JPH0949948A - アレイ型発光素子モジュールとその製造方法 - Google Patents
アレイ型発光素子モジュールとその製造方法Info
- Publication number
- JPH0949948A JPH0949948A JP8101893A JP10189396A JPH0949948A JP H0949948 A JPH0949948 A JP H0949948A JP 8101893 A JP8101893 A JP 8101893A JP 10189396 A JP10189396 A JP 10189396A JP H0949948 A JPH0949948 A JP H0949948A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting element
- optical
- optical fiber
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4215—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical elements being wavelength selective optical elements, e.g. variable wavelength optical modules or wavelength lockers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
- G02B6/424—Mounting of the optical light guide
- G02B6/4243—Mounting of the optical light guide into a groove
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
- G02B6/4244—Mounting of the optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/146—External cavity lasers using a fiber as external cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】互いに波長の異なる光出力を組み合わせたアレ
イ型発光素子モジュールとその製造方法を提供する。 【解決手段】複数の発光素子1と、発光素子1の放射光
を一方の端面に受けるように発光素子1の各々にそれぞ
れ対応して配置された複数の光ファイバ2とを備えたア
レイ型発光素子1モジュールにおいて、光ファイバ2の
各々の入射端近傍に、各々が特定の回折波長を有する回
折格子2aが形成されている。
イ型発光素子モジュールとその製造方法を提供する。 【解決手段】複数の発光素子1と、発光素子1の放射光
を一方の端面に受けるように発光素子1の各々にそれぞ
れ対応して配置された複数の光ファイバ2とを備えたア
レイ型発光素子1モジュールにおいて、光ファイバ2の
各々の入射端近傍に、各々が特定の回折波長を有する回
折格子2aが形成されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、アレイ型発光素子
モジュールに関する。より詳細には、本発明は、所望の
複数種類の発振波長のレーザ光を同時に出力することが
できる新規な発光素子モジュールの構成に関する。
モジュールに関する。より詳細には、本発明は、所望の
複数種類の発振波長のレーザ光を同時に出力することが
できる新規な発光素子モジュールの構成に関する。
【0002】
【従来の技術】光信号を利用したデータ伝送においてよ
り高速・高密度な伝送を実現する方法としてWDM(Wav
elength-Division Multiplexing)法がある。この方法で
は、1本の光伝送路に対して、互いに波長の異なる光信
号を重畳して伝送することにより伝送密度を効率良く向
上させることができる。
り高速・高密度な伝送を実現する方法としてWDM(Wav
elength-Division Multiplexing)法がある。この方法で
は、1本の光伝送路に対して、互いに波長の異なる光信
号を重畳して伝送することにより伝送密度を効率良く向
上させることができる。
【0003】上記のようなWDM法を実施する場合互い
に発振波長の異なる複数のレーザ光源を使用する必要が
ある。そこで、互いに発振波長の異なるDFB(Distrib
utedFeedBack)レーザやDBR(Distributed Bragg Refl
ector) レーザ等を備えた発光素子モジュールを複数用
意し、各半導体モジュールから出射されたレーザ光を光
合波器において合波して伝送光を発生させていた。
に発振波長の異なる複数のレーザ光源を使用する必要が
ある。そこで、互いに発振波長の異なるDFB(Distrib
utedFeedBack)レーザやDBR(Distributed Bragg Refl
ector) レーザ等を備えた発光素子モジュールを複数用
意し、各半導体モジュールから出射されたレーザ光を光
合波器において合波して伝送光を発生させていた。
【0004】しかしながら、上記のような方法でWDM
伝送方式のための光源を構成する場合、設計されたWD
M伝送のために必要な所定の発振波長の発光素子モジュ
ールを揃えることが難しいという問題がある。また、各
発光素子モジュールをそれぞれ組み立てた上で更にそれ
らを組み合わせて作製しなければならないので製造工数
が多く、コストの上昇が避けられないという問題もあ
る。
伝送方式のための光源を構成する場合、設計されたWD
M伝送のために必要な所定の発振波長の発光素子モジュ
ールを揃えることが難しいという問題がある。また、各
発光素子モジュールをそれぞれ組み立てた上で更にそれ
らを組み合わせて作製しなければならないので製造工数
が多く、コストの上昇が避けられないという問題もあ
る。
【0005】更に、前記のような従来のWDM光源は、
個別に作製された発光素子モジュールを組み合わせて構
成されるので、最終的な製品としてのWDM光源を小型
化することが非常に難しい。これに対して、主に高密度
実装やコストダウンを目的として複数の半導体レーザと
複数の光ファイバとを一体に組み合わせた図9に示すよ
うな発光素子モジュールが既に知られている。この発光
素子モジュールは、複数の発光素子1を1列に配列して
なる発光素子アレイ10と複数の光ファイバ2をひとつの
配列平面上に平行に配置してなる光ファイバアレイ20と
を共通の基板30上に実装して構成されている。また、実
際には、この種の発光素子モジュールでは、発光素子ア
レイ10の発光面と光ファイバアレイ20の入射端面との間
にレンズ等による光学系40が挿入されており、発光素子
1と光ファイバ2との結合効率を向上させている。
個別に作製された発光素子モジュールを組み合わせて構
成されるので、最終的な製品としてのWDM光源を小型
化することが非常に難しい。これに対して、主に高密度
実装やコストダウンを目的として複数の半導体レーザと
複数の光ファイバとを一体に組み合わせた図9に示すよ
うな発光素子モジュールが既に知られている。この発光
素子モジュールは、複数の発光素子1を1列に配列して
なる発光素子アレイ10と複数の光ファイバ2をひとつの
配列平面上に平行に配置してなる光ファイバアレイ20と
を共通の基板30上に実装して構成されている。また、実
際には、この種の発光素子モジュールでは、発光素子ア
レイ10の発光面と光ファイバアレイ20の入射端面との間
にレンズ等による光学系40が挿入されており、発光素子
1と光ファイバ2との結合効率を向上させている。
【0006】但し、上述のような複数の発光素子と光フ
ァイバとを含む従来の発光素子モジュールにおいて、発
光素子アレイ10に含まれる複数の発光素子1の発光波長
は互いに同じであり、互いに異なる波長の光信号が必要
なWDM光源として使用することはできない。即ち、こ
の従来の発光素子モジュールは単なる並列光伝送にしか
対応できない。
ァイバとを含む従来の発光素子モジュールにおいて、発
光素子アレイ10に含まれる複数の発光素子1の発光波長
は互いに同じであり、互いに異なる波長の光信号が必要
なWDM光源として使用することはできない。即ち、こ
の従来の発光素子モジュールは単なる並列光伝送にしか
対応できない。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、上
記従来技術の問題点を解決し、小型化が可能であると同
時に、所望の発振波長を組み合わせた複数の波長のレー
ザ光を出力することができる新規な発光素子モジュール
を提供することをその目的としている。また、そのよう
な発光素子モジュールを提供することも本発明の目的の
ひとつである。
記従来技術の問題点を解決し、小型化が可能であると同
時に、所望の発振波長を組み合わせた複数の波長のレー
ザ光を出力することができる新規な発光素子モジュール
を提供することをその目的としている。また、そのよう
な発光素子モジュールを提供することも本発明の目的の
ひとつである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明に従うと、複数の
発光素子と、該発光素子の放射光を一方の端面に受ける
ように該発光素子の各々にそれぞれ対応して配置された
複数の光ファイバとを備えたアレイ型発光素子モジュー
ルにおいて、該光ファイバの各々の該入射端近傍に、各
々が特定の回折波長を有する回折格子が形成されている
ことを特徴とするアレイ型発光素子モジュールが提供さ
れる。
発光素子と、該発光素子の放射光を一方の端面に受ける
ように該発光素子の各々にそれぞれ対応して配置された
複数の光ファイバとを備えたアレイ型発光素子モジュー
ルにおいて、該光ファイバの各々の該入射端近傍に、各
々が特定の回折波長を有する回折格子が形成されている
ことを特徴とするアレイ型発光素子モジュールが提供さ
れる。
【0009】また、上記本発明に係るアレイ型発光素子
モジュールの製造方法として、本発明により、前記光フ
ァイバの各々が、予め回折格子を形成された後に所定の
配列平面上に固定される工程を含むことを特徴とする発
光素子モジュールの作製方法が提供される。
モジュールの製造方法として、本発明により、前記光フ
ァイバの各々が、予め回折格子を形成された後に所定の
配列平面上に固定される工程を含むことを特徴とする発
光素子モジュールの作製方法が提供される。
【0010】更に、上記本発明に係るアレイ型発光素子
モジュールを製造する他の方法として、本発明により、
所定の配列平面上に複数の光ファイバを固定する工程
と、該固定された光ファイバの端部近傍にそれぞれ回折
格子を形成する工程とを含むことを特徴とする発光素子
モジュールの作製方法が提供される。
モジュールを製造する他の方法として、本発明により、
所定の配列平面上に複数の光ファイバを固定する工程
と、該固定された光ファイバの端部近傍にそれぞれ回折
格子を形成する工程とを含むことを特徴とする発光素子
モジュールの作製方法が提供される。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明に係る発光素子モジュール
は、発光素子の出射光を外部に伝播する出射ポートとし
ての光ファイバの入射端近傍に回折格子を形成して、複
数ある出力用光ファイバ毎に所望の発振波長のレーザ光
を出力できるという点にその主要な特徴がある。
は、発光素子の出射光を外部に伝播する出射ポートとし
ての光ファイバの入射端近傍に回折格子を形成して、複
数ある出力用光ファイバ毎に所望の発振波長のレーザ光
を出力できるという点にその主要な特徴がある。
【0012】即ち、一般のアレイ型発光素子モジュール
において複数種類の波長の光信号を発生させようとした
場合、各半導体発光素子自体に回折格子を形成して所望
の波長で発振させようとしていた。しかしながら、この
方法では、半導体発光素子への注入キャリア密度や温度
変化により回折格子が形成される部位の材料の屈折率が
変わってしまうことや、発光素子端面の回折格子の位相
のばらつき等により、最終的に所望の発振波長の組合せ
を再現性良く実現することは困難であった。
において複数種類の波長の光信号を発生させようとした
場合、各半導体発光素子自体に回折格子を形成して所望
の波長で発振させようとしていた。しかしながら、この
方法では、半導体発光素子への注入キャリア密度や温度
変化により回折格子が形成される部位の材料の屈折率が
変わってしまうことや、発光素子端面の回折格子の位相
のばらつき等により、最終的に所望の発振波長の組合せ
を再現性良く実現することは困難であった。
【0013】これに対して、本発明に係る発光素子モジ
ュールでは、各光ファイバの入射端近傍に回折格子を形
成して半導体レーザの外部共振器として利用することに
より光ファイバ毎に所望の波長のレーザ光を出力させる
ことができる。また、回折格子を形成する際に適切な仕
様を選択することにより、所望の波長の出射光を組み合
わせた発光素子モジュールを製造することが可能にな
る。尚、この外部共振器構造は、光ファイバに形成する
回折格子の反射スペクトル幅が半導体レーザの利得幅に
比べて十分に狭いので可能になる。
ュールでは、各光ファイバの入射端近傍に回折格子を形
成して半導体レーザの外部共振器として利用することに
より光ファイバ毎に所望の波長のレーザ光を出力させる
ことができる。また、回折格子を形成する際に適切な仕
様を選択することにより、所望の波長の出射光を組み合
わせた発光素子モジュールを製造することが可能にな
る。尚、この外部共振器構造は、光ファイバに形成する
回折格子の反射スペクトル幅が半導体レーザの利得幅に
比べて十分に狭いので可能になる。
【0014】ここで、回折格子の形成については、光フ
ァイバに紫外線やX線を照射することにより光ファイバ
自体の屈折率を変化させる方法がある。この方法では、
照射強度や照射時間を制御することにより、所望の回折
波長の回折格子を比較的容易に形成することができる。
ァイバに紫外線やX線を照射することにより光ファイバ
自体の屈折率を変化させる方法がある。この方法では、
照射強度や照射時間を制御することにより、所望の回折
波長の回折格子を比較的容易に形成することができる。
【0015】以上のような本発明に係る発光素子モジュ
ールでは、外部的な要因による屈折率変化が少ない光フ
ァイバに発振波長を決定する回折格子を形成するので、
発光素子自体に回折格子を形成した場合と異なり、設計
通りの発振波長が容易且つ確実に得られる。また、光フ
ァイバに形成した回折格子による発振波長は、温度依存
性が0.01nm/℃程度と非常に少ないので、発光素子モジ
ュール全体で温度変化に対して特性が安定している。但
し、発振波長をより厳密に管理したい場合は、ペルチェ
効果素子等を利用して光ファイバに形成した回折格子の
温度を制御することにより、より厳密な温度管理を行う
こともできる。
ールでは、外部的な要因による屈折率変化が少ない光フ
ァイバに発振波長を決定する回折格子を形成するので、
発光素子自体に回折格子を形成した場合と異なり、設計
通りの発振波長が容易且つ確実に得られる。また、光フ
ァイバに形成した回折格子による発振波長は、温度依存
性が0.01nm/℃程度と非常に少ないので、発光素子モジ
ュール全体で温度変化に対して特性が安定している。但
し、発振波長をより厳密に管理したい場合は、ペルチェ
効果素子等を利用して光ファイバに形成した回折格子の
温度を制御することにより、より厳密な温度管理を行う
こともできる。
【0016】また、発光素子モジュールは一般に発光素
子自体の駆動電力を変化させて出力光信号を変調して使
用するが、このような方式では変調速度が遅くなるとい
う問題がある。そこで、本発明の好ましい一態様に従う
と、発光素子自体からは定常的な光信号を発生させ、そ
の光信号を別途装着した光信号変調器により変調するこ
とで極めて高速な変調速度が実現される。
子自体の駆動電力を変化させて出力光信号を変調して使
用するが、このような方式では変調速度が遅くなるとい
う問題がある。そこで、本発明の好ましい一態様に従う
と、発光素子自体からは定常的な光信号を発生させ、そ
の光信号を別途装着した光信号変調器により変調するこ
とで極めて高速な変調速度が実現される。
【0017】また、上記のような方式で発光素子モジュ
ールを動作させる場合は、発光素子モジュールの光出力
自体は安定していることが好ましい。従って、例えば複
数の光ファイバのうちの少なくとも1本の光出力から発
光素子の動作状態を監視し、各光ファイバの回折格子部
に装着したペルチェ効果素子を帰還制御する等して動作
温度を安定させることが望ましい。
ールを動作させる場合は、発光素子モジュールの光出力
自体は安定していることが好ましい。従って、例えば複
数の光ファイバのうちの少なくとも1本の光出力から発
光素子の動作状態を監視し、各光ファイバの回折格子部
に装着したペルチェ効果素子を帰還制御する等して動作
温度を安定させることが望ましい。
【0018】上記のようにして任意の波長の組合せの複
数種類の発振波長を有する発光素子モジュールを供給す
ることが可能になるので、波長多重によるデータ伝送の
できるシステムを容易に構築することが可能になる。
数種類の発振波長を有する発光素子モジュールを供給す
ることが可能になるので、波長多重によるデータ伝送の
できるシステムを容易に構築することが可能になる。
【0019】以下、図面を参照して本発明に係る発光素
子モジュールをより具体的に説明するが、以下の開示は
本発明の一実施例に過ぎず、本発明の技術的範囲を何ら
限定するものではない。
子モジュールをより具体的に説明するが、以下の開示は
本発明の一実施例に過ぎず、本発明の技術的範囲を何ら
限定するものではない。
【0020】
【実施例】図1は本発明に係るアレイ型発光素子モジュ
ールの基本的な構成を示す図である。
ールの基本的な構成を示す図である。
【0021】同図に示すように、この発光素子モジュー
ルの構成は、基本的には図5に示した従来の発光素子モ
ジュールと共通であり、光ファイバアレイ20を構成する
各光ファイバ1の入射端近傍に形成された回折格子2a
を備えている点にその主要な特徴がある。
ルの構成は、基本的には図5に示した従来の発光素子モ
ジュールと共通であり、光ファイバアレイ20を構成する
各光ファイバ1の入射端近傍に形成された回折格子2a
を備えている点にその主要な特徴がある。
【0022】即ち、この発光素子モジュールは、基板30
上に装荷された発光素子アレイ10および光ファイバアレ
イ20から主に構成されており、更に、発光素子アレイ10
と光ファイバアレイ20との間に挿入されたレンズアレイ
40を備えている。前述の回折格子2aは、この光ファイ
バアレイ20を構成する各光ファイバ2の入射端近傍に形
成されている。
上に装荷された発光素子アレイ10および光ファイバアレ
イ20から主に構成されており、更に、発光素子アレイ10
と光ファイバアレイ20との間に挿入されたレンズアレイ
40を備えている。前述の回折格子2aは、この光ファイ
バアレイ20を構成する各光ファイバ2の入射端近傍に形
成されている。
【0023】以上のように構成された発光素子モジュー
ルにおいては、各光ファイバ2に形成された回折格子2
aが、発光素子1に対する外部共振器となる。従って、
この回折格子における回折波長を適切に設定することに
より、各光ファイバ2毎に出射されるレーザ光の発振波
長を任意に設定することができる。
ルにおいては、各光ファイバ2に形成された回折格子2
aが、発光素子1に対する外部共振器となる。従って、
この回折格子における回折波長を適切に設定することに
より、各光ファイバ2毎に出射されるレーザ光の発振波
長を任意に設定することができる。
【0024】尚、光ファイバに形成する回折格子は、光
ファイバを基板に実装する前に予め形成しておいてもよ
いし、後述するように、光ファイバを基板上に実装した
後に加工して回折格子を形成することもできる。
ファイバを基板に実装する前に予め形成しておいてもよ
いし、後述するように、光ファイバを基板上に実装した
後に加工して回折格子を形成することもできる。
【0025】即ち、光ファイバに回折格子を形成する方
法としては干渉法の他、位相格子法やX線を照射する方
法等が例示できる。即ち、干渉法は、照射角度の異なる
複数の紫外線レーザ光を光ファイバの特定領域に同時に
照射することによりレーザ光相互の干渉で周期的な屈折
率分布を形成する方法である。位相格子法は、所望の同
期を有する位相格子に紫外線レーザ光を入射し、位相格
子により生じる複数の回折光の干渉パターンを光ファイ
バの特定領域に照射して周期的な屈折率分布を形成する
方法である。X線照射法は、Xファイバに形成した屈折
率分布周期を有するマスクを用意して、マスク上にX線
を照射してXファイバに屈折率分布を形成する方法であ
る。これらの方法では、特定の光ファイバの回折格子を
形成する領域だけが露光されるようなマスクを用いるこ
とにより、所望の光ファイバの所望の領域にのみ任意の
仕様の回折格子を形成することができる。
法としては干渉法の他、位相格子法やX線を照射する方
法等が例示できる。即ち、干渉法は、照射角度の異なる
複数の紫外線レーザ光を光ファイバの特定領域に同時に
照射することによりレーザ光相互の干渉で周期的な屈折
率分布を形成する方法である。位相格子法は、所望の同
期を有する位相格子に紫外線レーザ光を入射し、位相格
子により生じる複数の回折光の干渉パターンを光ファイ
バの特定領域に照射して周期的な屈折率分布を形成する
方法である。X線照射法は、Xファイバに形成した屈折
率分布周期を有するマスクを用意して、マスク上にX線
を照射してXファイバに屈折率分布を形成する方法であ
る。これらの方法では、特定の光ファイバの回折格子を
形成する領域だけが露光されるようなマスクを用いるこ
とにより、所望の光ファイバの所望の領域にのみ任意の
仕様の回折格子を形成することができる。
【0026】上記の光ファイバに紫外線やX線を照射す
る方法では、照射強度や照射時間を制御することによ
り、回折波長の異なる回折格子を容易に形成できる。従
って、複数の光ファイバを基板に固定した後に、各光フ
ァイバに対して仕様の異なる回折格子をそれぞれ形成す
ることが可能になる。
る方法では、照射強度や照射時間を制御することによ
り、回折波長の異なる回折格子を容易に形成できる。従
って、複数の光ファイバを基板に固定した後に、各光フ
ァイバに対して仕様の異なる回折格子をそれぞれ形成す
ることが可能になる。
【0027】図2は、回折格子を形成するための回折格
子周期での光強度分布を有する紫外線照射により、光フ
ァイバの入射端近傍に、互いに回折波長の異なる回折格
子を形成する方法を示す図である。
子周期での光強度分布を有する紫外線照射により、光フ
ァイバの入射端近傍に、互いに回折波長の異なる回折格
子を形成する方法を示す図である。
【0028】この方法では光ファイバ2の入射端近傍に
紫外線を照射することにより回折格子を形成する。即
ち、図2(a) に示すように、紫外線透過量に分布を有す
るフィルタ100 を介して紫外線を照射することにより、
各光ファイバ2に照射される紫外線の強度を図2(b) に
示すように変化させることができる。このような方法に
より、各光ファイバ毎に、平均的な照射強度が異なるた
め、固有の回折波長を有する回折格子を形成することが
できる。
紫外線を照射することにより回折格子を形成する。即
ち、図2(a) に示すように、紫外線透過量に分布を有す
るフィルタ100 を介して紫外線を照射することにより、
各光ファイバ2に照射される紫外線の強度を図2(b) に
示すように変化させることができる。このような方法に
より、各光ファイバ毎に、平均的な照射強度が異なるた
め、固有の回折波長を有する回折格子を形成することが
できる。
【0029】図3は、紫外線照射により、複数の光ファ
イバに互いに回折波長が異なる回折格子を形成する他の
方法を示す図である。
イバに互いに回折波長が異なる回折格子を形成する他の
方法を示す図である。
【0030】この方法では、図3(a) に示すように、複
数の光ファイバ2の入射端近傍の領域に対して紫外線を
走査させることにより回折格子を形成させる。ここで、
紫外線の走査速度は、図3(b) に示すように光ファイバ
毎に異なり、従って、それぞれの光ファイバ2に対する
平均的な紫外線照射量は変化する。このような方法によ
り、図3(c) に示すように、各光ファイバ毎に異なる任
意の回折波長を有する回折格子を形成することができ
る。
数の光ファイバ2の入射端近傍の領域に対して紫外線を
走査させることにより回折格子を形成させる。ここで、
紫外線の走査速度は、図3(b) に示すように光ファイバ
毎に異なり、従って、それぞれの光ファイバ2に対する
平均的な紫外線照射量は変化する。このような方法によ
り、図3(c) に示すように、各光ファイバ毎に異なる任
意の回折波長を有する回折格子を形成することができ
る。
【0031】以上のようにして、光ファイバ毎に回折波
長の異なる回折格子を形成することにより、各光ファイ
バ2から、それぞれ固有の波長のレーザ光を出射させる
ことができる。具体的には、一般的な半導体レーザの利
得幅は 100nm程度であり、発振波長幅(0.1nm以下) 以上
の間隔ならば利用することができる。従って、たとえ
ば、半導体レーザの利得のピークを1550nmに設定し、15
50±50nmの帯域で1nm間隔で光ファイバにおける回折波
長の波長間隔を設定すれば、最大100 波長のレーザを出
力させることができる。また、半導体レーザの利得ピー
クを例えば1310nmに設定して1310±10nmの帯域で1nm間
隔で発振波長を設定した場合も同様に 100波長をとるこ
とができるが、実際にこれ程多数の波長数が必要無い場
合は、利得のピーク波長に近い帯域に必要な波長数を設
定すればよい。尚、光ファイバに照射する紫外線として
は、波長 244〜248 nmの紫外線レーザを好適に使用する
ことができる。
長の異なる回折格子を形成することにより、各光ファイ
バ2から、それぞれ固有の波長のレーザ光を出射させる
ことができる。具体的には、一般的な半導体レーザの利
得幅は 100nm程度であり、発振波長幅(0.1nm以下) 以上
の間隔ならば利用することができる。従って、たとえ
ば、半導体レーザの利得のピークを1550nmに設定し、15
50±50nmの帯域で1nm間隔で光ファイバにおける回折波
長の波長間隔を設定すれば、最大100 波長のレーザを出
力させることができる。また、半導体レーザの利得ピー
クを例えば1310nmに設定して1310±10nmの帯域で1nm間
隔で発振波長を設定した場合も同様に 100波長をとるこ
とができるが、実際にこれ程多数の波長数が必要無い場
合は、利得のピーク波長に近い帯域に必要な波長数を設
定すればよい。尚、光ファイバに照射する紫外線として
は、波長 244〜248 nmの紫外線レーザを好適に使用する
ことができる。
【0032】図4は、本発明に係るアレイ型発光素子モ
ジュールの他の構成例を示す図である。
ジュールの他の構成例を示す図である。
【0033】同図に示すように、この発光素子モジュー
ルは、図1に示した発光素子モジュールに対して更に基
板30上に実装された光合波器50を備えている点にその特
徴がある。即ち、この発光素子モジュールでは、各発光
素子10に結合された光ファイバアレイ2の後端は共通の
基板30上に実装された光合波器50に結合されている。こ
の光合波器50は、光ファイバアレイ20から注入された光
を合波して、出射ポートである光ファイバ51に出力する
機能を有している。従って、光ファイバ51からは、それ
ぞれ固有の波長を有する複数のレーザ光が重畳された上
で出射される。このような構成の発光素子モジュール
は、単独でWDM方式の光通信の光源として使用するこ
とができる。
ルは、図1に示した発光素子モジュールに対して更に基
板30上に実装された光合波器50を備えている点にその特
徴がある。即ち、この発光素子モジュールでは、各発光
素子10に結合された光ファイバアレイ2の後端は共通の
基板30上に実装された光合波器50に結合されている。こ
の光合波器50は、光ファイバアレイ20から注入された光
を合波して、出射ポートである光ファイバ51に出力する
機能を有している。従って、光ファイバ51からは、それ
ぞれ固有の波長を有する複数のレーザ光が重畳された上
で出射される。このような構成の発光素子モジュール
は、単独でWDM方式の光通信の光源として使用するこ
とができる。
【0034】尚、上記のような発光素子モジュールで使
用できる光合波器としては、複数の光ファイバのコア
を、それぞれの伝播光が干渉するまで近接させた光ファ
イバ合波器や、Y字状あるいはX字状のパターンを有す
る平面導波路等を単独であるいは組み合わせて使用する
ことができる。また、図2に示した例では、基板30上の
発光素子の出射光を全て合波させて単独の出力ポートに
出力しているが、例えば2個ずつの発光素子を組み合わ
せて複数の出力ポートを有する発光素子モジュールを構
成することもできる。
用できる光合波器としては、複数の光ファイバのコア
を、それぞれの伝播光が干渉するまで近接させた光ファ
イバ合波器や、Y字状あるいはX字状のパターンを有す
る平面導波路等を単独であるいは組み合わせて使用する
ことができる。また、図2に示した例では、基板30上の
発光素子の出射光を全て合波させて単独の出力ポートに
出力しているが、例えば2個ずつの発光素子を組み合わ
せて複数の出力ポートを有する発光素子モジュールを構
成することもできる。
【0035】図5は、本発明に係るアレイ型発光素子モ
ジュールの更に他の構成例を示す図である。
ジュールの更に他の構成例を示す図である。
【0036】同図に示す発光素子モジュールは、図2に
示した発光素子モジュールに対して更に光アイソレータ
70を付加して構成されている。即ち、光伝送路上の反射
による戻り光が発光素子に影響を及ぼすアナログ光伝送
等の用途では、発光素子モジュールと、それ以降の光伝
送路との間に光アイソレータを挿入する必要がある。し
かしながら、従来の発光素子モジュールを使用した場合
は、発光素子数に応じて多数の光アイソレータを実装す
る必要があり極めてコストが高くなっていた。これに対
して、本発明に係る発光素子モジュールでは、図3に示
すように、出力ポートである光ファイバ51の伝播光路上
に単一の光アイソレータ70を挿入すればよい。従って、
全体として製造工数が少なくなると共に、材料コストも
低減される。
示した発光素子モジュールに対して更に光アイソレータ
70を付加して構成されている。即ち、光伝送路上の反射
による戻り光が発光素子に影響を及ぼすアナログ光伝送
等の用途では、発光素子モジュールと、それ以降の光伝
送路との間に光アイソレータを挿入する必要がある。し
かしながら、従来の発光素子モジュールを使用した場合
は、発光素子数に応じて多数の光アイソレータを実装す
る必要があり極めてコストが高くなっていた。これに対
して、本発明に係る発光素子モジュールでは、図3に示
すように、出力ポートである光ファイバ51の伝播光路上
に単一の光アイソレータ70を挿入すればよい。従って、
全体として製造工数が少なくなると共に、材料コストも
低減される。
【0037】図6は、本発明に係るアレイ型発光素子モ
ジュールの更に他の構成例を示す図である。
ジュールの更に他の構成例を示す図である。
【0038】同図に示す発光素子モジュールは、図2に
示した発光素子モジュール全体を、更にペルチェ効果素
子60上に装荷して構成されている。このような構成とす
ることにより、発光素子モジュール全体の温度を極めて
正確に管理することが可能になる。即ち、例えば、基板
30上にサーミスタ等の温度検出素子61を実装し、温度検
出素子の出力(サーミスタならば抵抗値)の変化を監視
しながら、ペルチェ効果素子60に駆動電流を供給するペ
ルチェ効果素子駆動回路62を帰還制御することにより発
光素子モジュールからの出射光の波長特性を極めて正確
に制御することが可能になる。具体的には、このような
構成の発光素子モジュールでは摂氏0.01度程度までの温
度管理が可能になるので、通常0.01nm/度程度の温度特
性を有する回折格子における回折波長の変動を10-4nm以
下まで抑制できる。こうして、極めて波長の安定した出
力を得ることが可能になる。
示した発光素子モジュール全体を、更にペルチェ効果素
子60上に装荷して構成されている。このような構成とす
ることにより、発光素子モジュール全体の温度を極めて
正確に管理することが可能になる。即ち、例えば、基板
30上にサーミスタ等の温度検出素子61を実装し、温度検
出素子の出力(サーミスタならば抵抗値)の変化を監視
しながら、ペルチェ効果素子60に駆動電流を供給するペ
ルチェ効果素子駆動回路62を帰還制御することにより発
光素子モジュールからの出射光の波長特性を極めて正確
に制御することが可能になる。具体的には、このような
構成の発光素子モジュールでは摂氏0.01度程度までの温
度管理が可能になるので、通常0.01nm/度程度の温度特
性を有する回折格子における回折波長の変動を10-4nm以
下まで抑制できる。こうして、極めて波長の安定した出
力を得ることが可能になる。
【0039】図7は、本発明に係るアレイ型発光素子モ
ジュールの更に他の構成例を示す図である。尚、図1に
示した発光素子モジュールと共通の構成要素には共通の
参照番号を付して詳細な説明は省略している。
ジュールの更に他の構成例を示す図である。尚、図1に
示した発光素子モジュールと共通の構成要素には共通の
参照番号を付して詳細な説明は省略している。
【0040】同図に示すように、この発光素子モジュー
ルは、図1に示したアレイ型光素子モジュールの基本構
成に、更に、光ファイバ2の回折格子部2aを冷却する
ためのペルチェ効果素子81と、このペルチェ効果素子81
に駆動電流を供給するペルチェ効果素子駆動回路82とを
備えている点にその主要な特徴がある。ここで、ペルチ
ェ効果素子駆動回路82は、回折格子付きの光ファイバ2
のうちの1本の光出力を受けており、この光ファイバ2
の出射光から回折格子部2aの温度の変動を検知してペ
ルチェ効果素子81を帰還制御するように構成されてい
る。このような構成により、温度変化に起因する光出力
の変化を自動的に補償することが可能になる。尚、この
ような構成での制御精度は1度程度であると思われるの
で、図6に示した構成よりも制御精度は低い。一方、温
度検出素子のような付加的な素子を光素子モジュールに
実装する必要がないという利点がある。
ルは、図1に示したアレイ型光素子モジュールの基本構
成に、更に、光ファイバ2の回折格子部2aを冷却する
ためのペルチェ効果素子81と、このペルチェ効果素子81
に駆動電流を供給するペルチェ効果素子駆動回路82とを
備えている点にその主要な特徴がある。ここで、ペルチ
ェ効果素子駆動回路82は、回折格子付きの光ファイバ2
のうちの1本の光出力を受けており、この光ファイバ2
の出射光から回折格子部2aの温度の変動を検知してペ
ルチェ効果素子81を帰還制御するように構成されてい
る。このような構成により、温度変化に起因する光出力
の変化を自動的に補償することが可能になる。尚、この
ような構成での制御精度は1度程度であると思われるの
で、図6に示した構成よりも制御精度は低い。一方、温
度検出素子のような付加的な素子を光素子モジュールに
実装する必要がないという利点がある。
【0041】図8は、本発明に係るアレイ型発光素子モ
ジュールの更に他の構成例を示す図である。尚、図4に
示した発光素子モジュールと共通の構成要素には共通の
参照番号を付して詳細な説明は省略している。
ジュールの更に他の構成例を示す図である。尚、図4に
示した発光素子モジュールと共通の構成要素には共通の
参照番号を付して詳細な説明は省略している。
【0042】同図に示すように、この発光素子モジュー
ルは、図4に示したアレイ型光素子モジュールの構成
に、さらに、光合波器50の出力ポート51からの光信号を
受ける光変調器90を装着して構成されている。即ち、前
述のように、発光素子1自体の駆動電力を変化させて出
力光信号を変調させた場合は変調速度が遅くなるという
問題がある。これに対して、上述ような構成とした場
合、発光素子自体からは定常的な光信号を発生させ、そ
の光信号を別途装着した光信号変調器90により変調する
ことで、変調速度を向上させることができる。
ルは、図4に示したアレイ型光素子モジュールの構成
に、さらに、光合波器50の出力ポート51からの光信号を
受ける光変調器90を装着して構成されている。即ち、前
述のように、発光素子1自体の駆動電力を変化させて出
力光信号を変調させた場合は変調速度が遅くなるという
問題がある。これに対して、上述ような構成とした場
合、発光素子自体からは定常的な光信号を発生させ、そ
の光信号を別途装着した光信号変調器90により変調する
ことで、変調速度を向上させることができる。
【0043】尚、光信号変調器90としては、LiNbO3 を
用いたもの、GaAs/AlGaAsやInGaAsP/InP半導体素子
で多重量子井戸構造を用いたもの等が仕様できる。
用いたもの、GaAs/AlGaAsやInGaAsP/InP半導体素子
で多重量子井戸構造を用いたもの等が仕様できる。
【0044】上記のような構成とすることにより、外部
変調器を用いない従来の光素子モジュールの変調速度の
限界が10GHz以下であったのに対して、本発明に従い外
部変調器を用いた光素子モジュールでは、 100GHz程度
までの変調速度を達成することが可能になる。
変調器を用いない従来の光素子モジュールの変調速度の
限界が10GHz以下であったのに対して、本発明に従い外
部変調器を用いた光素子モジュールでは、 100GHz程度
までの変調速度を達成することが可能になる。
【0045】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、所望の波長を組み合わせた、互いに異なる波長の
レーザ光を出射するアレイ型発光素子モジュールを容易
且つ確実に提供することが可能になる。従って、この発
光素子モジュールを使用することにより、波長多重方式
の高密度・高速光伝送を容易且つ廉価に実現することが
できる。
れば、所望の波長を組み合わせた、互いに異なる波長の
レーザ光を出射するアレイ型発光素子モジュールを容易
且つ確実に提供することが可能になる。従って、この発
光素子モジュールを使用することにより、波長多重方式
の高密度・高速光伝送を容易且つ廉価に実現することが
できる。
【0046】また、本発明に係る発光素子モジュール
は、前述のように、光ファイバを固定した後に、所望の
発振波長の組合せになるように回折格子を形成すること
ができる。従って、例えば、回折格子を形成していない
製品を出荷し、ユーザが用途に応じて所望の仕様になる
ように回折格子を形成してもよい。
は、前述のように、光ファイバを固定した後に、所望の
発振波長の組合せになるように回折格子を形成すること
ができる。従って、例えば、回折格子を形成していない
製品を出荷し、ユーザが用途に応じて所望の仕様になる
ように回折格子を形成してもよい。
【図1】本発明に係るアレイ型発光素子モジュールの構
成例を示す図である。
成例を示す図である。
【図2】本発明に係るアレイ型発光素子モジュールにお
ける光ファイバへの回折格子の形成方法を説明するため
の図である。
ける光ファイバへの回折格子の形成方法を説明するため
の図である。
【図3】本発明に係るアレイ型発光素子モジュールにお
ける光ファイバへの回折格子の他の形成方法を説明する
ための図である。
ける光ファイバへの回折格子の他の形成方法を説明する
ための図である。
【図4】本発明に係るアレイ型発光素子モジュールの他
の構成例を示す図である。
の構成例を示す図である。
【図5】本発明に係るアレイ型発光素子モジュールの他
の構成例を示す図である。
の構成例を示す図である。
【図6】本発明に係るアレイ型発光素子モジュールの他
の構成例を示す図である。
の構成例を示す図である。
【図7】本発明に係るアレイ型発光素子モジュールの他
の構成例を示す図である。
の構成例を示す図である。
【図8】本発明に係るアレイ型発光素子モジュールの他
の構成例を示す図である。
の構成例を示す図である。
【図9】従来の発光素子モジュールの構成を示す図であ
る。
る。
1・・・発光素子、 2、61・・・光ファイ
バ、10・・・発光素子アレイ、 20・・・光ファイ
バアレイ、30・・・基板、 40・・・レ
ンズアレイ、50・・・光合波器、 60、80・
・・ペルチェ効果素子、62、82・・・ペルチェ効果素子
駆動回路、70・・・光アイソレータ、 90・・・変
調器、100・・・フィルタ
バ、10・・・発光素子アレイ、 20・・・光ファイ
バアレイ、30・・・基板、 40・・・レ
ンズアレイ、50・・・光合波器、 60、80・
・・ペルチェ効果素子、62、82・・・ペルチェ効果素子
駆動回路、70・・・光アイソレータ、 90・・・変
調器、100・・・フィルタ
Claims (18)
- 【請求項1】複数の発光素子と、該発光素子の放射光を
一方の端面に受けるように該発光素子の各々にそれぞれ
対応して配置された複数の光ファイバとを備えたアレイ
型発光素子モジュールにおいて、 該光ファイバの各々の該入射端近傍に、各々が特定の回
折波長を有する回折格子が形成されていることを特徴と
するアレイ型発光素子モジュール。 - 【請求項2】請求項1に記載されたアレイ型発光素子モ
ジュールにおいて、前記光ファイバが、特定の配列平面
上で平行に配列された複数の光ファイバを含むことを特
徴とする発光素子モジュール。 - 【請求項3】請求項1または請求項2に記載されたアレ
イ型発光素子モジュールにおいて、前記光ファイバのう
ちの少なくとも1本に形成された回折格子の回折波長
が、他の光ファイバのうちの少なくとも1本と異なるこ
とを特徴とする発光素子モジュール。 - 【請求項4】請求項1から請求項3までの何れか1項に
記載された発光素子モジュールにおいて、前記発光素子
および前記光ファイバの入射端近傍が共通の基板上に装
荷されていることを特徴とする発光素子モジュール。 - 【請求項5】請求項1から請求項4までの何れか1項に
記載された発光素子モジュールにおいて、前記発光素子
と前記光ファイバの入射端との間に配置された光学系を
備えることを特徴とする発光素子モジュール。 - 【請求項6】請求項5に記載された発光素子モジュール
において、前記光学系がレンズアレイであることを特徴
とする発光素子モジュール。 - 【請求項7】請求項1から請求項6までの何れか1項に
記載された発光素子モジュールにおいて、前記発光素子
および/または前記光ファイバがペルチェ効果素子上に
装荷されていることを特徴とする発光素子モジュール。 - 【請求項8】請求項7に記載された発光素子モジュール
において、前記光ファイバのうちの少なくとも1本から
の光出力を監視して、該光出力に応じて前記ペルチェ効
果素子を動作させることにより、前記発光素子および/
または前記回折格子の温度を制御するように構成されて
いることを特徴とする発光素子モジュール。 - 【請求項9】請求項1から請求項8までの何れか1項に
記載された発光素子モジュールにおいて、前記光ファイ
バの各出射端が結合された光合波器を備えることを特徴
とする発光素子モジュール。 - 【請求項10】請求項9に記載された発光素子モジュー
ルにおいて、前記光合波器が、前記発光素子および前記
光ファイバと共に共通の基板上に実装されていることを
特徴とする発光素子モジュール。 - 【請求項11】請求項9または請求項10に記載された発
光素子モジュールにおいて、前記光合波器の出力側の伝
播光路上に挿入された光アイソレータを備えることを特
徴とする発光素子モジュール。 - 【請求項12】請求項9から請求項11までの何れか1項
に記載された発光素子モジュールにおいて、前記光合波
器の出射光を任意の信号により変調する光変調器を備
え、前記発光素子の各々が定常的な光出力を発生するよ
うに構成されていることを特徴とする発光素子モジュー
ル。 - 【請求項13】請求項1から請求項12までの何れか1項
に記載された発光素子モジュールを作製する方法であっ
て、前記光ファイバの各々が、予め回折格子を形成され
た後に所定の配列平面上に固定される工程を含むことを
特徴とする発光素子モジュールの作製方法。 - 【請求項14】請求項1から請求項12までの何れか1項
に記載された発光素子モジュールを作製する方法であっ
て、所定の配列平面上に複数の光ファイバを固定する工
程と、該固定された光ファイバの端部近傍にそれぞれ回
折格子を形成する工程とを含むことを特徴とする発光素
子モジュールの作製方法。 - 【請求項15】請求項13または請求項14に記載された方
法において、特定の光ファイバの回折格子を形成する領
域に対応した部分のみが開口したマスクを用い、該開口
を通じて互いに照射角度の異なるレーザ光を同時に該光
ファイバに照射することにより該光ファイバ上に回折格
子を形成する工程を含むことを特徴とする発光素子モジ
ュールの作製方法。 - 【請求項16】請求項13または請求項14に記載された作
製方法において、前記光ファイバの各々に、互いに異な
る照射量で紫外線またはX線を照射して前記回折格子を
形成する工程を含むことを特徴とする発光素子モジュー
ルの作製方法。 - 【請求項17】請求項16に記載された発光素子モジュー
ルの作製方法において、所定の分布の減衰特性を有する
フィルタ手段を介して前記紫外線またはX線を照射する
ことにより、前記光ファイバに対する照射量が制御され
ていることを特徴とする発光素子モジュールの作製方
法。 - 【請求項18】請求項16に記載された発光素子モジュー
ルの作製方法において、走査速度を変化させながら前記
光ファイバに対して前記紫外線または前記X線を照射す
る工程を含むことを特徴とする発光素子モジュールの作
製方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8101893A JPH0949948A (ja) | 1995-06-01 | 1996-04-01 | アレイ型発光素子モジュールとその製造方法 |
| US08/777,087 US5859945A (en) | 1996-04-01 | 1996-12-30 | Array type light emitting element module and manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-158442 | 1995-06-01 | ||
| JP15844295 | 1995-06-01 | ||
| JP8101893A JPH0949948A (ja) | 1995-06-01 | 1996-04-01 | アレイ型発光素子モジュールとその製造方法 |
| US08/777,087 US5859945A (en) | 1996-04-01 | 1996-12-30 | Array type light emitting element module and manufacturing method therefor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0949948A true JPH0949948A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=27309573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8101893A Withdrawn JPH0949948A (ja) | 1995-06-01 | 1996-04-01 | アレイ型発光素子モジュールとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0949948A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000261087A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Hitachi Cable Ltd | 3次元光受動導波路回路付きアクティブデバイス |
| US6452953B1 (en) | 1998-09-02 | 2002-09-17 | Nec Corporation | Light source |
| WO2002103867A1 (de) * | 2001-06-15 | 2002-12-27 | Infineon Technologies Ag | Opto-elektronisches lasermodul |
| JP2004514267A (ja) * | 2000-01-26 | 2004-05-13 | フランス テレコム | 一つのレーザーソースの波長によるスイッチングの方法および装置 |
| JP2005242142A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Fujikura Ltd | 光合分波器 |
| WO2006031412A1 (en) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Intel Corporation | Singulated dies in a parallel optics module |
| JP2007033853A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Fujitsu Ltd | Soaアレイ光モジュール |
| JP2009058646A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Seiko Epson Corp | 光源装置、画像表示装置及びモニタ装置 |
| US7905608B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-03-15 | Seiko Epson Corporation | Light source device and image display device having a wavelength selective element |
| US8047659B2 (en) | 2007-07-12 | 2011-11-01 | Seiko Epson Corporation | Light source device, image display apparatus, and monitor apparatus |
| WO2016002267A1 (ja) * | 2014-07-02 | 2016-01-07 | 住友電気工業株式会社 | 三色光光源 |
-
1996
- 1996-04-01 JP JP8101893A patent/JPH0949948A/ja not_active Withdrawn
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6452953B1 (en) | 1998-09-02 | 2002-09-17 | Nec Corporation | Light source |
| JP2000261087A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Hitachi Cable Ltd | 3次元光受動導波路回路付きアクティブデバイス |
| JP2004514267A (ja) * | 2000-01-26 | 2004-05-13 | フランス テレコム | 一つのレーザーソースの波長によるスイッチングの方法および装置 |
| WO2002103867A1 (de) * | 2001-06-15 | 2002-12-27 | Infineon Technologies Ag | Opto-elektronisches lasermodul |
| US6647038B2 (en) | 2001-06-15 | 2003-11-11 | Infineon Technologies Ag | Optoelectronic laser module |
| JP2005242142A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Fujikura Ltd | 光合分波器 |
| US7333695B2 (en) | 2004-09-10 | 2008-02-19 | Intel Corporation | Singulated dies in a parallel optics module |
| WO2006031412A1 (en) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Intel Corporation | Singulated dies in a parallel optics module |
| JP2007033853A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Fujitsu Ltd | Soaアレイ光モジュール |
| US7905608B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-03-15 | Seiko Epson Corporation | Light source device and image display device having a wavelength selective element |
| US8038306B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-10-18 | Seiko Epson Corporation | Light source device and image display device having a wavelength selective element |
| US8047659B2 (en) | 2007-07-12 | 2011-11-01 | Seiko Epson Corporation | Light source device, image display apparatus, and monitor apparatus |
| JP2009058646A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Seiko Epson Corp | 光源装置、画像表示装置及びモニタ装置 |
| US8057051B2 (en) | 2007-08-30 | 2011-11-15 | Seiko Epson Corporation | Light source device, image display device, and monitor device |
| WO2016002267A1 (ja) * | 2014-07-02 | 2016-01-07 | 住友電気工業株式会社 | 三色光光源 |
| US9941667B2 (en) | 2014-07-02 | 2018-04-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Three-color light source |
| US10374395B2 (en) | 2014-07-02 | 2019-08-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Three-color light source |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5859945A (en) | Array type light emitting element module and manufacturing method therefor | |
| US6628686B1 (en) | Integrated multi-wavelength and wideband lasers | |
| US7257142B2 (en) | Semi-integrated designs for external cavity tunable lasers | |
| EP2173043B1 (en) | Integrated optical comb source system and method | |
| CA2295353C (en) | Light generation method and light source | |
| US9385506B2 (en) | Wavelength tunable comb source | |
| US5040188A (en) | Semiconductor laser | |
| JP2001127377A (ja) | 光送信装置および光伝送装置 | |
| KR100957133B1 (ko) | 결합 공진기를 포함하는 다파장 광섬유 레이저 장치 및다파장 레이저의 발진 방법 | |
| CN1237298A (zh) | 产生波长不同的激光 | |
| JP6443955B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| EP0933664A2 (en) | Improved tunable transmitter with Mach-Zehnder modulator | |
| US6697411B2 (en) | Modulatable multi-wavelength semiconductor external cavity laser | |
| JPH0949948A (ja) | アレイ型発光素子モジュールとその製造方法 | |
| WO2010106939A1 (ja) | 波長可変レーザとその製造方法 | |
| US6081636A (en) | Wavelength division multiplexing optical transmission device and wavelength division multiplexing optical transmission system | |
| JP2000151014A (ja) | 光機能素子及び光通信装置 | |
| CN1969434A (zh) | 具有光学波长寻址的可调激光源 | |
| Koch | Laser sources for amplified and WDM lightwave systems | |
| US6791747B2 (en) | Multichannel laser transmitter suitable for wavelength-division multiplexing applications | |
| JP4242864B2 (ja) | 波長可変レーザ光源を自体で生成する波長変換器 | |
| JP3409741B2 (ja) | Wdm用半導体レーザ光モジュール | |
| US20260095015A1 (en) | Laser system with integrated wavelength control | |
| CN119742661A (zh) | 一种直接调制激光器阵列芯片及其制作方法 | |
| JP2005005502A (ja) | 発光装置、発光装置の製造方法および波長多重光通信システム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030603 |