JPH0948690A - 反応ガス供給装置 - Google Patents
反応ガス供給装置Info
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- JPH0948690A JPH0948690A JP19752995A JP19752995A JPH0948690A JP H0948690 A JPH0948690 A JP H0948690A JP 19752995 A JP19752995 A JP 19752995A JP 19752995 A JP19752995 A JP 19752995A JP H0948690 A JPH0948690 A JP H0948690A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反応ガス供給源からガス反応装置へ供給され
る有毒な反応ガスの漏れを防止すること。 【解決手段】 本発明の反応ガス供給装置は、有毒ガス
を含む反応ガス供給源Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３とガス反応装置
４との間を内部パイプＰｉ１、Ｐｉ２、Ｐｉ３、Ｐｉ４
と外部パイプＰｏ１、Ｐｏ２、Ｐｏ３、Ｐｏ４とからな
る二重配管で配管されており、前記内部パイプで前記反
応ガス供給源からの反応ガスを前記ガス反応装置に供給
できるように接続し、前記外部パイプには排気ポンプＰ
Ｍ３が接続されていて、前記内部パイプから漏洩した有
毒ガスを常時排気するように構成されている
る有毒な反応ガスの漏れを防止すること。 【解決手段】 本発明の反応ガス供給装置は、有毒ガス
を含む反応ガス供給源Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３とガス反応装置
４との間を内部パイプＰｉ１、Ｐｉ２、Ｐｉ３、Ｐｉ４
と外部パイプＰｏ１、Ｐｏ２、Ｐｏ３、Ｐｏ４とからな
る二重配管で配管されており、前記内部パイプで前記反
応ガス供給源からの反応ガスを前記ガス反応装置に供給
できるように接続し、前記外部パイプには排気ポンプＰ
Ｍ３が接続されていて、前記内部パイプから漏洩した有
毒ガスを常時排気するように構成されている
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反応ガス供給源か
らガス反応装置へ供給される有毒な反応ガスの漏れを防
止する反応ガス供給装置に関するものである。
らガス反応装置へ供給される有毒な反応ガスの漏れを防
止する反応ガス供給装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程における代表的な
工程に微細パターニングプロセスがあるが、この微細パ
ターニングプロセスにおいては、例えば、化学的エッチ
ング装置、ＣＶＤ装置などの多くの真空装置が用いられ
ている。これら化学的エッチング装置、ＣＶＤ装置など
では、プロセス上、塩素ガス、臭化水素ガスなどの有毒
ガスが使用される場合がある。ガス供給源から前記各ガ
ス反応装置へ所定のガスを供給するガス供給ラインは、
通常、ステンレススチール製のパイプで配管されてい
る。
工程に微細パターニングプロセスがあるが、この微細パ
ターニングプロセスにおいては、例えば、化学的エッチ
ング装置、ＣＶＤ装置などの多くの真空装置が用いられ
ている。これら化学的エッチング装置、ＣＶＤ装置など
では、プロセス上、塩素ガス、臭化水素ガスなどの有毒
ガスが使用される場合がある。ガス供給源から前記各ガ
ス反応装置へ所定のガスを供給するガス供給ラインは、
通常、ステンレススチール製のパイプで配管されてい
る。
【０００３】現用の具体的な反応ガス供給装置を図２に
示した。この反応ガス供給装置１は有毒ガスを含む複数
種の反応ガスの供給源であるガスボンベＢ１、Ｂ２、Ｂ
３・・・を収納したガスボンベボックス２と、各反応ガ
スの流量を調整する、反応ガス供給バルブＶ１、Ｖ２、
Ｖ３・・・を含むマスフローコントローラＭＦＣ１、Ｍ
ＦＣ２、ＭＦＣ３・・・を収納したガスボックス３など
から構成されており、この出力側は化学エッチング装置
またはＣＶＤ装置などのガス反応装置４へ所要の反応ガ
スを供給している。
示した。この反応ガス供給装置１は有毒ガスを含む複数
種の反応ガスの供給源であるガスボンベＢ１、Ｂ２、Ｂ
３・・・を収納したガスボンベボックス２と、各反応ガ
スの流量を調整する、反応ガス供給バルブＶ１、Ｖ２、
Ｖ３・・・を含むマスフローコントローラＭＦＣ１、Ｍ
ＦＣ２、ＭＦＣ３・・・を収納したガスボックス３など
から構成されており、この出力側は化学エッチング装置
またはＣＶＤ装置などのガス反応装置４へ所要の反応ガ
スを供給している。
【０００４】前記ガス反応装置４にはメインバルブＶ４
を介してターボ分子ポンプＰＭ１が装着されており、こ
のターボ分子ポンプＰＭ１の出力側にはパイプＰ５とフ
ォアバルブＶ５を介してラフポンプＰＭ２が、そしてこ
のラフポンプＰＭ２の出力側にはパイプＰ６を介して排
気ガス処理装置Ｔ１が接続されている。また、前記ガス
反応装置４にはパイプＰ７とラフバルブＶ６を介して前
記ラフポンプＰＭ２が接続されている。
を介してターボ分子ポンプＰＭ１が装着されており、こ
のターボ分子ポンプＰＭ１の出力側にはパイプＰ５とフ
ォアバルブＶ５を介してラフポンプＰＭ２が、そしてこ
のラフポンプＰＭ２の出力側にはパイプＰ６を介して排
気ガス処理装置Ｔ１が接続されている。また、前記ガス
反応装置４にはパイプＰ７とラフバルブＶ６を介して前
記ラフポンプＰＭ２が接続されている。
【０００５】前記各ガスボンベＢ１、Ｂ２、Ｂ３・・・
の各供給口と前記各マスフローコントローラＭＦＣ１、
ＭＦＣ２、ＭＦＣ３・・・とはそれぞれパイプＰ１、Ｐ
２、Ｐ３・・・で接続されており、また、各マスフロー
コントローラＭＦＣ１、ＭＦＣ２、ＭＦＣ３・・・の出
力側に接続された各反応ガス供給バルブＶ１、Ｖ２、Ｖ
３・・・の出力側は１本の共通のパイプＰ４と反応ガス
供給バルブＶ７とを介して前記ガス反応装置４に接続さ
れている。前記いずれのパイプもステンレススチール製
である。
の各供給口と前記各マスフローコントローラＭＦＣ１、
ＭＦＣ２、ＭＦＣ３・・・とはそれぞれパイプＰ１、Ｐ
２、Ｐ３・・・で接続されており、また、各マスフロー
コントローラＭＦＣ１、ＭＦＣ２、ＭＦＣ３・・・の出
力側に接続された各反応ガス供給バルブＶ１、Ｖ２、Ｖ
３・・・の出力側は１本の共通のパイプＰ４と反応ガス
供給バルブＶ７とを介して前記ガス反応装置４に接続さ
れている。前記いずれのパイプもステンレススチール製
である。
【０００６】半導体ウエハにエッチングまたはデポジシ
ョンを施す場合には、前記ガス反応装置４内をラフポン
プＰ２及びターボ分子ポンプＰ１を順次作動させて所要
の真空度に引き、このようなガス反応装置４内に各ガス
ボンベＢ１、Ｂ２、Ｂ３・・・からの反応ガスをマスフ
ローコントローラＭＦＣ１、ＭＦＣ２、ＭＦＣ３・・・
で流量調整し、開放されている反応ガス供給バルブＶ７
とパイプＰ４を介して前記ガス反応装置４に供給する。
このようにして、半導体ウエハの表面にエッチングまた
はデポジションを施すことができる。
ョンを施す場合には、前記ガス反応装置４内をラフポン
プＰ２及びターボ分子ポンプＰ１を順次作動させて所要
の真空度に引き、このようなガス反応装置４内に各ガス
ボンベＢ１、Ｂ２、Ｂ３・・・からの反応ガスをマスフ
ローコントローラＭＦＣ１、ＭＦＣ２、ＭＦＣ３・・・
で流量調整し、開放されている反応ガス供給バルブＶ７
とパイプＰ４を介して前記ガス反応装置４に供給する。
このようにして、半導体ウエハの表面にエッチングまた
はデポジションを施すことができる。
【０００７】ところで、前記各パイプの継ぎ手部は、通
常、図３に示したような構造のメタルシールが使用され
ている。即ち、この継ぎ手部２０の構造は、メタルパイ
プＰａの端部には端面に突起２１が形成された鍔状の端
板２２が形成されており、この端部に内周に雌ねじ２３
が切られているナット２４を装着し、一方、メタルパイ
プＰｂの端部は、その外周面に雄ねじ２５が切られた、
その端面に突起２６が形成されたボルト２７に形成され
ていて、メタルパイプＰａとＰｂとの間にシール材であ
る、中央部にガス流出孔２８が開けられたガスケット２
９を介挿し、前記ナット２４を前記ボルト２７に締め付
けることにより、前記メタルパイプＰａとＰｂとが接続
される構造になっている。
常、図３に示したような構造のメタルシールが使用され
ている。即ち、この継ぎ手部２０の構造は、メタルパイ
プＰａの端部には端面に突起２１が形成された鍔状の端
板２２が形成されており、この端部に内周に雌ねじ２３
が切られているナット２４を装着し、一方、メタルパイ
プＰｂの端部は、その外周面に雄ねじ２５が切られた、
その端面に突起２６が形成されたボルト２７に形成され
ていて、メタルパイプＰａとＰｂとの間にシール材であ
る、中央部にガス流出孔２８が開けられたガスケット２
９を介挿し、前記ナット２４を前記ボルト２７に締め付
けることにより、前記メタルパイプＰａとＰｂとが接続
される構造になっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このパイプの接続構造
は、メタル−メタル接触の高純度、高真空を得ることが
できるシール構造であるが、その機能上、奨励される締
め付け代があり、締め付け不足、締め付け過ぎによるガ
スリークが発生する可能性がある。また、メタル−メタ
ル間のガスケット２９の材質は、使用するガスの種類、
温度、圧力などにより異なる。ナット２４を締め付け過
ぎると、ガスケット２９が破れて、そこから反応ガスが
漏れ、また、誤ったガスケットを選定し、使用すると、
流したガスにより、そのガスケットが変形し、更には腐
食し、その結果、ガスリークが発生する可能性がある。
本発明は、このような欠点を無くすることを課題とする
ものであって、万一、有毒ガスが漏れても、作業者の安
全を確保できる反応ガス供給装置を得ることを目的とす
るものである。
は、メタル−メタル接触の高純度、高真空を得ることが
できるシール構造であるが、その機能上、奨励される締
め付け代があり、締め付け不足、締め付け過ぎによるガ
スリークが発生する可能性がある。また、メタル−メタ
ル間のガスケット２９の材質は、使用するガスの種類、
温度、圧力などにより異なる。ナット２４を締め付け過
ぎると、ガスケット２９が破れて、そこから反応ガスが
漏れ、また、誤ったガスケットを選定し、使用すると、
流したガスにより、そのガスケットが変形し、更には腐
食し、その結果、ガスリークが発生する可能性がある。
本発明は、このような欠点を無くすることを課題とする
ものであって、万一、有毒ガスが漏れても、作業者の安
全を確保できる反応ガス供給装置を得ることを目的とす
るものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】従って、本発明の反応ガ
ス供給装置は、有毒ガスを含むガス供給源とガス反応装
置とを内部パイプと外部パイプとからなる二重配管で配
管されており、前記内部パイプで前記ガス供給源からの
反応ガスを前記ガス反応装置に供給できるように接続
し、前記外部パイプには排気ポンプを接続して、前記内
部パイプから漏洩した有毒ガスを常時排気するように構
成し、前記課題を解決した。
ス供給装置は、有毒ガスを含むガス供給源とガス反応装
置とを内部パイプと外部パイプとからなる二重配管で配
管されており、前記内部パイプで前記ガス供給源からの
反応ガスを前記ガス反応装置に供給できるように接続
し、前記外部パイプには排気ポンプを接続して、前記内
部パイプから漏洩した有毒ガスを常時排気するように構
成し、前記課題を解決した。
【００１０】従って、本発明によれば、万一、内部パイ
プから有毒ガスが漏れても、直ちに外部パイプを通じ
て、例えば、排気ガス処理装置へ排出できるので、事故
を未然に防ぐことができる。
プから有毒ガスが漏れても、直ちに外部パイプを通じ
て、例えば、排気ガス処理装置へ排出できるので、事故
を未然に防ぐことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、図１を参照しながら、本発
明の反応ガス供給装置を説明する。図１は本発明の反応
ガス供給装置の模式図である。なお、従来技術の反応ガ
ス供給装置の構成と同一の構成部分には同一の符号を付
して説明する。
明の反応ガス供給装置を説明する。図１は本発明の反応
ガス供給装置の模式図である。なお、従来技術の反応ガ
ス供給装置の構成と同一の構成部分には同一の符号を付
して説明する。
【００１２】本発明の反応ガス供給装置１Ａは、有毒ガ
スを含む複数種の反応ガスの供給源であるガスボンベＢ
１、Ｂ２、Ｂ３・・・を収納し、排気孔２ａが設けられ
たガスボンベボックス２と、各反応ガスの流量を調整す
る、反応ガス供給バルブＶ１、Ｖ２、Ｖ３・・・を含む
マスフローコントローラＭＦＣ１、ＭＦＣ２、ＭＦＣ３
・・・を収納し、排気孔３ａが設けられたガスボックス
３などから構成されていることは、従来技術の反応ガス
供給装置１と殆ど同様である。この出力側は化学エッチ
ング装置またはＣＶＤ装置などのガス反応装置４へ所要
の反応ガスを供給している。
スを含む複数種の反応ガスの供給源であるガスボンベＢ
１、Ｂ２、Ｂ３・・・を収納し、排気孔２ａが設けられ
たガスボンベボックス２と、各反応ガスの流量を調整す
る、反応ガス供給バルブＶ１、Ｖ２、Ｖ３・・・を含む
マスフローコントローラＭＦＣ１、ＭＦＣ２、ＭＦＣ３
・・・を収納し、排気孔３ａが設けられたガスボックス
３などから構成されていることは、従来技術の反応ガス
供給装置１と殆ど同様である。この出力側は化学エッチ
ング装置またはＣＶＤ装置などのガス反応装置４へ所要
の反応ガスを供給している。
【００１３】前記ガス反応装置４にも、従来技術と同様
にメインバルブＶ４を介してターボ分子ポンプＰＭ１が
装着されており、このターボ分子ポンプＰＭ１の出力側
にはパイプＰ５とフォアバルブＶ５を介してラフポンプ
ＰＭ２が、そしてこのラフポンプＰＭ２の出力側にはパ
イプＰ６を介して排気ガス処理装置Ｔ１が接続されてい
る。また、前記ガス反応装置４にはパイプＰ７とラフバ
ルブＶ６を介して前記ラフポンプＰＭ２が接続されてい
る。
にメインバルブＶ４を介してターボ分子ポンプＰＭ１が
装着されており、このターボ分子ポンプＰＭ１の出力側
にはパイプＰ５とフォアバルブＶ５を介してラフポンプ
ＰＭ２が、そしてこのラフポンプＰＭ２の出力側にはパ
イプＰ６を介して排気ガス処理装置Ｔ１が接続されてい
る。また、前記ガス反応装置４にはパイプＰ７とラフバ
ルブＶ６を介して前記ラフポンプＰＭ２が接続されてい
る。
【００１４】前記各ガスボンベＢ１、Ｂ２、Ｂ３・・・
の各供給口と前記各マスフローコントローラＭＦＣ１、
ＭＦＣ２、ＭＦＣ３・・・とはそれぞれ内部パイプＰｉ
１、Ｐｉ２、Ｐｉ３・・・で接続されており、そしてこ
れら内部パイプＰｉ１、Ｐｉ２、Ｐｉ３・・・全体を、
その全長にわたって外部パイプＰｏ１で覆う二重配管で
構成した。この外部パイプＰｏ１の一端は前記ガスボン
ベボックス２の開口２ｂの全周を密封するように、その
開口２ｂに装着されており、その他端は前記ガスボック
ス３の開口３ｂの全周を密封するように、その開口３ｂ
に装着されている。
の各供給口と前記各マスフローコントローラＭＦＣ１、
ＭＦＣ２、ＭＦＣ３・・・とはそれぞれ内部パイプＰｉ
１、Ｐｉ２、Ｐｉ３・・・で接続されており、そしてこ
れら内部パイプＰｉ１、Ｐｉ２、Ｐｉ３・・・全体を、
その全長にわたって外部パイプＰｏ１で覆う二重配管で
構成した。この外部パイプＰｏ１の一端は前記ガスボン
ベボックス２の開口２ｂの全周を密封するように、その
開口２ｂに装着されており、その他端は前記ガスボック
ス３の開口３ｂの全周を密封するように、その開口３ｂ
に装着されている。
【００１５】また、各マスフローコントローラＭＦＣ
１、ＭＦＣ２、ＭＦＣ３・・・の出力側に接続された各
反応ガス供給バルブＶ１、Ｖ２、Ｖ３・・・の出力側は
１本の共通の内部パイプＰｉ４と反応ガス供給バルブＶ
７とを介して前記ガス反応装置４に接続されている。そ
してこの内部パイプＰｉ４全体を、その全長にわたって
外部パイプＰｏ２で覆う二重配管で構成した。この外部
パイプＰｏ２の一端は前記ガスボックス３の開口３ｃの
全周を密封するように、その開口３ｃに装着されてお
り、その他端は前記ガス反応装置４のガス供給口４ａの
全周を密封するように、その開口４ａに装着されてい
る。前記いずれのパイプもステンレススチール製であ
る。
１、ＭＦＣ２、ＭＦＣ３・・・の出力側に接続された各
反応ガス供給バルブＶ１、Ｖ２、Ｖ３・・・の出力側は
１本の共通の内部パイプＰｉ４と反応ガス供給バルブＶ
７とを介して前記ガス反応装置４に接続されている。そ
してこの内部パイプＰｉ４全体を、その全長にわたって
外部パイプＰｏ２で覆う二重配管で構成した。この外部
パイプＰｏ２の一端は前記ガスボックス３の開口３ｃの
全周を密封するように、その開口３ｃに装着されてお
り、その他端は前記ガス反応装置４のガス供給口４ａの
全周を密封するように、その開口４ａに装着されてい
る。前記いずれのパイプもステンレススチール製であ
る。
【００１６】更に、本発明の反応ガス供給装置１Ａにお
いては、ガスボンベボックス２の排気孔２ａとガスボッ
クス３の排気孔３ａとにパイプＰ８が接続され、そして
そのパイプＰ８の末端にラフポンプＰＭ３と排気ガス処
理装置Ｔ２とが接続されている。そして更に、ガス検知
器Ｄ１が前記ガスボンベボックス２の排気孔２ａの近傍
に設置されており、パイプＰ９を介してパイプＰ８に接
続されている。また、ガス検知器Ｄ２がガスボックス３
の排気孔３ａの近傍に設置されており、パイプＰ１０を
介してパイプＰ８に接続されている。更にまた、ガス検
知器Ｄ３がラフポンプＰＭ３の近傍に設置されており、
パイプＰ１１を介してパイプＰ８に接続されている。ガ
ス反応装置４の近傍にはガス検知器Ｄ４が設置されてい
る。
いては、ガスボンベボックス２の排気孔２ａとガスボッ
クス３の排気孔３ａとにパイプＰ８が接続され、そして
そのパイプＰ８の末端にラフポンプＰＭ３と排気ガス処
理装置Ｔ２とが接続されている。そして更に、ガス検知
器Ｄ１が前記ガスボンベボックス２の排気孔２ａの近傍
に設置されており、パイプＰ９を介してパイプＰ８に接
続されている。また、ガス検知器Ｄ２がガスボックス３
の排気孔３ａの近傍に設置されており、パイプＰ１０を
介してパイプＰ８に接続されている。更にまた、ガス検
知器Ｄ３がラフポンプＰＭ３の近傍に設置されており、
パイプＰ１１を介してパイプＰ８に接続されている。ガ
ス反応装置４の近傍にはガス検知器Ｄ４が設置されてい
る。
【００１７】半導体ウエハにエッチングまたはデポジシ
ョンを施す場合には、前記ガス反応装置４内をラフポン
プＰ２及びターボ分子ポンプＰ１を順次作動させて所要
の真空度に引き、このようなガス反応装置４内に各ガス
ボンベＢ１、Ｂ２、Ｂ３・・・からの反応ガスをマスフ
ローコントローラＭＦＣ１、ＭＦＣ２、ＭＦＣ３・・・
で流量調整し、開放されている反応ガス供給バルブＶ７
とパイプＰ４を介して前記ガス反応装置４に供給する。
ガス反応装置４内の反応ガスはターボ分子ポンプＰ１に
より吸引、排気され、フォアバルブＶ５を通過し、排気
ガス処理装置Ｔ１へ排気される。このようにして、半導
体ウエハの表面にエッチングまたはデポジションを施せ
ることは、従来技術のものと同様である。
ョンを施す場合には、前記ガス反応装置４内をラフポン
プＰ２及びターボ分子ポンプＰ１を順次作動させて所要
の真空度に引き、このようなガス反応装置４内に各ガス
ボンベＢ１、Ｂ２、Ｂ３・・・からの反応ガスをマスフ
ローコントローラＭＦＣ１、ＭＦＣ２、ＭＦＣ３・・・
で流量調整し、開放されている反応ガス供給バルブＶ７
とパイプＰ４を介して前記ガス反応装置４に供給する。
ガス反応装置４内の反応ガスはターボ分子ポンプＰ１に
より吸引、排気され、フォアバルブＶ５を通過し、排気
ガス処理装置Ｔ１へ排気される。このようにして、半導
体ウエハの表面にエッチングまたはデポジションを施せ
ることは、従来技術のものと同様である。
【００１８】このガス反応中、本発明の反応ガス供給装
置１Ａは、前記ラフポンプＰＭ３と排気ガス処理装置Ｔ
２を作動させ、常時、ガスボンベボックス２、ガスボッ
クス３及び外部パイプＰｏ１、Ｐｏ２内のガスを排気
し、そして、反応ガスの漏れはガス検知器Ｄ１、Ｄ２、
Ｄ３、Ｄ４にて、常時、チェックされる。ガス漏れが発
生した場合は、いずれかの前記ガス検知器が作動し、反
応ガス供給バルブＶ１、Ｖ２、Ｖ３・・・及びＶ７を閉
じる。漏れた反応ガスは内部パイプＰｉ１、Ｐｉ２、Ｐ
ｉ３・・・及びＰｉ４と外部パイプＰｏ１及びＰｏ２と
の空間を通り、ラフポンプＰＭ３に引かれて排気ガス処
理装置Ｔ２に排気される。
置１Ａは、前記ラフポンプＰＭ３と排気ガス処理装置Ｔ
２を作動させ、常時、ガスボンベボックス２、ガスボッ
クス３及び外部パイプＰｏ１、Ｐｏ２内のガスを排気
し、そして、反応ガスの漏れはガス検知器Ｄ１、Ｄ２、
Ｄ３、Ｄ４にて、常時、チェックされる。ガス漏れが発
生した場合は、いずれかの前記ガス検知器が作動し、反
応ガス供給バルブＶ１、Ｖ２、Ｖ３・・・及びＶ７を閉
じる。漏れた反応ガスは内部パイプＰｉ１、Ｐｉ２、Ｐ
ｉ３・・・及びＰｉ４と外部パイプＰｏ１及びＰｏ２と
の空間を通り、ラフポンプＰＭ３に引かれて排気ガス処
理装置Ｔ２に排気される。
【００１９】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の反応ガ
ス供給装置によれば、前記の構成及び動作により、万
一、内部パイプから有毒ガスが漏れても、直ちに外部パ
イプを通じて、排気ガス処理装置へ排気するので、その
有毒ガスは作業場に流出することなく、安全に排気さ
れ、しかもガス検知器がガス漏れをいち早く感知するの
で、作業者の安全を確保でき、事故を未然に防ぐことが
できる。
ス供給装置によれば、前記の構成及び動作により、万
一、内部パイプから有毒ガスが漏れても、直ちに外部パ
イプを通じて、排気ガス処理装置へ排気するので、その
有毒ガスは作業場に流出することなく、安全に排気さ
れ、しかもガス検知器がガス漏れをいち早く感知するの
で、作業者の安全を確保でき、事故を未然に防ぐことが
できる。
【図１】 本発明の反応ガス供給装置の模式図である。
【図２】 従来技術の反応ガス供給装置の模式図であ
る。
る。
【図３】 従来技術の反応ガス供給装置に用いられてい
るパイプの継ぎ手部の構造の断面図である。
るパイプの継ぎ手部の構造の断面図である。
１Ａ 反応ガス供給装置 ２ ガスボンベボックス ２ａ 排気孔 ２ｂ 開口 ３ ガスボックス ３ａ 排気孔 ３ｂ 開口 ３ｃ 排気口 ４ ガス反応装置 Ｂ１ ガスボンベ Ｂ２ ガスボンベ Ｂ３ ガスボンベ Ｐｉ１ 内部パイプ Ｐｉ２ 内部パイプ Ｐｉ３ 内部パイプ Ｐｉ４ 内部パイプ Ｐｏ１ 外部パイプ Ｐｏ２ 外部パイプ ＭＦＣ１ マスフローコントローラ ＭＦＣ２ マスフローコントローラ ＭＦＣ３ マスフローコントローラ Ｖ１ 反応ガス供給バルブ Ｖ２ 反応ガス供給バルブ Ｖ３ 反応ガス供給バルブ Ｖ４ メインバルブ Ｖ７ 反応ガス供給バルブ ＰＭ１ ターボ分子ポンプ ＰＭ２ ラフポンプ ＰＭ３ ラフポンプ Ｔ１ 排気ガス処理装置 Ｔ２ 排気ガス処理装置 Ｄ１ ガス検知器 Ｄ２ ガス検知器 Ｄ３ ガス検知器 Ｄ４ ガス検知器
Claims (2)
- 【請求項１】 有毒ガスを含む反応ガス供給源とガス反
応装置との間を内部パイプと外部パイプとからなる二重
配管で配管されており、前記内部パイプで前記反応ガス
供給源からの反応ガスを前記ガス反応装置に供給できる
ように接続し、前記外部パイプには排気ポンプが接続さ
れていて、前記内部パイプから漏洩した有毒ガスを常時
排気するように構成されていることを特徴とする反応ガ
ス供給装置。 - 【請求項２】 反応ガス供給源、ガスボックス、ガス反
応装置の近傍にガス検知器が配設されていることを特徴
とする請求項１に記載の反応ガス供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19752995A JP3684624B2 (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 反応ガス供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19752995A JP3684624B2 (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 反応ガス供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0948690A true JPH0948690A (ja) | 1997-02-18 |
| JP3684624B2 JP3684624B2 (ja) | 2005-08-17 |
Family
ID=16375991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19752995A Expired - Fee Related JP3684624B2 (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 反応ガス供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3684624B2 (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003042399A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Nippon Sanso Corp | ガス供給設備 |
| JP2013219388A (ja) * | 1997-07-11 | 2013-10-24 | Advanced Technology Materials Inc | バルク化学物質供給システム |
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