JPH0945505A

JPH0945505A - サーミスターとその抵抗値調整方法

Info

Publication number: JPH0945505A
Application number: JP7215314A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Oyama; 和彦大山; Junichi Fukuyama; 淳一福山; Shinichi Harada; 慎一原田
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1995-07-31
Filing date: 1995-07-31
Publication date: 1997-02-14

Abstract

(57)【要約】【課題】製造後のサーミスターの抵抗値の調整を可能
とし、所望の抵抗値を有するサーミスターを歩留り良く
製造できるようにする。【解決手段】サーミスター素体２１は、温度により抵
抗値が変化するサーミスター層１１、１１…の積層体か
らなり、このサーミスター層１１、１１…の層間に互い
に対向して複数対の内部電極１３、１４が形成されてい
る。サーミスター素体２１の端部には、前記内部電極１
３、１４に各々導通した外部電極２３、２５を有する。
前記内部電極１３、１４の間隙部分に対応するサーミス
ター素体２１の側面に切欠部７を設け、両外部電極２
３、２５の間に表れる抵抗値を増大させ、その抵抗値を
調整する。例えば、予めサーミスターの抵抗値を測定
し、所定の抵抗値の段階毎にランク付し、このランク毎
に切欠部７の切込み幅及び切込み深さの何れかを変え
て、抵抗値を所定の値に調整する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は温度により抵抗値が
変化し、電子機器の温度補償、電流制御、温度検出等に
使用されるサーミスターとその抵抗を調整する方法に関
し、特にサーミスター層の積層体により作られるサーミ
スターとその調整方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種のサーミスターは、抵抗器、コン
デンサー、インダクター等と同様にしてチップ化が進ん
でおり、その多くは積層セラミックコンデンサーと同様
に、角柱或は角板状のチップ状のセラミック素体の両端
面に接続用の端子、いわゆる外部電極を設けたものであ
る。すなわち、このような積層チップセラミックサーミ
スターは、セラミックの積層体からなるサーミスター素
体を有し、このサーミスター素体を構成するサーミスタ
ー層の層間に２組の内部電極が形成され、これら内部電
極が前記の各サーミスター層を介して対向している。各
組の内部電極は、各々サーミスター素体の対向する端面
側に導出され、サーミスター素体の各々の端部に形成さ
れた外部電極に導通している。このようなサーミスター
において、その抵抗値はセラミック素体に固有の抵抗率
と、同セラミック素体の内部において対向した内部電極
の間の距離と面積とにより決定される。

【０００３】このようなサーミスターは、例えば移動通
信器等で使用される水晶発振器の温度補償回路に使用さ
れ、コンデンサーや抵抗等の回路要素と共に温度補償形
水晶発振器（ＴＣＸＯ）に組み込まれる。この場合、個
々の水晶発振器はその温度に対する周波数特性が異なる
ので、個々の水晶発振器の温度特性にマッチングした温
度特性を有するサーミスターを組み込む必要がある。そ
して、実際に組み込んだサーミスターの温度特性が水晶
発振器の温度特性にマッチングしない場合、別の温度特
性を有するサーミスターと交換する必要がある。

【０００４】

【発明が解決しようとしている課題】しかし、サーミス
ターを交換するには手数がかかる。しかも近年では、サ
ーミスターの抵抗値の許容範囲が狭くなっており、その
許容範囲に抵抗値を収めることが益々難しくなってい
る。そのため、使用できないサーミスターが多く発生
し、サーミスターの生産歩留りの低下が問題となってい
る。このような問題は、サーミスターの抵抗値を製造後
に調整することができれば有る程度解決が図れる。しか
し従来のサーミスターでは、その抵抗値の調整は困難で
あった。その理由は次の通りである。

【０００５】すなわち、一般の抵抗器等における抵抗値
の調整は、その抵抗値を測定しながら抵抗膜をレーザー
ビーム等でトリミングトし、所望の抵抗値に調整してい
る。この際、レーザービームによって素体に熱が加わ
り、素体の温度が多少上昇する。しかし一般の抵抗器の
素体は、抵抗値の温度特性が低いので、トリミング時の
抵抗器の抵抗値と素体が常温に戻った時の抵抗値とに殆
ど違いがない。このため、トリミング時に測定しながら
調整した抵抗値がそのまま常温時の抵抗値となり、トリ
ミング時の温度上昇が調整後の抵抗値に殆ど影響を及ぼ
さない。

【０００６】ところが、サーミスター素体はもともと抵
抗値の温度特性がきわめて大きいので、レーザートリミ
ングすることによりサーミスター素体の温度が上昇する
と、その抵抗値が大きく変動する。従って、サーミスタ
ーの抵抗値を測定しながらレーザートリミングしても、
常温に戻ったときの抵抗値が変わってしまう。このた
め、サーミスターのトリミングによる抵抗値の調整は事
実上困難であり、サーミスターのトリミングはこれまで
行われなかった。本発明は、従来のサーミスターにおけ
る前記のような課題に鑑み、製造後の抵抗値の調整が可
能なサーミスターとその抵抗値の調整方法を提供するこ
とにより、所望の抵抗値を有するサーミスターを歩留り
良く製造できるようにすることを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明では、内部で内部電極１３、１４が対向する
のサーミスター素体２１の側面に切欠部７を設けること
により、サーミスター素体２１を減少させ、或は内部電
極１３、１４間の平均対向間隔を増加させ、これにより
外部電極２３、２５の間にあらわれる抵抗値を増加させ
て調整するようにした。

【０００８】

【発明の実施の形態】このサーミスターの抵抗値調整方
法は、温度により抵抗値が変化するサーミスター層１
１、１１…の積層体からなるサーミスター素体２１と、
このサーミスター素体２１の各々のサーミスター層１
１、１１…の層間に形成され、互いに対向した複数対の
内部電極１３、１４と、この内部電極１３、１４に各々
導通し、サーミスター素体２１の両端部に各々形成され
た外部電極２３、２５とを有するサーミスターの両外部
電極２３、２５の間にあらわれる抵抗値を調整する方法
である。本発明ではこの調整のため、前記サーミスター
素体２１に切欠部７を設けることにより、両外部電極２
３、２５の間にあらわれる抵抗値を増大させる。

【０００９】この場合に、切欠部７を設ける前のサーミ
スターの両外部電極２３、２４間の抵抗値を予め測定
し、この抵抗値を所定の抵抗値の段階毎にランク付し、
このランク毎にサーミスター素体２１に設ける切欠部７
の切込み幅及び切込み深さの何れかを変える。この切欠
部７はサーミスター素体２１の側面をサーミスター層１
１、１１…の積層方向に溝状に切削することにより設け
られ、その切込み幅が広く或は切込み深さが深い場合
は、切欠部７はサーミスター素体２１の側面から内部電
極１３、１４にわたって設けられる。

【００１０】このようにしてサーミスター素体２１に切
欠部７を設けたサーミスターの内部電極１３、１４は、
例えば、対向する各対のものが各々同じサーミスター層
１１、１１…の層間に形成されると共に、サーミスター
層１１、１１…上に間隙をおいて対向している。この場
合、前記切欠部７は内部電極１３、１４の間の間隙に対
応するサーミスター素体２１の側面部分に形成される。
また、他のサーミスターでは、その内部電極１３、１４
がサーミスター層１１、１１…を介して対向しており、
さらにこの場合に、これら内部電極１３、１４を有する
サーミスター層１１、１１…の層間に、外部電極２３、
２５に接続されていない浮遊状の内部電極１９を有する
サーミスター層１１、１１…を挿入し、その内部電極１
９を前記内部電極１３、１４と対向させることもある。
さらに、これらの内部電極１３、１４、１９の少なくと
も一部について、それらの所定の部分から延びた部分
を、サーミスター素体２１の側面に導出する場合もあ
る。このようなサーミスターでは切欠部７がサーミスタ
ー素体２１の側面部分に形成され、この切欠部７には、
最終的に絶縁材料８が充填される。

【００１１】このようなサーミスターの抵抗値調整方法
では、内部で内部電極１３、１４が対向するサーミスタ
ー素体２１に切欠部７を設け、その部分のサーミスター
素体２１を削除し、或は内部電極１３、１４の平均対向
間隔を大きくすることにより、両外部電極２３、２５の
間にあらわれる抵抗値を増大させることができる。そし
て、切欠部７を入れる前のサーミスターの両外部電極２
３、２５間の抵抗値を測定し、この抵抗値を所定の抵抗
値の段階毎にランク付し、このランク毎にサーミスター
層１１、１１…に入れる切欠部７の切込み幅及び切込み
深さの何れかを変えることで、サーミスターの抵抗値を
所定の値に収めることができる。

【００１２】なおこの場合に、内部電極１３、１４、１
９の少なくとも一部の所定の部分から延びた部分を、サ
ーミスター素体２１の側面に導出することにより、サー
ミスター素体２１の側面にあらわれた導出部１５、１６
でサーミスター素体２１内部における内部電極１３、１
５、１９の位置を容易に知ることができる。従って、内
部電極１３、１５、１９との位置関係において、サーミ
スター素体２１の側面の正確な位置に切欠部７を設ける
ことができる。これにより、抵抗値の調整を容易に、且
つ正確に行える。このような切欠部７による抵抗値の調
整は、様々な内部電極構造を有するサーミスターに適用
が可能である。そして最終的に、切欠部７に絶縁材料８
を充填することにより、内部電極１３、１４が外部に露
出せず、耐候性を得ることができる。

【００１３】

【実施例】次に、図面を参照しながら、本発明の実施例
について具体的且つ詳細に説明する。図２に本発明の実
施例によるサーミスターのサーミスター素体２１の層構
造を示す。サーミスター素体２１を構成するサーミスタ
ー層１１、１７、１８は、抵抗値が正または負の温度特
性を有するサーミスターからなり、図示の場合は矩形状
の層からなっている。このサーミスター層１１、１７、
１８のうち、中間のサーミスター層１１、１１…の表面
に一対の内部電極１３、１４が各々形成されている。こ
のうち一方の内部電極１３、１３…は、サーミスター層
１１、１１…の図において手前左側に寄って形成され、
手前左側の辺に導出されている。また、サーミスター層
１１、１１…に形成された他の内部電極１４、１４…
は、サーミスター層１１、１１…の図において奥右側に
寄って形成され、奥右側の辺に導出されている。そし
て、これら内部電極１３、１３…、１４、１４…は、各
サーミスター層１１、１１…の中央で間隙をおいて対向
している。

【００１４】内部電極１３、１４のうちの一部の内部電
極１３、１４は、その先端縁の両側部分が側方に延び、
その側方に延びた部分の先端縁がサーミスター層１１の
側辺に導出している。図２において、符号１５、１６
は、これら内部電極１３、１４のサーミスター層１１の
側辺に導出された導出部を示す。図示の実施例では、一
部の内部電極１３、１４にのみ導出部１５、１６を設け
たが、全ての内部電極１３、１４に導出部１５、１６を
設けてももちろん差し支えない。

【００１５】このような内部電極１３、１４が形成され
たサーミスター層１１、１１…が必要な組数だけ交互に
積層され、さらにその両側に内部電極１３、１４が形成
されていないサーミスター層１７、１８が適当な数だけ
積層され、この積層体によりサーミスター素体２１が構
成されている。このサーミスター素体２１では、その内
部で積層された各サーミスター層１１、１１…の間隙部
分を介して２各対の内部電極１３、１４が各々対向して
おり、それら内部電極１３、１４はサーミスター素体２
１の対向する端面に各々導出されている。さらに、サー
ミスター素体２１の側面には、前記内部電極１３、１４
の導出部１５、１６があらわれる。

【００１６】次に図１（ａ）に示すように、積層体から
なるサーミスター素体２１の前記内部電極１３、１４が
導出した端面を含む端部に各々外部電極２３、２５が形
成される。この外部電極２３、２５は、各組の内部電極
１３、１４に各々接続しており、サーミスタ層１１、１
１…の間隙部分を介してそれら内部電極１３、１４の間
に形成される抵抗値が外部電極２３、２５にあらわれ
る。このようなサーミスターは、前述のように個々に積
層されて製造される訳ではなく、実際は積層セラミック
コンデンサーと同様にして、セラミックグリーンシート
の形成、その表面への内部電極パターンの印刷、セラミ
ックグリーンシートの積層、その積層体の裁断、積層体
の焼成、焼成済みの積層体への外部電極の形成という工
程を経て、多数のものが同時に製造される。

【００１７】すなわち、まず酸化マンガン、酸化コバル
トを主成分とし、酸化銅等の焼結助剤や酸化アルミニウ
ム等の原子価制御剤等を含むサーミスターセラミック粉
末を溶剤で溶解された樹脂バインダーに一様に分散した
セラミックスラリーを作る。このセラミックスラリーを
ドクターブレード法等でポリエチレンテレフタレートフ
ィルム等のベースフィルム上に薄く塗布し、乾燥してセ
ラミックグリーンシートを作る。次に、このセラミック
グリーンシート上にＰｄペースト等の導電ペーストを使
用してサーミスター素体複数個分の内部電極パターンを
印刷する。そして、前記図２で示すような積層体が得ら
れるよう、ベースフィルムから剥離されたセラミックグ
リーンシートを順次積層し、サーミスター素体を複数個
分含む未焼成のセラミック積層体を得る。その後、この
積層体を裁断し、焼成することにより、個々に分離され
たサーミスター素体２１を得る。このサーミスター素体
２１の端部に導電ペーストを塗布し、これを焼き付ける
ことにより、外部電極２３、２５を形成する。これによ
り、図１（ａ）に示すようなサーミスターが完成する。

【００１８】このようなサーミスターについては、外部
電極２３、２３の間で抵抗値を測定しておき、予め設定
した抵抗値の範囲によりランク付を行う。次に、このよ
うにして抵抗値を測定した結果、所定の許容範囲以下の
抵抗値を有するサーミスターについては、図１（ｂ）に
示すように、そのサーミスター素体２１の側面をサーミ
スター層１１、１１…の積層方向に沿って溝状に切削
し、その内部で対向している内部電極１３、１４の間隙
部分に切欠部７を設ける。例えば図示の実施例におい
て、切欠部７が内部電極１３、１４の間隙幅よりも広く
形成され、両内部電極１３、１４の対向している縁に達
する深さに形成されている。これにより、内部電極１
３、１４の対向間隔の平均値が増大すると共に、その間
にあるサーミスター層１１、１１…の幅が減少する。こ
のため、各内部電極１３、１４間の抵抗値が増大し、外
部電極２３、２５の間で測定される抵抗値が増大する。
この切欠部７は例えば研磨等の手段で形成される。

【００１９】この場合に、前記切欠部７の切込み幅及び
切込み深さが大きい程外部電極２３、２５の間にあらわ
れる抵抗値の増加は大きくなる。この切欠部７の切込み
幅及び切込み深さと外部電極２３、２５の間にあらわれ
る抵抗値の増加率とはシュミュレーションにより容易に
推計できるので、所定範囲の抵抗値に収めるためには、
切欠部７を設ける前に外部電極２３、２５の間で測定し
た抵抗値をもとにこの切欠部７の切込み幅及び切込み深
さを決定し、切欠部７を切削する。例えば、前記のよう
にして外部電極２３、２５の間で測定した抵抗値のラン
クにより切欠部７の切込み幅及び切込み深さを決定し、
その切欠部７を切削する。このようにすることにより、
サーミスターを所定の抵抗値に容易に収めることがで
き、且つ調整の自動化も容易に行える。

【００２０】なお、サーミスター素体２１の側面には、
内部電極１３、１４の導出部１５、１６（図１ではサー
ミスターの一部を切り欠いて示しているので、一方の導
出部１５は示されていない。）があらわれているので、
この導出部１５、１６によりサーミスター素体２１内部
の内部電極１３、１４の位置を正確に知ることができ
る。従って、この導出部１５、１６の位置を目安として
切欠部７を設けることで、内部電極１３、１４との位置
関係で切欠部７を正確な位置に設けることができる。

【００２１】このように、切欠部７によりサーミスター
の抵抗値を調整した後、図１（ｃ）及び図３に示すよう
に、切欠部７に絶縁材料８を充填し、外部に露出した内
部電極１３、１４を絶縁材料８中に封入する。これによ
り、内部電極１３、１４が湿気に晒されて、その絶縁抵
抗値が低下する等の特性の劣化が防止され、耐候性を向
上させることができる。このような絶縁材料８は、例え
ばエポキシ樹脂を溶剤で溶いたものを切欠部７に塗布
し、その後溶剤を蒸発させて樹脂を硬化させる等の手段
で形成できる。

【００２２】なお、前記の実施例では、切欠部７が内部
電極１３、１４の間隙幅よりも広く形成され、両内部電
極１３、１４の対向している縁に達する深さに形成され
ているが、切欠部７は内部電極１３、１４の間隙部より
狭い幅で設けてもよく、またサーミスター素体２１の側
面から内部電極１３、１４の先端に達しない深さに設け
ることもできる。幅の狭い切欠部７を深く切り込むと、
外部電極２３、２５にあらわれる抵抗値は急激に増大す
る。このため、抵抗値の微調整には適さないが、抵抗値
を大きく増大させることができる。他方、幅の広い切欠
部７を浅く切り込むと、外部電極２３、２５にあらわれ
る抵抗値の増大は緩慢である。このため、抵抗値の微調
整には適当であるが、抵抗値を大きく増大させることは
できない。

【００２３】そこでこのような性質を利用し、例えば図
４の実施例では、まずサーミスター素体２１の側面から
内部電極２３、２４の間隙部分に幅の狭い切欠部７ａを
深く切り込み、外部電極２３、２５にあらわれる抵抗値
を大きく増大させた後、サーミスター素体２１の側面に
幅の広い切欠部７ｂを浅く切り込み、外部電極２３、２
５にあらわれる抵抗値の微調整を行っている。このよう
な調整方法は、サーミスターの抵抗値の調整量が大きい
場合に有効であり、最終的にその微調整も可能である。
さらに、前記の実施例ではサーミスター素体２１の両側
面に切欠部７を設けたが、例えば抵抗値の調整量が小さ
い場合等は、図５に示すように、サーミスター素体２１
の片方の側面にのみ切欠部７を設け、抵抗値を調整する
こともできる。

【００２４】次に、図７に本発明の他の実施例によるサ
ーミスターのサーミスター素体２１の層構造を示す。こ
の実施例においても、矩形状のサーミスター層１１、１
７、１８のうち、中間のサーミスター層１１、１１…の
表面に一対の内部電極１３、１４が各々形成されてい
る。ここで、対向する内部電極１３、１４は、各々別の
サーミスター層１１、１１…上に形成されている。そし
て、これらの内部電極１３、１４は、何れもサーミスタ
ー層１１、１１…の中央部を越えて広く形成されること
で、上下の層で平面上に互いに重なり合うよう形成され
ていると共に、一方の内部電極１３、１３…は、サーミ
スター層１１、１１…の図において手前左側の辺に導出
され、また他方のの内部電極１４、１４…は、サーミス
ター層１１、１１…の図において奥右側の辺に導出され
ている。

【００２５】内部電極１３、１４のうちの一部の内部電
極１３、１４の先端縁の両側部分が側方に延び、その側
方に延びた部分の先端縁が、導出部１５、１６としてサ
ーミスター層１１、１１…の側辺に導出している。もち
ろん、全ての内部電極１３、１４に導出部分１５、１６
を設けてもももちろん差し支えない。これらの点は、前
述の実施例と同様である。このような内部電極１３、１
４が形成されたサーミスター層１１、１１…は、各々内
部電極１３、１４を有するものが交互に積層され、さら
にその両側に内部電極１３、１４が形成されていないサ
ーミスター層１７、１８とが積層され、この積層体によ
りサーミスター素体２１が構成される。このサーミスタ
ー素体２１では、その内部で積層された各サーミスター
層１１、１１…を介して２組の内部電極１３、１４が交
互に対向しており、それら内部電極１３、１４はサーミ
スター素体２１の対向する端面に各々導出されている。
さらに、サーミスター素体２１の側面には、前記内部電
極１３、１４の導出部１５、１６があらわれる。

【００２６】次に図６（ａ）に示すように、積層体から
なるサーミスター素体２１の前記内部電極１３、１４が
導出した端面を含む端部に各々外部電極２３、２５が形
成される。この外部電極２３、２５は、各々の内部電極
１３、１４に接続し、サーミスタ層１１、１１…を介し
てそれら内部電極１３、１４の間に形成される抵抗値が
外部電極２３、２５にあらわれる。このようなサーミス
ターについても、前記の実施例と同様にして、外部電極
２３、２３の間で抵抗値を測定しておき、予め設定した
抵抗値の範囲によりランク付を行い、これによりサーミ
スター素体２１に切欠部７を設けて抵抗値の調整を行
う。

【００２７】すなわち、所定の許容範囲以下の抵抗値を
有するサーミスターについては、図６（ｂ）に示すよう
に、そのサーミスター素体２１の側面をサーミスター層
１１、１１…の積層方向に沿って溝状に切削し、切欠部
７を設ける。これにより、外部電極２３、２５の間で測
定される抵抗値を増大させ、その抵抗値が所望の範囲に
収まるよう調整する。この場合に、サーミスター素体２
１の側面にあらわれた導出部１５、１６の位置を目安と
して切欠部７を設けること、及び抵抗値の調整の後、図
６（ｃ）に示すように、切欠部７に絶縁材料８を充填す
ることは、前述の実施例と同様である。

【００２８】次に、図９に本発明の他の実施例によるサ
ーミスターのサーミスター素体２１の層構造を示す。こ
の実施例においても、矩形状のサーミスター層１１、１
７、１８のうち、中間のサーミスター層１１、１１…の
表面に一対の内部電極１３、１４が各々形成されてい
る。ここで、対向する内部電極１３、１４は、前記第二
の実施例と同様に、各々別のサーミスター層１１、１１
…上に形成され、上下の層で互いに重なり合うよう形成
されていると共に、各々内部電極１３、１４がサーミス
ター層１１、１１…の手前左側の辺と奥右側の辺に導出
されている。さらに、これら内部電極１３、１４が形成
されたサーミスタ層１１、１１…の間に、サーミスター
層１１、１１…の手前左側の辺と奥右側の辺とに導出さ
れてない内部電極１９が形成されたサーミスター層１
１、１１…が挿入される。

【００２９】この内部電極１９の中央部の両側部分が側
方に延び、その側方に延びた部分の先端縁が、導出部１
５、１６としてサーミスター層１１の側辺に導出してい
る。このような３種類の内部電極１３、１４、１９が形
成されたサーミスター層１１、１１…は、内部電極１
３、内部電極１９及び内部電極１４を有するものの順に
順次積層され、さらにその両側に内部電極１３、１４、
１９が形成されていないサーミスター層１７、１８とが
積層され、この積層体によりサーミスター素体２１が構
成される。このサーミスター素体２１では、その内部で
積層された各サーミスター層１１、１１…を介して３組
の内部電極１３、１９、１４が順次対向しており、その
うち内部電極１３、１４のみがサーミスター素体２１の
対向する端面に各々導出されている。さらに、サーミス
ター素体２１の側面には、前記内部電極１９の導出部１
５、１６があらわれる。

【００３０】次に図８（ａ）に示すように、積層体から
なるサーミスター素体２１の前記内部電極１３、１４が
導出した端面を含む端部に各々外部電極２３、２５が形
成される。この外部電極２３、２５は、内部電極１３、
１４に各々接続されるが、内部電極１９には接続されな
い。すなわち、内部電極１９は、サーミスター層１１、
１１…を介して内部電極１３、１４と対向する浮遊状の
電極である。これにより、サーミスタ層１１、１１…及
び内部電極１９を介して内部電極１３、１４間に形成さ
れる抵抗値が外部電極２３、２５にあらわれる。

【００３１】このようなサーミスターについても、前記
の実施例と同様にして、外部電極２３、２３の間で抵抗
値を測定しておき、予め設定した抵抗値の範囲によりラ
ンク付を行い、これにより図８（ｂ）に示すようにし
て、サーミスター素体２１に切欠部７を設け、外部電極
２３、２５にあらわれる抵抗値の調整を行う。この場合
に、サーミスター素体２１の側面にあらわれた導出部１
５、１６の位置を目安として切欠部７を設けること、及
び抵抗値の調整の後、図８（ｃ）に示すように、切欠部
７に絶縁材料８を充填することは、前述の実施例と同様
である。

【００３２】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、サ
ーミスター素体２１の側面に切欠部７を設けることによ
り、両外部電極２３、２５の間にあらわれる抵抗値を増
大させることができるので、サーミスターの抵抗値の調
整が可能となる。そして、その時の抵抗値の増大量は切
欠部７の幅及び深さにより加減できるので、調整中の抵
抗値が分からなくても調整後の最終的な抵抗値を容易に
予測できる。これによって、所望の抵抗値を有するサー
ミスターを歩留り良く製造できるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例によるサーミスターとその抵抗
値調整方法を示す各工程の斜視図である。

【図２】同実施例によるサーミスターの素体内部の積層
構造を示す分解斜視図である。

【図３】同実施例によるサーミスターを示す平面図であ
る。

【図４】本発明の他の実施例によるサーミスターを示す
平面図である。

【図５】本発明の他の実施例によるサーミスターを示す
平面図である。

【図６】本発明の他の実施例によるサーミスターとその
抵抗値調整方法を示す各工程の斜視図である。

【図７】同実施例によるサーミスターの素体内部の積層
構造を示す分解斜視図である。

【図８】本発明の他の実施例によるサーミスターとその
抵抗値調整方法を示す各工程の斜視図である。

【図９】同実施例によるサーミスターの素体内部の積層
構造を示す分解斜視図である。

【符号の説明】

７切欠部８絶縁材料１１サーミスター層１３内部電極１４内部電極１５内部電極の導出部１６内部電極の導出部１７サーミスター層１８サーミスター層１９浮遊状の内部電極２１サーミスター素体２３外部電極２５外部電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】温度により抵抗値が変化するサーミスタ
ー層（１１）、（１１）…の積層体からなるサーミスタ
ー素体（２１）と、このサーミスター素体（２１）の各
々のサーミスター層（１１）、（１１）…の層間に形成
され、互いに対向した複数対の内部電極（１３）、（１
４）と、この内部電極（１３）、（１４）に各々導通
し、サーミスター素体（２１）の両端部に各々形成され
た外部電極（２３）、（２５）とを有するサーミスター
において、前記サーミスター素体（２１）に切欠部
（７）を設けたことを特徴とするサーミスター。
【請求項２】対向する各対の内部電極（１３）、（１
４）が各々同じサーミスター層（１１）、（１１）…の
層間に形成されると共に、サーミスター層（１１）、
（１１）…上に間隙をおいて対向しており、切欠部
（７）が前記内部電極（１３）、（１４）の間の間隙に
対応するサーミスター素体（２１）の側面部分に形成さ
れていることを特徴とする請求項１に記載のサーミスタ
ー。
【請求項３】内部電極（１３）、（１４）がサーミス
ター層（１１）、（１１）…を介して対向しており、切
欠部（７）がサーミスター素体（２１）の側面に形成さ
れていることを特徴とする請求項１に記載のサーミスタ
ー。
【請求項４】外部電極（２３）、（２５）に接続され
た内部電極（１３）、（１４）を有するサーミスター層
（１１）、（１１）…の間に、前記内部電極（１３）、
（１４）と対向すると共に、外部電極（２３）、（２
５）に接続されていない浮遊状の内部電極（１９）を有
するサーミスター層（１１）、（１１）が挿入されてい
ることを特徴とする請求項３に記載のサーミスター。
【請求項５】少なくとも一部の内部電極（１３）、
（１４）、（１９）の所定の部分から延びた部分が、サ
ーミスター素体（２１）の側面に導出していることを特
徴とする請求項１〜４の何れかに記載のサーミスター。
【請求項６】切欠部（７）に絶縁材料（８）が充填さ
れていることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載
のサーミスター。
【請求項７】温度により抵抗値が変化するサーミスタ
ー層（１１）、（１１）…の積層体からなるサーミスタ
ー素体（２１）と、このサーミスター素体（２１）の各
々のサーミスター層（１１）、（１１）…の層間に形成
され、互いに対向した複数対の内部電極（１３）、（１
４）と、この内部電極（１３）、（１４）に各々導通
し、サーミスター素体（２１）の両端部に各々形成され
た外部電極（２３）、（２５）とを有するサーミスター
の両外部電極（２３）、（２５）の間にあらわれる抵抗
値を調整する方法において、前記サーミスター素体（２
１）に切欠部（７）を設けることにより、両外部電極
（２３）、（２５）の間にあらわれる抵抗値を増大させ
ることを特徴とするサーミスターの抵抗値調整方法。
【請求項８】切欠部（７）を設ける前のサーミスター
の両外部電極（２３）、（２４）間の抵抗値を測定し、
この抵抗値を所定の抵抗値の段階毎にランク付し、この
ランク毎にサーミスター素体（２１）に設ける切欠部
（７）の切込み幅及び切込み深さの何れかを変えること
を特徴とする請求項７に記載のサーミスターの抵抗値調
整方法。
【請求項９】切欠部（７）がサーミスター素体（２
１）の側面から内部電極（１３）、（１４）にわたって
設けられることを特徴とする請求項７または８に記載の
サーミスターの抵抗値調整方法。
【請求項１０】切欠部（７）がサーミスター素体（２
１）のサーミスター層（１１）、（１１）…の積層方向
に溝状に切削されることを特徴とする請求項７〜９の何
れかに記載のサーミスターの抵抗値調整方法。