JPH0950131A - 斜入射照明用アパーチャ及びこれを利用した投影露光装置 - Google Patents
斜入射照明用アパーチャ及びこれを利用した投影露光装置Info
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- JPH0950131A JPH0950131A JP8124329A JP12432996A JPH0950131A JP H0950131 A JPH0950131 A JP H0950131A JP 8124329 A JP8124329 A JP 8124329A JP 12432996 A JP12432996 A JP 12432996A JP H0950131 A JPH0950131 A JP H0950131A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 斜入射照明用アパーチャ及びこれを利用した
投影露光装置を提供する。 【解決手段】 遮光領域と光透過領域を具備する斜入射
照明用アパーチャにおいて、光透過領域が入射光をコン
デンサーレンズの縁部に回折させるプリズム形である。
従って、光透過領域の面積が広がって光強度が高められ
るので、露光時間を短くし、生産性を向上させうる。
投影露光装置を提供する。 【解決手段】 遮光領域と光透過領域を具備する斜入射
照明用アパーチャにおいて、光透過領域が入射光をコン
デンサーレンズの縁部に回折させるプリズム形である。
従って、光透過領域の面積が広がって光強度が高められ
るので、露光時間を短くし、生産性を向上させうる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアパーチャ及び投影
露光装置に係り、特に光強度を向上させる斜入射照明用
アパーチャ及びこれを利用した投影露光装置に関する。
露光装置に係り、特に光強度を向上させる斜入射照明用
アパーチャ及びこれを利用した投影露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造において、シリコ
ン基板の微細な領域に注入される不純物の量は精密に調
節されるべきである。この領域等を限定するパターン等
は写真蝕刻技術により形成される。
ン基板の微細な領域に注入される不純物の量は精密に調
節されるべきである。この領域等を限定するパターン等
は写真蝕刻技術により形成される。
【０００３】写真蝕刻技術によれば、半導体基板上の絶
縁膜や導電性膜等のパターンを形成すべきの膜上に感光
膜を塗布した後、この感光膜の所定部位を紫外線や電子
ビームまたはＸ線のような光線に露出させる。前記感光
膜のうち現像液に対して溶解度の大きい部分を除去する
ことにより感光膜パターンを形成する。次いで、感光膜
パターンを蝕刻マスクとしてパターンが形成される膜を
蝕刻して配線や電極等の各種パターンを形成する。
縁膜や導電性膜等のパターンを形成すべきの膜上に感光
膜を塗布した後、この感光膜の所定部位を紫外線や電子
ビームまたはＸ線のような光線に露出させる。前記感光
膜のうち現像液に対して溶解度の大きい部分を除去する
ことにより感光膜パターンを形成する。次いで、感光膜
パターンを蝕刻マスクとしてパターンが形成される膜を
蝕刻して配線や電極等の各種パターンを形成する。
【０００４】２５６Ｍ級及びその以上のDRAM（Dynamic
Random Access Memory）のような高集積回路の製造にお
いて、KrFエキサイマレーザーを利用した写真蝕刻術に
適用される斜入射照明がパターンの形成に有力な技術と
なっている。
Random Access Memory）のような高集積回路の製造にお
いて、KrFエキサイマレーザーを利用した写真蝕刻術に
適用される斜入射照明がパターンの形成に有力な技術と
なっている。
【０００５】図面に基づき従来の斜入射照明及びこれに
使用されるアパーチャに対して説明する。図１は従来の
斜入射照明を説明するための概略図であって、部材番号
１０はアパーチャを、１２はコンデンサーレンズを、１
４はフォトマスクを、１６は対物レンズを、そして１８
はウェーハを各々示す。
使用されるアパーチャに対して説明する。図１は従来の
斜入射照明を説明するための概略図であって、部材番号
１０はアパーチャを、１２はコンデンサーレンズを、１
４はフォトマスクを、１６は対物レンズを、そして１８
はウェーハを各々示す。
【０００６】光源から照射された光は斜入射照明用アパ
ーチャ１０の中央部で遮断され、外郭部を通してのみ光
がコンデンサーレンズ１２に入射される。コンデンサー
レンズ１２を透過した光は一定角を有してフォトマスク
に入射することになる。フォトマスクを透過した光の内
有効でない成分の光（＋１次回折光）は対物レンズの外
に抜出し、有効な成分の光（０次及び−１次回折光）の
み対物レンズ１６で集束されウェーハ１８上に照射され
る。
ーチャ１０の中央部で遮断され、外郭部を通してのみ光
がコンデンサーレンズ１２に入射される。コンデンサー
レンズ１２を透過した光は一定角を有してフォトマスク
に入射することになる。フォトマスクを透過した光の内
有効でない成分の光（＋１次回折光）は対物レンズの外
に抜出し、有効な成分の光（０次及び−１次回折光）の
み対物レンズ１６で集束されウェーハ１８上に照射され
る。
【０００７】前記斜入射照明方法は有効でない成分の回
折光を集束しないので、解像度がよく、焦点深度の大き
い長所がある。しかし、前記斜入射照明は直進成分を遮
断するためにアパーチャの中央部が塞がっているので、
通常の照明に比べて集束される光量が少なくて生産性が
劣る問題点がある。従って、露光時間を延ばしたり光強
度を強化して生産性を向上させるべきである。
折光を集束しないので、解像度がよく、焦点深度の大き
い長所がある。しかし、前記斜入射照明は直進成分を遮
断するためにアパーチャの中央部が塞がっているので、
通常の照明に比べて集束される光量が少なくて生産性が
劣る問題点がある。従って、露光時間を延ばしたり光強
度を強化して生産性を向上させるべきである。
【０００８】従来の斜入射照明に使用されるアパーチャ
と通常の照明に使用されるアパーチャを比べて説明す
る。図２は通常の照明に使用されるアパーチャを示した
平面図及び断面図である。図２に示されたように、アパ
ーチャは中央部に穴が開いている部分が光を透過させる
領域２０であり、外郭部が有効でない光を遮断する領域
２２よりなるドーナツの形をしている。
と通常の照明に使用されるアパーチャを比べて説明す
る。図２は通常の照明に使用されるアパーチャを示した
平面図及び断面図である。図２に示されたように、アパ
ーチャは中央部に穴が開いている部分が光を透過させる
領域２０であり、外郭部が有効でない光を遮断する領域
２２よりなるドーナツの形をしている。
【０００９】図３（Ａ）乃至図３（Ｂ）は従来の斜入射
照明方法に使用されるアパーチャを示した平面図であ
る。図３（Ａ）は四極形アパーチャ（Quadrupole apert
ure）を示した平面図であって、通常のアパーチャに、
光を透過させるための４つのホール３０が対称的に配置
されていて、入射される光の中から斜入射成分のみを得
るために、垂直に入射される中央部は遮光物質で塞がっ
ている。
照明方法に使用されるアパーチャを示した平面図であ
る。図３（Ａ）は四極形アパーチャ（Quadrupole apert
ure）を示した平面図であって、通常のアパーチャに、
光を透過させるための４つのホール３０が対称的に配置
されていて、入射される光の中から斜入射成分のみを得
るために、垂直に入射される中央部は遮光物質で塞がっ
ている。
【００１０】図３（Ｂ）は輪状アパーチャを示した平面
図であって、中央部３４は光を遮断するように塞がって
いて、透過させる部分３２は中央部３４を取囲む輪状を
成している。
図であって、中央部３４は光を遮断するように塞がって
いて、透過させる部分３２は中央部３４を取囲む輪状を
成している。
【００１１】一般的に輪状アパーチャは前記４極形アパ
ーチャより斜入射照明効果がよい。通常の投影露光装置
に使用されるアパーチャの光透過領域（図２の部材番号
２０）の半径（σ１）を１にした時、前記従来の斜入射
照明に使用されるアパーチャは半径（σ２）が全体半径
（σ１）の０．８倍ほどの光遮断領域（図３（Ｂ）の部
材番号３４）を有する。
ーチャより斜入射照明効果がよい。通常の投影露光装置
に使用されるアパーチャの光透過領域（図２の部材番号
２０）の半径（σ１）を１にした時、前記従来の斜入射
照明に使用されるアパーチャは半径（σ２）が全体半径
（σ１）の０．８倍ほどの光遮断領域（図３（Ｂ）の部
材番号３４）を有する。
【００１２】通常の照明での光強度を求めるために光が
透過する領域の面積を計算する。通常の照明に使用され
るアパーチャの半径を１にすると、通常の照明に使用さ
れるアパーチャの光透過領域の面積は次のようである。
透過する領域の面積を計算する。通常の照明に使用され
るアパーチャの半径を１にすると、通常の照明に使用さ
れるアパーチャの光透過領域の面積は次のようである。
【００１３】πσ2 ＝π×１×１＝π となり、従来の斜入射照明に使用されるアパーチャにお
いて、光を遮断する中央部（図３（Ｂ）の部材番号３
４）の面積は、 πσ2 ＝π×０．８×０．８＝０．６４π となる。従って、実際に光を透過しうる領域（図３
（Ｂ）の部材番号３２）の面積は、 π−０．６４π＝０．３４π となるので、通常の照明に使用されるアパーチャに比べ
て３４％の光透過量、即ち光強度を有する。四極形アパ
ーチャも前記輪状アパーチャのように光強度の低下を甘
受すべきである。従って、従来の斜入射照明に使用され
るアパーチャは中央部が光を遮断するので、光強度が低
くて露光時間が長くなり、生産性を考慮すべき量産には
適しない。
いて、光を遮断する中央部（図３（Ｂ）の部材番号３
４）の面積は、 πσ2 ＝π×０．８×０．８＝０．６４π となる。従って、実際に光を透過しうる領域（図３
（Ｂ）の部材番号３２）の面積は、 π−０．６４π＝０．３４π となるので、通常の照明に使用されるアパーチャに比べ
て３４％の光透過量、即ち光強度を有する。四極形アパ
ーチャも前記輪状アパーチャのように光強度の低下を甘
受すべきである。従って、従来の斜入射照明に使用され
るアパーチャは中央部が光を遮断するので、光強度が低
くて露光時間が長くなり、生産性を考慮すべき量産には
適しない。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第１目的は従
来の斜入射照明の問題点を解決するために、光強度を向
上させたアパーチャを提供することにある。
来の斜入射照明の問題点を解決するために、光強度を向
上させたアパーチャを提供することにある。
【００１５】本発明の第２目的は前記アパーチャを採用
して光強度を向上させた投影露光装置を提供することに
ある。
して光強度を向上させた投影露光装置を提供することに
ある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記第１目的を達成する
ために本発明は、遮光領域と光透過領域を具備する斜入
射照明用アパーチャにおいて、前記光透過領域が入射光
をコンデンサーレンズの縁部に回折させるプリズム形で
あることを特徴とする斜入射照明用アパーチャを提供す
る。
ために本発明は、遮光領域と光透過領域を具備する斜入
射照明用アパーチャにおいて、前記光透過領域が入射光
をコンデンサーレンズの縁部に回折させるプリズム形で
あることを特徴とする斜入射照明用アパーチャを提供す
る。
【００１７】本発明による前記アパーチャは、入射され
る光の中から０次光を遮断するための中央の第１遮光領
域と、前記第１遮光領域を取囲み、入射光をコンデンサ
ーレンズの縁部に回折させるプリズム形の光透過領域及
び前記光透過領域を取囲む第２遮光領域を具備する輪状
アパーチャであることが望ましい。
る光の中から０次光を遮断するための中央の第１遮光領
域と、前記第１遮光領域を取囲み、入射光をコンデンサ
ーレンズの縁部に回折させるプリズム形の光透過領域及
び前記光透過領域を取囲む第２遮光領域を具備する輪状
アパーチャであることが望ましい。
【００１８】本発明による前記アパーチャにおいて、前
記光透過領域の一部または全部がプリズム形であること
が望ましい。
記光透過領域の一部または全部がプリズム形であること
が望ましい。
【００１９】本発明による前記アパーチャにおいて、前
記第１遮光領域の厚さを第２遮光領域の厚さより厚くし
たり、前記第１遮光領域と第２遮光領域の厚さが同じで
あることが望ましい。
記第１遮光領域の厚さを第２遮光領域の厚さより厚くし
たり、前記第１遮光領域と第２遮光領域の厚さが同じで
あることが望ましい。
【００２０】本発明による前記アパーチャは四極形アパ
ーチャであることが望ましい。
ーチャであることが望ましい。
【００２１】前記第２目的を達成するために本発明は、
光源、前記光源から発生した光の強さを調節するフライ
アイレンズと、前記フライアイレンズを透過した光をコ
ンデンサーレンズの縁部に回折させるプリズム形の光透
過領域を含むアパーチャと、前記アパーチャを透過した
光をフォトマスクに入射させるコンデンサーレンズと、
前記コンデンサーレンズから入射された光をパターンの
形の通りに透過させるフォトマスクと、前記フォトマス
クを透過した光をウェーハ上に集束させる対物レンズ
と、前記対物レンズから照射された光によりパターンが
形成されるウェーハを具備することを特徴とする。
光源、前記光源から発生した光の強さを調節するフライ
アイレンズと、前記フライアイレンズを透過した光をコ
ンデンサーレンズの縁部に回折させるプリズム形の光透
過領域を含むアパーチャと、前記アパーチャを透過した
光をフォトマスクに入射させるコンデンサーレンズと、
前記コンデンサーレンズから入射された光をパターンの
形の通りに透過させるフォトマスクと、前記フォトマス
クを透過した光をウェーハ上に集束させる対物レンズ
と、前記対物レンズから照射された光によりパターンが
形成されるウェーハを具備することを特徴とする。
【００２２】本発明の投影露光装置において、前記アパ
ーチャは輪状または四極形アパーチャであることが望ま
しい。
ーチャは輪状または四極形アパーチャであることが望ま
しい。
【００２３】本発明によれば、光透過領域の面積を広げ
て光強度を高め、露光時間を短くし、生産性を向上させ
うる。
て光強度を高め、露光時間を短くし、生産性を向上させ
うる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の望ましい実施例を
添付の図面に基づき詳しく説明する。本発明によるアパ
ーチャは遮光領域と光透過領域を具備する斜入射照明用
アパーチャにおいて、前記光透過領域が入射光をコンデ
ンサーレンズの縁部に回折させるプリズム形であること
が特徴である。
添付の図面に基づき詳しく説明する。本発明によるアパ
ーチャは遮光領域と光透過領域を具備する斜入射照明用
アパーチャにおいて、前記光透過領域が入射光をコンデ
ンサーレンズの縁部に回折させるプリズム形であること
が特徴である。
【００２５】図４は本発明の一実施例による輪状アパー
チャを示した平面図である。図４に示されたように、本
発明の実施例によるアパーチャは、入射される光の中か
ら直進成分を遮断するための中央の第１遮光領域４０
と、前記第１遮光領域４０を取囲む輪状を成していて、
入射光をコンデンサーレンズの縁部に回折させるプリズ
ム形の光透過領域４２及び前記光透過領域４２を取囲む
第２遮光領域４４を具備することが望ましい。
チャを示した平面図である。図４に示されたように、本
発明の実施例によるアパーチャは、入射される光の中か
ら直進成分を遮断するための中央の第１遮光領域４０
と、前記第１遮光領域４０を取囲む輪状を成していて、
入射光をコンデンサーレンズの縁部に回折させるプリズ
ム形の光透過領域４２及び前記光透過領域４２を取囲む
第２遮光領域４４を具備することが望ましい。
【００２６】具体的に、本発明によるアパーチャは従来
の斜入射照明に使用される輪状アパーチャより０次光遮
断領域の大きさを減らして光強度を高め、光透過領域４
２で光が屈折されるようにして相対的に弱くなった斜入
射効果を高める。即ち、従来の輪状アパーチャに比べて
アパーチャの中央の０次回折光遮断領域４０の半径（σ
２）を小さくし、反面に光透過領域４２の半径（σ１）
を大きくした。また、光透過部位をプリズム形で制作す
ることにより入射光の斜入射角を調節して入射された光
がコンデンサーレンズの縁部に向かうようにする。
の斜入射照明に使用される輪状アパーチャより０次光遮
断領域の大きさを減らして光強度を高め、光透過領域４
２で光が屈折されるようにして相対的に弱くなった斜入
射効果を高める。即ち、従来の輪状アパーチャに比べて
アパーチャの中央の０次回折光遮断領域４０の半径（σ
２）を小さくし、反面に光透過領域４２の半径（σ１）
を大きくした。また、光透過部位をプリズム形で制作す
ることにより入射光の斜入射角を調節して入射された光
がコンデンサーレンズの縁部に向かうようにする。
【００２７】本発明によるアパーチャで、中央の光遮断
領域の半径が全体アパーチャの半径の０．５７倍ほどで
あるので、全体半径を１とした時のその面積は、 ０．５７×０．５７×π＝０．３２５π となるので、実際に光を透過しうる領域（図４の部材番
号４２）の面積は、 π−０．３２５π＝０．６７５π となる。即ち、６８％ほどの光強度を有するので、従来
の３４％ほどの光強度に比べて約２倍の光強度が得られ
る。
領域の半径が全体アパーチャの半径の０．５７倍ほどで
あるので、全体半径を１とした時のその面積は、 ０．５７×０．５７×π＝０．３２５π となるので、実際に光を透過しうる領域（図４の部材番
号４２）の面積は、 π−０．３２５π＝０．６７５π となる。即ち、６８％ほどの光強度を有するので、従来
の３４％ほどの光強度に比べて約２倍の光強度が得られ
る。
【００２８】図５（Ａ）乃至図５（Ｃ）は本発明の実施
例による変形アパーチャの垂直断面を示す断面図であ
る。
例による変形アパーチャの垂直断面を示す断面図であ
る。
【００２９】示されたように、光透過部位４２が透過さ
れる光がコンデンサーレンズの縁部に回折されるように
プリズム形で作られている。
れる光がコンデンサーレンズの縁部に回折されるように
プリズム形で作られている。
【００３０】本発明による輪状アパーチャにおいて、第
１遮光領域４０の厚さを第２遮光領域４４の厚さより厚
くしたり（図５（Ａ））、第１遮光領域４０と第２遮光
領域４４の厚さが同じように制作しうる。または図５
（Ｃ）に示されたように、光透過領域の一部をプリズム
形にしうる。この場合、斜入射領域に入射された光（部
材番号Ｂ）は前記プリズムにより一定角で回折されコン
デンサーレンズの縁部に向かうことになる。
１遮光領域４０の厚さを第２遮光領域４４の厚さより厚
くしたり（図５（Ａ））、第１遮光領域４０と第２遮光
領域４４の厚さが同じように制作しうる。または図５
（Ｃ）に示されたように、光透過領域の一部をプリズム
形にしうる。この場合、斜入射領域に入射された光（部
材番号Ｂ）は前記プリズムにより一定角で回折されコン
デンサーレンズの縁部に向かうことになる。
【００３１】第１遮光領域４０の厚さを第２遮光領域４
４の厚さより厚くすることは制作しやすい長所がある。
前記アパーチャの材質としては石英基板を使用する。本
発明によるアパーチャにおいて、プリズム形の光透過領
域は輪状アパーチャ及び四極形アパーチャを含む全ての
形のアパーチャに適用しうる。前記アパーチャの材質と
しては石英基板を使用しうる。
４の厚さより厚くすることは制作しやすい長所がある。
前記アパーチャの材質としては石英基板を使用する。本
発明によるアパーチャにおいて、プリズム形の光透過領
域は輪状アパーチャ及び四極形アパーチャを含む全ての
形のアパーチャに適用しうる。前記アパーチャの材質と
しては石英基板を使用しうる。
【００３２】図６は本発明による斜入射照明用アパーチ
ャを使用した投影露光装置を示した概略図であって、ア
パーチャの光透過領域が入射光をコンデンサーレンズの
縁部に回折させるプリズム形となっている。
ャを使用した投影露光装置を示した概略図であって、ア
パーチャの光透過領域が入射光をコンデンサーレンズの
縁部に回折させるプリズム形となっている。
【００３３】部材番号５０はプリズム形の光透過領域を
具備するアパーチャを、５２はコンデンサーレンズを、
５４はフォトマスクを、５６は対物レンズを、そして５
８はウェーハを各々示す。
具備するアパーチャを、５２はコンデンサーレンズを、
５４はフォトマスクを、５６は対物レンズを、そして５
８はウェーハを各々示す。
【００３４】具体的に、光源から照射された光は本発明
によるアパーチャ５０を通りながらコンデンサーレンズ
の縁部に回折される。コンデンサーレンズ５２を透過し
た光は一定角を有してフォトマスク５４に入射すること
になる。フォトマスクを透過した光の内有効でない成分
の光（＋１次回折光）は対物レンズの外に抜出し、有効
な成分の光（０次及び−１次回折光）のみ対物レンズ５
６で集束されウェーハ５８上に照射される。フォトマス
ク５４に斜入射された光は従来の斜入射された光に比べ
てその強度が非常に高い。
によるアパーチャ５０を通りながらコンデンサーレンズ
の縁部に回折される。コンデンサーレンズ５２を透過し
た光は一定角を有してフォトマスク５４に入射すること
になる。フォトマスクを透過した光の内有効でない成分
の光（＋１次回折光）は対物レンズの外に抜出し、有効
な成分の光（０次及び−１次回折光）のみ対物レンズ５
６で集束されウェーハ５８上に照射される。フォトマス
ク５４に斜入射された光は従来の斜入射された光に比べ
てその強度が非常に高い。
【００３５】前記アパーチャ５０は従来のアパーチャに
比べて光透過領域の面積が広がったので光強度が高くな
ることは勿論、光透過領域が入射光をコンデンサーレン
ズの縁部に斜入射させるプリズム形になっているので斜
入射照明の効果が得られる。前記アパーチャは輪状アパ
ーチャまたは四極形アパーチャを使用しうる。
比べて光透過領域の面積が広がったので光強度が高くな
ることは勿論、光透過領域が入射光をコンデンサーレン
ズの縁部に斜入射させるプリズム形になっているので斜
入射照明の効果が得られる。前記アパーチャは輪状アパ
ーチャまたは四極形アパーチャを使用しうる。
【００３６】本発明は前記実施例に限定されなく、多く
の変形が本発明の技術的思想内で当分野で通常の知識を
有する者により可能であることは明白である。
の変形が本発明の技術的思想内で当分野で通常の知識を
有する者により可能であることは明白である。
【００３７】
【発明の効果】前述した本発明によるアパーチャ及び投
影露光装置によれば、光透過領域の面積が広がったアパ
ーチャに因して従来のアパーチャより光強度が高められ
る。従って、従来の斜入射照明に比べて光強度が増加し
たので、露光時間の短縮ができて生産性が向上される。
影露光装置によれば、光透過領域の面積が広がったアパ
ーチャに因して従来のアパーチャより光強度が高められ
る。従って、従来の斜入射照明に比べて光強度が増加し
たので、露光時間の短縮ができて生産性が向上される。
【図１】 従来の斜入射照明に使用される投影露光装置
を概略的に示した図面である。
を概略的に示した図面である。
【図２】 通常の照明に使用されるアパーチャを示した
平面図である。
平面図である。
【図３】 （Ａ）は、従来の斜入射照明方法に使用され
る四極形アパーチャを示した平面図であり、（Ｂ）は、
従来の斜入射照明方法に使用される輪状アパーチャを示
した平面図である。
る四極形アパーチャを示した平面図であり、（Ｂ）は、
従来の斜入射照明方法に使用される輪状アパーチャを示
した平面図である。
【図４】 本発明の一実施例による輪状アパーチャを示
した平面図である。
した平面図である。
【図５】 （Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の実施例による変
形アパーチャの垂直断面を示す断面図である。
形アパーチャの垂直断面を示す断面図である。
【図６】 本発明による変形アパーチャを具備する投影
露光装置を概略的に示した図面である。
露光装置を概略的に示した図面である。
１０，５０…アパーチャ、 １２，５２…コンデンサーレンズ、 １４，５４…フォトマスク、 １６，５６…対物レンズ、 １８，５８…ウェーハ、 ３０…ホール、 ４０…第１遮光領域、 ４２…光透過領域、 ４４…第２遮光領域。
Claims (9)
- 【請求項１】 遮光領域と光透過領域を具備する斜入射
照明用アパーチャにおいて、前記光透過領域が入射光を
コンデンサーレンズの縁部に回折させるプリズム形であ
ることを特徴とする斜入射照明用アパーチャ。 - 【請求項２】 前記アパーチャは、 入射される光の中から０次回折光を遮断するための中央
の第１遮光領域と、 前記第１遮光領域を取囲む輪状であり、入射光をコンデ
ンサーレンズの縁部に回折させるプリズム形の光透過領
域及び前記光透過領域を取囲む第２遮光領域を具備する
輪状アパーチャであることを特徴とする請求項１に記載
の斜入射照明用アパーチャ。 - 【請求項３】 前記第１遮光領域の厚さが第２遮光領域
の厚さより厚いことを特徴とする請求項２に記載の斜入
射照明用アパーチャ。 - 【請求項４】 前記第１遮光領域の厚さと第２遮光領域
の厚さが同じであることを特徴とする請求項２に記載の
斜入射照明用アパーチャ。 - 【請求項５】 前記光透過領域は一部または全部がプリ
ズム形であることを特徴とする請求項２に記載の斜入射
照明用アパーチャ。 - 【請求項６】 前記アパーチャは四極形アパーチャであ
ることを特徴とする請求項１に記載の斜入射照明用アパ
ーチャ。 - 【請求項７】 光源、 前記光源から発生した光の強さを調節するフライアイレ
ンズと、 前記フライアイレンズを透過した光をコンデンサーレン
ズの縁部に回折させるプリズム形の光透過領域を含むア
パーチャと、 前記アパーチャを透過した光をフォトマスクに入射させ
るコンデンサーレンズと、 前記コンデンサーレンズを透過した光をパターンの形の
通りに透過させるフォトマスクと、 前記フォトマスクを透過した光をウェーハ上に集束させ
る対物レンズと、 前記対物レンズから照射された光によりパターンが形成
されるウェーハを具備することを特徴とする投影露光装
置。 - 【請求項８】 前記アパーチャを透過した光の形が二重
輪状であることを特徴とする請求項７に記載の投影露光
装置。 - 【請求項９】 前記アパーチャは輪状及び四極形アパー
チャよりなるグループから選択された１つであることを
特徴とする請求項７に記載の投影露光装置。
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