JPH0945497A

JPH0945497A - 誘電結合プラズマｃｖｄ方法およびその装置

Info

Publication number: JPH0945497A
Application number: JP7197599A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Fukuyama; 聡福山
Original assignee: Toshiba Machine Co Ltd
Current assignee: Shibaura Machine Co Ltd
Priority date: 1995-08-02
Filing date: 1995-08-02
Publication date: 1997-02-14

Abstract

(57)【要約】【課題】プラズマの強度によらず均一な厚さの成膜を
行うことのできる誘電結合プラズマＣＶＤ方法および装
置を提供する。【解決手段】リング状アンテナ４５に高周波を印加し
てプラズマ４３を発生させ、反応チャンバ３内のステー
ジ７上に載置されたウエハ５の表面に気相成長膜を形成
する際に、回転装置が前記ステージ７を高速回転(3000r
pm以上) させるものである。これにより、プラズマ４３
で分解されたガスがウエハ５上に堆積する際に、ウエハ
５を載せたステージ７が高速で回転するので、成膜速度
の向上および成膜の均一性が改善される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は誘電結合プラズマ
ＣＶＤ方法およびその装置に係り、さらに詳しくは、シ
リコン基板上に SiO₂膜や窒化膜等の気相成長膜を成膜
する誘電結合プラズマＣＶＤ方法およびその装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】図４には、従来のいわゆる誘導結合プラ
ズマＣＶＤ装置１０１が示されており、 SiO₂膜を成膜
する場合を例として説明する。

【０００３】図４において、冷却のため二重構造となっ
ているチャンバ１０３の内側には石英円環１０５が設け
られており、チャンバ１０３の上側には上蓋１０７が、
また下側には下蓋１０９がそれぞれＯリング１１１等に
よりシールされて設けられている。このチャンバ１０３
の例えば下蓋１０９はアースされている。

【０００４】チャンバ１０３の上蓋１０７の上面には、
石英から成る高周波電波の誘電体窓１１３が設けられて
おり、この誘電体窓１１３の上には二つの端子１１５，
１１７を有する銅製のリング状アンテナ１１９が設けら
れている。前記誘電体窓１１３には石英の外、電波を通
すが赤外線を透過させないアルミナのような材料を使用
することができる。また、前記端子１１５，１１７には
マッチングボックス１２１が接続されており、さらに高
周波電源１２３が接続されている。

【０００５】ここでは、前記リング状アンテナ１１９は
冷却されていないが、供給される高周波によって数１０
０℃まで温度が上昇することを考えると、アンテナ１１
９を管状にして冷却水を流すことも考えられる。

【０００６】前記誘電体窓１１３と上蓋１０７との間に
はＯリング１２５が設けられており、チャンバ１０３の
内部空間を密閉している。このＯリング１２５を冷却す
るために、上蓋１０７には冷却水用の流路１２７が設け
られており、注入口１２９から冷却水を注入して排水口
１３１から排水している。

【０００７】また、上蓋１０７には酸素(O₂) ガス供給
用の配管１３３が設けられており、この配管１３３に接
続する環状の供給路１３５が設けられている。この供給
路１３５の内周側には複数のガス供給穴１３７が設けら
れており、このガス供給穴１３７から誘電体窓１１３近
傍に酸素(O₂) ガスを供給している。

【０００８】一方、チャンバ１０３の下蓋１０９上には
複数本の下支柱１３９が立設されており、この下支柱１
３９の上側にはヒータ支持板１４１が設けられていて、
ヒータ支持板１４１の上にはさらに複数本の上支柱１４
３が設けられている。

【０００９】上支柱１４３の上には、数組の反射板１４
５が設けられており、この反射板１４５の内側にヒータ
１４７が設けられている。このヒータ１４７の上に基板
であるウエハ１４９を配置し、例えば６００℃程度まで
均一に加熱する。このため、上支柱１４３はセラミクス
のような熱伝導率の小さな材質でできている。

【００１０】また、ヒータ１４７の上方には例えば石英
製のリング状をしたガス供給管１５１が設けられてお
り、ガスをリングの内側へ向けて吹き出すようになって
いる。このガス供給管１５１にはガスを供給するための
枝管１５３が取付けられている。この枝管１５３は、ユ
ニオン継手１５５によりチャンバ１０３の下蓋１０９を
貫通するSUS 管１５７に接続されている。また、エッチ
ング用として図４中一点鎖線で示されるようなもう一組
のガス供給管１５９，枝管１６１，ユニオン継手１６
３，SUS 管１６５が設けられている場合もある。

【００１１】前記ヒータ支持板１４１の上面における前
記ヒータ１４７および反射板１４５の周囲には、ヒータ
１４７から反射板１４５を越えてくる熱流を遮断するた
めの冷却ユニット１６７が設けられている。また、下蓋
１０９には排気管１６９が設けられており、チャンバ１
０３内の排気を行うものである。

【００１２】次に、前述の誘電結合プラズマ（ＩＣＰ）
ＣＶＤ装置１０１の動作について説明する。まず、図示
しないローダによりウエハ１４９をチャンバ１０３内の
ヒータ１４７上に載置する。もしチャンバ１０３内が大
気圧であれば、図示しない排気ポンプにより排気管１６
９から例えば１０^-6〜１０^-7Torrの真空まで排気する。

【００１３】ヒータ１４７に電流を供給して、３００℃
〜５００℃程度まで加熱する。この時、すべての冷却部
には冷却水を流しておく。適当な温度まで昇温した後、
ガス供給穴１３７から酸素(O₂) ガスが供給され、ガス
供給管１５１からジクロールシラン(SiH₂Cl₂) ガスが
所定の割合で供給される。

【００１４】チャンバ１０３内の圧力を図示しないスロ
ットルバルブ等で所定圧力に調整した後、マッチングボ
ックス１２１を介して高周波電力が端子１１５，１１７
からアンテナ１１９に供給される。これにより、誘電体
窓１１３の真下にプラズマ１７１が形成される。

【００１５】そして、このプラズマ１７１が先に供給さ
れた酸素(O₂) ガスおよびジクロールシラン(SiH₂C
l₂) ガスを分解・合成してウエハ１４９上に SiO₂膜
が堆積される。堆積した膜厚はin-situ （その場）で確
認してもよいし、時間で管理してもよい。成膜が終了し
たら、酸素の供給をストップして高周波電源１２３をオ
フとし、排気管１６９から排気して処理を終了する。

【００１６】しかしながら、このような従来の技術にあ
っては、ジクロールシラン(SiH₂Cl₂) ガス等のガスを
用いた場合、塩化物と思われる粉状の中間成生物が多量
に発生し、この成生物がウエハ１４９の被成膜面上に付
着する結果多数の欠陥が生じることがわかった。すなわ
ち、この成生物が付着した部分には成膜が行われず凹部
ができてしまうのである。

【００１７】その数は、成膜する膜の膜厚が大きくなれ
ばなるほど大きくなり、これは厚膜を堆積させる場合に
は非常に大きな問題となる。

【００１８】このような装置においては以下のことがわ
かった。すなわち、プラズマ１７１とウエハ１４９との
距離が均一性，膜質，成膜速度に大きく影響すること。
ガスの供給方法が成膜速度に大きく影響すること。プラ
ズマ１７１中で合成された成膜種がウエハ１４９表面上
へ移動する過程は、静電的な引力によるものではなく拡
散／移流現象に依存すること。プラズマ１７１の強度
（電子密度）の高い部分がアンテナ内周部であること等
がわかった。

【００１９】このため、以下のような成膜プロセスが考
えられる。

【００２０】まず、プラズマ１７１中のエネルギーの高
い部分（電子密度の大きな領域）たとえばアンテナ内周
部で反応ガスが分解し、分解したガスが拡散またはガス
の流れに乗って移流し、ウエハ１４９の表面へ輸送され
る。そして、拡散／移流途中で合成が行われ、成膜種が
形成される。この成膜種も拡散／移流によりウエハ１４
９の表面へ輸送され、ウエハ１４９の表面に達した成膜
種がウエハ１４９と反応して成膜が行われるというもの
である。

【００２１】このような拡散現象による輸送能力は、プ
ラズマ１７１が生成されるような減圧下では増大するこ
とが一般に知られているが、この際ウエハ１４９の表面
に形成される境界層を横切らなければならない。境界層
内においてはガス流速は非常に小さいため、移流による
輸送効率は非常に小さく、境界層を横切る原動力は拡散
現象のみとなる。

【００２２】この拡散現象は、よく知られているよう
に、成膜種の濃度差により決定される。すなわち、境界
層上部の成膜種濃度とウエハ１４９の表面上の成膜種濃
度の差により輸送能力が決定されるのである。

【００２３】しかし、上記境界層の厚さが小さければ同
じ拡散能力でもその輸送量を増大させることができる。
すなわち、前述の輸送能力はウエハ１４９の表面上に形
成された境界層をいかに効率よく横切らせるかに依存し
ている。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
ような成膜プロセスにおいては、13.56MHzの高周波を用
いてプラズマ１７１を形成するような0.01Torrから0.4T
orr 程度の減圧雰囲気中では、その境界層の厚さは常圧
雰囲気中に比して非常に厚くなるという問題がある。つ
まり、前記減圧下で行うがゆえに常圧下で行うのに比し
て境界層内の輸送効率が悪くなってしまう。

【００２５】また、プラズマ１７１とウエハ１４９との
距離は、膜質／均一性／成膜速度など様々なファクター
に影響するため自由に距離を変えることができないとい
う問題点がある。従って、均一性のみのためにプラズマ
１７１とウエハ１４９との距離を調整するということは
できない。

【００２６】さらに、プラズマ１７１とウエハ１４９間
の距離を保持した状態でプラズマ１７１の強度に関係な
くあるレベルの膜厚均一性を得ることは非常に困難であ
るという問題点がある。例えば、実験の結果膜質・成膜
速度の点では、プラズマ１７１とウエハ１４９間の距離
は100mm 弱が最適であることがわかったが、膜厚均一性
に関してはプラズマ強度分布の影響を強く受け±30％と
非常に悪い。

【００２７】この発明の目的は、以上のような従来の技
術に着目してなされたものであり、プラズマの強度によ
らず均一な厚さの成膜を行うことのできる誘電結合プラ
ズマＣＶＤ装置を提供することにある。

【００２８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項１による発明の誘電結合プラズマＣＶＤ装
置は、リング状アンテナに高周波を印加してプラズマを
発生させ、反応チャンバ内のステージ上に載置された基
板表面に気相成長膜を形成する誘電結合プラズマＣＶＤ
方法であって、前記ステージを高速回転させながら成膜
することを特徴とするものである。

【００２９】これにより、プラズマで分解されたガスが
基板上に堆積する際に、基板を載せたステージが高速で
回転することになる。

【００３０】請求項２による発明の誘電結合プラズマＣ
ＶＤ方法は、請求項１記載のステージを3000rpm 以上で
回転させることを特徴とするものである。

【００３１】従って、成膜時にステージは基板を載せて
3000rpm 以上で回転することになる。

【００３２】請求項３による発明の誘電結合プラズマＣ
ＶＤ装置は、高周波印加可能なアンテナにより反応チャ
ンバ内にプラズマを発生させ、前記チャンバ内に設けら
れたステージ上の基板表面に気相成長膜を形成する誘電
結合プラズマＣＶＤ装置であって、前記ステージを高速
で回転させる回転装置を設けてなることを特徴とするも
のである。

【００３３】従って、アンテナに高周波印加してチャン
バ内に発生したプラズマにより分解したガスが基板表面
に気相成長膜を堆積させる際に、基板を載せたステージ
が高速で回転するものである。

【００３４】また、請求項４による発明の誘電結合プラ
ズマＣＶＤ装置は、請求項３記載の回転装置が、ステー
ジを3000rpm 以上で回転させるものであることを特徴と
するものである。

【００３５】従って、請求項３記載のステージは、成膜
時には少なくとも3000rpm で回転するものである。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態の例
を図面に基づいて説明する。

【００３７】図１には，この発明にかかる誘電結合プラ
ズマＣＶＤ装置１の断面図が示されている。図中中央部
には反応チャンバ３が設けられており、この反応チャン
バ３の内部には基板であるウエハ５を載置するステージ
７が設けられている。

【００３８】ステージ７は前記反応チャンバ３の下蓋９
の中央を貫通して下方へ伸びる回転軸１１の上端に設け
られており、回転軸１１と共に高速回転する。回転軸１
１は、下蓋９の下側において磁気シール回転導入ユニッ
ト１３およびカップリング１５を介して回転装置として
のモータ１７に連結されている。これにより、前記ステ
ージ７は最高10000r.p.m. まで回転可能となっている。

【００３９】前記磁気シール回転導入ユニット１３には
冷却用の配管１９，２１が設けられており、配管１９か
ら冷却水を注入し、配管２１から排水するものである。
なお、磁気シール回転導入ユニット１３の代わりに磁気
軸受け等の回転導入ユニットを用いれば更なる高回転数
を期待することができる。

【００４０】また、前記反応チャンバ３の内部における
前記ステージ７の下側には、ヒータカバー２３が下蓋９
の上面に載置された状態で設けられている。このヒータ
カバー２３の内部の上側には、下蓋９を貫通するヒータ
端子２５，２７を有するヒータ２９が設けられ、このヒ
ータ２９の下側には数組の反射板３１が設けられてい
る。前記ヒータ端子２５，２７はヒータ電源３３に接続
されている。

【００４１】前記反応チャンバ３の下蓋９には排気口３
５が設けられており、この排気口３５を通して反応チャ
ンバ３内部の排気が行われる。

【００４２】一方、前記反応チャンバ３の上蓋３７は中
央部に大きな穴３７Ａが明けられており、この穴を覆う
ようにして上側に、例えば石英製の誘電体ドーム３９が
設けられている。これにより、反応チャンバ３の上側に
は内部にプラズマ生成チャンバ４１が一体的に設けられ
ている。

【００４３】誘電体ドーム３９の外面には、内部にプラ
ズマ４３を発生させるために、高周波アンテナ４５が設
けられている。この高周波アンテナ４５は、マッチング
ボックス４７を介して高周波電源４９に接続されてい
る。

【００４４】前記反応チャンバ３の上蓋３７の上面に
は、高周波漏洩防止のために誘電体ドーム３９および高
周波アンテナ４５の外側を覆う金属カバー５１が取付け
られている。

【００４５】前記金属カバー５１および誘電体ドーム３
９の中央を貫通して上下方向へ第二のガス導入管５３が
設けられており、その下端部は反応チャンバ３の内部に
おいて前記ステージ７の上方に至っている。この第二の
ガス導入管５３は、例えばジクロールシラン(SiH₂C
l₂) ガス等のガスを反応チャンバ３の内部へ直接供給
するものである。

【００４６】誘電体ドーム３９の上方における前記第二
のガス導入管５３の外側には、電気的絶縁性を有するテ
フロン製のユニオン継手５５およびテフロン配管材５７
が設けられており、第一のガス導入口５９を構成してい
る。また、前記誘電体ドーム３９の上端部には、前記第
一のガス導入口５９から供給された例えば酸素ガス
(O₂) 等をプラズマ生成チャンバ４１の内部へ供給する
反応ガス導入口６１が設けられている。

【００４７】次に、図１に基づいて、前述の誘電結合プ
ラズマＣＶＤ装置１による SiO₂膜の成膜工程を説明す
る。

【００４８】まず、図示しない排気装置により反応チャ
ンバ３内の排気を行う。ここで、排気装置として例えば
ターボ分子ポンプを用いた場合には、バックプレッシャ
として10^-7Torrが可能である。

【００４９】ついで、熱電対により測温を行いつつヒー
タ電源３３の制御をしてヒータ２９に通電する。ここで
は、不均一な温度分布が膜厚の均一性に及ぼす影響が小
さいことが予め確認されていたので、前記ヒータ２９と
して１ゾーンヒータを用いた。但し、制御が複雑になる
という不利があるものの、均熱の点では多ゾーンヒータ
の方が有利である。

【００５０】次に、酸素ガスを第一のガス導入口５９よ
り注入して反応ガス導入口６１からプラズマ生成チャン
バ４１内に導入すると共に、ジクロールシランガスを第
二のガス導入管５３から所定の流量・流量比で導入す
る。そして、図示しない真空計により反応チャンバ３，
プラズマ生成チャンバ４１内を所定の圧力にする。

【００５１】ここでは、ジクロールシランガスが250scc
m ，酸素が750sccm でトータル圧力を0.1Torr とした。
このとき、必要があればヒータカバー２３内にも、例え
ばアルゴンガス等のガスを微量供給して同一圧力になる
ようにする。

【００５２】モータ１７の電源をオンとして回転軸１１
を回転させると共に、磁気シール回転導入ユニット１３
の冷却水配管１９に冷却水を注入する。これにより、ス
テージ７はウエハ５を載せた状態で所定の回転数、例え
ば10000r.p.m. まで回転される。

【００５３】アンテナ４５への高周波電力の供給は、高
周波電源４９をオンとしてプラズマ生成チャンバ４１内
に投入される電力が最大となるようにマッチングボック
ス４７の可変コンデンサの容量を調整して行う。これに
よりプラズマ生成チャンバ４１内にプラズマ４３が形成
される。

【００５４】以上の操作により、プラズマ４３の内部で
分解した酸素が拡散あるいは移流してウエハ５の表面ま
で達する間に、第二のガス導入管５３より供給されるジ
クロールシランガスと反応してウエハ５上に SiO₂膜が
堆積する。

【００５５】成膜終了後、電源をオフとすると共にガス
の供給を停止し、反応チャンバ３およびプラズマ生成チ
ャンバ４１の排気を行う。バックプレッシャ10^-7Torrま
で排気したら、成膜後のウエハ５を反応チャンバ３の外
に取り出して、新しいウエハ５をステージ７上に装填す
る。これで１工程が完了する。

【００５６】図２には、ステージ７の回転数とウエハ５
の表面に形成される境界層の厚さとの関係をシミュレー
ションによって求めたグラフが示してある。

【００５７】前述のプロセスにおいて、まずガスの流速
を求め、マッハ数，レイノルズ数等から連続流か分子流
か、また非圧縮性流体か圧縮性流体かを求め、さらに層
流か乱流かを判別した。

【００５８】その結果、0.01Torr以上の圧力では連続
流，非圧縮性流体，層流として取り扱ってよいことがわ
かった。また、0.01Torr以下の圧力では連続流にはなら
ずに遷移流となり解析できない。このため、0.01Torrの
場合と0.1Torr の場合について示した。なお、粘性率に
関してはチャプマン・エンスコグの実験式を用いた。

【００５９】図２中、横軸にはステージ７の回転数(rp
m) を、縦軸には境界層の厚さ(mm)をとってある。ま
た、パラメータとして前述の圧力を採っている。

【００６０】図２から以下のことが明らかになった。す
なわち、圧力が大きいと全体的に境界層の厚さは薄くな
り、ステージ７を回転させることによりさらに境界層を
薄くすることができる。

【００６１】0.01Torrのような低圧下ではある回転数ま
では境界層の厚さは変化しないが、その回転数（以下単
に『第一のしきい値回転数』という）以上になると、回
転の効果が急激に現れてくる。0.01Torrの場合には、80
00rpm が第一のしきい値回転数となっていることがわか
る。

【００６２】0.1Torr 程度の圧力下では、前記第一のし
きい値回転数は存在しない。また、ある回転数（以下単
に『第二のしきい値回転数』という）以上になると飽和
して殆ど変化しない。

【００６３】第二のしきい値回転数は、圧力が小さいと
高回転数側へシフトする。例えば、0.1Torr では3000rp
m であるのに対して、0.01Torrでは25000rpmにシフトし
ている。

【００６４】図３には、ステージ７の回転数と成膜速度
の関係および回転数と均一性との関係が示してある。横
軸はステージ７の回転数、縦軸は成膜速度および均一性
を採ってある。

【００６５】ここでは実験の条件として、圧力を0.1Tor
r,ジクロールシランガス流量を250sccm ，酸素ガス流量
を750sccm ，基板温度を400 ℃とした。

【００６６】図３より明らかなように、以下のことがわ
かった。すなわち、ステージ７の回転数の増大にともな
って成膜速度が増大し、3000rpm 以上の回転数で飽和す
る。ステージ７の回転数が3000rpm 以上になると、それ
以上回転しても均一性は改善されない。

【００６７】成膜速度は回転無しの状態で1.2 μm/min
であるのに対して、3000rpm 以上の回転数では3.2 μm/
min まで高速になる。

【００６８】均一性は、回転させない状態で20％であっ
たものが回転数の増加と共に徐々に改善され、3000rpm
以上の回転数では１％程度まで抑えられる。

【００６９】以上の結果から、0.1Torr 程度の圧力下で
3000rpm 以上の回転数でステージ７を回転させることに
より、成膜の均一性が改善されると共に、成膜速度も改
善することができる。

【００７０】また、図２から明らかなように、30000rpm
以上の回転数で回転させることにより、0.01Torrのよう
な低圧下でも成膜の均一性が改善されると共に、成膜速
度も改善することができる。

【００７１】なお、この発明は前述の実施の形態の例に
限定されることなく、適宜な変更を行なうことにより、
その他の態様で実施し得るものである。

【００７２】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よる誘電結合プラズマＣＶＤ方法では、リング状アンテ
ナに高周波を印加してプラズマを発生させ、プラズマで
分解されたガスが反応チャンバ内のステージ上に載置さ
れた基板表面に気相成長膜を形成する際に、前記ステー
ジを高速回転させるので、成膜速度の上昇および成膜の
均一性を向上することができる。

【００７３】請求項２による発明の誘電結合プラズマＣ
ＶＤ方法では、請求項１記載のステージを3000rpm 以上
で回転させるが、前述のように3000rpm までは成膜速度
が上昇してその後安定すること、および成膜の均一性も
3000rpm まで改善されるため、少なくとも3000rpm 以上
で回転ことにより成膜速度の上昇および均一性の改善が
可能になる。

【００７４】請求項３による発明の誘電結合プラズマＣ
ＶＤ装置では、高周波印加可能なアンテナによりチャン
バ内にプラズマを発生させ、前記チャンバ内に設けられ
たステージ上の基板表面に気相成長膜を形成する際に、
前記ステージが高速で回転するので成膜速度の上昇およ
び成膜の均一性を改善することができる。

【００７５】また、請求項４による発明の誘電結合プラ
ズマＣＶＤ装置では、請求項３記載の回転装置がステー
ジを3000rpm 以上で回転させるが、前述のように3000rp
m までは成膜速度が上昇してその後安定すること、およ
び成膜の均一性も3000rpm まで改善されるため、少なく
とも3000rpm 以上で回転ことにより成膜速度の上昇およ
び均一性の改善が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係るかかる誘電結合プラズマＣＶＤ
装置を示す断面図である。

【図２】ステージの回転数と境界層の厚さの関係をシミ
ュレーションによって求めた結果を示すグラフである。

【図３】ステージの回転数と成膜速度および均一性との
関係を示すグラフである。

【図４】従来の誘電結合プラズマＣＶＤ装置を示す断面
図である。

【符号の説明】

１誘電結合プラズマＣＶＤ装置３反応チャンバ５ウエハ（基板）７ステージ１１回転軸（回転装置）４３プラズマ４５アンテナ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｘ 21/318 21/318 Ｂ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】リング状アンテナに高周波を印加してプ
ラズマを発生させ、反応チャンバ内のステージ上に載置
された基板表面に気相成長膜を形成する誘電結合プラズ
マＣＶＤ方法であって、前記ステージを高速回転させな
がら成膜することを特徴とする誘電結合プラズマＣＶＤ
方法。
【請求項２】前記ステージを3000rpm 以上で回転させ
ることを特徴とする請求項１記載の誘電結合プラズマＣ
ＶＤ方法。
【請求項３】高周波印加可能なアンテナにより反応チ
ャンバ内にプラズマを発生させ、前記チャンバ内に設け
られたステージ上の基板表面に気相成長膜を形成する誘
電結合プラズマＣＶＤ装置であって、前記ステージを高
速で回転させる回転装置を設けてなることを特徴とする
誘電結合プラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】前記回転装置が、ステージを3000rpm 以
上で回転させるものであることを特徴とする請求項３記
載の誘電結合プラズマＣＶＤ装置。