JPH0946148A - 電力増幅器 - Google Patents
電力増幅器Info
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- JPH0946148A JPH0946148A JP19364395A JP19364395A JPH0946148A JP H0946148 A JPH0946148 A JP H0946148A JP 19364395 A JP19364395 A JP 19364395A JP 19364395 A JP19364395 A JP 19364395A JP H0946148 A JPH0946148 A JP H0946148A
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- Microwave Amplifiers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 携帯電話装置等の電力増幅器において、電力
効率を高くする。 【解決手段】 入力端子Ｐｉｎからの入力信号は、コン
デンサ２１で直流分がカットされ、インダクタ２２，コ
ンデンサ２３，２４の入力インピーダンス整合回路を介
してＦＥＴ２５のゲートに与えられる。ＦＥＴ２５のゲ
ートは分割抵抗２６，２７でバイアスされ、ＦＥＴ２５
のドレインは、チョークインダクタ３１を介して電源に
接続されている。ＦＥＴ２５が増幅を行い、出力信号が
ドレインから、インダクタ３２，コンデンサ３４，２５
の出力インピーダンス整合回路とコンデンサ３６を介し
て出力端子Ｐｏｕｔに与えられる。ここで、インダクタ
３２には、直列共振回路４０，４１が接続されている。
各直列共振回路４０，４１の共振周波数によって、出力
信号中の主周波数の２倍高調波成分が深く減衰する。
効率を高くする。 【解決手段】 入力端子Ｐｉｎからの入力信号は、コン
デンサ２１で直流分がカットされ、インダクタ２２，コ
ンデンサ２３，２４の入力インピーダンス整合回路を介
してＦＥＴ２５のゲートに与えられる。ＦＥＴ２５のゲ
ートは分割抵抗２６，２７でバイアスされ、ＦＥＴ２５
のドレインは、チョークインダクタ３１を介して電源に
接続されている。ＦＥＴ２５が増幅を行い、出力信号が
ドレインから、インダクタ３２，コンデンサ３４，２５
の出力インピーダンス整合回路とコンデンサ３６を介し
て出力端子Ｐｏｕｔに与えられる。ここで、インダクタ
３２には、直列共振回路４０，４１が接続されている。
各直列共振回路４０，４１の共振周波数によって、出力
信号中の主周波数の２倍高調波成分が深く減衰する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＥＬ（Cellula
r）携帯電話装置等に搭載される電力増幅器に関するも
のである。
r）携帯電話装置等に搭載される電力増幅器に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来の電力増幅器を示す回路図
であり、多段電力増幅器の終端電界効果トランジスタ
（以下、ＦＥＴという）が示されている。入力端子Ｐｉ
ｎには直流阻止用コンデンサ１が接続され、コンデンサ
１の出力側が、インダクタ２に接続されている。インダ
クタ２は、２個のコンデンサ３，４を介して接地されて
いる。インダクタ２の出力側は、終端ＦＥＴ５のゲート
に接続されている。各コンデンサ３，４及びインダクタ
２は、ＦＥＴ５の入力インピーダンスを５０Ωに設定す
る入力インピーダンス整合回路を構成している。ＦＥＴ
５のゲートには、２個の分割抵抗６，７で設定されるバ
イアス電圧が、抵抗８を介して入力される構成である。
つまり、負の電源電圧−Ｖｇと接地間に２つの抵抗６，
７が直列に接続され、抵抗６，７の接続点がダンピング
用の抵抗８を介してＦＥＴ５のゲートに接続されてい
る。抵抗６の電源電圧−Ｖｇ側は、バイパスコンデンサ
９を介して接地され、それら抵抗６，７の接続点は、バ
イパスコンデンサ１０を介して接地されている。ＦＥＴ
５のソースは接地され、このＦＥＴ５のドレインがチョ
ークインダクタ１１を介して電源電圧Ｖｄに接続される
と共に、インダクタ１２に接続されている。インダクタ
１１の電源電圧側は、バイパスコンデンサ１３を介して
接地されている。インダクタ１２は、２個のコンデンサ
１４，１５を介して接地されている。これらインダクタ
１２及びコンデンサ１４，１５は、ＦＥＴ５の出力イン
ピーダンス整合回路を構成する。インダクタ１２の出力
側が、直流阻止用コンデンサ１６を介して出力端子Ｐｏ
ｕｔに接続されている。入力インピーダンス整合回路及
び出力インピーダンス整合回路が、ＦＥＴ５に対するイ
ンピーダンス整合を行い、ＦＥＴ５が入力信号の電力増
幅を行なう。電力増幅器の最も重要な性能である消費電
力（電力効率）は、ＦＥＴ５の能力によって、決定され
る。
であり、多段電力増幅器の終端電界効果トランジスタ
（以下、ＦＥＴという）が示されている。入力端子Ｐｉ
ｎには直流阻止用コンデンサ１が接続され、コンデンサ
１の出力側が、インダクタ２に接続されている。インダ
クタ２は、２個のコンデンサ３，４を介して接地されて
いる。インダクタ２の出力側は、終端ＦＥＴ５のゲート
に接続されている。各コンデンサ３，４及びインダクタ
２は、ＦＥＴ５の入力インピーダンスを５０Ωに設定す
る入力インピーダンス整合回路を構成している。ＦＥＴ
５のゲートには、２個の分割抵抗６，７で設定されるバ
イアス電圧が、抵抗８を介して入力される構成である。
つまり、負の電源電圧−Ｖｇと接地間に２つの抵抗６，
７が直列に接続され、抵抗６，７の接続点がダンピング
用の抵抗８を介してＦＥＴ５のゲートに接続されてい
る。抵抗６の電源電圧−Ｖｇ側は、バイパスコンデンサ
９を介して接地され、それら抵抗６，７の接続点は、バ
イパスコンデンサ１０を介して接地されている。ＦＥＴ
５のソースは接地され、このＦＥＴ５のドレインがチョ
ークインダクタ１１を介して電源電圧Ｖｄに接続される
と共に、インダクタ１２に接続されている。インダクタ
１１の電源電圧側は、バイパスコンデンサ１３を介して
接地されている。インダクタ１２は、２個のコンデンサ
１４，１５を介して接地されている。これらインダクタ
１２及びコンデンサ１４，１５は、ＦＥＴ５の出力イン
ピーダンス整合回路を構成する。インダクタ１２の出力
側が、直流阻止用コンデンサ１６を介して出力端子Ｐｏ
ｕｔに接続されている。入力インピーダンス整合回路及
び出力インピーダンス整合回路が、ＦＥＴ５に対するイ
ンピーダンス整合を行い、ＦＥＴ５が入力信号の電力増
幅を行なう。電力増幅器の最も重要な性能である消費電
力（電力効率）は、ＦＥＴ５の能力によって、決定され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電力増幅器では、次のような課題があった。ＦＥＴ５の
出力となるドレイン電流には、主周波数成分の他に高調
波成分がのる。この高調波成分によって、電力増幅器の
電力効率が十分に上がらない。また、例えば、複数のＦ
ＥＴを用いて多段増幅器を構成したり、リニアアンプを
構成する場合、その消費電力の総合効率は、各ＦＥＴ５
のドレイン効率に依存する。そのため、単純にインダク
タやコンデンサのみで、図２のような入出力インピーダ
ンス整合回路や段間結合回路を構成しても、高出力かつ
高効率の要求される電力増幅器の性能を満足するものが
得られなかった。
電力増幅器では、次のような課題があった。ＦＥＴ５の
出力となるドレイン電流には、主周波数成分の他に高調
波成分がのる。この高調波成分によって、電力増幅器の
電力効率が十分に上がらない。また、例えば、複数のＦ
ＥＴを用いて多段増幅器を構成したり、リニアアンプを
構成する場合、その消費電力の総合効率は、各ＦＥＴ５
のドレイン効率に依存する。そのため、単純にインダク
タやコンデンサのみで、図２のような入出力インピーダ
ンス整合回路や段間結合回路を構成しても、高出力かつ
高効率の要求される電力増幅器の性能を満足するものが
得られなかった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、前記課題
を解決するために、ソース接地型ＦＥＴを用いて入力信
号の増幅を行なう電力増幅器において、前記ＦＥＴのド
レイン出力負荷回路と接地間に接続され、該ＦＥＴの出
力の奇数次高調波成分或いは偶数次高調波成分に対応す
る共振周波数を有してそれら奇数次高調波成分或いは偶
数次高調波成分を減衰させる直列共振回路を備えてい
る。第２の発明は、多段接続されたソース接地型ＦＥＴ
を用いて入力信号の増幅を行なう電力増幅器において、
前記多段接続のＦＥＴのうち一つ以上は、ドレイン出力
負荷回路と接地間に、該各ＦＥＴの出力の奇数次高調波
成分或いは偶数次高調波成分に対応する共振周波数を有
してそれら奇数次高調波成分或いは偶数次高調波成分を
減衰させる直列共振回路を備えた構成にしている。第１
の発明によれば、以上のように電力増幅器を構成したの
で、ソース接地型ＦＥＴが入力信号の増幅を行なうが、
直列共振回路が、ＦＥＴの出力中の奇数次高調波成分或
いは偶数次高調波成分を減衰させる。第２の発明によれ
ば、多段接続されたソース接地型ＦＥＴは、入力信号の
増幅を行なうが、ドレイン出力負荷回路に直列共振回路
を設けたＦＥＴでは、出力信号中の奇数次高調波成分或
いは偶数次高調波成分が、その直列共振回路によってが
減衰する。即ち、次段入力に対して、それら奇数次高調
波成分或いは偶数次高調波成分が影響を与えない。従っ
て、前記課題を解決できるのである。
を解決するために、ソース接地型ＦＥＴを用いて入力信
号の増幅を行なう電力増幅器において、前記ＦＥＴのド
レイン出力負荷回路と接地間に接続され、該ＦＥＴの出
力の奇数次高調波成分或いは偶数次高調波成分に対応す
る共振周波数を有してそれら奇数次高調波成分或いは偶
数次高調波成分を減衰させる直列共振回路を備えてい
る。第２の発明は、多段接続されたソース接地型ＦＥＴ
を用いて入力信号の増幅を行なう電力増幅器において、
前記多段接続のＦＥＴのうち一つ以上は、ドレイン出力
負荷回路と接地間に、該各ＦＥＴの出力の奇数次高調波
成分或いは偶数次高調波成分に対応する共振周波数を有
してそれら奇数次高調波成分或いは偶数次高調波成分を
減衰させる直列共振回路を備えた構成にしている。第１
の発明によれば、以上のように電力増幅器を構成したの
で、ソース接地型ＦＥＴが入力信号の増幅を行なうが、
直列共振回路が、ＦＥＴの出力中の奇数次高調波成分或
いは偶数次高調波成分を減衰させる。第２の発明によれ
ば、多段接続されたソース接地型ＦＥＴは、入力信号の
増幅を行なうが、ドレイン出力負荷回路に直列共振回路
を設けたＦＥＴでは、出力信号中の奇数次高調波成分或
いは偶数次高調波成分が、その直列共振回路によってが
減衰する。即ち、次段入力に対して、それら奇数次高調
波成分或いは偶数次高調波成分が影響を与えない。従っ
て、前記課題を解決できるのである。
【０００５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施形態を示す
電力増幅器の回路図である。この電力増幅器は、入力端
子Ｐｉｎに接続された直流阻止用コンデンサ２１を備え
ている。コンデンサ２１の出力側が、インダクタ２２に
接続されている。インダクタ２２は、２個のコンデンサ
２３，２４を介して接地されている。インダクタ２２の
出力側は、ＦＥＴ２５のゲートに接続されている。各コ
ンデンサ２３，２４及びインダクタ２２は、ＦＥＴ２５
の入力インピーダンスを５０Ωに設定する入力インピー
ダンス整合回路を構成している。ＦＥＴ２５のゲートに
は、２個の分割抵抗２６，２７で設定されるバイアス電
圧が、抵抗２８を介して入力される構成である。つま
り、負の電源電圧−Ｖｇと接地間に２つの抵抗２６，２
７が直列に接続され、各抵抗２６，２７の接続点がダン
ピング用の抵抗２８を介してＦＥＴ２５のゲートに接続
されている。抵抗２６の電源電圧−Ｖｇ側は、バイパス
コンデンサ２９を介して接地され、２個の抵抗２６，２
７の接続点は、バイパスコンデンサ３０を介して接地さ
れている。ＦＥＴ２５のソースは接地され、このＦＥＴ
２５のドレインがチョークインダクタ３１を介して電源
電圧Ｖｄに接続されると共に、インダクタ３２に接続さ
れている。インダクタ３１の電源電圧側は、バイパスコ
ンデンサ３３を介して接地されている。インダクタ３２
は、２個のコンデンサ３４，３５を介して接地されてい
る。これらインダクタ３２及びコンデンサ３４，３５
は、ＦＥＴ２５のドレイン出力負荷回路であり、次段回
路に対する出力インピーダンス整合回路になっている。
インダクタ３２の出力側が、直流阻止用コンデンサ３６
を介して出力端子Ｐｏｕｔに接続されている。本実施形
態の電力増幅器では、さらに、その出力負荷回路に２系
統の直列共振回路４０，４１を設けている。
電力増幅器の回路図である。この電力増幅器は、入力端
子Ｐｉｎに接続された直流阻止用コンデンサ２１を備え
ている。コンデンサ２１の出力側が、インダクタ２２に
接続されている。インダクタ２２は、２個のコンデンサ
２３，２４を介して接地されている。インダクタ２２の
出力側は、ＦＥＴ２５のゲートに接続されている。各コ
ンデンサ２３，２４及びインダクタ２２は、ＦＥＴ２５
の入力インピーダンスを５０Ωに設定する入力インピー
ダンス整合回路を構成している。ＦＥＴ２５のゲートに
は、２個の分割抵抗２６，２７で設定されるバイアス電
圧が、抵抗２８を介して入力される構成である。つま
り、負の電源電圧−Ｖｇと接地間に２つの抵抗２６，２
７が直列に接続され、各抵抗２６，２７の接続点がダン
ピング用の抵抗２８を介してＦＥＴ２５のゲートに接続
されている。抵抗２６の電源電圧−Ｖｇ側は、バイパス
コンデンサ２９を介して接地され、２個の抵抗２６，２
７の接続点は、バイパスコンデンサ３０を介して接地さ
れている。ＦＥＴ２５のソースは接地され、このＦＥＴ
２５のドレインがチョークインダクタ３１を介して電源
電圧Ｖｄに接続されると共に、インダクタ３２に接続さ
れている。インダクタ３１の電源電圧側は、バイパスコ
ンデンサ３３を介して接地されている。インダクタ３２
は、２個のコンデンサ３４，３５を介して接地されてい
る。これらインダクタ３２及びコンデンサ３４，３５
は、ＦＥＴ２５のドレイン出力負荷回路であり、次段回
路に対する出力インピーダンス整合回路になっている。
インダクタ３２の出力側が、直流阻止用コンデンサ３６
を介して出力端子Ｐｏｕｔに接続されている。本実施形
態の電力増幅器では、さらに、その出力負荷回路に２系
統の直列共振回路４０，４１を設けている。
【０００６】直列共振回路４０は、インダクタ３２に一
端の接続されたインダクタ４０ａと、インダクタ４０ａ
の他端に一方の電極が接続されたコンデンサ４０ｂと
を、備えている。コンデンサ４０ｂの他方の電極が、接
地されている。インダクタ４０ａのインダクタンスＬ40
とコンデンサ４０ｂのキャパシタンスＣ40の設定は、直
列共振回路４０の共振周波数が、ＦＥＴ２５の出力信号
中の主周波数成分における２倍高調波成分の周波数に対
応するように設定されている。また、直列共振回路４１
は、インダクタ３２に一端の接続されたインダクタ４１
ａと、インダクタ４１ａの他端に一方の電極が接続され
たコンデンサ４１ｂとを、備えている。コンデンサ４１
ｂの他方の電極が、接地されている。インダクタ４１ａ
のインダクタンスＬ41とコンデンサ４１ｂのキャパシタ
ンスＣ41の設定も、直列共振回路４１の共振周波数が、
ＦＥＴ２５の出力信号中の主周波数成分における２倍高
調波成分の周波数に対応するように設定されている。２
系統の直列共振回路４０，４１は、ＦＥＴ２６のドレイ
ン出力端子からλg ／４（λg ；管内波長）離れた位置
に共に配置されている。次に、図１の電力増幅器の動作
を説明する。
端の接続されたインダクタ４０ａと、インダクタ４０ａ
の他端に一方の電極が接続されたコンデンサ４０ｂと
を、備えている。コンデンサ４０ｂの他方の電極が、接
地されている。インダクタ４０ａのインダクタンスＬ40
とコンデンサ４０ｂのキャパシタンスＣ40の設定は、直
列共振回路４０の共振周波数が、ＦＥＴ２５の出力信号
中の主周波数成分における２倍高調波成分の周波数に対
応するように設定されている。また、直列共振回路４１
は、インダクタ３２に一端の接続されたインダクタ４１
ａと、インダクタ４１ａの他端に一方の電極が接続され
たコンデンサ４１ｂとを、備えている。コンデンサ４１
ｂの他方の電極が、接地されている。インダクタ４１ａ
のインダクタンスＬ41とコンデンサ４１ｂのキャパシタ
ンスＣ41の設定も、直列共振回路４１の共振周波数が、
ＦＥＴ２５の出力信号中の主周波数成分における２倍高
調波成分の周波数に対応するように設定されている。２
系統の直列共振回路４０，４１は、ＦＥＴ２６のドレイ
ン出力端子からλg ／４（λg ；管内波長）離れた位置
に共に配置されている。次に、図１の電力増幅器の動作
を説明する。
【０００７】入力端子Ｐｉｎから入力された入力信号の
直流分がコンデンサ２１でカットされ、入力インピーダ
ンス整合回路を介してＦＥＴ２５のゲートに与えられ
る。ＦＥＴ２５において、ゲートは抵抗２６，２７によ
って負の電源電圧−Ｖｇ側にバイアスされ、ドレインは
電源電圧Ｖｄ側にバイアスされている。これらにより、
出力電力と電力効率ののバランスが調整されている。Ｆ
ＥＴ２５がそのゲートに与えられた信号の増幅を行な
い、ドレインから出力する。ドレインからの出力信号
は、出力インピーダンス整合回路及びコンデンサ３６を
介して出力端子Ｐｏｕｔから出力される。出力信号は、
出力インピーダンス整合回路を通過する途中、直列共振
回路４０，４１の配置された地点を通過する。各直列共
振回路４０，４１は、出力信号中のその共振周波数に対
応する成分に対してそれぞれ減衰を与える。
直流分がコンデンサ２１でカットされ、入力インピーダ
ンス整合回路を介してＦＥＴ２５のゲートに与えられ
る。ＦＥＴ２５において、ゲートは抵抗２６，２７によ
って負の電源電圧−Ｖｇ側にバイアスされ、ドレインは
電源電圧Ｖｄ側にバイアスされている。これらにより、
出力電力と電力効率ののバランスが調整されている。Ｆ
ＥＴ２５がそのゲートに与えられた信号の増幅を行な
い、ドレインから出力する。ドレインからの出力信号
は、出力インピーダンス整合回路及びコンデンサ３６を
介して出力端子Ｐｏｕｔから出力される。出力信号は、
出力インピーダンス整合回路を通過する途中、直列共振
回路４０，４１の配置された地点を通過する。各直列共
振回路４０，４１は、出力信号中のその共振周波数に対
応する成分に対してそれぞれ減衰を与える。
【０００８】図３及び図４は、図１の伝送特性をシミュ
レーションした結果（その１，２）を示す図である。電
力増幅器に直列共振回路４０，４１を設けることで、そ
れら直列共振回路４０，４１の共振周波数に対応する出
力信号中の成分が減衰する。図３のシミュレーションで
は、直列共振回路４０を１系統のみ配置した場合のシミ
ュレーション結果であり、図４は２系統の直列共振回路
４０，４１を配置した場合のシミュレーション結果であ
る。各図３，４中のＭ２で示された部分のレベルが、直
列共振回路４０，４１の共振周波数におけるレベルであ
り、図３では約−６６ｄＢであるのに対し、図４では約
−７２ｄＢとなっている。即ち、２系統で直列共振回路
を構成することで、２倍高調波成分に対して、１系統の
場合よりも−６ｄＢ深く減衰を与えることができる。以
上のように、本実施形態では、増幅用のＦＥＴ２５のド
レインに接続された出力負荷回路に、直列共振回路４
０，４１を設け、ＦＥＴ２５の出力信号の２倍高調波成
分に対して、深い減衰を与えている。これにより、ＦＥ
Ｔ２５におけるドレイン・ソース間電流Ｉｄｓを抑える
ことが可能となり、電力増幅器の効率を改善できる。
レーションした結果（その１，２）を示す図である。電
力増幅器に直列共振回路４０，４１を設けることで、そ
れら直列共振回路４０，４１の共振周波数に対応する出
力信号中の成分が減衰する。図３のシミュレーションで
は、直列共振回路４０を１系統のみ配置した場合のシミ
ュレーション結果であり、図４は２系統の直列共振回路
４０，４１を配置した場合のシミュレーション結果であ
る。各図３，４中のＭ２で示された部分のレベルが、直
列共振回路４０，４１の共振周波数におけるレベルであ
り、図３では約−６６ｄＢであるのに対し、図４では約
−７２ｄＢとなっている。即ち、２系統で直列共振回路
を構成することで、２倍高調波成分に対して、１系統の
場合よりも−６ｄＢ深く減衰を与えることができる。以
上のように、本実施形態では、増幅用のＦＥＴ２５のド
レインに接続された出力負荷回路に、直列共振回路４
０，４１を設け、ＦＥＴ２５の出力信号の２倍高調波成
分に対して、深い減衰を与えている。これにより、ＦＥ
Ｔ２５におけるドレイン・ソース間電流Ｉｄｓを抑える
ことが可能となり、電力増幅器の効率を改善できる。
【０００９】図５は、図１の入出力電力特性を示す図で
あり、図６は、図２の入出力電力特性を示す図である。
電力増幅器の効率の改善は、図５及び図６におけるドレ
イン・ソース間電流Ｉｄｓを比較することで、はっきり
わかる。例えば、出力信号のパワーＰが３０ｄＢｍの点
の電流Ｉｄｓを比較すると、直列共振回路を有した図１
の電力増幅器の電流が５２０ｍＡであるのに対して、図
２の電力増幅器では、５７０ｍＡとなる。つまり、５０
ｍＡの差がある。また、共振周波数を用いて、高調波成
分を減衰させる回路を、並列共振回路出なく、インダク
タとコンデンサの直列共振回路にしているので、出力信
号における主周波数帯域の信号の減衰を、最小限にする
ことができる。なお、本発明は、上記実施形態に限定さ
れず種々の変形が可能である。その変形例としては、例
えば次のようなものがある。
あり、図６は、図２の入出力電力特性を示す図である。
電力増幅器の効率の改善は、図５及び図６におけるドレ
イン・ソース間電流Ｉｄｓを比較することで、はっきり
わかる。例えば、出力信号のパワーＰが３０ｄＢｍの点
の電流Ｉｄｓを比較すると、直列共振回路を有した図１
の電力増幅器の電流が５２０ｍＡであるのに対して、図
２の電力増幅器では、５７０ｍＡとなる。つまり、５０
ｍＡの差がある。また、共振周波数を用いて、高調波成
分を減衰させる回路を、並列共振回路出なく、インダク
タとコンデンサの直列共振回路にしているので、出力信
号における主周波数帯域の信号の減衰を、最小限にする
ことができる。なお、本発明は、上記実施形態に限定さ
れず種々の変形が可能である。その変形例としては、例
えば次のようなものがある。
【００１０】（１） 上記実施形態では、ＦＥＴ２５が
１段の電力増幅器であるが、ＦＥＴ２５を複数用いて多
段ＦＥＴ増幅器を構成してもよい。この場合、段間のＦ
ＥＴの出力負荷回路或いは最終段ＦＥＴの出力負荷回路
に直列共振回路を接続することで、次段のＦＥＴ或いは
回路へ入力される高調波成分が減衰し、高出力で高効率
の電力増幅器が実現できる。 （２） 各直列共振回路４０，４１は、出力信号の２倍
高調波の周波数に対応する共振周波数を有しているが、
他の奇数次又は偶数次の高調波の周波数に対応する共振
周波数を有した直列共振回路を追加して設けると、上記
実施形態よりもさらに、総合効率を高めることが期待で
きる。
１段の電力増幅器であるが、ＦＥＴ２５を複数用いて多
段ＦＥＴ増幅器を構成してもよい。この場合、段間のＦ
ＥＴの出力負荷回路或いは最終段ＦＥＴの出力負荷回路
に直列共振回路を接続することで、次段のＦＥＴ或いは
回路へ入力される高調波成分が減衰し、高出力で高効率
の電力増幅器が実現できる。 （２） 各直列共振回路４０，４１は、出力信号の２倍
高調波の周波数に対応する共振周波数を有しているが、
他の奇数次又は偶数次の高調波の周波数に対応する共振
周波数を有した直列共振回路を追加して設けると、上記
実施形態よりもさらに、総合効率を高めることが期待で
きる。
【００１１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１の発明
によれば、ＦＥＴのドレイン出力負荷回路と接地間に、
該ＦＥＴの出力の奇数次高調波成分或いは偶数次高調波
成分に対応する共振周波数を有し、それら奇数次高調波
成分或いは偶数次高調波成分を減衰させる直列共振回路
を備えている。そのため、ＦＥＴの出力信号における主
周波数帯域の信号の減衰を最小限にして、高調波成分に
対して深い減衰を与えることができる。よって、ＦＥＴ
におけるドレイン・ソース間電流を抑えることが可能と
なり、電力増幅器の効率を改善できる。第２の発明によ
れば、多段接続のＦＥＴのうち一つ以上は、ドレイン出
力負荷回路と接地間に、該各電界効果トランジスタの出
力の奇数次高調波成分或いは偶数次高調波成分に対応す
る共振周波数を有し、それら奇数次高調波成分或いは偶
数次高調波成分を減衰させる直列共振回路を備えてい
る。そのため、段間あるい最終段で、出力信号中の高調
波成分に対して深い減衰を与えることができ、電力増幅
器の効率を改善できる。
によれば、ＦＥＴのドレイン出力負荷回路と接地間に、
該ＦＥＴの出力の奇数次高調波成分或いは偶数次高調波
成分に対応する共振周波数を有し、それら奇数次高調波
成分或いは偶数次高調波成分を減衰させる直列共振回路
を備えている。そのため、ＦＥＴの出力信号における主
周波数帯域の信号の減衰を最小限にして、高調波成分に
対して深い減衰を与えることができる。よって、ＦＥＴ
におけるドレイン・ソース間電流を抑えることが可能と
なり、電力増幅器の効率を改善できる。第２の発明によ
れば、多段接続のＦＥＴのうち一つ以上は、ドレイン出
力負荷回路と接地間に、該各電界効果トランジスタの出
力の奇数次高調波成分或いは偶数次高調波成分に対応す
る共振周波数を有し、それら奇数次高調波成分或いは偶
数次高調波成分を減衰させる直列共振回路を備えてい
る。そのため、段間あるい最終段で、出力信号中の高調
波成分に対して深い減衰を与えることができ、電力増幅
器の効率を改善できる。
【図１】本発明の実施形態を示す電力増幅器の回路図で
ある。
ある。
【図２】従来の電力増幅器を示す回路図である。
【図３】図１の伝送特性をシミュレーションした結果
（その１）を示す図である。
（その１）を示す図である。
【図４】図１の伝送特性をシミュレーションした結果
（その２）を示す図である。
（その２）を示す図である。
【図５】図１の入出力電力特性を示す図である。
【図６】図２の入出力電力特性を示す図である。
２１，３６ 直流遮断用コンデンサ ２２，３１，３２ インダクタ ２３，２４，３４，３５ コンデンサ ２５ ＦＥＴ ２６，２７ 分割抵抗 ２８ ダンピング抵抗 ３０，３３ バイパスコンデンサ ４０，４１ 直列共振回路
Claims (2)
- 【請求項１】 ソース接地型電界効果トランジスタを用
いて入力信号の増幅を行なう電力増幅器において、前記
電界効果トランジスタのドレイン出力負荷回路と接地間
に接続され、該電界効果トランジスタの出力の奇数次高
調波成分或いは偶数次高調波成分に対応する共振周波数
を有してそれら奇数次高調波成分或いは偶数次高調波成
分を減衰させる直列共振回路を備えた電力増幅器。 - 【請求項２】 多段接続されたソース接地型電界効果ト
ランジスタを用いて入力信号の増幅を行なう電力増幅器
において、前記多段接続の電界効果トランジスタのうち
一つ以上は、ドレイン出力負荷回路と接地間に、該各電
界効果トランジスタの出力の奇数次高調波成分或いは偶
数次高調波成分に対応する共振周波数を有してそれら奇
数次高調波成分或いは偶数次高調波成分を減衰させる直
列共振回路を備えた構成にしたことを特徴とする電力増
幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19364395A JPH0946148A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 電力増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19364395A JPH0946148A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 電力増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0946148A true JPH0946148A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16311361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19364395A Withdrawn JPH0946148A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 電力増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0946148A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0895342A2 (en) * | 1997-07-31 | 1999-02-03 | Sawafuji Electric Co., Ltd. | A control circuit for vibrating compressors |
| JP2004112160A (ja) * | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Hitachi Metals Ltd | 高周波回路 |
| US7567128B2 (en) | 2006-05-11 | 2009-07-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Power amplifier suppressing radiation of second harmonic over wide frequency band |
| CN101882913A (zh) * | 2010-04-30 | 2010-11-10 | 苏州英诺迅科技有限公司 | 提高功率放大器线性度和功率附加效率的电路 |
| CN101888214A (zh) * | 2010-04-30 | 2010-11-17 | 苏州英诺迅科技有限公司 | 效率和线性度提高的Cascode功率放大器 |
| US20120056487A1 (en) * | 2010-09-02 | 2012-03-08 | Jin Sung Choi | Power converter in resonance power transmission system, and resonance power transmission apparatus |
-
1995
- 1995-07-28 JP JP19364395A patent/JPH0946148A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0895342A2 (en) * | 1997-07-31 | 1999-02-03 | Sawafuji Electric Co., Ltd. | A control circuit for vibrating compressors |
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| US7567128B2 (en) | 2006-05-11 | 2009-07-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Power amplifier suppressing radiation of second harmonic over wide frequency band |
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| CN101888214A (zh) * | 2010-04-30 | 2010-11-17 | 苏州英诺迅科技有限公司 | 效率和线性度提高的Cascode功率放大器 |
| US20120056487A1 (en) * | 2010-09-02 | 2012-03-08 | Jin Sung Choi | Power converter in resonance power transmission system, and resonance power transmission apparatus |
| US9553456B2 (en) * | 2010-09-02 | 2017-01-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Power converter in resonance power transmission system, and resonance power transmission apparatus |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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