JPH0948960A

JPH0948960A - シリコーン系ダイボンディング剤および半導体装置

Info

Publication number: JPH0948960A
Application number: JP7219859A
Authority: JP
Inventors: Rikako Tazawa; 里加子田澤; Kazumi Nakayoshi; 和己中吉; Osamu Mitani; 修三谷; Katsutoshi Mine; 勝利峰
Original assignee: Dow Corning Toray Silicone Co Ltd
Current assignee: DuPont Toray Specialty Materials KK
Priority date: 1995-08-04
Filing date: 1995-08-04
Publication date: 1997-02-18

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】半導体チップを基板やパッケージに接着した
後、この半導体チップやリードフレームへのワイヤボン
ダビリティを低下させないシリコーン系ダイボンディン
グ剤、および、これを用いた、信頼性が優れる半導体装
置を提供する。【解決手段】 (Ａ)(ａ)一分子中に少なくとも２個のケ
イ素原子結合アルコキシ基を含有し、ケイ素原子結合ア
ルケニル基を含有しないオルガノポリシロキサン５〜９
５重量％と(ｂ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子
結合アルケニル基を含有し、ケイ素原子結合アルコキシ
基を含有しないオルガノポリシロキサン９５〜５重量％
との混合物(Ｂ)２５℃における粘度が２〜２０，０００
センチポイズであり、一分子中に少なくとも２個のケイ
素原子結合水素原子を含有するオルガノポリシロキサ
ン、(Ｃ)縮合反応用触媒および(Ｄ)白金系触媒からなる
硬化性オルガノポリシロキサン組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、シリコーン系ダイボン
ディング剤および半導体装置に関し、詳しくは、半導体
チップを基板やパッケージに接着した後、この半導体チ
ップやリードフレームへのワイヤボンダビリティを低下
させないシリコーン系ダイボンディング剤、および、こ
れを用いた、信頼性が優れる半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置は、半導体チップを基板やパ
ッケージに金−シリコン共晶等のろう材やエポキシ系、
ポリイミド系またはシリコーン系のダイボンディング剤
により接着した後、この半導体チップとリードフレーム
とを電気的に接続するために金線やアルミニウム線等に
よりワイヤボンディングされ、次いで、この半導体チッ
プをエポキシ樹脂やポリフェニレンサルファイド樹脂に
より樹脂封止して形成される。特に、シリコーン系ダイ
ボンディング剤は半導体チップに生じる応力を緩和でき
ることから好適に使用されている。しかし、従来のシリ
コーン系ダイボンディング剤によると、半導体チップや
リードフレームへのワイヤボンダビリティ（ボンディン
グワイヤの接合性）が低下したり、半導体チップ、基板
やパッケージおよびリードフレームと封止樹脂との接着
不良が生じたり、半導体装置の耐湿性が悪化する等の問
題があった。これらの問題を解決するために、揮発性の
低分子量シロキサンを減量した付加反応で硬化する硬化
性オルガノポリシロキサン組成物からなるシリコーン系
ダイボンディング剤が提案されている（特開平３−１５
７４７４号公報参照）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平３−１
５７４７４号により提案されたシリコーン系ダイボンデ
ィング剤においても、半導体チップやリードフレームへ
のワイヤボンダビリティの低下および半導体装置の耐湿
性の悪化を十分に抑えることはできなかった。種々の検
討の結果、従来のシリコーン系ダイボンディング剤によ
り半導体チップを基板やパッケージに接着する際、半導
体チップの周辺にはみ出した加熱硬化前のシリコーン系
ダイボンディング剤からにじみ出た低分子量のシリコー
ンオイルが半導体チップ、基板、パッケージ、リードフ
レーム等の表面を汚染して、これらへのワイヤボンダビ
リティを低下させたり、封止樹脂との接着不良を生じさ
せたりして、半導体装置の耐湿性を悪化させることを確
認した。

【０００４】本発明者らは付加反応により室温で直ちに
硬化するシリコーン系ダイボンディング剤により半導体
チップの周辺にはみ出したシリコーン系ダイボンディン
グ剤からシリコーンオイルのにじみ出しを抑制しようと
試みたが、このようなシリコーン系ダイボンディング剤
は取扱作業性が極めて悪く、これによりダイボンディン
グ作業ができないという問題があった。

【０００５】本発明者らは、上記の課題について鋭意検
討した結果、付加反応と縮合反応により硬化する硬化性
オルガノポリシロキサン組成物からなるシリコーン系ダ
イボンディング剤により半導体チップを基板やパッケー
ジに接着する際には、半導体チップの周辺にはみ出した
加熱硬化前のシリコーン系ダイボンディング剤の表面に
硬化皮膜が空気中の湿気により直ちに形成されて、上記
の問題を解決できることを見いだして本発明に到達し
た。すなわち、本発明の目的は、半導体チップを基板や
パッケージに接着した後、この半導体チップやリードフ
レームへのワイヤボンダビリティを低下させないシリコ
ーン系ダイボンディング剤、および、これを用いた、信
頼性が優れる半導体装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段およびその作用】本発明
は、付加反応と縮合反応により硬化する硬化性オルガノ
ポリシロキサン組成物からなるシリコーン系ダイボンデ
ィング剤、および、このシリコーン系ダイボンディング
剤により半導体チップを基板やパッケージに接着した半
導体装置に関する。

【０００７】はじめに、本発明のシリコーン系ダイボン
ディング剤を詳細に説明する。本発明のシリコーン系ダ
イボンディング剤は付加反応と縮合反応により硬化する
硬化性オルガノポリシロキサン組成物からなることを特
徴とする。このような硬化性オルガノポリシロキサン組
成物としては、 (Ａ)(ａ)２５℃における粘度が２０〜２００，０００センチポイズであり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルコキシ基を含有し、ケイ素原子結合アルケニル基を含有しないオルガノポリシロキサン５〜９５重量％と(ｂ)２５℃ における粘度が２０〜２００，０００センチポイズであり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を含有し、ケイ素原子結合アルコキシ基を含有しないオルガノポリシロキサン９５〜５重量％との混合物１００重量部、 (Ｂ)２５℃における粘度が２〜２０，０００センチポイズであり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を含有するオルガノポリシロキサン｛( ｂ)成分中のケイ素原子結合アルケニル基に対するケイ素原子結合水素原子のモル比が０．５〜２０となる量｝、 (Ｃ)縮合反応用触媒０．０１〜１０重量部および (Ｄ)白金系触媒触媒量からなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および、 (Ａ')２５℃における粘度が２０〜２００，０００センチポイズであり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を含有し、ケイ素原子結合アルコキシ基を含有するかまたはしないオルガノポリシロキサン１００重量部、 (Ｂ')２５℃における粘度が２〜２０，０００センチポイズであり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を含有し、ケイ素原子結合アルコキシ基を含有するかまたはしないオルガノポリシロキサン｛(Ａ')成分中のケイ素原子結合アルケニル基に対するケイ素原子結合水素原子のモル比が０．５〜２０となる量｝、 (Ｃ)縮合反応用触媒０．０１〜１０重量部および (Ｄ)白金系触媒触媒量からなり、(Ａ')成分または(Ｂ')成分の少なくとも一方
が一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルコキ
シ基を含有する硬化性オルガノポリシロキサン組成物が
例示される。

【０００８】はじめに、前者の硬化性オルガノポリシロ
キサン組成物を詳細に説明する。(Ａ)成分はこの組成物
の主剤であり、(ａ)２５℃における粘度が２０〜２０
０，０００センチポイズであり、一分子中に少なくとも
２個のケイ素原子結合アルコキシ基を含有し、ケイ素原
子結合アルケニル基を含有しないオルガノポリシロキサ
ンと(ｂ)２５℃における粘度が２０〜２００，０００セ
ンチポイズであり、一分子中に少なくとも２個のケイ素
原子結合アルケニル基を含有し、ケイ素原子結合アルコ
キシ基を含有しないオルガノポリシロキサンとの混合物
である。(ａ)成分は一分子中に少なくとも２個のケイ素
原子結合アルコキシ基を含有するが、これは、一分子中
のケイ素原子結合アルコキシ基が２個未満であると、半
導体チップやリードフレームへのワイヤボンダビリティ
が低下したり、半導体装置の耐湿性が悪化するためであ
る。(ａ)成分の分子構造としては、直鎖状、一部分岐を
有する直鎖状、分岐鎖状が例示され、特に、直鎖状であ
ることが好ましい。(ａ)成分のケイ素原子結合アルコキ
シ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基、メトキシメトキシ基、メトキシエトキ
シ基が例示され、特に、メトキシ基であることが好まし
い。このアルコキシ基の結合位置としては、分子鎖末
端、分子鎖側鎖が例示され、特に、反応性が良好である
ことから分子鎖末端であることが好ましい。このアルコ
キシ基は主鎖のケイ素原子に直接結合してもよく、ま
た、主鎖のケイ素原子にアルキレン基を介して結合した
ケイ素原子に結合してもよい。また、(ａ)成分中のアル
コキシ基以外のケイ素原子に結合する基としては、例え
ば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル
基、デシル基、オクタデシル基等のアルキル基；シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；
フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のア
リール基；ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピ
ル基等のアラルキル基；３−クロロプロピル基、３，
３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキ
ル基が例示され、特に、メチル基、フェニル基であるこ
とが好ましい。また、(ａ)成分の粘度は２５℃において
２０〜２００，０００センチポイズであり、好ましくは
１００〜１００，０００センチポイズである。これは、
２５℃における粘度が２０センチポイズ未満であると、
得られる硬化物の柔軟性、伸び等の物理的特性が低下す
るためであり、また、これが２００，０００センチポイ
ズをこえると、得られる組成物の取扱作業性が悪化する
ためである。

【０００９】このような(ａ)成分としては、分子鎖両末
端トリメトキシシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサ
ン、分子鎖両末端トリメトキシシロキシ基封鎖ジメチル
シロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子
鎖両末端トリエトキシシロキシ基封鎖ジメチルポリシロ
キサン、分子鎖両末端トリプロポキシシロキシ基封鎖ジ
メチルポリシロキサン、分子鎖両末端メチルジメトキシ
シロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端
メチルジエトキシシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサ
ン、分子鎖両末端メチルジメトキシシロキシ基封鎖ジメ
チルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、
分子鎖両末端トリメトキシシリルエチルジメチルシロキ
シ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端トリエ
トキシシリルエチルジメチルシロキシ基封鎖ジメチルポ
リシロキサン、分子鎖両末端トリメトキシシリルプロピ
ルジメチルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分
子鎖両末端トリメトキシシリルエチルジメチルシロキシ
基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン
共重合体、分子鎖両末端メチルジメトキシシリルエチル
ジメチルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子
鎖両末端メチルジメトキシシリルエチルジメチルシロキ
シ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサ
ン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジ
メチルシロキサン・メチル（トリメトキシシリルエチ
ル）シロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロ
キシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチル（トリエトキシ
シリルエチル）シロキサン共重合体、分子鎖両末端トリ
メトキシシリルエチルジメチルシロキシ基封鎖ジメチル
シロキサン・メチル（トリメチルシリルエチル）シロキ
サン共重合体が例示される。(ａ)成分として、これらの
オルガノポリシロキサンを１種もしくは２種以上混合し
て配合することができる。

【００１０】(ｂ)成分は一分子中に少なくとも２個のケ
イ素原子結合アルケニル基を含有するが、これは、一分
子中のケイ素原子結合アルケニル基が２個未満である
と、得られる組成物が十分に硬化しなくなるからであ
る。(ｂ)成分の分子構造としては、直鎖状、一部分岐を
有する直鎖状、分岐状、環状、樹脂状が例示される。
(ｂ)成分のケイ素原子結合アルケニル基としては、ビニ
ル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニ
ル基が例示され、特に、ビニル基であることが好まし
い。このアルケニル基の結合位置としては、分子鎖末
端、分子鎖側鎖が例示され、特に、反応性が良好である
ことから分子鎖末端であることが好ましい。また、(ｂ)
成分中のアルケニル基以外のケイ素原子に結合する基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、
ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノ
ニル基、デシル基、オクタデシル基等のアルキル基；シ
クロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル
基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等
のアリール基；ベンジル基、フェネチル基、フェニルプ
ロピル基等のアラルキル基；３−クロロプロピル基、
３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化ア
ルキル基が例示され、特に、メチル基、フェニル基であ
ることが好ましい。また、(ｂ)成分の粘度は２５℃にお
いて２０〜２００，０００センチポイズであり、好まし
くは１００〜１００，０００センチポイズである。これ
は、２５℃における粘度が２０センチポイズ未満である
と、得られる硬化物の物理的特性が低下するためであ
り、また、これが２００，０００センチポイズをこえる
と、得られる組成物の取扱作業性が悪化するためであ
る。

【００１１】このような(ｂ)成分としては、分子鎖両末
端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチシロキサン・メチル
ビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシ
ロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末
端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチ
ルビニルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合
体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチ
ルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキ
シ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン
共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖
ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メチル
フェニルシロキサン共重合体、(ＣＨ₂＝ＣＨ)(ＣＨ₃)₂
ＳｉＯ_1/2単位およびＳｉＯ_4/2単位からなるオルガノポ
リシロキサン、(ＣＨ₃)₃ＳｉＯ_1/2単位、(ＣＨ₂＝ＣＨ)
(ＣＨ₃)₂ＳｉＯ_1/2単位およびＳｉＯ_4/2単位からなるオ
ルガノポリシロキサン、(ＣＨ₃)₃ＳｉＯ_1/2単位、(ＣＨ
₂＝ＣＨ)(ＣＨ₃)₂ＳｉＯ_1/2単位、(ＣＨ₃)₂ＳｉＯ_2/2単
位およびＳｉＯ_4/2単位からなるオルガノポリシロキサ
ンが例示される。(ｂ)成分として、これらのオルガノポ
リシロキサンを１種もしくは２種以上混合して配合する
ことができる。

【００１２】ここで、(Ａ)成分中、(ａ)成分の含有量は
５〜９５重量％であり、(ｂ)成分の含有量は残りの重量
％である。これは、(Ａ)成分中、(ａ)成分の含有量が５
重量％未満であると、半導体チップやリードフレームへ
のワイヤボンダビリティが低下したり、半導体装置の耐
湿性が悪化するためであり、また、これが９５重量％を
こえると、得られる組成物の硬化が遅くなるためであ
る。

【００１３】(Ｂ)成分のオルガノポリシロキサンは(ｂ)
成分と付加反応して、これを架橋するための成分であ
る。(Ｂ)成分は一分子中に少なくとも２個のケイ素原子
結合水素原子を含有するが、これは、一分子中のケイ素
原子結合水素原子が２個未満であると、得られる組成物
が十分に硬化しなかったり、硬化が遅くなるためであ
る。(Ｂ)成分の分子構造としては、直鎖状、一部分岐を
有する直鎖状、環状、樹脂状が例示される。このケイ素
原子結合水素原子の結合位置としては、分子鎖末端、分
子鎖側鎖が例示される。また、(Ｂ)成分の水素原子以外
のケイ素原子に結合する基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、オクタ
デシル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基等のシクロアルキル基；フェニル基、トリル
基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル
基、フェネチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル
基；３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロ
プロピル基等のハロゲン化アルキル基が例示され、特
に、メチル基、フェニル基であることが好ましい。ま
た、(Ｂ)成分中のその他任意の基としては、ケイ素原子
結合アルコキシ基、エポキシ官能性一価有機基、アクリ
ル官能性一価有機基が例示される。このケイ素原子結合
アルコキシ基としては、前記と同様のアルコキシ基が例
示され、このエポキシ官能性一価有機基としては、４−
オキシラニルブチル基、８−オキシラニルオクチル基等
のオキシラニルアルキル基；３−グリシドキシプロピル
基、４−グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキ
ル基；２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル
基が例示され、このアクリル官能性一価有機基として
は、３−メタクリロキシプロピル基、４−メタクリロキ
シブチル基が例示される。また、(Ｂ)成分の粘度は２５
℃において２〜２０，０００センチポイズであるが、こ
れは、２５℃における粘度が２センチポイズ以下である
と揮発しやく、得られる組成物の組成が不安定となるた
めであり、また、これが２０，０００センチポイズをこ
えると、得られる組成物の取扱作業性が悪化するためで
ある。

【００１４】このような(Ｂ)成分としては、分子鎖両末
端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリ
シロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジ
メチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共
重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ
基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチル
ハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メ
チルハイドロジェンシロキサン共重合体、(ＣＨ₃)₂ＨＳ
ｉＯ_1/2単位およびＳｉＯ_4/2単位からなるオルガノポリ
シロキサン、(ＣＨ₃)₃ＳｉＯ_1/2単位、(ＣＨ₃)₂ＨＳｉ
Ｏ_1/2単位およびＳｉＯ_4/2単位からなるオルガノポリシ
ロキサン、(ＣＨ₃)₃ＳｉＯ_1/2単位、(ＣＨ₃)₂ＨＳｉＯ
_1/2単位、(ＣＨ₃)₂ＳｉＯ_2/2単位およびＳｉＯ_4/2単位
からなるオルガノポリシロキサンが例示され、また、ケ
イ素原子結合アルコキシ基を含有するオルガノポリシロ
キサンとしては、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封
鎖メチルハイドロジェンシロキサン・メチル（トリメト
キシシリルエチル）シロキサン共重合体、分子鎖両末端
トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチル
ハイドロジェンシロキサン・メチル（トリメトキシシリ
ルエチル）シロキサン共重合体、環状メチルハイドロジ
ェンシロキサン・メチル（トリメトキシシリルエチル）
シロキサン共重合体、環状ジメチルシロキサン・メチル
ハイドロジェンシロキサン・メチル（トリメトキシシリ
ルエチル）シロキサン共重合体が例示され、また、ケイ
素原子結合アルコキシ基とエポキシ官能性一価有機基を
含有するオルガノポリシロキサンとしては、分子鎖両末
端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロ
キサン・メチル（トリメトキシシリルエチル）シロキサ
ン・メチル（３−グリシドキシプロピル）シロキサン共
重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチ
ルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン・メチ
ル（トリメトキシシリルエチル）シロキサン・メチル
（３−グリシドキシプロピル）シロキサン共重合体、環
状メチルハイドロジェンシロキサン・メチル（トリメト
キシシリルエチル）シロキサン・メチル（３−グリシド
キシプロピル）シロキサン共重合体、環状ジメチルシロ
キサン・メチルハイドロジェンシロキサン・メチル（ト
リメトキシシリルエチル）シロキサン・メチル（３−グ
リシドキシプロピル）シロキサン共重合体が例示され
る。(Ｂ)成分として、これらのオルガノポリシロキサン
を１種もしくは２種以上混合して配合することができ
る。

【００１５】(Ｂ)成分の配合量は、(ｂ)成分のケイ素原
子結合アルケニル基に対する(Ｂ)成分のケイ素原子結合
水素原子のモル比が０．３〜２０となる量である。これ
は、(ｂ)成分のケイ素原子結合アルケニル基に対する
(Ｂ)成分のケイ素結合水素原子のモル比が０．３未満で
あると、得られる組成物が十分に硬化しなくなるためで
あり、また、これが２０をこえると、得られる硬化物の
物理的特性が低下するためである。

【００１６】(Ｃ)成分の縮合反応用触媒は(ａ)成分の縮
合反応を促進するための触媒である。(Ｃ)成分として
は、有機チタン系縮合反応触媒、有機ジルコニウム系縮
合反応触媒、有機アルミニウム系縮合反応触媒が例示さ
れる。この有機チタン系縮合反応触媒としては、テトラ
ブチルチタネート、テトライソプロピルチタネート等の
有機チタン酸エステル、ジイソプロポキシビス（アセチ
ルアセテート）チタン、ジイソプロポキシビス（エチル
アセトアセテート）チタン等の有機チタンキレート化合
物が例示され、この有機ジルコニウム系縮合反応触媒と
しては、ジルコニウムテトラプロピレート、ジルコニウ
ムテトラブチレート等の有機ジルコニウムエステル、ジ
ルコニウムジアセテート、ジルコニウムテトラ（アセチ
ルアセトネート）、トリブトキシジルコニウムアセチル
アセトネート、ジブトキシジルコニウムビス（アセチル
アセトネート）、トリブトキシジルコニウムアセトアセ
テート、ジブトキシジルコニウムアセチルアセトネート
（エチルアセトアセテート）等の有機ジルコニウムキレ
ート化合物が例示され、この有機アルミニウム系縮合反
応触媒としては、アルミニウムトリエチレート、アルミ
ニウムトリイソプロピレート、アルミニウムトリ（ｓｅ
ｃ−ブチレート）、モノ（ｓｅｃ−ブトキシ）アルミニ
ウムジイソプロピレート等の有機アルミニウムエステ
ル、ジイソプロポキシアルミニウム（エチルアセトアセ
テート）、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテー
ト）、アルミニウムビス（エチルアセトアセテート）モ
ノアセチルアセトネート、アルミニウムトリス（アセチ
ルアセトネート）等の有機アルミニウムキレート化合物
が例示される。(Ｃ)成分として、これらの触媒を１種も
しくは２種以上混合して配合することができる。

【００１７】(Ｃ)成分の配合量は(Ａ)成分１００重量部
に対して０．０１〜１０重量部であり、好ましくは０．
１〜５重量部である。これは、(Ａ)成分１００重量部に
対して(Ｃ)成分が０．０１重量部未満であると、半導体
チップやリードフレームへのワイヤボンダビリティが低
下したり、半導体装置の耐湿性が悪化するためであり、
また、これが１０重量部をこえると、得られる組成物の
貯蔵安定性が悪化したり、取扱作業性が悪化するためで
ある。

【００１８】(Ｄ)成分の白金系触媒は(ｂ)成分と(Ｂ)成
分の付加反応を促進するための触媒であり、白金黒、白
金担持活性炭、白金担持シリカ微粉末、塩化白金酸、塩
化白金酸のアルコール溶液、白金とオレフィンとの錯
体、白金とビニルシロキサンとの錯体、これらの白金系
触媒を含有する熱可塑性樹脂からなる微粒子触媒が例示
される。この熱可塑性樹脂としては、シリコーン樹脂、
ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ナイロン樹脂、
ポリエステル樹脂が例示される。また、この熱可塑性樹
脂の軟化点は５〜２００℃であることが好ましく、この
粒子径は０．０１〜１０μｍであることが好ましい。
(Ｄ)成分の配合量は触媒量であり、具体的には、本組成
物に対する(Ｄ)成分中の白金金属原子が重量単位で０．
０１〜１０００ｐｐｍとなる量であることが好ましく、
特に、これが０．５〜２００ｐｐｍとなる量であること
が好ましい。

【００１９】前者の硬化性オルガノポリシロキサン組成
物は(Ａ)成分〜(Ｄ)成分を均一に混合することにより調
製されるが、この接着性を向上させるために、その他任
意の成分として、ケイ素原子結合アルコキシ基とエポキ
シ官能性一価有機基とケイ素原子結合アルケニル基を含
有する有機ケイ素化合物を配合することができる。この
ようなオルガノポリシロキサンとしては、分子鎖両末端
３−グリシロキシプロピルジメトキシシロキシ基封鎖メ
チルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端３−グリシド
キシプロピルジメトキシシロキシ基封鎖ジメチルシロキ
サン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端
３−グリシドキシプロピルジエトキシシロキシ基封鎖メ
チルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端３−グリシド
キシプロピルジエトキシシロキシ基封鎖ジメチルシロキ
サン・メチルビニルシロキサン共重合体が例示される。
このような有機ケイ素化合物の配合量は(Ａ)成分１００
重量部に対して０．０１〜２０重量部であることが好ま
しい。

【００２０】続いて、後者の硬化性オルガノポリシロキ
サン組成物を詳細に説明する。(Ａ')成分はこの組成物
の主剤であり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子
結合アルケニル基を含有し、ケイ素原子結合アルコキシ
基を含有するかまたはしないオルガノポリシロキサンで
ある。(Ａ')成分は一分子中に少なくとも２個のケイ素
原子結合アルケニル基を含有するが、これは、一分子中
のケイ素原子結合アルケニル基が２個未満であると、得
られる組成物が十分に硬化しなくなるためである。
(Ａ')成分の分子構造としては、直鎖状、一部分岐を有
する直鎖状、分岐鎖状が例示され、特に、直鎖状である
ことが好ましい。(Ａ')成分中のケイ素原子結合アルケ
ニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペ
ンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基が例示され、
特に、ビニル基であることが好ましい。このアルケニル
基の結合位置としては、分子鎖末端、分子鎖側鎖が例示
される。また、(Ａ')成分中のアルケニル基以外のケイ
素原子に結合する基としては、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチ
ル基、オクチル、ノニル基、デシル基、オクタデシル基
等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基
等のシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリ
ル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネ
チル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基；３−ク
ロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基
等のハロゲン化アルキル基；メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシメトキシ基、メト
キシエトキシ基等のアルコキシ基が例示される。また、
(Ａ')成分中のその他任意の基としては、エポキシ官能
性一価有機基、アクリル官能性一価有機基が例示され
る。このエポキシ官能性一価有機基としては、前記と同
様の基が例示され、このアクリル官能性一価有機基とし
ては、前記と同様の基が例示される。また、(Ｂ')成分
に含有されるケイ素原子結合アルコキシ基が一分子中に
１個以下である場合には、(Ａ')成分は一分子中に少な
くとも２個のケイ素原子結合アルコキシ基を含有するこ
とが必要である。また、(Ａ')成分の粘度は２５℃にお
いて２０〜２００，０００センチポイズであり、好まし
くは１００〜１００，０００センチポイズである。これ
は、２５℃における粘度が２０センチポイズ未満である
と、得られる硬化物の物理的特性が低下するためであ
り、また、これが２００，０００センチポイズをこえる
と、得られる組成物の取扱作業性が悪化するためであ
る。

【００２１】このような(Ａ')成分としては、上記の
(ｂ)成分のオルガノポリシロキサンが例示され、また、
ケイ素原子結合アルコキシ基を含有するオルガノポリシ
ロキサンとしては、分子鎖両末端トリメトキシシロキシ
基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共
重合体、分子鎖両末端トリメトキシシロキシ基封鎖ジメ
チルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メチルフェ
ニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリエトキシシ
ロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキ
サン共重合体、分子鎖両末端トリプロポキシシロキシ基
封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重
合体、分子鎖両末端メチルジメトキシシロキシ基封鎖ジ
メチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、
分子鎖両末端メチルジエトキシシロキシ基封鎖ジメチル
シロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖
両末端メチルジメトキシシロキシ基封鎖ジメチルシロキ
サン・メチルビニルシロキサン・メチルフェニルシロキ
サン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖
ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メチル
（トリメトキシシリルエチル）シロキサン共重合体、分
子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサ
ン・メチルビニルシロキサン・メチル（トリエトキシシ
リルエチル）シロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメ
トキシシリルエチルジメチルシロキシ基封鎖ジメチルシ
ロキサン・メチルビニルシロキサン・メチル（トリメチ
ルシリルエチル）シロキサン共重合体、式：

【化１】で表されるオルガノポリシロキサンが例示され、また、
ケイ素原子結合アルコキシ基とエポキシ官能性一価有機
基を含有するオルガノポリシロキサンとしては、分子鎖
両末端が３−グリシドキシプロピルジメトキシシロキシ
基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端３−
グリシドキシプロピルジメトキシシロキシ基封鎖ジメチ
ルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子
鎖両末端３−グリシドキシプロピルジエトキシシロキシ
基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端３−
グリシドキシプロピルジエトキシシロキシ基封鎖ジメチ
ルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子
鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルビニルシロキ
サン・メチル（トリメトキシシリルエチル）シロキサン
・メチル（３−グリシドキシプロピル）シロキサン共重
合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチル
シロキサン・メチルビニルシロキサン・メチル（トリメ
トキシシリルエチル）シロキサン・メチル（３−グリシ
ドキシプロピル）シロキサン共重合体が例示される。
(Ａ')成分として、これらのオルガノポリシロキサンを
１種もしくは２種以上混合して配合することができる。

【００２２】ここで、一分子中に少なくとも２個のケイ
素原子結合アルコキシ基を含有するような(Ａ')成分を
製造する方法としては、白金系触媒の存在下で一分子中
に少なくとも３個のケイ素原子結合アルケニル基を含有
するオルガノポリシロキサンにケイ素原子結合アルコキ
シ基とケイ素原子結合水素原子を含有する有機ケイ素化
合物を不足当量付加反応させる方法、縮合反応用触媒の
存在下で一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合ア
ルケニル基とシラノール基を含有するオルガノポリシロ
キサンに一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合ア
ルコキシ基を含有する有機ケイ素化合物を縮合反応させ
る方法が例示される。このケイ素原子結合アルコキシ基
とケイ素原子結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物
としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、
トリプロポキシシラン、メチルジメトキシシラン、式：

【化２】で表される有機ケイ素化合物、式：

【化３】で表される有機ケイ素化合物、式：

【化４】で表される有機ケイ素化合物が例示される。また、この
一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルコキシ
基を含有する有機ケイ素化合物としては、テトラメトキ
シシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシ
ラン、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシ
シラン、メチルトリエトキシシラン、ヘキサメトキシジ
シリルエタン、ヘキサメトキシジシリルプロパン、ヘキ
サメトキシジシロキサンが例示される。

【００２３】(Ｂ')成分は(Ａ')成分と付加反応して、こ
れを架橋するための成分であり、一分子中に少なくとも
２個のケイ素原子結合水素原子を含有し、ケイ素結合ア
ルコキシ基を含有するかまたはしないオルガノポリシロ
キサンである。(Ｂ')成分は一分子中に少なくとも２個
のケイ素原子結合水素原子を含有するが、これは、一分
子中のケイ素原子結合水素原子が２個未満であると、得
られる組成物が十分に硬化しなくなるためである。
(Ｂ')成分の分子構造としては、直鎖状、一部分岐を有
する直鎖状、環状、樹脂状が例示される。このケイ素原
子結合水素原子の結合位置としては、分子鎖末端、分子
鎖側鎖が例示される。また、(Ｂ')成分の水素原子以外
のケイ素原子に結合する基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、オクタ
デシル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基等のシクロアルキル基；フェニル基、トリル
基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル
基、フェネチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル
基；３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロ
プロピル基等のハロゲン化アルキル基；メトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシメトキ
シ基、メトキシエトキシ基等のアルコキシ基が例示され
る。また、(Ｂ')成分中のその他任意の基としては、エ
ポキシ官能性一価有機基、アクリル官能性一価有機基が
例示される。このエポキシ官能性一価有機基としては、
前記と同様の基が例示され、このアクリル官能性一価有
機基としては、前記と同様の基が例示される。また、
(Ａ')成分に含有されるケイ素原子結合アルコキシ基が
一分子中に１個以下である場合には、(Ｂ')成分は一分
子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルコキシ基を
含有することが必要である。また、(Ｂ')成分の粘度は
２５℃において２〜２０，０００センチポイズである
が、これは、２５℃における粘度が２センチポイズ未満
であると揮発しやすく、得られる組成物の組成が不安定
となるためであり、また、これが２０，０００センチポ
イズをこえると、得られる組成物の取扱作業性が悪化す
るためである。このような(Ｂ')成分としては、上記の
(Ｂ)成分と同様のオルガノポリシロキサンが例示され
る。

【００２４】ここで、一分子中に少なくとも２個のケイ
素原子結合アルコキシ基を含有するような(Ｂ')成分を
製造する方法としては、白金系触媒の存在下で一分子中
に少なくとも３個のケイ素原子結合水素原子を含有する
オルガノポリシロキサンにケイ素原子結合アルケニル基
とケイ素原子結合アルコキシ基を含有する有機ケイ素化
合物を不足当量付加反応させる方法が例示される。この
ケイ素原子結合アルケニル基とケイ素原子結合アルコキ
シ基を含有する有機ケイ素化合物としては、ビニルトリ
メトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、ビニルト
リエトキシシラン、ビニルトリプロポキシシラン、メチ
ルビニルジメトキシシラン、式：

【化５】で表される有機ケイ素化合物、式：

【化６】で表される有機ケイ素化合物が例示される。

【００２５】(Ｂ')成分の配合量は、(Ａ')成分のケイ素
原子結合アルケニル基に対する(Ｂ')成分のケイ素原子
結合水素原子のモル比が０．３〜２０となる量である。
これは、(Ａ')成分のケイ素原子結合アルケニル基に対
する(Ｂ')成分のケイ素結合水素原子のモル比が０．３
未満であると、得られる組成物が十分に硬化しなくなる
ためであり、また、これが２０をこえると、得られる硬
化物の物理的特性が低下するためである。

【００２６】(Ｃ)成分の縮合反応用触媒は(Ａ')成分お
よび／または(Ｂ')の縮合反応を促進するための触媒で
あり、前記と同様の触媒が例示される。(Ｃ)成分の配合
量は(Ａ')成分１００重量部に対して０．０１〜１０重
量部であり、好ましくは０．１〜５重量部である。これ
は、(Ａ')成分１００重量部に対して(Ｃ)成分が０．０
１重量部未満であると、半導体チップやリードフレーム
へのワイヤボンダビリティが低下したり、半導体装置の
耐湿性が悪化するためであり、また、これが１０重量部
をこえると、得られる組成物の貯蔵安定性が悪化した
り、取扱作業性が悪化するためである。

【００２７】(Ｄ)成分の白金系触媒は(Ａ')成分と(Ｂ')
成分の付加反応を促進するための触媒であり、前記と同
様の触媒が例示される。(Ｄ)成分の配合量は触媒量であ
り、具体的には、本組成物に対する(Ｄ)成分中の白金金
属原子が重量単位で０．０１〜１，０００ｐｐｍとなる
量であることが好ましく、特に、これが０．５〜２００
ｐｐｍとなる量であることが好ましい。

【００２８】後者の組成物においては、(Ａ')成分また
は(Ｂ')成分の少なくとも一方が一分子中に少なくとも
２個のケイ素原子結合アルコキシ基を含有することが必
要であるが、これは、(Ａ')成分と(Ｂ')成分に含有され
るケイ素原子結合アルコキシ基が共に一分子中に１個以
下である場合には、半導体チップやリードフレームへの
ワイヤボンダビリティが低下したり、半導体装置の耐湿
性が悪化するためである。

【００２９】これら両者のの組成物には、ケイ素原子結
合アルコキシ基を含有するオルガノポリシロキサンを架
橋させたり、これらの取扱作業性や接着性を向上させる
ための任意の成分として、一般式：Ｒ¹ _aＳｉ(ＯＲ²)_4-a （式中、Ｒ¹は一価炭化水素基、エポキシ官能性一価有
機基およびアクリル官能性一価有機基からなる群から選
択される少なくとも一種の基であり、Ｒ²はアルキル基
またはアルコキシアルキル基であり、ａは０、１または
２である。）で表されるアルコキシシランもしくはその
部分加水分解縮合物を配合することができる。上式中、
Ｒ¹は一価炭化水素基、エポキシ官能性一価有機基およ
びアクリル官能性一価有機基からなる群から選択される
少なくとも一種の基であり、この一価炭化水素基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル
基、デシル基、オクタデシル基等のアルキル基；シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；
ビニル基、アリル基等のアルケニル基；フェニル基、ト
リル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベン
ジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等のアラル
キル基；３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフル
オロプロピル基等のハロゲン化アルキル基が例示され、
このエポキシ官能性一価有機基としては、４−オキシラ
ニルブチル基、８−オキシラニルオクチル基等のオキシ
ラニルアルキル基；３−グリシドキシプロピル基、４−
グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基；２
−（３，４−エポキシシクロヘキシル）ビニル基が例示
され、このアクリル官能性一価有機基としては、３−メ
タクリロキシプロピル基、４−メタクリロキシブチル基
が例示される。また、上式中、Ｒ²はアルキル基または
アルコキシアルキル基であり、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチ
ル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、オクタデシル
基等のアルコキシ基、メトキシエチル基、エトキシエチ
ル基、メトキシプロピル基、メトキシブチル基等のアル
コキシアルコキシ基が例示され、特に、メトキシ基であ
ることが好ましい。また、上式中、ａは０、１または２
であり、特に、１であることが好ましい。

【００３０】このようなアルコキシシランおよびその部
分加水分解縮合物としては、テトラメトキシシラン、テ
トラエトキシシラン、メチルセロソルブオルソシリケー
ト、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシ
ラン、エチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシ
シラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリメト
キシエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジフ
ェニルジメトキシシラン等のアルコキシシラン；４−オ
キシラニルブチルトリメトキシシラン、８−オキシラニ
ルオクチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシク
ロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官
能性アルコキシシラン；３−メタクリロキシプロピルト
リメトキシシラン、４−メタクリロキシブチルトリメト
キシシラン等のアクリル官能性アルコキシシラン、およ
び、これらのアルコキシシランの部分加水分解縮合物が
例示される。このようなアルコキシシランもしくはその
部分加水分解縮合物を１種もしくは２種以上混合して配
合することができる。

【００３１】このようなアルコキシシランもしくはその
部分加水分解縮合物の配合量は(Ａ)成分または(Ａ')成
分１００重量部に対して０．０１〜２０重量部であるこ
とが好ましく、特に、０．１〜１０重量部であることが
好ましい。これは、(Ａ)成分または(Ａ')成分１００重
量部に対して、これが０．０１重量部未満であると、良
好な接着性が得られ難くなるためであり、また、これが
２０重量部をこえると、得られる組成物の硬化が著しく
遅くなったり、半導体チップやリードフレームへのワイ
ヤボンダビリティが低下したり、半導体装置の耐湿性が
悪化するようになる可能性があるからである。

【００３２】また、上記のアルコキシシランもしくはそ
の部分加水分解縮合物以外に、これらの組成物の接着性
を向上させるための任意の成分として、例えば、一分子
中にケイ素原子結合アルコキシ基と１個のケイ素原子結
合アルケニル基または１個のケイ素原子結合水素原子を
含有する有機ケイ素化合物を配合することができる。一
分子中にケイ素原子結合アルコキシ基と１個のケイ素原
子結合アルケニル基または１個のケイ素原子結合水素原
子を含有する有機ケイ素化合物としては、式：

【化７】で表されるオルガノポリシロキサン、式：

【化８】で表されるオルガノポリシロキサン、式：

【化９】で表される環状オルガノシロキサンが例示される。これ
らの有機ケイ素化合物を１種もしくは２種以上混合して
配合することができる。この配合量は(Ａ)成分または
(Ａ')成分１００重量部に対して０．０１〜２０重量部
であることが好ましく、特に、０．１〜１０重量部であ
ることが好ましい。これは、(Ａ)成分または(Ａ')成分
１００重量部に対して、これが０．０１重量部未満であ
ると、十分な接着性が得られ難くなるためであり、ま
た、これが２０重量部をこえると、得られる組成物の硬
化が著しく遅くなったり、半導体チップやリードフレー
ムへのワイヤボンダビリティが低下したり、半導体装置
の耐湿性が悪化するようになる可能性があるからであ
る。

【００３３】また、これら両者の組成物の取扱作業性を
向上するための任意の成分として、例えば、３−メチル
−１−ブチン−３−オール、３，５−ジメチル−１−ヘ
キシン−３−オール、３−フェニル−１−ブチン−３−
オール等のアセチレン系化合物；３−メチル−３−ペン
テン−１−イン、３，５−ジメチル−３−ヘキセン−１
−イン等のエンイン化合物；１，３，５，７−テトラメ
チル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロ
キサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，
７−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン等のシク
ロアルケニルシロキサン；ベンゾトリアゾール等のトリ
アゾール化合物；その他、フォスフィン化合物、メルカ
プタン化合物、ヒドラジン化合物等の付加反応抑制剤を
配合することができる。これらの付加反応抑制剤の配合
量は、ボンディング作業の条件により異なるが、一般に
は、本組成物に対する付加反応抑制剤が重量単位で１０
〜１，０００ｐｐｍであることが好ましい。

【００３４】また、これら両者の組成物には、その他任
意の成分として、例えば、ヒュームドシリカ、湿式シリ
カ微粉末、石英微粉末、炭酸カルシウム微粉末、二酸化
チタン微粉末、ケイ藻土微粉末、酸化アルミニウム微粉
末、水酸化アルミニウム微粉末、酸化亜鉛微粉末、炭酸
亜鉛微粉末等の無機質充填剤、および、これらの無機質
充填剤をメチルトリメトキシシラン等のオルガノアルコ
キシシラン、トリメチルクロロシラン等のオルガノハロ
シラン、ヘキサメチルジシラザン等のオルガノシラザ
ン、分子鎖両末端水酸基封鎖ジメチルシロキサンオリゴ
マー、分子鎖両末端水酸基封鎖メチルフェニルシロキサ
ンオリゴマー、分子鎖両末端水酸基封鎖メチルビニルシ
ロキサンオリゴマー等のシロキサンオリゴマーにより表
面処理した疎水性無機質充填剤を配合することができ
る。さらに、これら両者の組成物には、例えば、トルエ
ン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、ヘキサン、ヘプタン等の有機溶剤；
分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ポリジメチルシ
ロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ポリ
メチルフェニルシロキサン等の非架橋性オルガノポリシ
ロキサン；難燃剤、耐熱剤、可塑剤、チクソ性付与剤、
接着促進剤、防カビ剤を配合することができる。

【００３５】本発明のシリコーン系ダイボンディング剤
は、例えば、上記の(Ａ)成分、(Ｂ)成分、(Ｃ)成分およ
び(Ｄ)成分、または、(Ａ')成分、(Ｂ')成分、(Ｃ)成分
および(Ｄ)成分、さらには、その他任意の成分を均一に
混合することにより調製される。このシリコーン系ダイ
ボンディング剤は半導体チップを基板やパッケージに接
着した後、この半導体チップやリードフレームへのワイ
ヤボンダビリティを低下させないので、半導体装置の不
良率を大幅に低下させることができる。このシリコーン
系ダイボンディング剤により半導体チップを基板やパッ
ケージに接着する方法としては、基板やパッケージの半
導体チップ取り付け部分にこのシリコーン系ダイボンデ
ィング剤を塗布した後、この半導体チップを密着させて
加熱する方法、半導体チップにシリコーン系ダイボンデ
ィング剤を塗布した後、この半導体チップを基板やパッ
ケージに密着させて加熱する方法が例示される。また、
このシリコーン系ダイボンディング剤を硬化させる温度
としては５０〜３００℃であることが好ましく、特に、
１００〜２５０℃であることが好ましい。このようにし
て得られた硬化物の性状としては、ゲル状、ゴム状、レ
ジン状が例示され、特に、半導体チップに生じる応力を
十分に緩和することができることからゴム状であること
が好ましい。このゴム状の硬化物の硬さとしては、ＪＩ
ＳＫ６３０１に規定されるＪＩＳＡ硬さが５以上
であることが好ましく、１０〜９５であることがより好
ましく、さらに、１０〜６０であることが特に好まし
い。

【００３６】次に、本発明の半導体装置を図面により詳
細に説明する。本発明の半導体装置は図１で表されるよ
うに、半導体チップ１とタブ（半導体チップを取り付け
るための基材）２とがシリコーン系ダイボンディング剤
により接着されたことを特徴とする。このような半導体
装置としては、ダイオード、トランジスタ、サイリス
タ、モノリシックＩＣ、ハイブリッドＩＣ、ＬＳＩ、Ｖ
ＬＳＩが例示される。この半導体チップ１としては、ダ
イオードチップ、トランジスタチップ、サイリスタチッ
プ、モノリシックＩＣチップ、さらにはハイブリッドＩ
Ｃ中の半導体チップが例示される。また、このタブ２の
素材としては銅、鉄系合金が例示される。また、本発明
の半導体装置は図２で表されるように、半導体チップ１
を取り付けるための基材として、セラミック、ガラス等
の素材からなる回路基板８を用いることができる。この
回路基板８の表面には金、銀、銅等の金属により回路配
線９が形成されており、また、この回路基板８の表面に
は、コンデンサ、抵抗、コイル等の電気素子１０が実装
されていてもよい。

【００３７】本発明の半導体装置を製造する方法として
は、半導体チップ１とタブ２もしくはセラミック製回路
基板８とを上記のシリコーン系ダイボンディング剤を介
して密着させながら加熱して硬化物３を形成した後、半
導体チップ１の上端部に設けられたアルミニウム製ボン
ディングパッド４と銅製リードフレーム５もしくは銅製
回路配線９とを金製ボンディングワイヤ６によりワイヤ
ボンディングして製造される。このボンディングワイヤ
としては、金製の他に、銅製、アルミニウム製が例示さ
れる。なお、ワイヤボンディングする方法としては、熱
圧着法、超音波圧着法、超音波熱圧着法が例示される。
半導体チップ１とタブ２またはセラミック製回路基板８
とをシリコーン系ダイボンディング剤により接着する方
法としては半導体チップ１にシリコーン系ダイボンディ
ング剤を塗布した後、これをタブ２もしくはセラミック
製回路基板８に密着させて加熱する方法、タブ２もしく
はセラミック製回路基板８にシリコーン系ダイボンディ
ング剤を塗布した後、これに半導体チップ１を密着させ
て加熱する方法が例示される。このシリコーン系ダイボ
ンディング剤を加熱する温度は５０〜３００℃であるこ
とが好ましく、特に、１００〜２５０℃であることが好
ましい。次いで、この半導体チップ１の表面に半導体チ
ップを保護するためのシリコーンゴムまたはシリコーン
ゲルが形成されてもよい。さらに、この半導体装置は半
導体チップ１を封止樹脂７により樹脂封止して形成され
る。この封止樹脂７としては、エポキシ樹脂、フェノー
ル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂が例示され
る。

【００３８】

【実施例】本発明のシリコーン系ダイボンディング剤お
よび半導体装置を実施例により詳細に説明する。なお、
実施例中の粘度は２５℃において測定した値である。ま
た、実施例において、シリコーン系ダイボンディング剤
の硬化性、硬化物の硬さ、半導体装置の作成、半導体チ
ップやリードフレームへのワイヤボンダビリティの評
価、半導体装置の耐湿性の評価、および、半導体チップ
と封止樹脂との剥離の有無の観察は次のようにして行っ
た。［シリコーン系ダイボンディング剤の硬化性および硬化
物の硬さ］シリコーン系ダイボンディグ剤を２５℃の密
閉容器で貯蔵して、初期の粘度に対して２倍の粘度にな
るまでの時間（可使時間）を測定した。また、このシリ
コーン系ダイボンディング剤を塗布して、２０℃、５５
％ＲＨ条件下で放置しながら、この表面を指触により観
察してゴム状の硬化皮膜が形成される時間（Ｓｋｉｎｎ
ｉｎｇＯｖｅｒＴｉｍｅ：表中、ＳＯＴ）を測定し
た。さらに、このシリコーン系ダイボンディング剤を１
５０℃で３０分間加熱して硬化物を形成した。この硬化
物の硬さをＪＩＳＫ６３０１に規定されるＪＩＳ
Ａ硬度計により測定した。［半導体装置の作成、ワイヤボンダビリティの評価］図
１の半導体装置を作成した。この半導体装置は、リード
フレームが１４４個であり、半導体チップのサイズが１
０ｍｍ×１０ｍｍである。この半導体チップ１とタブ２
をシリコーン系ダイボンディング剤を介して密着させ
て、これを室温で５時間放置した。その後、これを２０
０℃で１０分間加熱して硬化物３を形成した。その後、
半導体チップ１の上端部に設けられたアルミニウム製ボ
ンディングパッド４と銅製リードフレーム５を金製ボン
ディングワイヤ６によりワイヤボンディングして半導体
装置を作成した。なお、ワイヤボンディングは超音波熱
圧着方法（接合温度１６０〜２５０℃、荷重３０〜１０
０ｍｇ／本）により行った。このような半導体装置を２
０個作成した。次いで、金製ボンディングワイヤ６とボ
ンディングパッド４または銅製リードフレーム５とのネ
ック形状を顕微鏡により観察して、この際、金製ボンデ
ィングワイヤ６を引っ張ることにより、このボンディン
グワイヤ６の接合状態を観察した、このワイヤボンダビ
リティをボンディングワイヤ６の接合不良の割合で示し
た。［半導体装置の耐湿性の評価］ボンディングワイヤ６を
良好に接合した半導体チップをエポキシ樹脂により樹脂
封止して半導体装置を作成した。この半導体装置２０個
を１２０℃、２気圧の飽和水蒸気中で所定時間加熱し
た。加熱後の半導体装置に電流を流して、銅製リードフ
レーム４間のリーク電流を測定した。そして、半導体装
置の耐湿性を、リーク電流の増加および導通不良のあっ
た不良の半導体装置の割合で示した。［半導体チップと封止樹脂との剥離の観察］エポキシ樹
脂により樹脂封止した半導体装置２０個を８５℃、８５
％ＲＨ条件下で１６８時間放置した後、２４５℃のＩＲ
リフローにより加熱した。加熱後の半導体装置を超音波
顕微鏡により観察して、半導体チップ１とエポキシ樹脂
封止材との間に生じた剥離を観察した。この剥離を生じ
た半導体装置の割合を求めた。

【００３９】［実施例１］粘度が２，０００センチポイ
ズである、式：

【化１０】で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖
ジメチルポリシロキサン８０重量部、粘度が５，０００
センチポイズである、式：

【化１１】で表される分子鎖両末端トリメトキシシロキシ基封鎖ジ
メチルポリシロキサン２０重量部、粘度が２０センチポ
イズである、式：

【化１２】で表される分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチ
ルハイドロジェンポリシロキサン２重量部、粘度が５０
センチポイズである、式：

【化１３】で表されるジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサ
ン共重合体２．５重量部、ビニルトリメトキシシラン
０．５重量部、ジイソプロポキシ−ビス（エチルアセト
アセテート）チタン０．５重量部、ヘキサメチルジシラ
ザンにより表面処理された、比表面積が２００ｍ²／ｇ
である疎水性ヒュームドシリカ７重量部、白金の１，
１，３，３−テトラメチル−１，３−ジビニルジシロキ
サン錯体（本組成物中、白金金属が重量単位で５ｐｐｍ
となる量）および３−フェニル−１−ブチン−３−オー
ル（本組成物中、重量単位で２００ｐｐｍとなる量）を
均一に混合してシリコーン系ダイボンディング剤を調製
した。このシリコーン系ダイボンディング剤を用いて半
導体装置を作成した。これらを評価した結果を表１に示
した。

【００４０】［実施例２］粘度が２，５００センチポイ
ズである、式：

【化１４】で表されるオルガノポリシロキサン９７．５重量部、粘
度が５０センチポイズである、式：

【化１５】で表されるジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサ
ン共重合体２．５重量部、粘度が２０センチポイズであ
る、式：

【化１６】で表される分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチ
ルハイドロジェンポリシロキサン２重量部、ビニルトリ
メトキシシラン０．５重量部、ジイソプロポキシ−ビス
（エチルアセトアセテート）チタン０．５重量部、ヘキ
サメチルジシラザンにより表面処理された、比表面積が
２００ｍ²／ｇである疎水性ヒュームドシリカ７重量
部、白金の１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジ
ビニルジシロキサン錯体（本組成物中、白金金属が重量
単位で５ｐｐｍとなる量）および３−フェニル−１−ブ
チン−３−オール（本組成物中、重量単位で２００ｐｐ
ｍとなる量）を均一に混合してシリコーン系ダイボンデ
ィング剤を調製した。このシリコーン系ダイボンディン
グ剤を用いて半導体装置を作成した。これらを評価した
結果を表１に示した。

【００４１】［実施例３］粘度が２，５００センチポイ
ズである、式：

【化１７】で表されるオルガノポリシロキサン９７．５重量部、粘
度が５０センチポイズである、式：

【化１８】で表されるジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサ
ン共重合体２．５重量部、粘度が４０センチポイズであ
る、式：

【化１９】で表されるジメチルシロキサン・メチルハイドロジェン
シロキサン・メチル（トリメトキシシリルエチル）シロ
キサン共重合体３０重量部、ビニルトリメトキシシラン
０．５重量部、ジイソプロポキシ−ビス（エチルアセト
アセテート）チタン０．５重量部、ヘキサメチルジシラ
ザンにより表面処理された、比表面積が２００ｍ²／ｇ
である疎水性ヒュームドシリカ７重量部、白金の１，
１，３，３−テトラメチル−１，３−ジビニルジシロキ
サン錯体（本組成物中、白金金属が重量単位で５ｐｐｍ
となる量）および３−フェニル−１−ブチン−３−オー
ル（本組成物中、重量単位で２００ｐｐｍとなる量）を
均一に混合してシリコーン系ダイボンディング剤を調製
した。このシリコーン系ダイボンディング剤を用いて半
導体装置を作成した。これらを評価した結果を表１に示
した。

【００４２】［実施例４］粘度が２，０００センチポイ
ズである、式：

【化２０】で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖
ジメチルポリシロキサン９７．５重量部、粘度が５０セ
ンチポイズである、式：

【化２１】で表されるジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサ
ン共重合体２．５重量部、粘度が４０センチポイズであ
る、式：

【化２２】で表されるジメチルシロキサン・メチルハイドロジェン
シロキサン・メチル（トリメトキシシリルエチル）シロ
キサン共重合体１５重量部、メチルトリメトキシシラン
０．５重量部、ジイソプロポキシ−ビス（エチルアセト
アセテート）チタン０．５重量部、ヘキサメチルジシラ
ザンにより表面処理された、比表面積が２００ｍ²／ｇ
である疎水性ヒュームドシリカ７重量部、白金の１，
１，３，３−テトラメチル−１，３−ジビニルジシロキ
サン錯体（本組成物中、白金金属が重量単位で５ｐｐｍ
となる量）および３−フェニル−１−ブチン−３−オー
ル（本組成物中、重量単位で２００ｐｐｍとなる量）を
均一に混合してシリコーン系ダイボンディング剤を調製
した。このシリコーン系ダイボンディング剤を用いて半
導体装置を作成した。これらを評価した結果を表１に示
した。

【００４３】［実施例５］粘度が５，０００センチポイ
ズである、式：

【化２３】で表される分子鎖両末端ビニルジメトキシシロキシ基封
鎖ジメチルポリシロキサン９８．５重量部、粘度が５０
センチポイズである、式：

【化２４】で表されるジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサ
ン共重合体２．５重量部、粘度が２０センチポイズであ
る、式：

【化２５】で表される分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチ
ルハイドロジェンポリシロキサン１．８重量部、ビニル
トリメトキシシラン０．５重量部、ジイソプロポキシ−
ビス（エチルアセトアセテート）チタン０．５重量部、
ヘキサメチルジシラザンにより表面処理された、比表面
積が２００ｍ²／ｇである疎水性ヒュームドシリカ７重
量部、白金の１，１，３，３−テトラメチル−１，３−
ジビニルジシロキサン錯体（本組成物中、白金金属が重
量単位で５ｐｐｍとなる量）および３−フェニル−１−
ブチン−３−オール（本組成物中、重量単位で２００ｐ
ｐｍとなる量）を均一に混合してシリコーン系ダイボン
ディング剤を調製した。このシリコーン系ダイボンディ
ング剤を用いて半導体装置を作成した。これらを評価し
た結果を表１に示した。

【００４４】［比較例１］粘度が２，０００センチポイ
ズである、式：

【化２６】で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖
ジメチルポリシロキサン１００重量部、粘度が２０セン
チポイズである、式：

【化２７】で表される分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチ
ルハイドロジェンポリシロキサン１．５重量部、粘度が
５０センチポイズである、式：

【化２８】で表されるジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサ
ン共重合体２．５重量部、ビニルトリメトキシシラン
０．５重量部、ヘキサメチルジシラザンにより表面処理
された、比表面積が２００ｍ²／ｇである疎水性ヒュー
ムドシリカ７重量部、白金の１，１，３，３−テトラメ
チル−１，３−ジビニルジシロキサン錯体（本組成物
中、白金金属が重量単位で５ｐｐｍとなる量）および３
−フェニル−１−ブチン−３−オール（本組成物中、重
量単位で２００ｐｐｍとなる量）を均一に混合してシリ
コーン系ダイボンディング剤を調製した。このシリコー
ン系ダイボンディング剤を用いて半導体装置を作成し
た。これらを評価した結果を表１に示した。

【００４５】

【表１】

【００４６】

【発明の効果】本発明のシリコーン系ダイボンディング
剤は付加反応と縮合反応により硬化する硬化性オルガノ
ポリシロキサン組成物からなるので、これにより半導体
チップを基板やパッケージに接着した後、この半導体チ
ップやリードフレームへのワイヤボンダビリティを低下
させないという特徴があり、また、本発明の半導体装置
は、このようなシリコーン系ダイボンディング剤を用い
ているので、信頼性が優れるという特徴がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は実施例で用いた半導体装置の断面図であ
る。

【図２】図２は本発明に係る半導体装置の断面図であ
る。

【符号の説明】

１半導体チップ２タブ３シリコーン系ダイボンディング剤の硬化物４アルミニウム製ボンディングパッド５銅製リードフレーム６金製ボンディングワイヤ７エポキシ系封止樹脂８セラミック製回路基板９銅製回路配線１０コンデンサ、抵抗等の電気素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者三谷修千葉県市原市千種海岸２番２東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社研究開発本部内 (72)発明者峰勝利千葉県市原市千種海岸２番２東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社研究開発本部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】付加反応と縮合反応により硬化する硬化
性オルガノポリシロキサン組成物からなるシリコーン系
ダイボンディング剤。
【請求項２】硬化性オルガノポリシロキサン組成物
が、 (Ａ)(ａ)２５℃における粘度が２０〜２００，０００センチポイズであり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルコキシ基を含有し、ケイ素原子結合アルケニル基を含有しないオルガノポリシロキサン５〜９５重量％と(ｂ)２５℃ における粘度が２０〜２００，０００センチポイズであり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を含有し、ケイ素原子結合アルコキシ基を含有しないオルガノポリシロキサン９５〜５重量％との混合物１００重量部、 (Ｂ)２５℃における粘度が２〜２０，０００センチポイズであり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を含有するオルガノポリシロキサン｛( ｂ)成分中のケイ素原子結合アルケニル基に対するケイ素原子結合水素原子のモル比が０．５〜２０となる量｝、 (Ｃ)縮合反応用触媒０．０１〜１０重量部および (Ｄ)白金系触媒触媒量からなることを特徴とする、請求項１に記載のシリコー
ン系ダイボンディング剤。
【請求項３】硬化性オルガノポリシロキサン組成物
が、 (Ａ')２５℃における粘度が２０〜２００，０００センチポイズであり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を含有し、ケイ素原子結合アルコキシ基を含有するかまたはしないオルガノポリシロキサン１００重量部、 (Ｂ')２５℃における粘度が２〜２０，０００センチポイズであり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を含有し、ケイ素原子結合アルコキシ基を含有するかまたはしないオルガノポリシロキサン｛(Ａ')成分中のケイ素原子結合アルケニル基に対するケイ素原子結合水素原子のモル比が０．５〜２０となる量｝、 (Ｃ)縮合反応用触媒０．０１〜１０重量部および (Ｄ)白金系触媒触媒量からなり、(Ａ')成分または(Ｂ')成分の少なくとも一方
が一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルコキ
シ基を含有することを特徴とする、請求項１に記載のシ
リコーン系ダイボンディング剤。
【請求項４】請求項１ないし３のいずれか１項に記載
のシリコーン系ダイボンディング剤により半導体チップ
を基板やパッケージに接着したことを特徴とする半導体
装置。