JPH0945656A

JPH0945656A - 半導体製造装置

Info

Publication number: JPH0945656A
Application number: JP19310095A
Authority: JP
Inventors: Komaki Nishikubo; 小巻西久保; Hideki Tomioka; 秀起富岡; Masaru Tsugane; 賢津金; Kazuo Sato; 一夫佐藤; Motoko Ono; 基子小野; Hiroko Akimori; 博子秋森; Tomoko Jinbo; 智子神保; Yukino Imamura; 雪乃今村
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1995-07-28
Filing date: 1995-07-28
Publication date: 1997-02-14

Abstract

(57)【要約】【目的】洗浄液の濃度変化や劣化を防止し、洗浄液を
長期的に自動で安定化させる。【構成】濃度モニタ１３が洗浄槽内の薬液の濃度を絶
えずモニタし、濃度演算部２０により演算を行い、薬液
濃度値を中央処理部２８に出力する。中央処理部２８
は、演算結果と記憶部２４に格納された濃度の規定範囲
のデータとの比較を行い、薬液が規定の濃度よりも高い
と、バルブ制御部２２に制御信号を出力してバルブ９ａ
を開き、薬液槽に純水を供給する。薬液の濃度が規定の
濃度よりも低いと、バルブ制御部２１に制御信号の出力
してバルブ８ａを開き、薬液槽に薬液の供給を行い、薬
液を規定の濃度に保つ。薬液槽が満杯に近づくと、ヒー
タ制御部２７に制御信号を出力し、ヒータ７を動作させ
て水分を蒸発させて薬液の濃度を高める。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に関
し、特に、半導体ウエハのウエット洗浄装置またはウエ
ットエッチング装置における薬液の濃度制御に適用して
有効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】本発明者が検討したところによれば、薬
液などの液体を使用して被処理物である半導体ウエハの
洗浄を行う、たとえば、ウエット洗浄装置においては、
洗浄効果を上げるためにヒータなどにより一定の温度に
保たれた薬液槽に貯められた薬液を回転する半導体ウエ
ハ上に噴射することにより半導体ウエハの洗浄を行って
いる。

【０００３】また、半導体ウエハの洗浄後の薬液は、回
収されて再び貯蔵槽に貯められ再利用されるようになっ
ている。

【０００４】なお、この種の洗浄装置について詳しく述
べてある例としては、株式会社工業調査会、１９９４年
１１月２５日発行「超ＬＳＩ製造・試験装置ガイドブッ
ク＜１９９５年版＞」大島雅志（編）、Ｐ１０３〜Ｐ１
０９があり、この文献には、半導体装置製造に用いられ
る洗浄乾燥装置の構成や種類などが記載されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な洗浄装置では、次のような問題点があることが本発明
者により見い出された。

【０００６】すなわち、薬液槽に設けられたヒータなど
による長期にわたる温度調節や洗浄後の洗浄液の回収時
に薬液を洗い流す純水などの混入によって、薬液それ自
体の濃度の変化ならびに薬液の劣化などが生じてしま
い、薬液の安定性が問題となってしまう。

【０００７】また、薬液の濃度変化や劣化が生じる毎に
薬液を新しいものに交換するので薬液の消費量も膨大と
なり、コストが大幅に上がってしまうという問題もあ
る。

【０００８】本発明の目的は、洗浄液の濃度変化や劣化
を防止し、洗浄液を長期的に自動で安定化させることの
できる半導体製造装置を提供することにある。

【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１１】すなわち、本発明の半導体製造装置は、薬
液を貯蔵する薬液槽内の薬液濃度の検出を行う濃度検出
手段と、該濃度検出手段により検出された薬液濃度が規
定の薬液濃度であるか否かの判断を行い、薬液槽内の薬
液濃度を一定に制御する濃度制御手段とを設けたもので
ある。

【００１２】また、本発明の半導体製造装置は、前記濃
度検出手段が、薬液槽内の薬液濃度を検知する検知手段
と、該検知手段から出力された信号に基づいて薬液濃度
値を演算する演算手段とよりなり、前記濃度制御手段
が、薬液槽に供給される薬液濃度を上げる第１の液体の
流量を制限する第１の流量制限手段と、薬液槽に供給さ
れる薬液濃度を下げる第２の液体の流量を制限する第２
の流量制限手段と、演算手段から出力された薬液濃度値
と規定の薬液濃度値との比較を行い、所定の制御信号を
出力する濃度制御手段と、該濃度制御手段から出力され
た制御信号に基づいて第１の流量制限手段および第２の
流量制限手段の制御を行う流量制御手段とよりなるもの
である。

【００１３】さらに、本発明の半導体製造装置は、前記
濃度制御手段に、薬液槽の薬液を加熱する加熱手段と、
濃度制御手段から出力された制御信号に基づいて加熱手
段の制御を行う加熱制御手段とを設けたものでる。

【００１４】また、本発明の半導体製造装置は、薬液を
貯める薬液槽内の薬液濃度を検知する濃度検知手段と、
該濃度検知手段から出力された信号に基づいて薬液の濃
度を演算する濃度演算手段と、該濃度演算手段から出力
された演算結果に基づき被処理物の処理時間を自動的に
設定する処理制御手段と、被処理物に噴射する薬品の流
量を制限する流量制限手段と、処理制御装置から出力さ
れる制御信号に基づいて流量制限手段の制御を行う流量
制御手段とを設けたものである。

【００１５】

【作用】上記した本発明の半導体製造装置によれば、薬
液槽内の薬液濃度を検知手段によって絶えずモニタを行
い、濃度制御手段が、演算手段により演算された薬液濃
度値と予め規定された薬液濃度値との比較を行い、薬液
濃度が予め設定された濃度よりも低いと、流量制御手段
に制御信号を出力して第１の流量制限手段を制御するこ
とにより薬液濃度を上げる第１の液体を薬液槽に供給す
るかまたは加熱制御手段に制御信号を出力して加熱手段
の制御を行い、薬液を加熱することにより薬液槽内の水
分を蒸発させるかの少なくともいずれかによって薬液濃
度を高くし、薬液濃度が予め設定された濃度よりも高い
と、流量制御手段に制御信号を出力して第２の流量制限
手段を制御することにより薬液濃度を下げる第２の液体
を薬液槽に供給することにより、薬液槽内の薬液濃度を
自動的に絶えず一定にすることができる。

【００１６】また、上記した本発明の半導体製造装置に
よれば、薬液槽内の薬液濃度を濃度検知によりモニタし
て、濃度演算手段が該濃度検知手段から出力された信号
に基づいて薬液濃度値の演算を行い、その演算結果に基
づいて処理制御手段が被処理物の処理時間を自動的に設
定して、洗浄時に被処理物に噴射する薬品の流量を制限
する流量制限手段を流量制御手段によって制御しながら
洗浄を行うので、薬液槽内の薬液濃度が変化しても被処
理物を安定して処理することができる。

【００１７】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。

【００１８】（実施例１）図１は、本発明の実施例１に
よる洗浄装置の構成説明図、図２は、本発明の実施例１
による洗浄薬液濃度制御部のブロック図である。

【００１９】本実施例１において、薬液または純水を噴
射することにより半導体ウエハ（被処理物）１の洗浄を
行う洗浄装置（半導体製造装置）２は、洗浄中の半導体
ウエハ１を囲い込むような円筒状の容器であるカップ３
が設けられている。

【００２０】また、カップ３の中央部には、半導体ウエ
ハ１の裏面を保持して、半導体ウエハ１を回転させるス
テージ（図示せず）が設けられ、そのカップ３の底部に
は使用後の洗浄液である薬液あるいは洗浄後にリンスさ
れた純水を排出するドレイン３ａ，３ｂが設けられてい
る。

【００２１】そして、ドレイン３ａは配管４と、ドレイ
ン３ｂは配管５とそれぞれ接続されている。また、配管
４は、異物を除去する図示しないフィルタを介して、洗
浄装置２に設けられた薬液を貯める薬液槽６と接続さ
れ、配管５は、廃液として処理される処理槽（図示せ
ず）と接続されている。

【００２２】また、ドレイン３ａ，３ｂには、電磁弁な
どの図示しない開閉弁が設けられており、使用後に回収
が行われる薬液はドレイン３ａの開閉弁の開けることに
より薬液槽６に回収されることになり、廃棄される薬液
はドレイン３ｂの開閉弁を開けることにより廃液として
処理が行われる。

【００２３】また、この薬液槽６は、薬液槽６内の薬液
を一定の温度まで加熱するヒータ（加熱手段）７が設け
られている。

【００２４】さらに、洗浄装置２における薬液槽６の上
部には、薬液（第１の液体）および純水（第２の液体）
が供給されているそれぞれの配管８，９が設けられ、こ
れら配管８，９は薬液槽６に接続されており、配管８，
９には薬液ならびに純水の供給量を制限する、たとえ
ば、電磁弁などのバルブ（第１の流量制限手段）８ａ、
バルブ（第２の流量制限手段）９ａが設けられている。

【００２５】また、洗浄装置２には、薬液槽６の底部近
傍に配管１０が設けられ、この配管１０の所定の位置に
は薬液を絶えず循環させるためのポンプ１１、薬液中の
異物を除去するフィルタ１２および薬液の濃度をモニタ
する、たとえば、ｐＨセンサなどの濃度モニタ（検知手
段）１３が設けられている。

【００２６】さらに、洗浄装置２は、半導体ウエハ１の
洗浄時に薬液槽６内の薬液を噴射させるポンプ１４が設
けられ、薬液槽６に接続された配管１５を介して先端部
のノズル１５ａから薬液が半導体ウエハの表面に噴射さ
れるようになっている。

【００２７】また、配管１５にも、薬液中の異物を除去
するフィルタ１６、薬液の供給量を制限する、たとえ
ば、電磁弁などのバルブ１７，１８が設けられている。

【００２８】そして、洗浄装置２には、ヒータ７、バル
ブ８ａ，９ａおよびバルブ１７，１８などの洗浄装置２
の全ての制御を司る洗浄薬液濃度制御部１９が設けられ
ている。

【００２９】次に、洗浄薬液濃度制御部１９は、図２に
示すように、濃度モニタ１３から出力される信号に基づ
いて薬液の濃度を演算する濃度演算部（演算手段）２０
と、薬液および純水の流量を制限するバルブ８ａ，９ａ
における開閉の制御を行うバルブ制御部（流量制限手
段）２１、バルブ制御部（流量制限手段）２２およびバ
ルブ１７，１８（図１）の開閉の制御を行う図示しない
バルブ開閉部とが設けられている。

【００３０】そして、濃度モニタ（検知手段）１３およ
び濃度演算部２０によって濃度検知手段ＮＫ１が構成さ
れている。

【００３１】また、洗浄薬液濃度制御部１９には、所定
のデータが入力される、たとえば、キーボードなどの入
力部２３が設けられ、この入力部２３から入力された薬
液の規定された濃度のデータを格納する記憶部２４が設
けられている。

【００３２】さらに、洗浄薬液濃度制御部１９には、表
示制御部２５の信号に基づいて文字列などの入力された
データなどが表示されるモニタなどの表示器２６が設け
られ、この表示器２６は表示制御部２５に接続されてい
る。

【００３３】また、洗浄薬液濃度制御部１９は、前述し
たヒータ７の制御を行うヒータ制御部（加熱制御手段）
２７が設けられている。

【００３４】そして、洗浄薬液濃度制御部１９には、中
央処理部（濃度制御手段）２８が設けられており、これ
ら濃度演算部２０、バルブ制御部２１，２２、記憶部２
４、表示制御部２５ならびにヒータ制御部２７は中央処
理部２８と接続され、洗浄装置２における洗浄動作の制
御や薬液の濃度制御など全ての制御が行われいる。

【００３５】また、これらヒータ７、バルブ８ａ，９
ａ、バルブ制御部２１，２２、ヒータ制御部２７ならび
に中央処理部２８によって濃度制御手段ＮＣ１が構成さ
れている。

【００３６】次に、本実施例の作用について説明する。

【００３７】まず、半導体ウエハ１の洗浄前は、バルブ
１７は開けられた状態となり、バルブ１８は閉じられた
状態となっており、ポンプ１４が動作を行っているので
薬液が薬液槽６内を循環している。また、ポンプ１１も
同時に動作しており、薬液は絶えず薬液槽６内を循環し
た状態となっている。

【００３８】そして、半導体ウエハ１を洗浄するために
半導体ウエハ１をステージに搭載しステージを回転させ
ると、中央処理部２８はバルブ開閉部に制御信号を出力
してバルブ１８を開け、バルブ１７を閉じることによっ
てノズル１４ａから薬液を半導体ウエハ１に噴射して洗
浄を行う。

【００３９】この時、ドレイン３ａに設けられた開閉弁
は開けられ、薬液は薬液槽６に回収されている。その
後、洗浄が終了すると純水によるリンスが行われ、乾燥
工程により半導体ウエハ１の乾燥が行われる。

【００４０】また、リンス中の純水はドレイン３ｂの開
閉弁を開けることによって廃液として処理を行う。

【００４１】次に、濃度モニタ１３は、薬液槽６内の薬
液の濃度を半導体ウエハ１が洗浄中であるか否かに係わ
らず、絶えずモニタを行っており、該濃度モニタ１２か
ら出力された信号は濃度演算部２０に入力され、薬液中
の濃度の演算を行い、中央処理部２８にその演算結果が
出力される。

【００４２】そして、中央処理部２８は、その演算結果
と記憶部２４に格納されている薬液の規定された濃度の
データとの比較を行い、薬液槽６内の薬液濃度が、該規
定範囲のデータよりも高くなった場合あるいは低くなっ
た場合に所定の制御信号をバルブ制御部２１，２２また
はヒータ制御部２７に出力する。

【００４３】たとえば、中央処理部２８が、薬液槽６の
薬液が規定の濃度よりも高くなったと判断すると、中央
処理部２８はバルブ制御部２２に制御信号の出力を行
い、その制御信号に基づいてバルブ制御部２２がバルブ
９ａを開き、薬液槽６に純水を供給する。

【００４４】そして、薬液の濃度が規定の濃度となる
と、再び中央処理部２８はバルブ制御部２２に制御信号
を出力してバルブ９ａを閉じさせて純水の供給を停止さ
せる。

【００４５】次に、薬液の濃度が規定の濃度よりも低く
なったと中央処理部２８が判断した場合、中央処理部２
８は、バルブ制御部２１に制御信号の出力を行い、その
制御信号に基づいてバルブ制御部２１がバルブ８ａを開
き、薬液槽６に薬液を供給する。

【００４６】また、薬液槽６が満杯に近く、薬液の供給
ができない場合、中央処理部２８はヒータ制御部２７に
制御信号を出力して、その制御信号に基づいてヒータ制
御部２７がヒータ７を動作させて加熱にすることにより
水分を蒸発させて、薬液の濃度を高める。

【００４７】さらに、ヒータ７による加熱およびバルブ
８ａを開くことによる薬液の供給を同時に行うようにし
てもよい。

【００４８】そして、薬液の濃度が規定の濃度となる
と、再び中央処理部２８はバルブ制御部２１あるいはヒ
ータ制御部２７に制御信号を出力して薬液の供給もしく
はヒータ７による加熱を中止させる。

【００４９】また、薬液槽６における薬液の量は、たと
えば、液面センサ（図示せず）などにより中央処理部２
８が検知を行い、予め決められた液面以上に薬液が満た
されている場合にはヒータ７による加熱を行い、それ以
下では薬液の供給を行うようにする。

【００５０】それにより、本実施例１によれば、洗浄薬
液濃度制御部１９により、薬液槽６内の薬液濃度を絶え
ず一定に保つことができ、洗浄効果を均一にすることが
できる。

【００５１】また、薬液を絶えず一定の濃度に保つこと
ができるので、薬液槽６内の薬液の濃度変化による薬液
の廃棄が不要となり、薬液に掛かるコストを大幅に削減
することができる。

【００５２】（実施例２）図３は、本発明の実施例２に
よる洗浄装置の構成説明図、図４は、本発明の実施例２
による洗浄薬液濃度制御部のブロック図である。

【００５３】本実施例２において、薬液または純水を噴
射することにより半導体ウエハ１の洗浄を行う洗浄装置
２は、前記実施例１と同様に、洗浄中の半導体ウエハ１
を囲い込むような円筒状の容器であるカップ３が設けら
れ、そのカップ３の中央部には、半導体ウエハ１の裏面
を保持して、半導体ウエハ１を回転させるステージ（図
示せず）が設けられている。

【００５４】また、カップ３の底部には使用後の洗浄液
である薬液あるいは純水を排出するドレイン３ａ，３ｂ
が設けられており、ドレイン３ａは配管４と、ドレイン
３ｂは配管５とそれぞれ接続されている。

【００５５】さらに、配管４は、異物を除去する図示し
ないフィルタを介して、洗浄装置２に設けられた薬液を
貯める薬液槽６と接続され、配管５は、廃液として処理
される処理槽（図示せず）接続されている。

【００５６】また、ドレイン３ａ，３ｂには、電磁弁な
どの図示しない開閉弁が設けられ、使用後の薬液を回収
する場合はドレイン３ａの開閉弁を開くことによって薬
液槽６に回収を行い、その他はドレイン３ｂの開閉弁を
開けることにより廃液として処理を行う。

【００５７】また、洗浄装置２には、薬液槽６の底部近
傍に配管１０が設けられ、この配管１０の所定の位置に
は薬液を絶えず循環させるためのポンプ１１、薬液中の
異物を除去するフィルタ１２および薬液の濃度をモニタ
する、たとえば、ｐＨセンサなどの濃度モニタ１３が設
けられている。

【００５８】さらに、洗浄装置２は、半導体ウエハ１の
洗浄時に薬液槽６内の薬液を噴射させるポンプ１４が設
けられ、薬液槽６に接続された配管１５を介して先端部
のノズル１５ａから薬液が噴射されるようになってい
る。

【００５９】また、配管１５にも、薬液中の異物を除去
するフィルタ１６、薬液の供給量を制限する、たとえ
ば、電磁弁などのバルブ（流量制限手段）１７ａ、バル
ブ（流量制限手段）１８ａが設けられている。

【００６０】そして、洗浄装置２には、バルブ１７ａ，
１８ａなどの洗浄装置２の全ての制御を司る洗浄制御手
段２９が設けれられている。

【００６１】この洗浄制御手段２９は、濃度モニタ１３
から出力される信号に基づいて薬液濃度値を演算する濃
度演算部（濃度演算手段）３０、薬液および純水の流量
を制限するバルブ１７ａ，１８ａにおける開閉の制御を
行うバルブ制御部（流量制御手段）２１ａ、バルブ制御
部（流量制御手段）２２ａならびに最適な洗浄時間を決
定ならびに洗浄装置２における全ての制御を司る中央処
理部（処理制御手段）３１によって構成されている。

【００６２】次に、本実施例の作用について説明する。

【００６３】まず、半導体ウエハ１の洗浄前は、バルブ
１７は開けられた状態となり、バルブ１８は閉じられた
状態となっており、ポンプ１４が動作を行っているので
薬液が薬液槽６内を循環している。また、ポンプ１１も
同時に動作しており、薬液は絶えず薬液槽６内を循環し
た状態となっている。

【００６４】そして、半導体ウエハ１がステージに搭載
され、ステージを回転させると、半導体ウエハ１の洗浄
前に、洗浄制御手段２９における濃度演算部３０が、濃
度モニタ１３から出力される信号に基づいて薬液濃度値
の演算を行い、その演算結果を中央処理部３１に出力す
る。

【００６５】次に、中央処理部３１は、その演算結果に
基づいて、その薬液濃度に最適な洗浄時間を自動的に算
出し、バルブ制御部２２ａに制御信号を出力してバルブ
１８ａを開け、同じくバルブ制御部２１ａに制御信号を
出力してバルブ１７ａを閉じることによってノズル１５
ａから薬液を半導体ウエハ１に噴射して洗浄を行う。

【００６６】この時、ドレイン３ａに設けられた開閉弁
は開けられ、薬液は薬液槽６に回収されている。その
後、洗浄が終了すると純水によるリンスが行われ、乾燥
工程により半導体ウエハ１の乾燥が行われる。

【００６７】また、リンス中の純水はドレイン３ｂの開
閉弁を開けることによって廃液として処理を行う。

【００６８】それにより、本実施例２では、洗浄制御手
段２９によって、薬液槽６内の薬液濃度が変動しても、
その薬液濃度に最適な洗浄時間を自動的に算出して洗浄
を行うことができ、洗浄効果を一定にすることができ
る。

【００６９】また、薬液の濃度変動に係わらず洗浄効果
が均一に保つことができるので、薬液槽６内の薬液の濃
度変化による薬液の廃棄が不要となり、薬液に掛かるコ
ストを大幅に削減することもできる。

【００７０】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００７１】たとえば、前記実施例１、２においては、
半導体ウエハの洗浄装置について記載したが、洗浄装置
以外の半導体製造装置でもよく、半導体ウエハをエッチ
ングするウエットエッチング装置などの薬液濃度の安定
化が重要な半導体製造装置に用いることにより、良好な
半導体装置を製造することができる。

【００７２】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００７３】（１）本発明によれば、薬液槽内の薬液濃
度をモニタして、薬液濃度を上げる第１の液体または薬
液濃度を下げる第２の液体を供給して薬液濃度を自動的
に絶えず一定に保つので、薬液濃度の変動および薬液の
劣化を防止することができる。

【００７４】（２）また、本発明では、液槽内の薬液濃
度が変動しても、自動的に変動した薬液濃度に最適な処
理時間によって被処理物の処理を行うことができる。

【００７５】（３）さらに、本発明においては、上記
（１），（２）により、薬液の交換が不要となり、コス
トを大幅に下げることができ、半導体装置の品質を向上
させることもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１による洗浄装置の構成説明図
である。

【図２】本発明の実施例１による洗浄薬液濃度制御部の
ブロック図である。

【図３】本発明の実施例２による洗浄装置の構成説明図
である。

【図４】本発明の実施例２による洗浄制御手段のブロッ
ク図である。

【符号の説明】

１半導体ウエハ（被処理物）２洗浄装置（半導体製造装置）３カップ３ａドレイン３ｂドレイン４配管５配管６薬液槽７ヒータ（加熱手段）８配管８ａバルブ（第１の流量制限手段）９配管９ａバルブ（第２の流量制限手段）１０配管１１ポンプ１２フィルタ１３濃度モニタ（検知手段）１４ポンプ１５配管１５ａノズル１６フィルタ１７バルブ１７ａバルブ（流量制限手段）１８バルブ１８ａバルブ（流量制限手段）１９洗浄薬液濃度制御部２０濃度演算部（演算手段）２１バルブ制御部（流量制限手段）２１ａバルブ制御部（流量制限手段）２２バルブ制御部（流量制限手段）２２ａバルブ制御部（流量制御手段）２３入力部２４記憶部２５表示制御部２６表示器２７ヒータ制御部（加熱制御手段）２８中央処理部（濃度制御手段）２９洗浄制御手段３０濃度演算部（濃度演算手段）３１中央処理部（処理制御手段）ＮＫ１濃度検知手段ＮＣ１濃度制御手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者佐藤一夫東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者小野基子東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者秋森博子東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者神保智子東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者今村雪乃東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センタ内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】薬液を用いて被処理物の処理を行う半導
体製造装置であって、薬液を貯蔵する薬液槽内の薬液濃
度の検出を行う濃度検出手段と、前記濃度検出手段によ
り検出された薬液濃度が規定の薬液濃度であるか否かの
判断を行い、前記薬液槽内の薬液濃度を一定に制御する
濃度制御手段とを設けたことを特徴とする半導体製造装
置。
【請求項２】請求項１記載の半導体製造装置におい
て、前記濃度検出手段が、前記薬液槽内の薬液濃度を検
知する検知手段と、前記検知手段から出力された信号に
基づいて薬液濃度値を演算する演算手段とよりなり、前
記濃度制御手段が、前記薬液槽に供給される薬液濃度を
上げる第１の液体の流量を制限する第１の流量制限手段
と、前記薬液槽に供給される薬液濃度を下げる第２の液
体の流量を制限する第２の流量制限手段と、前記演算手
段から出力された薬液濃度値と規定の薬液濃度値との比
較を行い、所定の制御信号を出力する濃度制御手段と、
前記濃度制御手段から出力された制御信号に基づいて前
記第１の流量制限手段および前記第２の流量制限手段の
制御を行う流量制御手段とよりなることを特徴とする半
導体製造装置。
【請求項３】請求項２記載の半導体製造装置におい
て、前記濃度制御手段に、前記薬液槽の薬液を加熱する
加熱手段と、前記濃度制御手段から出力された制御信号
に基づいて前記加熱手段の制御を行う加熱制御手段とを
設けたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項４】薬液を用いて被処理物の処理を行う半導
体製造装置であって、薬液を貯める薬液槽内の薬液濃度
を検知する濃度検知手段と、前記濃度検知手段から出力
された信号に基づいて薬液の濃度を演算する濃度演算手
段と、前記濃度演算手段から出力された演算結果に基づ
き前記被処理物の処理時間を自動的に設定する処理制御
手段と、前記被処理物に噴射する薬品の流量を制限する
流量制限手段と、前記処理制御装置から出力される制御
信号に基づいて前記流量制限手段の制御を行う流量制御
手段とを設けたことを特徴とする半導体製造装置。