JPH0948672A - セラミックスラリーの調製法 - Google Patents
セラミックスラリーの調製法Info
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Landscapes
- Preparation Of Clay, And Manufacture Of Mixtures Containing Clay Or Cement (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】アルカリ土類金属を含有するセラミックスの水
系スラリーに対して,水中に溶出した金属イオンをブロ
ックし,良好なスラリー性状を長期に亘って 維持でき
る方法を提供する。 【解決手段】アルカリ土類金属を含有するセラミックス
の水系スラリーを調製するに際し、キレート剤、好まし
くはクエン酸を添加することを特徴とするセラミックス
ラリーの調製法。
系スラリーに対して,水中に溶出した金属イオンをブロ
ックし,良好なスラリー性状を長期に亘って 維持でき
る方法を提供する。 【解決手段】アルカリ土類金属を含有するセラミックス
の水系スラリーを調製するに際し、キレート剤、好まし
くはクエン酸を添加することを特徴とするセラミックス
ラリーの調製法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、水系セラミックス
ラリーの調製法に関する。
ラリーの調製法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般にセラミック粉体を水中に分散させ
る場合、セラミックス粉体の表面電荷を調整し、互いの
粉体粒子が電気的に反発し、凝集しないように分散剤を
加えてセラミックスラリーを調製している。分散剤とし
ては、アクリル酸系ポリマーが主に用いられており、ポ
リアクリル酸、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリア
クリル酸金属塩、アクリル酸−アクリル酸エステル共重
合体、アクリル酸メチル−アクリル酸共重合体の有機金
属塩及びアンモニウム塩が使用されている。
る場合、セラミックス粉体の表面電荷を調整し、互いの
粉体粒子が電気的に反発し、凝集しないように分散剤を
加えてセラミックスラリーを調製している。分散剤とし
ては、アクリル酸系ポリマーが主に用いられており、ポ
リアクリル酸、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリア
クリル酸金属塩、アクリル酸−アクリル酸エステル共重
合体、アクリル酸メチル−アクリル酸共重合体の有機金
属塩及びアンモニウム塩が使用されている。
【0003】しかしながら、マグネシア、カルシア、ア
ルミナ−マグネシアスピネル、コージライト、フォルス
テライト、タルク等のアルカリ土類金属含有するセラミ
ックに対しては、上記分散剤はほとんど効力を発揮しな
い。これは、アルカリ土類金属含有のセラミックスは、
他の酸化物セラミックスに比べ水に対する溶解度が高い
ため、金属イオンが水中に溶出し、通常使用される前記
の分散剤を阻害するためだと推測される。
ルミナ−マグネシアスピネル、コージライト、フォルス
テライト、タルク等のアルカリ土類金属含有するセラミ
ックに対しては、上記分散剤はほとんど効力を発揮しな
い。これは、アルカリ土類金属含有のセラミックスは、
他の酸化物セラミックスに比べ水に対する溶解度が高い
ため、金属イオンが水中に溶出し、通常使用される前記
の分散剤を阻害するためだと推測される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、既存の
上記問題点を解決する為鋭意研究を続けた結果、本発明
を完成したものであって、その目的とするところは、ア
ルカリ土類金属を含有するセラミックスの水系スラリー
を調整する方法を提供することある。
上記問題点を解決する為鋭意研究を続けた結果、本発明
を完成したものであって、その目的とするところは、ア
ルカリ土類金属を含有するセラミックスの水系スラリー
を調整する方法を提供することある。
【0005】
【課題を解決する為の手段】上述の目的は、アルカリ土
類金属を含有するセラミックスの水系スラリーを調製す
るに際し、キレート剤を添加することを特徴とするセラ
ミックスラリーの調製法によって達成される。更にキレ
ート剤としてクエン酸を用いることによりその効果は一
層顕著なものとなる。
類金属を含有するセラミックスの水系スラリーを調製す
るに際し、キレート剤を添加することを特徴とするセラ
ミックスラリーの調製法によって達成される。更にキレ
ート剤としてクエン酸を用いることによりその効果は一
層顕著なものとなる。
【0006】本発明において重要な点は、アルカリ土類
金属を含有するセラミックスを水に分散させた際、水中
に溶出した2価イオンを、添加したキレート剤が分散剤
に優先してブロックしたことにある。
金属を含有するセラミックスを水に分散させた際、水中
に溶出した2価イオンを、添加したキレート剤が分散剤
に優先してブロックしたことにある。
【0007】本発明においてキレート剤は、水中に溶出
しイオン化したアルカリ土類金属イオンをブロックする
ことにより、スラリーのpH、分散粒子のゼータ電位を
調整するものと推定される。その結果、良好なスラリー
性状が実現できる。特にアルカリ土類金属を含むセラミ
ックスは、水に対する溶解度が他のセラミックスに比べ
高いため、キレート剤の添加がより効果的である。
しイオン化したアルカリ土類金属イオンをブロックする
ことにより、スラリーのpH、分散粒子のゼータ電位を
調整するものと推定される。その結果、良好なスラリー
性状が実現できる。特にアルカリ土類金属を含むセラミ
ックスは、水に対する溶解度が他のセラミックスに比べ
高いため、キレート剤の添加がより効果的である。
【0008】キレート剤としては、アセチルアセトン、
アデニン、2−アミノエタノール、2−アミノエタンチ
オール、イミダゾール、エチルアミン、エチレンジアミ
ン、エチレンジアミンテトラアセテート、カテコール、
クエン酸、グリシルグリシン、グリシン、L−グルタミ
ン酸、酢酸、2・4ジアミノ酪酸、ジエチレントリアミ
ン、L−システイン、シュウ酸、トリエチレンテトラミ
ン、ピコリン酸、ヒスチジン、2・2’ビピリジル、ピ
リジン、1・10フェナントロリン、L−フェニルアラ
ニン、フェノール、マロン酸等が挙げられる。
アデニン、2−アミノエタノール、2−アミノエタンチ
オール、イミダゾール、エチルアミン、エチレンジアミ
ン、エチレンジアミンテトラアセテート、カテコール、
クエン酸、グリシルグリシン、グリシン、L−グルタミ
ン酸、酢酸、2・4ジアミノ酪酸、ジエチレントリアミ
ン、L−システイン、シュウ酸、トリエチレンテトラミ
ン、ピコリン酸、ヒスチジン、2・2’ビピリジル、ピ
リジン、1・10フェナントロリン、L−フェニルアラ
ニン、フェノール、マロン酸等が挙げられる。
【0009】これらキレート剤の中で本発明の特許請求
項第2項に記載したクエン酸が最も好ましい。尚、以下
本発明においてクエン酸とは、クエン酸及びクエン酸
塩、クエン酸誘導体を指す。クエン酸は、水中に遊離し
た2価イオンを最も長時間に亘ってブロックでき、有臭
を放たずしかも人体に対し無害である。
項第2項に記載したクエン酸が最も好ましい。尚、以下
本発明においてクエン酸とは、クエン酸及びクエン酸
塩、クエン酸誘導体を指す。クエン酸は、水中に遊離し
た2価イオンを最も長時間に亘ってブロックでき、有臭
を放たずしかも人体に対し無害である。
【0010】本発明のスラリー調製法によれば、数時間
から数日に亘って安定したスラリー性状を示すが、その
後徐々にキレート効果が減少しスラリーの粘性は増大す
る。しかしながら、更にキレート剤を順次添加すること
によりその効果は復活し、その結果長期に亘りスラリー
を保存できる。
から数日に亘って安定したスラリー性状を示すが、その
後徐々にキレート効果が減少しスラリーの粘性は増大す
る。しかしながら、更にキレート剤を順次添加すること
によりその効果は復活し、その結果長期に亘りスラリー
を保存できる。
【0011】添加するキレート剤の量は、セラミック粉
末100重量部に対し、好ましくは0.1乃至20重量
部の範囲内であり、更に好ましくは、1乃至5重量部の
範囲内である。添加量が0.1重量部未満では効果的に
遊離した金属をブロックできないので好ましくない。一
方、20重量部を越えた場合、キレート効果に変わりは
ないが、大部分のキレート剤は遊離している金属のブロ
ックには関与しない。又、過度の添加は、次に続く脱脂
時に問題を残す可能性もある。
末100重量部に対し、好ましくは0.1乃至20重量
部の範囲内であり、更に好ましくは、1乃至5重量部の
範囲内である。添加量が0.1重量部未満では効果的に
遊離した金属をブロックできないので好ましくない。一
方、20重量部を越えた場合、キレート効果に変わりは
ないが、大部分のキレート剤は遊離している金属のブロ
ックには関与しない。又、過度の添加は、次に続く脱脂
時に問題を残す可能性もある。
【0012】本発明のセラミックスラリー調製法に該当
するセラミックスとしては、マグネシア、カルシア、バ
リア、コージェライト、タルク、フォルステライト、炭
酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム等のア
ルカリ土類金属を含む酸化物あるいは炭酸化物、及び、
これらを混合した原料が挙げられる。更にアルカリ土類
金属と同じように比較的水に対する溶解度が高く、2価
イオンの形で溶出しやすい酸化亜鉛、酸化鉛等にも効果
を発揮する。
するセラミックスとしては、マグネシア、カルシア、バ
リア、コージェライト、タルク、フォルステライト、炭
酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム等のア
ルカリ土類金属を含む酸化物あるいは炭酸化物、及び、
これらを混合した原料が挙げられる。更にアルカリ土類
金属と同じように比較的水に対する溶解度が高く、2価
イオンの形で溶出しやすい酸化亜鉛、酸化鉛等にも効果
を発揮する。
【0013】本発明において使用できる他の添加剤とし
ては、水中に分散するタイプの添加剤を使用するのが好
ましい。分散タイプの添加剤として、例えば、ワックス
系エマルジョン、エポキシ系エマルジョンのバインダー
が挙げられる。水溶タイプの添加剤、例えば、通常使用
されている高分子系分散剤、アルコール系バインダー等
は、キレート剤の遊離イオンをブロックする効果を阻害
する恐れもあるため、その使用は避けるのが好ましい。
ては、水中に分散するタイプの添加剤を使用するのが好
ましい。分散タイプの添加剤として、例えば、ワックス
系エマルジョン、エポキシ系エマルジョンのバインダー
が挙げられる。水溶タイプの添加剤、例えば、通常使用
されている高分子系分散剤、アルコール系バインダー等
は、キレート剤の遊離イオンをブロックする効果を阻害
する恐れもあるため、その使用は避けるのが好ましい。
【0014】本発明のセラミックスラリーは、スラリー
調製後、鋳込み成形、テープ成形、スプレー成膜、噴霧
乾燥後プレス成形等の通常のセラミックス製造技術を用
いることができる。次いで、乾燥、脱脂、焼成工程を経
て各種セラミックス製品として利用できる。この脱脂工
程でキレート剤などの有機物は焼却除去される。
調製後、鋳込み成形、テープ成形、スプレー成膜、噴霧
乾燥後プレス成形等の通常のセラミックス製造技術を用
いることができる。次いで、乾燥、脱脂、焼成工程を経
て各種セラミックス製品として利用できる。この脱脂工
程でキレート剤などの有機物は焼却除去される。
【0015】
実施例1 マグネシア粉末100重量部に対し、表1に示す各種キ
レート剤3重量部、イオン交換水25重量部を秤量し、
ホモディスパーにて1分間撹拌し、スラリーを作製し
た。作製したスラリー性状の経時変化をB型粘度計にて
測定した。
レート剤3重量部、イオン交換水25重量部を秤量し、
ホモディスパーにて1分間撹拌し、スラリーを作製し
た。作製したスラリー性状の経時変化をB型粘度計にて
測定した。
【表1】 ※は比較例 単位はセンチポイズ ここで、EDTAー2NH4は、エチレンジアミンテトラアセテ
ートのアンモニウム塩,EDTA-2Naは、エチレンジアミン
テトラアセテートのナトリウム塩,TETAは、トリエチレ
ンテトラミン単体,クエン酸は、クエン酸単体,ホ゜リアクリ
ル酸NH4は、ポリアクリル酸のアンモニウム塩を示す。N
o. 5は、6時間以上経過すると粘度が高くなりすぎ測
定できなかった。72時間経過後更に各種キレート剤を
3重量部添加したところ、No. 1〜No.4の何れのスラ
リーも初期の性状に回復した。
ートのアンモニウム塩,EDTA-2Naは、エチレンジアミン
テトラアセテートのナトリウム塩,TETAは、トリエチレ
ンテトラミン単体,クエン酸は、クエン酸単体,ホ゜リアクリ
ル酸NH4は、ポリアクリル酸のアンモニウム塩を示す。N
o. 5は、6時間以上経過すると粘度が高くなりすぎ測
定できなかった。72時間経過後更に各種キレート剤を
3重量部添加したところ、No. 1〜No.4の何れのスラ
リーも初期の性状に回復した。
【0016】実施例2 マグネシア粉末100重量部、イオン交換水25重量部
に対し、クエン酸を表2に示す重量部を秤量し、実施例
1と同様にスラリーを作製し、1時間後の性状を評価し
た。
に対し、クエン酸を表2に示す重量部を秤量し、実施例
1と同様にスラリーを作製し、1時間後の性状を評価し
た。
【表2】
【0017】実施例3 表3に示す各種セラミックス粉末に対し、実施例1のN
o. 4と同様にスラリーを作製し、1時間後の性状を評
価した。
o. 4と同様にスラリーを作製し、1時間後の性状を評
価した。
【表3】
【0018】実施例4 マグネシア100重量部、水25重量部、クエン酸3重
量部、ワックス系エマルジョンのバインダー1重量部を
ボールミルを用い3時間混合し、その後のスラリー性状
を観察したところ、良好なスラリーであった。その後鋳
込み成形し、次いで、乾燥、脱脂、焼成し、マグネシア
焼結体が作製できた。
量部、ワックス系エマルジョンのバインダー1重量部を
ボールミルを用い3時間混合し、その後のスラリー性状
を観察したところ、良好なスラリーであった。その後鋳
込み成形し、次いで、乾燥、脱脂、焼成し、マグネシア
焼結体が作製できた。
【0019】
【発明の効果】以上のように本発明のセラミックスラリ
ーの調製法によれば、アルカリ土類金属を含有するセラ
ミックスの水系スラリーに対して、水中に溶出した金属
イオンをブロックし、良好なスラリー性状を長期に亘っ
て維持できる。
ーの調製法によれば、アルカリ土類金属を含有するセラ
ミックスの水系スラリーに対して、水中に溶出した金属
イオンをブロックし、良好なスラリー性状を長期に亘っ
て維持できる。
Claims (2)
- 【請求項1】 アルカリ土類金属を含有するセラミック
スの水系スラリーを調製するに際し、キレート剤を添加
することを特徴とするセラミックスラリーの調製法。 - 【請求項2】 キレート剤としてクエン酸を用いること
を特徴とする特許請求項1記載のセラミックスラリーの
調製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7218181A JPH0948672A (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | セラミックスラリーの調製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7218181A JPH0948672A (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | セラミックスラリーの調製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0948672A true JPH0948672A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16715890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7218181A Pending JPH0948672A (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | セラミックスラリーの調製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0948672A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008132593A (ja) * | 2007-12-14 | 2008-06-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 酸化セリウムスラリー、酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 |
| US7708788B2 (en) | 1996-09-30 | 2010-05-04 | Hitachi Chemical Co, Ltd. | Cerium oxide abrasive and method of polishing substrates |
| US7871308B2 (en) | 1997-12-18 | 2011-01-18 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasive, method of polishing target member and process for producing semiconductor device |
-
1995
- 1995-08-02 JP JP7218181A patent/JPH0948672A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7708788B2 (en) | 1996-09-30 | 2010-05-04 | Hitachi Chemical Co, Ltd. | Cerium oxide abrasive and method of polishing substrates |
| US7867303B2 (en) | 1996-09-30 | 2011-01-11 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Cerium oxide abrasive and method of polishing substrates |
| US7871308B2 (en) | 1997-12-18 | 2011-01-18 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasive, method of polishing target member and process for producing semiconductor device |
| US7963825B2 (en) | 1997-12-18 | 2011-06-21 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasive, method of polishing target member and process for producing semiconductor device |
| US8137159B2 (en) | 1997-12-18 | 2012-03-20 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasive, method of polishing target member and process for producing semiconductor device |
| US8162725B2 (en) | 1997-12-18 | 2012-04-24 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasive, method of polishing target member and process for producing semiconductor device |
| US8616936B2 (en) | 1997-12-18 | 2013-12-31 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasive, method of polishing target member and process for producing semiconductor device |
| JP2008132593A (ja) * | 2007-12-14 | 2008-06-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 酸化セリウムスラリー、酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 |
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