝達し、各圧力室においてその検出圧の差圧に応じて
互いに反対方向にダイアフラムを変形させ、エレクトレ
ット膜とこれに対向配置される電極板との間に電圧を発
生させ、両可変容量型圧力検出素子から圧力信号として
出力させる。この例では、圧力室を積み重ねられるよう
に配置することで、全体形状をコンパクトにまとめられ
るようにする。
【００１１】請求項４の発明の如く、１対の膨張室から
導かれた検出圧を上部圧力室および下部圧力室へ伝達
し、他方の膨張室から導かれた検出圧を中間圧力室へ伝
達し、各圧力室においてその検出圧の差圧に応じて互い
に反対方向にダイアフラムを変形させ、ダイアフラムを
形成する２枚のエレクトレット膜の間に電圧を発生さ
せ、両可変容量型圧力検出素子から圧力信号として出力
させる。さらに、エレクトレット膜の片側には電極を形
成するとともに帯電電荷を互いに異符号とすることによ
り、固定の電極板が不要となる。
導かれた検出圧を上部圧力室および下部圧力室へ伝達
し、他方の膨張室から導かれた検出圧を中間圧力室へ伝
達し、各圧力室においてその検出圧の差圧に応じて互い
に反対方向にダイアフラムを変形させ、ダイアフラムを
形成する２枚のエレクトレット膜の間に電圧を発生さ
せ、両可変容量型圧力検出素子から圧力信号として出力
させる。さらに、エレクトレット膜の片側には電極を形
成するとともに帯電電荷を互いに異符号とすることによ
り、固定の電極板が不要となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の第１の実施の形
態を示す構成図である。赤外線ガス検出器６には、第１
の可変容量型圧力検出素子８ａ、第２の可変容量型圧力
検出素子８ｂがそれぞれ設けられている。検出素子８
ａ，８ｂはエレクトレット膜からなるダイアフラム９
ａ，９ｂと、電極板である背極１０ａ，１０ｂを誘電率
の低い厚さ数十μｍの絶縁スペーサ１１ａ，１１ｂで挟
むように積層して構成されている。
態を示す構成図である。赤外線ガス検出器６には、第１
の可変容量型圧力検出素子８ａ、第２の可変容量型圧力
検出素子８ｂがそれぞれ設けられている。検出素子８
ａ，８ｂはエレクトレット膜からなるダイアフラム９
ａ，９ｂと、電極板である背極１０ａ，１０ｂを誘電率
の低い厚さ数十μｍの絶縁スペーサ１１ａ，１１ｂで挟
むように積層して構成されている。
【００１３】ダイアフラム９ａ，９ｂはＦＥＰテフロン
等の無極性高分子材料の片側全面にスパッタリング等に
より電極１２を形成し、これをコロナ放電等によりフィ
ルム面に正または負の電荷をチャージさせてエレクトレ
ット膜１３を生成する。このエレクトレット膜１３の電
極１２ａ，１２ｂを円筒形の導電性枠１４ａ，１４ｂと
電気的に導通を保ちながら、しかも半径方向に一様な張
力を加えた状態で接合する。
等の無極性高分子材料の片側全面にスパッタリング等に
より電極１２を形成し、これをコロナ放電等によりフィ
ルム面に正または負の電荷をチャージさせてエレクトレ
ット膜１３を生成する。このエレクトレット膜１３の電
極１２ａ，１２ｂを円筒形の導電性枠１４ａ，１４ｂと
電気的に導通を保ちながら、しかも半径方向に一様な張
力を加えた状態で接合する。
【００１４】また、開口１５ａ，１５ｂが形成されて封
入ガスの通過を自在とした背極１０ａ，１０ｂと電極１
２ａ，１２ｂとにより静電容量が形成される。ダイアフ
ラム９ａ，９ｂの下面側には圧力室１６ａ，１６ｂが形
成され、ダイアフラム９ａ，９ｂの上面側で背極１０
ａ，１０ｂを含む空間にはそれぞれ圧力室１７ａ，１７
ｂが形成される。圧力室１６ａは膨張室７ａおよび連通
路１９を介して圧力室１７ｂに連通し、圧力室１６ｂは
膨張室７ｂおよび連通路２０を介して圧力室１７ａに連
通する。
入ガスの通過を自在とした背極１０ａ，１０ｂと電極１
２ａ，１２ｂとにより静電容量が形成される。ダイアフ
ラム９ａ，９ｂの下面側には圧力室１６ａ，１６ｂが形
成され、ダイアフラム９ａ，９ｂの上面側で背極１０
ａ，１０ｂを含む空間にはそれぞれ圧力室１７ａ，１７
ｂが形成される。圧力室１６ａは膨張室７ａおよび連通
路１９を介して圧力室１７ｂに連通し、圧力室１６ｂは
膨張室７ｂおよび連通路２０を介して圧力室１７ａに連
通する。
【００１５】さらに、導電性枠１４ａ，１４ｂには導電
性のハウジング２１が当接して電極１２ａ，１２ｂとリ
ード線２５ｃとを電気的に接続する。リード線２５ｃは
大地（ＧＮＤ）に接続される。また、背極１０ａ，１０
ｂを第１ハウジング２１から絶縁するため、絶縁材から
なるスペーサ２２ａ，２２ｂを背極１０ａ，１０ｂおよ
びスペーサ１１ａ，１１ｂの上方から挿入するととも
に、バネ２３ａ，２３ｂを介して蓋２４により下方へ押
圧・支持している。蓋２４は図示されないネジ等により
第１ハウジング２１へ固定される。こうして構成される
赤外線ガス検出器６はリード線２５ａ，２５ｂにより背
極１０ａ，１０ｂがインピーダンス変換素子２７ａ，２
７ｂと接続される。さらに、この変換素子２７ａ，２７
ｂは差動増幅器２８と接続される。
性のハウジング２１が当接して電極１２ａ，１２ｂとリ
ード線２５ｃとを電気的に接続する。リード線２５ｃは
大地（ＧＮＤ）に接続される。また、背極１０ａ，１０
ｂを第１ハウジング２１から絶縁するため、絶縁材から
なるスペーサ２２ａ，２２ｂを背極１０ａ，１０ｂおよ
びスペーサ１１ａ，１１ｂの上方から挿入するととも
に、バネ２３ａ，２３ｂを介して蓋２４により下方へ押
圧・支持している。蓋２４は図示されないネジ等により
第１ハウジング２１へ固定される。こうして構成される
赤外線ガス検出器６はリード線２５ａ，２５ｂにより背
極１０ａ，１０ｂがインピーダンス変換素子２７ａ，２
７ｂと接続される。さらに、この変換素子２７ａ，２７
ｂは差動増幅器２８と接続される。
【００１６】次に、上記のように構成される赤外線ガス
検出器の動作について説明する。膨張室７ａ，７ｂに入
射する測定光線および基準光線はそれぞれ膨張室７ａ，
７ｂにおいて吸収される。その結果、膨張室７ａ，７ｂ
に圧力変動が生じ、例えば膨張室７ａの圧力が膨張室７
ｂ側のそれよりも上がると、圧力室１６ａ，１７ｂは圧
力室１６ｂ，１７ａよりも圧力が高くなるので、ダイア
フラム９ａは上向きに、ダイアフラム９ｂは下向きにそ
れぞれ変形する。これにより、電極１２ａと背極１０ａ
との間隔は拡がり、電極１２ｂと背極１０ｂとの間隔は
狭まる。したがって、エレクトレット膜１３からなる電
極１２ａ，１２ｂをともに正に帯電させておくと、検出
素子８ａからは「−（マイナス）」の電圧が、検出素子
８ｂからは「＋（プラス）」の電圧がそれぞれ発生す
る。
検出器の動作について説明する。膨張室７ａ，７ｂに入
射する測定光線および基準光線はそれぞれ膨張室７ａ，
７ｂにおいて吸収される。その結果、膨張室７ａ，７ｂ
に圧力変動が生じ、例えば膨張室７ａの圧力が膨張室７
ｂ側のそれよりも上がると、圧力室１６ａ，１７ｂは圧
力室１６ｂ，１７ａよりも圧力が高くなるので、ダイア
フラム９ａは上向きに、ダイアフラム９ｂは下向きにそ
れぞれ変形する。これにより、電極１２ａと背極１０ａ
との間隔は拡がり、電極１２ｂと背極１０ｂとの間隔は
狭まる。したがって、エレクトレット膜１３からなる電
極１２ａ，１２ｂをともに正に帯電させておくと、検出
素子８ａからは「−（マイナス）」の電圧が、検出素子
８ｂからは「＋（プラス）」の電圧がそれぞれ発生す
る。
【００１７】ここで、赤外線ガス検出器６に対して外部
振動が与えられ、例えば上から下向きに加速されると、
ダイアフラム９ａ，９ｂにはともに上向きの変位が発生
し、検出素子８ａ，８ｂは等しく「＋」の電圧が発生す
る。これら検出素子８ａ，８ｂからの出力は変換素子２
７ａ，２７ｂによりインピーダンス変換され、差動増幅
器２８に入力される。差動増幅器２８では両出力の差が
求められることで、正規の信号は増幅され外部振動によ
るノイズはキャンセルされ、Ｓ／Ｎ比の良い出力が得ら
れる。
振動が与えられ、例えば上から下向きに加速されると、
ダイアフラム９ａ，９ｂにはともに上向きの変位が発生
し、検出素子８ａ，８ｂは等しく「＋」の電圧が発生す
る。これら検出素子８ａ，８ｂからの出力は変換素子２
７ａ，２７ｂによりインピーダンス変換され、差動増幅
器２８に入力される。差動増幅器２８では両出力の差が
求められることで、正規の信号は増幅され外部振動によ
るノイズはキャンセルされ、Ｓ／Ｎ比の良い出力が得ら
れる。
【００１８】図２に図１の変形例を示す。したがって、
同じものには同一の符号が付されている。この実施例が
図１に示すものと異なる点は、エレクトレット膜および
電極１２ａ，１２ｂにより背極１０ａ，１０ｂを形成
し、これら背極１０ａ，１０ｂに対してダイアフラム２
９ａ，２９ｂを配設した点にある。このダイアフラム２
９ａ，２９ｂは薄い金属膜または片面に電極を形成した
プラスチック膜からなり、枠１４ａ，１４ｂおよび第１
ハウジング２１を介してリード線２５ｃと電気的に接続
される。このような構造により、ＦＥＰテフロン等のエ
レクトレット性のない材料を用いてダイアフラムを形成
することができる。さらに、低密度の材料膜を使用する
と外部振動による加速度の影響が少なくなり、より高精
度の計測が可能となる。その他は図１と同様なので、詳
細は省略する。
同じものには同一の符号が付されている。この実施例が
図１に示すものと異なる点は、エレクトレット膜および
電極１２ａ，１２ｂにより背極１０ａ，１０ｂを形成
し、これら背極１０ａ，１０ｂに対してダイアフラム２
９ａ，２９ｂを配設した点にある。このダイアフラム２
９ａ，２９ｂは薄い金属膜または片面に電極を形成した
プラスチック膜からなり、枠１４ａ，１４ｂおよび第１
ハウジング２１を介してリード線２５ｃと電気的に接続
される。このような構造により、ＦＥＰテフロン等のエ
レクトレット性のない材料を用いてダイアフラムを形成
することができる。さらに、低密度の材料膜を使用する
と外部振動による加速度の影響が少なくなり、より高精
度の計測が可能となる。その他は図１と同様なので、詳
細は省略する。
【００１９】図３はこの発明の第２の実施の形態を示す
構成図である。図３に示すものが、図１，図２に示すも
のと異なる点は、膜の片面に電極１２形成し、他面を帯
電させた１枚のエレクトレット膜１３を２つの円形の切
り欠き４１ａ，４１ｂを形成した導電性の枠３９を介し
て第１ハウジング２１に取り付けた点にある。以下、そ
の相違点を主に説明する。
構成図である。図３に示すものが、図１，図２に示すも
のと異なる点は、膜の片面に電極１２形成し、他面を帯
電させた１枚のエレクトレット膜１３を２つの円形の切
り欠き４１ａ，４１ｂを形成した導電性の枠３９を介し
て第１ハウジング２１に取り付けた点にある。以下、そ
の相違点を主に説明する。
【００２０】図３の電極１２ａ，１２ｂはともに、半径
方向に一様な張力を加えた状態で固定する。また、枠３
９に対応して同一形状の切り欠きを形成した第２ハウジ
ング３８で帯電面側から固定する。さらに、第２のハウ
ジング３８の切り欠き内に、それぞれ絶縁スペーサ１１
ａ，１１ｂ、電極板である背極１０ａ，１０ｂ、スペー
サ２２ａ，２２ｂの順に挿入してバネ２３ａ，２３ｂを
介して蓋２４により下方へ押圧・支持する。これによ
り、第１の可変容量型圧力検出素子８ａと、第２の可変
容量型圧力検出素子８ｂがそれぞれ形成される。
方向に一様な張力を加えた状態で固定する。また、枠３
９に対応して同一形状の切り欠きを形成した第２ハウジ
ング３８で帯電面側から固定する。さらに、第２のハウ
ジング３８の切り欠き内に、それぞれ絶縁スペーサ１１
ａ，１１ｂ、電極板である背極１０ａ，１０ｂ、スペー
サ２２ａ，２２ｂの順に挿入してバネ２３ａ，２３ｂを
介して蓋２４により下方へ押圧・支持する。これによ
り、第１の可変容量型圧力検出素子８ａと、第２の可変
容量型圧力検出素子８ｂがそれぞれ形成される。
【００２１】このように、検出素子８ａ，８ｂを構成し
たことにより、膜１３に張力を加えて枠３９に取り付け
る場合、２つのダイアフラム９ａ，９ｂには必ず同一の
張力が加わることになる。そのため、ダイアフラム９
ａ，９ｂの圧力に対する変位の特性は互いに等しくな
り、また、両検出素子８ａ，８ｂについてのエレクトレ
ット膜１３の表面電荷や電荷注入深さ等の製造工程の条
件も等しくできる。その結果、検出素子８ａ，８ｂ間で
の特性のばらつきが極めて少なくなり、外部振動が加え
られた場合のノイズ電圧の発生が極端に少なくなる。つ
まり、ノイズの発生を抑えた分、計測範囲の低濃度域へ
の拡大が可能となる。また、２つの膜での発生電圧を一
致させるための電気的調整も不要となる。
たことにより、膜１３に張力を加えて枠３９に取り付け
る場合、２つのダイアフラム９ａ，９ｂには必ず同一の
張力が加わることになる。そのため、ダイアフラム９
ａ，９ｂの圧力に対する変位の特性は互いに等しくな
り、また、両検出素子８ａ，８ｂについてのエレクトレ
ット膜１３の表面電荷や電荷注入深さ等の製造工程の条
件も等しくできる。その結果、検出素子８ａ，８ｂ間で
の特性のばらつきが極めて少なくなり、外部振動が加え
られた場合のノイズ電圧の発生が極端に少なくなる。つ
まり、ノイズの発生を抑えた分、計測範囲の低濃度域へ
の拡大が可能となる。また、２つの膜での発生電圧を一
致させるための電気的調整も不要となる。
【００２２】図４はこの発明の第３の実施の形態を示す
構成図である。図４に示すものが、図１〜図３に示すも
のと異なる点は、第１の可変容量型圧力検出素子８ａ
と、第２の可変容量型圧力検出素子８ｂとの間に導電性
スペーサ４２を介して、その厚み方向に積層配置した点
にある。以下、相違点を主として説明する。
構成図である。図４に示すものが、図１〜図３に示すも
のと異なる点は、第１の可変容量型圧力検出素子８ａ
と、第２の可変容量型圧力検出素子８ｂとの間に導電性
スペーサ４２を介して、その厚み方向に積層配置した点
にある。以下、相違点を主として説明する。
【００２３】すなわち、背極１０ａ，１０ｂ側にはそれ
ぞれ圧力室３０ａ，３０ｂが形成され、圧力室３０ａと
圧力室３０ｂとが連通路３１により連通されるととも
に、導圧路１８ｂに接続される。また、エレクトレット
膜からなるダイアフラム９ａとダイアフラム９ｂとの間
には中間圧力室３２が形成され、連通路３３により導圧
路１８ａに接続される。背極１０ａ，１０ｂとダイアフ
ラム９ａ，９ｂは誘電率の低いスペーサ２２ａ，２２ｂ
と厚さ数十μｍの絶縁スペーサ１１ａ，１１ｂを挟ん
で、円筒形をした導電性の第２ハウジング３８内に積層
・支持されている。ダイアフラム９ａ，９ｂの電極１２
ａ，１２ｂは、これらと当接する導電性スペーサ４２を
介して第２ハウジング３８と電気的に接続されるととも
に、第２ハウジング３８にリード線２５ｃが接続されて
いる。リード線２５ｃはＧＮＤに接続される。
ぞれ圧力室３０ａ，３０ｂが形成され、圧力室３０ａと
圧力室３０ｂとが連通路３１により連通されるととも
に、導圧路１８ｂに接続される。また、エレクトレット
膜からなるダイアフラム９ａとダイアフラム９ｂとの間
には中間圧力室３２が形成され、連通路３３により導圧
路１８ａに接続される。背極１０ａ，１０ｂとダイアフ
ラム９ａ，９ｂは誘電率の低いスペーサ２２ａ，２２ｂ
と厚さ数十μｍの絶縁スペーサ１１ａ，１１ｂを挟ん
で、円筒形をした導電性の第２ハウジング３８内に積層
・支持されている。ダイアフラム９ａ，９ｂの電極１２
ａ，１２ｂは、これらと当接する導電性スペーサ４２を
介して第２ハウジング３８と電気的に接続されるととも
に、第２ハウジング３８にリード線２５ｃが接続されて
いる。リード線２５ｃはＧＮＤに接続される。
【００２４】互いに接着固定される第２ハウジング３８
と第１ハウジング２１にはそれぞれ連通路３１，３３が
形成され、さらに、第１ハウジング２１に固定された第
２ハウジング３８には連通路３１，３３に連なる導圧路
１８ａ，１８ｂが形成されている。また、スペーサ２２
ｂはバネ２３を介して蓋２４に押圧された状態で固定さ
れており、この蓋２４は図示されないネジ等により第１
ハウジング２１に固定される。
と第１ハウジング２１にはそれぞれ連通路３１，３３が
形成され、さらに、第１ハウジング２１に固定された第
２ハウジング３８には連通路３１，３３に連なる導圧路
１８ａ，１８ｂが形成されている。また、スペーサ２２
ｂはバネ２３を介して蓋２４に押圧された状態で固定さ
れており、この蓋２４は図示されないネジ等により第１
ハウジング２１に固定される。
【００２５】このように構成される赤外線ガス検出器６
は、リード線２５ａ，２５ｂにより背極１０ａ，１０ｂ
がインピーダンス変換素子２７ａ，２７ｂと接続され
る。さらに、この変換素子２７ａ，２７ｂは単一増幅器
４０に接続される。検出素子８ａ，８ｂが作動した場
合、赤外線光線の入射による圧力変化は、ダイアフラム
９ａ，９ｂではともに同じ向きの変位を生じ、互いに異
なる符号の電圧を生じる。その結果、両検出素子８ａ，
８ｂの出力の和を求めることにより、正規の圧力変動に
よる出力信号は倍に増幅されるとともに、外部振動等に
よるノイズはキャンセルされ、低濃度域でもＳ／Ｎ比の
良い出力を得ることができる。また、検出素子８ａ，８
ｂを積層構造としたため、装置全体をコンパクトにする
ことが可能となる利点もある。
は、リード線２５ａ，２５ｂにより背極１０ａ，１０ｂ
がインピーダンス変換素子２７ａ，２７ｂと接続され
る。さらに、この変換素子２７ａ，２７ｂは単一増幅器
４０に接続される。検出素子８ａ，８ｂが作動した場
合、赤外線光線の入射による圧力変化は、ダイアフラム
９ａ，９ｂではともに同じ向きの変位を生じ、互いに異
なる符号の電圧を生じる。その結果、両検出素子８ａ，
８ｂの出力の和を求めることにより、正規の圧力変動に
よる出力信号は倍に増幅されるとともに、外部振動等に
よるノイズはキャンセルされ、低濃度域でもＳ／Ｎ比の
良い出力を得ることができる。また、検出素子８ａ，８
ｂを積層構造としたため、装置全体をコンパクトにする
ことが可能となる利点もある。
【００２６】図５に図４の変形例を示す。この例が図４
に示すものと異なる点は、電極１２ａ，１２ｂが形成さ
れたエレクトレット膜によりそれぞれ背極１０ａ，１０
ｂを形成し、背極１０ａ，１０ｂに対向してダイアフラ
ム２６ａ，２６ｂを配設した点にある。このダイアフラ
ム２６ａ，２６ｂは、薄い金属片または片面に電極を形
成したプラスチック膜からなる。そのため、ＦＥＰテフ
ロン等のエレクトレット性のない材料を用いてダイアフ
ラムを形成することができる。なお、図４ではエレクト
レット膜にはいずれも同一符号の電荷が帯電しているも
のとして説明したが、互いに異なる電荷を帯電させてお
くこともでき、この場合は２つの検出素子８ａ，８ｂの
電圧の差を求めるようにすれば良い。
に示すものと異なる点は、電極１２ａ，１２ｂが形成さ
れたエレクトレット膜によりそれぞれ背極１０ａ，１０
ｂを形成し、背極１０ａ，１０ｂに対向してダイアフラ
ム２６ａ，２６ｂを配設した点にある。このダイアフラ
ム２６ａ，２６ｂは、薄い金属片または片面に電極を形
成したプラスチック膜からなる。そのため、ＦＥＰテフ
ロン等のエレクトレット性のない材料を用いてダイアフ
ラムを形成することができる。なお、図４ではエレクト
レット膜にはいずれも同一符号の電荷が帯電しているも
のとして説明したが、互いに異なる電荷を帯電させてお
くこともでき、この場合は２つの検出素子８ａ，８ｂの
電圧の差を求めるようにすれば良い。
【００２７】図６はこの発明の第４の実施の形態を示す
構成図である。この例が図４，図５に示すものと異なる
点は、背極１０ａ，１０ｂを無くし、互いに異なる符号
の電荷を帯電させたエレクトレット膜からなるダイアフ
ラム３４ａ，３４ｂを対向させて配置し、片面に形成し
た電極３５ａ，３５ｂでコンデンサを形成するととも
に、電極３５ａの発生電圧を単一増幅器４０へ入力し電
極３５ｂの発生電圧をＧＮＤへ接続した点にある。
構成図である。この例が図４，図５に示すものと異なる
点は、背極１０ａ，１０ｂを無くし、互いに異なる符号
の電荷を帯電させたエレクトレット膜からなるダイアフ
ラム３４ａ，３４ｂを対向させて配置し、片面に形成し
た電極３５ａ，３５ｂでコンデンサを形成するととも
に、電極３５ａの発生電圧を単一増幅器４０へ入力し電
極３５ｂの発生電圧をＧＮＤへ接続した点にある。
【００２８】上記の如くすることにより、赤外線光線の
入射による圧力変化が生じた場合、ダイアフラム３４
ａ，３４ｂは互いに逆向きに変形する圧力信号が得られ
る。これに対し、外部振動が加えられた場合はともに同
方向に変形して発生信号がキャンセルされることにな
る。すなわち、簡単で低コストな構造でありながらもＳ
／Ｎ比の良い出力を得ることが可能となる。
入射による圧力変化が生じた場合、ダイアフラム３４
ａ，３４ｂは互いに逆向きに変形する圧力信号が得られ
る。これに対し、外部振動が加えられた場合はともに同
方向に変形して発生信号がキャンセルされることにな
る。すなわち、簡単で低コストな構造でありながらもＳ
／Ｎ比の良い出力を得ることが可能となる。
【００２９】
【発明の効果】この発明によれば、以下のような利点が
得られる。 （１）請求項１の発明によれば、１対の膨張室で発生し
た検出圧は、互いにクロスする連通路を介して一方の圧
力室の片側と他方の圧力室の反対側へと伝えられ、各圧
力室ではその検出圧の差圧に応じて反対方向にダイアフ
ラムが変形し、エレクトレット膜とこれに対向配置され
る電極板との間に電圧が発生して、各可変容量型圧力検
出素子から圧力信号が出力される。その結果、低濃度に
おいて高精度の計測が可能となる。
得られる。 （１）請求項１の発明によれば、１対の膨張室で発生し
た検出圧は、互いにクロスする連通路を介して一方の圧
力室の片側と他方の圧力室の反対側へと伝えられ、各圧
力室ではその検出圧の差圧に応じて反対方向にダイアフ
ラムが変形し、エレクトレット膜とこれに対向配置され
る電極板との間に電圧が発生して、各可変容量型圧力検
出素子から圧力信号が出力される。その結果、低濃度に
おいて高精度の計測が可能となる。
【００３０】（２）請求項２の発明によれば、請求項１
の発明に加え圧力室を同一面上に配設するとともに、連
続した１枚のエレクトレット膜によりダイアフラムを形
成したので、対の圧力室および圧力検出素子の特性を等
しくすることができ、その結果、検出特性のばらつきが
少なくなり低濃度における計測をさらに高精度化するこ
とができる。
の発明に加え圧力室を同一面上に配設するとともに、連
続した１枚のエレクトレット膜によりダイアフラムを形
成したので、対の圧力室および圧力検出素子の特性を等
しくすることができ、その結果、検出特性のばらつきが
少なくなり低濃度における計測をさらに高精度化するこ
とができる。
【００３１】（３）請求項３の発明によれば、一方の膨
張室から導かれた検出圧は中間圧力室にも伝えられる。
そして、各圧力室に検出圧が伝えられると、検出圧の差
圧に応じて互いに反対方向に各ダイアフラムが変形し、
エレクトレット膜とこれに対向配設される電極板との間
に電圧が発生し、各可変容量型圧力検出素子から圧力信
号が出力されるので、これを電気的に処理することによ
り外部振動等のノイズをキャンセルして正規の圧力変動
のみを効率良く検出できるようになる。その結果、低濃
度において高精度の計測が可能となる。また、各圧力室
を積み重ねて構成するようにしたので、全体形状をコン
パクトにすることが可能となる。
張室から導かれた検出圧は中間圧力室にも伝えられる。
そして、各圧力室に検出圧が伝えられると、検出圧の差
圧に応じて互いに反対方向に各ダイアフラムが変形し、
エレクトレット膜とこれに対向配設される電極板との間
に電圧が発生し、各可変容量型圧力検出素子から圧力信
号が出力されるので、これを電気的に処理することによ
り外部振動等のノイズをキャンセルして正規の圧力変動
のみを効率良く検出できるようになる。その結果、低濃
度において高精度の計測が可能となる。また、各圧力室
を積み重ねて構成するようにしたので、全体形状をコン
パクトにすることが可能となる。
【００３２】（４）請求項４の発明によれば、一方の膨
張室から導かれた検出圧は上部圧力室および下部圧力室
に伝えられ、他方の膨張室から導かれた検出圧は中間圧
力室へ伝えられる。各圧力室では検出圧の差圧に応じて
互いに反対方向に各ダイアフラムが変形し、ダイアフラ
ムを構成する２枚のエレクトレット膜の間に電圧が発生
して可変容量型圧力検出素子から圧力信号が出力され
る。その結果、低濃度において高精度の計測が可能とな
る。また、エレクトレット膜の帯電電荷の極性を互いに
異符号としたことにより、電極板を不要にすることがで
き小型化が可能となる。
張室から導かれた検出圧は上部圧力室および下部圧力室
に伝えられ、他方の膨張室から導かれた検出圧は中間圧
力室へ伝えられる。各圧力室では検出圧の差圧に応じて
互いに反対方向に各ダイアフラムが変形し、ダイアフラ
ムを構成する２枚のエレクトレット膜の間に電圧が発生
して可変容量型圧力検出素子から圧力信号が出力され
る。その結果、低濃度において高精度の計測が可能とな
る。また、エレクトレット膜の帯電電荷の極性を互いに
異符号としたことにより、電極板を不要にすることがで
き小型化が可能となる。
【図１】この発明の第１の実施の形態を示す構成図であ
る。
る。
【図２】図１の変形例を示す構成図である。
【図３】この発明の第２の実施の形態を示す構成図であ
る。
る。
【図４】この発明の第３の実施の形態を示す構成図であ
る。
る。
【図５】図４の変形例を示す構成図である。
【図６】この発明の第４の実施の形態を示す構成図であ
る。
る。
【図７】可変容量式吸光赤外線ガス分析計の従来例を示
す全体構成図である。
す全体構成図である。
【図８】図７における検出器部分の第１の従来例を示す
構成図である。
構成図である。
【図９】図７における検出器部分の第２の従来例を示す
構成図である。
構成図である。
１…主検出器、２…副検出器、３…可動極、４，５…固
定極、６…赤外線ガス検出器、７ａ，７ｂ…膨張室、
８，８ａ，８ｂ…可変容量型圧力検出素子、９ａ，９
ｂ，３４ａ，３４ｂ…ダイアフラム、１０ａ，１０ｂ…
背極、１１ａ，１１ｂ，２２ａ，２２ｂ，３６ａ，３６
ｂ，３７ａ，３７ｂ，４２…スペーサ、１２，１２ａ，
１２ｂ，３５ａ，３５ｂ…電極、１３…エレクトレット
膜、１４ａ，１４ｂ，３９…枠、１５ａ，１５ｂ…開
口、１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂ，３０ａ，３０ｂ
…圧力室、１８ａ，１８ｂ…導圧路、１９，２０，３
１，３３…連通路、２１…第１ハウジング、２３，２３
ａ，２３ｂ…バネ、２４…蓋、２５ａ，２５ｂ，２５ｃ
…リード線、２７ａ，２７ｂ…インピーダンス変換素
子、２８…差動増幅器、３２…中間圧力室、３８…第２
ハウジング、４０…単一増幅器、４１ａ，４１ｂ…切り
欠き、４３…モータ、４４…回転チョッパ、４５…赤外
線光源、４６…光分配セル、４７〜５２…光透過窓、５
３…測定セル、５４…基準セル、５５…導入管、５６…
排出管。
定極、６…赤外線ガス検出器、７ａ，７ｂ…膨張室、
８，８ａ，８ｂ…可変容量型圧力検出素子、９ａ，９
ｂ，３４ａ，３４ｂ…ダイアフラム、１０ａ，１０ｂ…
背極、１１ａ，１１ｂ，２２ａ，２２ｂ，３６ａ，３６
ｂ，３７ａ，３７ｂ，４２…スペーサ、１２，１２ａ，
１２ｂ，３５ａ，３５ｂ…電極、１３…エレクトレット
膜、１４ａ，１４ｂ，３９…枠、１５ａ，１５ｂ…開
口、１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂ，３０ａ，３０ｂ
…圧力室、１８ａ，１８ｂ…導圧路、１９，２０，３
１，３３…連通路、２１…第１ハウジング、２３，２３
ａ，２３ｂ…バネ、２４…蓋、２５ａ，２５ｂ，２５ｃ
…リード線、２７ａ，２７ｂ…インピーダンス変換素
子、２８…差動増幅器、３２…中間圧力室、３８…第２
ハウジング、４０…単一増幅器、４１ａ，４１ｂ…切り
欠き、４３…モータ、４４…回転チョッパ、４５…赤外
線光源、４６…光分配セル、４７〜５２…光透過窓、５
３…測定セル、５４…基準セル、５５…導入管、５６…
排出管。
Claims (4)
- 【請求項１】 １対の膨張室と、これらの膨張室にそれ
ぞれ片側が接続されるとともに中央をダイアフラムによ
りそれぞれ仕切られた１対の圧力室と、一方の圧力室の
片側と他方の圧力室の反対側とを接続する連通路と、一
方の圧力室の反対側と他方の圧力室の片側とを接続する
連通路と、片面に電極が形成されたエレクトレット膜と
これに対向配置される電極板のうちの一方を前記圧力室
内のダイアフラム側に形成し、電極板の他方をダイアフ
ラムに対向する位置に支持・固定して形成した１対の可
変容量型圧力検出素子とを備えたことを特徴とする可変
容量式赤外線ガス検出器。 - 【請求項２】 前記１対の圧力室を同一面上に併設する
とともに、１枚のエレクトレット膜を両面から挟圧して
ダイアフラムを形成したことを特徴とする請求項１に記
載の可変容量式赤外線ガス検出器。 - 【請求項３】 １対の膨張室と、一方の膨張室に接続さ
れる上部圧力室および下部圧力室と、この上部圧力室と
下部圧力室の中間にそれぞれダイアフラムを介して形成
されるとともに他方の膨張室に接続される中間圧力室
と、片面に電極が形成されたエレクトレット膜とこれに
対向配置される電極板のうちの一方を前記ダイアフラム
側に形成し、電極板の他方をダイアフラムに対向する位
置に支持・固定して形成した１対の可変容量型圧力検出
素子とを備えたことを特徴とする可変容量式赤外線ガス
検出器。 - 【請求項４】 １対の膨張室と、一方の膨張室に接続さ
れる上部圧力室および下部圧力室と、この上部圧力室と
下部圧力室の中間にそれぞれダイアフラムを介して形成
されるとともに他方の膨張室に接続される中間圧力室
と、片面に電極が形成されるとともに帯電電荷の極性が
異なる２枚のエレクトレット膜により、その帯電面を対
向させた状態でダイアフラムを形成した１対の可変容量
型圧力検出素子とを備えたことを特徴とする可変容量式
赤外線ガス検出器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7195272A JPH0943145A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 可変容量式赤外線ガス検出器 |
| DE19630741A DE19630741A1 (de) | 1995-07-31 | 1996-07-30 | Pneumatischer Infrarot-Gasdetektor |
| US08/689,073 US5739538A (en) | 1995-07-31 | 1996-07-30 | Pneumatic infrared gas detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7195272A JPH0943145A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 可変容量式赤外線ガス検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0943145A true JPH0943145A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16338406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7195272A Pending JPH0943145A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 可変容量式赤外線ガス検出器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5739538A (ja) |
| JP (1) | JPH0943145A (ja) |
| DE (1) | DE19630741A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7485870B2 (en) * | 2006-09-12 | 2009-02-03 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Pneumatic infrared detector |
| US7580175B2 (en) * | 2007-06-21 | 2009-08-25 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Detector of infrared radiation having a bi-material transducer |
| US7851759B2 (en) * | 2007-06-21 | 2010-12-14 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Infrared imaging apparatus |
| US7842923B2 (en) * | 2008-07-28 | 2010-11-30 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Thermal actuator for an infrared sensor |
| US10634154B2 (en) * | 2016-07-25 | 2020-04-28 | Daikin Applied Americas Inc. | Centrifugal compressor and magnetic bearing backup system for centrifugal compressor |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3725702A (en) * | 1969-01-29 | 1973-04-03 | Hartmann & Braun Ag | Infrared gas analyzer |
| US3770974A (en) * | 1972-06-29 | 1973-11-06 | Mine Safety Appliances Co | Non-dispersive infrared fluid analyzer with compensation for absorptive and mechanical effects of ambient conditions |
| US3968369A (en) * | 1974-11-15 | 1976-07-06 | Bergwerksverband Gmbh | Non-dispersive infrared gas analysis device with triple layer receiver |
| JPS51144682A (en) * | 1975-06-07 | 1976-12-11 | Horiba Ltd | Condenser microphone-shaped infrared ray detector |
| JPS5338941A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-10 | Hitachi Ltd | Circuit control system |
| JPS56122937A (en) * | 1980-03-04 | 1981-09-26 | Horiba Ltd | Condenser microphone detector for infrared-ray analyzing device |
| US4598201A (en) * | 1984-08-09 | 1986-07-01 | Mine Safety Appliances Company | Infrared fluid analyzer employing a pneumatic detector |
-
1995
- 1995-07-31 JP JP7195272A patent/JPH0943145A/ja active Pending
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1996
- 1996-07-30 US US08/689,073 patent/US5739538A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-30 DE DE19630741A patent/DE19630741A1/de not_active Withdrawn
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19630741A1 (de) | 1997-02-06 |
| US5739538A (en) | 1998-04-14 |
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