JPH0945651A - レジストの洗浄装置及び現像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ０．２μｍ以下の微細なパターンを形成する
に当って問題となるパターンの倒れを防止するための低
表面張力のリンス液を簡便に供給する。 【解決手段】 半導体基板１６上に形成されて所望パタ
ーンが露光されたレジスト膜に対し、現像処理の後に行
われる洗浄処理に用いられるレジストの洗浄装置におい
て、溶液を一時的に収容するための容器８と、この容器
８内に濃縮リンス液３を供給するための第１の配管２
と、容器８内に純水を供給するための第２の配管７と、
濃縮洗浄液３と純水との供給比を調整する機構５，６
と、容器８内に供給された濃縮洗浄液と純水とを撹拌し
て混合する撹拌機構９と、この撹拌機構９により混合さ
れた溶液１０を洗浄液として、現像カップ１９内に配置
された基板１６上に供給するための洗浄液配管１３及び
ノズル１４とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置のリソ
グラフィ工程におけるレジストパターン形成に係わり、
特にレジストの洗浄装置と、この洗浄装置を備えたレジ
ストの現像装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の集積度は２〜３年で４倍と
いうスピードで高集積化しているが、これに伴い回路素
子のパターン寸法も年々微細化し、このため寸法精度の
厳密なコントロールが必要になっている。

【０００３】半導体装置の製造においては、半導体薄膜
などの被加工膜上に微細なレジストパターンを形成し、
このパターンをマスクとして被加工膜をエッチングする
方法をとっている。このレジストパターン形成工程は、
以下のような操作により行われる。まず、半導体薄膜な
どの被加工膜上に樹脂及び感光剤等を含む溶液を塗布
し、それを乾燥して膜厚およそ１μｍ程度のレジスト膜
を形成する。このようなレジスト材料としては、露光光
に対する感度及びドライエッチング耐性に優れたフェノ
ール系樹脂を用いたレジスト材料が多く用いられる。現
在では、高解像性と高感度を持つ酸触媒反応を利用した
化学増幅型レジストも用いられるようになっている。

【０００４】近年、半導体装置の集積化は更に進み、
０．１５〜０．２μｍのパターンを形成することが要求
されている。これらのパターン形成には、露光光の光源
としてＸ線、電子ビーム、さらにＡｒＦ（波長１９３ｎ
ｍ）若しくはＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）等のエキシマレ
ーザが候補に挙がっている。量産技術には、ＫｒＦエキ
シマレーザステッパと前記の化学増幅型レジスト、さら
には位相シフトマスク技術、変形照明技術等の超解像技
術を用いることが有力視されている。

【０００５】これらの方法を用いて基板上に形成された
レジスト膜に対して、選択的にパターンを露光し、レジ
スト中に潜像を形成する。その後に、前記の潜像形成さ
れたレジスト膜は現像され、パターン形成される。現像
方法には、レジストの露光部と未露光部の溶解性の違い
を利用した湿式現像法と、反応性イオンエッチングなど
におけるエッチング速度の違いを利用した乾式現像法な
どに大別できる。現在は、一般的には湿式現像法が用い
られている。

【０００６】湿式現像法は、ラトラメチルアンモニウム
ヒドロオキシド（ＴＭＡＨ）などの強塩基性の水酸化ア
ルキルアンモニウムなどの水溶液を、基板上に液盛りす
る方法が一般的である（図２（ａ））。パターン寸法の
制御は、現像液の濃度，温度若しくは現像時間を調整す
ることで行われる。

【０００７】上述の現像処理の後には通常、リンス処理
と呼ばれる洗浄処理が行われる（図２（ｂ））。現像液
は多くの場合、スピン乾燥により除去されるが、現像処
理後の現像液中には、可溶化したレジストが混入してお
り、この現像液中に混入したレジストは、そのままでは
スピン乾燥時に析出し基板上にダストとして残り、歩留
りを下げる原因となる。そこで、基板を１００〜５００
ｒｐｍ程度の回転数で回転させ、レジストが混入した現
像液を振り切ると同時に、基板上方からレジストの貧溶
媒であるリンス液を供給することで、現像液とリンス液
の置換を行う。さらにその後、リンス液をスピン乾燥す
ることで、レジストの析出を防止する方法がとられてい
る（図２（ｃ））。リンス液としては一般に純水が用い
られている。

【０００８】しかし、半導体素子の微細化に伴い、０．
２μｍ以下のレジストパターンが要求されるようになっ
た現在、形成されるレジストパターンの縦横比は５を越
えようとしている。このような高い縦横比のパターンを
形成した場合、リンス処理後のレジストパターンが倒れ
てしまうという問題がある。当初、高解像性が得られる
Ｘ線リソグラフィでこの問題が著在化し、その原因はリ
ンス処理で用いられる純水の高い表面張力にあると言わ
れている。即ち、リンス液である純水をスピン回転によ
り乾燥する時に、パターン間に残った純水の表面張力は
パターン同士を引きつける方向に働くが、約７２ｄｙｎ
ｅ／ｃｍという大きな表面張力のため、図３（ａ）に示
すように、パターンの曲り，倒れ，剥がれ等を生じさ
せ、倒れを引き起こすのである。

【０００９】この問題に関して、特開平５−２９９３３
６号公報、特開平６−１６３３９１号公報、特開平６−
２７５５１４号公報、特開平６−２８３４１４号公報、
特開平６−３３８４５１号公報などの技術が挙げられ
る。このうち、特開平５−２９９３３６号公報、特開平
６−１６３３９１号公報、特開平６−３３８４５１号公
報はリンス液に関するものであり、特に後者２つの技術
はリンス液の表面張力を純水よりも小さくすることを特
徴としており、この技術を用いることで、図３（ｂ）に
示すように高い縦横比でもリンス処理後に倒れのないパ
ターンを形成できるとしている。

【００１０】しかしながら、この種の技術にあっては、
次のような問題があった。即ち、低表面張力を特徴とし
たリンス液を用いる公開特許では、リンス液の供給方法
に関しては何等記述されていない。従来のリンス液であ
る純水では、使用量は基板１枚当り略０．５ｌであり、
現像液のおよそ１０倍の使用量となる。リンス装置の多
くは、純水の供給を装置外部の純水供給装置に頼ること
が多く、その使用量に特に制限はない。しかし、上述の
低表面張力のリンス液を用いる場合、従来方法と異なる
リンス液の供給装置が必要となる。即ち、現像液の供給
方法と同様なリンス液を供給する容器（キャニスター）
が必要となる。上記のリンス液のキャニスターの交換頻
度は、その容積が現像液のキャニスターと同じであれば
現像液のほぼ１０倍となる。若しくは、現像液と同じ交
換頻度とするとなれば、ほぼ１０倍の容積が必要とな
る。

【００１１】また最近では、パターンによりレジストを
使い分けることが一般化してきている。即ち、超解像技
術であるレベンソンマスクを用いる場合、シフタの配置
の制限からネガ型レジストを使わざるを得ないという例
や、線幅・線間隔パターンとホール系のパターンの形成
に異なるレジストを使う場合等がある。これら、所望の
パターンを形成するにあたっては、それに合わせたレジ
ストを選択すると、各レジスト毎によってパターンの倒
れが発生する表面張力は異なる。同一レジストを用いた
場合でも、寸法，露光条件や露光後の加熱条件等によっ
てもこの値は異なることになる。

【００１２】特に、低表面張力を得るためにアルコール
類を用いた場合などには、これらの溶媒に対してレジス
トは溶解するため、添加量を増やすとパターン形状が劣
化するという問題がある。従って、低表面張力のリンス
液といっても、その混合比には最適値があり、個々の条
件に合わせたリンス液の選択が必要となる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】このように従来、レジ
ストパターンの倒れを無くすためには表面張力の小さな
洗浄液を用いる必要があるが、レジストの洗浄液は一般
に大量に使用するものであり、純水とは異なる洗浄液の
供給容器を別に用意するのは設置の点でも不利である。
さらに、レジストに合わせた洗浄液を用いようとする
と、各種洗浄液を収容するための多数の容器が必要とな
る。また、必要以上に表面張力の小さい洗浄液は、アル
コールの添加量が多いことからレジストを溶解すること
もあり望ましくない。

【００１４】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、レジストパターンの倒
れを生じることなく洗浄処理することができ、かつ大量
の洗浄液を予め用意したり、多種のリンス液を予め用意
する必要もない、実用性の高いレジストの洗浄装置を提
供することにある。

【００１５】また、本発明の他の目的は、上記洗浄装置
の機能を備えて、レジストの現像処理と洗浄処理を連続
して行うことができるレジストの現像装置を提供するこ
とにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】

（概要）上記課題を解決するために本発明は、次のよう
な構成を採用している。即ち、本発明（請求項１）は、
基板上に形成されて所望パターンが露光されたレジスト
膜に対し、現像処理の後に行われる洗浄処理に用いられ
るレジストの洗浄装置において、複数種類の溶液を必要
時に混合する手段と、混合された溶液を洗浄液として前
記レジストの洗浄処理に供される空間に供給する手段と
を具備してなることを特徴とする。

【００１７】また、本発明（請求項２）は、基板上に形
成されて所望パターンが露光されたレジスト膜に対し、
現像処理の後に行われる洗浄処理に用いられるレジスト
の洗浄装置において、溶液を一時的に収容するための容
器と、この容器内に少なくとも２種類の溶液を導入する
ための溶液導入用配管と、前記容器内に導入された溶液
を混合する混合機構と、前記容器内で混合された溶液を
洗浄液として、前記レジストの洗浄処理に供される空間
に導出するための混合液導出用配管とを具備してなるこ
とを特徴とする。

【００１８】また、本発明（請求項３）は、基板上に形
成されて所望パターンが露光されたレジスト膜に対し、
現像処理の後に行われる洗浄処理に用いられるレジスト
の洗浄装置において、溶液を一時的に収容するための容
器と、この容器内に濃縮洗浄液を供給するための第１の
溶液配管と、前記容器内に純水を供給するための第２の
溶液配管と、前記濃縮洗浄液と純水との供給比を調整す
る機構と、前記容器内に供給された濃縮洗浄液と純水と
を撹拌して混合する撹拌機構と、この撹拌機構により混
合された溶液を洗浄液として、前記レジストの洗浄処理
に供される空間に供給するための洗浄液配管とを具備し
てなることを特徴とする。

【００１９】また、本発明（請求項４）は、レジストの
現像処理とその後の洗浄処理を連続して行うレジストの
現像装置において、パターン露光の行われたレジスト膜
が形成された基板を収容し、該レジスト膜に対して所定
の処理を施す処理部と、この処理部に現像液を供給して
前記レジスト膜の現像処理を行う手段と、複数種類の溶
液を必要に応じて混合し、混合した溶液を洗浄液として
前記処理室内に供給し、前記レジスト膜の現像処理後の
洗浄処理を行う手段とを具備してなることを特徴とす
る。 （作用）本発明では、リンス液（洗浄液）を供給するた
めに少なくとも２種類の溶液を混合する機構を具備した
リンス装置（洗浄装置）及びこれを用いた現像装置を構
成している。

【００２０】本発明では、少なくとも２種類の溶液のう
ち、例えば一方を純水とし、他を純水と混合し所望の表
面張力を得ることのできる低表面張力のリンス液の濃縮
溶媒（以下濃縮溶媒と略す）とする。例として、１−プ
ロパノール，２−プロパノール等のアルコール類や高濃
度の界面活性剤を添加した水溶液などがある。この場
合、純水と混合する濃縮されたリンス液の表面張力は４
０ｄｙｎｅ／ｃｍ以下が望ましい。純水とリンス液の濃
縮溶媒を混合し、所望の表面張力を持ったリンス液とす
ることで、リンス液の交換頻度を低減できることは明ら
かである。

【００２１】また、上述のようにパターンの倒れの発生
するリンス液の表面張力は、レジスト，寸法，プロセス
条件などによって異なる。しかし、本発明を用いること
で、個々のレジストに適したリンス液を前述の混合容器
内で調合することで、容易に提供することができる。一
例として２−プロパノールと純水を混合した場合の表面
張力を図４に示す。即ち、倒れにくいレジストパターン
を形成する場合には、リンス液としての２−プロピルア
ルコールの混合比を低くして良く、リンス液によるレジ
ストの溶解などの不都合を確実に防止できる。逆に、倒
れやすいレジストパターンを形成する場合には、リンス
液の混合比を高くして表面張力を下げることで、倒れを
防止することができる。

【００２２】さらに、本発明を用いることで、リンス液
の組成を連続的に変化させることが可能となる。即ち、
現像中に膨潤するネガレジストなどで、レジスト中のス
トレスを緩やかに解放することができる。

【００２３】また、リンス処理の直前にリンス液の調合
を行うため、混合後の放置によるリンス液の劣化が生じ
ることはない。例えば、純水に界面活性剤を添加したリ
ンス液を用いる場合、調合より数日でバクテリアなどの
微生物が発生する恐れがある。これを抑えるために高濃
度のＴＭＡＨ等を濃縮溶液に添加した場合、リンス液に
よってレジストが溶解する恐れがある。しかし、本発明
では、リンス液調合から使用までの時間が非常に短いた
めに、バクテリアの発生は濃縮溶液で抑えられればよ
く、混合後のリンス液がバクテリア発生を抑えるのに不
十分なＴＭＡＨ濃度であっても問題ない。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は、本発明の一実施形態に係わ
るリンス処理装置を備えたレジストの現像装置を示す概
略構成図である。

【００２５】本実施形態において特徴となるリンス液の
混合容器８には、濃縮溶液３を導入するための配管２と
純水を導入するための配管７が接続され、さらに純窒素
（Ｎ₂ ）を供給するための配管１１が接続されている。
混合するリンス液の種類は、必要に応じて増やすことが
できる。配管２，７にはそれぞれ流量計５及びストップ
バルブ６が具備されているのが望ましい。また、混合容
器８は温度調整機能を具備していることが望ましい。濃
縮溶液３はリンス液供給容器４内に貯溜されており、配
管１から容器４内に純窒素（Ｎ₂ ）を供給することによ
り、配管２を通して容器８内に供給される。

【００２６】２種類のリンス液は、混合容器８中で所定
の濃度になるよう供給され、後に若しくは同時に、調合
された溶液の濃度が均一になるように撹拌機構９により
撹拌される。混合容器８には混合溶液１０の濃度を測定
する測定器が具備されていることが望ましい。濃度の測
定方法としては、濃縮溶液が吸収を持つ光の波長におけ
る透過率の変化や屈折率の変化を測定する等の方法を用
いるのがよい。

【００２７】混合溶液１０は、混合容器８の下部に配置
された配管１３よりノズル１４を介して導出され、現像
カップ１９内のスピンチャック１７に固定された半導体
基板１６上へ供給される。濃縮溶液３として、界面活性
剤を添加した水溶液を用いた場合、リンス液の泡立ちが
起こりやすくなるが、基板１６側への配管１３を混合容
器８の下部よりとることで、これを軽減できる。さら
に、泡立ちの起こった混合溶液１０の上層部分は排気口
を兼ねた排水口１２より排出することができる。また、
配管１３には薬液供給用配管２，７と同様に流量計５と
ストップバルブ６が具備されていることが望ましい。ま
た、この配管１３も、混合容器８と同様に温度調整され
ていることが望ましい。

【００２８】また、混合比の異なるリンス液を続いて調
整するような場合には、ドレイン口２０より余ったリン
ス液を排出するようにする。この他、純水をリンス液と
して用いてもパターンの倒れの起こらない１μｍ程度の
レジストパターンのリンス処理を行う場合には、混合容
器８を経由しないで装置外部より配管７から供給される
純水を直接用いればよい。この場合、配管７を分岐さ
せ、ノズル１５介して純水を基板１６に供給する。

【００２９】一方、現像液は配管１８を通りノズル２１
を介して導出され、現像カップ１９内のスピンチャック
１７に固定された半導体基板１６上へ供給される。な
お、図には示されていないが、リンス液の供給ノズル１
４と１５及び現像ノズル２１の前段の配管途中にはダス
トフィルタを設けるとよい。また、リンス処理部と現像
処理部を一体に形成することで、現像処理と上述のリン
ス処理を同一の装置内で行うことができ、処理の一層の
効率化をはかることができる。

【００３０】さらに、リンス処理部を露光装置とをイン
ライン処理できるようなレジスト塗布・現像装置内に含
めることで、レジストパターン形成のより一層の効率化
ができる。この場合、露光装置の光源はＸ線，電子ビー
ム，光等であり、特に限定されない。

【００３１】次に、本装置を用いたレジストパターン形
成工程について説明する。なお、これらの実施例は、本
発明の理解を容易にする目的のために記載されるもので
あり、本発明を限定するものではない。 （実施例１）まず、表面に厚さ２００ｎｍのシリコン酸
化膜が形成された半導体基板上に化学増幅型ネガレジス
ト（商品名ＳＮＲ−２００：シップレー社）を膜厚０．
７５μｍとなるように回転塗布し、１２５℃で６０秒間
加熱処理した。その後、半導体基板上での線幅・線間隔
が０．１５〜０．２μｍとなるようにレベンソン型位相
シフトマスクを介して、ＫｒＦエキシマレーザステッパ
（ＮＡ＝０．５，σ＝０．３）で露光を行った。この
後、１２５℃で９０秒間の加熱処理を行った。

【００３２】次いで、前記図１に示すように、半導体基
板１６をスピンチャック１７の上に載置し、現像液供給
ノズル２１から２５℃に温度調整された２．３８ｗｔ％
のＴＭＡＨ水溶液を半導体基板１６上に吐出させた。こ
れにより、図２（ａ）に示すように、ＴＭＡＨ水溶液４
０を液盛りした後、半導体基板１６上のレジスト３０の
現像処理を６０秒間行った。

【００３３】次いで、レジストパターンの形成された半
導体基板１６上に、第１のリンスノズル１４より、純水
と２−プロパノールを体積比２０：８０で混合した溶液
１０を供給し、図２（ｂ）に示すようにリンス処理を行
った。同時に、スピンチャック１７を１００〜５００ｒ
ｐｍの速度で２０秒間回転させた。その後、リンス液１
０の供給を停止し、スピンチャック１７を１０００〜５
０００ｒｐｍで回転させ、図２（ｃ）に示すようにリン
ス液１０を乾燥した。

【００３４】これにより、図３（ｂ）に示すように、半
導体基板１６上にレジスト３０からなる０．１５〜０．
２０μｍの線幅・線間隔パターンが倒れなく形成でき
た。また、レジストかすなどの残存は観察されなかっ
た。

【００３５】続いて、上記のパターン露光・現像・リン
ス処理の行われたレジストを用い、半導体基板１６のシ
リコン酸化膜を適当な条件でエッチングした。その結
果、シリコン酸化膜上に線幅・線間隔が０．１５〜０．
２０μｍの良好な形状のパターンを得ることができた。

【００３６】溶液の混合は、温度調整機構を備えた１ｌ
の混合容器８中で行った。リンス液の温度は２５℃とし
た。リンス液の調整は、レジストの現像処理時に同時に
行った。混合容器８の排水口１２のバルブを開き、純水
配管７より１ｌ／分の流量で４８秒間純水を供給した
後、純窒素供給配管１により濃縮溶液供給容器４内の２
−プロパノールを加圧し、濃縮溶液配管２より、０．５
ｌ／分の流量で２４秒間供給した。２種類のリンス液の
供給は同時に行ってもよい。その後、撹拌機構９により
混合溶液１０を１０秒間撹拌し、均一な濃度のリンス液
を得た。このときのリンス液の表面張力はおよそ３２ｄ
ｙｎｅ／ｃｍであった。その後、２５℃に温度調整され
た配管１３を通して、第１のリンスノズル１４より１ｌ
／分で供給された。

【００３７】なお、純水と２−プロパノールの混合比を
９０：１０とした場合、図３（ａ）に示すようなレジス
トパターンの倒れ３１が発生した。また、混合比を５
０：５０とした場合、レジストの溶解が起こり、パター
ン形状が劣化した。 （実施例２）実施例１と同様に、半導体基板１６上に塗
布されたレジストパターンをＴＭＡＨ水溶液で現像し、
レジストパターンを形成した。この後、スピンチャック
１７を１００〜５００ｒｐｍで回転させながら、第２の
リンスノズル１５より、純水を１５秒間供給した。その
後、純水の供給を停止し、第１のリンスノズル１４より
実施例１で記述した純水と２−プロパノールの混合溶液
を５秒間供給した。このとき、スピンチャック１７は回
転は１００〜５００ｒｐｍで回転を継続している。その
後、リンス液の供給を停止し、スピンチャック１７を１
０００〜５０００ｒｐｍで回転させ、リンス液を乾燥し
た。

【００３８】この状態で、半導体基板上に０．１５〜
０．２０μｍの線幅・線間隔パターンが倒れなく形成で
きた。また、レジストかすなどの残存は観察されなかっ
た。続いて、上記パターン露光の行われた半導体基板の
シリコン酸化膜を適当な条件でエッチングを行った。そ
の結果、シリコン酸化膜上に線幅・線間隔が０．１５〜
０．２０μｍの良好な形状のパターンを得ることができ
た。

【００３９】純水と２−プロパノールの混合比を実施例
１と同じ条件で振った場合、同様にそれぞれパターンの
倒れと溶解が起こった。 （実施例３）実施例１と同様に、半導体基板１６上に塗
布されたレジストパターンをＴＭＡＨ水溶液で現像し、
レジストパターンを形成した。この後、スピンチャック
１７を１００〜５００ｒｐｍで回転させながら、第１の
リンスノズル１４より、純水と２−プロパノールの混合
溶液を、混合比を連続的に変化させながら、１０秒間供
給した。このとき、スピンチャック１７は回転は１００
〜５００ｒｐｍで回転を継続している。その後、リンス
液の供給を停止し、スピンチャック１７を１０００〜５
０００ｒｐｍで回転させ、リンス液を乾燥した。

【００４０】この状態で、半導体基板上に０．１５〜
０．２０μｍの線幅・線間隔パターンが倒れなく形成で
きた。また、レジストかすなどの残存は観察されなかっ
た。続いて、上記パターン露光の行われた半導体基板の
シリコン酸化膜を適当な条件でエッチングを行った。そ
の結果、シリコン酸化膜上に線幅・線間隔が０．１５〜
０．２０μｍの良好な形状のパターンを得ることができ
た。

【００４１】溶液の混合は、温度調整機構を備えた１ｌ
の混合容器８中で行った。リンス液の温度は２５℃とし
た。リンス液の調整は、レジストのリンス処理中に行っ
た。リンス処理前に混合容器８の排水口１２のバルブを
開き、純水配管７より１ｌ／分の流量で３０秒間純水を
供給しておき、その後、リンス処理開始と同時に純窒素
供給配管１より濃縮溶液供給容器４内の２−プロパノー
ルを加圧し、濃縮溶液配管２より、撹拌機構９により混
合溶液１０を撹拌しながら、０．５ｌ／分の流量で１０
秒間供給した。半導体基板のリンス処理は２５℃に温度
調整された配管１３を通して、２−プロパノールの供給
開始と同時に、第１のリンスノズル１４により１ｌ／分
で供給された。 （実施例４）実施例１と同様に、半導体基板１６上に塗
布されたレジストパターンをＴＭＡＨ水溶液で現像し、
レジストパターンを形成した。この後、スピンチャック
１７を１００〜５００ｒｐｍで回転させながら、第１の
リンスノズル１４より、純水を５秒間供給し、その後、
純水と２−プロパノールの混合溶液を、混合比を連続的
に変化させながら、１０秒間供給した。このとき、スピ
ンチャック１７は回転は１００〜５００ｒｐｍで回転を
継続している。その後、リンス液の供給を停止し、スピ
ンチャック１７を１０００〜５０００ｒｐｍで回転さ
せ、リンス液を乾燥した。

【００４２】この状態で、半導体基板上に０．１５〜
０．２０μｍの線幅・線間隔パターンが倒れなく形成で
きた。また、レジストかすなどの残存は観察されなかっ
た。続いて、上記パターン露光の行われた半導体基板の
シリコン酸化膜を適当な条件でエッチングを行った。そ
の結果、シリコン酸化膜上に線幅・線間隔が０．１５〜
０．２０μｍの良好な形状のパターンを得ることができ
た。

【００４３】溶液の混合は、温度調整機構を備えた１ｌ
の混合容器８中で行った。リンス液の温度は２５℃とし
た。リンス液の調整は、レジストのリンス処理中に行っ
た。リンス処理前に混合容器８の排水口１２のバルブを
開き、純水配管７より１ｌ／分の流量で３５秒間純水を
供給しておき、その後、純水によるリンス処理開始から
５秒後に純窒素供給配管１より濃縮溶液供給容器４内の
２−プロパノールを加圧し、濃縮溶液配管２より、撹拌
機構９により混合溶液１０を撹拌しながら、０．５ｌ／
分の流量で１０秒間供給した。半導体基板のリンス処理
は２５℃に温度調整された配管１３を通して、２−プロ
パノールの供給開始と同時に、第１のリンスノズル１４
により１ｌ／分で供給された。

【００４４】なお、本発明は上述した実施形態に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々
変形して実施することができる。実施形態では、純水と
２−プロパノールの混合液をリンス液として用いたが、
これに限らず各種溶液の混合液をリンス液として用いる
ことができる。さらに、２種類の溶液の混合に限らず３
種類以上の溶液の混合液をリンス液として用いることも
可能である。また、混合容器内での溶液の混合には必ず
しも撹拌機構を用いる必要はなく、複数の溶液を十分に
混合できる機構であれば良い。

【００４５】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、複
数種類の溶液を必要時に混合し、混合された溶液を洗浄
液としてレジストの洗浄処理に供される空間に供給する
ことにより、０．２μｍ以下の微細なパターンを形成す
るに当って問題となるパターンの倒れを防止するための
低表面張力のリンス液を簡便に供給することができる。
従って、レジストパターンの倒れを生じることなく洗浄
処理することができ、かつ大量の洗浄液を予め用意した
り、多種のリンス液を予め用意する必要もない、実用性
の高いレジストの洗浄装置を実現することができる。さ
らに、上記の洗浄装置の機能を備えて、レジストの現像
処理と洗浄処理を連続して行うことができるレジストの
現像装置を実現することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】発明の実施形態に係わるリンス処理装置を備え
た現像装置を示す概略構成図。

【図２】レジストパターンの現像後のリンス処理プロセ
スを示す工程断面図。

【図３】純水を用いた場合と表面張力の低いリンス液を
用いた場合のレジストパターンを示す断面図。

【図４】２−プロパノールと純水との混合溶液の表面張
力の変化を示す特性図。

【符号の説明】 １，１１…純窒素配管 ２…濃縮リンス液配管 ３…濃縮リンス液 ４…リンス液供給容器 ５…流量計 ６…ストップバルブ ７…純水配管 ８…混合容器 ９…撹拌機構 １０…混合リンス液 １２…排水用配管 １３…混合リンス液配管 １４…混合溶液のリンスノズル １５…純水のリンスノズル １６…半導体基板 １７…スピンチャック １８…現像液配管 １９…現像カップ ２０…ドレイン口 ２１…現像液供給ノズル

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に形成されて所望パターンが露光さ
   れたレジスト膜に対し、現像処理の後に行われる洗浄処
   理に用いられるレジストの洗浄装置において、 複数種類の溶液を混合する手段と、混合された溶液を洗
   浄液として前記レジストの洗浄処理に供される空間に供
   給する手段とを具備してなることを特徴とするレジスト
   の洗浄装置。
2. 【請求項２】基板上に形成されて所望パターンが露光さ
   れたレジスト膜に対し、現像処理の後に行われる洗浄処
   理に用いられるレジストの洗浄装置において、 溶液を一時的に収容するための容器と、この容器内に少
   なくとも２種類の溶液を導入するための溶液導入用配管
   と、前記容器内に導入された溶液を混合する混合機構
   と、前記容器内で混合された溶液を洗浄液として、前記
   レジストの洗浄処理に供される空間に導出するための混
   合液導出用配管とを具備してなることを特徴とするレジ
   ストの洗浄装置。
3. 【請求項３】基板上に形成されて所望パターンが露光さ
   れたレジスト膜に対し、現像処理の後に行われる洗浄処
   理に用いられるレジストの洗浄装置において、 溶液を一時的に収容するための容器と、この容器内に濃
   縮洗浄液を供給するための第１の溶液配管と、前記容器
   内に純水を供給するための第２の溶液配管と、前記濃縮
   洗浄液と純水との供給比を調整する機構と、前記容器内
   に供給された濃縮洗浄液と純水とを撹拌して混合する撹
   拌機構と、この撹拌機構により混合された溶液を洗浄液
   として、前記レジストの洗浄処理に供される空間に供給
   するための洗浄液配管とを具備してなることを特徴とす
   るレジストの洗浄装置。
4. 【請求項４】パターン露光の行われたレジスト膜が形成
   された基板を収容し、該レジスト膜に対して所定の処理
   を施す処理部と、この処理部に現像液を供給して前記レ
   ジスト膜の現像処理を行う手段と、複数種類の溶液を必
   要に応じて混合し、混合した溶液を洗浄液として前記処
   理室内に供給し、前記レジスト膜の現像処理後の洗浄処
   理を行う手段とを具備してなることを特徴とするレジス
   トの現像装置。